TWI422268B - 發光裝置、發光裝置之製造方法及電子機器 - Google Patents

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Description

發光裝置、發光裝置之製造方法及電子機器
本發明係關於發光裝置、發光裝置之製造方法及電子機器者。
近年以來，伴隨資訊機器之多樣化等，有消耗電力為少，輕量化之平面顯示裝置之高度需求。做為如此平面顯示裝置之一種，眾所皆知有具備發光層之有機EL裝置。如此有機EL裝置乃一般而言，於陽極與陰極間具備發光層之構成。更且，為提升正孔植入性或電子植入性，提案有在於陽極與發光層間，配置正孔植入層之構成，或在於發光層與陰極間，配置電子植入層之構成。
使用於有機EL裝置之發光層、正孔植入層、電子植入層之材料乃多易於與大氣中之水分反應而劣化。當此等之層劣化時，於有機EL裝置，會形成稱之為黑點之非發光範圍，使做為發光元件之壽命縮短。因此，如此有機EL裝置中，抑制水分或氧等之影響則成為課題。
為解決如此課題，一般採用在於有機EL裝置之基板，黏著玻璃或金屬所成封閉構件，防止水分或氧之浸入之方法。但是，伴隨顯示器之大型化及薄型化/輕量化，難以僅以黏著之封閉構件，防止水分或氧之浸入。又，伴隨大型化的結果，為充分確保形成驅動元件或配線之面積，提案有使用從封閉構件側取出光線的頂發射型構造之必要性。為達成如此之要求，需要有使用透明且輕量，耐強度性優異之薄膜的封閉構造。
在此，近年以來，為對應顯示裝置之大型化及輕薄化，使用在於發光元件上，將透明且氣體阻隔性優異之矽氮化物、矽氧化物、陶瓷等之薄膜，經由高密度電漿成膜法(例如離子電鍍法、ECR電漿電鍍法、ECR電漿CVD、表面波電漿CVD、ICP－CVD等)，做為氣體阻障層成膜之稱之為薄膜封閉之技術(例如專利文獻1~4)。根據如此技術時，可防止對於發光元件之水分的浸入。
〔專利文獻1〕日本特開平9－185994號公報〔專利文獻2〕日本特開2001－284041號公報〔專利文獻3〕日本特開2000－223264號公報〔專利文獻4〕日本特開2003－17244號公報
但是，採用如此技術之情形下，仍然無法完全防止由外部的水分浸入，無法得充分之發光特性或發光壽命。尤其，經由畫素間隔壁等所產生之外周部或階差部中，會產生氣體阻障層之剝離或龜裂，由此可確認到水分之浸入。為此，於氣體阻障層之下層側，經由配置具有略平坦之上面之有機緩衝層，可防止氣體阻障層之龜裂。
然而，如此有機緩衝層之形成在減壓環境下進行之故，尤其是在頂發射構造中，為得透明性，使陰極使用薄膜之故，在於陰極層上會有所負擔，於陰極層之外周部或階差部，產生剝離或龜裂，為此會有無法得期望之發光特性的問題。
本發明乃有鑑於上述之情事而成者。
關於本發明之發光裝置、發光裝置之製造方法及電子機器中，為解決上述課題，採用以下之手段。
第一發明乃發光裝置，在於基板上，具有複數之第一電極、和具有對應於前述第一電極之形成位置的複數開口部之畫素間隔壁、和至少配置於前述開口部之有機機能層、和被覆前述間隔壁及前述有機機能層的第二電極、和被覆前述第二電極之第一無機層、和被覆前述第一無機層之第二無機層、和被覆前述第二無機層之有機緩衝層、和被覆前述有機緩衝層之氣體阻障層。
根據此發明時，在形成有機緩衝層等之製造步驟中，施加於第二電極或第二無機層之外力會被緩和，可防止第二電極或第二無機層之剝離或龜裂等之不妥。例如可使有機緩衝層在網版印刷時之網版網目之接觸所造成之負荷緩和之故，可防止第二電極或第二無機層之剝離、龜裂等之不妥。
前述第二電極乃由具有透明性之金屬薄膜或/及金屬氧化物導電膜所成，第一無機層及第二無機層乃由絕緣性之無機化合物所成。
前述第一無機層乃由較前述第二無機層彈性率為低之材料所成，可使施加於第二無機層之外力，經由第一無機層加以緩和。
前述第一無機層乃由較前述有機緩衝層彈性率為高之材料所成，與第二無機層成為一體，保護第二電極。
前述第一無機層乃由彈性率10~100GPa之材料所成中，可確實防止第二電極或第二無機層之龜裂發生或剝離。
前述第一無機層之膜厚乃較前述第二無機層為厚，且較前述有機緩衝層為薄者中，僅使施加於第二無機層之外力被緩和地加以工作。
前述第一無機層乃被覆相較於被覆所有有機機能層、畫素間隔壁及第二電極為廣之範圍，終端部乃以氣體阻障層加以被覆地，在較氣體阻障層為狹之範圍而形成。
前述第一無機層乃由無機氧化物或鹼氫化物所成者之中，由於以低彈性率與高透明性、低溫且短時間之厚膜成膜之故，可低成本地加以形成，可確實防止第二電極與第二無機層之龜裂產生或剝離。
前述第二無機層與前述氣體阻障層乃由具有略相同之彈性率之材料所成之中，與氣體阻障層一同，可防止水分之浸入等。
前述有機緩衝層乃由環氧樹脂所成中，可防止氣體阻障層之龜裂等之產生。
前述有機緩衝層之端部之該有機緩衝層與第二無機層間之角度乃形成呈20度以下者中，可防止端部之剝離。
第二之發明乃發光裝置之製造方法，於基板上，具有形成複數之第一電極之工程、和形成具有對應於前述第一電極之形成位置的複數開口部之畫素間隔壁之工程、和形成至少配置於前述開口部之有機機能層之工程、和形成被覆前述間隔壁及前述有機機能層的第二電極之工程、和形成被覆前述第二電極之第一無機層之工程、和形成被覆前述第一無機層之第二無機層之工程、和形成被覆前述第二無機層之有機緩衝層之工程、和形成被覆前述有機緩衝層之氣體阻障層之工程。
根據此發明時，經由第一無機層，於有機緩衝層形成工程中，施加於第二電極或第二無機層之外力會被緩和，可防止第二電極或第二無機層之剝離或龜裂等之不妥的產生。例如可使有機緩衝層在網版印刷時之網版網目之接觸所造成之負荷緩和之故，可防止第二電極或第二無機層之剝離、龜裂等之不妥。
前述第一無機層乃由較前述第二無機層彈性率為低之材料所成，可使施加於第二無機層之外力，經由第一無機層加以緩和。
前述第一無機層乃由較前述有機緩衝層彈性率為高之材料所成，與第二無機層成為一體，保護第二電極。
前述第一無機層乃由彈性率10~100GPa之材料所成中，可確實防止第二電極或第二無機層之龜裂發生或剝離。
前述第一無機膜及前述第二無機膜乃於同一之成膜裝置內，連續性形成者中，可達製造效率的提升，製造成本之下降。
前述有機緩衝層乃經由減壓環境下之網版印刷法所配置者中，可由有機緩衝層披除水分，或防止氣泡的混入。
第三之發明乃電子機器，為具備關於第一發明之發光裝置者。根據如此發明時，可得具有高品質之畫像特性的顯示部的電子機器。
以下，關於本發明之發光裝置、發光裝置之製造方法及電子機器之實施形態，參照圖面加以說明。然而，做為發光裝置，對於使用有機機能材料之一例的有機電激發光(EL)材料的EL顯示裝置加以說明。
[第一實施形態]
圖1乃顯示關於本發明之第一實施形態之EL顯示裝置1之配線構造圖。
EL顯示裝置(發光裝置)1乃使用做為開關元件之薄膜電晶體(以下略記為TFT)之主動矩陣型之EL顯示裝置。
然而，以下說明中，為使可辨識構成EL顯示裝置1之各部位或各層膜，使其等有不同比例尺。
EL顯示裝置1乃具有各配線複數之掃描線101、和對於各掃描線101呈直角交叉延伸之複數之信號線102、和並列於各信號線102而延伸之複數之電源線103的同時，於掃描線101與信號線102之各交點，設置畫素範圍X。
於信號線102中，連接具備位移暫存器、準位移位器、視訊線及類比開關的資料線驅動電路100。又，於掃描線101中，連接具備位移暫存器及準位移位器的掃描線驅動電路80。
更且，於各畫素範圍X中，設有藉由掃描線101，掃描信號供予閘極電極之開關用TFT112、和藉由此開關用TFT112，保持從信號線102所供給之畫素信號的保持電容113、和藉由該保持電容113所保持之畫素信號，供予閘極電極之驅動用TFT123、和藉由此驅動用TFT123，在電性連接於電源線103時，從該電源線103流入驅動電流之畫素電極(第一電極)23、和挾入至此畫素電極23與陰極(第二電極)50間的有機機能層110。經由畫素電極23與陰極50與有機機能層110，構成發光元件(有機EL元件)。
根據此EL顯示裝置1時，掃描線101被驅動，開關用TFT112呈開啟狀態時，此時之信號線102之電位保持於保持電容113，對應於該保持電容113之狀態，決定驅動用TFT123之開啟．關閉狀態。然後，藉由驅動用TFT123之通道，從電源線103向畫素電極23，流入電流，更藉由有機機能層110，於陰極50流入電流。有機機能層110乃對應流入此之電流量而發光。
接著，對於EL顯示裝置1之具體構成，參照圖2~圖5加以說明。
EL顯示裝置1乃如圖2所示，具備備有電性絕緣性之基板20、和連接於開關用TFT(未圖示)之畫素電極，在基板20上，配置呈矩陣狀之畫素電極域(未圖示)、和配置於畫素電極域之周圍的同時，連接於各畫素電極域之電源線(未圖示)、和位於至少畫素電極域上，平面視之略呈矩形之畫素部3(圖2中一點虛線框內)所構成之主動矩陣型者。
然而，於本發明中，含有基板20與後述形成於此上之開關用TFT或各種電路及層間絕緣膜等，而稱為基體200(參照圖3、圖4)。
畫素部3乃分割為中央部分之實際顯示範圍4(圖2中二點虛線框內)、和配置於實際顯示範圍4之周圍之虛擬範圍5(一點虛線及二點虛線間之範圍)。
於實際顯示範圍4中，具有各畫素電極之顯示領域R、G、B，則向A－B方向及C－D方向各別間隔，配置呈矩陣狀。
又，於實際顯示範圍4之圖2中之兩側，配置掃描線驅動電路80。此等掃描線驅動電路80乃配置於虛擬範圍5之下側者。
又，於實際顯示範圍4之圖2中之上側，配置檢查電路90。此檢查電路90乃為檢查EL顯示裝置1之動作狀況之電路，例如具備將檢查結果輸出至外部的檢查資訊輸出手段(未圖示)，進行製造途中或出貨時之顯示裝置之品質、缺陷之檢查而構成者。然而，此檢查電路90亦配置於虛擬範圍5之下側者。
掃描線驅動電路80及檢查電路90乃該驅動電壓乃從特定之電源部，藉由驅動電壓導通部310(參照圖3)及驅動電壓導通部340參照圖4)，加以施加而構成。又，至此等掃描線驅動電路80及檢查電路90之驅動控制信號及驅動電壓乃從進行此EL顯示裝置1之動作控制的特定主驅動裝置等，藉由驅動控制信號導通部320(參照圖3)及驅動電壓導通部350(參照圖4)，加以送訊及施加。然而，此時之驅動控制信號乃來自掃描線驅動電路80及檢查電路90關連於輸出信號時之控制的主驅動裝置等之指令信號。
又，EL顯示裝置1乃如圖3、圖4所示，於基體200上，多數形成具備畫素電極23與有機間隔壁層(畫素間隔壁)221、發光層(有機機能層)60與陰極50之發光元件(有機EL元件)，更且被覆此等，形成第一陰極保護層(第一無機層)52、第二陰極保護層(第二無機層)54、有機緩衝層210、氣體阻障層30等者。
然而，做為發光層60，代表性為發光層(電激發光層)，具備正孔植入層、正孔輸送層、電子植入層、電子輸送層等之載體植入層或載體輸送層者。更且，亦可具備正孔阻止層(電洞阻擋層)、電子阻止層。
做為構成基體200之基板20，在所謂頂發射型之EL顯示裝置時，為從此基板20之對向側之氣體阻障層30側取出發光光線之構成之故，可使用透明基板及不透明基板之任一者。做為不透明基板，可列舉例如氧化鋁等之陶瓷、於不鏽鋼等之金屬薄片施以表面氧化等之絕緣處理者，或熱固性樹脂、更甚者為該薄膜(塑膠薄膜)等。
又，所謂底發射型之EL顯示裝置時，為從此基板20側取出發光光線的構成之故，做為基板20，採用透明或半透明者。例如可列舉玻璃、石英、樹脂(塑膠、塑膠薄膜)等，尤其適於使用玻璃基板。然而，本實施形態中，為從氣體阻障層30側取出發光光線之頂發射型者，因此做為基板20，使用上述不透明基板、例如使用不透明之塑膠薄膜等。
又，於基板20上，形成含有為驅動畫素電極23之驅動用TFT123等之電路部11，於其上，多數設置發光元件(有機EL元件)。發光元件乃經由順序形成做為陽極工作之畫素電極23、和植入/輸送自此畫素電極23之正孔的正孔輸送層70、具備有機EL材料之發光層60、和陰極50而構成者。
如此構成之下，發光元件乃於該發光層60中，經由結合來自正孔植入層70植入之正孔與來自陰極60之電子而發光。
畫素電極23乃在本實施形態中，為頂發射型之故，無需為透明，而為提升反射性，採用例如反射層/無機絕緣層/透明陽極ITO之多層構造亦可。反射層乃將發光層出來之光線，積極性向陰極側反射之層，使用鋁合金等，藉由矽氮化物等之無機絕緣層，工作函數為5eV以上之正孔植入性高之ITO(銦錫氧化物)等之金屬氧化物導電膜則使用於陽極。
做為正孔輸送層70之形成材料，例如使用聚噻吩衍生物、聚吡咯衍生物等，或此等之摻雜體等。具體而言，使用3,4－聚乙烯二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)之分散液，即於做為分散液之聚苯乙烯磺酸，分散3,4－聚乙烯二氧基噻吩，更且將此分散於水的分散液，形成正孔輸送層70。
做為形成發光層60之材料，可使用發光螢光或磷光之公知發光材料。具體而言，可適切使用(聚)芴衍生物(PF)、(聚)對苯基苯酚衍生物(PPV)、聚苯烯衍生物(PP)、聚對苯烯衍生物(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基矽烷(PMPS)等之聚矽烷系等。
又，於此等之高分子材料，摻雜苝系色素、香豆素系色素、若丹明系色素等之高分子系材料，或紅螢烯、苝、9,10－二苯基蒽、四苯基丁二烯、耐綸紅、香豆素6、喹吖酮等之低分子材料而加以使用。
然；而，代替上述高分子材料，可使用以往公知之低分子材料。
又，供需要，於如此發光層60上，形成電子植入層亦可。
又，於本實施形態中，正孔輸送層70與發光層60乃如圖3、圖4所示，於基體200上，經由形成呈格子狀之親液性控制層25(未圖示)與有機間隔壁層(畫素間隔壁)221所包圍配置，由此包圍之正孔輸送層70及發光層60乃構成單一之發光元件(有機EL元件)之元件層。
然而，對於有機間隔壁層221之開口部221a之各壁面之基體200表面之角度為110度以上至170度以下。如此角度乃為使發光層60藉由濕式製程形成之時，易於配置於開口部221a內之故。
陰極50乃如圖2~圖4所示，具備較實際顯示範圍4及虛擬範圍5之總面積為廣的面積，各個被被覆而形成者，在發光層60與有機間隔壁層221之上面，更且在被覆形成有機間隔壁層221之外側部之壁面的狀態下，形成於基體200上者。然而，此陰極50乃如圖4所示，在有機間隔壁層221之外側，連接於形成於基體200之外周部的陰極用配線202。於此陰極用配線202中，連接可撓性基板203，由此陰極50乃藉由陰極用配線202，連接於可撓性基板203上之未圖示之驅動IC(驅動電路)。
做為為了形成陰極50之材料，本實施形態乃頂發射型之故，需光透過性，因此使用透明導電材料。做為透明導電材料，適切者為ITO，但除此之外可使用例如氧化銦．氧化鋅系非晶質透明導電膜(IZO)等。然而，本實施形態中，則使用ITO。
又，陰極50乃適用電子植入效果大(工作函數為4eV以下)之材料。例如鈣或鎂、鈉、鋰金屬或此等之金屬化合物。做為金屬化合物，可為氟化鈣等之金屬氟化物或氧化鋰等之金屬氧化物，乙醯丙酮鈣等之有機金屬錯合物。又，僅此等之材料，電阻為大，無法做為電極工作之故，避開發光範圍，圖案形成鋁或金、銀、銅等之金屬層，與ITO或氮化錫等之透明金屬氧化物導電層之層積體組合使用亦可。然而，本實施形態中，將氟化鋰與鎂－銀合金、ITO之層積體，調整成可得透明性之膜厚加以使用。
於陰極50之上層部，如圖3、圖4所示，以較有機間隔壁層221為寬廣之範圍，且被覆陰極50之狀態下，形成第一陰極保護層52。第一陰極保護層52乃於第二陰極保護層54上，形成有機緩衝層210時，為緩和施加於第二陰極保護層上之負荷而設者。
第一陰極保護層52乃由較第二陰極保護層53彈性率為低之材料所成，為彈性率10~100GPa之範圍之無機材料。例如，於底發射型構造中，可使用陰極層之金屬材料之Mg、Zn、Al、Ag等，於頂發射型構造中，可使用無機化合物材料之SiO2 等之無機氧化物或LiF或MgF2 等之鹼鹵化物。一般而言，此等低彈性率之材料乃耐水性不佳者為多。
又，做為第一陰極保護層52之形成方法，不使在於發光層60有所損傷，使用可低溫成膜之真空蒸著法或高密度電漿成膜法等。
又，第一陰極保護層52之膜厚乃50~200nm程度為佳，較第二陰極保護層54為厚則更佳。
於第一陰極保護層52之上層部，如圖3、圖4所示，形成第二陰極保護層54。第二陰極保護層54乃補足第一陰極保護層52之耐水性之不足，且為防止起因於有機緩衝層210之殘留水分等之製造步驟時之對於陰極50損傷而設置者。又，緩衝層材料之塗佈形成時之平坦性或消泡性、密著性、例面端部之低角度化為目的而設置。
第二陰極保護層54乃考量到透明性、緻密性、耐水性、絕緣性、氣體阻障性，經由緻密且高彈性率之矽氮化物或矽氮氧化物等之含氮矽化合物等之材料加以形成為佳。
做為形成第二陰極保護層54之材料的彈性率，100GPa以上者為佳。
又，做為第二陰極保護層54之形成方法，使用ECR濺鍍法或離子電鍍法等之高密度電漿成膜法。
又，第二陰極保護層54之膜厚乃10~50nm程度為佳。
於第二陰極保護層54之上層部，如圖3、圖4所示，以較有機間隔壁層221為寬廣之範圍，且被覆陰極50之狀態下，設置有機緩衝層210。然而，有機緩衝層210乃無需將上述陰極保護層完全被覆至終端部，又，可為被覆形成於畫素部3上之陰極50之情形，更且為被覆於形成在基體200之外周部之陰極用配線202上之陰極50之情形亦可。
有機緩衝層210乃由於有機間隔壁層221之形狀影響，埋入至形成呈凹凸狀之陰極50之凹凸部分地加以配置，更且該上面乃形成呈略平坦者。有機緩衝層210乃具有緩和基體201之彎曲或經由體積膨脹產生之應力，防止自不安定之有機間隔壁層221之陰極50的剝離之機能。又，有機緩衝層210之上面被略平坦化之故，形成於有機緩衝層210上之硬被膜所成氣體阻障層30亦被平坦化之故，應力集中之部位則消失，由此可防止對於氣體阻障層30之龜裂的產生。
有機緩衝層120之形成乃使用減壓真空下之網版印刷法，塗佈於第二陰極保護層54上為佳。於網版網目，以樹脂硬化物，將非塗佈範圍圖案化形成之光罩，接觸至基體，按壓下塗刷器，將有機緩衝層形成材料，轉印至基體200上(第二陰極保護層54上)。於減壓氣氛下進行塗佈(轉印)之故，維持水分為少之環境，於轉印時，除去產生於塗佈面之氣泡。
有機緩衝層材料210乃做為硬化前之原料主成分，為於減壓真空下加以印刷形成，需流動性優異，且無溶媒或揮發成分，所有為高分子骨架之有機化合物材料，較佳者可為具有環氧基之分子量3000以下之環氧單體/寡聚物(單體之定義：分子量1000以下,寡聚物之定義：分子量1000~3000)。例如有雙酚A型環氧寡聚物或雙酚F型環氧寡聚物、酚醛清漆型環氧寡聚物、聚乙二醇二縮水甘油醚、烷基縮水甘油醚、3,4－環氧環已烯基甲基－3’,4’－環氧環已烯羧酸酯、ε－已內酯改性3,4－環氧環已烯羧酸酯等，此等則單獨或複數組合加以使用。
又，做為與環氧單體/寡聚物反應之硬化劑，形成電性絕緣性或黏著性優異，且硬度為高，強韌且耐熱性優異之硬化被膜為佳，以透明性優異且硬化不均為少之附加聚合型者為佳。例如3－甲基－1,2,3,6－四羥基無水丁酸、甲基－3,6－內甲撐基－1,2,3,6－四羥基無水丁酸、1,2,4,5－苯基四羧酸二無水物、3,3’,4,4’－苯酚基四羧酸二無水物或此等聚合物等之酸無水物等之酸無水物系硬化劑為佳。更且，做為促進酸無水物之反應(開環)之反應促進劑，經由添加1,6－己二醇等分子量為大，不易於揮發之醇類，可易於低溫硬化。此等之硬化乃在60~100℃之範圍下加熱進行，該硬化被膜乃成為具有與酯結合的高分子。
更且，做為促進酸無水之開環之硬化促進劑，添加芳香族或醇類、胺酚等之分子量較高者，可在低溫且短時間下硬化。
為縮短硬化時間經常使用之陽離子放出型之光聚合開始劑，由於會產生著色或急遽之硬化收縮之故，並不喜好，但混入提升共氣體阻障層之密著性之矽烷耦合劑，或異氰酸酯化合物等之捕水劑，防止硬化時之收縮之微粒子等之添加劑亦可。
此等之原料各個之粘度乃1000mPa．s(室溫：25℃)為佳。此乃為不在於塗佈之後，向發光層60浸透，產生稱之為黑點之非發光範圍。混合此等之原料之緩衝層形成材料之粘度乃為500 mPa．s~2000 mPa．s，尤以2000 mPa．s~10000 mPa．s(室溫)為佳。
又，做為有機緩衝層210之膜厚乃3~10 μm程度為佳。當有機緩衝層210之膜厚為3 μm以上之時，即使有異物混入，亦可防止氣體阻障層30之缺陷的產生。
又，做為硬化後之特性，有機緩衝層210之彈性率乃1~10GPa為佳。10GPa以上時，不能吸收有機間隔壁層221平坦化時之應力，1GPa以下時，耐摩耗性或耐熱性等為不足。
更且，於有機緩衝層210之上層部，如圖2~圖4所示，被覆發光層60及有機間隔壁層221、陰極50，且在封閉層中，在被覆至耐水性較差之有機間隔壁層221及第一陰極保護層52之終端部的寬廣範圍，形成氣體阻障層30。
氣體阻障層30乃為防止氧或水分浸入者，由此，可抑制氧或水分所造成陰極50或發光層60之劣化等。氣體阻障層30乃考量到透明性、氣體阻障性、耐水性，較佳為含氮矽化合物，即經由矽氮化物或矽氧氮化物等之加以形成。
做為氣體阻障層30之成膜法，需為遮蔽水蒸氣等之氣體，為緻密無缺陷之被膜，以使用可形成低溫且緻密之膜之高密度電漿成膜法加以形成為適切者。
氣體阻障層30彈性率乃100Gpa以上，具體而言200~250Gpa程度為佳。然而，以具有與上述第二陰極保護層54同一彈性率的材料加以形成亦可。又，氣體阻障層30之膜厚乃200~600nm程度為佳。不足200nm時，對於異物之被覆性不足，部分會形成貫通孔，而會有損及氣體阻障性之疑慮，當超過600nm時，會有猶應力產生破裂的疑慮。
更且，做為氣體阻障層30，可為層積構造，亦可為使該組成不均勻，尤其該氧濃度為連續性或非連續性變化之構成。
又，本實施形態中，是為頂發射型之故，氣體阻障層30需具有透光性，因此，經由適切調整該材與或膜厚，在本實施形態中，使可視光範圍之光線透過率例如成為80%以上。
在此，對於有機緩衝層210之端部(外周範圍)之構造加以說明。
圖5乃顯示有機緩衝層210之端部(外周範圍)的擴大圖。
有機緩衝層210乃形成於第二陰極保護層54上，於該端部，與第二陰極保護層54之表面，以接觸角α加以接觸。在此，接觸角α為45度以下，更佳為1~20度程度以下。
由此，形成於有機緩衝層210之上層之氣體阻障層30乃於該端部無急遽的形狀變化，緩和地變化形狀之故，可防止應力集中所造成之龜裂等之缺陷的產生。因此，在長期間下，可維持封閉能力。
回到圖3、圖4，於氣體阻障層30之上層部，設置被覆氣體阻障層30之保護層204。此保護層204乃由設於氣體阻障層30側之黏著層205與表面保護基板206所成。
黏著層205乃於氣體阻障層30上，固定表面保護基板206，且對於由外部之機械性衝擊，具有緩衝機能，進行發光層60或氣體阻障層30之保護。於該黏著層205，貼合表面保護基板206，形成保護層204。黏著層205乃例如以胺基甲酸乙酯系、丙烯酸系、環氧系、聚烯系等之樹脂，經由較表面保護基板206柔軟且玻璃轉移點低之材料所成黏著劑而形成者。又，以透明樹脂材料為佳。又，經由添加低溫且為硬化之硬化劑之2液混合型之材料而形成者為佳。
然而，於如此黏著層205中，添加矽烷耦合劑或烷基矽烷者為佳，如此，形成之黏著層205與氣體阻障層30的密著性則更佳，因此對於機械性衝擊之緩衝機能會變高。
又，尤其氣體阻障層30以矽化合物形成之時待，可經由矽烷耦合劑或烷基矽烷，提升與此氣體阻障層30之密著性，因此，可提升氣體阻障層30之氣體阻障性。
表面保護基板206乃設於黏著層205上，構成保護層204之表面側者，具有耐壓性或耐摩耗性、外部光反射防止性、氣體阻障性、紫外線遮蔽性等之機能的至少一個之層。
表面保護基板206之材質乃採用玻璃、DLC(類鑽石碳)層、透明塑膠、透明塑膠薄膜。在此，做為塑膠材料，可列舉採用PET、丙烯酸、聚碳酸酯、聚烯烴等
更且，於該表面保護基板206中，可設置紫外線遮蔽/吸收層或光反射防止層、散熱層、透鏡、色波長變換層或鏡子等之光學構造。又，設置彩色濾光片機能亦可。
然而，EL顯示裝置1乃頂發射型之故，需使表面保護基板206、黏著層205皆為透光性者，但底發射型之時，則無此需要。
以下，將關於本實施形態之EL顯示裝置1之製造方法之一例，參照圖6及圖7，加以說明。圖6及圖7所示各剖面圖乃對應於圖2中之A－B線之剖面圖。
然而，於本實施形態中，做為發光裝置之EL顯示裝置1為頂發射型之時，又於基板20之表面，形成電路部11之工筐中，由於與以往技利並無不同之故，則省略說明。
首先，如圖6(a)所示，於表面被覆形成電路部11之基板20之整面地，形成成為畫素電極23之導電膜，經由圖案化此透明導電膜，藉由第二層間絕緣膜284之連接孔23a，形成導通汲極電極244之畫素電極23的同時，亦形成虛擬範圍之虛擬圖案26。
然而，圖3、圖4中，總稱此等畫素電極23、虛擬圖案26，成為畫素電極23。虛擬圖案26乃藉由第二層間絕緣膜284，不連接下層之金屬配線地加以構成。即，虛擬圖案26乃配置呈島狀，具有與形成於實際顯示範圍之畫素電極23之形狀幾近相同的形狀。當然，成為與形成於顯示領域之畫素電極23之形狀不同的構造亦可。然而，此時，虛擬圖案26乃至少包含位於驅動電壓導通部310(340)上方者。
接下來，如圖6(b)所示，於畫素電極23、虛擬圖案26上以及第二層間絕緣膜上，形成絕緣膜層之親液性控制層25。然而，於畫素電極23中，一部分開口之形態中，形成親液性控制層25，於開口部25a(參照圖3)，可達從畫素電極23之正孔移動。相反地，未設置開口部25a之虛擬圖案26中，絕緣層(親液性控制層)25則成為正孔移動遮蔽層，而不產生正孔移動。接著，於親液性控制層25中，在位於不同2個畫素電極23間形成之凹狀部，形成未圖示之BM(黑矩陣)。具體而言，對於親液性控制層25之凹狀部，使用金屬鉻，以濺鍍法加以成膜。
而後，如圖6(b)所示，於畫素電極25、虛擬圖案26上以及第二層間絕緣膜上，形成絕緣膜層之親液性控制層 25。
具體而言，做為有機間隔壁層之形成方法，例如將丙烯酸系、醯胺系材料等之光阻劑，溶解於溶媒者，經由旋塗法、浸泡式塗佈等之各種塗佈法，加以塗佈形成有機樹脂層。然而，有機樹脂層之構成材料乃不溶解於後述之墨水之溶媒，而且可易於經由蝕刻圖案化者亦可。
更且，將有機樹脂層，使用光微影技術、蝕刻技術加以圖案化，於有機樹脂層，經由形成開口部221a，於開口部221a形成具有壁面之有機間隔壁層221。在此，對於形成開口部221a之壁面，令對於基體200表面之角度為110度以上至170度以下地加以形成。
然而，此時，有機間隔壁層221乃至少包含位於驅動控制信號導通部320之上方者。
接著，於有機間隔壁層221之表面，形成呈現親液性之範圍，和呈現疏液性之範圍。於本實施形態中，經由電漿處理形成各範圍。具體而言，令電漿處理以預備加熱工程、和將有機間隔壁層221之上面及開口部221a之壁面以及畫素電極23之電極面23c、親液性控制層25之上面，各成為親液性之親墨水化工程、和將有機間隔壁層221之上面及開口部221a之壁面，成為疏液性之疏墨水化工程、和冷卻工程所構成。
接著，經由正孔輸送層形成工程，進行正孔輸送層70之形成。於此正孔輸送層形成工程中，例如經由噴墨法等之液滴吐出法，或旋塗法等，將正孔輸送層材料塗佈於電極面23c上，之後，進行乾燥處理及熱處理，於電極23上形成正孔輸送層70。
接著，經由發光層形成工程，進行發光層60之形成。於此發光層形成工程中，例如經由噴墨法，將發光層形成材料吐出至正孔輸送層70上，之後，進行乾燥處理及熱處理，於形成在有機間隔壁層221之開口部221a內，形成發光層60。於此發光層形成工程中，為防止正孔輸送層70之再溶解，做為使用於發光層形成材料之溶媒，使用對於正孔輸送層70為不溶之無機性溶媒。
接著，如圖6(d)所示，經由陰極層形成工程，進行陰極50之形成。於此陰極層形成工程中，例如經由離子電鍍法等之物理氣相成長法，成膜ITO，成為陰極50。此時，對於此陰極50而言，被覆發光層60與有機間隔壁層221之上面，對於形成有機間隔壁層221之外側部之壁面亦呈被覆狀態地加以形成。
接著，如圖7(a)所示，於陰極50上，形成第一陰極保護層52及第二陰極保護層54。
例如，將Mg、Zn、Al、Ag等之無機材料或做為透明無機材料之SiO2 等之無機氧化物或LiF或MgF2 等之鹼鹵化物，經由真空蒸著法或高密度電漿成膜法，成膜呈500~200nm程度的膜厚。
接著，將矽氮化物等之含氮化矽化合物之無機化合物，經由ECR濺鍍法或離子電鍍法等之高密度電漿成膜法，成膜呈10~50nm程度之膜厚。
然而，第一陰極保護層52及第二陰極保護層54乃在同一之製程處理室中，可使用同一光罩，連續地加以成膜。如此之時，可有效率進行第一陰極保護層52及第二陰極保護層54之成膜。
接著，如圖7(b)所示，將有機緩衝層210經由網版印刷法，塗佈於第二陰極保護層54上。此時，為不產生起因於氣泡的膜缺陷，在100~10000Pa範圍之減壓環境下，加以塗佈。
在此，詳細說明有機緩衝層210在減壓環境下，網版印刷之手續。
圖8乃將網版印刷法依工程順序顯示之圖。
網版印刷法乃可在減壓環境下進行塗布之方法之故，相較之下適於中~高粘度之塗布液之使用的方式。尤其網版印刷法乃經由塗刷器之加壓移動，可簡易控制塗出，經由網目之使用，有膜厚均勻性及圖案化性優異的優點。
最初，如圖8A所示，將形成第一陰極保護層52及第二陰極保護層54之基體200，送入第一基板輸送室(未圖示)，將第一基板輸送室及印刷室(未圖示內，調整呈特定之壓力後，將基體200送入印刷室。
然後，如圖8B所示，對於網目551加以定位。在此，網目之非塗佈部中，形成被覆未塗佈材料部分之排液性之乳劑硬化層551n。
然而，網目551之圖案形狀乃形成將有機緩衝層210之周緣部，形成呈特定形狀(例如波形狀)之模具者。
接著，將基體200定位之後，保持於平台(未圖示)。做為將基體200保持於平台之方法，例如可使用真空吸著。
然後，如圖8C所示。做為第一次之壓力調整工程，於網目551上，滴下緩衝層禾料之前，將印刷室內調整呈10~1000Pa之壓力。
接著，如圖8D所示，於網目551之一端(乳劑硬化層551n上)，將硬化前之緩衝層材料K，經由網分配噴嘴等，滴下特定量。
於緩衝層材料K中，使用如上所述，於環氧單體/寡聚物材料，混合硬化劑、反應促進劑之材料。此等之材料乃於塗佈前混合加以使用，就混合後之粘度而言，在室溫(25℃)下，為500~20000mPa．S之粘度範圍為佳。較此粘度為低之時，會產生自網目551之漏液或向乳劑硬化層551n上之溢出，膜厚安定性或圖案化性則會變差。又，較此粘度為高之時，平坦性會變差之故，會殘留網目痕，或於網目脫離時，捲入的氣泡會大為成長之故，易於產生月球表面狀之塗佈脫落處，在消泡工程後會易於殘留氣泡。
更且，做為緩衝層材料K之粘度，尤以2000mPa．s~10000mPa．s為佳。經由使粘度較10000mPa．s為低，可更能控制氣泡的殘留。又，經由使較1000mPa．s為高，於網版印刷工程中，氣泡則難以彈起，然後難以產生凹坑狀之缺陷。由此，可得均勻之膜厚。又，如後述，可確實抑制黑點之產生。因此，將材料之室溫粘度設定於如上述時，緩衝層之形狀保持、表面之平坦化、氣泡的控小化、側面端部之低角度化可確實被實現，而可抑制黑點之產生。
又，有機緩衝層210之膜厚乃實現平坦化、與經由凹凸所產生應力之緩和地，而有必要將其設為較有機間隔壁層221之高度為更厚，如上所述，以3~10 μm程度為佳。此等之粘度與膜厚控制乃會影響到接觸度，為達成終端部之角度為20度以下，是為重要的。以沒有應力為最佳，但可有些微拉伸應力。為極力減少應力，為較低密度之多孔質膜為佳，如上所述，彈性率為1~10GPa之範圍為佳。
接著，如圖8E所示，將塗刷器553，於網目551上，由一邊側向另一邊移動，將緩衝層材料K向網目551上展開，押入基體200，轉印圖案。然而，將網目551配置於基體200上之時，網目551可完全接觸於基體200，亦可空出1mm程度之間隔。於空出間隔之時，在塗刷器553押出材料之後，藉由材料，實質上與網目551與基體200接觸，成為接觸方式之網版印刷。因此，需後述之網目之剝離工程。
又，此時，緩衝層材料K則邊滾動邊塗佈之故，於材料會混入氣泡。為此，如圖8F所示。做為第二次之壓力調整工程，將印刷室內調整呈2000~5000Pa之壓力下，保持特定時間，除去氣泡。即，經由印刷室內之氮氣體之排除，將第一次之調整壓力從10~1000Pa上昇至2000~5000Pa。此氣泡為真空氣泡之故，經由壓力的上昇，氣泡會被破壞而消滅。
接著，如圖8G所示，從基體200剝離網目551。此時，雖未圖示，例如在基體200之一邊側，在將塗刷器553按壓至平台之狀態下，使平台下降，從網目551遠離平台時，按壓塗刷器553之處所成為支點，從相反側之邊，開始剝離網目551。實際上，於進行網目551之剝離動作時，尤其將印刷室內之壓力調整至300~4000Pa者為佳。其理由乃於剝離時，基體200向網目551拉伸，從平台剝開基體200之大的力量雖會被施加，此時，印刷室內之壓力為3000~4000Pa以上時，則經由真空吸著，基體200，可確實固定於平台，可在無障礙下進行網目551之剝離。
之後，如圖8H所示，持續平台下降，網目551在完全從基體200離開之時，終止剝離。
接著，如圖8I所示，將終止緩衝層材料K之印刷的基體200，送入第二基板輸送室彼，如圖8J所所示，將基體200，保持於第二基板輸送室內之狀態，做為第三次之調整壓力，將第二基板輸送室內在大氣壓下，保持特定時間，除去氣泡。即，經由第二基板輸送室內之氮氣體之排除，使第二基板輸送室內呈大氣壓，基板周圍之環境為由第二次之調整壓力2000~5000Pa上昇至大氣壓。
接著，如圖8K所示，將基體200從第二基板輸送室送入加熱室後，於氮氣體環境下，於緩衝層材料K，施以60~100℃之加熱處理。由此，硬化緩衝層材料K。經由施以此硬化工程，含於硬化前之緩衝層材料K之環氧單體/寡聚物材料與硬化劑、反應促進劑反應，環氧單體/寡聚物材料則三次元交聯，形成聚合物之環氧樹脂。
又，經由施以加熱處理，，不單是產生如此硬化現象，緩衝層材料K之側面端部形狀會下垂，終端部之角度會呈20度以下，成為最終之有機緩衝層210之形狀。
回到圖7(c)，被覆有機緩衝層210，形成氣體阻障層30。氣體阻障層30乃經由減壓下之高密度電漿成膜法等所形成，主要由矽氮化物或矽氮氧化物所成透明之薄膜為佳。又，為完全遮蔽小分子之水蒸氣，使之有緻密性，具有若干壓縮應力者為佳。較佳之膜密度為2.3/cm3 以上，彈性率為100GPa以上，膜厚乃與無機緩衝層一齊為1000nm以下者為佳，20~600nm為適切者。
然而，做為氣體阻障層30之具體形成方法，先以濺鍍法或離子電鍍法等之物理氣相成長法進行成膜，接著，以電漿CVD法等之化學氣相成長法，進行成膜亦可。濺鍍法或離子電鍍法等之物理氣相成長法乃不使用有害之原料氣體，一般而言對於基板表面，可得密著性較佳之緻密膜，而化學氣相成長法則可得成膜速度為快，應力為少，階梯覆蓋性為優，缺陷少，緻密良好之膜質。此等之方法則考量量產性，適切加以選擇。
又，對於氣體阻障層30之形成，經由上述同一之材料，以單層形成亦可，或以不同材料層積呈複數之層加以形成亦可，更且單層形成者，使該組成在膜厚方向連續或非連續變化而形成者亦可。
接著，於氣體阻障層30上，設置黏著層205與表面保護基板206所成保護層204。(參照圖3、圖4)。黏著層205乃經由網版印刷法或狹縫塗佈法，於氣體阻障層30上，略均勻地加以塗布，於其上貼合表面保護基板206。
如此，於氣體阻障層30上，設置保護層204時，表面保護基板206經由具有耐壓性、光反射防止性、氣體阻障性、紫外線遮蔽性等之機能，發光層60或陰極50、更且氣體阻障層亦被表面保護基板206所保護，因此可達成發光元件之長壽命化。
又，黏著層205對於機械性衝擊會發揮緩衝機能之故，於從外部施加機械性衝擊時，可緩和對於氣體阻障層30或此內側之發光元件之機械性衝擊，可防止由於此機械性衝擊所造成發光元件之機能劣化。
經由以上，形成EL顯示裝置1。
[第二實施形態]
以下，對於關於本發明第二實施形態之EL顯示裝置2加以說明。然而，本實施形態中，與第一實施形態同一構成，則附上同一符號，省略說明。
圖9乃顯示關於本發明之第二實施形態之EL顯示裝置2之剖面構造之模式剖面圖。圖10乃顯示EL顯示裝置2之有機緩衝層210之端部(外周範圍)的擴大圖。
EL顯示裝置2乃在做為發光層，採用發光呈白色之白色發光層60W，及做為表面保護基板採用彩色濾光片基板207，與第一實施形態之EL顯示裝置1不同。
做為白色有機發光材料乃使用苯乙烯胺系發光材料、蒽系受容體(藍色)，或苯乙烯胺系發光材料、紅螢烯系受容體(黃色)。
然而，於白色發光層60W之下層或上層，成膜三芳基胺(ATP)多量體正孔植入層、TDP(三苯基二胺)系正孔輸送層、羥基喹啉鋁(Alq3 )層(電子輸送層)、LiF(電子植入緩衝層)為佳。
又，如第一實施形態之EL顯示裝置1，無需將發光層60區分為R、G、B之故，可使白色發光層60W跨過有機間隔壁層221地，形成於各畫素電極23。
然後，於白色發光層60W上形成第一陰極保護層52及第二陰極保護層54。
然而，於有機間隔壁層221之上面，配置鋁等之金屬材料所成補助電極64亦可。補助電極64乃具有較陰極50為低之阻抗值，經由與陰極50之中途部位的電性連接，可防止阻抗值高之陰極50之電壓下降。
又，彩色濾光片基板207乃於基板本體207A上、形成紅色著色層208R、綠色著色層208G、藍色著色層208B及黑矩陣209。然後，著色層208R、208G、208B及黑矩陣209之形成面乃藉由黏著層205，朝向基體200，對向加以配置。然而，基板本體207A之材質乃可採用與第一實施形態之表面保護基板206同樣者。
又，各著色層208R、208G、208B乃對向於畫素電極23上之白色發光層60W加以配置。由此，白色發光層60W 之發光光線則透過各著色層208R、208G、208B，成為紅色光、綠色光、藍色光之各色光，向觀察者側射出。
如此，於EL顯示裝置2中，利用白色發光層60W之發光光線，且經由具有複數色之著色層208之彩色濾光片基板207，進行彩色顯示。
又，著色層208R、208G、208B與白色發光層60W之距離乃需僅射出白色發光層60W之發光光線所對向之著色層地，盡可能距離愈短愈好。此乃由於該距離為長之時，白色發光層60W之發光光線對於鄰接之著色層射出之可能性會提高之故，為抑制此情形，該距離愈短愈好。
具體而言，從絕緣層284之表面至彩色濾光片基板207之間隔為15μm程度為佳。由此，白色發光層60W之發光光線乃僅於對向之著色層射出，抑制在於鄰接之著色層有發光光線之洩漏。由此，可抑制混色。
又，利用單色之白色發光層60W之故，無需於每一R、G、B形成發光層。具體而言，於形成低分子系之白色發光層之光罩蒸著工程、或形成高分子系之白色發光層之液滴吐出工程等中，可將一種之白色發光層以一工程形成之故，與分開形成R、G、B之發光層之時比較，製造工程變得容易。又，各發光層60之壽命之不均亦可被抑制。
又，於EL顯示裝置2中，如圖10所示，有機緩衝層210乃形成於第二陰極保護層54上，於該終端部，與第二陰極保護層54之表面，以接觸角α加以接觸。在此，接觸角α為45度以下，更佳為1~20度程度以下。
由此，形成於有機緩衝層210之上層之氣體阻障層30乃於該端部無急遽的形狀變化，緩和地變化形狀之故，可防止應力集中所造成之龜裂等之缺陷的產生。因此，在長期間下，可維持封閉能力。
又，配置於層間絕緣膜292上之平坦化絕緣膜294之端部，接觸角β成為45度以下，使形成於平坦化絕緣膜294上之第一陰極保護層52及第二陰極保護層54之形狀呈緩和地變化地加以形成。
由此，形成於平坦化絕緣膜294之上層之第一陰極保護層52及第二陰極保護層54則可防止應力集中所造成之龜裂等之缺陷的產生。
[實施例]
接著，對於在於陰極50上，形成第一陰極保護層52及第二陰極保護層54時之有無不妥之產生，加以說明。
表1乃顯示在於具有約3μm階差之有機間隔壁層221、與被覆此等之多層所成發光層60、鎂-銀合金10nm所成陰極50上，有無設置第一陰極保護層52時之不妥的產生圖。
具體而言，對於將第一陰極保護層52經由各種材料形成，更且在層積第二陰極保護層54、有機緩衝層210、氣體阻障層30之時，於陰極50或第二陰極保護層54，是否產生不妥加以比較。尤其，於發光層60、60W附近(階差部分)，於陰極50或第二陰極保護層54，觀察是否有剝離或龜裂之產生。
然而，第二陰極保護層54乃經由矽氮氧化物(SiOx Ny )所形成。
如表1所示，做為第一陰極保護層52，使用LiF或 MgF等鹼鹵化物或Mg、Zn、Al、Ag、SiO2 等之無機材料之時，於發光層60、60w附近，於陰極50或第二陰極保護層54，非發現剝離、龜裂、發光異常等之不妥。此等之材料皆為彈性率為10~100GPa。
另一方面，做為第一陰極保護層52，使用Ti、Pt、MgO、SiOx Ny 、Si3 N4 、Al2 O3 等之無機材料之時，於發光層60、60w附近，於陰極50或第二陰極保護層54，發現剝離、龜裂、發光畫素縮水等之不妥。此等之材料皆為彈性率為100Gpa以上。
如此，於陰極50上，經由形成彈性率低之第一陰極保護層52、彈性率高之第二陰極保護層54，在製造製程中，尤其在有機緩衝層210之形成工程中，容易防止發光層60、60W附近之陰極50或第二陰極保護層54之不妥。
然而，上述EL顯示裝置1、2之實施形態中，以頂發射型為例做了說明，但本發明非限定於此，可適用底發射型、或兩側射出發光光線型式者。
又，底發射型或於兩側射出發光光線之型式之時，對於形成於基體20之開關用TFT112或驅動用TFT123，非發光元件之正下方，而形成於親液性控制層25及有機間隔壁層221之正下戶地，提高開口率為佳。
又，EL顯示裝置1、2中，雖令第一電極做為陽極工作，令第二電極做為陰極工作，但將此逆轉，令第一電極為陰極，令第二電極為陽極各別加以工作的構成亦可。惟，於此時，需將發光層60與正孔輸送層70之形成位置互 換。
又，本實施形態中，對於發光裝置顯示了適用EL顯示裝置1、2之例，但本發明非限定於此，基本上第二電極設於基體之外側者，不論是任何種形態之發光裝置皆可適用。
然而，做為測定EL顯示裝置1、2之第一陰極保護層52、第二陰極保護層54、有機緩衝層21、氣體阻障層30等之彈性率的方法，例如使用奈米壓痕分析法。
奈米壓痕分析法乃將壓力子高精度地控制，押入試料，從荷重-變位曲線之解析，定量測定硬度或彈性率等之力學性質的方法。尤其，可進行以往困難之薄膜試料的測定，以及簡便且高再現性之故，適用於第一陰極保護層52等之彈性率的測定。
接著，對於本發明之電子機器加以說明。
電子機器乃將上述EL顯示裝置1、2具有顯示部者，具體而言可列舉圖11所示者。
圖11(a)乃顯示手機之一例的斜視圖。圖11(a)中，行動電話1000乃具備使用上述EL顯示裝置1之顯示部1001。
圖11(b)乃顯示手錶型電子機器之一例的斜視圖。圖11(b)中，時鐘(電子機器)1100乃具備使用上述EL顯示裝置1之顯示部1101。
圖11(c)乃顯示文字處理機、個人電腦等攜帶型資訊處理裝置之一例的斜視圖。圖11(c)中，資訊處理裝置 1200乃具備鍵盤等之輸入部1201、使用上述EL顯示裝置1之顯示部1206、資訊處理裝置本體(框體)1204。
圖11(d)乃顯示薄型大畫面電視之一例的斜視圖。圖11(d)中，薄型大畫面電視1300乃具備薄型大畫面電視本體(框體)1302、揚聲器等之聲音輸出部1304、使用上述EL顯示裝置1之顯示部1306。
圖11(a)~(d)所示各電子機器乃具備具有上述EL顯示裝置1之顯示部1001、1101、1206、1306之故，可達顯示部之長壽命化。
又，圖11(d)所示薄型大畫面電視1300乃無關於面積，可適用封閉顯示部之本發明之故，具備較以往之大面積(例如對角20吋以上)之顯示部1306。
又，不限於將EL顯示裝置1、2做為顯示部而備有之情形，可為做為發光部而備有之電子機器。例如，可將EL顯示裝置1，做為曝光光學頭(線光學頭)備有之雷射印表機(畫像形成裝置)。
1，2‧‧‧EL顯示裝置(發光裝置)
23‧‧‧畫素電極(第一電極)
30‧‧‧氣體阻障層
50‧‧‧陰極(第二電極)
52‧‧‧第一陰極保護層(第一無機層)
54‧‧‧第二陰極保護層(第二無機層)
60‧‧‧發光層(有機機能層)
200‧‧‧基體
210‧‧‧有機緩衝層
221‧‧‧有機間隔壁層(間隔壁)
221a‧‧‧開口部
1000‧‧‧行動電話(電子機器)
1100‧‧‧時鐘(電子機器)
1000‧‧‧行動電話(電子機器)
1100‧‧‧時鐘(電子機器)
1200‧‧‧資訊處理裝置(電子機器)
1300‧‧‧薄型大畫面電視(電子機器)
1001、1101、1206、1306‧‧‧顯示部(發光裝置)
[圖1]顯示關於本發明之第一實施形態之EL顯示裝置1之配線構造圖。
[圖2]顯示EL顯示裝置1之構成的模式圖。
[圖3]沿圖2之A-B線的剖面圖。
[圖4]沿圖2之C-D線的剖面圖。
[圖5]示有機緩衝層210之端部(外周範圍)的擴大圖。
[圖6]將EL顯示裝置1之製造方法依工程順序顯示之圖。
[圖7]接著圖6，顯示工程之圖。
[圖8]將網版印刷法依工程順序顯示之圖。
[圖9]顯示關於本發明之第二實施形態之EL顯示裝置2之剖面構造之模式圖。
[圖10]示有機緩衝層210之端部(外周範圍)的擴大圖。
[圖11]乃顯示關於本發明之實施形態之電子機器之圖。
1．．．EL顯示裝置(發光裝置)
4．．．實際顯示範圍
5．．．虛擬範圍
11．．．電路部
20．．．基板
23．．．畫素電極(第一電極)
30．．．氣體阻障層
50．．．陰極(第二電極)
52．．．第一陰極保護層(第一無機層)
54．．．第二陰極保護層(第二無機層)
60．．．發光層(有機機能層)
70．．．正孔輸送層
80．．．掃描線驅動電路
103．．．電源線
123．．．TFT
200．．．基體
204．．．保護層
205．．．黏著層
206．．．保護基板
210．．．有機緩衝層
221．．．有機間隔壁層(間隔壁)
221a．．．開口部
284．．．第二層間絕緣膜
310．．．驅動電壓導通部
320．．．驅動控制信號導通部
A、B．．．線

Claims (15)

  1. 一種發光裝置，其特徵乃於基板上，具有複數之第一電極、和具有對應於前述第一電極之形成位置的複數開口部之畫素間隔壁、和至少配置於前述開口部之有機機能層、和被覆前述間隔壁及前述有機機能層的第二電極、和被覆前述第二電極之第一無機層、和被覆前述第一無機層之第二無機層、和被覆前述第二無機層之有機緩衝層、和被覆前述有機緩衝層之氣體阻障層；前述第一無機層乃由較前述第二無機層彈性率為低之材料所成。
  2. 一種發光裝置，其特徵乃於基板上，具有複數之第一電極、和具有對應於前述第一電極之形成位置的複數開口部之畫素間隔壁、和至少配置於前述開口部之有機機能層、和被覆前述間隔壁及前述有機機能層的第二電極、和被覆前述第二電極之第一無機層、和被覆前述第一無機層之第二無機層、和被覆前述第二無機層之有機緩衝層、和被覆前述有機緩衝層之氣體阻障層；前述第一無機層乃由彈性率10~100Gpa之材料所成。
  3. 一種發光裝置，其特徵乃於基板上，具有複數之第一電極、和具有對應於前述第一電極之形成位置的複數開口部之畫素間隔壁、和至少配置於前述開口部之有機機能層、和被覆前述間隔壁及前述有機機能層的第二電極、和被覆前述第二電極之第一無機層、和被覆前述第一無機層之第二無機層、和被覆前述第二無機層之有機緩衝層、和被覆前述有機緩衝層之氣體阻障層；前述第一無機層之膜厚乃較前述第二無機層為厚，且較前述有機緩衝層為薄者。
  4. 如申請專利範圍第1至3項之任一項之發光裝置，其中，前述第二電極乃由具有透明性之金屬薄膜或/及金屬氧化物導電膜所成，第一無機層及第二無機層乃由絕緣性之無機化合物所成。
  5. 如申請專利範圍第1項至3項之任一項之發光裝置，其中，前述第一無機層乃由較前述有機緩衝層彈性率為高之材料所成。
  6. 如申請專利範圍第1項至3項之任一項之發光裝置，其中，前述第一無機層乃被覆相較於被覆所有有機機能層、畫素間隔壁及第二電極為廣之範圍，終端部乃以氣體阻障層加以被覆地，在較氣體阻障層為狹之範圍而形成者。
  7. 如申請專利範圍第1項至3項之任一項之發光裝置， 其中，前述第一無機層乃由無機氧化物或鹼氫化物所成。
  8. 如申請專利範圍第1項至3項之任一項之發光裝置，其中，前述第二無機層與前述氣體阻障層乃由具有略相同之彈性率之材料所成。
  9. 如申請專利範圍第1項至3項之任一項之發光裝置，其中，前述有機緩衝層乃由環氧樹脂所成。
  10. 如申請專利範圍第1項至3項之任一項之發光裝置，其中，前述有機緩衝層之端部之該有機緩衝層與第二無機層間之角度乃形成呈20度以下者。
  11. 一種發光裝置之製造方法，其特徵乃於基板上，具有形成複數之第一電極之工程、和形成具有對應於前述第一電極之形成位置的複數開口部之畫素間隔壁之工程、和形成至少配置於前述開口部之有機機能層之工程、和形成被覆前述間隔壁及前述有機機能層的第二電極之工程、和形成被覆前述第二電極之第一無機層之工程、和形成被覆前述第一無機層之第二無機層之工程、和形成被覆前述第二無機層之有機緩衝層之工程、和形成被覆前述有機緩衝層之氣體阻障層之工程；前述第一無機層乃由較前述第二無機層彈性率為低之材料所成。
  12. 一種發光裝置之製造方法，其特徵乃於基板上，具 有形成複數之第一電極之工程、和形成具有對應於前述第一電極之形成位置的複數開口部之畫素間隔壁之工程、和形成至少配置於前述開口部之有機機能層之工程、和形成被覆前述間隔壁及前述有機機能層的第二電極之工程、和形成被覆前述第二電極之第一無機層之工程、和形成被覆前述第一無機層之第二無機層之工程、和形成被覆前述第二無機層之有機緩衝層之工程、和形成被覆前述有機緩衝層之氣體阻障層之工程；前述第一無機層乃由彈性率10~100Gpa之材料所成。
  13. 如申請專利範圍第11項或第12項之發光裝置之製造方法，其中，前述第一無機層乃由較前述有機緩衝層彈性率為高之材料所成。
  14. 如申請專利範圍第11項或第12項之發光裝置之製造方法，其中，前述第一無機層及前述第二無機層乃於同一之成膜裝置中，連續性形成者。
  15. 如申請專利範圍第11項或第12項之發光裝置之製造方法，其中，前述有機緩衝層乃經由減壓環境下之網版印刷法所配置。
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