KR20070083156A

KR20070083156A - 필름 접착 방법, 필름 접착 장치 및 반도체 장치의 제조방법

Info

Publication number: KR20070083156A
Application number: KR1020060058544A
Authority: KR
Inventors: 요시아키 신조; 유조 시모베푸; 가즈오 데시로기; 가즈히로 요시모토
Original assignee: 후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date: 2006-02-20
Filing date: 2006-06-28
Publication date: 2007-08-23
Also published as: JP4514722B2; KR100786158B1; TW200733259A; US20070196588A1; CN101026101A; CN101026101B; TWI307129B; JP2007221034A; US8016973B2

Abstract

본 발명은 웨이퍼를 파손시키지 않고 다이 본딩 필름을 접착하는 것을 목적으로 한다.

표면 보호 테이프(2)가 접착된 웨이퍼(1)에 다이 본딩 필름(6)을 필름 세트 롤러(9a)와 필름 접착 롤러(9b)로 압박하고, 이들 사이의 영역에 소정 형상으로 레이저광(7)을 조사한다. 필름 세트 롤러(9a)와 필름 접착 롤러(9b)를 회전 이동시키면서, 그 이동에 맞추어 레이저광(7)을 웨이퍼(1) 상에서 스캔하고, 레이저광(7)에 의한 다이 본딩 필름(6)의 용융 부분을 후속의 필름 접착 롤러(9b)로 웨이퍼(1)에 압박하여 접착한다. 다이 본딩 필름(6)을 레이저광(7)에 의해 용융시켜 웨이퍼(1)에 접착하기 때문에, 웨이퍼(1)가 얇고 그 강도가 저하되어 있어도 표면 보호 테이프(2)의 열수축 등에 기인한 웨이퍼(1)의 파손을 회피하는 것이 가능해진다.

Description

필름 접착 방법, 필름 접착 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{FILM BONDING METHOD, FILM BONDING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD}

도 1은 제1 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 공정 흐름을 도시한 도면.

도 2는 표면 보호 테이프 접착 공정을 도시한 도면.

도 3은 백 그라인드(back grind) 공정을 도시한 도면.

도 4는 다이 본딩 필름 접착 공정을 도시한 도면.

도 5는 표면 보호 테이프 박리 공정 및 다이싱 테이프 접착 공정을 도시한 도면.

도 6은 다이싱 공정을 도시한 도면.

도 7은 다이 본딩 공정을 도시한 도면

도 8은 제1 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름의 접착 방법을 도시한 도면.

도 9는 레이저 스캔 방법의 일례를 도시한 도면.

도 10은 레이저 광학계의 일례를 도시한 도면.

도 11은 필름 접착 장치의 구성을 도시한 도면.

도 12는 필름 접착 장치를 이용한 다이 본딩 필름의 접착 공정을 설명한 개 략도.

도 13은 필름 접착 장치를 이용한 다이 본딩 필름의 접착 공정을 설명한 개략도.

도 14는 필름 접착 장치를 이용한 다이 본딩 필름의 접착 공정을 설명한 개략도.

도 15는 필름 접착 장치를 이용한 다이 본딩 필름의 접착 공정을 설명한 개략도.

도 16은 필름 접착 장치를 이용한 다이 본딩 필름의 접착 공정을 설명한 개략도.

도 17은 제2 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름이 접착 방법을 도시한 도면.

도 18은 제3 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름의 접착 방법을 도시한 도면.

도 19는 레이저 스캔 방법의 변형예를 도시한 도면.

도 20은 종래의 열가소성의 다이 본딩 필름의 접착 방법을 도시한 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 웨이퍼

2 : 표면 보호 테이프

3 : 롤러

4 : 테이블

5 : 지석

6 : 다이 본딩 필름

7, 7S, 42 : 레이저광

8, 20 : 레이저 광학계

8a : 렌즈

9a : 필름 세트 롤러

9b : 필름 접착 롤러

10 : 테이프 프레임

11 : 다이싱 테이프

12 : 제거 가능 테이프

13 : 다이싱 블레이드

14 : 반도체 소자

15 : 척(chuck)

16 : 지지 기판

16A : 아일랜드부

21, 36 : 레이저 발진기

22 : 원통면 평오목 렌즈

23 : 선형 마스크

24 : 원통면 평볼록 렌즈

30 : 필름 접착 장치

31 : 제1 웨이퍼 케이스

32 : 제2 웨이퍼 케이스

33 : 웨이퍼 센터링 장치

34 : 필름 접착 테이블

35 : 웨이퍼 반송 로봇

37a, 37b : 광파이버

38 : 필름 접착용 레이저 조사 장치

39 : 필름 커트용 레이저 조사 장치

40a : 필름 송출 롤러

40b : 필름 권취 롤러

41 : 필름 고정 롤러

50 : 노즐

50a : 개구부

51 : 가스 도입 구멍

60 : 용기

60a : 배기/도입 라인

61 : 패킹

62 : 유리판

본 발명은 필름 접착 방법, 필름 접착 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이며, 특히 반도체 기판(웨이퍼)에의 다이 본딩 필름의 접착에 이용되는 필름 접착 방법 및 필름 접착 장치 및 다이 본딩 필름의 접착 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 집적 회로(IC : Integrated Circuit)의 제조에 있어서는, 통상 소정의 웨이퍼 공정을 거친 반도체 기판(웨이퍼)에 대하여, 우선 그 표면(반도체 소자 형성면)에 대하여 표면 보호 테이프를 피복한 후, 상기 웨이퍼의 이면(배면)을 연삭(백 그라인드 처리)하여, 상기 웨이퍼의 두께를 얇게 하는 공정이 채용된다.

상기 백 그라인드 처리 후, 웨이퍼 표면으로부터 보호 테이프를 박리하고, 또한 상기 웨이퍼의 이면에는 다이싱 테이프를 접착한다. 이러한 상태에 있어서, 웨이퍼의 표면측으로부터 상기 웨이퍼에 대하여 개편화(個片化) 처리를 실시하여 복수개의 반도체 소자(칩)를 형성한다.

그리고, 개편화된 칩을 상기 다이싱 테이프로부터 분리하여 반도체 소자 수용 용기의 소정 개소에 다이 본딩 처리를 행한다.

종래, 상기 다이 본딩 공정에 있어서는 리드 프레임 등의 지지 기판에의 칩의 접착 방법으로서, 우선 지지 기판 표면에 접착제를 도포하고, 상기 접착제를 이용하여 칩을 고착하는 방법이 널리 이용되어 왔다.

그러나, 최근, 백 그라인드 처리 후의 웨이퍼의 이면에 반도체 소자 고착용 접착성 필름(다이 본딩 필름)을 접착하고, 그런 후에 상기 웨이퍼를 개편화하는 방 법도 이용되도록 되어 있다.

이러한 방법에 의하면, 개편화된 칩을 상기 칩의 이면에 접착한 얇고, 또한 두께가 균일한 다이 본딩 필름을 매개로 하여 지지 기판에 고착할 수 있기 때문에, 칩을 소정 위치에 정확히 고착할 수 있고, 또한 두께(높이)를 보다 얇게(낮게)하는 것이 가능해진다.

상기 다이 본딩 필름으로서는, 상온에서 점착성을 갖는 것 혹은 가열됨으로써 점착성을 발현하는 열가소성인 것이 존재한다. 이 중 열가소성의 다이 본딩 필름은 제조 과정에서의 취급이 용이하다는 등의 이점이 있다.

웨이퍼에 대하여 열가소성 다이 본드 필름을 접착하는 종래의 방법을 도 20에 도시한다.

웨이퍼(101)의 이면에 열가소성 다이 본딩 필름(100)을 접착하는 경우, 상기 웨이퍼(101)의 다이 본딩 필름(100)의 접착면(이면)과 반대측의 면, 즉 표면(반도체 소자 형성면)측에서 히터(102)로 가열하고, 이러한 상태에 있어서, 다이 본딩 필름(100)을 고무제의 롤러(103)에 의해 웨이퍼의 이면(접착면)에 가압하여 접착하는 방법이 채용된다.

열가소성 다이 본딩 필름을 접착하는 다른 방법으로서는, 웨이퍼 전면을 가열하지 않고, 접착 개소만을 부분적으로 가열하면서 다이 본딩 필름을 접착해 가는 방법도 제안되어 있다.

예컨대, 가열 기구를 구비한 롤러를 이용하여 웨이퍼에 다이 본딩 필름을 접착해 가는 방법 혹은 내부에 가열·냉각 기구를 구비한 테이블을 이용하여 그 테이 블에 웨이퍼를 적재하고, 웨이퍼측에 다이 본딩 필름을 가압하는 롤러의 위치에 따라 부분적으로 테이블의 가열·냉각을 제어하는 방법이 제안되어 있다(특허 문헌 1 참조).

최근, 반도체 장치의 한층 높은 소형화·박형화의 요구에 따라 웨이퍼의 한층 높은 박형화가 필요로 되며, 웨이퍼의 두께를 100 ㎛ 이하로 하는 필요성도 증가하고 있다.

웨이퍼는 전술한 바와 같이 디바이스 형성 후의 백 그라인드에 의해 얇게 가공되는 것이 일반적이다. 그러나, 얇아진 웨이퍼는 당연 그 강도가 약해지며 깨지기 쉬워진다.

이것에 대하여, 예컨대 박화된 웨이퍼를 중앙부에 세공(細孔)이 형성된 보호 기판 상에 적재하고, 상기 보호 기판의 세공을 통해 웨이퍼를 흡인 고정하면서, 백 그라인드 처리 혹은 반송 등을 행함으로써, 상기 웨이퍼의 파손을 회피하는 시도도 이루어져 있다(특허 문헌 2 참조).

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2004-186240호 공보

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2004-153193호 공보

종래 일반적으로 이용되고 있는 다이 본딩 필름의 접착 방법, 즉 반도체 기판(웨이퍼)의 주요면에 표면 보호 테이프를 접착한 후, 상기 웨이퍼 이면의 백 그라인드 처리를 행하고, 그런 후 전면 가열하면서 상기 웨이퍼의 이면에 다이 본딩 필름을 접착하는 방법을 적용하면, 상기 표면 보호 테이프에는 비교적 큰 열팽창 혹은 열수축이 발생한다.

이 때문에, 두께 100 ㎛ 이하 정도로 박화된 웨이퍼에 있어서는 표면 보호 테이프와 같은 열변형에 견딜 수 없고, 균열을 발생시키는 문제를 일으키고 있었다.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 표면 보호 테이프에 열변형을 발생시키지 않고, 따라서 웨이퍼에 파손을 발생시키지 않으며, 상기 웨이퍼의 이면에 다이 본딩 필름 등의 필름체를 접착할 수 있는 필름 접착 방법 및 이러한 접착 방법을 실시하는 필름 접착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 다이 본딩 필름 등의 필름체의 접착시에, 웨이퍼의 파손을 회피할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에서는 상기 과제를 해결하기 위해 피처리 기판 상에 필름체를 배치하고, 상기 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하여 상기 필름체를 선택적으로 용융하고, 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법이 제공된다.

이러한 필름 접착 방법에 의하면, 웨이퍼 등의 피처리 기판 상에 배치된 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하여 용융하고, 용융 상태의 필름체 부분을 피처리 기판에 가압하여, 그 필름체를 피처리 기판에 접착한다. 피처리 기판을 히터 등으로 전면 가열하지 않고, 레이저광을 이용하여 그 조사 부분의 필름체를 피처리 기판에 가압하여 접착하기 때문에, 웨이퍼가 얇고 그 강도가 저하되어 있는 경우라도 열에 기인한 웨이퍼의 파손이 회피되게 된다.

또한, 본 발명에서는 피처리 기판 상에 배치된 필름체를 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단과, 상기 피처리 기판에 가압된 상기 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하는 수단과, 상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 장치가 제공된다.

이러한 필름 접착 장치에 의하면, 피처리 기판에 가압된 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하고, 조사된 필름체를 피처리 기판에 가압하여 접착하기 때문에 웨이퍼가 얇고, 그 강도가 저하되어 있는 경우에도 열에 기인한 웨이퍼의 파손이 회피되게 된다.

또한, 본 발명에서는 반도체 기판의 한쪽 주요면에 복수개의 반도체 소자를 형성하는 공정과, 상기 한쪽 주요면에 표면 보호 테이프를 피착하는 공정과, 상기 반도체 기판을 다른 쪽 주요면으로부터 연삭하여 그 두께를 얇게 하는 공정과, 상기 반도체 기판의 다른 쪽 주요면에 다이 본딩 필름을 피착하는 공정과, 상기 반도체 기판의 한쪽 주요면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 제거하는 공정과, 상기 반도체 기판을 절단·분리하여 상기 반도체 소자를 개편화하는 공정을 포함하고, 상기 반도체 기판의 다른 쪽 주요면에 상기 다이 본딩 필름을 피착할 때, 상기 반도체 기판 상에 배치된 상기 다이 본딩 필름에 대하여 레이저광을 선택적으로 조사·가열하여 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

이러한 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 반도체 기판에 다이 본딩 필름을 피착할 때, 반도체 기판 상에 배치된 그 다이 본딩 필름에 대하여 레이저광을 선택적으로 조사·가열하여 그 피가열부를 반도체 기판에 접착한다. 이것에 의해 웨이퍼가 얇고 그 강도가 저하되어 있는 경우라도 열에 기인한 웨이퍼의 파손이 회피되게 되며, 반도체 장치 제조의 수율 향상이 도모되게 된다.

이하, 본 발명의 실시 형태를 피처리 기판으로서 반도체 기판(웨이퍼)을 이용하여 웨이퍼에의 다이 본딩 필름의 접착을 예로 하여 도면을 참조해 상세히 설명한다.

제1 실시 형태에 대해서 설명한다.

상기 제1 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 공정 흐름을 도 1에 도시한다. 도 1은 피처리 반도체 기판(웨이퍼)에의 반도체 소자 형성 이후의 제조 흐름을 도시하고 있다.

또한, 상기 도 1에 도시하는 각 제조 공정을 도시하는 모식도를 도 2 내지 도 7에 도시한다. 도 2는 표면 보호 테이프 접착 공정을 도시하고, 도 3은 백 그라인드 공정을 도시한다. 또한, 도 4는 다이 본딩 필름 접착 공정을 도시하고, 도 5는 표면 보호 테이프 박리 공정 및 다이싱 테이프 접착 공정을 도시한다.

또한, 도 6은 다이싱 공정을 도시하고, 도 7은 다이 본딩 공정을 도시한다.

반도체 소자의 형성에 필요로 되는 웨이퍼 공정[소위 전(前)공정]을 거쳐, 웨이퍼(1)의 표면(한쪽 주요면)에 복수개의 반도체 소자(디바이스)를 형성한 후, 도 2에 도시하는 바와 같이, 상기 웨이퍼(1)의 표면(디바이스 형성면)에 올레핀계 혹은 PET(Poly Ethylene Terephthalate)로 이루어지는 표면 보호 테이프(2)를 롤러(3)를 이용하여 접착한다(도 1 : 단계 S1).

표면 보호 테이프(2)는 띠형을 갖고, 접착된 상기 표면 보호 테이프(2)는 웨이퍼(1)의 외형을 따라 절단되며 띠형부로부터 분리된다.

계속해서, 상기 웨이퍼(1)의 배면 연삭(백 그라인드) 처리를 행한다(도 1 : 단계 S2).

백 그라인드 처리는 도 3에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(1)를 그 이면을 위로 하여 회전 테이블(4) 상에 세트하고, 상기 회전 테이블(4)을 회전시키면서, 회전하는 지석(5)에 의해 웨이퍼(1)의 이면을 연삭한다.

계속해서, 도 4에 도시하는 바와 같이, 피처리 웨이퍼(1)의 이면에 다이 본딩 필름(6)을 접착한다(도 1 : 단계 S3). 다이 본딩 필름(6)은 폴리이미드계 수지 혹은 에폭시계 수지로 이루어지며, 예컨대 약 15 ㎛ 정도의 두께가 선택된다.

본 실시 형태에 있어서는 상기 다이 본딩 필름(6)의 접착 공정에 있어서, 웨이퍼(1)의 이면에 대하여 다이 본딩 필름(6)을 가압하는 수단으로서 롤러를 이용하는 동시에 가열 수단(열원)으로서 레이저광(7)을 이용한다.

즉, 띠형의 다이 본딩 필름(6)은 웨이퍼(1)의 이면 상에 배치된 상태에 있어서, 상호 평행하여 이격되고, 또한 회전 가능한 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)에 의해 웨이퍼(1)의 이면에 가압된다.

상기 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)는 각각 그 표면이 고무 등에 의해 구성되어 탄성을 갖고, 또한 상기 탄성체 부분은 다이 본딩 필름의 폭에 대응하는 치수를 갖는다.

한편, 레이저광(7)은 렌즈계를 포함하는 레이저 광학계(8)에 의해 웨이퍼(1)표면에 있어서의 조사 형상이 직사각형이 되도록 조정되고, 상기 필름 세트 롤러(9a)와 필름 접착 롤러(9b) 사이에 있어서, 이들의 롤러와 평행해지는 상태를 갖고 웨이퍼(1) 상에 조사된다.

필름 세트 롤러(9a)에 의해 웨이퍼(1)에 가압된 다이 본딩 필름(6)은 레이저광(7)이 조사됨으로써 용융되고, 그 피조사·용융 부분이 후속의 필름 접착 롤러(9b)에 의해 웨이퍼(1)의 이면에 가압되어 상기 웨이퍼(1)의 이면에 접착된다.

이와 같이, 웨이퍼(1)에 대한 다이 본딩 필름(6)의 접착시, 가열 수단으로서 레이저광(7)을 이용함으로써 다이 본딩 필름(6)에 대하여 국소적·선택적으로 열에너지를 부여하여 상기 다이 본딩 필름(6)을 국소적·선택적으로 용융시킬 수 있다.

따라서, 종래 방법과 같이, 히터 등으로 웨이퍼 전면에 대하여 가열을 행하는 경우에 비하여 웨이퍼의 온도 상승을 초래하지 않고, 이로써 상기 표면 보호 테이프(2)에 있어서의 열팽창 혹은 열수축 등 열변형의 발생을 회피할 수 있다.

접착된 다이 본딩 필름(6)은 웨이퍼(1)의 외형에 따라 절단되고, 띠형부로부터 분리된다.

웨이퍼(1)의 이면에 다이 본딩 필름(6)의 접착 후, 도 5에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면으로부터 표면 보호 테이프(2)를 박리하는 동시에, 상기 웨이퍼(1)의 이면측을 테이프 프레임(10) 상의 다이싱 테이프(11) 상에 접착한다(도 1 : 단계 S4).

또한, 도 5에 있어서, 다이싱 테이프(11)는 접착성을 갖고, 웨이퍼(1)를 그 이면에 붙여진 다이 본딩 필름과 함께 고정한다.

또한, 도면 부호 12는 표면 보호 테이프(2)를 박리하기 위한 제거 가능 테이프이다. 상기 제거 가능 테이프(12)를 롤러(도시하지 않음) 등에 의해 표면 보호 테이프(2) 상에 접착한 후, 상기 제거 가능 테이프(12)를 벗김으로써 웨이퍼(1) 표면으로부터 표면 보호 테이프(2)를 박리한다.

계속해서, 도 6에 도시하는 바와 같이, 다이싱 블레이드(dicing blade)(13)를 이용하여 웨이퍼(1)의 다이싱 처리를 행하고, 웨이퍼(1)에 형성되어 있는 복수개의 반도체 소자부를 개편화한다(도 1 : 단계 S5).

그런 후, 도 7에 도시하는 바와 같이 개편화된 반도체 소자 중 양품인 반도체 소자(14)를 척(15)에 의해 픽업하고, 리드 프레임 등의 지지 기판(16)의 아일랜드부(16A) 상으로 이송한다.

또한, 반도체 소자의 픽업시, 상기 다이싱 테이프(11)는 가열 혹은 자외선의 조사에 의해 그 접착력이 저하된다.

상기 지지 기판(16)의 아일랜드부(16A)에 있어서, 반도체 소자(14) 이면의 다이 본딩 필름(6)을 용융, 가압·경화시켜 상기 반도체 소자(14)를 아일랜드부(16A)에 고착한다(도 1 : 단계 S6).

이와 같이, 디바이스 형성 후, 다이 본딩까지의 공정이 행해진다.

여기서, 상기 단계 S3에서 설명한 레이저광(7)을 이용한 다이 본딩 필름(6)의 접착 방법에 대해서 보다 상세히 설명한다.

상기 제1 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름의 접착 방법을 도 8에 도시한다.

전술한 바와 같이, 반도체 소자(디바이스)의 형성면에 표면 보호 테이프(2)가 접착되고, 또한 백 그라인드 처리가 이루어진 웨이퍼(1)의 이면에 다이 본딩 필름(6)이 접착된다.

다이 본딩 필름(6)은 평행하게 세트된 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)에 의해 적어도 이들 사이의 영역이 웨이퍼(1)의 이면에 가압된다.

그리고, 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b) 사이의 영역에 위치하는 다이 본딩 필름(6)에 대하여 렌즈(8a)를 통해 소정의 조사 형상, 예컨대 직사각형으로 조정된 레이저광(7)이 조사된다.

웨이퍼(1)에 대하여 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)를 회전 이동시키면서, 그 이동에 맞추어 레이저광(7)을 이동시킨다.

본 발명의 실시 형태에 있어서의 레이저 스캔 방법의 일례를 도 9에 도시한다.

웨이퍼(1)의 이면 상에 위치하는 다이 본딩 필름(6)에 대하여 직사각형의 레이저를 조사하는 경우에는, 그 조사 형상의 폭[길이 방향의 폭, 상기 레이저광(7)의 이동 방향과 직행하는 방향의 길이]을 웨이퍼(1)의 직경의 1.1배 정도로 하는 것이 바람직하다.

도 9에 화살표 S로 나타내는 바와 같이, 상기한 바와 같은 조사 형상의 레이저광(7)을 웨이퍼(1)의 한쪽 엣지로부터 중심 방향을 향하고, 또한 다른 쪽 엣지까 지 이동(스캔)함으로써, 상기 레이저광(7)을 웨이퍼(1)의 전면에 조사한다.

상기 도 8에 도시하는 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)는 이러한 레이저광(7)의 스캔에 있어서, 상기 레이저광(7)의 이동 방향의 전 및 후에 있어서, 상기 레이저광(7)의 이동에 대응하여 일체적으로 이동한다.

이와 같이 조사 형상이 대략 직사각형으로 된 레이저광(7)은, 예컨대 도 10에 도시하는 레이저 광학계에 의해 실현 가능하다. 도 10에 있어서는 상기 레이저광학계의 요소에서의 레이저 단면 형상(A∼D)도 더불어 도시한다.

도 10에 도시하는 레이저 광학계(20)는 레이저 광발진기(21), 원통면 평오목 렌즈(22), 선형 마스크(23) 및 원통면 평볼록 렌즈(24)를 구비하고 있다.

상기 레이저 광학계(20)에 있어서는 레이저 광발진기(21)로부터 원형 단면(A)을 갖고 조사되는 레이저광(7)을 원통면 평오목 렌즈(22)에 의해 타원형 단면(B)으로 변형하고, 계속해서 선형 마스크(23)에 의해 직사각형상 단면(C)으로 한다. 또한 원통면 평볼록 렌즈(24)에 의해 보다 폭이 좁은 직사각형 단면(D)으로 한다.

그리고, 상기 폭이 좁은 직사각형 단면(D)을 갖는 레이저광(7)을 피처리 웨이퍼(1) 상에 위치하는 다이 본딩 필름(6)에 대하여 조사한다.

웨이퍼(1) 상에 위치하는 다이 본딩 필름(6)에 레이저광(7)을 조사할 때의 조건은 다이 본딩 필름(6)의 재질, 웨이퍼(1)의 두께, 표면 보호 테이프(2)의 재질 등에 기초하여 선택되지만, 예컨대, 파장 100 nm∼1000 nm의 레이저광을 출력 0.1 W∼100 W, 스캔 스피드 0.1 mm/s∼500 mm/s의 조건을 갖고 조사할 수 있다.

이때, 상기 표면 보호 테이프(2)의 열팽창 혹은 열수축 등을 억제하면서, 다이 본딩 필름(6)을 용융시킬 수 있는 조건을 선택한다.

다이 본딩 필름(6)의 접착시에는, 레이저 광학계(20)를 이용하여 상기 도 8에 도시하는 바와 같이, 레이저광(7)의 스캔 방향에 대응시켜 필름 세트 롤러(9a)를 선행하여 이동시키고, 상기 필름 세트 롤러(9a) 및 레이저광(7)에 추종하도록 필름 접착 롤러(9b)를 이동시킨다.

즉, 필름 세트 롤러(9a)와 필름 접착 롤러(9b)에 의해 다이 본딩 필름(6)을 웨이퍼(1)에 가압하면서, 필름 세트 롤러(9a) 직후의 영역에만 레이저광(7)을 조사하여 다이 본딩 필름(6)의 피조사부를 용융시키고, 상기 레이저광(7) 직후를 이동하는 필름 접착 롤러(9b)에 의해 상기 용융 부분을 웨이퍼(1)에 가압하여 접착한다.

이것을 웨이퍼(1)의 전면에 대해서 행함으로써, 웨이퍼(1)의 다른 표면에 붙여진 표면 보호 테이프(2)에 있어서의 열팽창 혹은 열수축 등의 열변형의 발생을 회피하면서, 상기 웨이퍼(1)에 다이 본딩 필름(6)을 균일하게, 또한 효율적으로 접착하는 것이 가능해진다.

웨이퍼(1) 상에 다이 본딩 필름(6)의 접착 처리를 행할 때에 적용하는 필름 접착 장치의 구성을 도 11에 도시한다.

도 11에 도시되는 바와 같이 상기 필름 접착 장치(30)는 백 그라인드 처리가 이루어지고 다이 본딩 필름(6)이 접착되기 전의 피처리 웨이퍼(1)가 수납되는 제1 웨이퍼 케이스(31) 및 다이 본딩 필름(6)이 접착된 웨이퍼(1)가 수납되는 제2 웨이 퍼 케이스(32)를 구비한다.

또한, 상기 필름 접착 장치(30)는 피처리 웨이퍼(1)의 센터링(중심 돌출)이 행해지는 웨이퍼 센터링 장치(33), 상기 웨이퍼(1)에 대한 다이 본딩 필름(6)의 접착 처리가 행해지는 필름 접착 테이블(34)을 구비하고 있다.

또한, 상기 필름 접착 장치(30)는 상기 제1 웨이퍼 케이스(31)에 수납되어 있는 피처리 웨이퍼(1)를 웨이퍼 센터링 장치(33)에 반송하고, 또한 웨이퍼 센터링 장치(33)에 적재되어 있는 피처리 웨이퍼(1)를 필름 접착 테이블(34)에 반송하고, 또한 다이 본딩 필름(6)이 접착되어 필름 접착 테이블(34) 상에 얹어져 있는 웨이퍼(1)를 제2 웨이퍼 케이스(32)에 반송하여 수납하기 위한 웨이퍼 반송 로봇(35)을 구비하고 있다.

또한, 상기 필름 접착 장치(30)는 필름 접착 테이블(34) 근방에, 레이저 발진기(36)에 각각 광 파이버(37a, 37b)를 통해 접속된 필름 접착용 레이저 조사 장치(38) 및 필름 커트용 레이저 조사 장치(39)를 구비한다.

상기 필름 접착용 레이저 조사 장치(38)는 레이저 발진기(36)와 렌즈를 이용하여 구성된 레이저 광학계를 구비하고, 필름 접착 테이플(34) 상의 소정의 영역에 대하여 소정의 조사 형상을 가지며 스캔할 수 있다. 한편, 필름 커트용 레이저 조사 장치(39)는 필름 접착 테이블(34) 상에 있어서, 웨이퍼(1)에 접착된 다이 본딩 필름(6)을 상기 웨이퍼(1)의 외형을 따라 절단하여 띠형부로부터 분리한다.

필름 송출 롤러(40a)로부터 송출되고, 필름 권취 롤러(40b)로 보내지는 띠형다이 본딩 필름(6)에 대해서는 상기 다이 본딩 필름(6) 상을 필름 권취 롤러(40b) 측에서부터 필름 송출 롤러(40a)로 이동 가능하게 된 필름 세트 롤러(9a), 필름 접착 롤러(9b), 및 필름 권취 롤러(40b)측에 가장 가까이에 있는 필름 고정 롤러(41)에 의해 일정한 장력이 부가되어 있다.

그리고, 필름 접착 테이블(34) 상에, 피처리 웨이퍼(1)가 적재되었을 때에는 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)가 이동하여, 상기 웨이퍼(1) 상에 다이 본딩 필름(6)을 가압한다. 이때, 필름 접착용 레이저 조사 장치(38)도 병행되어 이동한다.

이러한 구성을 갖는 필름 접착 장치(30)를 이용한 다이 본딩 필름(6)의 접착처리 방법을 도 11 및 도 12 내지 도 16을 참조하여 설명한다.

도 12 내지 도 16은 필름 접착 장치를 이용한 다이 본딩 필름의 접착 공정을 설명하는 개략도이다.

또한, 필름 접착 장치(30)는 다이 본딩 필름(6)의 접착 전, 즉 상기 도 11에 도시하는 상태에 있는 것으로 하고, 편의상 이 상태를 필름 접착 장치(30)의 초기 상태로 한다.

상기 필름 접착 장치(30)를 이용하여, 웨이퍼의 이면에 다이 본딩 필름(6)을 접착하는 경우, 상기 도 11에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 반송 로봇(35)이 제1 웨이퍼 케이스(31)에 수납되어 있는 웨이퍼(1)를 상기 제1 웨이퍼 케이스(31)로부터 취출하고, 웨이퍼 센터링 장치(33)로 반송한다.

상기 웨이퍼(1)의 제1 주요면(표면)에는 이전 공정에 있어서 표면보호 테이프가 접착되어 있다. 또한, 상기 웨이퍼는 제1 웨이퍼 케이스(31)에 그 이면을 위 로 하여 수납되어 있다.

웨이퍼 반송 로봇(35)은 이러한 상태의 웨이퍼(1)를 취출하고, 그 이면을 위로 한 상태로 반송한다.

웨이퍼 센터링 장치(33)에서는 반송된 웨이퍼(1)의 센터링(중심 돌출) 처리가 행해진다. 이러한 센터링 처리를 행함으로써, 이후 공정에 있어서 상기 웨이퍼(1)와 이것에 접착되는 테이프재의 폭 방향의 중심을 일치시키는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 접착된 테이프재를 웨이퍼(1)의 외형을 따라 절단할 때, 상기 웨이퍼(1)의 외형과 일치하는 고정밀도의 절단을 가능하게 한다.

계속해서, 웨이퍼 반송 로봇(35)은 웨이퍼 센터링 장치(33)에 있어서 센터링 처리가 이루어진 웨이퍼(1)를 필름 접착 테이블(34) 상에 적재되었을 때에 그 이면이 위가 되도록, 상기 필름 접착 테이블(34) 상에 반송한다. 이러한 상태를 도 12에 도시한다.

그 후, 웨이퍼 반송 로봇(35)은 도 13에 도시하는 바와 같이, 다시 제1 웨이퍼 케이스(31)의 위치까지 되돌아가고, 다음에 피처리 웨이퍼(1)의 반송 준비에 들어간다.

한편, 상기 필름 접착 테이블(34)에 있어서는 도 14에 도시하는 바와 같이, 피처리 웨이퍼(1)의 이면에의 다이 본딩 필름(6)의 접착 처리가 행해진다.

상기 다이 본딩 필름(6)은 웨이퍼(1)의 최대 직경(직경)보다도 큰 폭을 갖고 있다.

그리고, 상기 웨이퍼(1)의 중심과, 다이 본딩 필름(6)의 폭 방향의 중심을 일치시켜 양자는 접착된다.

이러한 다이 본딩 필름(6)의 접착시에는 필름 세트 롤러(9a)가 필름 송출 롤러(40a)의 측으로 이동하고, 이것에 추종하여 필름 접착용 레이저 조사 장치(38) 및 필름 접착 롤러(9b)가 이동한다.

이것에 의해 다이 본딩 필름(6)은 이동하는 필름 세트 롤러(9a)에 의해 웨이퍼(1)에 가압되면서, 그 뒤를 이동하는 필름 접착용 레이저 조사 장치(38)에 있어서의 레이저광(7)이 조사되어 그 피조사 부분이 용융되고, 또한 그 뒤를 이동하는 필름 접착 롤러(9b)에 의해 가압되어 웨이퍼(1)에 접착되어 간다.

상기 다이 본딩 필름(6)의 웨이퍼(1)에의 접착 처리 사이, 도 14에 도시되는 바와 같이 상기 웨이퍼 반송 로봇(35)은 제1 웨이퍼 케이스(31)로부터 다음에 피처리 웨이퍼(1)를 취출하고, 웨이퍼 센터링 장치(33)에 반송하며, 상기 웨이퍼 센터링 장치(33)는 반송된 웨이퍼(1)의 센터링을 행한다.

상기 웨이퍼 센터링 장치(33)의 가동 중 상기 웨이퍼 반송 로봇(35)은 다이 본딩 필름(6) 접착 후, 필름 접착 테이블(34) 상에 있는 웨이퍼(1)를 반송하기 위해 필름 접착 테이블(34)의 근방에서 대기한다.

웨이퍼(1)의 전면에 다이 본딩 필름(6)의 접착이 행해지면, 필름 접착 롤러(9b) 및 필름 접착용 레이저 조사 장치(38)는 도 15에 도시하는 바와 같이, 필름 고정 롤러(41)의 측으로 후퇴·이동한다.

이러한 상태에 있어서, 필름 커트용 레이저 조사 장치(39)로부터 다이 본딩 필름(6)의 접착 후의 웨이퍼(1)의 외형을 따라 레이저광(42)이 조사되고, 상기 다 이 본딩 필름(6)은 웨이퍼(1)의 외형을 따라 절단되어 웨이퍼(1)의 이면에 접착된 다이 본딩 필름은 띠형부로부터 분리된다.

계속해서, 필름 커트용 레이저 조사 장치(39)를 초기 상태의 위치까지 후퇴시킨 후, 웨이퍼 반송 로봇(35)이 필름 접착 테이블(34) 상의 웨이퍼(1), 즉 그 이면에 다이 본딩 필름(6)이 접착된 웨이퍼(1)를 제2 웨이퍼 케이스(32)에 반송한다.

그리고, 필름 세트 롤러(9a)가 필름 고정 롤러(41) 측으로 이동하여 초기 상태의 위치로 되돌아가며, 다이 본딩 필름(6)이 필름 송출 롤러(40a)로부터 필름 권취 롤러(40b)로 권취되면, 필름 접착 장치(30)는 상기 도 12에 도시한 상태가 되며, 웨이퍼 센터링 장치(33)에 있어서 센터링 처리가 이루어져 있는 다음 웨이퍼(1)의 반송 처리가 가능해진다.

이후, 이러한 처리를 피처리 웨이퍼(1)의 매수에 대응하여 반복한다.

이와 같이, 제1 실시 형태에 있어서는 다이 본딩 필름(6)을 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)로 웨이퍼(1)에 가압하고, 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b) 사이의 영역에 레이저광(7)을 조사한다.

그리고, 필름 세트 롤러(9a)의 이동과 함께 레이저광(7)을 이동시키고, 또한 이들에 추종하도록 필름 접착 롤러(9b)를 이동시킴으로서, 레이저광(7)이 조사된 다이 본딩 필름(6)의 용융 부분을 상기 필름 접착 롤러(9b)로 웨이퍼(1)에 가압하여 다이 본딩 필름(6)을 웨이퍼(1)에 접착해 간다.

이것에 의해 웨이퍼(1)를 히터 등으로 전면 가열하였을 때와 같은 표면 보호테이프(2)의 열팽창 혹은 열수축 등의 발생을 회피하여, 웨이퍼(1)에 다이 본딩 필 름(6)을 균일하게 접착할 수 있게 된다.

다음에, 제2 실시 형태에 대해서 설명한다.

상기 제2 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름의 접착 방법을 도 17에 도시한다.

또한, 도 17에 있어서는 상기 도 8에 도시한 요소와 동일한 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여 그 설명은 생략한다.

본 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름(6)의 접착 방법에 있어서는 다이 본딩 필름(6)의 레이저광 피조사 부분에 대한 웨이퍼(1) 상에의 가압을 상기 다이 본딩 필름(6)의 레이저광 피조사 부분에 대하여 가스를 분사함으로써 행한다.

즉, 레이저광(7)은 소정의 렌즈(8a)를 통해 소정의 조사 형상으로 조정되어 다이 본딩 필름(6) 상에 조사되지만, 상기 렌즈(8a)는 레이저광(7)의 조사 형상에 따른 개구부(50a)를 구비하는 노즐(50)에 유지되어 있다.

본 실시 형태에 있어서는 상기 노즐(50)에 가스 도입 구멍(51)을 배치하고, 상기 가스 도입 구멍(51)으로부터 가스를 압입하여, 노즐(50)의 선단부로부터 다이 본딩 필름(6)의 레이저광 피조사 부분에 분사한다.

이것에 의해, 표면 보호 테이프(2)가 접착된 백 그라인드 후의 웨이퍼(1) 이면에의 다이 본딩 필름(6)의 접착시, 다이 본딩 필름(6)이 레이저광(7)의 스캔 방향으로 이동하는 필름 세트 롤러(9a)에 의해 웨이퍼(1)의 이면에 가압되고, 그 직후의 영역에 대하여 레이저광(7)이 조사되는 동시에, 그 조사 부분에 노즐(50)로부터 가스(질소 가스 혹은 질소와 산소의 혼합물 가스)가 분출된다.

즉, 다이 본딩 필름(6)은 레이저광(7)의 조사에 의해 용융되면서, 노즐(50)로부터 분사되는 가스에 의해 웨이퍼(1)의 이면에 가압되고, 상기 웨이퍼(1)의 이면에 접착된다.

이러한 다이 본딩 필름(6)의 접착 방법을 이용하여도 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로 표면 보호 테이프(2)의 열팽창 등의 발생을 회피하여 웨이퍼(1) 이면에 다이 본딩 필름(6)을 균일하게 접착할 수 있게 된다.

또한, 이 제2 실시 형태에 있어서의 레이저광 조사/가압 방법은 상기 제1 실시 형태에서 설명한 필름 접착 장치(30)에 있어서의 레이저광(7)의 스캔 방법 및 레이저 광학계(20)에 적용할 수 있다.

즉, 상기 제1 실시 형태에 있어서의 필름 접착 장치(30)의 필름 세트 롤러(9a), 필름 접착 롤러(9b) 및 필름 접착용 레이저 조사 장치(38)를 이용한 다이 본딩 필름(6)의 접착 기구를 도 17에 도시한 제2 실시 형태를 이용한 것으로 변경하고, 필름 접착 장치를 구성하는 것이 가능하다.

이때, 다이 본딩 필름(6)의 웨이퍼(1) 이면에의 접착부 이외의 부분[웨이퍼(1)의 추출, 반송, 수납 등]에 대해서는 상기한 필름 접착 장치(30)와 동일한 처리를 행하는 것이 가능하다.

또한, 본 제2 실시 형태에 있어서는 레이저광(7)의 조사 부분에 노즐(50)로부터 가스를 분사하기 때문에, 레이저광(7)의 조사 조건을 설정할 때에는 다이 본딩 필름(6)의 재질 등 외에, 가스의 분사에 의한 다이 본딩 필름(6)의 온도 저하를 고려하여 조건을 설정해야 한다.

다음에, 제3 실시 형태에 대해서 설명한다.

상기 제3 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름의 접착 방법을 도 18에 도시한다.

또한, 도 18에서는 상기 도 8에 도시한 요소와 동일한 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여 그 설명은 생략한다.

본 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름(6)의 접착 방법에 있어서는 다이 본딩 필름(6)의 레이저광 피조사 부분에 대한 웨이퍼(1) 상에의 가압을 유리판 등의 광투과성 평판을 이용하여 행한다.

즉, 도 18에 도시되는 바와 같이, 그 상면에 표면 보호 테이프(2)가 접착된 피처리 웨이퍼(1)는 상기 표면 보호 테이프(2)측을 아래로 하여 용기(60)에 수용되고, 상기 피처리 웨이퍼(1)의 이면에 다이 본딩 필름(6)이 적재된 상태로 된다.

이러한 상태에 있어서, 용기(60) 상에 아크릴로니트릴 부타디엔 고무(NBR) 등으로 이루어지는 패킹(61)을 통해 유리판(62)이 적재된다.

또한, 용기(60)는 패킹(61)를 통해 유리판(62)이 적재된 상태에 있어서, 그 내부를 감압 혹은 복압하기 위한 배기/도입 라인(60a)을 구비한다.

그리고, 상기 용기(60)의 깊이는 상기 패킹(61)을 통해 유리판(62)에 의해 봉입된 상태에 있어서, 배기/도입 라인(60a)을 통한 흡인에 의해 유리판(62)이 흡인되었을 때, 상기 유리판(62)에 의해 다이 본딩 필름(6)이 웨이퍼(1)에 대하여 가압되는 깊이로 설정된다.

그런 후, 배기/도입 라인(60a)을 통해 용기(60) 내를 감압·배기하여, 용 기(60) 내부를 저압 분위기로 한다. 이러한 감압 처리에 의해 유리판(62)이 용기(60)측으로 흡인되고, 이것에 의해 다이 본딩 필름(6)이 웨이퍼(1)의 이면으로 가압된다.

이 상태에 있어서, 렌즈(8a)를 통해 소정의 형상이 된 레이저광(7)을 상기 유리판(62)을 투과시켜 다이 본딩 필름(6)에 조사한다. 이것에 의해, 다이 본딩 필름(6)의 피조사 부분이 가열 용융되고, 또한 이때 유리판(62)에 의해 가압되어 있음으로써, 상기 다이 본딩 필름(6)은 웨이퍼(1)의 이면에 접착된다.

이때, 상기 제1 실시 형태에 있어서의 스캔 방법 및 레이저 광학계(20)를 이용하고, 조사 형상이 직사각형으로 된 레이저광(7)을 웨이퍼(1)의 일단으로부터 그 중심을 통과하여 다른 쪽 단부까지 스캔한다.

이러한 수단에 의한 웨이퍼(1)의 이면에의 다이 본딩 필름(6)의 접착 후, 상기 배기/도입 라인(60a)을 통과하는 배기를 정지시켜 용기(60) 내부에 소정의 가스압을 복압하고, 그런 후 유리판(62)을 떼어 내어 다이 본딩 필름(6)이 접착된 웨이퍼(1)를 취출한다.

계속해서 처리를 행할 경우에는 다음에 처리해야 하는 웨이퍼(1)를 용기(60)내에 수용하고, 동일한 순서로 다이 본딩 필름(6)의 접착을 행한다.

이러한 다이 본딩 필름(6)의 접착 방법을 이용하여도 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로 표면 보호 테이프(2)의 열팽창 등의 발생을 회피하여, 웨이퍼(1)의 이면에 다이 본딩 필름(6)을 균일하게 접착하는 것이 가능하다.

다음에, 제4 실시 형태에 대해서 설명한다.

상기 제1 내지 제3 실시 형태에 있어서는 레이저광(7)의 웨이퍼(1) 상에서의 조사 형상을 가늘고, 또한 웨이퍼(1)의 직경보다도 긴 직사각형으로서 이동(스캔)함으로써, 최종적으로 웨이퍼(1)의 전면에 조사하는 경우에 대해서 설명하였지만, 상기 레이저광(7)의 조사 형상 및/혹은 스캔 방법은 이것에 한정되는 것은 아니다.

본 실시 형태는 상기 레이저광의 이동(스캔) 방법의 변형예를 도시하는 것이며, 도 19는 상기 레이저 스캔 방법의 변형예를 도시한다.

본 실시 형태 4에 있어서는 레이저광은 그 조사 형상이 원형 혹은 직사각형의 스폿 형상이 되고, 도 19에 화살표(S2)로 나타내는 바와 같이 병행하여 왕복하는 형태 혹은 지그재그형 형태를 갖고 다이 본딩 필름 상에서 스캔된다.

이러한 스폿형 레이저광(7S)의 스캔법에 의해서도 최종적으로는 레이저광(7S)을 웨이퍼(1) 상의 다이 본딩 필름 전면에 조사하는 것이 가능하다.

이와 같이 레이저광(7S)의 조사 형상을 스폿형으로서 조사한 경우에는 상기 제1 내지 제3 실시 형태와 같이 가늘고 긴 직사각형을 갖는 조사 형상을 적용한 경우에 비하여 레이저광(7S)의 조사 면적을 보다 작게 할 수 있다. 따라서, 표면 보호 테이프(2)의 열팽창 등을 한층 더 효과적으로 회피할 수 있다.

이러한 스폿형 레이저광(7S)의 스캔 방법은 상기 제1 내지 제3 실시 형태에 도시한 다이 본딩 필름(6)이 접착된 상태로 적용하는 것도 가능하지만, 필요에 따라 필름 세트 롤러(9a)의 이동 방법 등에 대해서 변경을 가한 후에 적용하는 것도 가능하다.

이러한 스폿형 레이저광(7S)을 스캔하는 방법을 채용하는 경우에도 그 조사 조건을 다이 본딩 필름(6)의 재질 등에 따라 적당히 설정하는 것이 가능하다.

또한, 이와 같이 스폿형 레이저광(7S)의 조사시에도 적어도 그 진행 방향에 따라 상기 레이저광의 전후로 가스(질소 가스 혹은 질소와 산소의 혼합물 가스)를 분출한다. 즉, 다이 본딩 필름(6)은 분사되는 가스에 의해 웨이퍼(1)의 이면에 가압되면서, 레이저광(7S)의 조사에 의해 용융되어 상기 웨이퍼(1)의 이면에 접착된다.

상기 가스는 상기 제2 실시 형태와 동일하게 레이저광 방사 노즐부의 외주에 그 설치되는 가스 배출부 또는 상기 레이저광 방사 노즐부로부터 분리하여 설치된 가스 배출부로부터 혹은 웨이퍼(1)의 이면 전체에의 분출 등에 의해 피처리 웨이퍼(1) 방향으로 분출된다. 분사되는 가스에 의해 다이 본딩 필름(6)의 용융부는 웨이퍼(1)의 이면에 가압되고, 상기 웨이퍼(1)의 이면에 부착된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시 형태에 있어서는 열가소성의 다이 본딩 필름(6)의 접착으로 레이저광(7)을 적용하고, 상기 레이저광(7)을 조사하여 다이 본딩 필름(6)을 선택적으로 용융하며, 그것을 웨이퍼(1)에 가압함으로써 접착한다.

이것에 의해, 웨이퍼(1)가 얇게 가공되어 그 강도가 저하되어 있는 경우라도 다이 본딩 필름(6)을 접착할 때의 웨이퍼(1)의 파손을 회피하는 것이 가능해지며, 반도체 장치를 수율적으로 제조하는 것이 가능해진다.

또한, 이상의 설명에서는 웨이퍼(1)에의 다이 본딩 필름(6)의 접착을 예로 하여 설명하였지만, 다이 본딩 필름(6)에 한하지 않고, 여러 가지 필름의 접착에도 마찬가지로 적용 가능하다. 또한, 웨이퍼(1)에 한하지 않고, 여러 가지 기판에의 필름의 접착에도 마찬가지로 적용 가능하다.

(부기 1)

피처리 기판 상에 필름체를 배치하고, 상기 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하여 상기 필름체를 선택적으로 용융하고, 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.

(부기 2)

한쪽의 주요면이 제1 필름체에 의해 피복된 피처리 기판의 다른 쪽의 주요면에 제2 필름체를 배치하고, 상기 제2 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하여 상기 제2 필름체를 선택적으로 용융하며, 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 제2 필름체를 상기 피처리 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.

(부기 3)

상기 피처리 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.

(부기 4)

상기 피처리 기판의 한쪽 주요면에 피복되는 상기 제1 필름체는 표면 보호 필름인 것을 특징으로 하는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.

(부기 5)

상기 피처리 기판의 다른 쪽 주요면에 접착되는 상기 제2 필름체는 다이 본딩 필름인 것을 특징으로 하는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.

(부기 6)

상기 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 피처리 기판에 접착할 때에, 상기 용융 상태에 있는 필름체 부분에 가스를 분사하면서 행하는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.

(부기 7)

상기 레이저광을 조사할 때에는, 상기 레이저광을 상기 피처리 기판 상에서 스캔하면서 조사해 가는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.

(부기 8)

상기 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압할 때에는, 롤러를 이용하여 상기 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.

(부기 9)

상기 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압할 때에는, 유리판을 이용하여 상기 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.

(부기 10)

피처리 기판 상에 배치된 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수 단과,

상기 피처리 기판에 가압된 상기 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하는 수단과,

상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단을

포함하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 장치.

(부기 11)

상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단은 상기 필름체의 상기 레이저광의 조사 부분에 가스를 분사하는 수단인 것을 특징으로 하는 부기 10에 기재한 필름 접착 장치.

(부기 12)

상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단은 상기 필름체의 상기 레이저광의 조사 부분을 롤러로 가압하는 수단인 것을 특징으로 하는 부기 10에 기재한 필름 접착 장치.

(부기 13)

상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단은 상기 필름체의 상기 레이저광의 조사 부분을 유리판으로 가압하는 수단인 것을 특징으로 하는 부기 10에 기재한 필름 접착 장치.

(부기 14)

반도체 기판의 한쪽 주요면에 복수개의 반도체 소자를 형성하는 공정과,

상기 한쪽 주요면에 표면 보호 테이프를 피착하는 공정과,

상기 반도체 기판을 다른 쪽의 주요면으로부터 연삭하여 그 두께를 얇게 하는 공정과,

상기 반도체 기판의 다른 쪽의 주요면에 다이 본딩 필름을 피착하는 공정과,

상기 반도체 기판의 한쪽 주요면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 제거하는 공정과,

상기 반도체 기판을 절단·분리하여 상기 반도체 소자를 개편화하는 공정을

포함하고,

상기 반도체 기판의 다른 쪽 주요면에 상기 다이 본딩 필름을 피착할 때, 상기 반도체 기판 상에 배치된 상기 다이 본딩 필름에 대하여 레이저광을 선택적으로 조사·가열하여 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.

(부기 15)

상기 레이저광의 조사 영역의 적어도 전후에서, 상기 본딩 필름을 상기 반도체 기판에 가압하면서, 상기 레이저광을 조사하는 것을 특징으로 하는 부기 14에 기재한 반도체 장치의 제조 방법.

(부기 16)

상기 반도체 기판 상에 배치된 상기 다이 본딩 필름에 대하여 상기 레이저광을 선택적으로 조사·가열할 때에는

상기 레이저광을 상기 반도체 기판 상에서 스캔하면서 조사해 가는 것을 특 징으로 하는 부기 14에 기재한 반도체 장치의 제조 방법.

(부기 17)

상기 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착할 때에는

롤러를 이용하여 상기 피가열부를 상기 반도체 기판에 가압하고, 상기 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 부기 14에 기재한 반도체 장치의 제조 방법.

(부기 18)

상기 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착할 때에는

유리판을 이용하여 상기 피가열부를 상기 반도체 기판에 가압하고, 상기 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 부기 14에 기재한 반도체 장치의 제조 방법.

본 발명에 의하면, 박화된 반도체 기판(웨이퍼)의 한쪽 주요면에 대하여 가열하면서 필름을 접착할 때에, 미리 상기 웨이퍼의 다른 쪽 주요면에 피착되어 있는 표면 보호 테이프의 열변형 영향을 부여하지 않고, 상기 웨이퍼에 대하여 필름을 접착할 수 있다.

따라서, 박화된 웨이퍼에 균열·파손 등을 발생시키지 않고, 반도체 장치의 제조 수율을 향상시키는 것이 가능해진다.

Claims

피처리 기판 상에 필름체를 배치하고, 상기 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하여 상기 필름체를 선택적으로 용융하며, 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.
한쪽의 주요면이 제1 필름체에 의해 피복된 피처리 기판의 다른 쪽의 주요면에 제2 필름체를 배치하고, 상기 제2 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하여 상기 제2 필름체를 선택적으로 용융하며, 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 제2 필름체를 상기 피처리 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 피처리 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.
제2항에 있어서, 상기 피처리 기판의 한쪽 주요면에 피복되는 상기 제1 필름체는 표면 보호 필름인 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.
제2항에 있어서, 상기 피처리 기판의 다른 쪽 주요면에 접착되는 상기 제2 필름체는 다이 본딩 필름인 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 피처리 기판에 접착할 때에, 상기 용융 상태에 있는 필름체 부분에 가스를 분사하면서 행하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.
피처리 기판 상에 배치된 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단과;

상기 피처리 기판에 가압된 상기 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하는 수단과;

상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단

을 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 장치.
제7항에 있어서, 상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단은 상기 필름체의 상기 레이저광의 조사 부분에 가스를 분사하는 수단인 것을 특징으로 하는 필름 접착 장치.
반도체 기판의 한쪽 주요면에 복수개의 반도체 소자를 형성하는 공정과;

상기 한쪽 주요면에 표면 보호 테이프를 피착하는 공정과;

상기 반도체 기판을 다른 쪽의 주요면으로부터 연삭하여 그 두께를 얇게 하는 공정과;

상기 반도체 기판의 다른 쪽의 주요면에 다이 본딩 필름을 피착하는 공정과;

상기 반도체 기판의 한쪽 주요면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 제거하는 공정과;

상기 반도체 기판을 절단·분리하여 상기 반도체 소자를 개편화하는 공정

을 포함하고,

상기 반도체 기판의 다른 쪽 주요면에 상기 다이 본딩 필름을 피착할 때, 상기 반도체 기판 상에 배치된 상기 다이 본딩 필름에 대하여 레이저광을 선택적으로 조사·가열하여 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
제9항에 있어서, 상기 레이저광의 조사 영역의 적어도 전후에서, 상기 본딩 필름을 상기 반도체 기판에 가압하면서, 상기 레이저광을 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.