JPH03248431A - 半導体基板加熱台 - Google Patents
半導体基板加熱台Info
- Publication number
- JPH03248431A JPH03248431A JP4610890A JP4610890A JPH03248431A JP H03248431 A JPH03248431 A JP H03248431A JP 4610890 A JP4610890 A JP 4610890A JP 4610890 A JP4610890 A JP 4610890A JP H03248431 A JPH03248431 A JP H03248431A
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- JP
- Japan
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- substrate
- gas
- block
- temperature
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体製造工程における基板加熱台、特にガ
スを熱媒体として用いたものに関する。
スを熱媒体として用いたものに関する。
［従来の技術］
半導体製造工程中では、基板を加熱する工程、例えば真
空状態にあるスパッタチャンバ内で基板を加熱する場合
には、アルゴン等のガスを用いて基板の裏面にあてて一
定の温度に上昇させる。第７図はそのような場合の従来
の加熱台の平面、第８図は第７図のＡＡ’断面図を示し
、基板を搭載している図を表す。
空状態にあるスパッタチャンバ内で基板を加熱する場合
には、アルゴン等のガスを用いて基板の裏面にあてて一
定の温度に上昇させる。第７図はそのような場合の従来
の加熱台の平面、第８図は第７図のＡＡ’断面図を示し
、基板を搭載している図を表す。
図にみるように、銅製のブロック２をセラミックヒータ
４で加熱し、熱電対３で所定の温度とした状態で、熱媒
体のアルゴンガスをブロック２内をとおしてその温度を
上げ、基板１の裏面にガスがあたるようにしている。ブ
ロック２の上面は−様な深さの凹部７になっていて、ガ
ス導入口５から導入されたアルゴンガスは、前記凹部７
の周縁に設けたガス吐出口６Ａからこの凹部７に進入し
、この部分に高温のアルゴンガスが充満する。ガス導入
口５からガス吐出口６Ａにいたるまでアルゴンガスはブ
ロック２内の導入路６，６′であたためられ−様な温度
になる。なお、基板ｌは、この加熱台に密着させるが、
アル、ボンガスは少量、基板１の周縁とブロック２との
接触すき間９からリークする。
４で加熱し、熱電対３で所定の温度とした状態で、熱媒
体のアルゴンガスをブロック２内をとおしてその温度を
上げ、基板１の裏面にガスがあたるようにしている。ブ
ロック２の上面は−様な深さの凹部７になっていて、ガ
ス導入口５から導入されたアルゴンガスは、前記凹部７
の周縁に設けたガス吐出口６Ａからこの凹部７に進入し
、この部分に高温のアルゴンガスが充満する。ガス導入
口５からガス吐出口６Ａにいたるまでアルゴンガスはブ
ロック２内の導入路６，６′であたためられ−様な温度
になる。なお、基板ｌは、この加熱台に密着させるが、
アル、ボンガスは少量、基板１の周縁とブロック２との
接触すき間９からリークする。
［発明が解決しようとする課題］
従来例は、ガス吐出口６Ａが周縁にのみ、列に設けであ
るので、数が少な（、熱電対３による温度設定と、基板
温度とが一致しない傾向があり、また加熱時の温度上昇
に対する基板温度の昇温追随に遅れが生ずる欠点があっ
た。
るので、数が少な（、熱電対３による温度設定と、基板
温度とが一致しない傾向があり、また加熱時の温度上昇
に対する基板温度の昇温追随に遅れが生ずる欠点があっ
た。
本発明の目的は、上記の欠点を除去した、ガスを熱媒体
とする加熱台を提供することにある。
とする加熱台を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明では、基板を搭載する加熱ブロック上部の、基板
裏面に接する凹部の底面に、ガスの吐出口が、複数個多
重の円周もしくはらせんに配置して形成されるとともに
、前記多重の円周もしくはらせんに沿い凹部内のしきり
壁を設けるようにしである。
裏面に接する凹部の底面に、ガスの吐出口が、複数個多
重の円周もしくはらせんに配置して形成されるとともに
、前記多重の円周もしくはらせんに沿い凹部内のしきり
壁を設けるようにしである。
［作 用 １
従来例に対し、ガス充満空間にガスを導入するガス吐出
口が、凹部の底面全面にほぼ均等に配置されるので、温
度が一様になるとともに温度の昇温追随が迅速になる。
口が、凹部の底面全面にほぼ均等に配置されるので、温
度が一様になるとともに温度の昇温追随が迅速になる。
また、しきり壁は、ガス充満を均一にするだけでな（、
それ自体の熱輻射によっで基板温度を一様化させる。
それ自体の熱輻射によっで基板温度を一様化させる。
［実施例］
以下、図面を参照して、本発明の実施例につき説明する
。第１図は一実施例の平面図、第２図は基板を搭載した
第１図のＡＡ’断面図である。銅製のブロック２はセラ
ミックヒータ４で加熱され、その温度設定は熱電対３の
温度測定によりなされる。アルゴンガスがガス導入口５
から導入され、ブロック２内を貫通するとき暖められて
、ブロック２の上面に搭載した基板Ｉを加熱する。
。第１図は一実施例の平面図、第２図は基板を搭載した
第１図のＡＡ’断面図である。銅製のブロック２はセラ
ミックヒータ４で加熱され、その温度設定は熱電対３の
温度測定によりなされる。アルゴンガスがガス導入口５
から導入され、ブロック２内を貫通するとき暖められて
、ブロック２の上面に搭載した基板Ｉを加熱する。
ブロック２の上部は、その周縁をのこして凹部７を形成
しているが、その底面にガス吐出口１０が多重に円周配
列して設けである。また、各円周に沿ってしきり壁１１
が設けられており、ブロック２へのガス導入口５から導
入されたアルゴンガスはブロック内のガス導入路６゜６
′をとおって上記のガス吐出口１０から凹部７に均一に
噴出し、ブロック２とその周縁部９で密着している基板
Ｉの裏面にガスをあてて、基板１を加熱させる。
しているが、その底面にガス吐出口１０が多重に円周配
列して設けである。また、各円周に沿ってしきり壁１１
が設けられており、ブロック２へのガス導入口５から導
入されたアルゴンガスはブロック内のガス導入路６゜６
′をとおって上記のガス吐出口１０から凹部７に均一に
噴出し、ブロック２とその周縁部９で密着している基板
Ｉの裏面にガスをあてて、基板１を加熱させる。
第３図にセラミックヒータ４の設定温度と基板１の実際
の温度との関係を示す。この図で（ａ）は本実施例、（
ｂ）は従来例のデータであって、ヒート時間６０秒の値
である。本実施例ではガスが一様に基板にあたり、温度
が均一的になること、しきり板目体の熱輻射効果も寄与
しているので、ヒータ設定温度と基板温度との一致が良
好である。また、加熱台は従来例では、使用時間が長く
なると基板と接触する周縁部が機械的劣化で、丸（けず
られ、ここからのガスのリーク量が増大し、温度が安定
しないことがあったが、本実施例では、そのような場合
でもしきり壁と基板とが接触するようになってガス流出
を防ぐように働く。
の温度との関係を示す。この図で（ａ）は本実施例、（
ｂ）は従来例のデータであって、ヒート時間６０秒の値
である。本実施例ではガスが一様に基板にあたり、温度
が均一的になること、しきり板目体の熱輻射効果も寄与
しているので、ヒータ設定温度と基板温度との一致が良
好である。また、加熱台は従来例では、使用時間が長く
なると基板と接触する周縁部が機械的劣化で、丸（けず
られ、ここからのガスのリーク量が増大し、温度が安定
しないことがあったが、本実施例では、そのような場合
でもしきり壁と基板とが接触するようになってガス流出
を防ぐように働く。
次に第２実施例として、ガス充満空間である凹部７の底
面に設けるガス吐出口およびしきり壁をらせん状にした
場合を、第４図、第５図に示す。第４図が平面図で、第
５図は基板を搭載したＡＡ’断面図である。この実施例
について、ヒータ設定値を２００℃とし、ヒート時間と
基板温度との関係を示す昇温特性を第６図に示す。（ａ
）が本実施例の特性で比較のため従来例を（ｂ）で示し
である。この例では、ガス吐出口から導入されるガスは
、上方に直接に基板にあたるばかりでな（、らせん状に
も移動しつるので、基板全面に対するガスの衝突が、特
に迅速−様にできる。したがって図示のように昇温追随
性が特に良好となる。またガス吐出口の一部にゴミ等の
障害物があった場合でも、温度特性が劣化しないという
利点がある。
面に設けるガス吐出口およびしきり壁をらせん状にした
場合を、第４図、第５図に示す。第４図が平面図で、第
５図は基板を搭載したＡＡ’断面図である。この実施例
について、ヒータ設定値を２００℃とし、ヒート時間と
基板温度との関係を示す昇温特性を第６図に示す。（ａ
）が本実施例の特性で比較のため従来例を（ｂ）で示し
である。この例では、ガス吐出口から導入されるガスは
、上方に直接に基板にあたるばかりでな（、らせん状に
も移動しつるので、基板全面に対するガスの衝突が、特
に迅速−様にできる。したがって図示のように昇温追随
性が特に良好となる。またガス吐出口の一部にゴミ等の
障害物があった場合でも、温度特性が劣化しないという
利点がある。
［発明の効果ｊ
以上説明したように、本発明によれば、基板の裏面を加
熱するガスの吐出口を、裏面全面にガスが均一にあたる
ように、その数を増加し、またその配置を多重円周もし
くはらせんにし、しかも円周、らせんに沿ってしきり壁
を設けたものである。これにより実施例に示すように、
ヒータ設定温度と基板温度との一致が良く、また昇渦追
随性のよい半導体基板加熱台をうることができる。
熱するガスの吐出口を、裏面全面にガスが均一にあたる
ように、その数を増加し、またその配置を多重円周もし
くはらせんにし、しかも円周、らせんに沿ってしきり壁
を設けたものである。これにより実施例に示すように、
ヒータ設定温度と基板温度との一致が良く、また昇渦追
随性のよい半導体基板加熱台をうることができる。
第１図は本発明の第１実施例の平面図、第２図は第１図
のＡＡ’断面を基板搭載した状態で示した図、第３図は
第１実施例の温度特性を従来例と比較した図、第４図は
第２実施例の平面図、第５図は第４図のＡＡ’断面を基
板搭載した状態で示した図、第６図は第２実施例の温度
特性を従来例と比較した図、第７図、第８図は従来例の
平面図、基板搭載断面図である。 ■・・・基板、 ２−・・（加熱）ブロック、３
・・−熱電対、 ４・・・セラミックヒータ、５・
・−ガス導入口、６，６′・・・ガス導入路、７−・−
凹部（ガス充満空間）、 ８・・・しきり壁、 １０・・−ガス吐出口、１１−
・しきり壁。 第３因 （ヒート畦間 ６０禾シ） １ｏ○ １５０２００２５０３００３５０４００〔ご］ 鏝定２触 第 ４ 因 第５図 ０ ０ ０ ０ １００ １２０ １４０ ヒ トＢ寺ルｊ （ｓｅｃ）
のＡＡ’断面を基板搭載した状態で示した図、第３図は
第１実施例の温度特性を従来例と比較した図、第４図は
第２実施例の平面図、第５図は第４図のＡＡ’断面を基
板搭載した状態で示した図、第６図は第２実施例の温度
特性を従来例と比較した図、第７図、第８図は従来例の
平面図、基板搭載断面図である。 ■・・・基板、 ２−・・（加熱）ブロック、３
・・−熱電対、 ４・・・セラミックヒータ、５・
・−ガス導入口、６，６′・・・ガス導入路、７−・−
凹部（ガス充満空間）、 ８・・・しきり壁、 １０・・−ガス吐出口、１１−
・しきり壁。 第３因 （ヒート畦間 ６０禾シ） １ｏ○ １５０２００２５０３００３５０４００〔ご］ 鏝定２触 第 ４ 因 第５図 ０ ０ ０ ０ １００ １２０ １４０ ヒ トＢ寺ルｊ （ｓｅｃ）
Claims (1)
- 基板を搭載する加熱ブロック上部の、基板裏面に接する
凹部を前記加熱ブロックを貫通して加熱されたガスの充
満空間とする加熱台において、前記凹部底面に、前記ガ
スの吐出口が、複数個多重の円周もしくはらせんに配置
して形成されるとともに、前記多重の円周もしくはらせ
んに沿い凹部内のしきり壁を設けてあることを特徴とす
る半導体基板加熱台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4610890A JPH03248431A (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 半導体基板加熱台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4610890A JPH03248431A (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 半導体基板加熱台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248431A true JPH03248431A (ja) | 1991-11-06 |
Family
ID=12737796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4610890A Pending JPH03248431A (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 半導体基板加熱台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03248431A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267308A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
| JPH05275434A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Ngk Insulators Ltd | 半導体加熱用セラミックスヒーター及びその製造方法 |
| KR100246313B1 (ko) * | 1996-12-10 | 2000-03-15 | 김영환 | 진공증착 장비의 웨이퍼 가열장치 |
| KR100246314B1 (ko) * | 1996-12-11 | 2000-03-15 | 김영환 | 진공증착 장비의 웨이퍼 가열장치 |
| KR100690300B1 (ko) * | 2006-04-08 | 2007-03-12 | 주식회사 싸이맥스 | 반도체제조용 챔버의 히팅블록 |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP4610890A patent/JPH03248431A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267308A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
| JPH05275434A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Ngk Insulators Ltd | 半導体加熱用セラミックスヒーター及びその製造方法 |
| KR100246313B1 (ko) * | 1996-12-10 | 2000-03-15 | 김영환 | 진공증착 장비의 웨이퍼 가열장치 |
| KR100246314B1 (ko) * | 1996-12-11 | 2000-03-15 | 김영환 | 진공증착 장비의 웨이퍼 가열장치 |
| KR100690300B1 (ko) * | 2006-04-08 | 2007-03-12 | 주식회사 싸이맥스 | 반도체제조용 챔버의 히팅블록 |
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