KR20070083156A - Film bonding method, film bonding apparatus, and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

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Abstract

A method for bonding a film, an apparatus for bonding the film, and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to prevent breakage of a wafer by using a laser beam upon bonding a die bonding film. A die bonding film(6) is pressed on a wafer(1) on which a surface protective tape is attached by using a film set roller(9a) and a film adhering roller(9b). A laser beam is irradiated on a region between the film set roller and the film adhering roller. The film set roller and the film adhering roller are rotate-moved and, simultaneously, the laser beam scans the wafer. A portion of the die bonding film being fused by the laser beam is pressed using a subsequent film adhering roller to be adhered on the wafer. The die bonding film is fused by the laser beam and then adhered on the wafer so that breakage of the wafer due to thermal contraction of the surface protective tape.

Description

필름 접착 방법, 필름 접착 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{FILM BONDING METHOD, FILM BONDING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD}FILM BONDING METHOD, FILM BONDING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD}

도 1은 제1 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 공정 흐름을 도시한 도면.1 is a diagram showing a manufacturing process flow of a semiconductor device according to the first embodiment.

도 2는 표면 보호 테이프 접착 공정을 도시한 도면.2 illustrates a surface protection tape adhering process.

도 3은 백 그라인드(back grind) 공정을 도시한 도면.3 shows a back grind process.

도 4는 다이 본딩 필름 접착 공정을 도시한 도면.4 illustrates a die bonding film adhering process.

도 5는 표면 보호 테이프 박리 공정 및 다이싱 테이프 접착 공정을 도시한 도면.5 shows a surface protection tape peeling process and a dicing tape bonding process.

도 6은 다이싱 공정을 도시한 도면.6 shows a dicing process.

도 7은 다이 본딩 공정을 도시한 도면7 illustrates a die bonding process.

도 8은 제1 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름의 접착 방법을 도시한 도면.FIG. 8 is a view showing a bonding method of a die bonding film according to a first embodiment. FIG.

도 9는 레이저 스캔 방법의 일례를 도시한 도면.9 shows an example of a laser scanning method.

도 10은 레이저 광학계의 일례를 도시한 도면.10 is a diagram illustrating an example of a laser optical system.

도 11은 필름 접착 장치의 구성을 도시한 도면.11 is a diagram showing the configuration of a film bonding device.

도 12는 필름 접착 장치를 이용한 다이 본딩 필름의 접착 공정을 설명한 개 략도.12 is a schematic view illustrating a bonding process of a die bonding film using a film bonding device.

도 13은 필름 접착 장치를 이용한 다이 본딩 필름의 접착 공정을 설명한 개략도.It is a schematic diagram explaining the bonding process of the die bonding film using a film bonding apparatus.

도 14는 필름 접착 장치를 이용한 다이 본딩 필름의 접착 공정을 설명한 개략도.It is a schematic diagram explaining the bonding process of the die bonding film using a film bonding apparatus.

도 15는 필름 접착 장치를 이용한 다이 본딩 필름의 접착 공정을 설명한 개략도.15 is a schematic view illustrating a bonding process of a die bonding film using a film bonding apparatus.

도 16은 필름 접착 장치를 이용한 다이 본딩 필름의 접착 공정을 설명한 개략도.It is a schematic diagram explaining the bonding process of the die bonding film using a film bonding apparatus.

도 17은 제2 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름이 접착 방법을 도시한 도면.It is a figure in which the die bonding film in the second embodiment shows a bonding method.

도 18은 제3 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름의 접착 방법을 도시한 도면.FIG. 18 is a diagram illustrating a bonding method of a die bonding film according to a third embodiment. FIG.

도 19는 레이저 스캔 방법의 변형예를 도시한 도면.19 shows a modification of the laser scanning method.

도 20은 종래의 열가소성의 다이 본딩 필름의 접착 방법을 도시한 도면.20 is a view showing a bonding method of a conventional thermoplastic die bonding film.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

1 : 웨이퍼1: wafer

2 : 표면 보호 테이프2: surface protection tape

3 : 롤러3: roller

4 : 테이블4: table

5 : 지석5: grindstone

6 : 다이 본딩 필름6: die bonding film

7, 7S, 42 : 레이저광7, 7S, 42: laser light

8, 20 : 레이저 광학계8, 20: laser optical system

8a : 렌즈8a: Lens

9a : 필름 세트 롤러9a: film set roller

9b : 필름 접착 롤러9b: film adhesive roller

10 : 테이프 프레임10: tape frame

11 : 다이싱 테이프11: dicing tape

12 : 제거 가능 테이프12: removable tape

13 : 다이싱 블레이드13: dicing blade

14 : 반도체 소자14: semiconductor device

15 : 척(chuck)15: chuck

16 : 지지 기판16: support substrate

16A : 아일랜드부16A: Ireland

21, 36 : 레이저 발진기21, 36: laser oscillator

22 : 원통면 평오목 렌즈22 cylindrical cylindrical lens

23 : 선형 마스크23: linear mask

24 : 원통면 평볼록 렌즈24: cylindrical flat convex lens

30 : 필름 접착 장치30: film bonding device

31 : 제1 웨이퍼 케이스31: First Wafer Case

32 : 제2 웨이퍼 케이스32: second wafer case

33 : 웨이퍼 센터링 장치33: wafer centering device

34 : 필름 접착 테이블34: film adhesive table

35 : 웨이퍼 반송 로봇35: wafer transfer robot

37a, 37b : 광파이버37a, 37b: optical fiber

38 : 필름 접착용 레이저 조사 장치38: laser irradiation device for film bonding

39 : 필름 커트용 레이저 조사 장치39: laser irradiation device for film cut

40a : 필름 송출 롤러40a: film feed roller

40b : 필름 권취 롤러40b: film winding roller

41 : 필름 고정 롤러41: film fixing roller

50 : 노즐50: nozzle

50a : 개구부50a: opening

51 : 가스 도입 구멍51: gas introduction hole

60 : 용기60 container

60a : 배기/도입 라인60a: Exhaust / Induction Line

61 : 패킹61: Packing

62 : 유리판 62: glass plate

본 발명은 필름 접착 방법, 필름 접착 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이며, 특히 반도체 기판(웨이퍼)에의 다이 본딩 필름의 접착에 이용되는 필름 접착 방법 및 필름 접착 장치 및 다이 본딩 필름의 접착 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a film bonding method, a film bonding apparatus and a manufacturing method of a semiconductor device, and in particular, to a film bonding method used for bonding a die bonding film to a semiconductor substrate (wafer) and a bonding process of a film bonding apparatus and a die bonding film. The manufacturing method of the semiconductor device containing.

반도체 집적 회로(IC : Integrated Circuit)의 제조에 있어서는, 통상 소정의 웨이퍼 공정을 거친 반도체 기판(웨이퍼)에 대하여, 우선 그 표면(반도체 소자 형성면)에 대하여 표면 보호 테이프를 피복한 후, 상기 웨이퍼의 이면(배면)을 연삭(백 그라인드 처리)하여, 상기 웨이퍼의 두께를 얇게 하는 공정이 채용된다.In the manufacture of a semiconductor integrated circuit (IC: Integrated Circuit), a surface protection tape is first coated on a surface (semiconductor element formation surface) of a semiconductor substrate (wafer) that has been subjected to a predetermined wafer process, and then the wafer The process of grinding (back grinding) the back surface of the wafer (back surface) to reduce the thickness of the wafer is employed.

상기 백 그라인드 처리 후, 웨이퍼 표면으로부터 보호 테이프를 박리하고, 또한 상기 웨이퍼의 이면에는 다이싱 테이프를 접착한다. 이러한 상태에 있어서, 웨이퍼의 표면측으로부터 상기 웨이퍼에 대하여 개편화(個片化) 처리를 실시하여 복수개의 반도체 소자(칩)를 형성한다.After the back grind treatment, the protective tape is peeled off from the wafer surface, and a dicing tape is attached to the back surface of the wafer. In such a state, the wafer is separated from the surface side of the wafer to form a plurality of semiconductor elements (chips).

그리고, 개편화된 칩을 상기 다이싱 테이프로부터 분리하여 반도체 소자 수용 용기의 소정 개소에 다이 본딩 처리를 행한다.Then, the separated chip is separated from the dicing tape, and die bonding is performed at a predetermined position of the semiconductor element accommodating container.

종래, 상기 다이 본딩 공정에 있어서는 리드 프레임 등의 지지 기판에의 칩의 접착 방법으로서, 우선 지지 기판 표면에 접착제를 도포하고, 상기 접착제를 이용하여 칩을 고착하는 방법이 널리 이용되어 왔다.Background Art Conventionally, in the die bonding step, a method of bonding a chip to a supporting substrate such as a lead frame has been widely used by first applying an adhesive to the surface of the supporting substrate and then fixing the chip using the adhesive.

그러나, 최근, 백 그라인드 처리 후의 웨이퍼의 이면에 반도체 소자 고착용 접착성 필름(다이 본딩 필름)을 접착하고, 그런 후에 상기 웨이퍼를 개편화하는 방 법도 이용되도록 되어 있다.However, in recent years, a method of adhering an adhesive film (die bonding film) for fixing a semiconductor element to the back surface of the wafer after the back grinding treatment, and then separating the wafer afterwards, is also to be used.

이러한 방법에 의하면, 개편화된 칩을 상기 칩의 이면에 접착한 얇고, 또한 두께가 균일한 다이 본딩 필름을 매개로 하여 지지 기판에 고착할 수 있기 때문에, 칩을 소정 위치에 정확히 고착할 수 있고, 또한 두께(높이)를 보다 얇게(낮게)하는 것이 가능해진다.According to this method, since the individualized chip can be adhered to the supporting substrate through a thin and uniform die-bonding film obtained by adhering the chip to the back surface of the chip, the chip can be accurately fixed to a predetermined position. In addition, it becomes possible to make thickness (height) thinner (lower).

상기 다이 본딩 필름으로서는, 상온에서 점착성을 갖는 것 혹은 가열됨으로써 점착성을 발현하는 열가소성인 것이 존재한다. 이 중 열가소성의 다이 본딩 필름은 제조 과정에서의 취급이 용이하다는 등의 이점이 있다.As said die bonding film, there exists a thing which has adhesiveness at normal temperature or the thermoplastic thing which expresses adhesiveness by heating. Among these, thermoplastic die bonding films have advantages such as easy handling in the manufacturing process.

웨이퍼에 대하여 열가소성 다이 본드 필름을 접착하는 종래의 방법을 도 20에 도시한다.A conventional method of adhering a thermoplastic die bond film to a wafer is shown in FIG. 20.

웨이퍼(101)의 이면에 열가소성 다이 본딩 필름(100)을 접착하는 경우, 상기 웨이퍼(101)의 다이 본딩 필름(100)의 접착면(이면)과 반대측의 면, 즉 표면(반도체 소자 형성면)측에서 히터(102)로 가열하고, 이러한 상태에 있어서, 다이 본딩 필름(100)을 고무제의 롤러(103)에 의해 웨이퍼의 이면(접착면)에 가압하여 접착하는 방법이 채용된다.When the thermoplastic die bonding film 100 is adhered to the back surface of the wafer 101, the surface opposite to the adhesive surface (back surface) of the die bonding film 100 of the wafer 101, that is, the surface (semiconductor element formation surface) On the side, the heater 102 is heated, and in such a state, a method of pressing and bonding the die bonding film 100 to the back surface (adhesive surface) of the wafer by the rubber roller 103 is adopted.

열가소성 다이 본딩 필름을 접착하는 다른 방법으로서는, 웨이퍼 전면을 가열하지 않고, 접착 개소만을 부분적으로 가열하면서 다이 본딩 필름을 접착해 가는 방법도 제안되어 있다.As another method of adhering a thermoplastic die bonding film, the method of adhering a die bonding film, without heating the whole surface of a wafer and only heating a part of an adhesion | attachment, is also proposed.

예컨대, 가열 기구를 구비한 롤러를 이용하여 웨이퍼에 다이 본딩 필름을 접착해 가는 방법 혹은 내부에 가열·냉각 기구를 구비한 테이블을 이용하여 그 테이 블에 웨이퍼를 적재하고, 웨이퍼측에 다이 본딩 필름을 가압하는 롤러의 위치에 따라 부분적으로 테이블의 가열·냉각을 제어하는 방법이 제안되어 있다(특허 문헌 1 참조).For example, the wafer is mounted on the table using a method of adhering the die bonding film to the wafer using a roller equipped with a heating mechanism or a table provided with a heating and cooling mechanism therein, and the die bonding film on the wafer side. A method of partially controlling the heating and cooling of a table is proposed according to the position of the roller which presses (refer patent document 1).

최근, 반도체 장치의 한층 높은 소형화·박형화의 요구에 따라 웨이퍼의 한층 높은 박형화가 필요로 되며, 웨이퍼의 두께를 100 ㎛ 이하로 하는 필요성도 증가하고 있다.In recent years, in accordance with the demand for further miniaturization and thinning of semiconductor devices, higher thickness of the wafer is required, and the necessity for the thickness of the wafer to be 100 μm or less is also increasing.

웨이퍼는 전술한 바와 같이 디바이스 형성 후의 백 그라인드에 의해 얇게 가공되는 것이 일반적이다. 그러나, 얇아진 웨이퍼는 당연 그 강도가 약해지며 깨지기 쉬워진다.As described above, the wafer is generally processed thinly by the back grind after device formation. However, the thinned wafer is naturally weakened in strength and easily broken.

이것에 대하여, 예컨대 박화된 웨이퍼를 중앙부에 세공(細孔)이 형성된 보호 기판 상에 적재하고, 상기 보호 기판의 세공을 통해 웨이퍼를 흡인 고정하면서, 백 그라인드 처리 혹은 반송 등을 행함으로써, 상기 웨이퍼의 파손을 회피하는 시도도 이루어져 있다(특허 문헌 2 참조).On the other hand, for example, the thinned wafer is placed on a protective substrate having pores formed in a central portion thereof, and the wafer is subjected to back grind treatment or conveyance while sucking and fixing the wafer through the pores of the protective substrate. Attempts have also been made to avoid breakage (see Patent Document 2).

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2004-186240호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-186240

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2004-153193호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-153193

종래 일반적으로 이용되고 있는 다이 본딩 필름의 접착 방법, 즉 반도체 기판(웨이퍼)의 주요면에 표면 보호 테이프를 접착한 후, 상기 웨이퍼 이면의 백 그라인드 처리를 행하고, 그런 후 전면 가열하면서 상기 웨이퍼의 이면에 다이 본딩 필름을 접착하는 방법을 적용하면, 상기 표면 보호 테이프에는 비교적 큰 열팽창 혹은 열수축이 발생한다.After bonding a surface protection tape to a main surface of a semiconductor substrate (wafer), that is, a die bonding film commonly used in the related art, a back grind treatment is performed on the back surface of the wafer, and then the back surface of the wafer is heated while the front surface is heated. When a method of adhering a die bonding film is applied to the surface protective tape, relatively large thermal expansion or thermal contraction occurs.

이 때문에, 두께 100 ㎛ 이하 정도로 박화된 웨이퍼에 있어서는 표면 보호 테이프와 같은 열변형에 견딜 수 없고, 균열을 발생시키는 문제를 일으키고 있었다.For this reason, in the wafer thinned to about 100 micrometers or less in thickness, it was unable to tolerate heat deformation like a surface protection tape, and it caused the problem which produces a crack.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 표면 보호 테이프에 열변형을 발생시키지 않고, 따라서 웨이퍼에 파손을 발생시키지 않으며, 상기 웨이퍼의 이면에 다이 본딩 필름 등의 필름체를 접착할 수 있는 필름 접착 방법 및 이러한 접착 방법을 실시하는 필름 접착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a point, The film adhesion which does not generate heat deformation to a surface protection tape, and therefore does not cause damage to a wafer, and can adhere | attach film bodies, such as a die bonding film, to the back surface of the said wafer It aims at providing the method and the film sticking apparatus which implements such a bonding method.

또한, 본 발명은 다이 본딩 필름 등의 필름체의 접착시에, 웨이퍼의 파손을 회피할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the manufacturing method of the semiconductor device which can avoid the damage of a wafer at the time of sticking film bodies, such as a die bonding film.

본 발명에서는 상기 과제를 해결하기 위해 피처리 기판 상에 필름체를 배치하고, 상기 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하여 상기 필름체를 선택적으로 용융하고, 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법이 제공된다.In this invention, in order to solve the said subject, a film body is arrange | positioned on a to-be-processed board | substrate, a laser beam is selectively irradiated to the said film body, and the said film body is selectively melt | dissolved, and the film body part in a molten state is made into the said object The film bonding method is provided by pressurizing on a process board | substrate and adhering the said film body to the said process board | substrate.

이러한 필름 접착 방법에 의하면, 웨이퍼 등의 피처리 기판 상에 배치된 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하여 용융하고, 용융 상태의 필름체 부분을 피처리 기판에 가압하여, 그 필름체를 피처리 기판에 접착한다. 피처리 기판을 히터 등으로 전면 가열하지 않고, 레이저광을 이용하여 그 조사 부분의 필름체를 피처리 기판에 가압하여 접착하기 때문에, 웨이퍼가 얇고 그 강도가 저하되어 있는 경우라도 열에 기인한 웨이퍼의 파손이 회피되게 된다.According to such a film adhesion method, the film body arrange | positioned on to-be-processed substrates, such as a wafer, is selectively irradiated with a laser beam, and it melt | dissolves, the film body part of a molten state is pressed to a to-be-processed substrate, and the film body is processed Adhere to the substrate. Since the film body of the irradiated portion is pressurized and adhered to the processing target substrate without using the heater to be heated all over with a heater or the like, even if the wafer is thin and its strength is lowered, Breakage is avoided.

또한, 본 발명에서는 피처리 기판 상에 배치된 필름체를 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단과, 상기 피처리 기판에 가압된 상기 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하는 수단과, 상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 장치가 제공된다.Further, in the present invention, the means for pressing the film body disposed on the substrate to be treated with respect to the substrate, the means for selectively irradiating a laser beam to the film body pressed on the substrate, and the laser light And a means for pressing the irradiated film body against the substrate to be processed.

이러한 필름 접착 장치에 의하면, 피처리 기판에 가압된 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하고, 조사된 필름체를 피처리 기판에 가압하여 접착하기 때문에 웨이퍼가 얇고, 그 강도가 저하되어 있는 경우에도 열에 기인한 웨이퍼의 파손이 회피되게 된다.According to such a film bonding apparatus, even when the film body pressed to the to-be-processed substrate is selectively irradiated with a laser beam, and the irradiated film body is pressurized to the to-be-processed substrate and adhere | attached, even if the wafer is thin and the intensity | strength is falling Breakage of the wafer due to heat is avoided.

또한, 본 발명에서는 반도체 기판의 한쪽 주요면에 복수개의 반도체 소자를 형성하는 공정과, 상기 한쪽 주요면에 표면 보호 테이프를 피착하는 공정과, 상기 반도체 기판을 다른 쪽 주요면으로부터 연삭하여 그 두께를 얇게 하는 공정과, 상기 반도체 기판의 다른 쪽 주요면에 다이 본딩 필름을 피착하는 공정과, 상기 반도체 기판의 한쪽 주요면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 제거하는 공정과, 상기 반도체 기판을 절단·분리하여 상기 반도체 소자를 개편화하는 공정을 포함하고, 상기 반도체 기판의 다른 쪽 주요면에 상기 다이 본딩 필름을 피착할 때, 상기 반도체 기판 상에 배치된 상기 다이 본딩 필름에 대하여 레이저광을 선택적으로 조사·가열하여 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.In the present invention, a step of forming a plurality of semiconductor elements on one main surface of the semiconductor substrate, a step of depositing a surface protection tape on the one main surface, and grinding the semiconductor substrate from the other main surface to reduce the thickness thereof. A step of thinning, a step of depositing a die bonding film on the other main surface of the semiconductor substrate, a step of removing the surface protection tape from one main surface of the semiconductor substrate, and cutting and separating the semiconductor substrate to And irradiating and heating a laser beam selectively to the die bonding film disposed on the semiconductor substrate, when the die bonding film is deposited on the other main surface of the semiconductor substrate. To adhere the heated portion to the semiconductor substrate. He is.

이러한 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 반도체 기판에 다이 본딩 필름을 피착할 때, 반도체 기판 상에 배치된 그 다이 본딩 필름에 대하여 레이저광을 선택적으로 조사·가열하여 그 피가열부를 반도체 기판에 접착한다. 이것에 의해 웨이퍼가 얇고 그 강도가 저하되어 있는 경우라도 열에 기인한 웨이퍼의 파손이 회피되게 되며, 반도체 장치 제조의 수율 향상이 도모되게 된다.According to the manufacturing method of such a semiconductor device, when depositing a die bonding film on a semiconductor substrate, a laser beam is selectively irradiated and heated with respect to the die bonding film arrange | positioned on a semiconductor substrate, and the to-be-heated part is adhere | attached on a semiconductor substrate. . As a result, even when the wafer is thin and its strength is lowered, breakage of the wafer due to heat is avoided, and the yield of semiconductor device manufacturing can be improved.

이하, 본 발명의 실시 형태를 피처리 기판으로서 반도체 기판(웨이퍼)을 이용하여 웨이퍼에의 다이 본딩 필름의 접착을 예로 하여 도면을 참조해 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to drawings, using an example of adhesion | attachment of the die bonding film to a wafer using a semiconductor substrate (wafer) as a to-be-processed substrate.

제1 실시 형태에 대해서 설명한다.The first embodiment will be described.

상기 제1 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 공정 흐름을 도 1에 도시한다. 도 1은 피처리 반도체 기판(웨이퍼)에의 반도체 소자 형성 이후의 제조 흐름을 도시하고 있다.The manufacturing process flow of the semiconductor device which concerns on said 1st Embodiment is shown in FIG. Fig. 1 shows the manufacturing flow after the formation of a semiconductor element on a semiconductor substrate (wafer) to be processed.

또한, 상기 도 1에 도시하는 각 제조 공정을 도시하는 모식도를 도 2 내지 도 7에 도시한다. 도 2는 표면 보호 테이프 접착 공정을 도시하고, 도 3은 백 그라인드 공정을 도시한다. 또한, 도 4는 다이 본딩 필름 접착 공정을 도시하고, 도 5는 표면 보호 테이프 박리 공정 및 다이싱 테이프 접착 공정을 도시한다.Moreover, the schematic diagram which shows each manufacturing process shown in the said FIG. 1 is shown in FIGS. 2 shows a surface protection tape adhesion process and FIG. 3 shows a back grind process. 4 shows a die bonding film bonding process, and FIG. 5 shows a surface protection tape peeling process and a dicing tape bonding process.

또한, 도 6은 다이싱 공정을 도시하고, 도 7은 다이 본딩 공정을 도시한다.6 shows a dicing process, and FIG. 7 shows a die bonding process.

반도체 소자의 형성에 필요로 되는 웨이퍼 공정[소위 전(前)공정]을 거쳐, 웨이퍼(1)의 표면(한쪽 주요면)에 복수개의 반도체 소자(디바이스)를 형성한 후, 도 2에 도시하는 바와 같이, 상기 웨이퍼(1)의 표면(디바이스 형성면)에 올레핀계 혹은 PET(Poly Ethylene Terephthalate)로 이루어지는 표면 보호 테이프(2)를 롤러(3)를 이용하여 접착한다(도 1 : 단계 S1).After a plurality of semiconductor devices (devices) are formed on the surface (one main surface) of the wafer 1 through a wafer process (so-called pre-process) required for the formation of the semiconductor elements, the components shown in FIG. As described above, the surface protection tape 2 made of olefin-based or PET (Poly Ethylene Terephthalate) is bonded to the surface (device forming surface) of the wafer 1 by using the roller 3 (FIG. 1: step S1). .

표면 보호 테이프(2)는 띠형을 갖고, 접착된 상기 표면 보호 테이프(2)는 웨이퍼(1)의 외형을 따라 절단되며 띠형부로부터 분리된다.The surface protection tape 2 has a band shape, and the bonded surface protection tape 2 is cut along the outer shape of the wafer 1 and separated from the band part.

계속해서, 상기 웨이퍼(1)의 배면 연삭(백 그라인드) 처리를 행한다(도 1 : 단계 S2).Subsequently, back grinding (back grinding) processing of the wafer 1 is performed (FIG. 1: step S2).

백 그라인드 처리는 도 3에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(1)를 그 이면을 위로 하여 회전 테이블(4) 상에 세트하고, 상기 회전 테이블(4)을 회전시키면서, 회전하는 지석(5)에 의해 웨이퍼(1)의 이면을 연삭한다.As shown in FIG. 3, the back grinding process is set by the grinding wheel 5 which sets the wafer 1 on the turntable 4 with its back surface up, and rotates the turntable 4 while rotating it. The back surface of the wafer 1 is ground.

계속해서, 도 4에 도시하는 바와 같이, 피처리 웨이퍼(1)의 이면에 다이 본딩 필름(6)을 접착한다(도 1 : 단계 S3). 다이 본딩 필름(6)은 폴리이미드계 수지 혹은 에폭시계 수지로 이루어지며, 예컨대 약 15 ㎛ 정도의 두께가 선택된다.Subsequently, as shown in FIG. 4, the die bonding film 6 is adhere | attached on the back surface of the to-be-processed wafer 1 (FIG. 1: step S3). The die bonding film 6 is made of a polyimide resin or an epoxy resin, for example, a thickness of about 15 μm is selected.

본 실시 형태에 있어서는 상기 다이 본딩 필름(6)의 접착 공정에 있어서, 웨이퍼(1)의 이면에 대하여 다이 본딩 필름(6)을 가압하는 수단으로서 롤러를 이용하는 동시에 가열 수단(열원)으로서 레이저광(7)을 이용한다.In this embodiment, in the bonding process of the said die bonding film 6, a roller is used as a means which presses the die bonding film 6 with respect to the back surface of the wafer 1, and a laser beam (as a heating means (heat source)) 7) is used.

즉, 띠형의 다이 본딩 필름(6)은 웨이퍼(1)의 이면 상에 배치된 상태에 있어서, 상호 평행하여 이격되고, 또한 회전 가능한 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)에 의해 웨이퍼(1)의 이면에 가압된다.That is, the strip-shaped die bonding film 6 is disposed on the back surface of the wafer 1, and is separated from each other in parallel with each other, and the wafer is formed by the rotatable film set roller 9a and the film adhesive roller 9b. It is pressed by the back surface of (1).

상기 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)는 각각 그 표면이 고무 등에 의해 구성되어 탄성을 갖고, 또한 상기 탄성체 부분은 다이 본딩 필름의 폭에 대응하는 치수를 갖는다.The film set roller 9a and the film adhesion roller 9b each have a surface whose surface is made of rubber or the like to have elasticity, and the elastic part has a dimension corresponding to the width of the die bonding film.

한편, 레이저광(7)은 렌즈계를 포함하는 레이저 광학계(8)에 의해 웨이퍼(1)표면에 있어서의 조사 형상이 직사각형이 되도록 조정되고, 상기 필름 세트 롤러(9a)와 필름 접착 롤러(9b) 사이에 있어서, 이들의 롤러와 평행해지는 상태를 갖고 웨이퍼(1) 상에 조사된다.On the other hand, the laser beam 7 is adjusted by the laser optical system 8 including a lens system so that the irradiation shape on the surface of the wafer 1 becomes rectangular, and the film set roller 9a and the film adhesion roller 9b are adjusted. In between, it irradiates on the wafer 1 with the state parallel to these rollers.

필름 세트 롤러(9a)에 의해 웨이퍼(1)에 가압된 다이 본딩 필름(6)은 레이저광(7)이 조사됨으로써 용융되고, 그 피조사·용융 부분이 후속의 필름 접착 롤러(9b)에 의해 웨이퍼(1)의 이면에 가압되어 상기 웨이퍼(1)의 이면에 접착된다.The die bonding film 6 pressurized to the wafer 1 by the film set roller 9a is melted by irradiating the laser beam 7, and the irradiated and melted portions thereof are subsequently joined by the film adhesive roller 9b. It is pressed against the back surface of the wafer 1 and adhered to the back surface of the wafer 1.

이와 같이, 웨이퍼(1)에 대한 다이 본딩 필름(6)의 접착시, 가열 수단으로서 레이저광(7)을 이용함으로써 다이 본딩 필름(6)에 대하여 국소적·선택적으로 열에너지를 부여하여 상기 다이 본딩 필름(6)을 국소적·선택적으로 용융시킬 수 있다.As described above, when the die bonding film 6 is bonded to the wafer 1, by using the laser beam 7 as a heating means, thermal energy is locally and selectively applied to the die bonding film 6 so that the die bonding is performed. The film 6 can be melted locally and selectively.

따라서, 종래 방법과 같이, 히터 등으로 웨이퍼 전면에 대하여 가열을 행하는 경우에 비하여 웨이퍼의 온도 상승을 초래하지 않고, 이로써 상기 표면 보호 테이프(2)에 있어서의 열팽창 혹은 열수축 등 열변형의 발생을 회피할 수 있다.Therefore, as in the conventional method, the temperature of the wafer is not increased as compared with the case of heating the entire surface of the wafer with a heater or the like, thereby avoiding the occurrence of thermal deformation or thermal expansion in the surface protection tape 2. can do.

접착된 다이 본딩 필름(6)은 웨이퍼(1)의 외형에 따라 절단되고, 띠형부로부터 분리된다.The bonded die bonding film 6 is cut according to the outer shape of the wafer 1 and separated from the belt-shaped portion.

웨이퍼(1)의 이면에 다이 본딩 필름(6)의 접착 후, 도 5에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면으로부터 표면 보호 테이프(2)를 박리하는 동시에, 상기 웨이퍼(1)의 이면측을 테이프 프레임(10) 상의 다이싱 테이프(11) 상에 접착한다(도 1 : 단계 S4).After adhesion of the die bonding film 6 to the back surface of the wafer 1, as shown in FIG. 5, the surface protection tape 2 is peeled off from the surface of the wafer 1, and the back surface of the wafer 1 is provided. The side is adhered on the dicing tape 11 on the tape frame 10 (FIG. 1: step S4).

또한, 도 5에 있어서, 다이싱 테이프(11)는 접착성을 갖고, 웨이퍼(1)를 그 이면에 붙여진 다이 본딩 필름과 함께 고정한다.In addition, in FIG. 5, the dicing tape 11 has adhesiveness and fixes the wafer 1 with the die bonding film pasted on the back surface.

또한, 도면 부호 12는 표면 보호 테이프(2)를 박리하기 위한 제거 가능 테이프이다. 상기 제거 가능 테이프(12)를 롤러(도시하지 않음) 등에 의해 표면 보호 테이프(2) 상에 접착한 후, 상기 제거 가능 테이프(12)를 벗김으로써 웨이퍼(1) 표면으로부터 표면 보호 테이프(2)를 박리한다.In addition, reference numeral 12 is a removable tape for peeling the surface protection tape 2. After the removable tape 12 is adhered onto the surface protection tape 2 by a roller (not shown) or the like, the surface protection tape 2 is removed from the surface of the wafer 1 by peeling off the removable tape 12. Peel off.

계속해서, 도 6에 도시하는 바와 같이, 다이싱 블레이드(dicing blade)(13)를 이용하여 웨이퍼(1)의 다이싱 처리를 행하고, 웨이퍼(1)에 형성되어 있는 복수개의 반도체 소자부를 개편화한다(도 1 : 단계 S5).Subsequently, as shown in FIG. 6, the dicing process of the wafer 1 is performed using the dicing blade 13, and the several semiconductor element part formed in the wafer 1 is separated into pieces. (FIG. 1: step S5).

그런 후, 도 7에 도시하는 바와 같이 개편화된 반도체 소자 중 양품인 반도체 소자(14)를 척(15)에 의해 픽업하고, 리드 프레임 등의 지지 기판(16)의 아일랜드부(16A) 상으로 이송한다.Thereafter, as shown in FIG. 7, the semiconductor element 14, which is a good product among the individualized semiconductor elements, is picked up by the chuck 15, and onto the island portion 16A of the supporting substrate 16 such as a lead frame. Transfer.

또한, 반도체 소자의 픽업시, 상기 다이싱 테이프(11)는 가열 혹은 자외선의 조사에 의해 그 접착력이 저하된다.In addition, at the time of picking up a semiconductor element, the said dicing tape 11 reduces the adhesive force by heating or irradiation of an ultraviolet-ray.

상기 지지 기판(16)의 아일랜드부(16A)에 있어서, 반도체 소자(14) 이면의 다이 본딩 필름(6)을 용융, 가압·경화시켜 상기 반도체 소자(14)를 아일랜드부(16A)에 고착한다(도 1 : 단계 S6).In the island portion 16A of the support substrate 16, the die bonding film 6 on the back surface of the semiconductor element 14 is melted, pressed and cured to fix the semiconductor element 14 to the island portion 16A. (FIG. 1: step S6).

이와 같이, 디바이스 형성 후, 다이 본딩까지의 공정이 행해진다.Thus, after device formation, the process to die bonding is performed.

여기서, 상기 단계 S3에서 설명한 레이저광(7)을 이용한 다이 본딩 필름(6)의 접착 방법에 대해서 보다 상세히 설명한다.Here, the bonding method of the die bonding film 6 using the laser beam 7 described in step S3 will be described in more detail.

상기 제1 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름의 접착 방법을 도 8에 도시한다.The bonding method of the die bonding film in the said 1st Embodiment is shown in FIG.

전술한 바와 같이, 반도체 소자(디바이스)의 형성면에 표면 보호 테이프(2)가 접착되고, 또한 백 그라인드 처리가 이루어진 웨이퍼(1)의 이면에 다이 본딩 필름(6)이 접착된다.As described above, the surface protection tape 2 is adhered to the formation surface of the semiconductor element (device), and the die bonding film 6 is adhered to the back surface of the wafer 1 on which the back grinding process is performed.

다이 본딩 필름(6)은 평행하게 세트된 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)에 의해 적어도 이들 사이의 영역이 웨이퍼(1)의 이면에 가압된다.The die bonding film 6 is pressed against the back surface of the wafer 1 by at least the area between them by the film set roller 9a and the film adhesion roller 9b set in parallel.

그리고, 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b) 사이의 영역에 위치하는 다이 본딩 필름(6)에 대하여 렌즈(8a)를 통해 소정의 조사 형상, 예컨대 직사각형으로 조정된 레이저광(7)이 조사된다.Then, the laser beam 7 adjusted to a predetermined irradiation shape, for example, a rectangle, through the lens 8a with respect to the die bonding film 6 positioned in the region between the film set roller 9a and the film adhesive roller 9b. This is investigated.

웨이퍼(1)에 대하여 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)를 회전 이동시키면서, 그 이동에 맞추어 레이저광(7)을 이동시킨다.While rotating the film set roller 9a and the film adhesion roller 9b with respect to the wafer 1, the laser beam 7 is moved according to the movement.

본 발명의 실시 형태에 있어서의 레이저 스캔 방법의 일례를 도 9에 도시한다.An example of the laser scanning method in embodiment of this invention is shown in FIG.

웨이퍼(1)의 이면 상에 위치하는 다이 본딩 필름(6)에 대하여 직사각형의 레이저를 조사하는 경우에는, 그 조사 형상의 폭[길이 방향의 폭, 상기 레이저광(7)의 이동 방향과 직행하는 방향의 길이]을 웨이퍼(1)의 직경의 1.1배 정도로 하는 것이 바람직하다.When irradiating a rectangular laser with respect to the die bonding film 6 located on the back surface of the wafer 1, the width | variety of the irradiation shape (width in the length direction, and which goes directly to the moving direction of the said laser beam 7) Direction length] is preferably about 1.1 times the diameter of the wafer 1.

도 9에 화살표 S로 나타내는 바와 같이, 상기한 바와 같은 조사 형상의 레이저광(7)을 웨이퍼(1)의 한쪽 엣지로부터 중심 방향을 향하고, 또한 다른 쪽 엣지까 지 이동(스캔)함으로써, 상기 레이저광(7)을 웨이퍼(1)의 전면에 조사한다.As indicated by the arrow S in FIG. 9, the laser beam 7 having the above-described irradiation shape is moved (scanned) from one edge of the wafer 1 toward the center direction and from the other edge to the other edge. Light 7 is irradiated onto the entire surface of the wafer 1.

상기 도 8에 도시하는 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)는 이러한 레이저광(7)의 스캔에 있어서, 상기 레이저광(7)의 이동 방향의 전 및 후에 있어서, 상기 레이저광(7)의 이동에 대응하여 일체적으로 이동한다.The film set roller 9a and the film adhesion roller 9b shown in the said FIG. 8 carry out the said laser beam (before and after the movement direction of the said laser beam 7 in the scan of such a laser beam 7). It moves in unison in response to the movement of 7).

이와 같이 조사 형상이 대략 직사각형으로 된 레이저광(7)은, 예컨대 도 10에 도시하는 레이저 광학계에 의해 실현 가능하다. 도 10에 있어서는 상기 레이저광학계의 요소에서의 레이저 단면 형상(A∼D)도 더불어 도시한다.Thus, the laser beam 7 whose irradiation shape becomes substantially rectangular can be implement | achieved by the laser optical system shown in FIG. 10, for example. 10 also shows laser cross-sectional shapes A to D in the elements of the laser optical system.

도 10에 도시하는 레이저 광학계(20)는 레이저 광발진기(21), 원통면 평오목 렌즈(22), 선형 마스크(23) 및 원통면 평볼록 렌즈(24)를 구비하고 있다.The laser optical system 20 shown in FIG. 10 is provided with the laser optical oscillator 21, the cylindrical flat convex lens 22, the linear mask 23, and the cylindrical flat convex lens 24. As shown in FIG.

상기 레이저 광학계(20)에 있어서는 레이저 광발진기(21)로부터 원형 단면(A)을 갖고 조사되는 레이저광(7)을 원통면 평오목 렌즈(22)에 의해 타원형 단면(B)으로 변형하고, 계속해서 선형 마스크(23)에 의해 직사각형상 단면(C)으로 한다. 또한 원통면 평볼록 렌즈(24)에 의해 보다 폭이 좁은 직사각형 단면(D)으로 한다.In the laser optical system 20, the laser beam 7 irradiated with the circular cross section A from the laser optical oscillator 21 is deformed into the elliptical cross section B by the cylindrical spherical lens 22, and then continued. By using the linear mask 23, the rectangular cross section C is obtained. In addition, the cylindrical flat convex lens 24 is used to form a narrower rectangular cross section D.

그리고, 상기 폭이 좁은 직사각형 단면(D)을 갖는 레이저광(7)을 피처리 웨이퍼(1) 상에 위치하는 다이 본딩 필름(6)에 대하여 조사한다.Then, the laser beam 7 having the narrow rectangular cross section D is irradiated to the die bonding film 6 positioned on the target wafer 1.

웨이퍼(1) 상에 위치하는 다이 본딩 필름(6)에 레이저광(7)을 조사할 때의 조건은 다이 본딩 필름(6)의 재질, 웨이퍼(1)의 두께, 표면 보호 테이프(2)의 재질 등에 기초하여 선택되지만, 예컨대, 파장 100 nm∼1000 nm의 레이저광을 출력 0.1 W∼100 W, 스캔 스피드 0.1 mm/s∼500 mm/s의 조건을 갖고 조사할 수 있다.Conditions for irradiating the laser beam 7 to the die bonding film 6 positioned on the wafer 1 include the material of the die bonding film 6, the thickness of the wafer 1, and the surface protection tape 2. Although selected based on the material or the like, for example, laser light having a wavelength of 100 nm to 1000 nm can be irradiated with conditions of an output of 0.1 W to 100 W and a scan speed of 0.1 mm / s to 500 mm / s.

이때, 상기 표면 보호 테이프(2)의 열팽창 혹은 열수축 등을 억제하면서, 다이 본딩 필름(6)을 용융시킬 수 있는 조건을 선택한다.At this time, the conditions which can melt the die bonding film 6 are selected, suppressing thermal expansion, thermal contraction, etc. of the said surface protection tape 2.

다이 본딩 필름(6)의 접착시에는, 레이저 광학계(20)를 이용하여 상기 도 8에 도시하는 바와 같이, 레이저광(7)의 스캔 방향에 대응시켜 필름 세트 롤러(9a)를 선행하여 이동시키고, 상기 필름 세트 롤러(9a) 및 레이저광(7)에 추종하도록 필름 접착 롤러(9b)를 이동시킨다.At the time of adhering the die bonding film 6, as shown in FIG. 8 using the laser optical system 20, the film set roller 9a is moved in advance in correspondence with the scanning direction of the laser beam 7 The film adhesive roller 9b is moved to follow the film set roller 9a and the laser beam 7.

즉, 필름 세트 롤러(9a)와 필름 접착 롤러(9b)에 의해 다이 본딩 필름(6)을 웨이퍼(1)에 가압하면서, 필름 세트 롤러(9a) 직후의 영역에만 레이저광(7)을 조사하여 다이 본딩 필름(6)의 피조사부를 용융시키고, 상기 레이저광(7) 직후를 이동하는 필름 접착 롤러(9b)에 의해 상기 용융 부분을 웨이퍼(1)에 가압하여 접착한다.That is, while pressing the die bonding film 6 to the wafer 1 by the film set roller 9a and the film adhesion roller 9b, the laser beam 7 is irradiated only to the area | region immediately after the film set roller 9a, The irradiated portion of the die bonding film 6 is melted, and the molten portion is pressed onto the wafer 1 by a film bonding roller 9b that moves immediately after the laser beam 7.

이것을 웨이퍼(1)의 전면에 대해서 행함으로써, 웨이퍼(1)의 다른 표면에 붙여진 표면 보호 테이프(2)에 있어서의 열팽창 혹은 열수축 등의 열변형의 발생을 회피하면서, 상기 웨이퍼(1)에 다이 본딩 필름(6)을 균일하게, 또한 효율적으로 접착하는 것이 가능해진다.This is done to the entire surface of the wafer 1, thereby avoiding the occurrence of thermal deformation such as thermal expansion or thermal contraction in the surface protection tape 2 attached to the other surface of the wafer 1, It is possible to bond the bonding film 6 uniformly and efficiently.

웨이퍼(1) 상에 다이 본딩 필름(6)의 접착 처리를 행할 때에 적용하는 필름 접착 장치의 구성을 도 11에 도시한다.The structure of the film bonding apparatus applied when carrying out the bonding process of the die bonding film 6 on the wafer 1 is shown in FIG.

도 11에 도시되는 바와 같이 상기 필름 접착 장치(30)는 백 그라인드 처리가 이루어지고 다이 본딩 필름(6)이 접착되기 전의 피처리 웨이퍼(1)가 수납되는 제1 웨이퍼 케이스(31) 및 다이 본딩 필름(6)이 접착된 웨이퍼(1)가 수납되는 제2 웨이 퍼 케이스(32)를 구비한다.As shown in FIG. 11, the film bonding apparatus 30 has a first wafer case 31 and a die bonding in which a processed wafer 1 is housed before a back grinding process is performed and the die bonding film 6 is bonded. And a second wafer case 32 in which the wafer 1 to which the film 6 is bonded is accommodated.

또한, 상기 필름 접착 장치(30)는 피처리 웨이퍼(1)의 센터링(중심 돌출)이 행해지는 웨이퍼 센터링 장치(33), 상기 웨이퍼(1)에 대한 다이 본딩 필름(6)의 접착 처리가 행해지는 필름 접착 테이블(34)을 구비하고 있다.In addition, the film bonding apparatus 30 is a wafer centering apparatus 33 in which the centering (center projection) of the target wafer 1 is performed, and the bonding process of the die bonding film 6 to the wafer 1 is performed. The film bonding table 34 is provided.

또한, 상기 필름 접착 장치(30)는 상기 제1 웨이퍼 케이스(31)에 수납되어 있는 피처리 웨이퍼(1)를 웨이퍼 센터링 장치(33)에 반송하고, 또한 웨이퍼 센터링 장치(33)에 적재되어 있는 피처리 웨이퍼(1)를 필름 접착 테이블(34)에 반송하고, 또한 다이 본딩 필름(6)이 접착되어 필름 접착 테이블(34) 상에 얹어져 있는 웨이퍼(1)를 제2 웨이퍼 케이스(32)에 반송하여 수납하기 위한 웨이퍼 반송 로봇(35)을 구비하고 있다.Moreover, the said film bonding apparatus 30 conveys the to-be-processed wafer 1 accommodated in the said 1st wafer case 31 to the wafer centering apparatus 33, and is mounted in the wafer centering apparatus 33 further. The wafer 1 to be processed is transferred to the film bonding table 34, and the die bonding film 6 is bonded to the wafer 1 placed on the film bonding table 34. Is provided with a wafer transfer robot 35 for transporting and accommodating.

또한, 상기 필름 접착 장치(30)는 필름 접착 테이블(34) 근방에, 레이저 발진기(36)에 각각 광 파이버(37a, 37b)를 통해 접속된 필름 접착용 레이저 조사 장치(38) 및 필름 커트용 레이저 조사 장치(39)를 구비한다.In addition, the film bonding apparatus 30 is for the film irradiation laser irradiation apparatus 38 and the film cut which were connected to the laser oscillator 36 in the vicinity of the film bonding table 34, respectively via optical fibers 37a and 37b. The laser irradiation apparatus 39 is provided.

상기 필름 접착용 레이저 조사 장치(38)는 레이저 발진기(36)와 렌즈를 이용하여 구성된 레이저 광학계를 구비하고, 필름 접착 테이플(34) 상의 소정의 영역에 대하여 소정의 조사 형상을 가지며 스캔할 수 있다. 한편, 필름 커트용 레이저 조사 장치(39)는 필름 접착 테이블(34) 상에 있어서, 웨이퍼(1)에 접착된 다이 본딩 필름(6)을 상기 웨이퍼(1)의 외형을 따라 절단하여 띠형부로부터 분리한다.The laser irradiation apparatus 38 for film bonding includes a laser optical system configured by using a laser oscillator 36 and a lens, and scans a predetermined area on a film adhesive tape 34 with a predetermined irradiation shape. have. On the other hand, the laser irradiation apparatus 39 for film cut cuts the die bonding film 6 adhere | attached on the wafer 1 along the outer shape of the said wafer 1 on the film adhesion table 34, and remove | eliminates from the strip | belt-shaped part. Separate.

필름 송출 롤러(40a)로부터 송출되고, 필름 권취 롤러(40b)로 보내지는 띠형다이 본딩 필름(6)에 대해서는 상기 다이 본딩 필름(6) 상을 필름 권취 롤러(40b) 측에서부터 필름 송출 롤러(40a)로 이동 가능하게 된 필름 세트 롤러(9a), 필름 접착 롤러(9b), 및 필름 권취 롤러(40b)측에 가장 가까이에 있는 필름 고정 롤러(41)에 의해 일정한 장력이 부가되어 있다.About the strip-shaped die bonding film 6 sent out from the film delivery roller 40a and sent to the film winding roller 40b, the film delivery roller 40a is placed on the die bonding film 6 from the film winding roller 40b side. Constant tension is added by the film fixing roller 41 closest to the film set roller 9a, the film adhesion roller 9b, and the film winding roller 40b side which became movable with ().

그리고, 필름 접착 테이블(34) 상에, 피처리 웨이퍼(1)가 적재되었을 때에는 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)가 이동하여, 상기 웨이퍼(1) 상에 다이 본딩 필름(6)을 가압한다. 이때, 필름 접착용 레이저 조사 장치(38)도 병행되어 이동한다.And when the to-be-processed wafer 1 is mounted on the film adhesion table 34, the film set roller 9a and the film adhesion roller 9b move, and the die bonding film 6 on the said wafer 1 is carried out. Pressurize). At this time, the film irradiation laser irradiation apparatus 38 also moves in parallel.

이러한 구성을 갖는 필름 접착 장치(30)를 이용한 다이 본딩 필름(6)의 접착처리 방법을 도 11 및 도 12 내지 도 16을 참조하여 설명한다.An adhesive treatment method of the die bonding film 6 using the film bonding apparatus 30 having such a configuration will be described with reference to FIGS. 11 and 12 to 16.

도 12 내지 도 16은 필름 접착 장치를 이용한 다이 본딩 필름의 접착 공정을 설명하는 개략도이다.12-16 is a schematic diagram explaining the bonding process of the die bonding film using a film bonding apparatus.

또한, 필름 접착 장치(30)는 다이 본딩 필름(6)의 접착 전, 즉 상기 도 11에 도시하는 상태에 있는 것으로 하고, 편의상 이 상태를 필름 접착 장치(30)의 초기 상태로 한다.In addition, the film bonding apparatus 30 shall be in the state shown before the adhesion | attachment of the die bonding film 6, ie, the said FIG. 11, and makes this state an initial state of the film bonding apparatus 30 for convenience.

상기 필름 접착 장치(30)를 이용하여, 웨이퍼의 이면에 다이 본딩 필름(6)을 접착하는 경우, 상기 도 11에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 반송 로봇(35)이 제1 웨이퍼 케이스(31)에 수납되어 있는 웨이퍼(1)를 상기 제1 웨이퍼 케이스(31)로부터 취출하고, 웨이퍼 센터링 장치(33)로 반송한다.In the case where the die bonding film 6 is bonded to the back surface of the wafer by using the film bonding apparatus 30, the wafer transfer robot 35 is accommodated in the first wafer case 31 as shown in FIG. The wafer 1 which has been used is taken out from the first wafer case 31 and transferred to the wafer centering device 33.

상기 웨이퍼(1)의 제1 주요면(표면)에는 이전 공정에 있어서 표면보호 테이프가 접착되어 있다. 또한, 상기 웨이퍼는 제1 웨이퍼 케이스(31)에 그 이면을 위 로 하여 수납되어 있다.The surface protection tape is adhere | attached on the 1st main surface (surface) of the said wafer 1 in the previous process. In addition, the wafer is accommodated in the first wafer case 31 with its rear surface up.

웨이퍼 반송 로봇(35)은 이러한 상태의 웨이퍼(1)를 취출하고, 그 이면을 위로 한 상태로 반송한다.The wafer transfer robot 35 takes out the wafer 1 in such a state, and transfers it in a state where the rear surface thereof is upward.

웨이퍼 센터링 장치(33)에서는 반송된 웨이퍼(1)의 센터링(중심 돌출) 처리가 행해진다. 이러한 센터링 처리를 행함으로써, 이후 공정에 있어서 상기 웨이퍼(1)와 이것에 접착되는 테이프재의 폭 방향의 중심을 일치시키는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 접착된 테이프재를 웨이퍼(1)의 외형을 따라 절단할 때, 상기 웨이퍼(1)의 외형과 일치하는 고정밀도의 절단을 가능하게 한다.In the wafer centering apparatus 33, the centering (center projection) process of the conveyed wafer 1 is performed. By performing such a centering process, it becomes possible to match the center of the width direction of the said wafer 1 and the tape material adhere | attached to it in a later process. As a result, when the bonded tape member is cut along the outer shape of the wafer 1, it is possible to cut with high precision that matches the outer shape of the wafer 1.

계속해서, 웨이퍼 반송 로봇(35)은 웨이퍼 센터링 장치(33)에 있어서 센터링 처리가 이루어진 웨이퍼(1)를 필름 접착 테이블(34) 상에 적재되었을 때에 그 이면이 위가 되도록, 상기 필름 접착 테이블(34) 상에 반송한다. 이러한 상태를 도 12에 도시한다.Subsequently, when the wafer 1 on which the centering process is carried out in the wafer centering apparatus 33 is placed on the film bonding table 34, the wafer transfer robot 35 has the film bonding table ( 34) is returned. This state is shown in FIG.

그 후, 웨이퍼 반송 로봇(35)은 도 13에 도시하는 바와 같이, 다시 제1 웨이퍼 케이스(31)의 위치까지 되돌아가고, 다음에 피처리 웨이퍼(1)의 반송 준비에 들어간다.Thereafter, the wafer transfer robot 35 returns to the position of the first wafer case 31 again, as shown in FIG. 13, and then enters the transfer preparation of the target wafer 1.

한편, 상기 필름 접착 테이블(34)에 있어서는 도 14에 도시하는 바와 같이, 피처리 웨이퍼(1)의 이면에의 다이 본딩 필름(6)의 접착 처리가 행해진다.On the other hand, in the said film bonding table 34, as shown in FIG. 14, the bonding process of the die bonding film 6 to the back surface of the to-be-processed wafer 1 is performed.

상기 다이 본딩 필름(6)은 웨이퍼(1)의 최대 직경(직경)보다도 큰 폭을 갖고 있다.The die bonding film 6 has a width larger than the maximum diameter (diameter) of the wafer 1.

그리고, 상기 웨이퍼(1)의 중심과, 다이 본딩 필름(6)의 폭 방향의 중심을 일치시켜 양자는 접착된다.And the center of the said wafer 1 and the center of the width direction of the die bonding film 6 match, and both adhere | attach.

이러한 다이 본딩 필름(6)의 접착시에는 필름 세트 롤러(9a)가 필름 송출 롤러(40a)의 측으로 이동하고, 이것에 추종하여 필름 접착용 레이저 조사 장치(38) 및 필름 접착 롤러(9b)가 이동한다.At the time of adhering such a die bonding film 6, the film set roller 9a moves to the side of the film delivery roller 40a, and following this, the film irradiation laser irradiation apparatus 38 and the film adhesion roller 9b Move.

이것에 의해 다이 본딩 필름(6)은 이동하는 필름 세트 롤러(9a)에 의해 웨이퍼(1)에 가압되면서, 그 뒤를 이동하는 필름 접착용 레이저 조사 장치(38)에 있어서의 레이저광(7)이 조사되어 그 피조사 부분이 용융되고, 또한 그 뒤를 이동하는 필름 접착 롤러(9b)에 의해 가압되어 웨이퍼(1)에 접착되어 간다.As a result, while the die bonding film 6 is pressed against the wafer 1 by the moving film set roller 9a, the laser beam 7 in the film-adhering laser irradiation apparatus 38 that moves behind the die bonding film 6 is moved. The irradiated portion to be irradiated is melted and pressed by the film adhesive roller 9b moving behind, and adhered to the wafer 1.

상기 다이 본딩 필름(6)의 웨이퍼(1)에의 접착 처리 사이, 도 14에 도시되는 바와 같이 상기 웨이퍼 반송 로봇(35)은 제1 웨이퍼 케이스(31)로부터 다음에 피처리 웨이퍼(1)를 취출하고, 웨이퍼 센터링 장치(33)에 반송하며, 상기 웨이퍼 센터링 장치(33)는 반송된 웨이퍼(1)의 센터링을 행한다.During the bonding process of the die bonding film 6 to the wafer 1, as shown in FIG. 14, the wafer transfer robot 35 takes out the to-be-processed wafer 1 from the first wafer case 31 next. Then, the wafer centering device 33 is conveyed, and the wafer centering device 33 centers the conveyed wafer 1.

상기 웨이퍼 센터링 장치(33)의 가동 중 상기 웨이퍼 반송 로봇(35)은 다이 본딩 필름(6) 접착 후, 필름 접착 테이블(34) 상에 있는 웨이퍼(1)를 반송하기 위해 필름 접착 테이블(34)의 근방에서 대기한다.During the operation of the wafer centering device 33, the wafer transfer robot 35 adheres the die bonding film 6, and then the film adhesion table 34 to convey the wafer 1 on the film adhesion table 34. Wait in the vicinity of.

웨이퍼(1)의 전면에 다이 본딩 필름(6)의 접착이 행해지면, 필름 접착 롤러(9b) 및 필름 접착용 레이저 조사 장치(38)는 도 15에 도시하는 바와 같이, 필름 고정 롤러(41)의 측으로 후퇴·이동한다.When the die bonding film 6 is adhered to the entire surface of the wafer 1, the film sticking roller 9b and the laser irradiation device 38 for film sticking are as shown in FIG. 15. Retreat and move to the side of.

이러한 상태에 있어서, 필름 커트용 레이저 조사 장치(39)로부터 다이 본딩 필름(6)의 접착 후의 웨이퍼(1)의 외형을 따라 레이저광(42)이 조사되고, 상기 다 이 본딩 필름(6)은 웨이퍼(1)의 외형을 따라 절단되어 웨이퍼(1)의 이면에 접착된 다이 본딩 필름은 띠형부로부터 분리된다.In such a state, the laser beam 42 is irradiated from the film cutting laser irradiation apparatus 39 along the outline of the wafer 1 after the die bonding film 6 is adhered, and the die bonding film 6 is The die bonding film cut along the outline of the wafer 1 and adhered to the back surface of the wafer 1 is separated from the strip-shaped portion.

계속해서, 필름 커트용 레이저 조사 장치(39)를 초기 상태의 위치까지 후퇴시킨 후, 웨이퍼 반송 로봇(35)이 필름 접착 테이블(34) 상의 웨이퍼(1), 즉 그 이면에 다이 본딩 필름(6)이 접착된 웨이퍼(1)를 제2 웨이퍼 케이스(32)에 반송한다.Subsequently, after retreating the laser irradiation apparatus 39 for film cuts to the position of an initial state, the wafer conveyance robot 35 die-bonds the film 6 to the wafer 1 on the film bonding table 34, ie, the back surface. ) Is conveyed to the second wafer case 32.

그리고, 필름 세트 롤러(9a)가 필름 고정 롤러(41) 측으로 이동하여 초기 상태의 위치로 되돌아가며, 다이 본딩 필름(6)이 필름 송출 롤러(40a)로부터 필름 권취 롤러(40b)로 권취되면, 필름 접착 장치(30)는 상기 도 12에 도시한 상태가 되며, 웨이퍼 센터링 장치(33)에 있어서 센터링 처리가 이루어져 있는 다음 웨이퍼(1)의 반송 처리가 가능해진다.And when the film set roller 9a moves to the film fixing roller 41 side, and returns to the position of an initial state, and the die bonding film 6 is wound up from the film delivery roller 40a to the film winding roller 40b, The film bonding apparatus 30 will be in the state shown in the said FIG. 12, and the conveyance process of the next wafer 1 in which the centering process is performed in the wafer centering apparatus 33 is attained.

이후, 이러한 처리를 피처리 웨이퍼(1)의 매수에 대응하여 반복한다.Thereafter, this process is repeated corresponding to the number of wafers 1 to be processed.

이와 같이, 제1 실시 형태에 있어서는 다이 본딩 필름(6)을 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b)로 웨이퍼(1)에 가압하고, 필름 세트 롤러(9a) 및 필름 접착 롤러(9b) 사이의 영역에 레이저광(7)을 조사한다.Thus, in 1st Embodiment, the die bonding film 6 is pressed to the wafer 1 with the film set roller 9a and the film adhesion roller 9b, and the film set roller 9a and the film adhesion roller 9b. Irradiate the laser beam 7 to the area | region between them.

그리고, 필름 세트 롤러(9a)의 이동과 함께 레이저광(7)을 이동시키고, 또한 이들에 추종하도록 필름 접착 롤러(9b)를 이동시킴으로서, 레이저광(7)이 조사된 다이 본딩 필름(6)의 용융 부분을 상기 필름 접착 롤러(9b)로 웨이퍼(1)에 가압하여 다이 본딩 필름(6)을 웨이퍼(1)에 접착해 간다.And the die bonding film 6 to which the laser beam 7 was irradiated by moving the laser beam 7 with movement of the film set roller 9a, and also moving the film adhesive roller 9b so that it may follow. Is applied to the wafer 1 by the film adhesive roller 9b to adhere the die bonding film 6 to the wafer 1.

이것에 의해 웨이퍼(1)를 히터 등으로 전면 가열하였을 때와 같은 표면 보호테이프(2)의 열팽창 혹은 열수축 등의 발생을 회피하여, 웨이퍼(1)에 다이 본딩 필 름(6)을 균일하게 접착할 수 있게 된다.This avoids the occurrence of thermal expansion or thermal contraction of the surface protective tape 2, such as when the wafer 1 is entirely heated by a heater or the like, and uniformly adheres the die bonding film 6 to the wafer 1. You can do it.

다음에, 제2 실시 형태에 대해서 설명한다.Next, a second embodiment will be described.

상기 제2 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름의 접착 방법을 도 17에 도시한다.The bonding method of the die bonding film in the said 2nd Embodiment is shown in FIG.

또한, 도 17에 있어서는 상기 도 8에 도시한 요소와 동일한 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여 그 설명은 생략한다.In addition, in FIG. 17, the same code | symbol is attached | subjected about the element same as the element shown in FIG. 8, and the description is abbreviate | omitted.

본 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름(6)의 접착 방법에 있어서는 다이 본딩 필름(6)의 레이저광 피조사 부분에 대한 웨이퍼(1) 상에의 가압을 상기 다이 본딩 필름(6)의 레이저광 피조사 부분에 대하여 가스를 분사함으로써 행한다.In the bonding method of the die bonding film 6 in this embodiment, pressurization on the wafer 1 with respect to the laser beam irradiated part of the die bonding film 6 is carried out by the laser beam of the said die bonding film 6 This is carried out by injecting gas into the portion to be irradiated.

즉, 레이저광(7)은 소정의 렌즈(8a)를 통해 소정의 조사 형상으로 조정되어 다이 본딩 필름(6) 상에 조사되지만, 상기 렌즈(8a)는 레이저광(7)의 조사 형상에 따른 개구부(50a)를 구비하는 노즐(50)에 유지되어 있다.That is, although the laser beam 7 is adjusted to a predetermined irradiation shape through the predetermined lens 8a and irradiated onto the die bonding film 6, the lens 8a is formed according to the irradiation shape of the laser beam 7. It is held by the nozzle 50 provided with the opening part 50a.

본 실시 형태에 있어서는 상기 노즐(50)에 가스 도입 구멍(51)을 배치하고, 상기 가스 도입 구멍(51)으로부터 가스를 압입하여, 노즐(50)의 선단부로부터 다이 본딩 필름(6)의 레이저광 피조사 부분에 분사한다.In this embodiment, the gas introduction hole 51 is arrange | positioned in the said nozzle 50, a gas is press-fitted from the said gas introduction hole 51, and the laser beam of the die bonding film 6 from the front-end | tip part of the nozzle 50 is carried out. Spray to the part to be irradiated.

이것에 의해, 표면 보호 테이프(2)가 접착된 백 그라인드 후의 웨이퍼(1) 이면에의 다이 본딩 필름(6)의 접착시, 다이 본딩 필름(6)이 레이저광(7)의 스캔 방향으로 이동하는 필름 세트 롤러(9a)에 의해 웨이퍼(1)의 이면에 가압되고, 그 직후의 영역에 대하여 레이저광(7)이 조사되는 동시에, 그 조사 부분에 노즐(50)로부터 가스(질소 가스 혹은 질소와 산소의 혼합물 가스)가 분출된다.Thereby, the die bonding film 6 moves to the scanning direction of the laser beam 7 at the time of adhering the die bonding film 6 to the back surface of the wafer 1 after the back grinding to which the surface protection tape 2 was bonded. The laser beam 7 is irradiated to the back surface of the wafer 1 by the film set roller 9a to be made, and the gas (nitrogen gas or nitrogen) is emitted from the nozzle 50 to the irradiated portion. And a mixture gas of oxygen) are blown off.

즉, 다이 본딩 필름(6)은 레이저광(7)의 조사에 의해 용융되면서, 노즐(50)로부터 분사되는 가스에 의해 웨이퍼(1)의 이면에 가압되고, 상기 웨이퍼(1)의 이면에 접착된다.That is, the die bonding film 6 is pressed by the gas injected from the nozzle 50 to the back surface of the wafer 1 while being melted by the irradiation of the laser beam 7, and adhered to the back surface of the wafer 1. do.

이러한 다이 본딩 필름(6)의 접착 방법을 이용하여도 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로 표면 보호 테이프(2)의 열팽창 등의 발생을 회피하여 웨이퍼(1) 이면에 다이 본딩 필름(6)을 균일하게 접착할 수 있게 된다.Similarly to the first embodiment, even when the die bonding film 6 is bonded, the die bonding film 6 is uniformly formed on the back surface of the wafer 1 by avoiding the occurrence of thermal expansion or the like of the surface protection tape 2. It can be bonded.

또한, 이 제2 실시 형태에 있어서의 레이저광 조사/가압 방법은 상기 제1 실시 형태에서 설명한 필름 접착 장치(30)에 있어서의 레이저광(7)의 스캔 방법 및 레이저 광학계(20)에 적용할 수 있다.In addition, the laser beam irradiation / pressure method in this 2nd Embodiment is applicable to the scanning method of the laser beam 7 and the laser optical system 20 in the film bonding apparatus 30 demonstrated in the said 1st Embodiment. Can be.

즉, 상기 제1 실시 형태에 있어서의 필름 접착 장치(30)의 필름 세트 롤러(9a), 필름 접착 롤러(9b) 및 필름 접착용 레이저 조사 장치(38)를 이용한 다이 본딩 필름(6)의 접착 기구를 도 17에 도시한 제2 실시 형태를 이용한 것으로 변경하고, 필름 접착 장치를 구성하는 것이 가능하다.That is, adhesion of the die bonding film 6 using the film set roller 9a, the film adhesion roller 9b, and the film irradiation laser irradiation apparatus 38 of the film bonding apparatus 30 in the said 1st Embodiment. It is possible to change a mechanism to the thing using 2nd Embodiment shown in FIG. 17, and to comprise a film bonding apparatus.

이때, 다이 본딩 필름(6)의 웨이퍼(1) 이면에의 접착부 이외의 부분[웨이퍼(1)의 추출, 반송, 수납 등]에 대해서는 상기한 필름 접착 장치(30)와 동일한 처리를 행하는 것이 가능하다.At this time, it is possible to perform the same process as the above-mentioned film bonding apparatus 30 about the part (extraction, conveyance, storage, etc. of the wafer 1) other than the adhesion part to the back surface of the wafer 1 of the die bonding film 6. Do.

또한, 본 제2 실시 형태에 있어서는 레이저광(7)의 조사 부분에 노즐(50)로부터 가스를 분사하기 때문에, 레이저광(7)의 조사 조건을 설정할 때에는 다이 본딩 필름(6)의 재질 등 외에, 가스의 분사에 의한 다이 본딩 필름(6)의 온도 저하를 고려하여 조건을 설정해야 한다.In addition, in this 2nd Embodiment, since gas is inject | poured from the nozzle 50 to the irradiation part of the laser beam 7, when setting irradiation conditions of the laser beam 7, besides the material of the die bonding film 6, etc. , The conditions should be set in consideration of the temperature drop of the die bonding film 6 due to the injection of gas.

다음에, 제3 실시 형태에 대해서 설명한다.Next, a third embodiment will be described.

상기 제3 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름의 접착 방법을 도 18에 도시한다.The bonding method of the die bonding film in the said 3rd Embodiment is shown in FIG.

또한, 도 18에서는 상기 도 8에 도시한 요소와 동일한 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여 그 설명은 생략한다.In addition, in FIG. 18, the same code | symbol is attached | subjected about the element same as the element shown in FIG. 8, and the description is abbreviate | omitted.

본 실시 형태에 있어서의 다이 본딩 필름(6)의 접착 방법에 있어서는 다이 본딩 필름(6)의 레이저광 피조사 부분에 대한 웨이퍼(1) 상에의 가압을 유리판 등의 광투과성 평판을 이용하여 행한다.In the bonding method of the die bonding film 6 in this embodiment, pressing on the wafer 1 with respect to the laser beam irradiated part of the die bonding film 6 is performed using light transmissive plates, such as a glass plate. .

즉, 도 18에 도시되는 바와 같이, 그 상면에 표면 보호 테이프(2)가 접착된 피처리 웨이퍼(1)는 상기 표면 보호 테이프(2)측을 아래로 하여 용기(60)에 수용되고, 상기 피처리 웨이퍼(1)의 이면에 다이 본딩 필름(6)이 적재된 상태로 된다.That is, as shown in FIG. 18, the to-be-processed wafer 1 to which the surface protection tape 2 was adhere | attached on the upper surface is accommodated in the container 60 with the said surface protection tape 2 side down. The die bonding film 6 is placed on the back surface of the wafer 1 to be processed.

이러한 상태에 있어서, 용기(60) 상에 아크릴로니트릴 부타디엔 고무(NBR) 등으로 이루어지는 패킹(61)을 통해 유리판(62)이 적재된다.In this state, the glass plate 62 is mounted on the container 60 via a packing 61 made of acrylonitrile butadiene rubber (NBR) or the like.

또한, 용기(60)는 패킹(61)를 통해 유리판(62)이 적재된 상태에 있어서, 그 내부를 감압 혹은 복압하기 위한 배기/도입 라인(60a)을 구비한다.Moreover, the container 60 is equipped with the exhaust / introduction line 60a for depressurizing or repressurizing the inside in the state in which the glass plate 62 was mounted through the packing 61. Moreover, as shown in FIG.

그리고, 상기 용기(60)의 깊이는 상기 패킹(61)을 통해 유리판(62)에 의해 봉입된 상태에 있어서, 배기/도입 라인(60a)을 통한 흡인에 의해 유리판(62)이 흡인되었을 때, 상기 유리판(62)에 의해 다이 본딩 필름(6)이 웨이퍼(1)에 대하여 가압되는 깊이로 설정된다.And, when the depth of the container 60 is sealed by the glass plate 62 through the packing 61, when the glass plate 62 is sucked by the suction through the exhaust / introduction line 60a, The die bonding film 6 is set to the depth at which the glass plate 62 is pressed against the wafer 1.

그런 후, 배기/도입 라인(60a)을 통해 용기(60) 내를 감압·배기하여, 용 기(60) 내부를 저압 분위기로 한다. 이러한 감압 처리에 의해 유리판(62)이 용기(60)측으로 흡인되고, 이것에 의해 다이 본딩 필름(6)이 웨이퍼(1)의 이면으로 가압된다.Thereafter, the inside of the container 60 is decompressed and exhausted through the exhaust / introduction line 60a to make the inside of the container 60 a low pressure atmosphere. The glass plate 62 is attracted to the container 60 side by such a pressure reduction process, and the die bonding film 6 is pressed by the back surface of the wafer 1 by this.

이 상태에 있어서, 렌즈(8a)를 통해 소정의 형상이 된 레이저광(7)을 상기 유리판(62)을 투과시켜 다이 본딩 필름(6)에 조사한다. 이것에 의해, 다이 본딩 필름(6)의 피조사 부분이 가열 용융되고, 또한 이때 유리판(62)에 의해 가압되어 있음으로써, 상기 다이 본딩 필름(6)은 웨이퍼(1)의 이면에 접착된다.In this state, the laser beam 7 having a predetermined shape is transmitted through the glass plate 62 through the lens 8a to irradiate the die bonding film 6. As a result, the irradiated portion of the die bonding film 6 is heated and melted and pressed at this time by the glass plate 62, whereby the die bonding film 6 is adhered to the back surface of the wafer 1.

이때, 상기 제1 실시 형태에 있어서의 스캔 방법 및 레이저 광학계(20)를 이용하고, 조사 형상이 직사각형으로 된 레이저광(7)을 웨이퍼(1)의 일단으로부터 그 중심을 통과하여 다른 쪽 단부까지 스캔한다.At this time, using the scanning method and the laser optical system 20 in the first embodiment, the laser beam 7 having a rectangular irradiation shape is passed from one end of the wafer 1 to the other end thereof. Scan

이러한 수단에 의한 웨이퍼(1)의 이면에의 다이 본딩 필름(6)의 접착 후, 상기 배기/도입 라인(60a)을 통과하는 배기를 정지시켜 용기(60) 내부에 소정의 가스압을 복압하고, 그런 후 유리판(62)을 떼어 내어 다이 본딩 필름(6)이 접착된 웨이퍼(1)를 취출한다.After adhesion of the die bonding film 6 to the back surface of the wafer 1 by such means, the exhaust gas passing through the exhaust / induction line 60a is stopped to restore a predetermined gas pressure inside the container 60, Thereafter, the glass plate 62 is removed and the wafer 1 to which the die bonding film 6 is bonded is taken out.

계속해서 처리를 행할 경우에는 다음에 처리해야 하는 웨이퍼(1)를 용기(60)내에 수용하고, 동일한 순서로 다이 본딩 필름(6)의 접착을 행한다.In the subsequent processing, the wafer 1 to be processed next is accommodated in the container 60, and the die bonding film 6 is adhered in the same order.

이러한 다이 본딩 필름(6)의 접착 방법을 이용하여도 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로 표면 보호 테이프(2)의 열팽창 등의 발생을 회피하여, 웨이퍼(1)의 이면에 다이 본딩 필름(6)을 균일하게 접착하는 것이 가능하다.Similarly to the first embodiment, the die-bonding film 6 is formed on the back surface of the wafer 1 by avoiding the occurrence of thermal expansion or the like of the surface protection tape 2 even when the die bonding film 6 is bonded. It is possible to adhere uniformly.

다음에, 제4 실시 형태에 대해서 설명한다.Next, a fourth embodiment will be described.

상기 제1 내지 제3 실시 형태에 있어서는 레이저광(7)의 웨이퍼(1) 상에서의 조사 형상을 가늘고, 또한 웨이퍼(1)의 직경보다도 긴 직사각형으로서 이동(스캔)함으로써, 최종적으로 웨이퍼(1)의 전면에 조사하는 경우에 대해서 설명하였지만, 상기 레이저광(7)의 조사 형상 및/혹은 스캔 방법은 이것에 한정되는 것은 아니다.In the first to third embodiments, the irradiation shape of the laser beam 7 on the wafer 1 is thinned and moved (scanned) as a rectangle longer than the diameter of the wafer 1, so that the wafer 1 is finally made. Although the case where it irradiates to the whole surface of was demonstrated, the irradiation shape and / or the scanning method of the said laser beam 7 are not limited to this.

본 실시 형태는 상기 레이저광의 이동(스캔) 방법의 변형예를 도시하는 것이며, 도 19는 상기 레이저 스캔 방법의 변형예를 도시한다.This embodiment shows a modification of the laser beam movement (scanning) method, and FIG. 19 shows a modification of the laser scanning method.

본 실시 형태 4에 있어서는 레이저광은 그 조사 형상이 원형 혹은 직사각형의 스폿 형상이 되고, 도 19에 화살표(S2)로 나타내는 바와 같이 병행하여 왕복하는 형태 혹은 지그재그형 형태를 갖고 다이 본딩 필름 상에서 스캔된다.In the fourth embodiment, the laser beam has a circular or rectangular spot shape, and the laser beam is scanned on a die bonding film in a reciprocating or zigzag form in parallel as shown by arrow S2 in FIG. 19. .

이러한 스폿형 레이저광(7S)의 스캔법에 의해서도 최종적으로는 레이저광(7S)을 웨이퍼(1) 상의 다이 본딩 필름 전면에 조사하는 것이 가능하다.Even with such a scanning method of the spot laser beam 7S, it is possible to finally irradiate the laser beam 7S on the entire surface of the die bonding film on the wafer 1.

이와 같이 레이저광(7S)의 조사 형상을 스폿형으로서 조사한 경우에는 상기 제1 내지 제3 실시 형태와 같이 가늘고 긴 직사각형을 갖는 조사 형상을 적용한 경우에 비하여 레이저광(7S)의 조사 면적을 보다 작게 할 수 있다. 따라서, 표면 보호 테이프(2)의 열팽창 등을 한층 더 효과적으로 회피할 수 있다.In this way, when the irradiation shape of the laser beam 7S is irradiated as a spot shape, the irradiation area of the laser beam 7S is smaller than in the case where the irradiation shape having an elongated rectangle is applied as in the first to third embodiments. can do. Therefore, thermal expansion and the like of the surface protection tape 2 can be more effectively avoided.

이러한 스폿형 레이저광(7S)의 스캔 방법은 상기 제1 내지 제3 실시 형태에 도시한 다이 본딩 필름(6)이 접착된 상태로 적용하는 것도 가능하지만, 필요에 따라 필름 세트 롤러(9a)의 이동 방법 등에 대해서 변경을 가한 후에 적용하는 것도 가능하다.The scanning method of the spot laser beam 7S can also be applied in a state in which the die bonding films 6 shown in the first to third embodiments are adhered, but the film set roller 9a may be applied as necessary. It is also possible to apply after changing the movement method or the like.

이러한 스폿형 레이저광(7S)을 스캔하는 방법을 채용하는 경우에도 그 조사 조건을 다이 본딩 필름(6)의 재질 등에 따라 적당히 설정하는 것이 가능하다.Even when employing such a method for scanning the spot laser light 7S, the irradiation conditions can be appropriately set according to the material of the die bonding film 6 and the like.

또한, 이와 같이 스폿형 레이저광(7S)의 조사시에도 적어도 그 진행 방향에 따라 상기 레이저광의 전후로 가스(질소 가스 혹은 질소와 산소의 혼합물 가스)를 분출한다. 즉, 다이 본딩 필름(6)은 분사되는 가스에 의해 웨이퍼(1)의 이면에 가압되면서, 레이저광(7S)의 조사에 의해 용융되어 상기 웨이퍼(1)의 이면에 접착된다.In this way, even when the spot laser beam 7S is irradiated, a gas (nitrogen gas or a mixture gas of nitrogen and oxygen) is ejected before and after the laser light at least along the traveling direction thereof. That is, the die bonding film 6 is melted by the irradiation of the laser beam 7S and adhered to the back surface of the wafer 1 while being pressed against the back surface of the wafer 1 by the injected gas.

상기 가스는 상기 제2 실시 형태와 동일하게 레이저광 방사 노즐부의 외주에 그 설치되는 가스 배출부 또는 상기 레이저광 방사 노즐부로부터 분리하여 설치된 가스 배출부로부터 혹은 웨이퍼(1)의 이면 전체에의 분출 등에 의해 피처리 웨이퍼(1) 방향으로 분출된다. 분사되는 가스에 의해 다이 본딩 필름(6)의 용융부는 웨이퍼(1)의 이면에 가압되고, 상기 웨이퍼(1)의 이면에 부착된다.As in the second embodiment, the gas is ejected from the gas discharge part provided at the outer periphery of the laser beam emission nozzle part or from the gas discharge part provided separately from the laser beam emission nozzle part or to the entire back surface of the wafer 1. Or the like is ejected toward the target wafer 1. The molten part of the die bonding film 6 is pressurized to the back surface of the wafer 1 by the gas injected, and is attached to the back surface of the wafer 1.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시 형태에 있어서는 열가소성의 다이 본딩 필름(6)의 접착으로 레이저광(7)을 적용하고, 상기 레이저광(7)을 조사하여 다이 본딩 필름(6)을 선택적으로 용융하며, 그것을 웨이퍼(1)에 가압함으로써 접착한다.As described above, in the embodiment of the present invention, the laser beam 7 is applied by the adhesion of the thermoplastic die bonding film 6, and the die bonding film 6 is selectively irradiated by irradiating the laser beam 7. It melts and adhere | attaches it by pressing it to the wafer 1.

이것에 의해, 웨이퍼(1)가 얇게 가공되어 그 강도가 저하되어 있는 경우라도 다이 본딩 필름(6)을 접착할 때의 웨이퍼(1)의 파손을 회피하는 것이 가능해지며, 반도체 장치를 수율적으로 제조하는 것이 가능해진다.This makes it possible to avoid damage of the wafer 1 when the die bonding film 6 is adhered even when the wafer 1 is thinly processed and its strength is lowered. It becomes possible to manufacture.

또한, 이상의 설명에서는 웨이퍼(1)에의 다이 본딩 필름(6)의 접착을 예로 하여 설명하였지만, 다이 본딩 필름(6)에 한하지 않고, 여러 가지 필름의 접착에도 마찬가지로 적용 가능하다. 또한, 웨이퍼(1)에 한하지 않고, 여러 가지 기판에의 필름의 접착에도 마찬가지로 적용 가능하다.In addition, although the above description demonstrated the adhesion of the die bonding film 6 to the wafer 1 as an example, it is not limited to the die bonding film 6, It is similarly applicable to the adhesion of various films. In addition, not only the wafer 1 but also the adhesion of the film to various board | substrates is similarly applicable.

(부기 1)(Book 1)

피처리 기판 상에 필름체를 배치하고, 상기 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하여 상기 필름체를 선택적으로 용융하고, 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.Placing a film body on the substrate to be treated, selectively irradiating the film body with laser light to selectively melt the film body, and pressing the film body portion in the molten state to the substrate to be treated. A film bonding method, wherein the film is bonded to the substrate.

(부기 2)(Supplementary Note 2)

한쪽의 주요면이 제1 필름체에 의해 피복된 피처리 기판의 다른 쪽의 주요면에 제2 필름체를 배치하고, 상기 제2 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하여 상기 제2 필름체를 선택적으로 용융하며, 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 제2 필름체를 상기 피처리 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.The second film body is disposed on the other main surface of the substrate to be treated whose one main surface is covered with the first film body, and the second film body is selectively irradiated with laser light to provide the second film body. A film bonding method, wherein the film body in a molten state is selectively melted, and the second film body is bonded to the substrate by pressing the portion of the film body to be processed.

(부기 3)(Supplementary Note 3)

상기 피처리 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.The said to-be-processed substrate is a semiconductor substrate, The film sticking method as described in Supplementary note 1 or Supplementary note 2 characterized by the above-mentioned.

(부기 4)(Appendix 4)

상기 피처리 기판의 한쪽 주요면에 피복되는 상기 제1 필름체는 표면 보호 필름인 것을 특징으로 하는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.The said 1st film body coat | covered on one main surface of the said to-be-processed board | substrate is a surface protection film, The film bonding method as described in the appendix 2 characterized by the above-mentioned.

(부기 5)(Appendix 5)

상기 피처리 기판의 다른 쪽 주요면에 접착되는 상기 제2 필름체는 다이 본딩 필름인 것을 특징으로 하는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.The said 2nd film body adhere | attached on the other main surface of the said to-be-processed board | substrate is a die bonding film, The film adhesion method as described in the appendix 2 characterized by the above-mentioned.

(부기 6)(Supplementary Note 6)

상기 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 피처리 기판에 접착할 때에, 상기 용융 상태에 있는 필름체 부분에 가스를 분사하면서 행하는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.When the film body portion in the molten state is pressed onto the substrate to be treated and adhered to the substrate to be treated, the film body portion in the molten state is carried out while injecting gas into the film body portion in Supplementary Note 1 or Supplementary Note 2. Film adhesion method.

(부기 7)(Appendix 7)

상기 레이저광을 조사할 때에는, 상기 레이저광을 상기 피처리 기판 상에서 스캔하면서 조사해 가는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.When irradiating the said laser beam, it irradiates, scanning said laser beam on the said to-be-processed board | substrate, The film adhesion method as described in the supplementary note 1 or the appendix 2 characterized by the above-mentioned.

(부기 8)(Appendix 8)

상기 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압할 때에는, 롤러를 이용하여 상기 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.When pressing the film body part in the molten state to the to-be-processed substrate, the film body part in the molten state is pressurized to the to-be-processed substrate using a roller. Film adhesion method.

(부기 9)(Appendix 9)

상기 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압할 때에는, 유리판을 이용하여 상기 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 부기 2에 기재한 필름 접착 방법.When pressing the film body part in the molten state to the to-be-processed substrate, the film body part in the molten state is pressurized to the to-be-processed substrate using a glass plate. Film adhesion method.

(부기 10)(Book 10)

피처리 기판 상에 배치된 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수 단과,Means for pressing the film body disposed on the substrate to be treated with respect to the substrate to be processed,

상기 피처리 기판에 가압된 상기 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하는 수단과,Means for selectively irradiating a laser beam to the film body pressed on the substrate to be processed;

상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단을Means for pressing the film body irradiated with the laser light against the substrate to be processed

포함하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 장치.Film adhesion device comprising a.

(부기 11)(Appendix 11)

상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단은 상기 필름체의 상기 레이저광의 조사 부분에 가스를 분사하는 수단인 것을 특징으로 하는 부기 10에 기재한 필름 접착 장치.The means for pressing the film body irradiated with the laser light against the substrate to be processed is a means for injecting a gas into an irradiation portion of the laser light of the film body, wherein the film bonding apparatus according to Appendix 10.

(부기 12)(Appendix 12)

상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단은 상기 필름체의 상기 레이저광의 조사 부분을 롤러로 가압하는 수단인 것을 특징으로 하는 부기 10에 기재한 필름 접착 장치.The means for pressurizing the film body irradiated with the laser light against the substrate to be processed is a means for pressing the irradiated portion of the laser light of the film body with a roller.

(부기 13)(Appendix 13)

상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단은 상기 필름체의 상기 레이저광의 조사 부분을 유리판으로 가압하는 수단인 것을 특징으로 하는 부기 10에 기재한 필름 접착 장치.The means for pressing the film body irradiated with the laser beam against the substrate to be processed is a means for pressing the irradiated portion of the laser beam of the film body with a glass plate.

(부기 14)(Book 14)

반도체 기판의 한쪽 주요면에 복수개의 반도체 소자를 형성하는 공정과,Forming a plurality of semiconductor elements on one main surface of the semiconductor substrate,

상기 한쪽 주요면에 표면 보호 테이프를 피착하는 공정과,Depositing a surface protection tape on the one main surface;

상기 반도체 기판을 다른 쪽의 주요면으로부터 연삭하여 그 두께를 얇게 하는 공정과,Grinding the semiconductor substrate from the other main surface to reduce its thickness;

상기 반도체 기판의 다른 쪽의 주요면에 다이 본딩 필름을 피착하는 공정과,Depositing a die bonding film on the other main surface of the semiconductor substrate;

상기 반도체 기판의 한쪽 주요면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 제거하는 공정과,Removing the surface protection tape from one main surface of the semiconductor substrate;

상기 반도체 기판을 절단·분리하여 상기 반도체 소자를 개편화하는 공정을Cutting and separating the semiconductor substrate to separate the semiconductor elements.

포함하고,Including,

상기 반도체 기판의 다른 쪽 주요면에 상기 다이 본딩 필름을 피착할 때, 상기 반도체 기판 상에 배치된 상기 다이 본딩 필름에 대하여 레이저광을 선택적으로 조사·가열하여 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.When depositing the die bonding film on the other main surface of the semiconductor substrate, selectively irradiating and heating a laser beam to the die bonding film disposed on the semiconductor substrate to bond the portion to be heated to the semiconductor substrate. The manufacturing method of the semiconductor device characterized by the above-mentioned.

(부기 15)(Supplementary Note 15)

상기 레이저광의 조사 영역의 적어도 전후에서, 상기 본딩 필름을 상기 반도체 기판에 가압하면서, 상기 레이저광을 조사하는 것을 특징으로 하는 부기 14에 기재한 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing the semiconductor device according to Appendix 14, wherein the laser beam is irradiated while pressing the bonding film onto the semiconductor substrate at least before and after the irradiation region of the laser beam.

(부기 16)(Appendix 16)

상기 반도체 기판 상에 배치된 상기 다이 본딩 필름에 대하여 상기 레이저광을 선택적으로 조사·가열할 때에는When selectively irradiating and heating the laser light with respect to the die bonding film disposed on the semiconductor substrate

상기 레이저광을 상기 반도체 기판 상에서 스캔하면서 조사해 가는 것을 특 징으로 하는 부기 14에 기재한 반도체 장치의 제조 방법.A method for manufacturing a semiconductor device according to Appendix 14, wherein the laser beam is irradiated while being scanned on the semiconductor substrate.

(부기 17)(Appendix 17)

상기 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착할 때에는When adhering the heated portion to the semiconductor substrate

롤러를 이용하여 상기 피가열부를 상기 반도체 기판에 가압하고, 상기 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 부기 14에 기재한 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing the semiconductor device according to Appendix 14, wherein the heated portion is pressed against the semiconductor substrate using a roller, and the heated portion is bonded to the semiconductor substrate.

(부기 18)(Supplementary Note 18)

상기 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착할 때에는When adhering the heated portion to the semiconductor substrate

유리판을 이용하여 상기 피가열부를 상기 반도체 기판에 가압하고, 상기 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 부기 14에 기재한 반도체 장치의 제조 방법.A method for manufacturing a semiconductor device according to Appendix 14, wherein the portion to be heated is pressed against the semiconductor substrate using a glass plate, and the portion to be heated is bonded to the semiconductor substrate.

본 발명에 의하면, 박화된 반도체 기판(웨이퍼)의 한쪽 주요면에 대하여 가열하면서 필름을 접착할 때에, 미리 상기 웨이퍼의 다른 쪽 주요면에 피착되어 있는 표면 보호 테이프의 열변형 영향을 부여하지 않고, 상기 웨이퍼에 대하여 필름을 접착할 수 있다.According to the present invention, when the film is bonded while heating to one main surface of the thinned semiconductor substrate (wafer), the effect of heat deformation of the surface protection tape deposited on the other main surface of the wafer in advance is not given. A film can be adhered to the wafer.

따라서, 박화된 웨이퍼에 균열·파손 등을 발생시키지 않고, 반도체 장치의 제조 수율을 향상시키는 것이 가능해진다.Therefore, it becomes possible to improve the manufacturing yield of a semiconductor device, without generating a crack, damage, etc. in a thin wafer.

Claims (10)

피처리 기판 상에 필름체를 배치하고, 상기 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하여 상기 필름체를 선택적으로 용융하며, 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.Placing a film body on the substrate to be treated, selectively irradiating the film body with a laser beam to selectively melt the film body, and pressing the film body portion in the molten state to the substrate to be treated. A film bonding method, wherein the film is bonded to the substrate. 한쪽의 주요면이 제1 필름체에 의해 피복된 피처리 기판의 다른 쪽의 주요면에 제2 필름체를 배치하고, 상기 제2 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하여 상기 제2 필름체를 선택적으로 용융하며, 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 제2 필름체를 상기 피처리 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.The second film body is disposed on the other main surface of the substrate to be treated whose one main surface is covered with the first film body, and the second film body is selectively irradiated with laser light to provide the second film body. A film bonding method, wherein the film body in a molten state is selectively melted, and the second film body is bonded to the substrate by pressing the portion of the film body to be processed. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 피처리 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.The film adhesion method according to claim 1 or 2, wherein the substrate to be processed is a semiconductor substrate. 제2항에 있어서, 상기 피처리 기판의 한쪽 주요면에 피복되는 상기 제1 필름체는 표면 보호 필름인 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.The film bonding method according to claim 2, wherein the first film body coated on one main surface of the substrate to be processed is a surface protection film. 제2항에 있어서, 상기 피처리 기판의 다른 쪽 주요면에 접착되는 상기 제2 필름체는 다이 본딩 필름인 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.3. The film bonding method according to claim 2, wherein the second film body adhered to the other main surface of the substrate to be processed is a die bonding film. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 용융 상태에 있는 필름체 부분을 상기 피처리 기판에 가압하여 상기 피처리 기판에 접착할 때에, 상기 용융 상태에 있는 필름체 부분에 가스를 분사하면서 행하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 방법.The method according to claim 1 or 2, wherein when the film body portion in the molten state is pressed against the substrate to be treated and adhered to the substrate, the gas body portion is sprayed with gas. A film adhesion method characterized by the above-mentioned. 피처리 기판 상에 배치된 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단과;Means for pressing the film body disposed on the substrate to be treated with respect to the substrate; 상기 피처리 기판에 가압된 상기 필름체에 선택적으로 레이저광을 조사하는 수단과;Means for selectively irradiating a laser beam to the film body pressed on the substrate to be processed; 상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단Means for pressing the film body irradiated with the laser light against the substrate to be processed 을 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 접착 장치.Film adhesion device comprising a. 제7항에 있어서, 상기 레이저광이 조사된 상기 필름체를 상기 피처리 기판에 대하여 가압하는 수단은 상기 필름체의 상기 레이저광의 조사 부분에 가스를 분사하는 수단인 것을 특징으로 하는 필름 접착 장치.8. The film bonding apparatus according to claim 7, wherein the means for pressing the film body irradiated with the laser light against the substrate to be processed is a means for injecting a gas into an irradiation portion of the laser light of the film body. 반도체 기판의 한쪽 주요면에 복수개의 반도체 소자를 형성하는 공정과;Forming a plurality of semiconductor elements on one main surface of the semiconductor substrate; 상기 한쪽 주요면에 표면 보호 테이프를 피착하는 공정과;Depositing a surface protection tape on said one main surface; 상기 반도체 기판을 다른 쪽의 주요면으로부터 연삭하여 그 두께를 얇게 하는 공정과;Grinding the semiconductor substrate from the other main surface to reduce its thickness; 상기 반도체 기판의 다른 쪽의 주요면에 다이 본딩 필름을 피착하는 공정과;Depositing a die bonding film on the other main surface of the semiconductor substrate; 상기 반도체 기판의 한쪽 주요면으로부터 상기 표면 보호 테이프를 제거하는 공정과;Removing the surface protection tape from one main surface of the semiconductor substrate; 상기 반도체 기판을 절단·분리하여 상기 반도체 소자를 개편화하는 공정Cutting the semiconductor substrate to separate the semiconductor elements 을 포함하고,Including, 상기 반도체 기판의 다른 쪽 주요면에 상기 다이 본딩 필름을 피착할 때, 상기 반도체 기판 상에 배치된 상기 다이 본딩 필름에 대하여 레이저광을 선택적으로 조사·가열하여 피가열부를 상기 반도체 기판에 접착하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.When depositing the die bonding film on the other main surface of the semiconductor substrate, selectively irradiating and heating a laser beam to the die bonding film disposed on the semiconductor substrate to bond the portion to be heated to the semiconductor substrate. The manufacturing method of the semiconductor device characterized by the above-mentioned. 제9항에 있어서, 상기 레이저광의 조사 영역의 적어도 전후에서, 상기 본딩 필름을 상기 반도체 기판에 가압하면서, 상기 레이저광을 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 9, wherein the laser light is irradiated while pressing the bonding film to the semiconductor substrate at least before and after the irradiation region of the laser light.
KR1020060058544A 2006-02-20 2006-06-28 Film bonding method, film bonding apparatus, and semiconductor device manufacturing method KR100786158B1 (en)

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JP2006042135A JP4514722B2 (en) 2006-02-20 2006-02-20 Film pasting method, film pasting apparatus, and semiconductor device manufacturing method
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