CN1979886B - 发光装置及电子设备 - Google Patents

发光装置及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN1979886B
CN1979886B CN2006101637281A CN200610163728A CN1979886B CN 1979886 B CN1979886 B CN 1979886B CN 2006101637281 A CN2006101637281 A CN 2006101637281A CN 200610163728 A CN200610163728 A CN 200610163728A CN 1979886 B CN1979886 B CN 1979886B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light
inorganic
electrode
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2006101637281A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1979886A (zh
Inventor
林建二
山内幸夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1979886A publication Critical patent/CN1979886A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1979886B publication Critical patent/CN1979886B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供能够防止阴极层的剥离或产生裂纹的发光装置、发光装置的制造方法、及电子设备，其中，发光装置(1)在基体(200)上具有：多个第一电极(23)；具有与第一电极(23)的形成位置对应的多个开口部(221a)的隔壁(221)；至少配置于开口部(221a)的有机功能层(60)；覆盖隔壁(221)及有机功能层(60)的第二电极(50)；覆盖第二电极(50)的第一无机层(52)；覆盖第一无机层(52)的第二无机层(54)；覆盖第二无机层(54)的有机缓冲层(210)；和覆盖有机缓冲层(210)的阻气层(30)。

Description

发光装置及电子设备
技术领域
本发明涉及发光装置、发光装置的制造方法、及电子设备。 
背景技术
近年来，随着信息设备的多样化等，耗电少且轻量化的平面显示装置的需求逐渐增加。作为这种平面显示装置之一，已知有具备发光层的有机EL装置。这种有机EL装置，通常为在阳极和阴极之间具备发光层的结构。此外，为了提高空穴注入性或电子注入性，提出了在阳极和发光层之间配置有空穴注入层的结构、和在发光层和阴极之间配置有电子注入层的结构。 
有机EL装置的发光层、空穴注入层、电子注入层所采用的材料大多为与大气中的水分反应容易劣化的物质。如这些层劣化，则在有机EL装置中形成被称作黑点的非发光区域，作为发光元件的寿命缩短。因此，在这种有机EL装置中，出现抑制水分或氧等的影响的课题。 
为了解决这种课题，一般采用在有机EL装置的基板上粘接由玻璃或金属构成的密封构件，防止水分或氧的浸入的方法。但是，随着显示器的大型化及薄型化/轻量化，难以仅通过粘接的密封构件防止水分或氧的浸入。另外，为了随大型化而充分确保形成驱动元件或布线的面积，还提出了采用从密封构件侧照射光的顶部发光(top emission)构造的必要性。为了达到这种要求，追求采用了透明且轻量、耐强度性优异的薄膜的密封构造。 
因此，近年来，为了应对显示装置的大型化及轻薄化，逐渐采用通过高密度等离子体成膜法(例如，离子镀、ECR等离子体溅射、ECR等离子体CVD、表面波等离子体CVD、ICP-CVD等)在发光元件上形成透明且阻气性优异的硅氮化物、硅氧化物、陶瓷等薄膜以作为阻气层的被称 作薄膜密封的技术(例如，专利文献1～4)。根据这种技术，能够防止水分浸入到发光元件。 
专利文献1：特开平9-185994号公报 
专利文献2：特开2001-284041号公报 
专利文献3：特开2000-223264号公报 
专利文献4：特开2003-17244号公报 
但是，在采用这种技术的情况下，也不能够完全防止来自外部的水分的浸入，不能够获得充分的发光特性和发光寿命。尤其，在因像素隔壁等产生的外周部或阶梯部产生阻气层的剥离或裂纹，在此确认出水分的浸入。因此，考虑在阻气层的下层侧配置具有大致平坦的上表面的有机缓冲层，由此防止阻气层产生裂纹。 
可是，由于这种有机缓冲层的形成是在减压气氛下进行，特别由于在顶部发光构造中为了获得透明性而用薄膜作为阴极，所以出现对阴极层施加负荷，在阴极层的外周部或阶梯部产生剥离或裂纹，由此无法获得期望的发光特性的问题。 
发明内容
本发明正是鉴于上述问题而实现。 
在本发明的发光装置、发光装置的制造方法、及电子设备中，为了解决上述课题采用了以下的方法。 
第一发明的发光装置，在基体上具有：多个第一电极；具有与所述第一电极的形成位置对应的多个开口部的像素隔壁；至少配置于所述开口部的有机功能层；覆盖所述隔壁及所述有机功能层的第二电极；覆盖所述第二电极的第一无机层；覆盖所述第一无机层的第二无机层；覆盖所述第二无机层的有机缓冲层；和覆盖所述有机缓冲层的阻气层，所述第一无机层由弹性模量比所述第二无机层低的材料构成，所述第一无机层及所述第二无机层由具有透光性的绝缘性无机化合物构成且覆盖所述隔壁和所述第二电极的整个面。 
根据该发明，在形成有机缓冲层等的制造过程中，能够缓和施加给第二电极或第二无机层的外力，防止产生第二电极或第二无机层的剥离或裂纹等不良情况。例如，能够缓和丝网印刷有机缓冲层时的网孔的接触引起的过重，所以能够防止产生第二电极或第二无机层的剥离、裂纹等不良情况。 
所述第二电极由具有透明性的金属薄膜或/及金属氧化物导电膜构成，第一无机层及第二无机层由绝缘性的无机化合物构成。 
所述第一无机层由弹性模量比所述第二无机层低的材料构成，所以能够通过第一无机层缓和施加给第二无机层的外力。 
所述第一无机层由弹性模量比所述有机缓冲层高的材料构成，所以与第二无机层成为一体，能够保护第二电极。 
所述第一无机层由弹性模量为10～100GPa的材料构成，所以能够可靠地防止第二电极或第二无机层产生裂纹或剥离。 
所述第一无机层的膜厚比所述第二无机层厚，但比所述有机缓冲层薄，所以能够起到只缓和施加给第二无机层的外力的作用。 
所述第一无机层以与被覆有机功能层、像素隔壁及第二电极的全部相比覆盖更宽的范围，且以终端部被阻气层被覆的方式形成在比阻气层窄的范围内。 
所述第一无机层由无机氧化物或碱卤化物构成，所以能够在低温下且短时间内形成低弹性模量和高透明性的厚膜，从而能够低成本地形成，并能够可靠地防止第二电极或第二无机层产生裂纹或剥离。 
所述第二无机层和所述阻气层由具有大致相同的弹性模量的材料构成，所以能够防止水分还浸入到阻气层等。 
所述有机缓冲层由环氧树脂构成，所以能够防止阻气层产生裂纹等。 
在所述有机缓冲层的端部的接触角度形成在20°以下，所以能够防止端部的剥离。 
第二发明的发光装置的制造方法，具有在基板上形成如下的工序：形成多个第一电极的工序；形成具有与所述第一电极的形成位置对应的多个开口部的像素隔壁的工序；形成至少配置于所述开口部的有机功能层的工序；形成覆盖所述隔壁及所述有机功能层的第二电极的工序；形成覆盖所述第二电极的第一无机层的工序；形成覆盖所述第一无机层的第二无机层的工序；形成覆盖所述第二无机层的有机缓冲层的工序；和形成覆盖所述有机缓冲层的阻气层的工序。 
根据该发明，可通过第一无机层缓和在有机缓冲层形成工序中施加给第二电极或第二无机层的外力，防止产生第二电极或第二无机层的剥离、 裂纹等不良情况。例如，能够缓和丝网印刷有机缓冲层时的网孔的接触引起的过重，所以能够防止产生第二电极或第二无机层的剥离、裂纹等不良情况。 
所述第一无机层由弹性模量比所述第二无机层低的材料构成，所以能够通过第一无机层缓和施加给第二无机层的外力。 
所述第一无机层由弹性模量比所述有机缓冲层高的材料构成，所以与第二无机层成为一体，能够保护第二电极。 
所述第一无机层由弹性模量为10～100GPa的材料构成，所以能够可靠地防止第二电极或第二无机层产生裂纹或剥离。 
所述第一无机层及所述第二无机层在同一成膜装置内连续地形成，所以能够提高制造效率、降低制造成本。 
所述有机缓冲层在减压气氛下通过丝网印刷法配置，所以能够从有机缓冲层排除水分，还能够防止气泡的混入。 
第三发明的电子设备具备第一发明的发光装置。根据该发明，能够获得具备具有高质量的图像特性的显示部的电子设备。 
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的EL显示装置1的布线构造的图； 
图2是表示EL显示装置1的结构的示意图； 
图3是沿图2的A-B线的剖视图； 
图4是沿图2的C-D线的剖视图； 
图5是表示有机缓冲层210的端部(外周区域)的放大图； 
图6是按工序顺序表示EL显示装置1的制造方法的图； 
图7是表示接着图6的工序的图； 
图8是按工序顺序表示丝网印刷法的图； 
图9是表示本发明的第二实施方式的EL显示装置2的截面构造的示意图； 
图10是表示有机缓冲层210的端部(外周区域)的放大图； 
图11是表示阴极50上设有第一阴极保护层52时有无不良情况产生的图； 
图12是表示本发明的实施方式的电子设备的图。 
图中：1、2-EL显示装置(发光装置)；23-像素电极(第一电极)；30-阻气层；50-阴极(第二电极)；52-第一阴极保护层(第一无机层)；54-第二阴极保护层(第二无机层)；60-发光层(有机功能层)；200-基体；210-有机缓冲层；221-有机隔壁层(隔壁)；221a-开口部；1000-移动电话(电子设备)；1100-时针(电子设备)；1200-信息处理装置(电子设备)；1300-薄型大画面电视(电子设备)；1001、1101、1206、1306-显示部(发光装置)。 
具体实施方式
以下，参图附图对本发明的发光装置、发光装置的制造方法、及电子设备的实施方式进行说明。再有，作为发光装置，对采用了作为有机功能材料的一例的有机电致发光(EL)材料的EL显示装置进行说明。 
[第一实施方式] 
图1是表示本发明的第一实施方式的EL显示装置1的布线构造的图。 
EL显示装置(发光装置)1是采用薄膜晶体管(Thin Film Transistor、以下简称为TFT)作为转换元件的有源矩阵型EL显示装置。 
再有，在以下的说明中，为了能够认知构成EL显示装置1的各部位和各层膜而使各比例尺不同。 
EL显示装置1具有分别布线有多个扫描线101、在相对于各扫描线101以直角交叉的方向上延伸的多个信号线102、与各信号线102并列地延伸的多个电源线103的结构，并且在扫描线101和信号线102的各交点附近设有像素区域X。 
在信号线102上连接有具备移位寄存器、电平移动二极管、视频线路及模拟开关的数据线驱动电路100。另外，在扫描线101上连接有具备移位寄存器及电平移动二极管的扫描线驱动电路80。 
此外，在各像素区域X中设有：通过扫描线101向栅极电极供给扫描信号的转换用TFT112、保持通过该转换用TFT112从信号线102供给的像素信号的保持电容113、向栅极电极供给由该保持电容113保持的像素信号的驱动用TFT123、通过该驱动用TFT123与电源线103电连接时从该电 源线103流入驱动电流的像素电极(第一电极)23、夹在该像素电极23和阴极(第二电极)50之间的有机功能层110。由像素电极23、阴极50和有机功能层110构成发光元件(有机EL元件)。 
根据该EL显示装置1，若驱动扫描线101，使转换用TFT112达到接通状态，则此时的信号线102的电位由保持电容113保持，根据该保持电容113的状态，决定驱动用TFT123的接通·断开状态。并且，经由驱动用TFT123的沟道，从电源线103向像素电极23流入电流，进而经由有机功能层110向阴极50流入电流。有机功能层110根据流过其自身的电流量而发光。 
下面，参照图2～图5对EL显示装置1的具体的结构进行说明。 
如图2所示，EL显示装置1是有源矩阵型装置，具备：具有电绝缘性的基板20；在基板20上矩阵状配置与转换用TFT(未图示)连接的像素电极而构成的像素电极域(未图示)；配置在像素电极域的周围并且与各像素电极连接的电源线(未图示)；至少位于像素电极域上的平面观察大致矩形的像素部3(图2中单点划线框内)。 
再有，在本发明中，将包括基板20和如后述那样在其上面形成的转换用TFT或各种电路、及层间绝缘膜等的总称为基体200(参照图3、图4)。 
像素部3划分为中央部分的实显示区域4(图2中双点划线框内)和配置在实显示区域4的周围的虚设区域5(单点划线及双点划线之间的区域)。 
在实显示区域4中，沿A-B方向及C-D方向分别分离地矩阵状配置有分别具有像素电极的显示区域R、G、B。 
另外，在实显示区域4的图2中两侧，配置有扫描线驱动电路80。这些扫描线驱动电路80配置在虚设区域5的下侧。 
此外，在实显示区域4的图2中上侧，配置有检查电路90。该检查电路90是用于检查EL显示装置1的动作状况的电路，例如具备向外部输出检查结果的检查信息输出机构(未图示)，能够进行制造途中或出厂时的显示装置的质量、缺陷的检查。再有，该检查电路90也配置在虚设区域5的下侧。 
扫描线驱动电路80及检查电路90其驱动电压从规定的电源部经由驱动电压导通部310(参照图3)及驱动电压导通部340(参照图4)而施加。另外，向这些扫描线驱动电路80及检查电路90施加的驱动控制信号及驱动电压，从进行该EL显示装置1的动作控制的规定的主驱动器等经由驱动控制信号导通部320(参照图3)及驱动电压导通部350(参照图4)输送或施加。再有，该情况下的驱动控制信号是指，扫描线驱动电路80及检查电路90输出信号时的控制相关的来自主驱动器等的指令信号。 
另外，如图3、图4所示，EL显示装置1在基体200上形成有多个具备像素电极23、有机隔壁层(像素隔壁)221、发光层(有机功能层)60和阴极50的发光元件(有机EL元件)，进而覆盖它们而形成有第一阴极保护层(第一无机层)52、第二阴极保护层(第二无机层)54、有机缓冲层210、阻气层30等。 
再有，作为发光层60，代表性为作为发光层(电致反光层)的具备空穴注入层、空穴输送层、电子注入层、电子输送层等载流子注入层或载流子输送层的发光层。此外，也可为具备空穴阻止层(hole blocking层)、电子阻止层(electron阻止层)的发光层。 
作为构成基体200的基板20，在所谓的顶部发光型EL显示装置的情况下，是从该基板20的相对侧即阻气层30侧进行发光的结构，所以可采用透明基板及不透明基板的任一种。作为不透明基板，例如可列举氧化铝等陶瓷、在不锈钢等金属薄板上实施了表面氧化等绝缘处理的物质，还有热固性树脂或热塑性树脂，进而其薄膜(塑料薄膜)等。 
另外，在所谓的底部发光型EL显示装置的情况下，是从基板20侧进行发光的结构，所以作为基板20，采用透明或半透明的物质。例如，可列举玻璃、石英、树脂(塑料、塑料薄膜)等，尤其适于采用玻璃基板。再有，在本实施方式中，设为从阻气层30侧进行发光的顶部发光型，因此，作为基板20可采用上述的不透明基板，例如不透明的塑料薄膜等。 
另外，在基板20上，形成有包括用于驱动像素电极23的驱动用TFT123等的电路部11，在其上面设有多个发光元件(有机EL元件)。发光元件通过依次形成起到阳极作用的像素电极23、注入/输送来自该像素电极23的空穴的空穴输送层70、具备有机EL材料的发光层60、阴极50 而构成。 
在这种结构的基础上，发光元件在其发光层60中，通过从空穴输送层70注入的空穴和来自阴极50的电子的结合而发光。 
由于在本实施方式中为顶部发光型，所以像素电极23不必为透明，为了进一步提高反射性，例如可采用如反射层/无机绝缘层/透明阳极ITO的多层构造。反射层是将来自发光层的光积极地反射到阴极侧的层，可采用铝合金等，经由硅氮化物等无机绝缘层，将逸出功为5eV以上的空穴注入性高的ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等金属氧化物导电膜用于阳极。 
作为空穴输送层70的形成材料，例如可采用聚噻吩衍生物、聚吡咯衍生物等，或它们的掺杂体等。具体而言，可采用3，4-聚二氧乙基噻吩/聚对苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)的分散液，即，在作为分散剂的聚对苯乙烯磺酸中分散3，4-聚二氧乙基噻吩，进而将其分散到水中的分散液等，来形成空穴输送层70。 
作为用于形成发光层60的材料，可采用能够发出荧光或磷光的公知的发光材料。具体而言，可适宜地采用(聚)芴衍生物(PF)、(聚)对苯撑乙烯衍生物(PPV)、聚苯撑衍生物(PP)、聚对苯撑衍生物(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等聚硅烷系等。 
另外，也可在这些高分子材料中掺杂二萘嵌苯系色素、香豆素系色素、若丹明系色素等高分子系材料、或红荧烯、二萘嵌苯、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖啶酮等低分子材料而使用。 
再有，也可代替上述的高分子材料，而采用以往公知的低分子材料。 
另外，也可根据需要，在这种发光层60上形成电子注入层。 
另外，本实施方式的空穴输送层70和发光层60，如图3、图4所示，由在基体200上格子状形成的亲液性控制层25(未图示)和有机隔壁层(像素隔壁)221包围而配置，由此，被包围的空穴输送层70及发光层60成为构成单一的发光元件(有机EL元件)的元件层。 
再有，有机隔壁层221的开口部221a的各壁面相对于基体200表面的角度在110度以上170度以下。形成这种角度是因为，由湿法形成发光 层60时，容易配置到开口部221a内。 
如图2～图4所示，阴极50具备比实显示区域4及虚设区域5的总面积宽的面积，以覆盖它们的方式形成，并以覆盖发光层60和有机隔壁层221的上面，进而覆盖形成有机隔壁层221的外侧部的壁面的状态形成在基体200上。再有，如图4所示，该阴极50在有机隔壁层221的外侧，与形成在基体200的外周部的阴极用布线202连接。在该阴极用布线202上连接有柔性基板203，由此，阴极50通过阴极用布线202与柔性基板203上的未图示的驱动IC(驱动电路)连接。 
由于本实施方式中为顶部发光型，所以，作为用于形成阴极50的材料需要具有透光性，因此采用透明导电材料。作为透明导电材料ITO较为合适，不过除此之外，例如还可采用氧化铟·氧化锌系无定形的透明导电膜(Indium Zinc Oxide：IZO/アイ·ゼツト·オ一(注册商标))等。再有，在本实施方式中采用ITO。 
另外，阴极50适于采用电子注入效果高(逸出功在4eV以下)的材料。例如钙或镁、钠、锂金属、或它们的金属化合物。作为金属化合物，适合采用氟化钙等金属氟化物或氧化锂等金属氧化物、乙酰基丙酮酸钙等有机金属络合物。另外，如果只是这些材料，则电阻大，还起不到电极的作用，所以可避开发光区域而对铝或金、银、铜等的金属层构图，或者组合与ITO或氧化锡等的透明的金属氧化物导电膜的叠层体而使用。再有，在本实施方式中，将氟化锂和镁-银合金、ITO的叠层体调整为能够获得透明性的膜厚而使用。 
如图3、图4所示，在阴极50的上层部，以比有机隔壁层221宽的范围且覆盖阴极50的状态形成有第一阴极保护层52。第一阴极保护层52是在第二阴极保护层54上形成有机缓冲层210时，为了缓和施加给第二阴极保护层54上的负荷而设置。 
第一阴极保护层52由弹性模量低于第二阴极保护层54的材料构成，是弹性模量在10～100GPa的范围的无机材料。例如，在底部发光构造中可采用作为阴极层的金属材料的Mg、Zn、Al、Ag等。在顶部发光构造中可采用作为透明的无机化合物材料的SiO2等无机氧化物或LiF、MgF2等碱卤化物。通常，这些低弹性模量的材料大多缺 乏耐水性。 
另外，作为第一阴极保护层52的形成方法，为了不给发光层60带来损害，采用能够在低温下成膜的真空蒸镀法或高密度等离子体成膜法等。 
另外，第一阴极保护层52的膜厚优选50～200nm左右，更加优选比第二阴极保护层54厚。 
如图3、图4所示，在第一阴极保护层52的上层部，形成有第二阴极保护层54。第二阴极保护层54是为了弥补第一阴极保护层52的耐水性的不足且防止有机缓冲层210的残留水分等引起的制造加工时的对阴极50的损害而设置。另外，以缓冲层材料的涂敷形成时的平坦性或消泡性、粘合性、侧面端部的低角度化为目的而设置的。 
第二阴极保护层54考虑透明性、致密性、耐水性、绝缘性、阻气性，优选由致密且高弹性模量的硅氮化物或硅氮氧化物等含氮的硅化合物等材料形成。 
作为形成第二阴极保护层54的材料的弹性模量，优选100GPa以上。 
另外，作为第二阴极保护层54的形成方法，采用ECR溅射法或离子镀法等高密度等离子体成膜法。 
另外，第二阴极保护层54的膜厚优选10～50nm左右。 
如图3、图4所示，在第二阴极保护层54的上层部，以比有机隔壁层221宽的范围且覆盖阴极50的状态设有有机缓冲层210。再有，有机缓冲层210不必将上述阴极保护层全部覆盖至终端部，另外，可为覆盖在像素部3上形成的阴极50的情况、或进而还覆盖基体200的外周部的阴极用布线202上形成的阴极50的情况的任一个。 
有机缓冲层210受到有机隔壁层221的形状的影响，配置为填补形成为凹凸状的阴极50的凹凸部分，此外，其上表面形成为大致平坦状。有机缓冲层210具有缓和基体200的翘曲或体积膨胀而产生的应力，防止阴极50从不稳定的有机隔壁层221剥离的功能。另外，由于有机缓冲层210的上表面大致平坦化，所以在有机缓冲层210上形成的由硬的被膜构成的阻气层30也平坦化，所以应力集中的部位消失，由此，防止阻气层30产生裂纹。 
有机缓冲层210的形成优选采用减压真空下的丝网印刷法，在第二阴极保护层54上进行涂敷。使在网孔上由树脂固化物对非涂敷区域构图的掩模与基体200接触，由刮板按压，由此将有机缓冲层形成材料转印到基体200上(第二阴极保护层54上)。由于是在减压气氛下进行涂敷(转印)，所以能够维持水分少的环境，且能够除去转印时在涂敷面产生的气泡。 
对于有机缓冲层210，作为固化前的原料主成分，为了在减压真空下印刷形成，需要是流动性优异且没有溶剂或挥发成分，全部成为高分子骨架的原料的有机化合物材料，优选采用具有环氧基的分子量3000以下的环氧基单体/低聚体(单体的定义：分子量1000以下，低聚体的定义：分子量1000～3000)。例如具有双酚A型环氧低聚体或双酚F型环氧低聚体、线性酚醛型环氧低聚体、聚乙烯乙二醇二缩水甘油醚、烷基缩水甘油醚、3，4-环氧环己烯基甲基-3’，4’-环氧环己烯羧酸盐、ε-己内酯变性3，4-环氧环己基甲基-3’，4’-环氧环己烷羧酸盐等，这些可单独或多个组合来使用。 
另外，作为与环氧基单体/低聚体反应的固化剂，可形成电绝缘性或粘接性优异、且硬度高强韧耐热性优异的固化被膜，也可为透明性优异、且固化偏差小的附加聚合型。例如，优选3-甲基-1，2，3，6-四氢化无水邻苯二甲酸、甲基-3，6-桥亚甲基-1，2，3，6-四氢化无水邻苯二甲酸、1，2，4，5-苯四羧酸酣、3，3′，4，4′-苯酮四羧酸酣等酸酣系固化剂。此外，作为促进酸酣的反应(开环)的反应促进剂，通过添加1，6-己二醇等分子量大的不易挥发的醇类使得容易低温固化。它们的固化在60～100℃的范围的加热下进行，其固化被膜成为具有酯结合的高分子。 
此外，作为促进酸酣的开环的固化促进剂，通过添加芳香族胺或醇类、氨基苯酚等分子量比较高的物质，由此能够进行低温且短时间的固化。 
为了缩短固化时间而经常使用的阳离子放出型光聚合开始剂，由于产生着色或急剧的固化收缩，所以并不优选，但也可混入提高与阻气层30的粘合性的硅烷耦合剂、或异氰酸盐化合物等补水剂、防止固化时的收缩的微粒子等添加剂。 
这些各原料的粘度优选1000mPa·s(室温：25℃)以上。 
这是由于，以免刚涂敷后浸透到发光层60，产生称作黑点的非发光区域。另外，作为混合这些原料的缓冲层形成材料的粘度，优选500～20000mPa·s，尤其优选2000～10000mPa·s(室温)。 
另外，作为有机缓冲层210的膜厚，优选3～10μm。这是因为，只要有机缓冲层210的膜厚在3μm以上，则即使在混入了异物的情况下，也能够防止阻气层30产生缺陷。 
另外，作为固化后的特性，有机缓冲层210的弹性模量优选1～10GPa。这是由于，在10GPa以上，无法吸收将有机隔壁层221上面平坦化时的应力，而在1GPa以下，则耐磨损性或耐热性等不足。 
此外，如图2～图4所示，在有机缓冲层210的上层部，覆盖发光层60及有机隔壁层221、阴极50，且在密封层中覆盖至比较缺乏耐水性的有机隔壁层221及第一阴极保护层52的终端部的宽的范围内，也形成有阻气层30。 
阻气层30用于防止氧或水分的浸入，由此能够抑制因氧或水分引起的阴极50或发光层60的劣化等。阻气层30考虑透明性、阻气性、耐水性，优选由含硅的硅化合物、即硅氮化物或硅氧氮化物等形成。 
作为阻气层30的成膜法，为了遮断水蒸气等气体需要形成致密且无缺陷的被膜，所以适于采用能够在低温下形状致密的膜的高密度等离子体成膜法来形成。 
阻气层30的弹性模量在100GPa以上，具体而言优选200～250GPa左右。再有，也可由具有与上述的第二阴极保护层54相同的弹性模量的材料来形成。另外，阻气层30的膜厚优选200～600nm左右。这是由于，如果小于200nm，则对异物的被覆性不足，部分地形成贯通孔，有可能会损害阻气性，如果超过600nm，则有可能因应力而产生裂纹。 
此外，作为阻气层30即可为叠层构造，也可为使其组成不均匀，特别是其氧浓度连续地或者非连续地变化的结构。 
另外，由于在本实施方式中为顶板发光型，所以阻气层30不必具有透光性，因此，通过适当调整其材质或膜厚，可使本实施方式中的可视光区域的光线透过率例如达到80％以上。 
在此，对有机缓冲层210的端部(外周区域)的构造进行说明。 
图5是表示有机缓冲层210的端部(外周区域)的放大图。 
有机缓冲层210形成在第二阴极保护层54上，在其端部与第二阴极保护层54的表面以接触角α接触。在此，接触角α在45°以下，更加优选1°～20°程度以下。 
由此，形成在有机缓冲层210的上层的阻气层30，其端部没有急剧的形状变化，而以平稳的形状变化，所以能够防止因应力集中而产生裂纹等的缺陷。因此，能够长期维持密封能力。 
回到图3、图4，在阻气层30的上层部设有覆盖阻气层30的保护层204。该保护层204由设在阻气层30侧的粘接层205和表面保护基板206构成。 
粘接层205在阻气层30上固定表面保护基板206，且具有缓冲来自外部的机械的冲击的功能，同时对发光层60或阻气层30进行保护。通过在该粘接层205上贴合表面保护基板206而形成了保护层204。粘接层205由例如聚氨脂系、丙烯酸系、环氧系、聚烯烃系等树脂，比表面保护基板206柔软且玻璃转移点低的材料构成的粘接剂形成。另外，优选透明树脂材料。另外，为了在低温下使其固化，也可由添加固化剂的双液混合型的材料形成。 
再有，在这种粘接层205中优选预先添加硅烷耦合剂或烷氧基硅烷，一旦如此，形成的粘接层205与阻气层30的粘合性更加良好，因此，对机械的冲击的缓冲性能提高。 
另外，特别是在阻气层30由硅化合物形成等情况下，可通过硅烷耦合剂或烷氧基硅烷提高与该阻气层30的粘合性，因此，能够提高阻气层30的阻气性。 
表面保护基板206设在粘接层205上，构成保护层204的表面侧，是具有耐压性或耐磨损性、外部光反射防止性、阻气性、紫外线遮断性等功能的至少一个而构成的层。 
表面保护基板206的材质采用玻璃、DLC(类金刚石碳)层、透明塑料、透明塑料膜。在此，作为塑料材料，例如采用PET、丙烯酸、聚碳酸酯、聚烯烃等。 
此外，也可在该表面保护基板206上设有紫外线遮断/吸收层或光反射防止层、放热层、透镜、色波长变换层或镜子等光学构造。另外，还可设有滤色片功能。 
再有，由于EL显示装置1是顶部发光型，所以需要将表面保护基板206、粘接层205均设为具有透光性，但在底部发光型的情况下则没有必要。 
下面，参照图6及图7对本实施方式的EL显示装置1的制造方法的一例进行说明。图6及图7所示的各剖视图是对应于图2中的A-B线的剖视图的图。 
再有，在本实施方式中，作为发光装置的EL显示装置1是顶板发光型，另外，对于在基板20的表面形成电路部11的工序来说，与现有技术部并无区别，所以省略说明。 
首先，如图6(a)所示，以覆盖表面形成有电路部11的基板20的整个面的方式，形成成为像素电极23的导电膜，进而，通过对该透明导电膜进行构图，形成通过第二层间绝缘层284的接触孔23a与漏极电极244导通的像素电极23，同时还形成虚设区域的虚设图案26。 
再有，在图3、图4中，将这些像素电极23、虚设图案26总称为像素电极23。虚设图案26形成为不通过第二层间绝缘层284与下层的金属布线连接的结构。即，虚设图案26配子为岛状，具有与形成在实显示区域的像素电极23的形状大致相同的形状。当然，也可为与形成在显示区域的像素电极23的形状不同的构造。再有，在该情况下，虚设图案26至少还包括位于驱动电压导通部310(340)的上方的部分。 
然后，如图6(b)所示，在像素电极23、虚设图案26上，及第二层间绝缘膜上形成绝缘层即亲液性控制层25。再有，在像素电极23上以一部分开口的方式形成亲液性控制层25，在开口部25a(参照图3)能够进行来自像素电极23的空穴移动。相反，在不设置开口部25a的虚设图案26上，绝缘层(亲液性控制层)25成为空穴移动遮蔽层而不产生空穴移动。继而，在亲液性控制层25上，在位于不同的两个像素电极23之间而形成的凹状部处形成未图示的BM(黑矩阵)。具体而言，对于亲液性控制层25的凹状部，采用金属铬通过溅射法成膜。 
并且，如图6(c)所示，在亲液性控制层25的规定位置，详细来说覆盖上述的BM而形成有机隔壁层221。 
作为具体的有机隔壁层的形成方法，例如通过旋涂法、浸渍涂敷法等各种涂敷法涂敷将丙烯酸系、亚胺系材料等抗蚀剂溶解于溶剂中的物质来形成有机树脂层。再有，有机树脂层的构成材料不溶于后述的墨水的溶剂，而且，只要是通过蚀刻等容易构图的物质则为任意。 
此外，采用光刻法技术、蚀刻技术对有机树脂层进行构图，在有机树脂层上形成开口部221a，由此在开口部221a上形成具有壁面的有机隔壁层221。在此，对于形成开口部221a的壁面来说，以相对于基体200表面的角度在110度以上170度以下的方式形成。 
再有，在该情况下，有机隔壁层221至少包括位于驱动控制信号导通部320的上方的部分。 
然后，在有机隔壁层221的表面形成表示亲液性的区域和表示防液性的区域。在本实施方式中，通过等离子体处理形成各区域。具体而言，由预加热工序、对有机隔壁层221的上表面及开口部221a的壁面以及像素电极23的电极面23c、亲液性控制层25的上表面分别赋予亲液性的亲墨水化工序、对有机隔壁层221的上表面及开口部221a的壁面赋予防液性的防墨水化工序、冷却工序构成等离子体处理。 
然后，通过空穴输送层形成工序形成空穴输送层70。在该空穴输送层形成工序中，例如通过喷墨法等液滴喷出法、或旋涂法等在电极面23c上涂敷空穴输送层材料，之后，进行干燥处理及热处理，在电极23上形成空穴输送层70。 
然后，通过发光层形成工序形成发光层60。在该发光层形成工序中，例如通过喷墨法向空穴输送层70上喷出发光层形成材料，之后，通过进行干燥处理及热处理，在形成于有机隔壁层221上的开口部221a内形成发光层60。在该发光层形成工序中，为了防止空穴输送层70的再溶解，作为发光层形成材料所采用的溶剂，采用对空穴输送层70不容的无机性溶剂。 
然后，如图6(d)所示，通过阴极层形成工序形成阴极50。在该阴极层形成工序中，例如通过离子镀法等物理气相沉积法形成ITO，作为阴 极50。此时，对于该阴极50而言，覆盖发光层60和有机隔壁层221的上表面自不必说，还以成为覆盖形成有机隔壁层221的外侧部的壁面的状态的方式形成。 
然后，如图7(a)所示，在阴极50上形成第一阴极保护层52及第二阴极保护层54。 
例如，通过真空蒸镀法或高密度等离子体成膜法将Mg、Zn、Al、Ag等无机材料、或作为透明无机材料的SiO2等无机氧化物或LiF或MgF2等碱卤化物形成50～200nm左右的膜厚。 
然后，通过ECR溅射法或离子镀法等高密度等离子体成膜法将硅氮化物等含硅的硅化合物等的无机化合物形成10～50nm左右的膜厚。 
再有，第一阴极保护层52及第二阴极保护层54可在同一处理室内采用同一掩模连续成膜。一旦如此，能够有效地进行第一阴极保护层52及第二阴极保护层54的成膜。 
然后，如图7(b)所示，通过丝网印刷法在第二阴极保护层54上涂敷有机缓冲层210。此时，在100～10000Pa范围的减压气氛下进行涂敷，以免因气泡而产生膜缺陷。 
在此，对在减压气氛下丝网印刷有机缓冲层210的顺序进行详细说明。 
图8是按工序顺序表示丝网印刷法的图。 
丝网印刷法是能够在减压气氛下进行涂敷的方法，所以是擅长使用相对中～高粘度的涂敷液的方式。尤其丝网印刷法具有如下优点：通过刮板的加压移动涂敷控制简便，且通过使用网孔膜厚均匀性及构图性优异。 
最初，如图8A所示，将形成至第一阴极保护层52及第二阴极保护层54的基体200搬入第一基板搬送室(未图示)，将第一基板搬送室内及印刷室(未图示)内调整到规定压力后，将基体200搬入印刷室内。 
然后，如图8B所示，相对于网孔551进行对位。在此，在网孔551的非涂敷部形成有被覆不涂敷材料的部分的防液性乳剂固化层551n。 
再有，网孔551的图案形状形成为用于将有机缓冲层210的周缘部形成为规定形状(例如波形状)的型。 
然后，对基体200进行对位后，保持在载物台(未图示)上。作为将基体200保持在载物台上的方法，例如可采用真空吸附。 
然后，如图8C所示，作为第一次压力调整工序，在向网孔551上滴下缓冲层材料之前，将印刷室内调整到10～1000Pa的压力。 
然后，如图8D所示，通过分配器喷嘴等在网孔551的一端(乳剂固化层551n上)滴下规定量的固化前的缓冲层材料K。 
作为缓冲层材料K如上所述使用在环氧单体/低聚体材料中混合有固化剂、反应促进剂的材料。这些材料在涂敷前混合之后使用，但作为混合后的粘度，在室温(25℃)下为500～20000mPa·s的粘度范围为好。在粘度比其低的情况下，产生来自网孔551的液滴或向乳剂固化层551n上的溢出，膜厚稳定性或构图性变差。另外，在粘度比其高的情况下，因平坦性变差而残留网孔痕，另外，由于网孔脱离时卷入的气泡明显成长，所以容易产生火山口状的涂敷脱落，消泡工序后也容易残留气泡。 
此外，作为缓冲层材料K的粘度，尤其优选2000～10000mPa·s的范围。通过使粘度低于10000mPa·s，能够进一步抑制气泡的残留。另外，通过使其高于1000mPa·s，使得在丝网印刷工序中不易产生气泡，而且不易产生火山口状的缺陷。由此，能够获得均匀的膜。另外，如后所述，能够可靠地抑制黑点的产生。因此，通过如上述那样设定材料的室温粘度，能够可靠地实现缓冲层的形状保持、表面的平坦化、气泡的极微小化、侧面端部的低角度化，从而能够抑制黑点的产生。 
另外，有机缓冲层210的膜厚为了能够实现平坦化和缓和因凹凸而产生的应力，需要比有机隔壁层221的高度厚，如上所述，优选3～10μm左右。它们的粘度和膜厚控制还影响到接触角的形成，对于使终端部的角度达到20°以下也很重要。优选没有应力，但也可稍微产生拉伸应力。为了尽量减小应力，优选相对来说密度低的多孔质的膜，如上所述，弹性模量适宜为1～10GPa的范围。 
然后，如图8E所示，在网孔551上将刮板553从一边侧移动到另一边侧，由此将缓冲层材料K展开在网孔551上，且压入到基体200上，来转印图案。再有，在将网孔551配置在基体200上时，网孔551可与基体200完全接触，也可空出1mm左右的间隔。即使在空出间隔的情况下，通过刮板553压入材料后，经由材料网孔551和基体200实际上也接触，成 为接触方式的丝网印刷。因此，需要后述的网孔的剥离工序。 
另外，此时，由于一边轧制一边涂敷缓冲层材料K，所以材料中混入气泡。因此，如图8F所示，作为第二次压力调整工序，在将印刷室内调整到2000～5000Pa的压力的基础上保持规定时间，以除去气泡。即，通过净化印刷室内的氮气，将压力从第一次的调整压力即10～1000Pa提高到2000～5000Pa。由于该气泡为真空气泡，所以通过提高压力，能够使气泡破裂，并消除。 
然后，如图8G所示，从基体200剥离网孔551。此时，虽未图示，但例如若在基体200的一边侧，在使刮板553与载物台抵触的状态下使载物台下降，从网孔551分离载物台，则与刮板553抵触的部位成为支点，从相反侧的边开始网孔551的剥离。实际上在进行网孔551的剥离动作时，尤其优选将印刷室内的压力调整到3000～4000Pa。其理由是，剥离时基体200被网孔551拉伸，施加从载物台剥离基体200的大的力，但如果在该时点印刷室内的压力在3000～4000Pa以上，则通过真空吸附基体200被可靠地固定在载物台上，能够毫无障碍地进行网孔551的剥离。 
之后，如图8H所示，继续载物台的下降，网孔551从基体200完全分离之后结束剥离。 
然后，如图8I所示，将缓冲层材料K的印刷结束的基体200搬入第二基板搬送室之后，如图8J所示，在将基体200保持于第二基板搬送室内的状态下，作为第三次调整压力，在将第二基板搬送室内调整到大气压的基础上保持规定时间，以除去气泡。即，通过净化第二基板搬送室内的氮气，使第二基板搬送室内达到大气压，并使基板周围的气氛从第二次调整压力即2000～5000Pa上升到大气压。 
然后，如图8K所示，在将基体200从第二基板搬送室搬入到加热室之后，在氮气气氛下对缓冲层材料K实施60～100℃的加热处理。由此，缓冲层材料K固化。通过实施这种固化工序，固化前的缓冲层材料K中含有的环氧单体/低聚体材料与固化剂、反应促进剂反应，环氧单体/低聚体三元固化，形成聚合物的环氧树脂。 
另外，通过实施加热处理，不仅产生这种固化现象，而且缓冲层材料 K的侧面端部的形状下垂，终端部的角度达到20以下(参照图5)，成为最终的有机缓冲层210的形状。 
回到图7(c)，覆盖有机缓冲层210形成阻气层30。阻气层30由减压下的高密度等离子体成膜法等形成，优选主要由硅氮化物或硅氧氮化物构成的透明的薄膜。另外，为了完全遮断小分子的水蒸气而具有致密性，并优选具有一定的压缩应力。优选的膜密度在2.3/cm3以上，弹性模量在100GPa以上，膜厚与无机缓冲层配合优选在1000nm以下，适宜为20～600nm。 
再有，作为阻气层30的具体的形成方法，可首先通过旋涂法或离子镀法等物理气相沉积法进行成膜，然后通过等离子体CVD法等化学气相沉积法进行成膜。旋涂法或离子镀法等物理气相沉积法，不使用有害的原料气体而一般对于不同的基体表面也能够获得相对而言粘合性好的致密的膜，另一方面，在化学气相沉积法中，成膜速度快，应力小，阶段覆盖性优异的缺陷少，能够获得致密且良好的膜质的膜。这些方法可考虑批量生产性而适时选择。 
另外，对于阻气层30的形成而言，如上所述，可通过同一材料形成单层，另外，也可通过不同材料叠层为多层而形成，此外，即使形成为单层，也可使其组成在膜厚方向上连续地或者非连续地变化而形成。 
然后，在阻气层30上设置由粘接层205和表面保护基板206构成的保护层204(参照图3、图4)。粘接层205通过丝网印刷法或窄缝涂敷法等大致均匀地涂敷到阻气层30上，然后在其上面贴合表面保护基板206。 
如果这样在阻气层30上设置保护层204，则表面保护基板206具有耐压性或耐磨损性、光反射防止性、阻气性、紫外线遮断性等功能，由此发光层60或阴极50，进而阻气层也能够由该表面保护基板206保护，因此，能够实现发光元件的长寿命化。 
另外，由于粘接层205发挥对机械的冲击缓和的功能，所以在从外部施加机械的冲击时，能够缓和对阻气层30或该内侧的发光元件的机械的冲击，防止该机械的冲击引起发光元件的功能劣化。 
按以上所述进行，形成EL显示装置1。 
[第二实施方式] 
以下，对本发明的第二实施方式的EL显示装置2进行说明。再有，在本实施方式中，对于与第一实施方式相同的结构标注同一符号并省略说明。 
图9是表示本发明的第二实施方式的EL显示装置2的截面构造的示意剖视图。图10是表示EL显示装置2的有机缓冲层210的端部(外周区域)的放大图。 
EL显示装置2与第一实施方式的EL显示装置1的不同点在于，作为发光层采用了发出白色光的白色发光层60W，以及作为表面保护基板采用了滤色基板207。 
作为白色有机发光材料可采用苯乙烯胺系发光材料、蒽系多巴胺(蓝色)，或者苯乙烯胺系发光材料、红荧烯系多巴胺(黄色)。 
再有，在白色发光层60W的下层或上层，优选形成三芳基胺(ATP)多聚体空穴注入层、TDP(三苯基二元胺)系空穴输送层、喹啉并铝(Alq3)层(电子输送层)、LiF(电子注入缓冲层)。 
另外，由于不需要像第一实施方式的EL显示装置1那样将发光层60按R、G、B划分，所以可在各像素电极23上跨过有机隔壁层221那样形成白色发光层60W。 
而且，在白色发光层60W上形成阴极50、第一阴极保护层52及第二阴极保护层54。 
再有，也可在有机隔壁层221的上面配置由铝等金属材料构成的辅助电极64。辅助电极64具有低于阴极50的电阻值，通过与阴极50的途中部位电连接，防止电阻值高的阴极50的电压下降。 
另外，滤色基板207是在基板主体207A上形成红色着色层208R、绿色着色层208G、蓝色着色层208B，以及黑矩阵209而成。而且，着色层208R、208G、208B以及黑矩阵209的形成面通过粘接层205朝向基体200相对配置。再有，基板主体207A的材质可采用与第一实施方式的表面保护基板206同样的材质。 
另外，各个着色层208R、208G、208B与像素电极23上的白色发光层60W相对而配置。由此，白色发光层60W的发出光透过各个着色层208R、208G、208B，作为红色光、绿色光、蓝色光的各色光照射到观察 者侧。 
于是，在EL显示装置2中，利用白色发光层60W的发出光，且通过具有多色的着色层208的滤色基板207进行色彩显示。 
另外，着色层208R、208G、208B与白色发光层60W的距离要求尽量短的距离，使得白色发光层60W的发出光只照射到相对的着色层。这是由于，在该距离长的情况下，白色发光层60W的发出光照射到邻接的着色层的可能性增加，为了抑制该情况，优选缩短该距离。 
具体而言，从绝缘层284的表面到滤色基板207的间隔优选设为15μm左右。由此，白色发光层60W的发出光只照射到相对的着色层，能够抑制发出光涉及到邻接的着色层的情况。由此能够抑制混色。 
另外，由于利用了单色的白色发光层60W，所以不必为每个R、G、B都分别形成发光层。具体而言，在形成低分子系的白色发光层的掩模蒸镀蒸镀工序或形成高分子系的白色发光层的液滴喷出工序等中，一种白色发光层由一工序形成即可，所以与分别形成每个R、G、B的发光层的情况相比，制造工序变得容易。另外，能够抑制个发光层60的寿命的偏差。 
另外，如图10所示，在EL显示装置2中，有机缓冲层210也形成在第二阴极保护层54上，在其终端部与第二阴极保护层54的表面以接触角α接触。在此，接触角α在45°以下，更加优选在1°～20°程度以下。 
由此，形成在有机缓冲层210的上层的阻气层30，在其端部没有急剧的形状变化，平稳地变化形状，所以能够防止因应力集中而产生裂纹等缺陷。因此，能够长期维持密封能力。 
另外，配置在层间绝缘膜292上的平坦化绝缘膜294的端部的接触角β也在45°以下，形成在平坦化绝缘膜294上的第一阴极保护层52及第二阴极保护层54的形状平稳变化地形成。 
由此，形成在平坦化绝缘膜294的上层的第一阴极保护层52及第二阴极保护层54能够防止因应力集中而产生裂纹等缺陷。 
[实施例] 
下面，对在阴极50上形成有第一阴极保护层52及第二阴极保护层54时有无产生不良情况进行说明。 
图11是表示在具有大约3μm的阶梯差的有机隔壁层221、被覆该有 机隔壁层221的由多层构成的发光层60、由镁-银合金10nm构成的阴极50上设有第一阴极保护层52时有无产生不良情况的图。 
具体而言，在由各种材料形成第一阴极保护层52，进而叠层有第二阴极保护层54、有机缓冲层210、阻气层30的情况下，对阴极50或第二阴极保护层54中是否产生不良情况进行比较。尤其在发光层60、60W附近(阶梯差部分)，观察在阴极50或第二阴极保护层54中是否产生剥离或裂纹。 
再有，第二阴极保护层54由硅氧氮化物(SiOxNy)形成。 
如图11所示，作为第一阴极保护层52，采用LiF或MgF等碱卤化物，或Mg、Zn、Al、Ag、SiO2等无机材料时，在发光层60、60W附近，在阴极50或第二阴极保护层54中未发现剥离、裂纹、发光异常等不良情况。这些材料的弹性模量均为10～100GPa。 
另一方面，作为第一阴极保护层52，采用Ti、Pt、MgO、SiOxNy、Si3N4、Al2O3等无机材料时，在发光层60、60W附近，在阴极50或第二阴极保护层54中发现了剥离、裂纹、发光像素收缩等不良情况。这些材料的弹性模量均在100GPa以上。 
于是，通过在阴极50上形成弹性模量低的第一阴极保护层52，弹性模量高的第二阴极保护层54，在制造处理工序中，尤其在有机缓冲层210的形成工序中，能够容易防止在发光层60、60W附近产生阴极50或第二阴极保护层54的不良情况。 
再有，在上述的EL显示装置1、2的实施方式中，以顶板发光型为例进行了说明，但本发明并不限定于此，还能够适用于底部发光型，以及两侧照射发出光的型式。 
另外，在设为底部发光型、或者两侧照射发出光的型式的情况下，对于形成在基体200上的转换用TFT112或驱动用TFT123来说，不是形成在发光元件的正下方，而是优选形成在亲液性控制层25及有机隔壁层221的正下方，以提高开口率。 
另外，在EL显示装置1、2中，使第一电极起到阳极的作用，使第二电极起到阴极的作用，但也可反之，使第一电极起到阴极的作用，使第二电极起到阳极的作用。但是，在该情况下，需要更换发光层60和空穴输 送层70的形成位置。 
另外，在本实施方式中，示出将EL显示装置1、2适用于发光装置的例子，但本发明并不限定于此，只要基本上将第二电极设在基体的外侧，则能够适用于任意方式的发光装置。 
再有，作为测定EL显示装置1、2中的第一阴极保护层52、第二阴极保护层54、有机缓冲层210、阻气层30等的弹性模量的方法，例如可采用毫微压痕法。 
毫微压痕法是通过一边高精度控制压件一边压入试样，根据载荷-变化曲线的分析，定量地测定硬度或弹性模量等力学性质的方法。尤其能够进行以往困难的薄膜试样的测定，另外，由于简便且具有高的再现性，所以可适用于第一阴极保护层52等的弹性模量的测定。 
下面，对本发明的电子设备进行说明。 
电子设备是将上述的EL显示装置1、2用作显示部的设备，具体而言可例举如图12所示的设备。 
图12(a)是表示移动电话的一例的立体图。在图12(a)中，移动电话1000具备采用了上述的EL显示装置1的显示部1001。 
图12(b)是表示手表型电子设备的一例的立体图。在图12(b)中，表(电子设备)1100具备采用了上述的EL显示装置1的显示部1101。 
图12(c)是表示文字自动处理机、个人电脑等移动型信息处理装置的一例的立体图。在图12(c)中，信息处理装置1200具备键盘等输入部1202、采用了上述的EL显示装置1的显示部1206、信息处理装置主体(框体)1204。 
图12(d)是表示薄型大画面电视的一例的立体图。在图12(d)中，薄型大画面电视1300具备薄型大画面电视主体(框体)1302、扬声器等声音输出部1304、采用了上述的EL显示装置1的显示部1306。 
图12(a)～(d)表示的各个电子设备具备具有上述的EL显示装置1、2的显示部1001、1101、1206、1306，所以实现了显示部的长寿命化。 
另外，图12(d)所示的薄型大画面电视1300适用了可与面积无关地密封显示部的本发明，所以与以往相比，具备大面积(例如对角20英寸以上)的显示部1306。 
另外，并不限于将EL显示装置1、2用作显示部的情况，也可为用作发光部的电子设备。例如，可为将EL显示装置1用作曝光头(线头(linehead))的页式打印机(图像形成装置)。 

Claims (10)

1.一种发光装置，其特征在于，
在基体上具有：
多个第一电极；
具有与所述第一电极的形成位置对应的多个开口部的像素隔壁；
至少配置于所述开口部的有机功能层；
覆盖所述隔壁及所述有机功能层的第二电极；
覆盖所述第二电极的第一无机层；
覆盖所述第一无机层的第二无机层；
覆盖所述第二无机层的有机缓冲层；和
覆盖所述有机缓冲层的阻气层，
所述第一无机层由弹性模量比所述第二无机层低的材料构成，
所述第一无机层及所述第二无机层由具有透光性的绝缘性无机化合物构成且覆盖所述隔壁和所述第二电极的整个面。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述第二电极由具有透明性的金属薄膜或/及金属氧化物导电膜构成。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述第一无机层由弹性模量比所述有机缓冲层高的材料构成。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述第一无机层由弹性模量为10～100GPa的材料构成。
5.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述第一无机层的膜厚比所述第二无机层厚且比所述有机缓冲层薄。
6.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述第一无机层以与被覆有机功能层、像素隔壁及第二电极的全部相比覆盖更宽的范围，且以终端部被阻气层被覆的方式形成在比阻气层窄的范围内。
7.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述第一无机层由无机氧化物或碱卤化物构成。
8.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述有机缓冲层由环氧树脂构成。
9.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
在所述有机缓冲层的端部的该有机缓冲层与第二无机层之间的角度形成为20°以下。
10.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1～9中任一项所述的发光装置。
CN2006101637281A 2005-12-08 2006-12-04 发光装置及电子设备 Active CN1979886B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005-354359 2005-12-08
JP2005354359 2005-12-08
JP2005354359A JP4539547B2 (ja) 2005-12-08 2005-12-08 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1979886A CN1979886A (zh) 2007-06-13
CN1979886B true CN1979886B (zh) 2011-01-19

Family

ID=38130974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101637281A Active CN1979886B (zh) 2005-12-08 2006-12-04 发光装置及电子设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8164258B2 (zh)
JP (1) JP4539547B2 (zh)
KR (1) KR101196728B1 (zh)
CN (1) CN1979886B (zh)
TW (1) TWI422268B (zh)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4329740B2 (ja) * 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
JP4631683B2 (ja) * 2005-01-17 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置、及び電子機器
US20080284690A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Sam Min Ko Organic light emitting display device
KR20100032908A (ko) * 2007-06-29 2010-03-26 파이오니아 가부시키가이샤 유기 반도체 디바이스 및 유기 반도체 디바이스의 제조방법
JP2009037811A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ装置の製造方法
JP2009037812A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ装置およびその製造方法
JP5162179B2 (ja) * 2007-07-31 2013-03-13 住友化学株式会社 発光素子およびその製造方法並びに照明装置
JP2009037799A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 発光素子およびその製造方法
JP5119865B2 (ja) * 2007-11-02 2013-01-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
JP2009117181A (ja) * 2007-11-06 2009-05-28 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP5163430B2 (ja) * 2008-01-09 2013-03-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR20090077425A (ko) * 2008-01-11 2009-07-15 엘지이노텍 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
JP4670875B2 (ja) * 2008-02-13 2011-04-13 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置
JP2009198703A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Sony Corp 液晶表示装置およびその製造方法
KR101308200B1 (ko) * 2008-05-06 2013-09-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR100953658B1 (ko) * 2008-06-05 2010-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP5303199B2 (ja) * 2008-06-13 2013-10-02 ローム株式会社 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法
JP5024220B2 (ja) 2008-07-24 2012-09-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
US20100051973A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
JP5613998B2 (ja) * 2008-11-14 2014-10-29 セイコーエプソン株式会社 発光装置および、発光装置の製造方法
EP2178133B1 (en) 2008-10-16 2019-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible Light-Emitting Device, Electronic Device, and Method for Manufacturing Flexible-Light Emitting Device
US8350470B2 (en) * 2008-12-17 2013-01-08 General Electric Company Encapsulation structures of organic electroluminescence devices
JP5471774B2 (ja) * 2010-04-27 2014-04-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
KR101920445B1 (ko) * 2010-05-25 2018-11-20 삼성전자주식회사 발광 장치
JP4962630B2 (ja) * 2011-01-20 2012-06-27 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置
CN102856502A (zh) * 2011-06-28 2013-01-02 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
KR101900363B1 (ko) 2012-01-16 2018-09-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법
KR101286829B1 (ko) * 2012-05-31 2013-07-17 (주)티엠에스 광학투명접착필름 및 이를 이용한 전자기기
JP6135062B2 (ja) * 2012-08-07 2017-05-31 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器
KR101954220B1 (ko) 2012-09-14 2019-03-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 봉지 유닛, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102048926B1 (ko) * 2012-11-19 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102046157B1 (ko) * 2012-12-21 2019-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI613709B (zh) * 2013-02-20 2018-02-01 財團法人工業技術研究院 半導體元件結構及其製造方法與應用其之畫素結構
JP6139196B2 (ja) 2013-03-15 2017-05-31 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP6201411B2 (ja) 2013-05-14 2017-09-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
KR102079251B1 (ko) * 2013-05-21 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5575309B1 (ja) * 2013-08-05 2014-08-20 有限会社 ナプラ 集積回路装置
KR101907593B1 (ko) * 2013-08-13 2018-10-15 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
JP6169439B2 (ja) * 2013-08-21 2017-07-26 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP6253923B2 (ja) * 2013-08-30 2017-12-27 株式会社ジャパンディスプレイ タッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置
JP5649710B2 (ja) * 2013-11-06 2015-01-07 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
DE102014102569A1 (de) 2014-02-27 2015-08-27 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
TWI679560B (zh) * 2014-03-13 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板
US9698389B2 (en) 2015-03-05 2017-07-04 Seiko Epson Corporation Method of producing organic EL device
US9799713B2 (en) * 2015-07-23 2017-10-24 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with barrier layer
JP2017068928A (ja) 2015-09-28 2017-04-06 セイコーエプソン株式会社 有機発光装置および電子機器
KR102381647B1 (ko) * 2015-10-29 2022-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102491876B1 (ko) * 2015-11-16 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20180028850A (ko) * 2016-09-09 2018-03-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102660202B1 (ko) * 2016-11-30 2024-04-26 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 기판 및 이를 구비하는 표시 장치
JP6444446B2 (ja) * 2017-04-27 2018-12-26 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
CN107565064B (zh) * 2017-07-28 2019-08-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板
KR101976832B1 (ko) * 2017-11-06 2019-05-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20190068315A (ko) * 2017-12-08 2019-06-18 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
WO2019130401A1 (ja) 2017-12-25 2019-07-04 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
WO2019163134A1 (ja) * 2018-02-26 2019-08-29 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
JP6704020B2 (ja) * 2018-08-07 2020-06-03 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP6750651B2 (ja) 2018-08-24 2020-09-02 セイコーエプソン株式会社 発光装置、および電子機器
KR20200046221A (ko) * 2018-10-23 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크
CN110518146B (zh) * 2019-08-30 2022-02-25 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构及显示面板
JP7081628B2 (ja) * 2020-08-06 2022-06-07 セイコーエプソン株式会社 発光装置、および電子機器
US11729909B2 (en) * 2021-07-20 2023-08-15 Honeywell Federal Manufacturing & Technologies, Llc Multi-layered diamond-like carbon coating for electronic components
CN114050222A (zh) * 2021-11-16 2022-02-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示基板的制作方法和显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子
US5811177A (en) * 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
JP2848383B1 (ja) * 1997-11-26 1999-01-20 日本電気株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
US6146225A (en) * 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
JP3817081B2 (ja) * 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2000348859A (ja) * 1999-06-03 2000-12-15 Chisso Corp 有機ｅｌ素子
JP4004709B2 (ja) * 2000-03-30 2007-11-07 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法
JP2003017244A (ja) * 2001-07-05 2003-01-17 Sony Corp 有機電界発光素子およびその製造方法
KR100413450B1 (ko) * 2001-07-20 2003-12-31 엘지전자 주식회사 표시소자의 보호막 구조
JP4019690B2 (ja) 2001-11-02 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2004095551A (ja) * 2002-08-09 2004-03-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP3729262B2 (ja) * 2002-08-29 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
JP2004228034A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Shoen Kagi Kofun Yugenkoshi 有機エレクトロルミネッセンス装置のパッシベーションパッケージ構造及び方法
JP4138672B2 (ja) * 2003-03-27 2008-08-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
US7862906B2 (en) * 2003-04-09 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent element and light-emitting device
JP4449341B2 (ja) * 2003-05-16 2010-04-14 カシオ計算機株式会社 封止構造
JP4470421B2 (ja) 2003-09-04 2010-06-02 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
JP4561201B2 (ja) * 2003-09-04 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2005317476A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP4329740B2 (ja) 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070061381A (ko) 2007-06-13
JP2007157606A (ja) 2007-06-21
TWI422268B (zh) 2014-01-01
JP4539547B2 (ja) 2010-09-08
TW200738044A (en) 2007-10-01
KR101196728B1 (ko) 2012-11-07
US8164258B2 (en) 2012-04-24
CN1979886A (zh) 2007-06-13
US20070132381A1 (en) 2007-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1979886B (zh) 发光装置及电子设备
CN1815751B (zh) 发光装置、发光装置的制作方法、以及电子机器
KR100722941B1 (ko) 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기
CN100495762C (zh) 发光装置、发光装置的制造方法、以及电子设备
CN101615629B (zh) 电光学装置及电子机器
CN100539784C (zh) 有机电致发光装置的制造方法和有机电致发光装置
US7781967B2 (en) Organic electroluminescence device having an improved barrier structure, and manufacturing method therefore and electronic apparatus
CN101425533B (zh) 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备
CN101308864B (zh) 场致发光装置及其制造方法
CN100470825C (zh) 电光学装置的制造方法、电光学装置以及电子机器
CN101373786A (zh) 有机电致发光装置及其制造方法、电子机器
JP2012155987A (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2011192660A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
US9698389B2 (en) Method of producing organic EL device
CN100380704C (zh) 有机发光显示面板
CN112164765A (zh) 一种显示面板及制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant