KR20070004094A - 스핀 배리어 강화 자기저항 효과 엘리먼트 및 이를 이용한자기 메모리 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (43)
- 자기 엘리먼트로서,핀드층;비자성체인 스페이서층;자유층 자화를 갖는 자유층; 및스핀 배리어층을 포함하고, 상기 스페이서층은 상기 핀드층과 상기 자유층 사이에 위치하고, 상기 자유층은 상기 스핀 배리어층과 상기 스페이서층 사이에 위치하며, 상기 스핀 배리어층은 상기 자유층의 완충 상수에 대한 외부 표면 기여를 감소시키도록 구성되고, 상기 자기 엘리먼트는 상기 자유층 자화가 기록 전류가 상기 자기 엘리먼트를 통과할 때 스핀 전달로 인해 스위칭될 수 있게 구성되는, 자기 엘리먼트.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 높은 면적 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 2항에 있어서, 상기 높은 면적 저항은 0.1 Ω.㎛2 보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 스핀 펌핑 유도 완충이 실질적으로 제거되게 구성된 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 절연 매트릭스 내에 도전 채널들을 포함하는 전류 한정(confined)층인 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 5 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Al, B, Si, Ge, W, Nb, Mo, Ta, V, Ti, Cr, Fe, Co, 및/또는 Ni 로 구성된 그룹으로부터의 재료들의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 6 항에 있어서, 상기 도전 채널들은 산소가 30 산소 원자 퍼센트 보다 작은 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 6 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Cu, Ag, Au, Pt, Pd, Ir, 및/또는 Os를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 5 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Al, B, Si, Ge, Ti 로 구성된 그룹으로부터의 재료들의 질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 9 항에 있어서, 상기 도전 채널들은 상기 질화물이 10 질소 원자 퍼센트 보다 작은 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 9 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Cu, Ag, Au, Pt, Pd, Ir, 및/또는 Os 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 상기 스핀 배리어층을 통과하는 전도가 터널링 호핑(hopping), 및/또는 열적 활성화 전도를 포함하는 터널링 배리어인 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 12 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 절연체인 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 12 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Al, B, Si, Ge, W, Nb, Mo, Ta, V, Ti, Cr, Fe, Co, Ni 를 포함한 재료들의 그룹으로부터의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 12 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Al, B, Si, Ge, Ti 로 구성된 그룹으로부터의 재료들의 질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 12 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 반도체인 것을 특징으로 하는 자 기 엘리먼트.
- 제 16 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Si, Ge, Cd, Te, Sb, In, Al, As, Hg, 및 C의 그룹에서 선택된 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 1 항에 있어서, 상기 스페이서층은 도전체, 절연 배리어층, 또는 전류 한정층인 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 1 항에 있어서, 상기 자유층은 제 1 강자성층, 제 2 강자성층, 및 상기 제 1 강자성층과 상기 제 2 강자성층 사이의 비자성 스페이서층을 포함하는 합성 자유층이고, 상기 비자성 스페이서층은 상기 제 1 강자성층과 상기 제 2 강자성층이 비강자성적으로 결합되게 구성된 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 1 항에 있어서, 상기 핀드층은 제 1 강자성층, 제 2 강자성층, 및 상기 제 1 강자성층과 상기 제 2 강자성층 사이의 비자성 스페이서층을 포함하고, 상기 비자성 스페이서층은 상기 제 1 강자성층과 상기 제 2 강자성층이 비강자성적으로 결합되게 구성된 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 1 항에 있어서,상기 스핀 배리어층과 상기 자유층 사이에 위치하고, 높은 전도율을 갖는 스 핀 축적층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 21 항에 있어서, 상기 스핀 축적층은 긴 스핀 확산 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 21 항에 있어서, 상기 스핀 축적층은 Al, Cu, 또는 Ag를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 21 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 0.1 Ω.㎛2 보다 크거나 같은 높은 면적 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 21 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 스핀 펌핑 유도 완충이 실질적으로 제거되도록 구성된 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 21 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 절연 매트릭스 내의도전 채널들을 포함한 전류 한정층인 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 26 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Al, B, Si, Ge, W, Nb, Mo, Ta, V, Ti, Cr, Fe, Co, 및/또는 Ni 로 구성된 그룹으로부터의 재료들의 산화물을 포함 하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 27 항에 있어서, 상기 도전 채널들은 상기 산소가 30 산소 원자 퍼센트보다 작은 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 27 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Cu, Ag, Au, Pt, Pd, Ir, 및/또는 Os 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 26 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Al, B, Si, Ge, Ti 로 구성된 그룹으로부터의 재료들의 질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 30 항에 있어서, 상기 도전 채널들은 상기 질소가 30 질소 원자 퍼센트보다 작은 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 30 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Cu, Ag, Au, Pt, Pd, Ir, 및/또는 Os를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 21 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 상기 스핀 배리어층을 통과하는 전도가 터널링 호핑, 및/또는 열적 활성화 전도를 포함하는 터널링 배리어인 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 33 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 절연체인 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 33 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Al, B, Si, Ge, W, Nb, Mo, Ta, V, Ti, Cr, Fe, Co, Ni 를 포함한 재료들의 그룹으로부터의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 33 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Al, B, Si, Ge, Ti 로 구성된 그룹으로부터의 재료들의 질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 33 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 반도체인 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 37 항에 있어서, 상기 스핀 배리어층은 Si, Ge, Ga, Cd, Te, Sb, In, Al, As, Hg, 및 C 의 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 21 항에 있어서, 상기 스페이서층은 도전체, 절연 배리어층, 또는 전류 한정층인 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 21 항에 있어서, 상기 자유층은 제 1 강자성층, 제 2 강자성층, 및 상기 제 1 강자성층과 상기 제 2 강자성층 사이의 비자성 스페이서층을 포함한 합성 자유층이고, 상기 비자성 스페이서층은 상기 제 1 강자성층과 상기 제 2 강자성층이 비강자성적으로 결합되게 구성된 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 제 21 항에 있어서, 상기 핀드층은 제 1 강자성층, 제 2 강자성층, 및 상기 제 1 강자성층과 상기 제 2 강자성층 사이의 비자성 스페이서층을 포함하는 합성 핀드층이고, 상기 바자성 스페이서층은 상기 제 1 강자성층과 상기 제 2 강자성층이 비강자성적으로 결합되게 구성된 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트.
- 자기 엘리먼트를 제공하기 위한 방법으로서,(a) 핀드층을 제공하는 단계;(b) 비자성체인 스페이서층을 제공하는 단계;(c) 자유층 자화를 갖는 자유층을 제공하는 단계; 및(d) 스핀 배리어층을 제공하는 단계를 포함하고, 상기 스페이서층은 상기 핀드층과 상기 자유층 사이에 위치하고, 상기 자유층은 상기 스핀 배리어층과 상기 스페이서층 사이에 위치하며, 상기 스핀 배리어층은 상기 자유층의 완충 상수에 대한 외부 표면 기여를 감소시키도록 구성되며, 상기 자기 엘리먼트는 상기 자유층 자화가 기록 전류가 상기 자기 엘리 먼트를 통과할 때 스핀 전달로 인해 스위칭되게 구성된, 자기 엘리먼트를 제공하기 위한 방법.
- 제 42 항에 있어서,(e) 상기 스핀 배리어층과 상기 자유층 사이에 위치하고, 높은 전도율을 갖는 스핀 축적층을 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 엘리먼트를 제공하기 위한 방법.
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