JPH05267308A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
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- JPH05267308A JPH05267308A JP4062413A JP6241392A JPH05267308A JP H05267308 A JPH05267308 A JP H05267308A JP 4062413 A JP4062413 A JP 4062413A JP 6241392 A JP6241392 A JP 6241392A JP H05267308 A JPH05267308 A JP H05267308A
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- semiconductor
- semiconductor wafer
- shaped substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パーティクルが発生しにくく、半導体材料の
加熱効率が高く、高温用途にも使用でき、半導体材料の
吸着力が安定しており、半導体材料設置面における均熱
性が良好な、半導体材料加熱装置を提供することであ
る。 【構成】 緻密質セラミックスからなる円盤状基体２
に、抵抗発熱体５が埋設される。円盤状基体２の半導体
材料設置面２ａに排気孔４が開口する。この排気孔４を
減圧することにより、半導体ウエハーＷを吸着できるよ
うに構成する。この円盤状基体２と半導体ウエハーＷと
の間に、排気孔を備えた非金属無機質材料製のサセプタ
ーを介在させ、このサセプターに半導体ウエハーＷを吸
着することもできる。
加熱効率が高く、高温用途にも使用でき、半導体材料の
吸着力が安定しており、半導体材料設置面における均熱
性が良好な、半導体材料加熱装置を提供することであ
る。 【構成】 緻密質セラミックスからなる円盤状基体２
に、抵抗発熱体５が埋設される。円盤状基体２の半導体
材料設置面２ａに排気孔４が開口する。この排気孔４を
減圧することにより、半導体ウエハーＷを吸着できるよ
うに構成する。この円盤状基体２と半導体ウエハーＷと
の間に、排気孔を備えた非金属無機質材料製のサセプタ
ーを介在させ、このサセプターに半導体ウエハーＷを吸
着することもできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハー等の半
導体材料を加熱するための加熱装置に関するものであ
る。
導体材料を加熱するための加熱装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば熱ＣＶＤ装置等では、半導体ウエ
ハーを固定しながら加熱する必要がある。この場合、例
えばヒーターサセプターの下側にウエハーを設置し、ウ
エハーをピンやリングで下方から支持していた。しか
し、ピンやリングがウエハーの保持、離脱のために動く
ときに、パーティクルが発生するため、不純物が混入
し、成膜不良の原因となる。更に、例えば熱ＣＶＤ装置
等においては、半導体ウエハーの全面を均等に押さえて
はいないことから、半導体ウエハーに反りや歪が生じ
る。また、サセプターと半導体ウエハーとの密着性が不
充分になることから、半導体ウエハーの加熱効率が低
い。
ハーを固定しながら加熱する必要がある。この場合、例
えばヒーターサセプターの下側にウエハーを設置し、ウ
エハーをピンやリングで下方から支持していた。しか
し、ピンやリングがウエハーの保持、離脱のために動く
ときに、パーティクルが発生するため、不純物が混入
し、成膜不良の原因となる。更に、例えば熱ＣＶＤ装置
等においては、半導体ウエハーの全面を均等に押さえて
はいないことから、半導体ウエハーに反りや歪が生じ
る。また、サセプターと半導体ウエハーとの密着性が不
充分になることから、半導体ウエハーの加熱効率が低
い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記のよ
うなメカニカル固定に伴う問題点を解決するため、図４
に示すような加熱装置を制作した。即ち、金属ヒーター
21とセラミックス製のサセプター26とを積層した。金属
ヒーター21においては、銅製の中空のモールド22内に、
ニクロム線25を設置し、絶縁体であるマグネシアパウダ
ー23を充填した。モールド22の中央部に貫通孔24を設け
た。モールド22の背面22ｂ側に、中空の柱状部22ｃを設
け、柱状部22ｃ内にニクロム線25を通し、ニクロム線25
の末端を端子27に接続し、端子27にボルト28を嵌め合わ
せた。ボルト28にリード線８を接続し、リード線８を交
流電源９に接続した。
うなメカニカル固定に伴う問題点を解決するため、図４
に示すような加熱装置を制作した。即ち、金属ヒーター
21とセラミックス製のサセプター26とを積層した。金属
ヒーター21においては、銅製の中空のモールド22内に、
ニクロム線25を設置し、絶縁体であるマグネシアパウダ
ー23を充填した。モールド22の中央部に貫通孔24を設け
た。モールド22の背面22ｂ側に、中空の柱状部22ｃを設
け、柱状部22ｃ内にニクロム線25を通し、ニクロム線25
の末端を端子27に接続し、端子27にボルト28を嵌め合わ
せた。ボルト28にリード線８を接続し、リード線８を交
流電源９に接続した。
【０００４】平板状のセラミックス製サセプター26を表
面22ａに設置し、サセプター26の設置面26ｃに半導体ウ
エハーＷを設置する。サセプター26の設置面26ｃ側に凹
部26ｂを設け、サセプター26の中央部に排気孔26ａを設
けた。排気孔26ａと24とを位置合わせした。貫通孔24
を、図示しない真空排気系に接続し、矢印Ｄのように減
圧、排気し、半導体ウエハーＷを吸着しつつ加熱する。
面22ａに設置し、サセプター26の設置面26ｃに半導体ウ
エハーＷを設置する。サセプター26の設置面26ｃ側に凹
部26ｂを設け、サセプター26の中央部に排気孔26ａを設
けた。排気孔26ａと24とを位置合わせした。貫通孔24
を、図示しない真空排気系に接続し、矢印Ｄのように減
圧、排気し、半導体ウエハーＷを吸着しつつ加熱する。
【０００５】こうした加熱装置によれば、金属ヒーター
21と半導体ウエハーＷとの間にセラミックス製サセプタ
ー26を設けることにより、半導体ウエハーＷの汚染を少
なくすることができる。しかも、ピンやリング等が半導
体ウエハーＷの成膜面に触れないので、機械式固定の問
題点であるパーティクルの発生を最小限にできる。
21と半導体ウエハーＷとの間にセラミックス製サセプタ
ー26を設けることにより、半導体ウエハーＷの汚染を少
なくすることができる。しかも、ピンやリング等が半導
体ウエハーＷの成膜面に触れないので、機械式固定の問
題点であるパーティクルの発生を最小限にできる。
【０００６】しかし、図４に示すような加熱装置にも、
以下のような欠点のあることが判明した。即ち、モール
ド22が銅製であるので、モールドの表面22ａの温度は高
々 600℃位にしか上昇させることができない。この結
果、サセプター26の設置面26ｃは高々 500℃位までしか
昇温させることができず、これ以上の高温用途には使用
できない。
以下のような欠点のあることが判明した。即ち、モール
ド22が銅製であるので、モールドの表面22ａの温度は高
々 600℃位にしか上昇させることができない。この結
果、サセプター26の設置面26ｃは高々 500℃位までしか
昇温させることができず、これ以上の高温用途には使用
できない。
【０００７】また、金属ヒーター21の表面22ａと、サセ
プター26との界面には、必ず微小な隙間が生ずる。そし
て、貫通孔24より排気する際に、この隙間から気体が漏
れる。特に、金属ヒーターを発熱させると、モールド22
が歪み、隙間が大きくなることが判明した。そして、上
記した気体の漏れが大きくなると、貫通孔26ａ、凹部26
ｂの真空度が低下し、半導体ウエハーＷの吸着力が低下
していた。また、モールド22とサセプター26との密着性
が良い部分では、金属ヒーター21からの熱伝導が比較的
良好に行われる。一方、モールド22とサセプター26とに
隙間が生じた部分では、熱輻射、熱対流によってしか熱
が伝わらず、特にこの隙間の圧力が下がると、僅かしか
熱が伝わらなくなる。この結果、サセプター26の設置面
26ｃにおいて温度ムラが生じ、均熱性が下がる。
プター26との界面には、必ず微小な隙間が生ずる。そし
て、貫通孔24より排気する際に、この隙間から気体が漏
れる。特に、金属ヒーターを発熱させると、モールド22
が歪み、隙間が大きくなることが判明した。そして、上
記した気体の漏れが大きくなると、貫通孔26ａ、凹部26
ｂの真空度が低下し、半導体ウエハーＷの吸着力が低下
していた。また、モールド22とサセプター26との密着性
が良い部分では、金属ヒーター21からの熱伝導が比較的
良好に行われる。一方、モールド22とサセプター26とに
隙間が生じた部分では、熱輻射、熱対流によってしか熱
が伝わらず、特にこの隙間の圧力が下がると、僅かしか
熱が伝わらなくなる。この結果、サセプター26の設置面
26ｃにおいて温度ムラが生じ、均熱性が下がる。
【０００８】本発明の課題は、パーティクルが発生しに
くく、半導体材料の加熱効率が高く、高温用途にも使用
でき、半導体材料の吸着力が安定しており、半導体材料
設置面における均熱性が良好な、半導体材料加熱装置を
提供することである。
くく、半導体材料の加熱効率が高く、高温用途にも使用
でき、半導体材料の吸着力が安定しており、半導体材料
設置面における均熱性が良好な、半導体材料加熱装置を
提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、緻密質セラミ
ックスからなる盤状基体に抵抗発熱体を埋設してなるセ
ラミックスヒーターを備えた加熱装置であって、前記盤
状基体の半導体材料設置面に排気孔が開口しており、こ
の排気孔を減圧することにより半導体材料を吸着できる
ように構成された、加熱装置に係るものである。
ックスからなる盤状基体に抵抗発熱体を埋設してなるセ
ラミックスヒーターを備えた加熱装置であって、前記盤
状基体の半導体材料設置面に排気孔が開口しており、こ
の排気孔を減圧することにより半導体材料を吸着できる
ように構成された、加熱装置に係るものである。
【００１０】また、本発明は、緻密質セラミックスから
なる盤状基体に抵抗発熱体を埋設してなるセラミックス
ヒーターと、前記盤状基体の一方の面に設置された非金
属無機質材料製のサセプターとを備えた加熱装置であっ
て、前記盤状基体及び前記サセプターにそれぞれ互いに
連通する排気孔が設けられており、前記サセプターの半
導体材料設置面に排気孔が開口しており、この排気孔を
減圧することにより半導体材料を吸着できるように構成
された、加熱装置に関するものである。
なる盤状基体に抵抗発熱体を埋設してなるセラミックス
ヒーターと、前記盤状基体の一方の面に設置された非金
属無機質材料製のサセプターとを備えた加熱装置であっ
て、前記盤状基体及び前記サセプターにそれぞれ互いに
連通する排気孔が設けられており、前記サセプターの半
導体材料設置面に排気孔が開口しており、この排気孔を
減圧することにより半導体材料を吸着できるように構成
された、加熱装置に関するものである。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明の実施例に係るセラミックス
ヒーター１を概略的に示す断面図である。例えば円盤状
の基体２は、緻密質セラミックスからなる。円盤状基体
２の内部に抵抗発熱体５が例えば渦巻状に埋設され、抵
抗発熱体５の両端に、それぞれ例えば円柱状の端子６が
接続され、各端子６の表面に丸棒状のリード部材７が連
結されている。この連結方法としては、ネジ切り法、拡
散接合、摩擦圧接、ろう付け等がある。各リード部材７
にそれぞれリード線８が接続され、各リード線８が交流
電源９に接続されている。
ヒーター１を概略的に示す断面図である。例えば円盤状
の基体２は、緻密質セラミックスからなる。円盤状基体
２の内部に抵抗発熱体５が例えば渦巻状に埋設され、抵
抗発熱体５の両端に、それぞれ例えば円柱状の端子６が
接続され、各端子６の表面に丸棒状のリード部材７が連
結されている。この連結方法としては、ネジ切り法、拡
散接合、摩擦圧接、ろう付け等がある。各リード部材７
にそれぞれリード線８が接続され、各リード線８が交流
電源９に接続されている。
【００１２】円盤状基体２の中央部に、半導体材料設置
面２ａから背面２ｂへと向かって、例えば平面円形の貫
通孔４が設けられ、貫通孔４が、図示しない真空排気系
へと連結されている。半導体材料設置面２ａ側には、凹
部３が形成され、凹部３と貫通孔４とが連通する。半導
体ウエハーＷを加熱処理する際には、半導体材料設置面
２ａに半導体ウエハーＷを設置し、矢印Ａのように吸引
して減圧し、半導体ウエハーＷを吸着する。これと共
に、抵抗発熱体５に電力を供給して発熱させ、半導体ウ
エハーＷを加熱する。
面２ａから背面２ｂへと向かって、例えば平面円形の貫
通孔４が設けられ、貫通孔４が、図示しない真空排気系
へと連結されている。半導体材料設置面２ａ側には、凹
部３が形成され、凹部３と貫通孔４とが連通する。半導
体ウエハーＷを加熱処理する際には、半導体材料設置面
２ａに半導体ウエハーＷを設置し、矢印Ａのように吸引
して減圧し、半導体ウエハーＷを吸着する。これと共
に、抵抗発熱体５に電力を供給して発熱させ、半導体ウ
エハーＷを加熱する。
【００１３】本実施例によれば、半導体ウエハーＷを固
定し、加熱する際、ピンやリング等を使用しないので、
こうした治具に起因するパーティクルが発生しない。ま
た、円盤状基体２を緻密質セラミックスで形成している
ので、材質にもよるが、最高1100℃程度まで使用可能で
ある。また、図４に示すような加熱装置では、既述した
ように、金属ヒーター21の温度が上昇すると、モールド
22とサセプター26との間の隙間が広がり、設置面26ｃに
おける均熱性が損なわれる。この点、本実施例では、こ
うした温度上昇に伴う均熱性の劣化は生じない。
定し、加熱する際、ピンやリング等を使用しないので、
こうした治具に起因するパーティクルが発生しない。ま
た、円盤状基体２を緻密質セラミックスで形成している
ので、材質にもよるが、最高1100℃程度まで使用可能で
ある。また、図４に示すような加熱装置では、既述した
ように、金属ヒーター21の温度が上昇すると、モールド
22とサセプター26との間の隙間が広がり、設置面26ｃに
おける均熱性が損なわれる。この点、本実施例では、こ
うした温度上昇に伴う均熱性の劣化は生じない。
【００１４】また、図４に示すような加熱装置では、既
述したように、金属ヒーター21とサセプター26との間の
隙間から真空排気時に気体が漏れる。この点、本実施例
では、こうした気体の漏れが生じないので、常に安定し
た吸着力が得られる。また、図４に示すような加熱装置
では、金属ヒーター21を発熱させるときに、モールド22
とサセプター26との間に隙間が生じ、この隙間で熱伝導
が遮断され、サセプター26へと伝わる熱量が全体に少な
くなる。この点、本実施例では、設置面２ａと抵抗発熱
体との間にこうした隙間は存在しないので、温度上昇時
に、設置面２ａの温度が速やかに上昇する。即ち、加熱
装置としての応答性がよい。
述したように、金属ヒーター21とサセプター26との間の
隙間から真空排気時に気体が漏れる。この点、本実施例
では、こうした気体の漏れが生じないので、常に安定し
た吸着力が得られる。また、図４に示すような加熱装置
では、金属ヒーター21を発熱させるときに、モールド22
とサセプター26との間に隙間が生じ、この隙間で熱伝導
が遮断され、サセプター26へと伝わる熱量が全体に少な
くなる。この点、本実施例では、設置面２ａと抵抗発熱
体との間にこうした隙間は存在しないので、温度上昇時
に、設置面２ａの温度が速やかに上昇する。即ち、加熱
装置としての応答性がよい。
【００１５】図２は、半導体製造装置のチャンバー12に
セラミックスヒーター１を取り付けた状態を示す概略断
面図である。図１における部材と同じ部材には同じ符号
を付し、その説明は省略する。チャンバー12には導入孔
12ｂと排出孔12ｃとが設けられる。導入孔12ｂから矢印
Ｂのようにガスを導入し、排出孔12ｃから矢印Ｃのよう
にガスを排出する。チャンバー12の上側壁面に貫通孔12
ａを設け、貫通孔12ａを塞ぐようにフランジ10が取り付
けられている。気密質セラミックス製シース11Ａ，11
Ｂ，11Ｃはそれぞれ、円筒状本体11ａと、本体11ａの下
端に設けられた円環状のフランジ11ｂとからなる。
セラミックスヒーター１を取り付けた状態を示す概略断
面図である。図１における部材と同じ部材には同じ符号
を付し、その説明は省略する。チャンバー12には導入孔
12ｂと排出孔12ｃとが設けられる。導入孔12ｂから矢印
Ｂのようにガスを導入し、排出孔12ｃから矢印Ｃのよう
にガスを排出する。チャンバー12の上側壁面に貫通孔12
ａを設け、貫通孔12ａを塞ぐようにフランジ10が取り付
けられている。気密質セラミックス製シース11Ａ，11
Ｂ，11Ｃはそれぞれ、円筒状本体11ａと、本体11ａの下
端に設けられた円環状のフランジ11ｂとからなる。
【００１６】各シース11Ａ，11Ｂ，11Ｃの円筒状本体11
ａが、それぞれ、フランジ部10の貫通孔に挿通され、固
定される。チャンバー12とフランジ部10との間、フラン
ジ部10とシース11Ａ，11Ｂ，11Ｃとの間は、それぞれ気
密にシールされている。各シース11Ａ，11Ｂ，11Ｃのフ
ランジ11ｂがそれぞれ背面２ｂに接合されている。セラ
ミックスヒーター１は、これらのシース11Ａ，11Ｂ，11
Ｃによって支持される。一対のリード部材７は、それぞ
れシース11Ａ又は11Ｃの内側に包囲される。排気孔４
は、シース11Ｂの内側空間に連通しており、シース11Ｂ
の内側空間が、図示しない真空排気系に接続されてい
る。
ａが、それぞれ、フランジ部10の貫通孔に挿通され、固
定される。チャンバー12とフランジ部10との間、フラン
ジ部10とシース11Ａ，11Ｂ，11Ｃとの間は、それぞれ気
密にシールされている。各シース11Ａ，11Ｂ，11Ｃのフ
ランジ11ｂがそれぞれ背面２ｂに接合されている。セラ
ミックスヒーター１は、これらのシース11Ａ，11Ｂ，11
Ｃによって支持される。一対のリード部材７は、それぞ
れシース11Ａ又は11Ｃの内側に包囲される。排気孔４
は、シース11Ｂの内側空間に連通しており、シース11Ｂ
の内側空間が、図示しない真空排気系に接続されてい
る。
【００１７】本実施例においては、図１の例で述べた効
果に加え、更に以下の効果を奏することができる。ま
ず、リード部材７、端子６などが腐蝕性の容器内雰囲気
に曝されないので、これらの部材の腐蝕、劣化を防止で
き、安定して運転を続けることができる。また、金属製
フランジ部10は、温度が大きく上昇すると変形する。し
かし、本例では、セラミックスヒーター１とフランジ部
10との間に、セラミックスからなるシース11Ａ，11Ｂ，
11Ｃが介在しており、セラミックスヒーター１を高温に
しても、フランジ部10の温度はあまり上がらず、変形し
ない。従って、フランジ部10の変形によって半導体ウエ
ハーＷの設置位置がズレることもない。
果に加え、更に以下の効果を奏することができる。ま
ず、リード部材７、端子６などが腐蝕性の容器内雰囲気
に曝されないので、これらの部材の腐蝕、劣化を防止で
き、安定して運転を続けることができる。また、金属製
フランジ部10は、温度が大きく上昇すると変形する。し
かし、本例では、セラミックスヒーター１とフランジ部
10との間に、セラミックスからなるシース11Ａ，11Ｂ，
11Ｃが介在しており、セラミックスヒーター１を高温に
しても、フランジ部10の温度はあまり上がらず、変形し
ない。従って、フランジ部10の変形によって半導体ウエ
ハーＷの設置位置がズレることもない。
【００１８】円盤状基体２の材質としては、耐熱性の点
で、アルミナ、窒化珪素、サイアロン、炭化珪素、窒化
アルミニウム、アルミナ−炭化珪素複合材料等とするの
が好ましい。抵抗発熱体５の材質としては、タングステ
ン、モリブデン、白金等とするのが好ましい。
で、アルミナ、窒化珪素、サイアロン、炭化珪素、窒化
アルミニウム、アルミナ−炭化珪素複合材料等とするの
が好ましい。抵抗発熱体５の材質としては、タングステ
ン、モリブデン、白金等とするのが好ましい。
【００１９】また、本発明者は、図４に示した加熱装置
の前記問題点を解決するため、図３に示す加熱装置を開
発した。この加熱装置において、セラミックスヒーター
１の構成は前述したものと同じであり、詳細な説明は省
く。盤状基体２の一方の面40に、平板状の非金属無機質
材料製のサセプター26Ａを設置した。サセプター26Ａの
中央に排気孔26ａを設け、排気孔26ａと４とを位置合わ
せした。サセプター26Ａの半導体材料設置面26ｃ側に凹
部26ｂを形成し、凹部26ｂに排気孔26ａを開口させた。
半導体材料設置面26ｃに半導体ウエハーＷを設置し、矢
印Ａのように排気し、半導体ウエハーＷを吸着する。
の前記問題点を解決するため、図３に示す加熱装置を開
発した。この加熱装置において、セラミックスヒーター
１の構成は前述したものと同じであり、詳細な説明は省
く。盤状基体２の一方の面40に、平板状の非金属無機質
材料製のサセプター26Ａを設置した。サセプター26Ａの
中央に排気孔26ａを設け、排気孔26ａと４とを位置合わ
せした。サセプター26Ａの半導体材料設置面26ｃ側に凹
部26ｂを形成し、凹部26ｂに排気孔26ａを開口させた。
半導体材料設置面26ｃに半導体ウエハーＷを設置し、矢
印Ａのように排気し、半導体ウエハーＷを吸着する。
【００２０】円盤状基体２はセラミックスからなり、こ
れは延性、展性のない脆性材料であるため、熱不可逆的
変形はない。また、サセプター26Ａも、セラミックス、
石英、ガラス等の実質的に延性、展性がない脆性材料か
らなっているので、熱不可逆的変形がない。更に、こう
した非金属無機質材料は熱膨張が小さく、一方の面40と
サセプター26Ａとの界面では、初期に設定された微少隙
間が熱による影響を受けない。従って、前記したよう
な、温度上昇に伴う均熱性の劣化、気体の漏れによる吸
着力の低下は生じず、温度上昇時の応答も速い。
れは延性、展性のない脆性材料であるため、熱不可逆的
変形はない。また、サセプター26Ａも、セラミックス、
石英、ガラス等の実質的に延性、展性がない脆性材料か
らなっているので、熱不可逆的変形がない。更に、こう
した非金属無機質材料は熱膨張が小さく、一方の面40と
サセプター26Ａとの界面では、初期に設定された微少隙
間が熱による影響を受けない。従って、前記したよう
な、温度上昇に伴う均熱性の劣化、気体の漏れによる吸
着力の低下は生じず、温度上昇時の応答も速い。
【００２１】円盤状基体２とサセプター26Ａとの熱膨張
を同じにするか、近づけると、両者の隙間の変化を最小
限にすることができる。例えば、円盤状基体２を窒化珪
素で形成し、サセプター26Ａを炭化珪素で成形すると、
この意味で好ましい。また、図３に示したような加熱装
置であれば、サセプター26Ａの表面に堆積膜が付着した
とき、サセプター26Ａのみをセラミックスヒーターから
分離し、薬品で堆積膜を除去することができるので、対
応が容易である。
を同じにするか、近づけると、両者の隙間の変化を最小
限にすることができる。例えば、円盤状基体２を窒化珪
素で形成し、サセプター26Ａを炭化珪素で成形すると、
この意味で好ましい。また、図３に示したような加熱装
置であれば、サセプター26Ａの表面に堆積膜が付着した
とき、サセプター26Ａのみをセラミックスヒーターから
分離し、薬品で堆積膜を除去することができるので、対
応が容易である。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、盤状基体の半導体材料
設置面に開口する排気孔を減圧することにより、半導体
材料を吸着するので、半導体材料を固定し、加熱する
際、ピンやリング等を使用しないので、こうした治具に
起因するパーティクルは発生しない。また、盤状基体が
緻密質セラミックスからなるので、高温での加熱にも適
している。また、半導体材料設置面を有する盤状基体に
抵抗発熱体を埋設しているので、前述したように、温度
上昇に伴う均熱性の劣化は生じず、気体の漏れによる吸
着力の低下も生じず、温度上昇時の応答も速い。
設置面に開口する排気孔を減圧することにより、半導体
材料を吸着するので、半導体材料を固定し、加熱する
際、ピンやリング等を使用しないので、こうした治具に
起因するパーティクルは発生しない。また、盤状基体が
緻密質セラミックスからなるので、高温での加熱にも適
している。また、半導体材料設置面を有する盤状基体に
抵抗発熱体を埋設しているので、前述したように、温度
上昇に伴う均熱性の劣化は生じず、気体の漏れによる吸
着力の低下も生じず、温度上昇時の応答も速い。
【００２３】また、本発明によれば、サセプターの半導
体材料設置面に開口する排気孔を減圧することにより、
半導体材料を吸着するので、半導体材料を固定し、加熱
する際、ピンやリング等を使用しないので、こうした治
具に起因するパーティクルは発生しない。また、盤状基
体が緻密質セラミックスからなるので、高温での加熱に
も適している。更に、盤状基体が緻密質セラミックスか
らなり、サセプターが非金属無機質材料からなるので、
前述したように、温度上昇に伴う均熱性の劣化は生じ
ず、気体の漏れによる吸着力の低下も生じず、温度上昇
時の応答も速い。
体材料設置面に開口する排気孔を減圧することにより、
半導体材料を吸着するので、半導体材料を固定し、加熱
する際、ピンやリング等を使用しないので、こうした治
具に起因するパーティクルは発生しない。また、盤状基
体が緻密質セラミックスからなるので、高温での加熱に
も適している。更に、盤状基体が緻密質セラミックスか
らなり、サセプターが非金属無機質材料からなるので、
前述したように、温度上昇に伴う均熱性の劣化は生じ
ず、気体の漏れによる吸着力の低下も生じず、温度上昇
時の応答も速い。
【図１】本発明の実施例に係るセラミックスヒーター１
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図２】セラミックスヒーター１をチャンバー12に取り
付けた状態を示す概略断面図である。
付けた状態を示す概略断面図である。
【図３】他の実施例に係る加熱装置を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明者が制作した半導体ウエハー加熱装置を
概略的に示す断面図である。
概略的に示す断面図である。
１ セラミックスヒーター ２ 円盤状基体 ２ａ，26ｃ 半導体ウエハー設置面 ３，26ｂ 凹部 ４，26ａ 排気孔 ５ 抵抗発熱体 ６ 端子 ７ リード部材 11Ａ，11Ｂ，11Ｃ シース 26Ａ 非金属無機質材料製のサセプター 40 一方の面
Claims (2)
- 【請求項１】 緻密質セラミックスからなる盤状基体に
抵抗発熱体を埋設してなるセラミックスヒーターを備え
た加熱装置であって、前記盤状基体の半導体材料設置面
に排気孔が開口しており、この排気孔を減圧することに
より半導体材料を吸着できるように構成された、加熱装
置。 - 【請求項２】 緻密質セラミックスからなる盤状基体に
抵抗発熱体を埋設してなるセラミックスヒーターと、前
記盤状基体の一方の面に設置された非金属無機質材料製
のサセプターとを備えた加熱装置であって、前記盤状基
体及び前記サセプターにそれぞれ互いに連通する排気孔
が設けられており、前記サセプターの半導体材料設置面
に排気孔が開口しており、この排気孔を減圧することに
より半導体材料を吸着できるように構成された、加熱装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4062413A JP3067373B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 加熱装置および半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4062413A JP3067373B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 加熱装置および半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267308A true JPH05267308A (ja) | 1993-10-15 |
| JP3067373B2 JP3067373B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=13199445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4062413A Expired - Lifetime JP3067373B2 (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 加熱装置および半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3067373B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03248431A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Nec Corp | 半導体基板加熱台 |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP4062413A patent/JP3067373B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03248431A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Nec Corp | 半導体基板加熱台 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3067373B2 (ja) | 2000-07-17 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960206 |
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