KR20070061381A - 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기 - Google Patents

발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기 Download PDF

Info

Publication number
KR20070061381A
KR20070061381A KR1020060122824A KR20060122824A KR20070061381A KR 20070061381 A KR20070061381 A KR 20070061381A KR 1020060122824 A KR1020060122824 A KR 1020060122824A KR 20060122824 A KR20060122824 A KR 20060122824A KR 20070061381 A KR20070061381 A KR 20070061381A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
inorganic layer
inorganic
organic
electrode
Prior art date
Application number
KR1020060122824A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101196728B1 (ko
Inventor
겐지 하야시
유키오 야마우치
Original Assignee
세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세이코 엡슨 가부시키가이샤 filed Critical 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Publication of KR20070061381A publication Critical patent/KR20070061381A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101196728B1 publication Critical patent/KR101196728B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 음극층의 박리나 크랙의 발생을 방지할 수 있는 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명에서는, 발광 장치(1)는 기체(200) 위에, 복수의 제1 전극(23)과, 제1 전극(23)의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부(221a)를 갖는 격벽(221)과, 적어도 개구부(221a)에 배치되는 유기 기능층(60)과, 격벽(221) 및 유기 기능층(60)을 덮는 제2 전극(50)과, 제2 전극(50)을 덮는 제1 무기층(52)과, 제1 무기층(52)을 덮는 제2 무기층(54)과, 제2 무기층(54)을 덮는 유기 완충층(210)과, 유기 완충층(210)을 덮는 가스 배리어층(30)을 갖는다.
발광 장치, 전자 기기, 음극층

Description

발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기{EMISSIVE DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING EMISSIVE DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS}
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 EL 표시 장치(1)의 배선 구조를 나타낸 도면.
도 2는 EL 표시 장치(1)의 구성을 나타낸 모식도.
도 3은 도 2의 A-B선에 따른 단면도.
도 4는 도 2의 C-D선에 따른 단면도.
도 5는 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)를 나타낸 확대도.
도 6은 EL 표시 장치(1)의 제조 방법을 공정 순으로 나타낸 도면.
도 7은 도 6에 이어지는 공정을 나타낸 도면.
도 8은 스크린 인쇄법을 공정 순으로 나타낸 도면.
도 9는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 EL 표시 장치(2)의 단면 구조를 나타낸 모식도.
도 10은 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)를 나타낸 확대도.
도 11은 음극(50) 위에 제1 음극 보호층(52)을 설치한 경우에 있어서의 결함 발생의 유무를 나타낸 도면.
도 12는 본 발명의 실시 형태에 따른 전자 기기를 나타낸 도면.
도면의 주요 부호에 대한 설명
1, 2…EL 표시 장치(발광 장치), 23…화소 전극(제1 전극), 30…가스 배리어층, 50…음극(제2 전극), 52…제1 음극 보호층(제1 무기층), 54…제2 음극 보호층(제2 무기층), 60…발광층(유기 기능층), 200…기체, 210…유기 완충층, 221…유기 격벽층(격벽), 221a…개구부, 1000…휴대 전화(전자 기기), 1100…시계(전자 기기), 1200…정보처리 장치(전자 기기), 1300…박형 대화면 텔레비전(전자 기기), 1001, 1101, 1206, 1306…표시부(발광 장치)
본 발명은 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기에 관한 것이다.
최근, 정보 기기의 다양화 등에 따라, 소비 전력이 적고 경량화된 평면 표시 장치의 요구가 높아지고 있다. 이와 같은 평면 표시 장치의 하나로서, 발광층을 구비한 유기 EL 장치가 알려져 있다. 이와 같은 유기 EL 장치는 양극과 음극 사이에 발광층을 구비한 구성이 일반적이다. 또한, 정공 주입성이나 전자 주입성을 향상시키기 위하여, 양극과 발광층의 사이에 정공 주입층을 배치한 구성이나, 발광층과 음극의 사이에 전자 주입층을 배치한 구성이 제안되어 있다.
유기 EL 장치의 발광층, 정공 주입층, 전자 주입층에 사용되는 재료는 대기중의 수분과 반응하여 열화하기 쉬운 것이 많다. 이들 층이 열화하면, 유기 EL 장치에 다크 스폿이라고 불리는 비발광 영역이 형성되어 버려, 발광 소자로서의 수명 이 짧아져 버린다. 따라서 이와 같은 유기 EL 장치에서는 수분이나 산소 등의 영향을 억제하는 것이 과제로 되어 있다.
이와 같은 과제를 해결하기 위하여, 유기 EL 장치의 기판에 유리나 금속으로 이루어지는 밀봉 부재를 접착하여, 수분이나 산소의 침입을 방지하는 방법이 일반적으로 채용되어 왔다. 그러나 디스플레이의 대형화 및 박형화/경량화에 따라, 접착한 밀봉 부재만으로 수분이나 산소의 침입을 막는 것이 어렵게 되었다. 또한, 대형화에 따라 구동 소자나 배선을 형성하는 면적을 충분히 확보하기 위하여, 밀봉 부재 측으로부터 광을 취출하는 톱 에미션 구조를 사용하는 필요성도 제안되어 있다. 이와 같은 요구를 달성하기 위하여, 투명하고 경량이며, 내강도성이 뛰어난 박막을 사용한 밀봉 구조가 요구되고 있다.
그래서 최근에는 표시 장치의 대형화 및 경박화(輕薄化)에 대응하기 위하여, 발광 소자 위에 투명하고 가스 배리어성이 뛰어난 규소 질화물, 규소 산화물, 세라믹스 등의 박막을 고밀도 플라스마 성막법(예를 들면, 이온 도금, ECR 플라스마 스퍼터링, ECR 플라스마 CVD, 표면파 플라스마 CVD, ICP-CVD 등)에 의해 가스 배리어층으로서 성막시키는 박막 밀봉이라고 불리는 기술이 사용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1∼4). 이와 같은 기술에 의하면, 발광 소자로의 수분의 침입을 막는 것이 가능해졌다.
<특허문헌 1> 일본 특개평9-185994호 공보
<특허문헌 2> 일본 특개 2001-284041호 공보
<특허문헌 3> 일본 특개 2000-223264호 공보
<특허문헌 4> 일본 특개 2003-17244호 공보
그러나 이와 같은 기술을 채용한 경우에도, 외부로부터의 수분의 침입을 완전히 막을 수 없어, 충분한 발광 특성이나 발광 수명이 얻어지지 않는다. 특히, 화소 격벽 등에 의해 발생하는 외주부 또는 단차부(段差部)에서 가스 배리어층의 박리나 크랙이 발생하고, 그곳으로부터의 수분의 침입이 확인되고 있다. 이 때문에, 가스 배리어층의 하층 측에, 거의 평탄한 상면을 갖는 유기 완충층을 배치함으로써, 가스 배리어층에서의 크랙의 발생을 방지하는 것이 고려되고 있다.
그런데, 이와 같은 유기 완충층의 형성이 감압 분위기하에서 행해지기 때문에, 특히 톱 에미션 구조에서는 투명성을 얻기 위하여 음극을 박막으로 사용하기 때문에, 음극층에 부하가 걸려, 음극층의 외주부 또는 단차부에서 박리나 크랙이 발생하고, 이 때문에 원하는 발광 특성을 얻을 수 없다는 문제가 있다.
본 발명은, 상기의 사정에 비추어 이루어진 것으로서, 본 발명에 따른 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기에서는 상기 과제를 해결하기 위하여 이하의 수단을 채용했다.
제1 발명은 발광 장치가 기체 위에, 복수의 제1 전극과, 상기 제1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 화소 격벽과, 적어도 상기 개구부에 배치되는 유기 기능층과, 상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제2 전극과, 상기 제2 전극을 덮는 제1 무기층과, 상기 제1 무기층을 덮는 제2 무기층과, 상기 제2 무기 층을 덮는 유기 완충층과, 상기 유기 완충층을 덮는 가스 배리어층을 갖도록 했다.
본 발명에 의하면, 유기 완충층을 형성하는 등의 제조 프로세스 중에, 제2 전극이나 제2 무기층에 가해지는 외력이 완화되어, 제2 전극이나 제2 무기층의 박리나 크랙 등의 결함 발생이 방지된다. 예를 들면, 유기 완충층을 스크린 인쇄할 때의 스크린 메시의 접촉에 의한 과중(過重)이 완화되므로, 제2 전극이나 제2 무기층의 박리, 크랙 등의 결함 발생이 방지된다.
상기 제2 전극은 투명성을 갖는 금속 박막 또는/및 금속 산화물 도전막으로 이루어지고, 제1 무기층 및 제2 무기층은 절연성의 무기 화합물로 이루어지도록 했다.
상기 제1 무기층이 상기 제2 무기층보다도 탄성률이 낮은 재료로 이루어지므로, 제2 무기층에 가해진 외력을 제1 무기층에 의해 완화할 수 있다.
상기 제1 무기층이 상기 유기 완충층보다도 탄성률이 높은 재료로 이루어지므로, 제2 무기층과 일체로 되어 제2 전극을 보호할 수 있다.
상기 제1 무기층이, 탄성률이 10∼100GPa인 재료로 이루어지므로, 제2 전극이나 제2 무기층에서의 크랙 발생이나 박리를 확실히 방지할 수 있다.
상기 제1 무기층의 막두께가 상기 제2 무기층보다도 두텁고, 또 상기 유기 완충층보다도 얇으므로, 제2 무기층에 가해진 외력만을 완화하도록 기능시킬 수 있다.
상기 제1 무기층이 유기 기능층 및 화소 격벽, 음극 모두를 피복하도록 보다 넓은 범위를 덮고, 종단부는 가스 배리어층으로 피복되도록 가스 배리어층보다도 좁은 범위로 형성되도록 했다.
상기 제1 무기층이 무기 산화물 또는 알칼리 할라이드로 이루어지므로, 낮은 탄성률과 높은 투명성, 저온에서 단시간에 후막 성막을 할 수 있기 때문에 저비용으로 형성할 수 있고, 제2 전극이나 제2 무기층에서의 크랙 발생이나 박리를 확실히 방지할 수 있다.
상기 제2 무기층과 상기 가스 배리어층이 거의 동일한 탄성률을 갖는 재료로 이루어지므로, 가스 배리어층과 함께 수분의 침입 등을 방지할 수 있다.
상기 유기 완충층이 에폭시 수지로 이루어지므로, 가스 배리어층에서의 크랙 등의 발생을 방지할 수 있다.
상기 유기 완충층의 단부에서의 접촉 각도가 20°이하로 형성되어 있으므로, 단부에서의 박리를 방지할 수 있다.
제2 발명은 발광 장치의 제조 방법이 기체 위에, 복수의 제1 전극을 형성하는 공정과, 상기 제1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 화소 격벽을 형성하는 공정과, 적어도 상기 개구부에 배치되는 유기 기능층을 형성하는 공정과, 상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제2 전극을 형성하는 공정과, 상기 제2 전극을 덮는 제1 무기층을 형성하는 공정과, 상기 제1 무기층을 덮는 제2 무기층을 형성하는 공정과, 상기 제2 무기층을 덮는 유기 완충층을 형성하는 공정과, 상기 유기 완충층을 덮는 가스 배리어층을 형성하는 공정을 갖도록 했다.
이 발명에 의하면, 제1 무기층에 의해, 유기 완충층 형성 공정에서 제2 전극이나 제2 무기층에 가해지는 외력이 완화되므로, 제2 전극이나 제2 무기층의 박리, 크랙 등의 결함 발생이 방지된다. 예를 들면, 유기 완충층을 스크린 인쇄할 때의 스크린 메시의 접촉에 의한 과중이 완화되므로, 제2 전극이나 제2 무기층의 박리, 크랙 등의 결함 발생이 방지된다.
상기 제1 무기층이 상기 제2 무기층보다도 탄성률이 낮은 재료로 이루어지므로, 제2 무기층에 가해진 외력을 제1 무기층에 의해 완화할 수 있다.
상기 제1 무기층이, 상기 유기 완충층보다도 탄성률이 높은 재료로 이루어지므로, 제2 무기층과 일체로 되어 제2 전극을 보호할 수 있다.
상기 제1 무기층이, 탄성률이 10∼100GPa인 재료로 이루어지므로, 제2 전극이나 제2 무기층에서의 크랙 발생이나 박리를 확실히 방지할 수 있다.
상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층은, 동일한 성막 장치 내에서 연속적으로 형성되므로, 제조 효율의 향상, 제조 비용의 저감을 도모할 수 있다.
상기 유기 완충층이 감압 분위기하에서의 스크린 인쇄법에 의해 배치되므로, 유기 완충층으로부터 수분을 배제할 수 있고, 또 기포의 혼입을 방지할 수 있다.
제3 발명은 전자 기기가 제1 발명에 따른 발광 장치를 구비하도록 했다. 이 발명에 의하면, 고품질의 화상 특성을 갖는 표시부를 구비한 전자 기기가 얻어진다.
[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]
이하, 본 발명에 따른 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 발광 장치로서, 유기 기능재료의 일례인 유기 일렉트로루미네선스(EL) 재료를 사용한 EL 표시 장치에 대하여 설명한다.
(제1 실시 형태)
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 EL 표시 장치(1)의 배선 구조를 나타낸 도면이다.
EL 표시 장치(발광 장치)(1)는 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 TFT로 약기)를 사용한 액티브 매트릭스형의 EL 표시 장치이다.
또한, 이하의 설명에서는 EL 표시 장치(1)를 구성하는 각 부위나 각 층막을 인식 가능하게 하기 위하여, 각각의 축척을 다르게 하고 있다.
EL 표시 장치(1)는 복수의 주사선(101)과, 각 주사선(101)에 대하여 직각으로 교차하는 방향으로 뻗은 복수의 신호선(102)과, 각 신호선(102)에 병렬로 뻗은 복수의 전원선(103)이 각각 배선된 구성을 갖는 동시에, 주사선(101)과 신호선(102)의 각 교점 부근에 화소 영역(X)이 설치된다.
신호선(102)에는 시프트 레지스터, 레벨 시프터, 비디오 라인 및 아날로그 스위치를 구비하는 데이터선 구동 회로(100)가 접속된다. 또한, 주사선(101)에는 시프트 레지스터 및 레벨 시프터를 구비하는 주사선 구동 회로(80)가 접속된다.
또한, 화소 영역(X)의 각각에는 주사선(101)을 거쳐 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 스위칭용 TFT(112)와, 이 스위칭용 TFT(112)를 거쳐 신호선(102)으로부터 공급되는 화소 신호를 유지하는 유지 용량(113)과, 그 유지 용량(113)에 의해 유지된 화소 신호가 게이트 전극에 공급되는 구동용 TFT(123)와, 이 구동용 TFT(123)를 거쳐 전원선(103)에 전기적으로 접속했을 때 그 전원선(103)으로부터 구동 전류가 흘러들어 가는 화소 전극(제1 전극)(23)과, 이 화소 전극(23)과 음극(제2 전극)(50)의 사이에 끼워진 유기 기능층(110)이 설치된다. 화소 전극(23)과 음극(50)과 유기 기능층(110)에 의해, 발광 소자(유기 EL 소자)가 구성된다.
이 EL 표시 장치(1)에 의하면, 주사선(101)이 구동되어 스위칭용 TFT(112)가 온 상태가 되면, 그 때의 신호선(102)의 전위가 유지 용량(113)에 유지되고, 그 유지 용량(113)의 상태에 따라, 구동용 TFT(123)의 온·오프 상태가 결정된다. 그리고 구동용 TFT(123)의 채널을 거쳐, 전원선(103)으로부터 화소 전극(23)에 전류가 흐르고, 또한 유기 기능층(110)을 거쳐 음극(50)에 전류가 흐른다. 유기 기능층(110)은 이것을 흐르는 전류량에 따라 발광한다.
다음에, EL 표시 장치(1)의 구체적인 구성에 대하여, 도 2∼도 5를 참조하여 설명한다.
EL 표시 장치(1)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 전기 절연성을 구비한 기판(20)과, 스위칭용 TFT(도시되지 않음)에 접속된 화소 전극이 기판(20) 위에 매트릭스 형상으로 배치되어 이루어지는 화소 전극역(도시되지 않음)과, 화소 전극역의 주위에 배치되는 동시에 각 화소 전극에 접속되는 전원선(도시되지 않음)과, 적어도 화소 전극역 위에 위치하는, 평면에서 볼 때 거의 직사각형의 화소부(3)(도 2 중, 1점 쇄선 테두리 내)를 구비하여 구성된 액티브 매트릭스형인 것이다.
또한, 본 발명에서는, 기판(20)과 후술하는 바와 같이 이것 위에 형성되는 스위칭용 TFT나 각종 회로, 및 층간 절연막 등을 포함하여, 기체(200)라고 칭하고 있다(도 3, 도 4 참조).
화소부(3)는 중앙 부분의 실표시 영역(4)(도 2 중, 2점 쇄선 테두리 내)과, 실표시 영역(4) 주위에 배치된 더미 영역(5)(1점 쇄선 및 2점 쇄선 사이의 영역)으로 구획된다.
실표시 영역(4)에는, 각각 화소 전극을 갖는 표시 영역(R, G, B)이 A-B 방향 및 C-D 방향으로 각각 이간하여 매트릭스 형상으로 배치된다.
또한, 실표시 영역(4)의 도 2 중 양측에는 주사선 구동 회로(80)가 배치된다. 이들 주사선 구동 회로(80)는 더미 영역(5)의 하측에 배치된 것이다.
또한, 실표시 영역(4)의 도 2 중 상측에는 검사 회로(90)가 배치된다. 이 검사 회로(90)는 EL 표시 장치(1)의 작동 상황을 검사하기 위한 회로로서, 예를 들면 검사 결과를 외부에 출력하는 검사 정보 출력 수단(도시되지 않음)을 구비하고, 제조 도중이나 출하 시의 표시 장치의 품질, 결함의 검사를 행할 수 있도록 구성된 것이다. 또한, 이 검사 회로(90)도 더미 영역(5)의 하측에 배치된 것이다.
주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)는 그 구동 전압이 소정의 전원부로부터 구동 전압 도통부(310)(도 3 참조) 및 구동 전압 도통부(340)(도 4 참조)를 거쳐, 인가되도록 구성된다. 또한, 이들 주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)에의 구동 제어 신호 및 구동 전압은, 이 EL 표시 장치(1)의 작동 제어를 행하는 소정의 메인 드라이버 등으로부터 구동 제어 신호 도통부(320)(도 3 참조) 및 구동 전압 도통부(350)(도 4 참조)를 거쳐, 송신 및 인가된다. 또한, 이 경우의 구동 제어 신호란, 주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)가 신호를 출력할 때의 제어에 관련되는 메인 드라이버 등으로부터의 지령 신호이다.
또한, EL 표시 장치(1)는 도 3, 도 4에 나타낸 바와 같이, 기체(200) 위에 화소 전극(23)과 유기 격벽층(화소 격벽)(221), 발광층(유기 기능층)(60)과 음극(50)을 구비한 발광 소자(유기 EL 소자)를 다수 형성하고 또한 이들을 덮어, 제1 음극 보호층(제1 무기층)(52), 제2 음극 보호층(제2 무기층)(54), 유기 완충층(210), 가스 배리어층(30) 등을 형성시킨 것이다.
또한, 발광층(luminescent layer)(60)으로서는, 대표적으로는 발광층(emissive layer)(일렉트로루미네선스층)이며, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 등의 캐리어 주입층 또는 캐리어 수송층을 구비하는 것이다. 또한, 정공 저지층(홀 블로킹층), 전자 저지층(일렉트론 저지층)을 구비하는 것이어도 된다.
기체(200)를 구성하는 기판(20)으로서는, 소위 톱 에미션형의 EL 표시 장치의 경우, 이 기판(20)의 대향 측인 가스 배리어층(30) 측으로부터 발광 광을 취출하는 구성이므로, 투명 기판 및 불투명 기판의 어느 것도 사용할 수 있다. 불투명 기판으로서는, 예를 들면 알루미나 등의 세라믹스, 스테인리스 스틸 등의 금속 시트에 표면 산화 등의 절연 처리를 실시한 것, 또 열경화성 수지나 열가소성 수지, 또는 그 필름(플라스틱 필름) 등을 들 수 있다.
또한, 소위 보텀 에미션형의 EL 표시 장치의 경우에는, 기판(20) 측으로부터 발광 광을 취출하는 구성이므로, 기판(20)으로서는 투명 또는 반투명의 것이 채용된다. 예를 들면, 유리, 석영, 수지(플라스틱, 플라스틱 필름) 등을 들 수 있고, 특히 유리 기판이 적합하게 사용된다. 또한, 본 실시 형태에서는 가스 배리어 층(30) 측으로부터 발광 광을 취출하는 톱 에미션형으로 하고, 따라서 기판(20)으로서는 상기의 불투명 기판, 예를 들면 불투명 플라스틱 필름 등이 사용된다.
또한, 기판(20) 위에는, 화소 전극(23)을 구동하기 위한 구동용 TFT(123) 등을 포함하는 회로부(11)가 형성되어 있고, 그 위에 발광 소자(유기 EL 소자)가 다수 설치된다. 발광 소자는 양극으로서 기능하는 화소 전극(23)과, 이 화소 전극(23)으로부터의 정공을 주입/수송하는 정공 수송층(70)과, 유기 EL 재료를 구비하는 발광층(60)과, 음극(50)이 순서대로 형성됨으로써 구성된 것이다.
이와 같은 구성하에, 발광 소자는 그 발광층(60)에서 정공 수송층(70)으로부터 주입된 정공과 음극(50)으로부터의 전자가 결합함으로써 발광한다.
화소 전극(23)은, 본 실시 형태에서는 톱 에미션형이므로 투명할 필요는 없고, 반사성을 보다 높이기 위해, 예를 들면 반사층/무기 절연층/투명 양극 ITO와 같은 다층 구조를 취해도 된다. 반사층은 발광층으로부터 나오는 광을 적극적으로 음극 측으로 반사시키는 층으로 알루미늄 합금 등이 사용되고, 규소 질화물 등의 무기 절연층을 거쳐, 일함수가 5eV 이상의 정공 주입성이 높은 ITO(Indium Tin Oxide : 인듐 주석 산화물) 등의 금속 산화물 도전막이 양극으로 사용된다.
정공 수송층(70)의 형성 재료로서는, 예를 들면 폴리티오펜 유도체, 폴리피롤 유도체 등, 또는 그들의 도핑체 등이 사용된다. 구체적으로는 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술폰산(PEDOT/PSS)의 분산액, 즉 분산매로서의 폴리스티렌술폰산에 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜을 분산시키고, 또한 이것을 물에 분산시킨 분산액 등을 사용하여 정공 수송층(70)을 형성할 수 있다.
발광층(60)을 형성하기 위한 재료로서는, 형광 또는 인광을 발광할 수 있는 공지의 발광 재료를 사용할 수 있다. 구체적으로는 (폴리)플루오렌 유도체(PF), (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체(PPV), 폴리페닐렌 유도체(PP), 폴리파라페닐렌 유도체(PPP), 폴리비닐카르바졸(PVK), 폴리티오펜 유도체, 폴리메틸페닐실란(PMPS) 등의 폴리실란계 등이 적합하게 사용된다.
또한, 이들 고분자 재료에 페릴렌계 색소, 쿠마린계 색소, 로다민계 색소 등의 고분자계 재료나, 루브렌, 페릴렌, 9,10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일레드(Nile red), 쿠마린6, 퀴나크리돈 등의 저분자 재료를 도핑하여 사용할 수도 있다.
또한, 상기의 고분자 재료 대신에, 종래 공지의 저분자 재료를 사용할 수도 있다.
또한, 필요에 따라 이와 같은 발광층(60) 위에 전자 주입층을 형성해도 된다.
또한, 본 실시 형태에서 정공 수송층(70)과 발광층(60)이란, 도 3, 도 4에 나타낸 바와 같이, 기체(200) 위에 격자 형상으로 형성된 친액성 제어층(25)(도시되지 않음)과 유기 격벽층(화소 격벽)(221)에 의해 둘러싸여 배치되고, 이에 의하여 둘러싸인 정공 수송층(70) 및 발광층(60)은 단일의 발광 소자(유기 EL 소자)를 구성하는 소자층이 된다.
또한, 유기 격벽층(221)의 개구부(221a)의 각 벽면의 기체(200) 표면에 대한 각도가 110도 이상 170도 이하로 되어 있다. 이와 같은 각도로 한 것은, 발광 층(60)을 웨트 프로세스에 의해 형성할 때, 개구부(221a) 내에 배치되기 쉽게 하기 위함이다.
음극(50)은, 도 2∼도 4에 나타낸 바와 같이, 실표시 영역(4) 및 더미 영역(5)의 총 면적보다 넓은 면적을 구비하여, 각각을 덮도록 형성된 것으로, 발광층(60)과 유기 격벽층(221)의 상면, 또한 유기 격벽층(221)의 외측부를 형성하는 벽면을 덮은 상태로 기체(200) 위에 형성된 것이다. 또한, 이 음극(50)은, 도 4에 나타낸 바와 같이, 유기 격벽층(221)의 외측에서 기체(200)의 외주부에 형성된 음극용 배선(202)에 접속된다. 이 음극용 배선(202)에는 플렉시블 기판(203)이 접속되어 있고, 이에 의하여 음극(50)은 음극용 배선(202)을 거쳐 플렉시블 기판(203) 위의 도시되지 않은 구동 IC(구동 회로)에 접속된다.
음극(50)을 형성하기 위한 재료로서는, 본 실시 형태는 톱 에미션형이므로 광 투과성일 필요가 있고, 따라서 투명 도전 재료가 사용된다. 투명 도전 재료로서는 ITO가 적합하지만, 이외에도, 예를 들면 산화인듐·산화아연계 아모퍼스 투명 도전막(Indium Zinc Oxide : IZO/아이제트오(등록상표)) 등을 사용할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는 ITO를 사용하는 것으로 한다.
또한, 음극(50)은 전자 주입 효과가 큰(일함수가 4eV 이하) 재료가 적합하게 사용된다. 예를 들면, 칼슘이나 마그네슘, 나트륨, 리튬 금속, 또는 이들의 금속 화합물이다. 금속 화합물로서는, 불화칼슘 등의 금속 불화물이나 산화리튬 등의 금속 산화물, 아세틸아세토네이트 칼슘 등의 유기 금속 착체가 해당한다. 또한, 이들 재료만으로는, 전기 저항이 커서 전극으로서 기능하지 않기 때문에, 발광 영 역을 피하도록 알루미늄이나 금, 은, 구리 등의 금속층을 패턴 형성하거나, ITO나 산화주석 등의 투명한 금속 산화물 도전층과의 적층체와 조합하여 사용해도 된다. 또한, 본 실시 형태에서는 불화리튬과 마그네슘-은합금, ITO의 적층체를 투명성이 얻어지는 막두께로 조정하여 사용하는 것으로 한다.
음극(50)의 상층부에는, 도 3, 도 4에 나타낸 바와 같이, 유기 격벽층(221)보다도 넓은 범위로, 또 음극(50)을 덮은 상태로 제1 음극 보호층(52)이 형성된다. 제1 음극 보호층(52)은, 제2 음극 보호층(54) 위에 유기 완충층(210)을 형성할 때, 제2 음극 보호층(54) 위에 가해지는 부하를 완화하기 위하여 설치된 것이다.
제1 음극 보호층(52)은 제2 음극 보호층(54)보다도 탄성률이 낮은 재료로 이루어지며, 탄성률이 10∼100GPa의 범위의 무기 재료이다. 예를 들면, 보텀 에미션 구조에서는 음극층의 금속 재료인 Mg, Zn, Al, Ag 등을 사용할 수 있고, 톱 에미션 구조에서는 투명한 무기 화합물 재료인 SiO2 등의 무기 산화물이나 LiF나 MgF2 등의 알칼리 할라이드를 사용할 수 있다. 일반적으로, 이들 저탄성률의 재료는 내수성이 부족한 것이 많다.
또한, 제1 음극 보호층(52)의 형성 방법으로서는, 발광층(60)에 손상을 주지 않도록, 저온에서 성막 가능한 진공 증착법이나 고밀도 플라스마 성막법 등이 이용된다.
또한, 제1 음극 보호층(52)의 막두께는 50∼200nm 정도가 바람직하고, 제2 음극 보호층(54)보다도 두터운 것이 보다 바람직하다.
제1 음극 보호층(52)의 상층부에는, 도 3, 도 4에 나타낸 바와 같이, 제2 음극 보호층(54)이 형성된다. 제2 음극 보호층(54)은 제1 음극 보호층(52)의 내수성 부족을 보충하고, 또한 유기 완충층(210)의 잔류 수분 등에 기인하는 제조 프로세스 시에 있어서의 음극(50)에의 손상을 방지하기 위하여 설치된 것이다. 또한, 완충층 재료의 도포 형성 시의 평탄성이나 소포성(消泡性), 밀착성, 측면 단부의 저각도화를 목적으로 설치된 것이다.
제2 음극 보호층(54)은 투명성, 치밀성, 내수성, 절연성, 가스 배리어성을 고려하여, 치밀하고 고탄성률의 규소 질화물이나 규소 질산화물 등의 질소를 포함하는 규소 화합물 등의 재료에 의해 형성된 것이 바람직하다.
제2 음극 보호층(54)을 형성하는 재료의 탄성률로서는, 100GPa 이상이 바람직하다.
또한, 제2 음극 보호층(54)의 형성 방법으로서는, ECR 스퍼터링법이나 이온 도금법 등의 고밀도 플라스마 성막법이 이용된다.
또한, 제2 음극 보호층(54)의 막두께는 10∼50nm 정도가 바람직하다.
제2 음극 보호층(54)의 상층부에는, 도 3, 도 4에 나타낸 바와 같이, 유기 격벽층(221)보다도 넓은 범위로, 또 음극(50)을 덮은 상태로 유기 완충층(210)이 설치된다. 또한, 유기 완충층(210)은 상기 음극 보호층을 종단부까지 모두 덮을 필요는 없고, 또한 화소부(3) 위에 형성된 음극(50)을 덮을 경우, 또한 기체(200) 외주부의 음극용 배선(202) 위에 형성된 음극(50)을 덮을 경우의 어느 것이어도 된다.
유기 완충층(210)은 유기 격벽층(221)의 형상의 영향에 의해, 요철(凹凸) 형상으로 형성된 음극(50)의 요철 부분을 메우도록 배치되고, 또한 그 상면은 거의 평탄하게 형성된다. 유기 완충층(210)은 기체(200)의 휨이나 체적 팽창에 의해 발생하는 응력을 완화하고, 불안정한 유기 격벽층(221)으로부터의 음극(50)의 박리를 방지하는 기능을 갖는다. 또한, 유기 완충층(210)의 상면이 거의 평탄화되므로, 유기 완충층(210) 위에 형성되는 단단한 피막으로 이루어지는 가스 배리어층(30)도 평탄화되므로, 응력이 집중하는 부위가 없어지고, 이에 의하여 가스 배리어층(30)에의 크랙의 발생을 방지한다.
유기 완충층(210)의 형성은 감압 진공하에서의 스크린 인쇄법을 이용하여, 제2 음극 보호층(54) 위에 도포하는 것이 바람직하다. 스크린 메시에 수지 경화물로 비도포 영역을 패턴 형성한 마스크를 기체(200)에 접촉시켜, 스퀴지로 누름으로써, 유기 완충층 형성 재료를 기체(200) 위(제2 음극 보호층(54) 위)에 전사한다. 감압 분위기에서 도포(전사)가 행해지므로, 수분이 적은 환경을 유지하면서, 전사 시에 도포면에 발생하는 기포를 제거할 수 있다.
유기 완충층(210)은 경화 전의 원료 주성분으로서는, 감압 진공하에서 인쇄 형성하기 때문에, 유동성이 뛰어나고, 용매나 휘발 성분이 없는, 전부가 고분자 골격의 원료로 되는 유기 화합물 재료일 필요가 있고, 바람직하게는 에폭시기를 갖는 분자량 3000 이하의 에폭시 모노머/올리고머가 사용된다(모노머의 정의 : 분자량 1000 이하, 올리고머의 정의 : 분자량 1000∼3000). 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 올리고머나 비스페놀 F형 에폭시 올리고머, 페놀 노볼락형 에폭시 올리고머, 폴리에틸렌글리콜 디글리시딜 에테르, 알킬글리시딜 에테르, 3,4-에폭시시클로헥센일메틸-3',4'-에폭시시클로헥센 카르복실레이트, ε-카프로락톤 변성 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3',4'-에폭시시클로헥산 카르복실레이트 등이 있고, 이들을 단독 또는 복수 조합하여 사용된다.
또한, 에폭시 모노머/올리고머와 반응하는 경화제로서는, 전기 절연성이나 접착성이 뛰어나고, 또 경도가 높고 강인하며 내열성이 뛰어난 경화 피막을 형성하는 것이 좋고, 투명성이 뛰어나고, 경화의 편차가 적은 부가 중합형이 좋다.
예를 들면, 3-메틸-1,2,3,6-테트라히드로 무수 프탈산, 메틸-3,6-엔도메틸렌-1,2,3,6-테트라히드로 무수 프탈산, 1,2,4,5-벤젠테트라카르복시산 2무수물, 3,3', 4,4'-벤조페논테트라카르복시산 2무수물 등의 산무수물계 경화제가 바람직하다. 또한, 산무수물의 반응(개환)을 촉진하는 반응 촉진제로서 1,6-헥산디올 등 분자량이 커서 휘발하기 어려운 알코올류를 첨가함으로써 저온 경화하기 쉬워진다. 이들의 경화는 60∼100℃ 범위의 가열로 행해지고, 그 경화 피막은 에스테르 결합을 갖는 고분자로 된다.
또한, 산무수물의 개환을 촉진하는 경화 촉진제로서, 방향족 아민이나 알코올류, 아미노페놀 등의 비교적 분자량이 큰 것을 첨가함으로써 저온에서 단시간에 경화가 가능해진다.
경화 시간을 단축하기 위하여 잘 사용되는 양이온 방출 타입의 광중합 개시제는 착색이나 급격한 경화 수축을 발생하기 때문에 바람직하지 않지만, 가스 배리어층(30)과의 밀착성을 향상시키는 실란 커플링제나, 이소시아네이트 화합물 등의 보수제(補水劑), 경화 시의 수축을 막는 미립자 등의 첨가제가 혼입되어 있어도 된다.
이들 원료마다의 점도는 1000mPa·s(실온 : 25℃) 이상이 바람직하다. 도포 직후에 발광층(60)에 침투하여, 다크 스폿이라고 불리는 비발광 영역을 발생시키지 않기 위함이다. 또한, 이들 원료를 혼합한 완충층 형성 재료의 점도로서는, 500∼20000mPa·s, 특히 2000∼10000mPa·s(실온)가 바람직하다.
또한, 유기 완충층(210)의 막두께로서는, 3∼10μm가 바람직하다. 유기 완충층(210)의 막두께가 3μm 이상이면, 이물이 혼입된 경우라도 가스 배리어층(30)의 결함 발생을 방지할 수 있기 때문이다.
또한, 경화 후의 특성으로서는, 유기 완충층(210)의 탄성률이 1∼10GPa인 것이 바람직하다. 10GPa 이상에서는 유기 격벽층(221) 위를 평탄화했을 때의 응력을 흡수할 수 없고, 1GPa 이하에서는 내마모성이나 내열성 등이 부족하기 때문이다.
또한, 유기 완충층(210)의 상층부에는, 도 2∼도 4에 나타낸 바와 같이, 발광층(60) 및 유기 격벽층(221), 음극(50)을 덮고, 또 밀봉층 중에서도 비교적 내수성이 부족한 유기 격벽층(221) 및 제1 음극 보호층(52)의 종단부까지 덮도록 넓은 범위로, 가스 배리어층(30)이 형성되어 있다.
가스 배리어층(30)은 산소나 수분이 침입하는 것을 방지하기 위한 것이며, 이에 의하여 산소나 수분에 의한 음극(50)이나 발광층(60)의 열화 등을 억제할 수 있다. 가스 배리어층(30)은 투명성, 가스 배리어성, 내수성을 고려하여, 바람직하게는 질소를 포함하는 규소 화합물, 즉 규소 질화물이나 규소 산질화물 등에 의해 형성된다.
가스 배리어층(30)의 성막법으로서는, 수증기 등의 가스를 차단하기 위하여 치밀하고 결함이 없는 피막으로 할 필요가 있고, 적합하게는 저온에서 치밀한 막을 형성할 수 있는 고밀도 플라스마 성막법을 이용하여 형성한다.
가스 배리어층(30)의 탄성률은 100GPa 이상, 구체적으로는 200∼250GPa 정도가 바람직하다. 또한, 상기의 제2 음극 보호층(54)과 동일한 탄성률을 갖는 재료로 형성해도 된다. 또한, 가스 배리어층(30)의 막두께는 200∼600nm 정도가 바람직하다. 200nm 미만이면, 이물에 대한 피복성이 부족하여 부분적으로 관통 구멍이 형성되어 버려, 가스 배리어성이 손상되어 버릴 우려가 있기 때문이며, 600nm를 초과하면, 응력에 의한 갈라짐이 생겨 버릴 우려가 있기 때문이다.
또한, 가스 배리어층(30)으로서는, 적층 구조로 해도 되고, 그 조성을 불균일하게 하여 특히 그 산소 농도가 연속적으로, 또는 비연속적으로 변화하는 구성으로 해도 된다.
또한, 본 실시 형태에서는 톱 에미션형으로 하고 있기 때문에, 가스 배리어층(30)은 투광성을 가질 필요가 있고, 따라서 그 재질이나 막두께를 적당히 조정 함으로써, 본 실시 형태에서는 가시광선 영역에서의 광선 투과율을 예를 들면 80% 이상으로 하고 있다.
여기서, 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)의 구조에 대하여 설명한다.
도 5는 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)를 나타낸 확대도이다.
유기 완충층(210)은 제2 음극 보호층(54) 위에 형성되고, 그 단부에서 제2 음극 보호층(54)의 표면과 접촉각 α로 접촉하고 있다. 여기서, 접촉각 α는 45°이하이며, 보다 바람직하게는 1°∼20°정도 이하인 것이 바람직하다.
이에 의하여 유기 완충층(210)의 상층에 형성되는 가스 배리어층(30)은 그 단부에 급격한 형상 변화가 없고, 완만하게 형상이 변화되므로, 응력 집중에 의한 크랙 등의 결함 발생이 방지된다. 따라서 장기간에 걸쳐, 밀봉 능력을 유지할 수 있게 된다.
도 3, 도 4로 돌아가, 가스 배리어층(30)의 상층부에는, 가스 배리어층(30)을 덮는 보호층(204)이 설치된다. 이 보호층(204)은 가스 배리어층(30) 측에 설치된 접착층(205)과 표면 보호 기판(206)으로 이루어진다.
접착층(205)은 가스 배리어층(30) 위에 표면 보호 기판(206)을 고정시키고, 또 외부로부터의 기계적 충격에 대하여 완충 기능을 갖고, 발광층(60)이나 가스 배리어층(30)의 보호를 하는 것이다. 그 접착층(205)에 표면 보호 기판(206)이 접착됨으로써 보호층(204)이 형성되어 있다. 접착층(205)은, 예를 들면 우레탄계, 아크릴계, 에폭시계, 폴리올레핀계 등의 수지이며, 표면 보호 기판(206)보다 유연하고 유리 전이점이 낮은 재료로 이루어지는 접착제에 의해 형성된 것이다. 또한, 투명 수지 재료가 바람직하다. 또한, 저온에서 경화시키기 위하여 경화제를 첨가하는 2액 혼합형의 재료에 의해 형성된 것이어도 된다.
또한, 이와 같은 접착층(205)에는 실란 커플링제 또는 알콕시실란을 첨가해 두는 것이 바람직하고, 이와 같이 하면 형성되는 접착층(205)과 가스 배리어층(30) 사이의 밀착성이 보다 양호해지고, 따라서 기계적 충격에 대한 완충 기능이 높아진 다.
또한, 특히 가스 배리어층(30)이 규소 화합물로 형성되어 있는 경우 등에는, 실란 커플링제나 알콕시실란에 의해 이 가스 배리어층(30)과의 밀착성을 향상시킬 수 있고, 따라서 가스 배리어층(30)의 가스 배리어성을 높일 수 있다.
표면 보호 기판(206)은 접착층(205) 위에 설치되어, 보호층(204)의 표면 측을 구성하는 것이며, 내압성이나 내마모성, 외부광 반사 방지성, 가스 배리어성, 자외선 차단성 등의 기능의 적어도 하나를 갖는 층이다.
표면 보호 기판(206)의 재질은 유리, DLC(다이아몬드 라이크 카본)층, 투명 플라스틱, 투명 플라스틱 필름이 채용된다. 여기서, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면 PET, 아크릴, 폴리카르보네이트, 폴리올레핀 등이 채용된다.
또한, 그 표면 보호 기판(206)에는 자외선 차단/흡수층이나 광반사 방지층, 방열층, 렌즈, 색파장 변환층이나 미러(mirror) 등의 광학 구조가 설치되어 있어도 된다. 또한, 컬러 필터 기능을 가져도 된다.
또한, EL 표시 장치(1)는 톱 에미션형이기 때문에, 표면 보호 기판(206), 접착층(205)을 모두 투광성의 것으로 할 필요가 있지만, 보텀 에미션형으로 할 경우에는 그럴 필요가 없다.
다음에, 본 실시 형태에 따른 EL 표시 장치(1)의 제조 방법의 일례를, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 도 6 및 도 7에 나타낸 각 단면도는 도 2 중의 A-B선의 단면도에 대응한 도면이다. 또한, 본 실시 형태에서는 발광 장치로서의 EL 표시 장치(1)가 톱 에미션형일 경우이며, 또한 기판(20)의 표면에 회로부(11)를 형 성시키는 공정에 대해서는, 종래 기술과 다르지 않으므로 설명을 생략한다.
우선, 도 6(a)에 나타낸 바와 같이, 표면에 회로부(11)가 형성된 기판(20)의 전면(全面)을 덮도록, 화소 전극(23)이 되는 도전막을 형성하고, 또한 이 투명 도전막을 패터닝함으로써, 제2 층간 절연층(284)의 컨택트 홀(23a)을 거쳐 드레인 전극(244)과 도통하는 화소 전극(23)을 형성함과 동시에, 더미 영역의 더미 패턴(26)도 형성한다.
또한, 도 3, 도 4에서는 이들 화소 전극(23), 더미 패턴(26)을 총칭하여 화소 전극(23)이라 하고 있다. 더미 패턴(26)은 제2 층간 절연층(284)을 거쳐 하층의 메탈 배선에 접속하지 않는 구성으로 된다. 즉, 더미 패턴(26)은 섬 형상으로 배치되어, 실표시 영역에 형성되어 있는 화소 전극(23)의 형상과 거의 동일한 형상을 갖는다. 물론, 표시 영역에 형성되어 있는 화소 전극(23)의 형상과 다른 구조여도 된다. 또한, 이 경우, 더미 패턴(26)은 적어도 구동 전압 도통부(310, 340)의 위쪽에 위치하는 것도 포함하는 것으로 한다.
그 다음에, 도 6(b)에 나타낸 바와 같이, 화소 전극(23), 더미 패턴(26) 위, 및 제2 층간 절연막 위에 절연층인 친액성 제어층(25)을 형성한다. 또한, 화소 전극(23)에서는 일부가 개구(開口)하는 태양으로 친액성 제어층(25)을 형성하고, 개구부(25a)(도 3 참조)에서 화소 전극(23)으로부터의 정공 이동이 가능하게 되어 있다. 반대로, 개구부(25a)를 설치하지 않은 더미 패턴(26)에서는, 절연층(친액성 제어층)(25)이 정공 이동 차폐층이 되어 정공 이동이 생기지 않는 것으로 되어 있다. 계속하여, 친액성 제어층(25)에서, 다른 2개의 화소 전극(23)의 사이에 위치 하여 형성된 오목형부에 도시되지 않은 BM(블랙 매트릭스)을 형성한다. 구체적으로는, 친액성 제어층(25)의 오목형부에 대하여, 금속 크롬을 사용하여 스퍼터링법으로 성막한다.
그리고 도 6(c)에 나타낸 바와 같이, 친액성 제어층(25)의 소정 위치, 상세히는 상기한 BM을 덮도록 유기 격벽층(221)을 형성한다.
구체적인 유기 격벽층의 형성 방법으로서는, 예를 들면 아크릴계, 이미드계 재료 등의 레지스트를 용매에 용해한 것을 스핀 코팅법, 딥 코팅법 등의 각종 도포법에 의해 도포하여 유기 수지층을 형성한다. 또한, 유기 수지층의 구성 재료는 후술하는 잉크의 용매에 용해하지 않고, 게다가 에칭 등에 의해 패터닝하기 쉬운 것이면 어떤 것이어도 좋다.
또한, 유기 수지층을 포토리소그래피 기술, 에칭 기술을 이용하여 패터닝하고, 유기 수지층에 개구부(221a)를 형성함으로써, 개구부(221a)에 벽면을 갖는 유기 격벽층(221)을 형성한다. 여기서, 개구부(221a)를 형성하는 벽면에 대하여, 기체(200) 표면에 대한 각도를 110도 이상 170도 이하가 되도록 형성한다.
또한, 이 경우, 유기 격벽층(221)은 적어도 구동 제어 신호 도통부(320)의 위쪽에 위치하는 것을 포함하는 것으로 한다.
그 다음에, 유기 격벽층(221)의 표면에 친액성을 나타내는 영역과, 발액성을 나타내는 영역을 형성한다. 본 실시 형태에서는 플라스마 처리에 의해 각 영역을 형성한다. 구체적으로는, 플라스마 처리를 예비 가열 공정과, 유기 격벽층(221)의 상면 및 개구부(221a)의 벽면 및 화소 전극(23)의 전극면(23c), 친액성 제어층(25) 의 상면을 각각 친액성으로 하는 친잉크화 공정과, 유기 격벽층(221)의 상면 및 개구부(221a)의 벽면을 발액성으로 하는 발잉크화 공정과, 냉각 공정으로 구성한다.
그 다음에, 정공 수송층 형성 공정에 의해 정공 수송층(70)의 형성을 행한다. 이 정공 수송층 형성 공정에서는, 예를 들면 잉크젯법 등의 액적 토출법이나, 스핀 코팅법 등에 의해, 정공 수송층 재료를 전극면(23c) 위에 도포하고, 그 후 건조 처리 및 열처리를 행하여, 전극(23) 위에 정공 수송층(70)을 형성한다.
그 다음에, 발광층 형성 공정에 의해 발광층(60)의 형성을 행한다. 이 발광층 형성 공정에서는, 예를 들면 잉크젯법에 의해 발광층 형성 재료를 정공 수송층(70) 위에 토출하고, 그 후 건조 처리 및 열처리를 행함으로써, 유기 격벽층(221)에 형성된 개구부(221a) 내에 발광층(60)을 형성한다. 이 발광층 형성 공정에서는, 정공 수송층(70)의 재용해를 방지하기 위하여, 발광층 형성 재료에 사용하는 용매로서, 정공 수송층(70)에 대하여 불용인 무극성 용매를 사용한다.
그 다음에, 도 6(d)에 나타낸 바와 같이, 음극층 형성 공정에 의해 음극(50)의 형성을 행한다. 이 음극층 형성 공정에서는, 예를 들면 이온 도금법 등의 물리 기상 성장법에 의해 ITO를 성막하여, 음극(50)으로 한다. 이때, 이 음극(50)에 대해서는, 발광층(60)과 유기 격벽층(221)의 상면을 덮는 것은 물론, 유기 격벽층(221)의 외측부를 형성하는 벽면에 대해서도 이것을 덮은 상태가 되도록 형성한다.
다음에 도 7(a)에 나타낸 바와 같이, 음극(50) 위에 제1 음극 보호층(52) 및 제2 음극 보호층(54)을 형성한다.
예를 들면, Mg, Zn, Al, Ag 등의 무기 재료, 또는 투명 무기 재료로서의 SiO2 등의 무기 산화물이나 LiF나 MgF2 등의 알칼리 할라이드를 진공 증착법이나 고밀도 플라스마 성막법에 의해 50∼200nm 정도의 막두께로 성막한다.
그 다음에, 규소 질화물 등의 질소를 포함하는 규소 화합물 등의 무기 화합물을 ECR 스퍼터링법이나 이온 도금법 등의 고밀도 플라스마 성막법에 의해 10∼50nm 정도의 막두께로 성막한다.
또한, 제1 음극 보호층(52) 및 제2 음극 보호층(54)은 동일한 프로세스 체임버 내에서, 동일한 마스크를 사용하여, 연속적으로 성막할 수 있다. 이와 같이 하면, 제1 음극 보호층(52) 및 제2 음극 보호층(54)의 성막을 효율적으로 행할 수 있다.
다음에, 도 7(b)에 나타낸 바와 같이, 유기 완충층(210)을 스크린 인쇄법에 의해, 제2 음극 보호층(54) 위에 도포한다. 이때, 기포를 원인으로 하는 막결함이 발생되지 않도록 100∼10000Pa 범위의 감압 분위기하에서 도포한다.
여기서, 유기 완충층(210)을 감압 분위기하에서 스크린 인쇄하는 순서를 상세히 설명한다.
도 8은 스크린 인쇄법을 공정 순으로 나타낸 도면이다.
스크린 인쇄법은 감압 분위기하에서 도포가 가능한 방법이기 때문에 비교적 중∼고점도의 도포액의 사용을 장점으로 하는 방식이다. 특히, 스크린 인쇄법은 스퀴지의 가압 이동에 의해 도포 제어가 간편하고, 스크린 메시의 사용에 의해 막 두께 균일성 및 패터닝성이 뛰어나다는 이점을 갖고 있다.
최초로, 도 8(a)에 나타낸 바와 같이, 제1 음극 보호층(52) 및 제2 음극 보호층(54)까지 형성한 기체(200)를 제1 기판 반송실(도시되지 않음)에 반입하고, 제1 기판 반송실 내 및 인쇄실(도시되지 않음) 내를 소정의 압력으로 조정한 후에, 기체(200)를 인쇄실 내에 반입한다.
그리고 도 8(b)에 나타낸 바와 같이, 스크린 메시(551)에 대하여 위치 맞춤한다. 여기서, 스크린 메시(551)의 비도포부에는 재료를 도포하지 않는 부분을 피복하는 발액성의 유제(乳劑) 경화층(551n)이 형성되어 있다.
또한, 스크린 메시(551)의 패턴 형상은 유기 완충층(210)의 주연부를 소정 형상(예를 들면, 파(波)형상)으로 형성하기 위한 형(型)이 형성된 것으로 되어 있다.
다음에, 기체(200)를 위치 맞춤한 후, 스테이지(도시되지 않음) 위에 유지한다. 기체(200)를 스테이지에 유지하는 방법으로서는, 예를 들면 진공 흡착을 이용할 수 있다.
그리고 도 8(c)에 나타낸 바와 같이, 제1회째의 압력 조정 공정으로서, 스크린 메시(551) 위에 완충층 재료를 적하하기 전에, 인쇄실 내를 10∼1000Pa의 압력으로 조정한다.
다음에, 도 8(d)에 나타낸 바와 같이, 스크린 메시(551)의 일단(一端)(유제 경화층(551n) 위)에 경화 전의 완충층 재료(K)를 디스펜서 노즐 등에 의해 소정량 적하한다.
완충층 재료(K)에는, 상기한 바와 같이 에폭시 모노머/올리고머 재료에 경화제, 반응 촉진제를 혼합한 재료를 사용한다. 이들 재료는 도포 전에 혼합하고 나서 사용되지만, 혼합 후의 점도로서는 실온(25℃)에서 500∼20000mPa·s의 점도 범위인 것이 좋다. 이보다도 점도가 낮을 경우에는 스크린 메시(551)로부터의 액 떨어짐이나 유제 경화층(551n) 위로의 비어져 나옴이 생겨, 막두께 안정성이나 패터닝성이 나빠진다. 또한, 이보다도 점도가 높을 경우에는 평탄성이 나빠지기 때문에 메시 흔적이 잔류하고, 또 메시 이탈 시에 말려 들어가는 기포가 크게 성장하기 때문에, 크레이터(crater) 형상이 발생하기 쉽고, 소포 공정 후에도 기포가 잔류하기 쉬워진다.
또한, 완충층 재료(K)의 점도로서는, 특히 2000∼10000mPa·s의 범위인 것이 바람직하다. 점도를 10000mPa·s보다도 낮게 함으로써 기포의 잔류를 더욱 억제할 수 있다. 또한, 1000mPa·s보다도 높게 함으로써 스크린 인쇄 공정에서 기포가 터지기 어렵고, 그래서 크레이터 형상의 결함이 생기기 어려워진다. 이것에 의해, 균일한 막을 얻을 수 있게 된다. 또한, 후술하는 바와 같이, 다크 스폿의 발생을 확실히 억제할 수 있다. 따라서 재료의 실온 점도를 상기한 바와 같이 설정함으로써 완충층의 형상 유지, 표면의 평탄화, 기포의 극미소화, 측면 단부의 저각도화를 확실히 실현할 수 있고, 다크 스폿의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 유기 완충층(210)의 막두께는 평탄화와, 요철에 의해 생기는 응력의 완화를 실현할 수 있도록 유기 격벽층(221)의 높이보다도 두텁게 할 필요가 있고, 상기한 바와 같이 3∼10μm 정도가 바람직하다. 이들의 점도와 막두께 제어는 접 촉각의 형성에도 영향을 주고, 종단부의 각도 20°이하를 달성하기 위해서도 중요하다. 응력은 없는 것이 바람직하지만, 약간 인장 응력이 생겨도 된다. 극히 응력을 적게 하기 위하여, 비교적 밀도가 낮은 다공질막인 것이 바람직하고, 상기한 바와 같이, 탄성률은 1∼10GPa의 범위가 적합하다.
다음에, 도 8(e)에 나타낸 바와 같이, 스퀴지(553)를 스크린 메시(551) 위에 한변 측에서 다른 단 측으로 이동시켜, 완충층 재료(K)를 스크린 메시(551) 위에 펼치면서, 기체(200) 위에 압입하여 패턴을 전사한다. 또한, 스크린 메시(551)를 기체(200) 위에 배치했을 때, 스크린 메시(551)가 기체(200)에 완전히 접촉하고 있어도 되고, 간격이 1mm 정도 비어 있어도 된다. 간격이 비어 있는 경우에도 스퀴지(553)로 재료를 압입한 후는, 재료를 거쳐 스크린 메시(551)와 기체(200)는 실질적으로 접촉하게 되어, 컨택트 방식의 스크린 인쇄가 된다. 따라서 후술하는 스크린 메시의 박리 공정이 필요하다.
또 이때, 완충층 재료(K)가 롤링하면서 도포되기 때문에, 재료 중에 기포가 혼입한다. 그 때문에 도 8(f)에 나타낸 바와 같이, 제2회째의 압력 조정 공정으로 인쇄실 내를 2000∼5000Pa의 압력으로 조정한 후에 소정 시간 유지하여, 기포를 제거한다. 즉, 인쇄실 내에의 질소 가스의 퍼지에 의해 제1회째의 조정 압력인 10∼1000Pa로부터 2000∼5000Pa로 압력을 올린다. 이 기포는 진공 기포이기 때문에, 압력을 올림으로써 기포를 터트려 소멸시킬 수 있다.
다음에, 도 8(g)에 나타낸 바와 같이, 기체(200)로부터 스크린 메시(551)를 박리한다. 이때, 도시하지 않았지만, 예를 들면 기체(200)의 한변 측에서 스퀴 지(553)를 스테이지에 누른 상태로 스테이지를 하강시켜, 스크린 메시(551)로부터 스테이지를 이간시키면, 스퀴지(553)를 누른 개소가 지점(支點)이 되어 반대측의 변으로부터 스크린 메시(551)의 박리가 시작된다. 실제로 스크린 메시(551)의 박리 동작을 행할 때에는, 특히 인쇄실 내의 압력을 3000∼4000Pa로 조정하는 것이 바람직하다. 그 이유는 박리 시에는 기체(200)가 스크린 메시(551)에 끌어 당겨져, 스테이지로부터 기체(200)를 떼려고 하는 큰 힘이 가해지지만, 이 시점에서 인쇄실 내의 압력이 3000∼4000Pa 이상이면, 진공 흡착에 의해 기체(200)가 스테이지 위에 확실히 고정되어, 스크린 메시(551)의 박리를 지장 없이 행할 수 있기 때문이다.
그 후, 도 8(h)에 나타낸 바와 같이, 스테이지의 하강을 계속하여, 스크린 메시(551)가 기체(200)로부터 완전히 벗어났을 때 박리가 종료된다.
다음에, 도 8(i)에 나타낸 바와 같이, 완충층 재료(K)의 인쇄가 종료된 기체(200)를 제2 기판 반송실에 반입한 후, 도 8(j)에 나타낸 바와 같이, 기체(200)를 제2 기판 반송실 내에 유지한 상태에서, 제3회째의 조정 압력으로서 제2 기판 반송실 내를 대기압으로 한 후에 소정 시간 유지하여, 기포를 제거한다. 즉, 제2 기판 반송실 내로의 질소 가스의 퍼지에 의해 제2 기판 반송실 내를 대기압으로 하여, 기판 주위의 분위기를 제2회째의 조정 압력인 2000∼5000Pa로부터 대기압까지 상승시킨다.
다음에, 도 8(k)에 나타낸 바와 같이, 기체(200)를 제2 기판 반송실로부터 가열실로 반입한 후, 질소 가스 분위기하에서 완충층 재료(K)에 60∼100℃의 가열 처리를 실시한다. 이에 의하여 완충층 재료(K)가 경화한다. 이와 같은 경화 공정을 실시함으로써, 경화 전의 완충층 재료(K)에 포함되는 에폭시 모노머/올리고머 재료와 경화제, 반응 촉진제가 반응하여, 에폭시 모노머/올리고머가 3차원 가교하여, 폴리머의 에폭시 수지가 형성된다.
또한, 가열 처리를 실시함으로써, 이와 같은 경화 현상이 생길 뿐만 아니라, 완충층 재료(K)의 측면 단부의 형상이 바뀌어 종단부의 각도가 20°이하(도 5 참조)로 되어, 최종적인 유기 완충층(210)의 형상이 된다.
도 7(c)로 돌아가, 유기 완충층(210)을 덮어, 가스 배리어층(30)을 형성한다. 가스 배리어층(30)은 감압하의 고밀도 플라스마 성막법 등에 의해 형성되는, 주로 규소 질화물 또는 규소 산질화물로 이루어지는 투명한 박막이 바람직하다. 또한, 작은 분자의 수증기를 완전히 차단하기 위하여 치밀성을 갖게 하고, 약간의 압축 응력을 갖는 것이 바람직하다. 바람직한 막밀도는 2.3g/cm3 이상, 탄성률은 100GPa 이상, 막두께는 무기 완충층과 합하여 1000nm 이하로 하는 것이 바람직하고, 20∼600nm가 적합하다.
또한, 가스 배리어층(30)의 구체적인 형성 방법으로서는, 앞서 스퍼터링법이나 이온 도금법 등의 물리 기상 성장법으로 성막을 행하고, 계속하여 플라스마 CVD법 등의 화학 기상 성장법으로 성막을 행해도 된다. 스퍼터링법이나 이온 도금법 등의 물리 기상 성장법은 유해한 원료 가스를 사용하지 않고 일반적으로 이질의 기판 표면에 대하여도 비교적 밀착성이 좋은 치밀한 막이 얻어지고, 한편 화학 기상 성장법으로는 성막 속도가 빠르고, 응력이 적고 스텝 커버리지성이 뛰어난 결함이 적고 치밀하며 양호한 막질의 것이 얻어진다. 이들 방법은 양산성을 고려하여 적시에 선택할 수 있다.
또한, 가스 배리어층(30)의 형성에 대해서는, 상기한 바와 같이 동일의 재료에 의해 단층으로 형성해도 되고, 또 다른 재료로 복수의 층으로 적층하여 형성해도 되고, 또는 단층으로 형성하지만, 그 조성을 막두께 방향으로 연속적 또는 비연속적으로 변화시키도록 형성해도 된다.
그 다음에, 가스 배리어층(30) 위에 접착층(205)과 표면 보호 기판(206)으로 이루어지는 보호층(204)을 설치한다(도 3, 도 4 참조). 접착층(205)은 스크린 인쇄법이나 슬릿 코팅법 등에 의해 가스 배리어층(30) 위에 거의 균일하게 도포되고, 그 위에 표면 보호 기판(206)이 접착된다.
이와 같이 가스 배리어층(30) 위에 보호층(204)을 설치하면, 표면 보호 기판(206)이 내압성이나 내마모성, 광반사 방지성, 가스 배리어성, 자외선 차단성 등의 기능을 갖고 있음으로써, 발광층(60)이나 음극(50), 또는 가스 배리어층도 이 표면 보호 기판(206)에 의해 보호할 수 있고, 따라서 발광 소자의 장수명화를 도모할 수 있다.
또한, 접착층(205)이 기계적 충격에 대하여 완충 기능을 발휘하므로, 외부로부터 기계적 충격이 가해졌을 경우에, 가스 배리어층(30)이나 이 내측의 발광 소자에의 기계적 충격을 완화하여, 이 기계적 충격에 의한 발광 소자의 기능 열화를 방지할 수 있다.
이상과 같이 하여 EL 표시 장치(1)가 형성된다.
(제2 실시 형태)
이하, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 EL 표시 장치(2)에 대하여 설명한다. 또한, 본 실시 형태에서는 제1 실시 형태와 동일 구성에는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
도 9는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 EL 표시 장치(2)의 단면 구조를 나타낸 모식 단면도이다. 도 10은 EL 표시 장치(2)에서의 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)를 나타낸 확대도이다.
EL 표시 장치(2)는 발광층으로서 백색으로 발광하는 백색 발광층(60W)을 채용한 것, 및 표면 보호 기판으로서 컬러 필터 기판(207)을 채용한 것이, 제1 실시 형태의 EL 표시 장치(1)와 상위하고 있다.
백색 유기 발광 재료로서는, 스티릴아민계 발광 재료, 안트라센계 도파민(청색), 또는 스티릴아민계 발광 재료, 루브렌계 도파민(황색)이 사용된다.
또한, 백색 발광층(60W)의 하층 또는 상층에, 트리아릴아민(ATP) 다량체 정공 주입층, TDP(트리페닐디아민)계 정공 수송층, 알루미늄 퀴놀리놀(Alq3)층(전자 수송층), LiF 층(전자 주입 버퍼층)을 성막하는 것이 바람직하다.
또한, 제1 실시 형태의 EL 표시 장치(1)와 같이, 발광층(60)을 R, G, B마다 구분할 필요가 없으므로, 백색 발광층(60W)이 유기 격벽층(221)을 올라타도록 각 화소 전극(23) 위에 형성되어 있어도 된다.
그리고 백색 발광층(60W) 위에는 음극(50), 제1 음극 보호층(52) 및 제2 음극 보호층(54)이 형성된다.
또한, 유기 격벽층(221)의 상면에 알루미늄 등의 금속 재료로 이루어지는 보조 전극(64)을 배치해도 된다. 보조 전극(64)은 음극(50)보다도 낮은 저항값을 갖고, 음극(50)의 도중 부위를 전기적으로 접속함으로써, 저항값이 높은 음극(50)의 전압 강하를 방지하는 것이다.
또한, 컬러 필터 기판(207)은 기판 본체(207A) 위에 적색 착색층(208R), 녹색 착색층(208G), 청색 착색층(208B), 및 블랙 매트릭스(209)가 형성된 것이다. 그리고 착색층(208R, 208G, 208B), 및 블랙 매트릭스(209)의 형성면이 접착층(205)을 거쳐 기체(200)를 향하여 대향 배치되어 있다. 또한, 기판 본체(207A)의 재질은 제1 실시 형태의 표면 보호 기판(206)과 동일한 것을 채용할 수 있다.
또한, 착색층(208R, 208G, 208B)의 각각은 화소 전극(23) 위의 백색 발광층(60W)에 대향하여 배치되어 있다. 이에 의하여 백색 발광층(60W)의 발광 광이 착색층(208R, 208G, 208B)의 각각을 투과하여, 적색광, 녹색광, 청색광의 각 색광으로서 관찰자 측으로 출사하도록 되어 있다.
이와 같이, EL 표시 장치(2)에서는, 백색 발광층(60W)의 발광 광을 이용하여, 또 복수 색의 착색층(208)을 갖는 컬러 필터 기판(207)에 의해 컬러 표시를 행하도록 되어 있다.
또한, 착색층(208R, 208G, 208B)과 백색 발광층(60W)의 거리는 백색 발광층(60W)의 발광 광이 대향하는 착색층에만 출사하도록, 가능한 한 짧은 거리로 할 것이 요구된다. 이것은 그 거리가 길 경우에는 백색 발광층(60W)의 발광 광이 인접하는 착색층에 대하여 출사될 가능성이 높아지기 때문이며, 이것을 억제하기 위하여 그 거리를 짧게 하는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 절연층(284)의 표면으로부터 컬러 필터 기판(207)까지의 간격을 15μm 정도로 하는 것이 바람직하다. 이에 의하여 백색 발광층(60W)의 발광 광은 대향하는 착색층에만 출사하게 되어, 인접하는 착색층에 발광 광이 누설되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의하여 혼색을 억제할 수 있다.
또한, 단색의 백색 발광층(60W)을 이용하고 있으므로, R, G, B마다 발광층을 구분하여 형성할 필요가 없다. 구체적으로는, 저분자계의 백색 발광층을 형성하는 마스크 증착 공정이나, 고분자계의 백색 발광층을 형성하는 액적 토출 공정 등에서, 1종류의 백색 발광층을 1공정으로만 형성해도 되므로, R, G, B마다의 발광층을 구분하여 형성할 경우와 비교하여 제조 공정이 용이해진다. 또한, 각 발광층(60)의 수명의 편차를 억제할 수 있다.
또한, EL 표시 장치(2)에서도, 도 10에 나타낸 바와 같이, 유기 완충층(210)은 제2 음극 보호층(54) 위에 형성되고, 그 종단부에서 제2 음극 보호층(54)의 표면과 접촉각 α로 접촉하고 있다. 여기서, 접촉각 α는 45°이하이며, 보다 바람직하게는 1°∼20°정도 이하이다.
이에 의하여 유기 완충층(210)의 상층에 형성되는 가스 배리어층(30)은 그 단부에 급격한 형상 변화가 없고, 완만하게 형상이 변화되므로, 응력 집중에 의한 크랙 등의 결함 발생이 방지된다. 따라서 장기간에 걸쳐, 밀봉 능력을 유지할 수 있게 된다.
또한, 층간 절연막(292) 위에 배치된 평탄화 절연막(294)의 단부도 접촉각 β가 45°이하로 되어 있어, 평탄화 절연막(294) 위에 형성되는 제1 음극 보호층(52) 및 제2 음극 보호층(54)의 형상이 완만하게 변화되도록 형성되어 있다.
이에 의하여 평탄화 절연막(294)의 상층에 형성되는 제1 음극 보호층(52) 및 제2 음극 보호층(54)은 응력 집중에 의한 크랙 등의 결함 발생이 방지된다.
[실시예]
다음에, 음극(50) 위에 제1 음극 보호층(52) 및 제2 음극 보호층(54)이 형성된 경우에 있어서의 결함 발생의 유무에 대하여 설명한다.
도 11은 약 3μm의 단차를 갖는 유기 격벽층(221)과, 그들을 피복하는 다층으로 이루어지는 발광층(60), 마그네슘-은합금 10nm로 이루어지는 음극(50) 위에, 제1 음극 보호층(52)을 설치한 경우에 있어서의 결함 발생의 유무를 나타낸 도면이다.
구체적으로는, 제1 음극 보호층(52)을 각종 재료에 의해 형성하고, 또 제2 음극 보호층(54), 유기 완충층(210), 가스 배리어층(30)을 적층한 경우에, 음극(50) 또는 제2 음극 보호층(54)에 결함이 발생했는지의 여부를 비교했다. 특히, 발광층(60, 60W) 부근(단차 부분)에서, 음극(50) 또는 제2 음극 보호층(54)에 박리나 크랙이 발생하는지의 여부를 관찰한 것이다.
또한, 제2 음극 보호층(54)은 규소 산질화물(SiOxNy)에 의해 형성했다.
도 11에 나타낸 바와 같이, 제1 음극 보호층(52)으로서, LiF나 MgF2 등의 알칼리 할라이드, 또는 Mg, Zn, Al, Ag, SiO2 등의 무기 재료를 사용했을 경우에는, 발광층(60, 60W) 부근에서, 음극(50) 또는 제2 음극 보호층(54)에 박리, 크랙, 발광 이상 등의 결함은 보이지 않았다. 이들 재료는 어느 것이나 탄성률이 10∼100GPa이다.
한편, 제1 음극 보호층(52)으로서, Ti, Pt, MgO, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 등의 무기 재료를 사용했을 경우에는, 발광층(60, 60W) 부근에서, 음극(50) 또는 제2 음극 보호층(54)에 박리, 크랙, 발광 화소 시링크(shrink) 등의 결함이 발견되었다. 이들 재료는 어느 것이나 탄성률이 100GPa 이상이다.
이와 같이, 음극(50) 위에, 탄성률이 낮은 제1 음극 보호층(52), 탄성률이 높은 제2 음극 보호층(54)을 형성함으로써 제조 프로세스 공정 중, 특히 유기 완충층(210)의 형성 공정 중에서, 발광층(60, 60W) 부근에서의 음극(50) 또는 제2 음극 보호층(54)의 결함 발생을 용이하게 방지할 수 있다.
또한, 상기의 EL 표시 장치(1, 2)의 실시 형태에서는 톱 에미션형을 예로 하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 보텀 에미션형에도, 또 양측에 발광 광을 출사하는 타입의 것에도 적용할 수 있다.
또한, 보텀 에미션형, 또는 양측으로 발광 광을 출사하는 타입의 것으로 한 경우, 기체(200)에 형성하는 스위칭용 TFT(112)나 구동용 TFT(123)에 대해서는, 발광 소자의 바로 아래가 아니고, 친액성 제어층(25) 및 유기 격벽층(221)의 바로 아 래에 형성하도록 하여, 개구율을 높이는 것이 바람직하다.
또한, EL 표시 장치(1, 2)에서는, 제1 전극을 양극으로서 기능시키고, 제2 전극을 음극으로서 기능시켰지만, 이들을 반대로 하여 제1 전극을 음극, 제2 전극을 양극으로서 각각 기능시키도록 구성해도 된다. 단, 그 경우에는 발광층(60)과 정공 수송층(70)의 형성 위치를 바꿀 필요가 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 발광 장치에 EL 표시 장치(1, 2)를 적용한 예를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 기본적으로 제2 전극이 기체의 외측에 설치되는 것이면, 어떤 형태의 발광 장치에도 적용할 수 있다.
또한, EL 표시 장치(1, 2)에서의 제1 음극 보호층(52), 제2 음극 보호층(54), 유기 완충층(210), 가스 배리어층(30) 등의 탄성률을 측정하는 방법으로서는, 예를 들면 나노인덴테이션법을 이용할 수 있다.
나노인덴테이션법은 압자를 고정밀도로 제어하면서 시료에 압입하고, 하중-변위 곡선의 해석으로부터, 경도나 탄성률 등의 역학적 성질을 정량적으로 측정하는 방법이다. 특히, 종래 곤란했던 박막 시료의 측정이 가능하고, 또한 간편하고 높은 재현성을 가지므로, 제1 음극 보호층(52) 등의 탄성률의 측정에 적합하게 사용할 수 있다.
다음에, 본 발명의 전자 기기에 대하여 설명한다.
전자 기기는 상기의 EL 표시 장치(1, 2)를 표시부로서 갖는 것이며, 구체적으로는 도 12에 나타낸 것을 들 수 있다.
도 12(a)는 휴대 전화의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 12(a)에서 휴대 전 화(1000)는 상기의 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1001)를 구비한다.
도 12(b)는 손목 시계형 전자 기기의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 12(b)에서, 시계(전자 기기)(1100)는 상기의 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1101)를 구비한다.
도 12(c)는 워드프로세서, 퍼스널 컴퓨터 등의 휴대형 정보처리 장치의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 12(c)에서 정보처리 장치(1200)는 키보드 등의 입력부(1202), 상기의 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1206), 정보처리 장치 본체(케이싱)(1204)를 구비한다.
도 12(d)는 박형 대화면 텔레비전의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 12(d)에서 박형 대화면 텔레비전(1300)은 박형 대화면 텔레비전 본체(케이싱)(1302), 스피커 등의 음성 출력부(1304), 상기의 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1306)를 구비한다.
도 12(a)∼(d)에 나타낸 각각의 전자 기기는 상기의 EL 표시 장치(1, 2)를 갖는 표시부(1001, 1101, 1206, 1306)를 구비하고 있으므로, 표시부의 장수명화가 도모된 것으로 된다.
또한, 도 12(d)에 나타낸 박형 대화면 텔레비전(1300)은 면적에 관계없이 표시부를 밀봉할 수 있는 본 발명을 적용했으므로, 종래와 비교하여 대면적(예를 들면, 대각 20인치 이상)의 표시부(1306)를 구비하는 것으로 된다.
또한, EL 표시 장치(1, 2)를 표시부로서 구비하는 경우에 한하지 않고, 발광부로서 구비하는 전자 기기여도 된다. 예를 들면, EL 표시 장치(1)를 노광 헤드 (라인 헤드)로서 구비하는 페이지 프린터(화상 형성 장치)여도 된다.
본 발명에서는 음극층의 박리나 크랙의 발생을 방지할 수 있는 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기를 제공할 수 있다.

Claims (18)

  1. 기체 위에,
    복수의 제1 전극과,
    상기 제1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 화소 격벽과,
    적어도 상기 개구부에 배치되는 유기 기능층과,
    상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제2 전극과,
    상기 제2 전극을 덮는 제1 무기층과,
    상기 제1 무기층을 덮는 제2 무기층과,
    상기 제2 무기층을 덮는 유기 완충층과,
    상기 유기 완충층을 덮는 가스 배리어층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극은 투명성을 갖는 금속 박막 또는/및 금속 산화물 도전막으로 이루어지고, 제1 무기층 및 제2 무기층은 절연성의 무기 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 무기층은 상기 제2 무기층보다도 탄성률이 낮은 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 무기층은 상기 유기 완충층보다도 탄성률이 높은 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 무기층은 탄성률이 10∼100GPa인 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 무기층의 막두께는 상기 제2 무기층보다도 두텁고, 또 상기 유기 완충층보다도 얇은 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 무기층은 유기 기능층, 화소 격벽 및 제2 전극 모두를 피복하도록 보다 넓은 범위를 덮고, 종단부는 가스 배리어층으로 피복되도록 가스 배리어층보다도 좁은 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 무기층은 무기 산화물 또는 알칼리 할라이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 무기층과 상기 가스 배리어층은 거의 동일한 탄성률을 갖는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 유기 완충층은 에폭시 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 유기 완충층의 단부에서의 그 유기 완충층과 제2 무기층 사이의 각도는 20°이하로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
  12. 기체 위에,
    복수의 제1 전극을 형성하는 공정과,
    상기 제1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 화소 격벽을 형성하는 공정과,
    적어도 상기 개구부에 배치되는 유기 기능층을 형성하는 공정과,
    상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제2 전극을 형성하는 공정과,
    상기 제2 전극을 덮는 제1 무기층을 형성하는 공정과,
    상기 제1 무기층을 덮는 제2 무기층을 형성하는 공정과,
    상기 제2 무기층을 덮는 유기 완충층을 형성하는 공정과,
    상기 유기 완충층을 덮는 가스 배리어층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 무기층은 상기 제2 무기층보다도 탄성률이 낮은 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 제1 무기층은 상기 유기 완충층보다도 탄성률이 높은 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1 무기층은 탄성률이 10∼100GPa인 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1 무기층 및 상기 제2 무기층은 동일한 성막 장치 내에서 연속적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 유기 완충층은 감압 분위기하에서의 스크린 인쇄법에 의해 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
  18. 제1항에 기재된 발광 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 전자 기기.
KR1020060122824A 2005-12-08 2006-12-06 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기 KR101196728B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005354359A JP4539547B2 (ja) 2005-12-08 2005-12-08 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
JPJP-P-2005-00354359 2005-12-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070061381A true KR20070061381A (ko) 2007-06-13
KR101196728B1 KR101196728B1 (ko) 2012-11-07

Family

ID=38130974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060122824A KR101196728B1 (ko) 2005-12-08 2006-12-06 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8164258B2 (ko)
JP (1) JP4539547B2 (ko)
KR (1) KR101196728B1 (ko)
CN (1) CN1979886B (ko)
TW (1) TWI422268B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140064136A (ko) * 2012-11-19 2014-05-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20180062507A (ko) * 2016-11-30 2018-06-11 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 기판 및 이를 구비하는 표시 장치

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4329740B2 (ja) * 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
JP4631683B2 (ja) * 2005-01-17 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置、及び電子機器
US20080284690A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Sam Min Ko Organic light emitting display device
KR20100032908A (ko) * 2007-06-29 2010-03-26 파이오니아 가부시키가이샤 유기 반도체 디바이스 및 유기 반도체 디바이스의 제조방법
JP2009037811A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ装置の製造方法
JP2009037812A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ装置およびその製造方法
JP5162179B2 (ja) * 2007-07-31 2013-03-13 住友化学株式会社 発光素子およびその製造方法並びに照明装置
JP2009037799A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 発光素子およびその製造方法
JP5119865B2 (ja) * 2007-11-02 2013-01-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
JP2009117181A (ja) * 2007-11-06 2009-05-28 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP5163430B2 (ja) * 2008-01-09 2013-03-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR20090077425A (ko) * 2008-01-11 2009-07-15 엘지이노텍 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
JP4670875B2 (ja) * 2008-02-13 2011-04-13 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置
JP2009198703A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Sony Corp 液晶表示装置およびその製造方法
KR101308200B1 (ko) * 2008-05-06 2013-09-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100953658B1 (ko) * 2008-06-05 2010-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP5303199B2 (ja) * 2008-06-13 2013-10-02 ローム株式会社 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法
JP5024220B2 (ja) 2008-07-24 2012-09-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
US20100051973A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
JP5613998B2 (ja) * 2008-11-14 2014-10-29 セイコーエプソン株式会社 発光装置および、発光装置の製造方法
EP2178133B1 (en) 2008-10-16 2019-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible Light-Emitting Device, Electronic Device, and Method for Manufacturing Flexible-Light Emitting Device
US8350470B2 (en) * 2008-12-17 2013-01-08 General Electric Company Encapsulation structures of organic electroluminescence devices
JP5471774B2 (ja) * 2010-04-27 2014-04-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
KR101920445B1 (ko) * 2010-05-25 2018-11-20 삼성전자주식회사 발광 장치
JP4962630B2 (ja) * 2011-01-20 2012-06-27 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置
CN102856502A (zh) * 2011-06-28 2013-01-02 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR101900363B1 (ko) 2012-01-16 2018-09-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법
KR101286829B1 (ko) * 2012-05-31 2013-07-17 (주)티엠에스 광학투명접착필름 및 이를 이용한 전자기기
JP6135062B2 (ja) * 2012-08-07 2017-05-31 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器
KR101954220B1 (ko) 2012-09-14 2019-03-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 봉지 유닛, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102046157B1 (ko) * 2012-12-21 2019-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI613709B (zh) * 2013-02-20 2018-02-01 財團法人工業技術研究院 半導體元件結構及其製造方法與應用其之畫素結構
JP6139196B2 (ja) 2013-03-15 2017-05-31 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP6201411B2 (ja) 2013-05-14 2017-09-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
KR102079251B1 (ko) * 2013-05-21 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5575309B1 (ja) * 2013-08-05 2014-08-20 有限会社 ナプラ 集積回路装置
KR101907593B1 (ko) * 2013-08-13 2018-10-15 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
JP6169439B2 (ja) * 2013-08-21 2017-07-26 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP6253923B2 (ja) * 2013-08-30 2017-12-27 株式会社ジャパンディスプレイ タッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置
JP5649710B2 (ja) * 2013-11-06 2015-01-07 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
DE102014102569A1 (de) 2014-02-27 2015-08-27 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
TWI679560B (zh) * 2014-03-13 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板
US9698389B2 (en) 2015-03-05 2017-07-04 Seiko Epson Corporation Method of producing organic EL device
US9799713B2 (en) * 2015-07-23 2017-10-24 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with barrier layer
JP2017068928A (ja) 2015-09-28 2017-04-06 セイコーエプソン株式会社 有機発光装置および電子機器
KR102381647B1 (ko) * 2015-10-29 2022-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102491876B1 (ko) * 2015-11-16 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20180028850A (ko) * 2016-09-09 2018-03-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6444446B2 (ja) * 2017-04-27 2018-12-26 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
CN107565064B (zh) * 2017-07-28 2019-08-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板
KR101976832B1 (ko) * 2017-11-06 2019-05-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20190068315A (ko) * 2017-12-08 2019-06-18 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
WO2019130401A1 (ja) 2017-12-25 2019-07-04 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
WO2019163134A1 (ja) * 2018-02-26 2019-08-29 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
JP6704020B2 (ja) * 2018-08-07 2020-06-03 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP6750651B2 (ja) 2018-08-24 2020-09-02 セイコーエプソン株式会社 発光装置、および電子機器
KR20200046221A (ko) * 2018-10-23 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크
CN110518146B (zh) * 2019-08-30 2022-02-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构及显示面板
JP7081628B2 (ja) * 2020-08-06 2022-06-07 セイコーエプソン株式会社 発光装置、および電子機器
US11729909B2 (en) * 2021-07-20 2023-08-15 Honeywell Federal Manufacturing & Technologies, Llc Multi-layered diamond-like carbon coating for electronic components
CN114050222A (zh) * 2021-11-16 2022-02-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示基板的制作方法和显示装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
US5811177A (en) * 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
JP2848383B1 (ja) * 1997-11-26 1999-01-20 日本電気株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
US6146225A (en) * 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
JP3817081B2 (ja) * 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2000348859A (ja) * 1999-06-03 2000-12-15 Chisso Corp 有機ｅｌ素子
JP4004709B2 (ja) * 2000-03-30 2007-11-07 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法
JP2003017244A (ja) * 2001-07-05 2003-01-17 Sony Corp 有機電界発光素子およびその製造方法
KR100413450B1 (ko) * 2001-07-20 2003-12-31 엘지전자 주식회사 표시소자의 보호막 구조
JP4019690B2 (ja) 2001-11-02 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2004095551A (ja) * 2002-08-09 2004-03-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP3729262B2 (ja) * 2002-08-29 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
JP2004228034A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Shoen Kagi Kofun Yugenkoshi 有機エレクトロルミネッセンス装置のパッシベーションパッケージ構造及び方法
JP4138672B2 (ja) * 2003-03-27 2008-08-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
US7862906B2 (en) * 2003-04-09 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent element and light-emitting device
JP4449341B2 (ja) * 2003-05-16 2010-04-14 カシオ計算機株式会社 封止構造
JP4470421B2 (ja) 2003-09-04 2010-06-02 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
JP4561201B2 (ja) * 2003-09-04 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2005317476A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP4329740B2 (ja) 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140064136A (ko) * 2012-11-19 2014-05-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20180062507A (ko) * 2016-11-30 2018-06-11 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 기판 및 이를 구비하는 표시 장치
US11800736B2 (en) 2016-11-30 2023-10-24 Samsung Display Co., Ltd. Window substrate and display device having the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007157606A (ja) 2007-06-21
TWI422268B (zh) 2014-01-01
JP4539547B2 (ja) 2010-09-08
CN1979886B (zh) 2011-01-19
TW200738044A (en) 2007-10-01
KR101196728B1 (ko) 2012-11-07
US8164258B2 (en) 2012-04-24
CN1979886A (zh) 2007-06-13
US20070132381A1 (en) 2007-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101196728B1 (ko) 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기
KR100722941B1 (ko) 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기
KR100682815B1 (ko) 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법, 및 전자 기기
KR100760968B1 (ko) 유기 일렉트로루미네선스 장치 및 유기 일렉트로루미네선스장치를 구비한 전자기기
KR100515110B1 (ko) 전기 광학 장치 및 전자 기기
JP4561201B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
KR100638160B1 (ko) 전기 광학 장치의 제조 방법, 전기 광학 장치 및 전자기기
JP5682328B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP5240325B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
JP2005251721A (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP4792717B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
US9698389B2 (en) Method of producing organic EL device
JP2007098931A (ja) スクリーン印刷装置、発光装置の製造方法および製造装置
JP2005011573A (ja) 有機ｅｌ装置とその製造方法及び電子機器
JP4736652B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2005085487A (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151001

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181004

Year of fee payment: 7