KR20070107751A - 실리콘 가스 인젝터 및 그 제조 방법 - Google Patents

실리콘 가스 인젝터 및 그 제조 방법 Download PDF

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라안 제하비
리즈 레이놀즈
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인티그레이티드 머티어리얼스, 인크.
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Abstract

미세한 실리콘 분말 및 경화가능한 실리카-형성제, 예를 들어 스핀-온 그래스로 형성되고 초음파 교반된 접착제를 이용하여 함께 접합된 두 개의 쉘(54, 56)을 포함하며 배치식 열처리 오븐에서 이용될 수 있는 가스 인젝터 튜브(40)가 제공된다. 튜브는 말단부에 가스 배출구(52)를 구비할 수 있고 또는 실리콘 캡(86)으로 밀봉될 수 있으며 측부를 따라 형성된 측부 배출구 홀(84)을 구비할 수 있다. 실리콘 인젝터 튜브는 실리콘 타워 및 실리콘 라이너와 함께 이용될 수 있으며, 그에 따라 로의 고온 영역내의 모든 벌크 부분들이 실리콘으로 형성된다.

Description

실리콘 가스 인젝터 및 그 제조 방법{SILICON GAS INJECTOR AND METHOD OF MAKING}
관련 출원
본 출원은 2005년 2월 23일자로 출원된 가명세서 출원 제 60/655,483 호를 기초로 우선권을 주장한다.
본 발명은 전체적으로 반도체 웨이퍼의 열적 프로세싱에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 열처리로(thermal treatment furnace)내의 가스 인젝터에 관한 것이다.
실리콘 집적 회로의 제조시에 배치식(batch) 열 처리가 여러 단계에서 이용되고 있다. 하나의 저온 열처리에서 화학기상증착에 의해 실리콘 질화물 층을 도포(deposit)하며, 이때 통상적으로 전구체(precursor) 가스로서 약 700℃ 온도의 암모니아 및 클로로실란이 이용된다. 다른 저온 프로세스는 폴리실리콘 또는 실리콘 이산화물의 도포 또는 저온을 이용하는 기타 프로세스를 포함한다. 고온 프로세스는 산화, 어닐링, 실리콘화합물화(silicidation), 및 통상적으로 고온, 예를 들어 1000℃ 이상 또는 1200℃의 온도를 이용하는 기타 프로세스를 포함한다.
통상적으로, 대규모의 상업적 제조는 수직형 로(furnace) 및 수직으로 정렬되고 많은 수의 웨이퍼를 로내에서 지지하는 웨이퍼 타워를 이용하며, 그러한 구성의 일반적인 예가 도 1에 개략적으로 도시되어 있다. 로(10)는 도면에 도시되지 않은 전력 공급원에 의해 전력을 공급받는 저항식 히터 코일(14)을 지지하는 단열 히터 캐니스터(heater canister; 12)를 포함한다. 통상적으로 석영으로 구성되는 벨 자아(bell jar)(16)는 지붕을 포함하고 히팅 코일(14)에 끼워진다. 개방 단부형 라이너(liner; 18)가 이용될 수 있으며, 그 라이너는 벨 자아(16)내에 끼워진다. 지지 타워(20)가 받침대(22)상에 안착되고, 프로세싱 중에 받침대(22) 및 지지 타워는 라이너(18)에 의해 전체적으로 둘러싸인다. 타워(20)는 배치식 모드에서 수평으로 배치되고 열적으로 처리되는 다수의 웨이퍼들을 유지하기 위해 수직방향으로 정렬된 슬롯들을 포함한다. 원칙적으로 타워(20)와 라이너(19) 사이에 배치된 가스 인젝터(24)는 라이너(18)내에서 프로세싱 가스를 분사하기 위한 배출구를 상단부에 구비한다. 도면에 도시되지 않은 진공 펌프가 벨 자아(16)의 바닥부를 통해 프로세싱 가스를 제거한다. 웨이퍼가 타워(20)의 내외로 이송될 수 있도록 히터 캐니스터(12), 벨 자아(16), 및 라이너(18)를 수직방향으로 상승시킬 수 있으나, 몇몇 구성에서 그 구성 요소들을 고정식으로 유지하고 엘리베이터가 받침대(22) 및 적재된 타워(20)를 로(10)의 바닥부 내외로 상승 및 하강시킬 수도 있다.
상단부가 폐쇄된 벨 자아(16)는 로(10)의 중간 및 상부 부분이 대체적으로 균일한 고온을 가지도록 하는 경향을 부여한다. 이는 고온 영역으로 지칭되며, 그 러한 고온 영역에서 최적 열적 프로세스를 위해 온도가 제어된다. 그러나, 받침대(22)의 기계적 지지부 및 벨 자아(16)의 개방된 바닥부로 인해 로의 하단부가 낮은 온도를 가지게 되며, 종종 화학기상증착과 같은 프로세스가 완전히 유효하게 일어나지 않을 정도로 낮은 온도를 가지게 된다. 타워(20)의 하부 슬롯들 중 일부는 고온 영역에서 제외될 것이다.
통상적으로, 저온 용도에서, 타워, 라이너, 및 인젝터는 석영 또는 용융 실리카로 구성된다. 그러나, 석영 타워 및 인젝터는 실리콘 타워 및 인젝터로 대체되고 있다. 미국 캘리포니아 서니베일에 소재하는 Integrated Materials, Inc.로 부터 입수가 가능한 실리콘 타워의 하나의 구성이 도 2에 도시되어 있다. 그러한 타워의 제조가 본 명세서에서 참조하는 Boyle 등의 미국 특허 제 6,455,395 호에 개시되어 있다. 실리콘 라이너는 Boyle 등에 의해 미국 특허 출원 제 09/860392 호로 2001년 5월 18일자로 출원되고 공고된 미국 특허 제 2002/170,486 호에 기재되어 있다.
실리콘 인젝터는 Integrated Materials, Inc.로부터 상업적으로 입수가 가능하다. 그러나, 여기에서는 긴 스트로우(straw)를 형성하는 두 개의 쉘(shell)들 사이의 납계(lead-based) 접착제를 이용하고 있다. 비록 납의 양이 상대적으로 적지만, 프로세싱 로에서의 납의 사용을 완전히 배제할 것이 강력히 요구되고 있는데, 이는 프로세싱 로에서 납이 반도체 실리콘 구조물에 심각한 열화(劣化)를 초래할 수 있기 때문이다. 두 개의 쉘의 접합은 또한 길이 방향을 따른 누설 방지 시임을 만들어야 하는 문제를 제공한다.
본 발명은 로내에서 이용할 수 있는 실리콘 인젝터 시스템을 포함하며, 그러한 실리콘 인젝터 시스템에서 인젝터 튜브 또는 스트로우는 바람직하게 실리콘 분말을 포함하는 스핀-온 그래스(spin-on glass; SOG)-계 접착제를 이용하여 함께 결합되고 실리콘으로 이루어진 두 개의 쉘로 구성된다. 본 발명은 또한 상기 SOG-계 접착제로 함께 결합된 실리콘 엘보우(elbow) 및 공급 튜브를 포함한다.
본 발명은 상기 실리콘 인젝터 시스템을 제조하는 방법을 더 포함한다.
본 발명의 다른 특징은, 결합되고 어닐링될 실리콘 부분에 도포하기에 앞서서, 실리카-형성제 및 실리콘 분말의 혼합물을 초음파 교반하여 SOG-계 접착제로 균질화하는 단계를 포함한다.
본 발명은 또한 타워, 인젝터, 및 배플(baffle) 웨이퍼를 포함하여 모두-실리콘인(all-silicon) 고온 영역을 가지는 어닐링 로 및 실리콘 집적 회로의 제조시에 그러한 로를 이용하는 것을 포함한다.
도 1은 타워, 인젝터 튜브, 및 라이너를 둘러싸는 어닐링 오븐의 단면도이다.
도 2는 단부 배출구를 가지는 본 발명의 인젝터 튜브의 일 실시예의 사시도이다.
도 3은 도 2의 인젝터 튜브의 연결부 부분을 도시한 사시도이다.
도 4는 도 2의 인젝터 튜브의 배출구 단부를 확대하여 도시한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 인젝터 튜브의 일 실시예를 형성하는데 이용되는 쉘의 사시도이다.
도 6은 쉘의 일 실시예에서 도 5의 쉘들의 접합 상태를 도시한 단면도이다.
도 7 내지 도 10은 쉘의 다른 실시예에서 결합된 쉘들 사이의 계면의 여러 형태를 도시한 단면도이다.
도 11은 다수의 측면 배출구를 구비하는 본 발명의 인젝터 튜브의 다른 실시예의 사시도이다.
도 12는 인젝터 튜브의 부분들을 융합하는데 이용되는 지그(jig)의 사시도이다.
도 1의 사시도에 도시된 본 발명의 인젝터(40)의 일 실시예는 인젝터 스트로우(42)(튜브라고도 한다) 및 너클(knuckle; 44)(커넥터라고도 한다)을 포함한다. 도 3의 사시도에 보다 구체적으로 도시된 너클(44)은 인젝터 스트로우(42)를 수용하기 위한 리세스(50)를 가지는 엘보우(48) 및 공급 튜브(46)를 포함한다. 공급 튜브(46)는 내측 원형 보어(51; bore)에 대응하는 크기인 약 4 내지 8 mm의 외경을 가질 것이다.
공급 튜브(46)의 단부는 진공 피팅(fitting) 및 O-링을 통해 가스 공급 라인으로 연결될 수 있으며, 상기 가스 공급 라인은 예를 들어 실리콘 질화물의 CVD 증착을 위한 암모니아 및 실란과 같은 가스 또는 가스 혼합물을 로내로 공급한다. 완전히 일체형인 너클(44)이 Boyle 등의 미국 특허 제 6,450,346 호에 기재된 바와 같은 프로세스에 따라 어닐링된 순수(virgin) 폴리실리콘으로부터 가공될 수 있다. 그러한 가공은 공급 보어(51)를 리세스(50)에 연결하는 것을 포함한다. 그 대신에, 별개의 가공된 엘보우(48)로 장착되고 접합되는 별개의 튜브(48)로부터 너클(44)이 조립될 수도 있다.
인젝터 스트로우(42)는, 예를 들어 전체 길이를 따라 연장하는 튜브(46)의 원형 보어(52)의 직경과 유사한 직경을 가지는, 원형 인젝터 보어(52)에 의해 형성된다. 인젝터 스트로우(42)는, 도시된 바와 같이, 예를 들어 챔버 라이너를 향하는 베벨형(bebeled) 단부를 구비하거나, 또는 상기 스트로우(42)의 축선에 수직인 평평한 단부를 구비할 수 있다. 인젝터 스트로우(42)의 단면 형상은, 도시된 바와 같이, 실질적으로 정사각형이거나, 또는 제조 라인(fab line) 및 로 제조자의 요건에 따라 팔각형, 둥근 형상 또는 기타 형상을 가질 수 있다. 인젝터 스트로우(42)는 두 개의 쉘(54, 56)로 구성되며, 상기 쉘들은 함께 결합된다. 도 4에 보다 구체적으로 도시된 바와 같이, 보어(52)의 배출구가 부분적으로 측부를 지향하도록, 예를 들어 작동 배향(operational orientation) 상태에서 라이너(18)를 향하도록, 쉘(54, 56)이 경사진 말단부를 구비할 수 있다.
그 대신에, 스트로우(42)가 두 개의 쉘(60, 62)(또는 54, 56)로 이루어진 수직 배출구를 가질 수 있으며, 상기 쉘들 중 하나가 도 5에 도시되어 있다. 각 쉘(60, 62)은 Boyle 특허에 개시된 바와 같이 어닐링 후의 순수 폴리실리콘으로부터 가공되어 반(semi)-원형 또는 다른 형상의 홈(64) 및 두 개의 길이방향으로 연장하는 페이스(faces; 66, 68)을 포함한다. 도 7의 단면도에 도시된 바와 같이 함 께 접합되어 축방향 보어(70)를 둘러싸게 되었을 때 각각의 대향하는 페이스(66, 68, 66', 68')를 양 쉘(60, 62)이 구비하도록, 도 6에 도시된 바와 같이 쉘(60, 62)을 형성할 수도 있을 것이다. 그러나, 접합부의 평면에 수직하는 피쳐(feature)가 접합부의 내구성을 개선할 수 있을 것이다. 그러한 피쳐는, 예를 들어, 도 8에 단면이 도시된 텅(tongue)-및-홈 구조가 될 수 있으며, 도 8에 도시된 구조에서는 하나의 쉘(60)내에 형성된 두 개의 축방향으로 연장하는 텅(72)이 다른 쉘(62)내에 형성된 두 개의 축방향으로 연장하는 홈(74)과 형상결합(mating)된다. 도 9의 단면도에 도시된 관련 구조물은 각각의 형상결합 쉘(60, 62)내에 하나의 텅(72)과 하나의 홈(74)을 형성한다. 그 대신에, 도 10의 단면도에 도시된 계단형 구조물은 각 쉘(60, 62)에 형성된 서로 상보적(相補的)이고 대응하는 계단부(76)를 포함하며, 바람직하게 보어(70)에 인접한 계단부(76)의 높이는 대략적으로 보어 직경에 따라 달라질 수 있다. 홈 깊이 또는 계단부 높이(x)는 융합(fusing) 입자들의 최대 직경 보다 커야 하며, 예를 들어 10 또는 100 ㎛ 보다 커야 한다.
도 2의 인젝터 튜브(40)는 말단부에 하나의 배출구를 포함한다. 몇몇 용도에서, 도 1의 타워(20)의 상단부에 인접하는 곳까지 연장하는 하나의 인젝터 튜브만으로도 충분할 수 있다. 다른 용도에서, 타워(20)를 따라 다양한 높이에서 가스를 분사하는 것이 바람직할 수도 있다. 이러한 경우에, 서로 다른 길이의 다수의 인젝터 튜브(40)가 동일한 로(10)내에 이용될 수 있다. 그러나, 도 11에 도시된 인젝터(80)의 다른 실시예에서, 스트로우(82)가 도 5에서와 유사한 두 개의 정사각 형-단부형 슬리브(60, 60')를 포함하며, 그 슬리브는 도 7 내지 도 10의 실시예로부터 선택된 페이스를 가진다. 그러나, 노출된 쉘 페이스로부터 스트로우(82)로 둘러싸인 보어(70)까지 연장하는 하나 이상의, 바람직하게는 다수의 배출구 홀(84)을 포함하도록, 예를 들어 외측을 향하는 슬리브(62')가 가공된다. 가장 용이하게, 배출구 홀(84)은 둥근 형상을 가지도록 드릴(drill) 가공된다. 슬리브(60, 62')들이 서로 접합되고, 실리콘 단부 캡(86)이 쉘(60, 62')의 말단부에 접합되어 보어(70)를 밀봉한다. 그에 따라, 가스가 하나 이상의 배출구 홀(84)로부터 측방향으로 사출된다. 만약 다수의 배출구 홀(84)이 존재한다면, 가스는 다양한 높이에서 오븐 내로 사출될 것이다. 다수의, 특히 3개 이상의 배출구 홀(84)을 가지는 가장 단순한 실시예에서, 그 배출구 홀(84)들은 서로 동일한 직경을 가지고 스트로우(82)의 작업 부분을 따라 서로 동일한 간격으로 이격된다. 그러나, 스트로우(82)에서의 압력 강하 및 오븐(10)내에서의 펌핑 편차(differential) 그리고 기타의 영향을 고려하기 위해 상기 배출구 홀들의 직경 또는 스트로우(82)를 따른 간격을 예를 들어 지수함수적(exponentally)으로 변화시킴으로써 가스 유동을 조정할 수 있다.
인젝터들은 도 12에 도시된 지그(90)를 이용하여 조립되고 접합될 수 있으며, 상기 지그는 인젝터 조립 중의 여러 단계에서 수직방향으로 또는 수평방향으로 배향될 수 있을 것이다. 지그(90)는 적어도 바닥부 쉘(60) 및 엘보우(44)를 수용하도록 형성된 하나 이상의 수평 연장 홈(72)을 구비한다. 그러나, 지그는 쉘의 다른 형태에도 마찬가지로 적용될 수 있을 것이다. 나노-분말 스핀-온 그래 스(SOG) 접착제를 서로 마주하는 페이스(66, 68) 쌍 모두에 도포하거나, 나노-분말 스핀-온 그래스 접착제를 각 쌍 중 하나의 페이스(66)에 도포하고 무분말(powderless) SOG를 다른 페이스에 도포하여 습윤(wet)시킨다. 무분말 SOG의 습윤 층 또는 다른 습윤제를 Si-분말 SOG의 도포에 앞서서 페이스들에 도포할 수도 있다. 나노-분말은 두 개의 쉘(60, 62) 사이에 매우 얇고 연속적인 누설방지 밀봉부를 제공할 수 있다. 두 개의 쉘(60, 62)을 함께 압착된다. 하나의 접착 방법으로서, 쉘들을 지그(90)의 홈(92)내에 배치한다. 지그(90) 및 지지되는 쉘(60, 62)들이 수평방향으로 연장하는 지그(90)와 함께 수평방향 로내로 위치된다. 그에 따라, SOG 접착제가 어닐링되고 슬리브(60, 62)들이 접합되어 스트로우(42)를 형성한다.
접착제의 경화 후에, 분말-함유 SOG 접착제가 스트로우(42)와 너클(44) 사이의 조인트(joint)의 양 표면에 또는 그 중 하나에 도포되고, 스트로우(42)는 엘보우(44)의 리세스(50)내로 위치된다. 마이크로-분말 SOG 아교(glue)를 이용하여 너클 조인트에 보다 두꺼운 접합부를 제공할 수 있고 그리고 조립체를 어닐링하고 지그(90)에 접합하는 동안에 얇은 나노-분말 SOG 아교가 누설되는 것을 방지할 수 있으나, 적절하게 주의를 기울이면 나노-분말 SOG 아교를 너클 조인트에 대해 사용할 수도 있을 것이다. 만약 단부 캡(86)이 적용된다면, 이때 또는 다른 시간에 유사하게 아교접합될 수 있을 것이다. 이어서, 조립체가 다시 지그(90)에 위치되고, 최종 인젝터(40)로 경화될 수직 연장 지그와 함께 수직 로내에 위치된다. 두 번째 방법에서, 누설 문제를 회피하기 위해 지그가 재디자인되고, 경화되지 않은 스트로 우(42)가 너클(44)로 아교접착되고 모든 조인트들이 동시에 어닐링된다. 만약, 지그가 다수의 인젝터를 수용한다면, 조립체가 모든 인젝터에 대해 복제된다. 다수의 가이드(94)가 조립된 슬리브(60, 62)에 걸쳐 위치되어 각각의 홈(92)내에서 유지한다. 바람직하게, 지그(90) 및 가이드(94) 모두가 실리콘으로 구성된다. 순수 실리콘이 요구되는 것은 아니지만, 경제적인 이유로 사용된다.
마이크로-분말 및 나노-분말 실리콘 SOG 접착제가, 본 명세서에서 참조하는, 2003년 9월 25일자 미국 특허 출원 제 10/670,990 호로서 현재 2004/213955 특허된 특허에 보다 구체적으로 기재되어 있다. 마이크로-분말은 상업적으로 이용가능한 실리콘 분말로부터 분쇄될 수 있고, 크기 분포는 모든 입자의 99%가 75 ㎛ 이하 특히 10 ㎛의 지름을 가진다. 나노-실리콘 분말은 미국 몬타나 실버 보우에 소재하는 Advanced Silicon Materials LLC가 제공하는 NanoSiTM Polysilicon을 이용할 수 있을 것이다. 그 분말은 레이저 활성화를 포함하는 환원(reduction) 공정에 의해 제조될 수 있고 또 크기 분포는 모든 입자의 99%가 100 nm 미만의 직경을 가질 수 있으며; 90% 이상이 50 nm 미만, 그리고 10 내지 25 nm의 중간 크기(median size)를 가질 수 있다. 그러나, 나노-실리콘 분말은 다른 방법으로 제조될 수도 있을 것이다. 실리콘 분말은 Dow Corning이 공급하는 FOX25 또는 FOX16과 같은 스핀-온 그래스(SOG) 전구체와 혼합된다. 이러한 전구체들은 하이드로젠 실레스퀴조안(hydrogen silesquixoane; HSQ)를 기초로 하며, 다른 형태의 실록산 및 다른 형태의 그래스-형성제가 이용될 수도 있을 것이다. SOG 전구체 및 분말의 혼합물을 수용하고 있는 플라스틱 테스트 튜브를 초음파 배쓰(bath) 장치내에 위치시켜 혼합 물에 2분 또는 3분간 초음파 교반을 가하여 혼합물을 균질화시킨다. 초음파 배쓰 장치는 용수 배스(water bath)에 인접하고 예를 들어 40 kHz의 고주파로 전기구동되는 압전 변환기를 포함할 수 있고, 상기 주파수는 메가헤르쯔 범위가 될 수도 있을 것이다. 바람직하게, 미리 균질화된(도포 후에 균질화될 수도 있다) SOG 접착제 혼합물을 조인트의 페이스들 모두에 또는 그 중 하나에 도포하고 부분들을 형상결합시킨다. 조립된 구조물은 실리카-형성제를 세라믹으로 그래스화(glassify)하기에 충분하고 두 부분을 접합하기에 충분한 고온에서 어닐링된다. SOG 접착제의 형태에 따라 다양한 어닐링 온도가 가능할 것이다. 그러나, 850 내지 1000℃, 예를 들어 약 900℃에서 어닐링하는 것이 바람직하다는 것을 발견하였다.
실리콘 인젝터는, 제품 웨이퍼상에 형성된 부착 물질의 얇은 층 및 고온 영역내의 기타 실리콘 부분들 그리고 SOG-계 접착제와 같이 존재할 수 있는 소량의 결합제를 제외하고, 라이너내부의 고온 영역이 실리콘 벌크 물질에 의해서만 점유될 수 있게 한다. 인젝터, 지지 타워, 및 라이너의 벌크 부분은, 비록 예를 들어 실리콘 질화물 등의 얇은 표면 층에 의해 덮일 수도 있지만, SOG 접착제를 제외하고 순수 실리콘으로 구성된다. 배플(baffle) 웨이퍼가 종종 타워의 빈 슬롯에 배치되어 제로 라인을 채우거나 열적 버퍼링을 제공한다. Boyle 등의 2005년 3월 3일자 미국 가명세서 출원 제 60/658,075 호에 설명된 바와 같이, 배플 웨이퍼가 실리콘, 바람직하게 다결정 실리콘, 가장 바람직하게 무작위 배향된 초크랄스키(Czochralski) 폴리실리콘으로 구성될 수 있다.
로내에서 이루어지는 어닐링 또는 열처리에 따라, 하나의 인젝터로 충분할 수도 있고 또는 높이가 서로 상이한 다수의 인젝터를 로내에 이용할 수도 있다.
본 발명은 설명된 인젝터로 제한되지 않는다. 예를 들어, 보어를 가지도록 가공되고 거의 평면형인 커버가 부착된 베이스로부터 스트로우가 형성될 수도 있을 것이다. 또한, 하나 이상의 인젝터 제트가 스트로우의 단부로부터 연장하는 대신에 인젝터의 축선으로 연장하는 실질적으로 폐쇄된 보어로부터 측방향으로 연장할 수 있다.
본 발명의 SOG 접착제 구성을 이용하여 실리콘 인젝터 대신에 실리콘 부분들을 접합할 수도 있을 것이다.

Claims (24)

  1. 실질적으로 순수한 실리콘으로 이루어지고, 실리콘 분말 및 실리카-형성제로 형성된 접착제를 이용하여 함께 접합되어 그 사이에 제 1 중앙 보어를 형성하는, 두 개의 쉘로 형성된 인젝터 튜브를 포함하는
    실리콘 가스 인젝터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    실리콘 분말 및 실리카-형성제로 형성된 접착제를 이용하여 상기 두 개의 쉘에 접합되고 상기 인젝터 튜브에 수직으로 연장하는 공급 튜브를 포함하며 상기 제 1 중앙 보어와 연통하는 제 2 중앙 보어를 포함하는 제 2 실리콘 튜브 조립체를 더 포함하는
    실리콘 가스 인젝터.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 분말은 모든 입자의 99%의 직경이 75 ㎛ 미만인 크기 분포를 가지는
    실리콘 가스 인젝터.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 크기 분포는 모든 입자의 99%가 10 ㎛ 미만의 직경을 가지는 것을 나타내는
    실리콘 가스 인젝터.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 크기 분포는 모든 입자의 99%가 100 nm 미만의 직경을 가지는 것을 나타내는
    실리콘 가스 인젝터.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 실리콘 튜브 조립체가 공급 튜브 및 일체형 유닛으로 형성된 엘보우를 포함하는
    실리콘 가스 인젝터.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 두 개의 쉘이 순수 폴리실리콘으로 형성되는
    실리콘 가스 인젝터.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 두 개의 쉘이 서로 형상결합하는 텅 및 홈들을 상기 두 쉘 사이의 계면에 포함하는
    실리콘 가스 인젝터.
  9. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 두 개의 쉘이 서로 형상결합하는 계단부를 상기 두 쉘 사이의 계면에 포함하는
    실리콘 가스 인젝터.
  10. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 두 개의 쉘이 서로 형상결합하는 계단형 표면을 상기 두 쉘 사이의 계면에 포함하는
    실리콘 가스 인젝터.
  11. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    접합된 쉘들의 단부에 밀봉되는 캡을 더 포함하고, 상기 쉘들 중 하나의 축방향 연장 측부에 형성되고 상기 튜브의 보어까지 연장하는 하나 이상의 홀을 더 포함하는
    실리콘 가스 인젝터.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 축방향 연장 측부를 따라 서로 축방향으로 이격된 다수의 홀들이 제공되는
    실리콘 가스 인젝터.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 홀들의 직경 또는 상기 3개 이상의 홀들 사이의 간격이 축방향 연장 측부를 따라 변화되는
    실리콘 가스 인젝터.
  14. 가스 인젝터를 조립하는 방법으로서:
    실질적으로 순수한 실리콘을 포함하고 서로 조립되었을 때 그 사이에 축방향 보어를 형성하는 두 개의 쉘을 제공하는 단계;
    실리콘 분말 및 경화성 실리카-형성제를 포함하는 접착제를 상기 두 개의 쉘의 적어도 일부의 형상결합 페이스에 도포하는 단계;
    상기 두 개의 쉘의 각각의 형상결합 페이스를 병렬배치(juxtaposing)시킴으로써 상기 두 개의 쉘을 조립하는 단계; 및
    상기 접착제를 그래스화하기에 충분한 온도에서 상기 조립된 쉘을 어닐링하는 단계를 포함하는
    가스 인젝터 조립 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 온도가 400℃ 이상인
    가스 인젝터 조립 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 온도가 850 내지 1000℃ 인
    가스 인젝터 조립 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 두 개의 쉘을 제공하는 단계가 하나 이상의 어닐링된 순수 폴리실리콘 부재로부터 쉘을 가공하는 단계를 포함하는
    가스 인젝터 조립 방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 접착제의 도포에 앞서서 상기 형상결합 페이스들의 적어도 일부에 무분말 습윤제를 도포하는 단계를 더 포함하는
    가스 인젝터 조립 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 습윤제가 경화성 실리카-형성제를 포함하는
    가스 인젝터 조립 방법.
  20. 제 14 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    실리카-형성제 및 실리콘 분말을 혼합물로 혼합하는 단계; 및
    상기 혼합물을 초음파 교반하여 접착제를 형성하는 단계를 더 포함하는
    가스 인젝터 조립 방법.
  21. 두 개의 실리콘 부분들을 서로 접합하는 방법으로서:
    실리콘 분말 및 실리카-형성제를 함께 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계;
    상기 혼합물을 초음파 교반하는 단계;
    상기 두 개의 각각의 실리콘 부재의 두 개의 형상결합 표면 중 하나 이상에 상기 교반된 혼합물을 도포하는 단계; 및
    상기 교반된 혼합물을 사이에 두고 상기 두 개의 형상결합 표면을 따라 상기 실리콘 부재들을 결합하는 단계를 포함하는
    실리콘 부분들을 접합하는 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 결합된 실리콘 부재들을 어닐링하여 상기 실리카-형성제를 경화하는 단계를 더 포함하는
    실리콘 부분들을 접합하는 방법.
  23. 실리콘 웨이퍼를 열처리하는 방법으로서.
    실리콘 제품 웨이퍼를 실리콘 타워에 지지하는 단계;
    상기 실리콘 타워 및 상기 실리콘 타워에 지지된 웨이퍼를 상기 타워를 둘러싸는 실리콘 라이너를 포함하는 로내에 배치하는 단계; 및
    상기 라이너내에서 상기 로의 고온 영역내의 제품 웨이퍼를 처리하기 위해, 상기 타워와 상기 라이너 사이에 배치된 배출구를 구비하는 하나 이상의 실리콘 인젝터를 통해 프로세스 가스를 유동시키는 단계를 포함하며;
    상기 고온 영역내에 배치된 상기 인젝터, 상기 라이너, 및 상기 타워의 모든 벌크 부분들이 실리콘 이외의 다른 물질을 실질적으로 포함하지 않으며 인젝터에 대한 어떠한 납-계 접착제도 포함하지 않는
    실리콘 웨이퍼를 열처리하는 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    실리콘 분말 및 실리카-형성제로 형성된 접착제를 이용하여 서로 결합되고 중앙 축선방향 보어를 그 사이에 형성하는 두 개의 실질적으로 순수한 실리콘 쉘로 형성된 튜브를 상기 인젝터가 포함하는
    실리콘 웨이퍼를 열처리하는 방법.
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Families Citing this family (271)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7972703B2 (en) * 2005-03-03 2011-07-05 Ferrotec (Usa) Corporation Baffle wafers and randomly oriented polycrystalline silicon used therefor
US20070169701A1 (en) * 2006-01-21 2007-07-26 Integrated Materials, Inc. Tubular or Other Member Formed of Staves Bonded at Keyway Interlocks
US7736437B2 (en) * 2006-02-03 2010-06-15 Integrated Materials, Incorporated Baffled liner cover
TWI464292B (zh) * 2008-03-26 2014-12-11 Gtat Corp 塗覆金之多晶矽反應器系統和方法
MY156940A (en) * 2008-03-26 2016-04-15 Gt Solar Inc System and methods for distributing gas in a chemical vapor deposition reactor
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
WO2011038242A2 (en) * 2009-09-25 2011-03-31 Ferrotec (Usa) Corporation Hybrid gas injector
TWI513848B (zh) * 2010-09-24 2015-12-21 Ferrotec Usa Corp 混合氣體注射器
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015244B2 (en) 2013-12-30 2021-05-25 Advanced Material Solutions, Llc Radiation shielding for a CVD reactor
US10450649B2 (en) 2014-01-29 2019-10-22 Gtat Corporation Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US20170167023A1 (en) * 2015-12-09 2017-06-15 Lam Research Corporation Silicon or silicon carbide gas injector for substrate processing systems
AT518081B1 (de) * 2015-12-22 2017-07-15 Sico Tech Gmbh Injektor aus Silizium für die Halbleiterindustrie
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
KR102043876B1 (ko) 2016-02-09 2019-11-12 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
AT520629B1 (de) 2018-05-22 2019-06-15 Sico Tech Gmbh Injektor aus Silizium für die Halbleiterindustrie
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
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US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
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US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
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CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) * 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
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KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
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TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5242075A (en) * 1975-09-29 1977-04-01 Nippon Denso Co Ltd Device for controlling gas atmosphere in semiconductor producing equip ment
FR2490246A1 (fr) * 1980-09-17 1982-03-19 Cit Alcatel Dispositif de deposition chimique activee sous plasma
US5192371A (en) * 1991-05-21 1993-03-09 Asm Japan K.K. Substrate supporting apparatus for a CVD apparatus
JPH0992625A (ja) * 1995-09-20 1997-04-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理用ボ−ト
CN1252180A (zh) * 1997-04-08 2000-05-03 扎尔多兹有限公司 改进的导管系统
US6455395B1 (en) * 2000-06-30 2002-09-24 Integrated Materials, Inc. Method of fabricating silicon structures including fixtures for supporting wafers
US20020170487A1 (en) * 2001-05-18 2002-11-21 Raanan Zehavi Pre-coated silicon fixtures used in a high temperature process
US6435865B1 (en) * 2001-07-30 2002-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for positioning gas injectors in a vertical furnace
US7083694B2 (en) * 2003-04-23 2006-08-01 Integrated Materials, Inc. Adhesive of a silicon and silica composite particularly useful for joining silicon parts

Also Published As

Publication number Publication date
US20060185589A1 (en) 2006-08-24
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