TW202342810A - 基板支撐件、半導體處理系統、及製造基板支撐件的方法 - Google Patents

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Abstract

基板支撐件包括加熱器主體、加熱器元件及加熱器端子。加熱器主體係由陶瓷材料形成,且具有由厚度隔開的上表面及下表面。加熱器元件配置在上與下表面之間,並埋置在形成加熱器主體的陶瓷材料內。加熱器端子配置在上與下表面之間、電性連接至加熱器元件,及具有電極表面及圓弧表面。電極表面相對下表面,使電流流至加熱器元件。圓弧表面相對上表面且埋置在陶瓷材料內,以在加熱安置於加熱器主體上表面上的基板期間限制陶瓷材料內的應力。亦描述半導體處理系統及製造用於半導體處理系統的基板支撐件的方法。

Description

基板支撐件、具有基板支撐件的半導體處理系統及製造用於半導體處理系統的基板支撐件的方法
本揭露大致上係關於半導體裝置的製造。更特別地,本揭露係關於在半導體裝置製造期間在半導體處理系統內支撐基板。
半導體裝置通常係使用適於進行各種處理操作(包括圖案化、蝕刻及材料層沉積)的半導體處理系統製造。蝕刻及材料層沉積例如一般係藉由將基板支撐在基板支撐件上、加熱基板達想要的材料層沉積溫度及使材料層前驅物流過製程室並橫越基板來實現。當材料層前驅物流過製程室及橫越基板時,通常會發生化學反應。化學反應一般造成材料層沉積至基板上,通常係以對應已加熱基板溫度的速率。材料層沉積至基板上可利用化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)技術,諸如磊晶(epitaxy)、原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)技術,或利用電漿增進化學氣相沉積或原子層沉積技術來實現。
在一些膜沉積技術中,基板加熱可使用陶瓷加熱器來實現。此類陶瓷加熱器可包括加熱元件,諸如電加熱元件或流體迴路,其配置在陶瓷加熱器的内部且熱連通形成陶瓷加熱器的塊材。加熱元件一般配置以經由形成陶瓷加熱器的陶瓷材料將熱傳遞至陶瓷加熱元件所支撐的一或多個基板,陶瓷材料轉送由加熱元件產生的熱來加熱基板達想要的沉積溫度。雖然基於其預期目的大致上可接受,但在一些沉積技術中,形成陶瓷加熱器的陶瓷材料可能遭受破裂。
存有各種對策來限制用於陶瓷加熱器的陶瓷材料破裂。例如,想要的沉積溫度可限制為低於形成陶瓷加熱器的塊材出現裂痕時的溫度。或者(或此外),加熱基板的速率可限制為低於形成陶瓷加熱器的塊材出現裂痕時的升降溫速率。且形成加熱器的陶瓷材料組成物本身可改變成在用於材料層沉積製程的材料層沉積溫度下展現抗裂性的組成物,可能可改善採用陶瓷加熱器的半導體處理系統的可靠性。
雖然基於其預期目的大致上可接受,但限制材料沉積溫度及/或熱轉換可能限制採用陶瓷加熱器的半導體處理系統的產量,且改變形成陶瓷材料的塊材可能需耗時驗證及測試,以限制新材料對沉積至基板上的材料層性質不會有不利影響的風險。
這類方法及系統已經大致上被認為適合於其預期目的。然而,本領域仍需要改良式基板支撐件、半導體處理系統及製造用於半導體處理系統的基板支撐件的方法。本揭示內容提供此需求之解決方案。
提供一種基板支撐件。基板支撐件包括加熱器主體、加熱器元件及加熱器端子。加熱器主體係由陶瓷材料形成,及具有由加熱器主體厚度隔開的上和下表面。加熱器元件配置在加熱器主體的上與下表面之間,且埋置在形成加熱器主體的陶瓷材料內。加熱器端子配置在加熱器主體的上與下表面之間、電性連接至加熱器元件,並具有電極表面和圓弧表面。加熱器端子的電極表面相對加熱器主體的下表面,使電流流至加熱器元件。加熱器端子的圓弧表面相對加熱器主體的上表面且埋置在陶瓷材料內,以在加熱安置於加熱器主體的上表面上的基板期間限制陶瓷材料內的應力。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括端子的圓弧表面橫跨加熱器端子的電極表面,且圓弧表面具有半圓形輪廓並相對於加熱器主體的上表面具有凸面形狀。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括圓弧表面具有頂點,且加熱器元件在頂點與加熱器端子的電極表面之間電性連接至加熱器端子。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括加熱器端子包含鉬或含鉬合金。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括圓弧表面具有圓弧表面粗糙度,電極表面具有電極表面粗糙度,且圓弧表面粗糙度小於電極表面粗糙度。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括加熱器端子的圓弧表面具有介於約1000埃(angstroms)與約100埃之間、或介於約500埃與約100埃之間、或介於約200埃與約100埃之間的圓弧表面粗糙度。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括加熱器端子的圓弧表面界定(a)半圓形輪廓、(b)拋物面輪廓或(c)圓形輪廓。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括陶瓷材料在加熱器主體的上表面與下表面之間連續延伸。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括陶瓷材料在加熱器主體的側向相對側之間連續延伸。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例包括形成加熱器主體的陶瓷材料包括氧化鋁、氮化鋁、碳化矽、氧化釔或具有二或更多陶瓷組成物的陶瓷複合物。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括加熱器主體的下表面界定凹部,且其中電極表面與凹部接界。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括加熱器端子的電極表面至少部分埋置在形成加熱器主體的陶瓷材料內。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括加熱器端子的電極表面至少部分暴露在加熱器主體外部的環境。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括加熱器主體的上表面及下表面界定(a)盤狀形狀、(b)多邊形形狀、(c)方形形狀或(d)矩形形狀。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括加熱器端子的圓弧表面以銳角接合加熱器端子的電極表面。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括加熱器端子的圓弧表面於圓角曲面接合加熱器端子的電極表面。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括圓弧表面係第一圓弧表面,加熱器端子具有第二圓弧表面,且第一圓弧表面隔開第二圓弧表面與加熱器主體的上表面。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括圓弧表面及電極表面在加熱器主體的上表面與下表面之間界定一相連圓形輪廓。
除了上述一或多個特徵,或作為一替代例,基板支撐件的進一步實例可包括加熱器元件係第一加熱器元件,基板支撐件包括埋置在第一加熱器元件與加熱器主體的下表面之間的陶瓷材料內的第二加熱器元件,且加熱器端子在加熱器主體的厚度內界定圓形輪廓。
提供一種半導體處理系統。半導體處理系統包括閘閥、基板傳送機器人、腔體及如上所述之基板支撐件。基板傳送機器人經支撐以相對於閘閥移動。腔體連接至閘閥。基板支撐件配置在腔體的內部。形成加熱器主體的陶瓷材料包括氮化鋁,加熱器的上表面和下表面界定盤狀形狀,且加熱器端子的圓弧表面界定半圓形輪廓並相對於加熱器主體的上表面具有凸面形狀。
製造用於半導體處理系統的基板支撐件的方法包括界定具有圓弧表面和電極表面的加熱器端子、將加熱器元件電性連接至加熱器端子,及將加熱器元件及加熱器端子埋置在陶瓷粉末內。陶瓷粉末經燒結而形成燒結粉壓體(sintered powder compact),燒結粉壓體界定加熱器主體,其由陶瓷材料形成且具有上表面和下表面。加熱器元件及加熱器放置在陶瓷粉末內,使得加熱器元件及加熱器端子配置在加熱器主體的上表面與下表面之間,電極表面相對加熱器主體的下表面,使電流流至加熱器元件,圓弧表面相對加熱器主體的上表面且埋置在陶瓷材料內,以在加熱安置於加熱器主體的上表面上的基板期間限制陶瓷材料內的應力。
此發明內容係提供以簡化形式介紹一系列概念。係在以下本揭露之實例的詳細敘述中進一步詳細描述此等概念。此發明內容並不意欲鑑別所主張之標的事項的關鍵特徵或基本特徵,亦不意欲用以限制所主張之標的事項的範疇。
本申請案主張於西元2021年12月31日提交之美國臨時專利申請案第63/295,604號的優先權,其全部內容以引用方式併入本文中。
現將參考圖式,其中相同附圖標記識別本揭示內容之類似結構特徵或態樣。為了解釋及繪示之目的而非限制,根據本揭露之一基板支撐件實例的一部分視圖顯示於第1圖,且大致上由參考元件符號100指示。如將描述,根據本揭露或其態樣之基板支撐件、半導體處理系統及製造用於半導體處理系統的基板支撐件的方法的其他實例係提供於第2圖到第12圖。本揭露之系統及方法可用於在半導體裝置製造期間在半導體處理系統中支撐基板,諸如在積體電路半導體裝置製造期間利用化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)技術將材料層沉積至基板上期間。然而,應理解及明白本揭露一般而言不限於任何化學氣相沉積或原子層沉積材料層沉積技術或製造任何特定類型的半導體裝置。
參照第1圖,示出包括基板支撐件100(例如,陶瓷加熱器)的半導體處理系統10。半導體處理系統10包括基板傳送機器人12、閘閥14及反應器16。閘閥14將基板傳送機器人12耦接至反應器16及經構型以在反應器16與外部環境之間提供選擇性連通。基板傳送機器人12經支撐以在反應器16外移動及經構型以將基板(例如,基板2)傳送進出反應器16。反應器16容置基板支撐件100及經構型以沉積材料層(例如,材料層4)至基板支撐件100所支撐的基板上,例如,使用化學氣相沉積或原子層沉積技術。如本文中所顯示及描述,反應器16包括氣體輸送配置18、排氣配置20及升降銷配置22。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,半導體處理系統10可包括更少或額外元件且仍在本揭露的範疇內。
氣體輸送配置18連接至反應室16及經構型以提供前驅物24至反應室16。在某些實例中,前驅物24可包括含矽前驅物,非限定舉例來說,諸如矽烷或三氯矽烷。根據某些實例,前驅物24可包括含金屬前驅物,非限定舉例來說,諸如三甲基鋁(trimethylaluminum)。亦設想根據某些實例,氣體輸送配置18可包括遠端電漿單元。在此類實例中,遠端電漿單元可經構型以產生自由基物種,氣體輸送配置18繼而可將其提供至反應器16作為前驅物24。
排氣配置20連接至反應器16、由反應器16耦接至氣體輸送配置18,及經構型以接收由反應器16所發出的排氣26之流。在某些實例中,排氣26可包括在沉積材料層4至基板2上期間包括由反應器16所發出的殘留前驅物及/或反應產物。根據某些實例,排氣配置20可包括真空泵。根據某些實例,排氣配置20可包括減量裝置,非限定舉例來說,諸如洗滌器。
反應器16包括腔體28、噴淋頭30及基板支撐件100。腔體28具有進氣埠32、排氣埠34及内部36。氣體輸送配置18連接至進氣埠32及從中流體耦接至腔體28的内部36,以經由其提供前驅物24至腔體28的内部36。排氣配置20連接至排氣埠34及從中流體耦接腔體28的内部36,以接收由腔體28發出的排氣26。噴淋頭30安置於腔體28的內部36並在進氣埠32與基板支撐件100之間、具有從中延伸的複數個流孔38,及經由複數個流孔38將進氣埠32流體耦接至基板支撐件100。基板支撐件100安置於腔體28的內部36並在噴淋頭30與排氣埠34之間、由陶瓷材料110所形成,及經構型以在沉積材料層4至基板2的上表面6上期間支撐基板2。
升降銷配置22包括複數個升降銷40及升降銷致動器42。複數個升降銷40經構型以相對於腔體28移動、設置在延伸穿過腔體28的升降銷孔44內,及與升降銷致動器42操作性聯結。升降銷致動器42繼而經構型以在伸出位置46與縮回位置48之間驅動複數個升降銷40。當處於伸出位置46時,升降銷40的尖端設置在基板支撐件100上方且在腔體28的内部36內。當處於縮回位置48時,升降銷40的尖端設置在基板支撐件100內。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,在加熱基板2及沉積材料層4至基板2的上表面6上之前,將升降銷從伸出位置46移動至縮回位置48會把基板2安置在基板支撐件100上。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容亦將明瞭,在沉積材料層4至基板2的上表面6上之後,將升降銷40從縮回位置48移動至伸出位置46會使基板2離開基板支撐件100。
參照第2圖,示出基板支撐件100由下而上的平面圖。基板支撐件100包括加熱器主體102、加熱器元件104、第一加熱器端子106及第二加熱器端子108。加熱器主體102係由陶瓷材料110(示於第3圖)所形成且具有上表面112、下表面114、周邊116及厚度118(示於第3圖)。加熱器主體102的上表面112橫跨加熱器主體102的周邊116、覆蓋加熱器主體102的下表面114,及經構型以在沉積材料層4(示於第1圖)至基板2的上表面6(示於第1圖)上期間支撐基板2(示於第1圖)。加熱器主體102的下表面114位在加熱器主體102相對加熱器主體102的上表面112之側、橫跨加熱器主體102的周邊116,及與上表面112隔開加熱器主體102的厚度118。設想當基板支撐件100安置於腔體28(示於第1圖)的内部36(示於第1圖)時,下表面114與噴淋頭30(示於第1圖)由上表面112及加熱器主體102的厚度118隔開。
加熱器主體102的上表面112及下表面114界定複數個貫穿孔120。各貫穿孔120延伸穿過加熱器主體102的厚度118,並將加熱器主體102的上表面112耦接至加熱器主體102的下表面114。設想各貫穿孔120對齊由腔體28(示於第1圖)界定的複數個升降銷孔44(示於第1圖)之一。進一步設想複數個升降銷40(示於第1圖)中之一對應者各自至少部分設置在複數個貫穿孔120中之各者中。如本文中所顯示及描述,加熱器主體102具有三(3)個貫穿孔120。此係僅用於繪示目的,而非限制性。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,加熱器主體102可具有少於三(3)個貫穿孔120或多於三(3)個貫穿孔120且仍在本揭露的範疇內。
加熱器主體102的周邊116環繞加熱器主體102的上表面112和下表面114延伸,並將上表面112耦接至加熱器主體102的下表面114。加熱器主體102的周邊116進一步橫跨加熱器主體102的厚度118(示於第3圖)且界定加熱器主體102的寬度124。在某些實例中,厚度118可介於約10毫米與約50毫米之間。根據某些實例,厚度118可介於約10毫米與約40毫米之間。亦設想厚度118可介於約20毫米與約30毫米之間。例如,厚度118可為約245毫米。此等範圍內的厚度允許位在加熱器主體102之厚度118內的結構(例如,加熱器元件104)經由加熱器主體102連通安置於加熱器主體102的上表面112上的基板2(示於第1圖),同時賦予加熱器主體102堅固性。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,堅固性繼而有助於在腔體28(示於圖1)內組裝加熱器主體102,例如,在組裝製程期間藉由在搬運時防抗斷裂。
寬度124橫跨在加熱器主體102的側向相對側之間的加熱器主體102。在某些實例中,加熱器主體102的上表面112和下表面114可為圓形,寬度124在此類實例中為加熱器主體102的上表面112和下表面114的直徑。在此類實例中,寬度124可介於約100毫米與約500毫米之間、或介於約150毫米與約500毫米之間、或介於約200毫米與約500毫米之間、或介於約300毫米與約500毫米之間、或甚至介於約450毫米與約500毫米之間。寬度124可為約325毫米。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,此等範圍內的直徑允許基板支撐件100(示於第1圖)支撐基板,包括矽晶圓,諸如200毫米、300毫米或甚至450毫米矽晶圓。
根據某些實例,加熱器主體102可為多邊形形狀。例如,加熱器主體102的上表面112及下表面114可為方形或矩形形狀。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,此類多邊形形狀可有助於在製造用於太陽能及/或顯示器應用的半導體裝置期間沉積材料層至基板2上。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容亦將明瞭,周邊116可界定另一形狀且仍在本揭露的範疇內。
加熱器元件104埋置在陶瓷材料110內,及經構型以電阻式加熱安置於加熱器主體102的上表面112上的基板2(示於第1圖)。在此方面,加熱器元件104經構型以與電源供應器50(示於第1圖)電連通。設想加熱器元件104與電源供應器50間的電連通係經由第一加熱器端子106、第二加熱器端子108、第一引線52及第二引線54來實現。在此方面,第一加熱器端子106連接至加熱器元件104的第一端148、鄰接第一引線52,及經由第一引線52電性耦接至電源供應器50。在另一方面,第二加熱器端子108連接至加熱器元件104的第二端150、鄰接第二引線54,及經由第二引線54電性耦接至電源供應器50。在所繪示之實例中,加熱器主體102的下表面114於其內界定第一凹部126及第二凹部128。第一凹部126部分與第一加熱器端子106接界且第一引線52延伸至第一凹部126內,使得第一引線52鄰接第一加熱器端子106。第二凹部128部分與第二加熱器端子108接界且第二引線54延伸至第二凹部128內,使得第二引線54鄰接第二加熱器端子108。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,將第一引線52及第二引線54耦接至第一凹部126及第二凹部128內的加熱器元件104可簡化在腔體28(示於第1圖)的内部36(示於第1圖)內組裝基板支撐件100(示於第1圖)。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容亦將明瞭,其他電連通配置在第一加熱器端子106與第二加熱器端子108之間係可行的且仍在本揭露的範疇內。
參照第3圖,示出加熱器主體102的剖視圖。設想加熱器元件104由導電材料130形成。在某些實例中,形成加熱器元件104的導電材料130可具有實質等於陶瓷材料110之熱膨脹係數的熱膨脹係數。例如,加熱器元件104可由鉬或含鉬合金形成。有利地,由熱膨脹係數實質等於陶瓷材料110之熱膨脹係數的導電材料形成加熱器元件104可限制在加熱基板2(示於第1圖)期間施加至陶瓷材料110的應力。限制形成加熱器主體102之陶瓷材料110內的應力會減少(或消除)在加熱基板2期間在加熱器主體102中形成裂痕的可能性,其可延長基板支撐件100(示於第1圖)於某些材料層沉積製程中的使用,諸如在高溫下及/或採用較高升降溫速率進行的材料層沉積製程。
在某些實例中,加熱器元件104可具有圓弧剖面輪廓132。例如,圓弧剖面輪廓132可具有弧形、橢圓形或圓形形狀,諸如在加熱器元件104形成如線圈般的實例中。有利地,形成具有圓弧剖面輪廓132的加熱器元件104可藉由減少(或消除)加熱器主體102內的應力集中特徵而限制在加熱基板2期間施加至陶瓷材料110的應力,諸如表面以90度角相互接合的接合處。限制形成加熱器主體102之陶瓷材料110內的應力亦可減少(或消除)在加熱基板2(示於第1圖)期間在加熱器主體102中形成裂痕的可能性,而可能延長基板支撐件100(示於第1圖)於某些材料層沉積製程中的使用壽命,諸如在高溫下及/或採用較高升降溫速率進行的材料層沉積製程。
在某些實例中,陶瓷材料110可單塊地界定加熱器主體102。在此方面,設想陶瓷材料110可在加熱器主體102的上表面112與下表面114之間連續延伸穿過加熱器主體102的厚度118。在另一方面,陶瓷材料110可連續延伸橫越加熱器主體102的寬度124(示於第2圖),例如,在加熱器主體102之周邊116的側向相對側之間。亦設想陶瓷材料110可在加熱器主體102的上表面112與下表面114之間以及在加熱器主體102之周邊116的側向相對側之間連續延伸。
在某些實例中,陶瓷材料110可界定加熱器主體102的上表面112。根據某些實例,陶瓷材料110可界定加熱器主體102的下表面114。設想在某些實例中,陶瓷材料110可界定加熱器主體102的周邊116。亦設想根據某些實例,塗層122可上覆於加熱器主體102的上表面112、下表面114及/或周邊116中之一或多者上的陶瓷材料110。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,採用上覆於形成加熱器主體102之塊體陶瓷材料的塗層可賦予加熱器主體102不同於形成加熱器主體102之塊體陶瓷材料的材料特性(例如,抗腐蝕性)。
在某些實例中,陶瓷材料110可包括氧化鋁(Al 2O 3)。根據某些實例,陶瓷材料110可包括氮化鋁(AlN)。根據某些實例,陶瓷材料110可包括碳化矽(SiC)。設想陶瓷材料110可包括氧化釔(Y 2O 3)。亦設想根據某些實例,陶瓷材料110可包括包含二或更多陶瓷材料的陶瓷複合物,非限定舉例來說,諸如氧化鋁及氮化鋁。例如,陶瓷材料110可包括,非限定舉例來說,釔鋁石榴石(3Y 2O 3.5Al 2O 3: yttrium aluminum garnet,YAG)、釔鋁單斜晶(2Y 2O 3.Al 2O 3: yttrium aluminum monoclinic,YAM)、釔鋁鈣鈦礦(Y 2O 3.Al 2O 3: yttrium aluminum perovskit,YAP)。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,此類陶瓷材料可適合抗腐蝕及/或耐高溫,例如,大於約250攝度(°C)、或大於約350°C、或甚至大於約450°C的溫度,允許材料層4(示於第1圖)快速沉積至安置於加熱器主體102的上表面112上的基板2(示於第1圖)的上表面6(示於第1圖)。
參照第4圖,示出基板支撐件100的一部分,其包括第一加熱器端子106。第一加熱器端子106係由加熱器端子材料134所形成、具有電極表面136及圓弧表面138,及界定加熱器元件插口140。設想加熱器端子材料134為導電材料。在某些實例中,加熱器端子材料134可具有實質等於陶瓷材料110之熱膨脹係數的熱膨脹係數。根據某些實例,加熱器端子材料134可由鉬或含鉬合金形成。亦設想根據某些實例,加熱器端子材料134及加熱器元件104可由共同材料形成。有利地,由熱膨脹係數實質等於陶瓷材料110之熱膨脹係數的加熱器端子材料形成第一加熱器端子106可進一步限制在將熱H傳遞至基板2期間施加至陶瓷材料110的應力58。限制形成加熱器主體102之陶瓷材料110內的應力繼而可減少(或消除)在加熱基板2(示於第1圖)期間在加熱器主體102中形成裂痕的可能性,從而延長基板支撐件100於某些材料層沉積製程中的使用壽命,諸如在高溫下及/或採用較高升降溫速率進行的材料層沉積製程。
電極表面136相對加熱器主體102的下表面114、由圓弧表面138與加熱器主體102的上表面112隔開,及(至少部分)與部分第一凹部126接界。在此方面,第一凹部126界定於加熱器主體102的下表面114內、部分延伸穿過加熱器主體102的厚度118,並終止於第一加熱器端子106的電極表面136。設想電極表面136配置在加熱器主體102的上表面112與下表面114之間,第一引線52延伸至第一凹部126內,且第一引線52的一端鄰接電極表面136,使得第一引線52於電極表面136處與第一加熱器端子106電連通。在某些實例中,電極表面136可部分暴露在加熱器主體102外部的環境。根據某些實例,電極表面136可埋置在形成加熱器主體102的陶瓷材料110內。亦設想根據某些實例,電極表面136可部分暴露在加熱器主體102外部的環境及部分埋置在形成加熱器主體102的陶瓷材料內。
圓弧表面138相對加熱器主體102的上表面112、相對於加熱器主體102的上表面112界定大致凸面形狀,及埋置在形成加熱器主體102的陶瓷材料110內。設想圓弧表面138與加熱器主體102的下表面114由第一加熱器端子106的電極表面136隔開,且第一加熱器端子106的圓弧表面138進一步橫跨第一加熱器端子106的電極表面136。有利地,形成具有圓弧表面138的第一加熱器端子106會限制(或消除)陶瓷材料110內的應力集中特徵,諸如當埋置結構的表面以90度角相互接合時。限制(或消除)陶瓷材料110內的應力集中特徵會減少在加熱安置於基板支撐件100(示於第1圖)上的基板2(示於第1圖)期間施加至陶瓷材料110的應力、減少(或消除)在加熱基板2(示於第1圖)期間在加熱器主體102中形成裂痕的可能性,而可能延長基板支撐件100於某些材料層沉積製程中的使用壽命。在所繪示之實例中,圓弧表面138界定半圓形輪廓144,電極表面136具有圓形形狀146(示於第2圖),第一加熱器端子106是以呈大致半球形形狀。
在所繪示之實例中,第一加熱器端子106的圓弧表面138以銳角152接合加熱器端子106的電極表面136。不受限於特定理論,咸信將銳角152定位在加熱器元件104下方可限制本與銳角152有關的應力集中,因為相對於加熱器元件104上方,加熱器元件104下方的熱通量位準較低,從而允許銳角152嵌入陶瓷材料110內以簡化第一加熱器元件106的製造。
加熱器元件插口140界定在圓弧表面138的頂點142與電極表面136之間、從界定於圓弧表面138的開口延伸至第一加熱器端子106的内部,及經構型以於其內接收加熱器元件104的第一端148。設想圓弧表面138的頂點142位於加熱器主體102的厚度118內,介於加熱器主體102的上表面112與下表面114之間。進一步設想加熱器元件104的第一端148安置於加熱器元件插口140內、經由加熱器元件插口140的壁面電連通加熱器端子材料134,及由加熱器元件插口140的壁面和加熱器端子材料134與穿過第一加熱器端子106之電極表面136的第一引線52電性耦接,使得加熱器元件104在第一加熱器端子106的頂點142與第一加熱器端子106的電極表面136之間電性連接至第一加熱器端子。在某些實例中,加熱器元件插口140的壁面可經研磨,其降低電流56在第一引線52與加熱器元件104間傳遞期間在第一加熱器端子106與加熱器元件104之間的電阻。
第二加熱器端子108(示於第2圖)類似第一加熱器端子106,係由加熱器元件104與第一加熱器端子106隔開,及於其內安置加熱器元件104的第二端150(示於第2圖)。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,形成均具半球形形狀的第一加熱器端子106和第二加熱器端子108會限制施加至部分加熱器主體102內的陶瓷材料110的應力,其中第一加熱器端子106和第二加熱器端子108二者的圓弧表面皆為嵌入。
參照第5圖,示出基板支撐件200。基板支撐件200類似基板支撐件100(示於第1圖)且另包括具有加熱器元件204及第一加熱器端子206的加熱器主體202。第一加熱器端子206具有由圓角曲面212耦接至電極表面210的圓弧表面208。設想圓角曲面212圍繞第一加熱器端子206周圍延伸,第一加熱器端子206是以不具有在形成加熱器主體202的陶瓷材料214內界定應力集中特徵的相鄰表面。如上所釋,限制(或消除)形成加熱器主體202的陶瓷材料內的應力集中特徵可限制在將熱H傳遞至基板2(示於第2圖)期間施加至陶瓷材料214的應力58。限制應力可繼而減少(或消除)在加熱基板2期間在加熱器主體202中形成裂痕的可能性,而可能延長基板支撐件200於某些材料層沉積製程中的使用壽命,諸如在高溫下及/或採用較高升降溫速率進行的材料層沉積製程。
參照第6圖,示出基板支撐件300。基板支撐件300類似基板支撐件100(示於第1圖)且另包括具有加熱器元件304及第一加熱器端子306的加熱器主體302。第一加熱器端子306具有圓弧表面308及相對電極表面310。設想圓弧表面308界定實質拋物面輪廓312。在某些實例中,在將熱H傳遞至安置於加熱器主體302的上表面314上的基板2(示於第1圖)期間,拋物面輪廓312的形狀對應加熱器主體302內的熱梯度,例如,藉由使鄰近加熱器元件304處有較大斜率及鄰近加熱器主體302的上表面314處有較小斜率。
如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,拋物面輪廓312可限制加熱器主體302的厚度316內的側向力分量分級。限制加熱器主體302之厚度316內的側向力分量可繼而限制圓弧表面308與形成加熱器主體302的陶瓷材料318間界面處的滑動阻力。限制滑動阻力可限制在將熱H傳遞至基板2(示於第2圖)期間施加至陶瓷材料318的應力58。限制應力可繼而減少(或消除)在加熱基板2期間在加熱器主體302中形成裂痕的可能性,而可能延長基板支撐件300於某些材料層沉積製程中的使用壽命,諸如在高溫下及/或採用較高升降溫速率進行的材料層沉積製程。在某些實例中,第一加熱器端子206可具有圓角曲面320,其將圓弧表面308耦接至(例如,界定其間)第一加熱器端子306的電極表面310。
參照第7圖,示出基板支撐件400。基板支撐件400類似基板支撐件100(示於第1圖)且另包括加熱器主體402、加熱器元件404及第一加熱器端子406。第一加熱器端子406具有第一圓弧表面408、第二圓弧表面410及電極表面412。第一圓弧表面408相對加熱器主體402的上表面414及圍繞第一加熱器端子406的上平面416延伸。第二圓弧表面410相對加熱器主體402的下表面418、由加熱器元件404與第一圓弧表面408隔開,及圍繞第一加熱器端子406的電極表面412延伸。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,形成具有第一圓弧表面408和第二圓弧表面410的第一加熱器端子406可簡化基板支撐件400的製造,因為在傳遞熱H期間施加至陶瓷材料420與避免第一加熱器端子406的90度邊緣有關的應力58得以減少,無論第一加熱器端子406位向為何,皆可相對於第一加熱器端子406在加熱器主體402的厚度424內的位向防錯製造基板支撐件400。
參照第8圖,示出基板支撐件500。基板支撐件500類似基板支撐件100(示於第1圖)且另包括加熱器主體502、加熱器元件504及第一加熱器端子506。加熱器元件504配置在加熱器主體502中,介於加熱器主體502的上表面508與的下表面510之間,並電性連接至第一加熱器端子506。第一加熱器端子506具有相對加熱器主體502之下表面510的電極表面512及相對加熱器主體502之上表面508的圓弧表面514。在所繪示之實例中,第一加熱器端子506的圓弧表面514和第一加熱器端子506的電極表面512在加熱器主體502的厚度516內共同形成圓形形狀,第一加熱器端子506從而在加熱器主體502的厚度516內界定圓形輪廓518,第一加熱器端子506是以呈大致球形形狀。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,形成第一加熱器端子506使第一加熱器端子506界定圓形輪廓可限制施加至形成加熱器主體502之陶瓷材料520上的應力,在實例中,其中熱梯度可在加熱器主體502的厚度516內改變而不受加熱器元件504傳遞熱H影響,例如,當加熱器元件504係第一加熱器元件504且基板支撐件500包括配置在第一加熱器元件504與加熱器主體502的下表面510之間的第二加熱器元件522時,其不受第一加熱器元件504所傳遞的熱H影響而產生熱h。
參照第9圖,示出基板支撐件600。基板支撐件600類似基板支撐件100(示於第1圖)且包括加熱器主體602、加熱器元件604及第一加熱器端子606。加熱器元件604配置在加熱器主體602的上表面608與下表面610之間、埋置在形成加熱器主體602的陶瓷材料612內,並電性連接至第一加熱器端子606。第一加熱器端子606具有相對加熱器主體602之下表面610的之電極表面614、相對加熱器主體602之上表面608的圓弧表面616,及在第一加熱器端子606內部界定加熱器元件插口618。圓弧表面616具有圓弧表面粗糙度620,電極表面614具有電極表面粗糙度622,且圓弧表面粗糙度620小於電極表面粗糙度622。有利地,限制圓弧表面616的粗糙度可限制形成加熱器主體602之陶瓷材料612內的應力。如熟諳本領域者鑒於本揭示內容將明瞭,限制形成加熱器主體602之陶瓷材料612內的應力可減少(或消除)在加熱器元件604將熱H傳遞至加熱器主體602的上表面608期間破裂,而可能延長基板支撐件600於某些材料層沉積製程中的使用壽命,諸如在高溫下及/或採用較高升降溫速率進行的材料層沉積製程。
在某些實例中,第一加熱器端子606的圓弧表面616可經研磨成例如鏡面研磨表面粗糙度。在此類實例中,電極表面614可未研磨或研磨程度比第一加熱器端子606的圓弧表面616少。根據某些實例,第一加熱器端子606的圓弧表面616可經珩磨(honed)成例如珩磨表面粗糙度。在此類實例中,第一加熱器端子606的電極表面614可未珩磨或珩磨程度比第一加熱器端子606的圓弧表面616少。設想圓弧表面粗糙度620可介於約1000埃與約100埃之間、或介於約500埃與約100埃之間、或甚至介於約200埃與約100埃之間。不受限於特定理論或操作模式,咸信此等範圍內的圓弧表面粗糙度藉由在第一加熱器端子606與形成加熱器主體602的陶瓷材料612之間產生陶瓷微粒薄膜來限制應力,在第一加熱器端子606的熱膨脹速率與陶瓷材料612的熱膨脹速率不匹配的間隔期期間,陶瓷微粒用作第一加熱器端子606與陶瓷材料612間的潤滑劑。
參照第10圖到第12圖,示出根據此方法之闡釋性實例,製造用於半導體處理系統的基板支撐件的方法700,例如用於半導體處理系統10(示於第1圖)的基板支撐件100(示於第1圖)。如第10圖所示,方法700始於藉由在加熱器端子上形成圓弧表面及電極表面來界定加熱器端子,例如,具有圓弧表面138(示於第3圖)及電極表面136(示於第3圖)的第一加熱器端子106(示於第2圖),如方塊710所示。其次,加熱器端子電性連接至加熱器元件,例如加熱器元件104(示於第2圖),如方塊720所示。加熱器端子及加熱器元件接著埋置在陶瓷粉末內,然後粉末經壓實而形成粉壓體,如方塊730所示。使粉壓體燒結,隨後使已燒結粉壓體冷卻,以界定由陶瓷材料形成的加熱器主體,例如由陶瓷材料110形成的加熱器主體102(示於第2圖),如方塊740及方塊750所示。
如第11圖所示,界定710加熱器端子可包括由鉬或含鉬合金形成加熱器主體,如方塊712所示。界定加熱器端子可包括研磨或珩磨加熱器端子的圓弧表面,如方塊714所示。界定加熱器端子可包括研磨或珩磨圓弧表面,使得圓弧表面的圓弧表面粗糙度(例如,圓弧表面粗糙度620(示於第9圖))小於電極表面的電極表面粗糙度(例如,電極表面粗糙度622(示於第9圖)),如方塊716所示。界定加熱器端子可包括研磨或珩磨加熱器座表面,使得位於加熱器端子的加熱器插口表面粗糙度(例如,加熱器座表面粗糙度624(示於第9圖))及圓弧表面粗糙度小於電極表面粗糙度,如方塊718所示。
將加熱器元件電性連接720至加熱器端子可包括將加熱器元件的一端安置在加熱器元件插口中,例如,加熱器元件104(示於第2圖)的第一端148(示於第2圖)至加熱器元件插口140中,如方塊722所示。一旦加熱器元件連接至加熱器端子,加熱器元件的相對第二端便可電性連接至第二加熱器端子,例如,第二端150(示於第2圖)電性連接至第二加熱器端子108(示於第2圖),如方塊724所示。
將加熱器元件及加熱器端子埋置730在陶瓷粉末內可包括將加熱器端子配置在陶瓷粉末內,使得加熱器端子的電極表面相對粉壓體的下表面,如方塊732所示。將加熱器元件及加熱器端子埋置730在陶瓷粉末內亦可包括將加熱器端子配置在陶瓷粉末內,使得加熱器端子的圓弧表面相對粉壓體的上表面,如方塊734所示。將加熱器元件及加熱器端子埋置730在陶瓷粉末內可更包括將陶瓷粉末內的加熱器端子配置在粉壓體的上表面與下表面之間,如方塊736所示。
如第12圖所示,燒結740陶瓷粉末可包括加熱陶瓷粉末達預定熱度,如方塊742所示。燒結740陶瓷粉末可包括在預定壓力下加熱陶瓷粉末,如方塊744所示。燒結740陶瓷粉末可包括對陶瓷粉末加熱及/或施加壓力,持續預定時間間隔,如方塊746所示。燒結可使用雷射燒結技術實現,如方塊748所示。
使已燒結粉壓體冷卻750可包括冷卻已燒結粉壓體,以由陶瓷材料(例如,陶瓷材料110(示於第3圖))均質地形成加熱器主體,如方塊752所示。使已燒結粉壓體冷卻750亦可包括冷卻已燒結粉壓體,使得加熱器元件及加熱器端子配置在加熱器主體的上表面與下表面之間,例如,在加熱器主體102的上表面112(示於第2圖)與下表面114(示於第2圖)之間,如方塊754所示。使已燒結粉壓體冷卻750包括冷卻已燒結粉壓體,使得圓弧表面相對加熱器主體的上表面且埋置在形成加熱器主體的陶瓷材料內,以在加熱安置於加熱器主體的上表面上的基板期間限制陶瓷材料內的應力,如方塊756所示。已燒結粉壓體可以預定升降溫速率及/或壓力中之一或多者冷卻,以界定預定陶瓷組成物(或二或更多陶瓷材料的陶瓷複合物),如方塊758所示。
如方塊760所示,隨後使加熱器端子的電極表面至少部分暴露在加熱器主體外部的環境。暴露760加熱器端子的電極表面可包括在加熱器主體的下表面界定凹部,例如第一凹部126(示於第3圖),如方塊762所示。暴露760加熱器端子的電極表面可包括對形成加熱器主體的陶瓷材料研磨或鑽孔,以暴露加熱器端子的電極表面,如方塊764所示。
上文所提供之例示性實施例的描述僅係例示性且僅係意欲用於闡釋之目的;下列描述並非意欲限制本揭露或申請專利範圍之範疇。此外,具有所陳述特徵的多個實施例之列舉不意欲排除具有額外特徵的其他實施例或納入所陳述特徵的不同組合的其他實施例。
如本文中所使用,「基板(substrate)」係指具有材料可沉積於其上之表面的任何材料。基板可包括諸如矽(例如,單晶矽)的塊材或可包括上覆於塊材的一或多個層。進一步地,基板可包括各種形貌,諸如形成在基板之一層的至少一部分之內或之上的溝槽、通孔、線及類似者。
雖然已用某些實施例及實例的上下文提供本揭露,所屬技術領域中具有通常知識者將理解本揭露延伸超出具體描述之實施例至其他替代實施例及/或此等實施例的用途及其等之明顯修改及均等物。此外,雖然已繪示並詳細描述本揭露的實施例的數個變體,但所屬技術領域中具通常知識者基於本揭露將能輕易明白在本揭露之範疇內的其他修改。亦設想,可做出實施例的具體特徵及態樣的各種組合或子組合,且仍然落入本揭露的範疇內。應理解,所揭示實施例的各種特徵與態樣可彼此組合或替換,以便形成本揭露的實施例之變化模式。因此,意欲本揭露的範疇不應受限於上文所述之具體實施例。
本文中所提供之標題(若有)僅是為了方便,不必然影響本文中所揭示之裝置及方法的範疇或意義。
2:基板 4:材料層 6:上表面 10:半導體處理系統 12:基板傳送機器人 14:閘閥 16:反應器 18:氣體輸送配置 20:排氣配置 22:升降銷配置 24:前驅物 26:排氣 28:腔體 30:噴淋頭 32:進氣埠 34:排氣埠 36:內部 38:流孔 40:升降銷 42:致動器 44:升降銷孔 46:伸出位置 48:縮回位置 50:電源供應器 52:第一引線 54:第二引線 56:電流 58:應力 100:基板支撐件 102:加熱器主體 104:加熱器元件 106:第一加熱器端子 108:第二加熱器端子 110:陶瓷材料 112:上表面 114:下表面 116:周邊 118:厚度 120:貫穿孔 122:塗層 124:寬度 126:第一凹部 128:第二凹部 130:導電材料 132:圓弧剖面輪廓 134:加熱器端子材料 136:電極表面 138:圓弧表面 140:加熱器元件插口 142:頂點 144:半圓形輪廓 146:圓形形狀 148:第一端 150:第二端 152:銳角 200:基板支撐件 202:加熱器主體 204:加熱器元件 206:第一加熱器端子 208:圓弧表面 210:電極表面 212:圓角曲面 214:陶瓷材料 300:基板支撐件 302:加熱器主體 304:加熱器元件 306:第一加熱器端子 308:圓弧表面 310:電極表面 312:拋物面輪廓 314:上表面 316:厚度 318:陶瓷材料 320:圓角曲面 400:基板支撐件 402:加熱器主體 404:加熱器元件 406:第一加熱器端子 408:第一圓弧表面 410:第二圓弧表面 412:電極表面 414:上表面 416:上平面 418:下表面 420:陶瓷材料 424:厚度 500:基板支撐件 502:加熱器主體 504:加熱器元件 506:第一加熱器端子 508:上表面 510:下表面 512:電極表面 514:圓弧表面 516:厚度 518:圓形輪廓 520:陶瓷材料 522:第二加熱器元件 600:基板支撐件 602:加熱器主體 604:加熱器元件 606:第一加熱器端子 608:上表面 610:下表面 612:陶瓷材料 614:電極表面 616:圓弧表面 618:插口 620:圓弧表面粗糙度 622:電極表面粗糙度 624:加熱器座表面粗糙度 700:方法 710,712,714,716,718,720,722,724,730,732,734,736,740,742,744,746,748,750,752,754,756,758,760,762,764:方塊 H,h:熱
下文將參照意欲闡釋而非限制本揭露的某些實施例的附圖來描述本文中所揭示之本揭露的此等及其他特徵、態樣及優點。 第1圖係包括根據本揭露之基板支撐件的半導體處理系統的示意圖,其示意性顯示在材料層沉積至基板上期間,基板安置在基板支撐件上; 第2圖係第1圖之基板支撐件的平面圖,其示意性顯示加熱器元件埋置在基板支撐件的加熱器主體內且電性連接至第一加熱器端子和第二加熱器端子來加熱安置於基板支撐件上的基板; 第3圖係根據本揭露之第一實例,第1圖之基板支撐件的剖視圖,其示意性顯示加熱器元件埋置在陶瓷材料內且連接至具有圓弧表面的第一加熱器端子及第二加熱器端子; 第4圖係根據本揭露之第一實例,第1圖之基板支撐件的局部剖視圖,其示意性顯示加熱器端子界定埋置在形成加熱器主體的陶瓷材料內的半圓形輪廓; 第5圖係根據本揭露之另一實例,第1圖之基板支撐件的局部剖視圖,其示意性顯示加熱器端子具有將圓弧表面耦接至電極表面的圓角曲面; 第6圖係根據本揭露之又一實例,第1圖之基板支撐件的局部剖視圖,其示意性顯示具有圓弧表面的加熱器端子在加熱器主體的上表面與下表面之間界定拋物面輪廓; 第7圖係根據本揭露之另一實例,第1圖之基板支撐件的局部剖視圖,其顯示第一加熱器端子具有具拋物面輪廓的圓弧表面; 第8圖係根據本揭露之再一實例,第1圖之基板支撐件的局部剖視圖,其顯示加熱器端子具有界定圓形輪廓的圓弧表面; 第9圖係根據本揭露之另一實例,第1圖之基板支撐件的局部剖視圖,其顯示第一加熱器端子具有埋置在形成加熱器主體的陶瓷材料內的研磨圓弧表面;及 第10圖到第12圖係製造用於半導體處理系統的基板支撐件的方法的方塊圖;其顯示根據此方法之闡釋性暨非限制性實例的方法操作。
值得注意的是,圖式中之元件是為了簡明及清楚起見而繪示且不必然按比例繪製。例如,圖式中之某些元件的相對大小可較其他元件誇大,以幫助改善對本揭露所繪示之實施例的理解。
10:半導體處理系統
12:基板傳送機器人
14:閘閥
18:氣體輸送配置
20:排氣配置
22:升降銷配置
24:前驅物
26:排氣
28:腔體
30:噴淋頭
34:排氣埠
36:內部
38:流孔
40:升降銷
42:致動器
44:升降銷孔
46:伸出位置
48:縮回位置
50:電源供應器
52:第一引線
54:第二引線
100:基板支撐件

Claims (20)

  1. 一種基板支撐件,包含: 一加熱器主體,由一陶瓷材料形成並具有由該加熱器主體的一厚度隔開的一上表面和一下表面; 一加熱器元件,配置在該加熱器主體的該上表面與該加熱器主體的該下表面之間,該加熱器元件埋置在形成該加熱器主體的該陶瓷材料內; 一加熱器端子,配置在該加熱器主體的該上表面與該下表面之間,該加熱器端子電性連接至該加熱器元件;以及 其中該端子具有一電極表面及一圓弧表面,該電極表面相對該加熱器主體的該下表面,使一電流流至該加熱器元件,該圓弧表面相對該加熱器主體的該上表面且埋置在於該陶瓷材料內,以在加熱安置於該加熱器主體的該上表面上的一基板期間限制該陶瓷材料中的應力。
  2. 如請求項1之基板支撐件,其中該加熱器端子的該圓弧表面橫跨該加熱器端子的該電極表面,其中該圓弧表面具有一半圓形輪廓並相對於該加熱器主體的該上表面具有一凸面形狀。
  3. 如請求項1之基板支撐件,其中該圓弧表面具有一頂點,且其中該加熱器元件在該頂點與該加熱器端子的該電極表面之間電性連接至該加熱器端子。
  4. 如請求項1之基板支撐件,其中該加熱器端子包含鉬。
  5. 如請求項1之基板支撐件,其中該圓弧表面具有一圓弧表面粗糙度,其中該電極表面具有一電極表面粗糙度,且其中該圓弧表面粗糙度小於該電極表面粗糙度。
  6. 如請求項1之基板支撐件,其中該加熱器端子的該圓弧表面具有介於約1000埃與約100埃之間、介於約500埃與約100埃之間或介於約200埃與約100埃之間的一圓弧表面粗糙度。
  7. 如請求項1之基板支撐件,其中該加熱器端子的該圓弧表面界定(a)一半圓形輪廓、(b)一拋物面輪廓或(c)一圓形輪廓。
  8. 如請求項1之基板支撐件,其中該陶瓷材料在該加熱器主體的該上表面與該下表面之間連續延伸。
  9. 如請求項1之基板支撐件,其中該陶瓷材料在該加熱器主體的側向相對側之間連續延伸。
  10. 如請求項1之基板支撐件,其中該陶瓷材料包括氧化鋁、氮化鋁、碳化矽、氧化釔或一陶瓷複合物。
  11. 如請求項1之基板支撐件,其中該加熱器主體的該下表面界定一凹部,且其中該電極表面至少部分與該凹部接界。
  12. 如請求項1之基板支撐件,其中該加熱器端子的該電極表面至少部分埋置在形成該加熱器主體的該陶瓷材料內。
  13. 如請求項1之基板支撐件,其中該加熱器端子的該電極表面至少部分暴露在該加熱器主體外部的一環境。
  14. 如請求項1之基板支撐件,其中該加熱器主體該的上表面和該下表面界定(a)一盤狀形狀、(b)一多邊形形狀、(c)一方形形狀或(d)一矩形形狀。
  15. 如請求項1之基板支撐件,其中該加熱器端子的該圓弧表面以一銳角接合該加熱器端子的該電極表面。
  16. 如請求項1之基板支撐件,其中該加熱器端子的該圓弧表面於一圓角曲面接合該加熱器端子的該電極表面。
  17. 如請求項1之基板支撐件,其中該圓弧表面係一第一圓弧表面,且該加熱器端子具有一第二圓弧表面,該第一圓弧表面隔開該第二圓弧表面與該加熱器主體的該上表面。
  18. 如請求項1之基板支撐件,其中該加熱器端子的該圓弧表面及該電極表面在該加熱器主體的該上表面與該下表面之間界定一相連圓形輪廓。
  19. 一種半導體處理系統,包含: 一閘閥; 一基板傳送機器人,經支撐以相對於該閘閥移動; 一腔體,連接至該閘閥; 如請求項1之一基板支撐件,配置在該腔體的一內部,其中形成該加熱器主體的該陶瓷材料包括氮化鋁,其中該上表面和該下表面界定一盤狀形狀,且其中該圓弧表面具有一半圓形輪廓並相對於該加熱器主體的該上表面具有一凸面形狀。
  20. 一種製造一基板支撐件的方法,包含: 界定具有一圓弧表面和一電極表面的一加熱器端子; 將一加熱器元件電性連接至該加熱器端子; 將該加熱器元件及該加熱器端子埋置在一陶瓷粉末內; 使該陶瓷粉末燒結而形成一已燒結粉壓體; 使該已燒結粉壓體冷卻而形成一加熱器主體,該加熱器主體由一陶瓷材料形成且具有一上表面和一下表面; 藉此該加熱器元件及該加熱器端子配置在該加熱器主體的該上表面與該下表面之間; 藉此該電極表面相對該加熱器主體的該下表面,使一電流流至該加熱器元件;以及 藉此該圓弧表面相對該加熱器主體的該上表面及埋置在該陶瓷材料內,以在加熱安置於該加熱器主體的該上表面上的一基板期間限制該陶瓷材料內的應力。
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