JP2000286478A - 磁性体トンネル接合素子 - Google Patents
磁性体トンネル接合素子Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁性体トンネル接合素子において、電圧依存
性を小さくし、ＭＲ比を大きくする。 【解決手段】 第１の磁性体電極と、第１の磁性体電極
上に設けられる絶縁層１５と、絶縁層上に設けられる第
２の磁性体電極とを具備し、第２の磁性体電極は、鉄、
コバルト、またはニッケルを含む、厚さが５ｎｍ以下で
ある第１の薄膜１３と、貴金属、銅、またはクロムを含
む第２の薄膜１１との積層構造から構成されている事を
特徴とする磁性体トンネル接合素子。
性を小さくし、ＭＲ比を大きくする。 【解決手段】 第１の磁性体電極と、第１の磁性体電極
上に設けられる絶縁層１５と、絶縁層上に設けられる第
２の磁性体電極とを具備し、第２の磁性体電極は、鉄、
コバルト、またはニッケルを含む、厚さが５ｎｍ以下で
ある第１の薄膜１３と、貴金属、銅、またはクロムを含
む第２の薄膜１１との積層構造から構成されている事を
特徴とする磁性体トンネル接合素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁性体トンネル接
合素子に関する。
合素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の高密度化、及び高速化は、磁
気記録媒体の進歩と並んで、磁気記録装置の進歩、なか
でも磁気記録の書き込み、及び読み出しに用いられる磁
気ヘッドの進歩に負うところが大きい。例えば、大きな
出力が得られる新しいタイプの読み出し用磁気ヘッドと
して、巨大磁気抵抗効果ヘッド（ＧＭＲヘッド）の開発
が進められている。ＧＭＲヘッドは、従来の磁気抵抗効
果ヘッド（ＭＲヘッド）と比較して磁気抵抗効果比（Ｍ
Ｒ比）が大きいという、優れた特性を持っている。
気記録媒体の進歩と並んで、磁気記録装置の進歩、なか
でも磁気記録の書き込み、及び読み出しに用いられる磁
気ヘッドの進歩に負うところが大きい。例えば、大きな
出力が得られる新しいタイプの読み出し用磁気ヘッドと
して、巨大磁気抵抗効果ヘッド（ＧＭＲヘッド）の開発
が進められている。ＧＭＲヘッドは、従来の磁気抵抗効
果ヘッド（ＭＲヘッド）と比較して磁気抵抗効果比（Ｍ
Ｒ比）が大きいという、優れた特性を持っている。
【０００３】一方、従来の磁気記録媒体は、磁気ディス
ク、すなわちファイルメモリーとして機能し、その情報
は一旦コンピューター本体の、ダイナミックランダムア
クセスメモリー（ＤＲＡＭ）、スタティックランダムア
クセスメモリー（ＳＲＡＭ）等の半導体メモリーに読み
込まれた後、利用される。これらの半導体メモリーは、
多くの優れた特性を持っているが、記憶保持の為に大量
の電力を消費するという欠点がある。近年は、記憶保持
の為の電力が必要ないフラッシュメモリーや、フェロエ
レクトリックランダムアクセスメモリー（ＦＲＡＭ）等
の開発が進められているが、いずれも書き換え回数が限
られるという欠点がある。
ク、すなわちファイルメモリーとして機能し、その情報
は一旦コンピューター本体の、ダイナミックランダムア
クセスメモリー（ＤＲＡＭ）、スタティックランダムア
クセスメモリー（ＳＲＡＭ）等の半導体メモリーに読み
込まれた後、利用される。これらの半導体メモリーは、
多くの優れた特性を持っているが、記憶保持の為に大量
の電力を消費するという欠点がある。近年は、記憶保持
の為の電力が必要ないフラッシュメモリーや、フェロエ
レクトリックランダムアクセスメモリー（ＦＲＡＭ）等
の開発が進められているが、いずれも書き換え回数が限
られるという欠点がある。
【０００４】実質的に無限の書き換えが可能な磁気メモ
リーとして、マグネティックランダムアクセスメモリー
（ＭＲＡＭ）の開発も始められているが、その実現の為
には大きなＭＲ比を示す材料やデバイスの構造等の開発
が望まれる。
リーとして、マグネティックランダムアクセスメモリー
（ＭＲＡＭ）の開発も始められているが、その実現の為
には大きなＭＲ比を示す材料やデバイスの構造等の開発
が望まれる。
【０００５】そこで、従来のスピンバルブ膜に比べてよ
り大きなＭＲ比を示す素子として、磁性体トンネル接合
素子が注目され、磁性体トンネル接合素子単体、あるい
は磁性体トンネル接合素子とＭＯＳ型トランジスターと
を組み合わせる事によって、磁気ヘッドや磁気メモリー
を形成しようという試みが始められている。
り大きなＭＲ比を示す素子として、磁性体トンネル接合
素子が注目され、磁性体トンネル接合素子単体、あるい
は磁性体トンネル接合素子とＭＯＳ型トランジスターと
を組み合わせる事によって、磁気ヘッドや磁気メモリー
を形成しようという試みが始められている。
【０００６】現在では、上記の磁性体トンネル接合素子
は、約数１０ｍＶ以下の低電圧域で３０％程度のＭＲ比
を示すものが得られているが、約数１００ｍＶ以上の実
用電圧域ではＭＲ比が１０％程度に低下してしまうとい
う問題がある。ＭＲ比の低下は、トンネル電子が電極中
で磁気励起されたマグノンや、絶縁膜中の局在スピンと
相互作用し、そのスピンが反転する為なのであるが、こ
れらの相互作用の大きさが電圧に依存するからである。
は、約数１０ｍＶ以下の低電圧域で３０％程度のＭＲ比
を示すものが得られているが、約数１００ｍＶ以上の実
用電圧域ではＭＲ比が１０％程度に低下してしまうとい
う問題がある。ＭＲ比の低下は、トンネル電子が電極中
で磁気励起されたマグノンや、絶縁膜中の局在スピンと
相互作用し、そのスピンが反転する為なのであるが、こ
れらの相互作用の大きさが電圧に依存するからである。
【０００７】実用電圧域における磁性体トンネル接合素
子のＭＲ比を増大させる為に、これまでに様々な試みが
なされているが、そのうちの１つはハーフメタルと呼ば
れる磁性体を電極として用いる事である。ハーフメタル
は図５に模式的に示す様に、一方の向き（↑）のスピン
を持った電子のみがフェルミ準位（ＥF ）の近くに存在
する。図５では、電子が存在するエネルギー準位を斜線
で示した。よって、ハーフメタルを磁性体トンネル接合
素子の電極として用いれば、一方の向きのスピンを持っ
た電子のみがトンネル伝導する為に、原理的には電圧域
を高くしても、無限大のＭＲ比を示す磁性体トンネル接
合素子が得られる事になる。
子のＭＲ比を増大させる為に、これまでに様々な試みが
なされているが、そのうちの１つはハーフメタルと呼ば
れる磁性体を電極として用いる事である。ハーフメタル
は図５に模式的に示す様に、一方の向き（↑）のスピン
を持った電子のみがフェルミ準位（ＥF ）の近くに存在
する。図５では、電子が存在するエネルギー準位を斜線
で示した。よって、ハーフメタルを磁性体トンネル接合
素子の電極として用いれば、一方の向きのスピンを持っ
た電子のみがトンネル伝導する為に、原理的には電圧域
を高くしても、無限大のＭＲ比を示す磁性体トンネル接
合素子が得られる事になる。
【０００８】しかし、実際には、ハーフメタルを用い
て、室温で、１００エルステッド程度の現実的な印加電
場をかけても、大きなＭＲ比を示す磁性体トンネル接合
素子を得る事は容易でないと考えられる。それは、ハー
フメタルは一般にホイスラー合金や、スピネル酸化物等
の複雑な組成や、構造を持つ化合物が多く、磁気特性
が、その組成や結晶構造に敏感なので、結合界面近傍の
組成ずれや結晶歪みにより、容易に特性が劣化してしま
う為である。また、比較的簡単な結晶構造のペロブスカ
イト型酸化物は、キュリー温度が低く、かつ保持力が大
きい為、低磁場での動作が困難である。
て、室温で、１００エルステッド程度の現実的な印加電
場をかけても、大きなＭＲ比を示す磁性体トンネル接合
素子を得る事は容易でないと考えられる。それは、ハー
フメタルは一般にホイスラー合金や、スピネル酸化物等
の複雑な組成や、構造を持つ化合物が多く、磁気特性
が、その組成や結晶構造に敏感なので、結合界面近傍の
組成ずれや結晶歪みにより、容易に特性が劣化してしま
う為である。また、比較的簡単な結晶構造のペロブスカ
イト型酸化物は、キュリー温度が低く、かつ保持力が大
きい為、低磁場での動作が困難である。
【０００９】これに対し、接合形成の容易な、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ等の強磁性体金属、またはそれらの合金を、磁
性体電極に用いる方法もある。図６はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
等の強磁性体金属、またはそれらの合金を用いた磁性体
トンネル接合素子である。この磁性体トンネル接合素子
は、２つの磁性体電極層６１と、これらに挟持される絶
縁層６２から成る。
ｏ、Ｎｉ等の強磁性体金属、またはそれらの合金を、磁
性体電極に用いる方法もある。図６はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
等の強磁性体金属、またはそれらの合金を用いた磁性体
トンネル接合素子である。この磁性体トンネル接合素子
は、２つの磁性体電極層６１と、これらに挟持される絶
縁層６２から成る。
【００１０】薄い絶縁層６２を２つの磁性体電極層６１
で挟持しそれらの間に電圧を印加すると、電子の波の性
質により、トンネル電流が流れる。金属が強磁性体の場
合には、フェルミ面での状態密度がスピンの向きに依存
する為、トンネルする電子の数がスピンの向きによって
異なる。この性質を利用して２つの磁性体電極６１の磁
化を、外部磁場で平行、または反平行に制御すること
で、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）を得る事が出来る。
で挟持しそれらの間に電圧を印加すると、電子の波の性
質により、トンネル電流が流れる。金属が強磁性体の場
合には、フェルミ面での状態密度がスピンの向きに依存
する為、トンネルする電子の数がスピンの向きによって
異なる。この性質を利用して２つの磁性体電極６１の磁
化を、外部磁場で平行、または反平行に制御すること
で、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）を得る事が出来る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ等の強磁性体金属、またはそれらの合金を用いる方
法にも問題がある。これらの金属、または合金中では、
図７に模式的に示すように、局在性電子としてｄバンド
と、質量の軽い非局在性電子としてｓ、ｐバンドとが共
存しているが、トンネル電流は、主として非局在性電子
によって担われている。よって、図７から分かる様に、
フェルミ準位近くで非局在性電子のスピン偏極率は小さ
く、ＭＲ比は、高い電圧域でなくとも、高々３０％程度
に留まってしまうという問題が生ずる。
Ｎｉ等の強磁性体金属、またはそれらの合金を用いる方
法にも問題がある。これらの金属、または合金中では、
図７に模式的に示すように、局在性電子としてｄバンド
と、質量の軽い非局在性電子としてｓ、ｐバンドとが共
存しているが、トンネル電流は、主として非局在性電子
によって担われている。よって、図７から分かる様に、
フェルミ準位近くで非局在性電子のスピン偏極率は小さ
く、ＭＲ比は、高い電圧域でなくとも、高々３０％程度
に留まってしまうという問題が生ずる。
【００１２】本発明は、上記問題を解決する為に考えら
れたものであり、高い電圧域で低磁場中においても、高
いＭＲ比が得られる磁性体トンネル接合素子を提供する
ものである。
れたものであり、高い電圧域で低磁場中においても、高
いＭＲ比が得られる磁性体トンネル接合素子を提供する
ものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の第１は、
第１の磁性体電極と、第１の磁性体電極上に設けられる
絶縁層と、絶縁層上に設けられる第２の磁性体電極とを
具備し、第２の磁性体電極は、鉄、コバルト、またはニ
ッケルを含む厚さが５ｎｍ以下である第１の薄膜と、貴
金属、銅、またはクロムを含む第２の薄膜との積層構造
から構成されている事を特徴とする磁性体トンネル接合
素子を提供する。
第１の磁性体電極と、第１の磁性体電極上に設けられる
絶縁層と、絶縁層上に設けられる第２の磁性体電極とを
具備し、第２の磁性体電極は、鉄、コバルト、またはニ
ッケルを含む厚さが５ｎｍ以下である第１の薄膜と、貴
金属、銅、またはクロムを含む第２の薄膜との積層構造
から構成されている事を特徴とする磁性体トンネル接合
素子を提供する。
【００１４】また本発明の第２は、第１の磁性体電極
と、第１の磁性体電極上に設けられる絶縁層と、絶縁層
上に設けられる[ １００] 方向に結晶配向した第２の磁
性体電極とを具備し、第２の磁性体電極は、鉄、コバル
ト、またはニッケルを含む第１の薄膜と、貴金属、銅、
またはクロムを含む第２の薄膜との積層構造から構成さ
れている事を特徴とする磁性体トンネル接合素子を提供
する。
と、第１の磁性体電極上に設けられる絶縁層と、絶縁層
上に設けられる[ １００] 方向に結晶配向した第２の磁
性体電極とを具備し、第２の磁性体電極は、鉄、コバル
ト、またはニッケルを含む第１の薄膜と、貴金属、銅、
またはクロムを含む第２の薄膜との積層構造から構成さ
れている事を特徴とする磁性体トンネル接合素子を提供
する。
【００１５】ここで、本発明の第１と第２において貴金
属とは、金、銀と白金族（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ）の事を言う。また、本発明の第１と第２にお
いて、第１の薄膜の金属は、鉄、コバルト、またはニッ
ケルを含む合金であっても良く、第２の薄膜の金属は、
貴金属、銅、またはクロムを含む合金であっても良い。
属とは、金、銀と白金族（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ）の事を言う。また、本発明の第１と第２にお
いて、第１の薄膜の金属は、鉄、コバルト、またはニッ
ケルを含む合金であっても良く、第２の薄膜の金属は、
貴金属、銅、またはクロムを含む合金であっても良い。
【００１６】本発明の第１と第２において、磁性体トン
ネル接合素子の第１の薄膜及び第２の薄膜は半導体基板
上に直接またはバッファー層を介して形成されても良い
し、エピタキシャル成長されても良い。ここで、エピタ
キシャル成長とは、気相エピタキシャル成長だけでな
く、液相エピタキシャル成長であっても良い。またスパ
ッタ、蒸着等を行った後、アニール等を行って、結晶配
向するようにしても良い。
ネル接合素子の第１の薄膜及び第２の薄膜は半導体基板
上に直接またはバッファー層を介して形成されても良い
し、エピタキシャル成長されても良い。ここで、エピタ
キシャル成長とは、気相エピタキシャル成長だけでな
く、液相エピタキシャル成長であっても良い。またスパ
ッタ、蒸着等を行った後、アニール等を行って、結晶配
向するようにしても良い。
【００１７】さらに本発明の第３は、第１の磁性体電極
と、第１の磁性体電極上に設けられる絶縁層と、絶縁層
上に設けられる第２の磁性体電極とを具備し、第２の磁
性体電極中の非局在性性電子のうち、一方のスピンのエ
ネルギー準位を離散化し、他方のスピンのエネルギー準
位のみをフェルミ準位に存在させる事を特徴とする磁性
体トンネル接合素子を提供する。
と、第１の磁性体電極上に設けられる絶縁層と、絶縁層
上に設けられる第２の磁性体電極とを具備し、第２の磁
性体電極中の非局在性性電子のうち、一方のスピンのエ
ネルギー準位を離散化し、他方のスピンのエネルギー準
位のみをフェルミ準位に存在させる事を特徴とする磁性
体トンネル接合素子を提供する。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定される
ものではない。本発明の第１の実施形態について説明す
る。本実施形態の磁性体トンネル接合素子の断面図を図
１に示す。
に説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定される
ものではない。本発明の第１の実施形態について説明す
る。本実施形態の磁性体トンネル接合素子の断面図を図
１に示す。
【００１９】本実施形態の磁性体トンネル接合素子は、
図１のように、２つの非磁性体層１１、１２と、これら
の非磁性体層１１、１２に挟持される２つの強磁性体層
１３、１４、そしてこれらの強磁性体層１３、１４に挟
持される絶縁層１５から成る。本実施形態では、非磁性
体層１１として、膜厚約１０ｎｍのＡｕの薄膜を、その
上の強磁性体層１３として、膜厚約１．５ｎｍのα鉄
（体心立方構造）の薄膜を、その上の絶縁層１５とし
て、膜厚約１．２ｎｍのＡｌＯx の薄膜を、その上の強
磁性体層１４として、膜厚約１ｎｍのＣｏの薄膜を、そ
の上の非磁性体層１２として、膜厚がそれぞれ約１０ｎ
ｍ、約５０ｎｍの、ＣｕとＡｕを積層してなる。非磁性
体層１１、１２、また強磁性体層１３、１４は後述する
ように、[ １００] 方向に結晶配向してなる。尚、非磁
性体層１１は、ｎ+ ＧａＡｓのバッファー層（図示せ
ず）の上に形成されてなる。
図１のように、２つの非磁性体層１１、１２と、これら
の非磁性体層１１、１２に挟持される２つの強磁性体層
１３、１４、そしてこれらの強磁性体層１３、１４に挟
持される絶縁層１５から成る。本実施形態では、非磁性
体層１１として、膜厚約１０ｎｍのＡｕの薄膜を、その
上の強磁性体層１３として、膜厚約１．５ｎｍのα鉄
（体心立方構造）の薄膜を、その上の絶縁層１５とし
て、膜厚約１．２ｎｍのＡｌＯx の薄膜を、その上の強
磁性体層１４として、膜厚約１ｎｍのＣｏの薄膜を、そ
の上の非磁性体層１２として、膜厚がそれぞれ約１０ｎ
ｍ、約５０ｎｍの、ＣｕとＡｕを積層してなる。非磁性
体層１１、１２、また強磁性体層１３、１４は後述する
ように、[ １００] 方向に結晶配向してなる。尚、非磁
性体層１１は、ｎ+ ＧａＡｓのバッファー層（図示せ
ず）の上に形成されてなる。
【００２０】この磁性体トンネル接合素子について、室
温でｎ+ ＧａＡｓ層と第２の非磁性体層１２との間、ま
たは第１の非磁性体層１１と第２の非磁性体層１２の間
に、約１Ｖの電圧をかけ、磁性体トンネル接合素子面内
に外部磁場を印加して、磁気抵抗の測定を行った。どち
らも、磁化曲線を反映した磁気抵抗特性が見られ、ＭＲ
比は約３８％と高い値が得られた。また、飽和磁場の下
での接合抵抗の絶対値は約２ｋΩであった。
温でｎ+ ＧａＡｓ層と第２の非磁性体層１２との間、ま
たは第１の非磁性体層１１と第２の非磁性体層１２の間
に、約１Ｖの電圧をかけ、磁性体トンネル接合素子面内
に外部磁場を印加して、磁気抵抗の測定を行った。どち
らも、磁化曲線を反映した磁気抵抗特性が見られ、ＭＲ
比は約３８％と高い値が得られた。また、飽和磁場の下
での接合抵抗の絶対値は約２ｋΩであった。
【００２１】次に、本実施形態の磁性体トンネル接合素
子の製造方法を図１を用いて説明する。この磁性体トン
ネル接合素子はマルチチャンバーの分子線エピタキシャ
ル装置（ＭＢＥ装置）を用いて、ウエファー（図示せ
ず）上に形成する。
子の製造方法を図１を用いて説明する。この磁性体トン
ネル接合素子はマルチチャンバーの分子線エピタキシャ
ル装置（ＭＢＥ装置）を用いて、ウエファー（図示せ
ず）上に形成する。
【００２２】まず半導体形成用のチャンバー内でウエフ
ァー上に[ １００] 方向に結晶配向したｎ+ ＧａＡｓの
バッファー層を形成し、その上に、スペーサー層とし
て、約５ｎｍのノンドープＧａＡｓ層を形成する。走査
型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、及び反射高速電子線回折
（ＲＨＥＥＤ）観察により、ノンドープＧａＡｓ表面が
Ａｓのダイマーにより終端され、通常の１つのＧａＡｓ
結晶格子の大きさに対して、本実施形態の１つの結晶格
子の大きさが一方向に２倍、その垂直方向に４倍に増大
し、２×４構造となっている事を確認した。また、結晶
が段差なく１つの面となって続く幅は、約０．５μｍで
あった。
ァー上に[ １００] 方向に結晶配向したｎ+ ＧａＡｓの
バッファー層を形成し、その上に、スペーサー層とし
て、約５ｎｍのノンドープＧａＡｓ層を形成する。走査
型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、及び反射高速電子線回折
（ＲＨＥＥＤ）観察により、ノンドープＧａＡｓ表面が
Ａｓのダイマーにより終端され、通常の１つのＧａＡｓ
結晶格子の大きさに対して、本実施形態の１つの結晶格
子の大きさが一方向に２倍、その垂直方向に４倍に増大
し、２×４構造となっている事を確認した。また、結晶
が段差なく１つの面となって続く幅は、約０．５μｍで
あった。
【００２３】ｎ+ ＧａＡｓ層にノンドープＧａＡｓ層を
形成したウエファーを金属膜形成用のチャンバーに移送
した後、蒸発源としてクヌーセン・セル（Ｋｎｕｄｓｅ
ｎ−Ｃｅｌｌ）を用い、ノンドープＧａＡｓ層の上に、
第１の非磁性体層１１として、[ １００] 方向に結晶配
向したＡｕの薄膜を約０．３ｎｍ／ｍｉｎの速度で約１
０ｎｍの厚さに形成する。続いて、同様の方法で、Ａｕ
の薄膜上に、第１の強磁性体層１３として、[ １００]
方向に結晶配向したα鉄の薄膜を約０．１ｎｍ／ｍｉｎ
の速度で約１．５ｎｍの厚さに形成する。
形成したウエファーを金属膜形成用のチャンバーに移送
した後、蒸発源としてクヌーセン・セル（Ｋｎｕｄｓｅ
ｎ−Ｃｅｌｌ）を用い、ノンドープＧａＡｓ層の上に、
第１の非磁性体層１１として、[ １００] 方向に結晶配
向したＡｕの薄膜を約０．３ｎｍ／ｍｉｎの速度で約１
０ｎｍの厚さに形成する。続いて、同様の方法で、Ａｕ
の薄膜上に、第１の強磁性体層１３として、[ １００]
方向に結晶配向したα鉄の薄膜を約０．１ｎｍ／ｍｉｎ
の速度で約１．５ｎｍの厚さに形成する。
【００２４】さらに、α鉄層の上に、Ａｌ膜を約０．３
ｎｍ／ｍｉｎの速度で約１．２ｎｍの厚さに形成した
後、酸素中のグロー放電によりＡｌ膜を酸化し、図１に
示すＡｌＯx の絶縁層１５とする。
ｎｍ／ｍｉｎの速度で約１．２ｎｍの厚さに形成した
後、酸素中のグロー放電によりＡｌ膜を酸化し、図１に
示すＡｌＯx の絶縁層１５とする。
【００２５】続いて、第２の強磁性層１４として、[ １
００] 方向に結晶配向したＣｏ膜を約０．１ｎｍ／ｍｉ
ｎの速度で約１ｎｍの厚さに形成し、第２の非磁性層１
２として、[ １００] 方向に結晶配向したＣｕを約０．
３ｎｍ／ｍｉｎの速度で約１０ｎｍの厚さ、[ １００]
方向に結晶配向したＡｕを約５０ｎｍの厚さで積層す
る。
００] 方向に結晶配向したＣｏ膜を約０．１ｎｍ／ｍｉ
ｎの速度で約１ｎｍの厚さに形成し、第２の非磁性層１
２として、[ １００] 方向に結晶配向したＣｕを約０．
３ｎｍ／ｍｉｎの速度で約１０ｎｍの厚さ、[ １００]
方向に結晶配向したＡｕを約５０ｎｍの厚さで積層す
る。
【００２６】磁性体トンネル接合素子は、電子線ビーム
（ＥＢ）レジストとＡｒミリングを用いて、０．５μｍ
×０．５μｍの大きさとする。この後、非磁性体層１
１、１２を電極として、配線と接続する。
（ＥＢ）レジストとＡｒミリングを用いて、０．５μｍ
×０．５μｍの大きさとする。この後、非磁性体層１
１、１２を電極として、配線と接続する。
【００２７】本実施形態の比較例として、第１の強磁性
体層１３として、[ １００] 方向に結晶配向したα鉄の
薄膜を約１０ｎｍの厚さに、第２の強磁性層１４とし
て、[１００] 方向に結晶配向したＣｏ膜を約１０ｎｍ
の厚さに形成する以外は、第１の実施形態と同様にして
磁性体トンネル接合素子を作製し、磁気抵抗特性の測定
を行ったところ、ＭＲ比は約２５％であった。
体層１３として、[ １００] 方向に結晶配向したα鉄の
薄膜を約１０ｎｍの厚さに、第２の強磁性層１４とし
て、[１００] 方向に結晶配向したＣｏ膜を約１０ｎｍ
の厚さに形成する以外は、第１の実施形態と同様にして
磁性体トンネル接合素子を作製し、磁気抵抗特性の測定
を行ったところ、ＭＲ比は約２５％であった。
【００２８】この他、強磁性体層の厚さを変化させる事
により、５ｎｍを境に、５ｎｍ以下ではＭＲ比が向上
し、スピンの向きに依存したエネルギー準位の離散化の
効果が得られる。
により、５ｎｍを境に、５ｎｍ以下ではＭＲ比が向上
し、スピンの向きに依存したエネルギー準位の離散化の
効果が得られる。
【００２９】さて、磁性体トンネル接合では、強磁性体
層と絶縁層との接合面にほぼ垂直に進む電子のみがトン
ネル伝導に寄与する事が知られている。自由電子モデル
では、トンネル電流の電流密度は角度依存し、ｅｘｐ[
−β2ｓｉｎ2 θ] （ただし、β4 ＝２ｍｓ2 ＥF 2 ／
[ ｈ2 （ＥV −Ｅ）] ）に比例する。θは接合面の法線
と、電子の波数ベクトルとのなす角度であるので、絶縁
膜をトンネルする電子の波数ベクトルは接合面にほぼ垂
直となる。
層と絶縁層との接合面にほぼ垂直に進む電子のみがトン
ネル伝導に寄与する事が知られている。自由電子モデル
では、トンネル電流の電流密度は角度依存し、ｅｘｐ[
−β2ｓｉｎ2 θ] （ただし、β4 ＝２ｍｓ2 ＥF 2 ／
[ ｈ2 （ＥV −Ｅ）] ）に比例する。θは接合面の法線
と、電子の波数ベクトルとのなす角度であるので、絶縁
膜をトンネルする電子の波数ベクトルは接合面にほぼ垂
直となる。
【００３０】一方、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性体金
属、またはそれらの合金のフェルミ準位近くのトンネル
電流に寄与できる電子、つまり非局在性電子のエネルギ
ーバンドは、波数ｋがｋ＝０のときＴ2gの対称性を持つ
為、Ｔ2gバンドと呼ばれているが、その対称性をより詳
しく調べると、これらの金属、または合金のうち[ １０
０] 方向に結晶配向しているものは、スピンの向きによ
って、その対称性が異なっている。つまり、アップスピ
ンのエネルギーバンドはΔ1 の対称性を、またダウンス
ピンのエネルギーバンドはΔ5 の対称性を持つ。
属、またはそれらの合金のフェルミ準位近くのトンネル
電流に寄与できる電子、つまり非局在性電子のエネルギ
ーバンドは、波数ｋがｋ＝０のときＴ2gの対称性を持つ
為、Ｔ2gバンドと呼ばれているが、その対称性をより詳
しく調べると、これらの金属、または合金のうち[ １０
０] 方向に結晶配向しているものは、スピンの向きによ
って、その対称性が異なっている。つまり、アップスピ
ンのエネルギーバンドはΔ1 の対称性を、またダウンス
ピンのエネルギーバンドはΔ5 の対称性を持つ。
【００３１】また、[ １００] 方向に結晶配向してい
る、Ａｕ、Ａｇ等の貴金属、または銅のエネルギーバン
ドは、フェルミ準位近くでは強磁性体のアップスピンバ
ンドと同じ、Δ1 の対称性を持っている。
る、Ａｕ、Ａｇ等の貴金属、または銅のエネルギーバン
ドは、フェルミ準位近くでは強磁性体のアップスピンバ
ンドと同じ、Δ1 の対称性を持っている。
【００３２】従って、[ １００] 方向に結晶配向した、
強磁性体薄膜と、前段落中の貴金属、または銅の薄膜の
積層構造を形成する事により、強磁性体薄膜中を[ １０
０]方向に運動する電子のうち、同じΔ1 の対称性を持
つアップスピンバンドの電子は、貴金属薄膜中に入り、
他方で、貴金属薄膜のバンドと対称性の異なるΔ5 の対
称性を持つダウンスピンバンドの電子は、貴金属薄膜中
に入れず、強磁性体薄膜中に閉じ込められる。
強磁性体薄膜と、前段落中の貴金属、または銅の薄膜の
積層構造を形成する事により、強磁性体薄膜中を[ １０
０]方向に運動する電子のうち、同じΔ1 の対称性を持
つアップスピンバンドの電子は、貴金属薄膜中に入り、
他方で、貴金属薄膜のバンドと対称性の異なるΔ5 の対
称性を持つダウンスピンバンドの電子は、貴金属薄膜中
に入れず、強磁性体薄膜中に閉じ込められる。
【００３３】厚さ数ｎｍ以下の強磁性体薄膜中に閉じ込
められた電子は、膜厚方向（ｚ方向）の電子の運動が量
子化され、そのエネルギーは Ｅ＝ｈ2 （ｋx 2 ＋ｋy 2 ）／[ ８πｍ] ＋Ｅzn Ｅzn＝ｈ2 ／（８πｍ）（ｎπ／ｌ）2 となり、状態密度は図２に示すように階段状になる。こ
こでｌは膜厚である。図２は薄膜中の電子の状態密度と
エネルギーの関係図である。図２の斜線部が[ １００]
方向、つまり膜厚方向に運動し、トンネル電流に寄与す
る電子である。よって、トンネル電流に寄与できる、ダ
ウンスピン電子のエネルギーはＥ1 、Ｅ2、Ｅ3 …とい
うように、離散的になっている。
められた電子は、膜厚方向（ｚ方向）の電子の運動が量
子化され、そのエネルギーは Ｅ＝ｈ2 （ｋx 2 ＋ｋy 2 ）／[ ８πｍ] ＋Ｅzn Ｅzn＝ｈ2 ／（８πｍ）（ｎπ／ｌ）2 となり、状態密度は図２に示すように階段状になる。こ
こでｌは膜厚である。図２は薄膜中の電子の状態密度と
エネルギーの関係図である。図２の斜線部が[ １００]
方向、つまり膜厚方向に運動し、トンネル電流に寄与す
る電子である。よって、トンネル電流に寄与できる、ダ
ウンスピン電子のエネルギーはＥ1 、Ｅ2、Ｅ3 …とい
うように、離散的になっている。
【００３４】磁性体トンネル接合素子のＭＲ比が低下す
る理由としては、トンネル電子のスピン反転現象による
と考えられる。すなわちトンネル電子が電極中で磁気励
起されたマグノンや、絶縁膜中の局在スピンと相互作用
し、そのスピンが反転してしまう為である。また、この
スピン反転現象は、電圧に依存する。従って、高い電圧
域において大きなＭＲ比を示す磁性体トンネル接合素子
を得る為には、このスピン反転現象を抑制する事が必要
となる。
る理由としては、トンネル電子のスピン反転現象による
と考えられる。すなわちトンネル電子が電極中で磁気励
起されたマグノンや、絶縁膜中の局在スピンと相互作用
し、そのスピンが反転してしまう為である。また、この
スピン反転現象は、電圧に依存する。従って、高い電圧
域において大きなＭＲ比を示す磁性体トンネル接合素子
を得る為には、このスピン反転現象を抑制する事が必要
となる。
【００３５】図３はスピンの方向による、状態密度とエ
ネルギーの関係である。本発明では、図３に示すよう
に、トンネル電子のエネルギーがスピンの向きにより大
きく異なり、一方のスピン方向の電子はフェルミ準位に
存在し、他方のスピン方向の電子はフェルミ準位に存在
しない為に、高い電圧域においてもスピン反転現象が抑
制される。よって、トンネル電子の偏極率が増大し、実
用電圧域における磁性体トンネル接合素子のＭＲ比を増
大する事が出来るのである。
ネルギーの関係である。本発明では、図３に示すよう
に、トンネル電子のエネルギーがスピンの向きにより大
きく異なり、一方のスピン方向の電子はフェルミ準位に
存在し、他方のスピン方向の電子はフェルミ準位に存在
しない為に、高い電圧域においてもスピン反転現象が抑
制される。よって、トンネル電子の偏極率が増大し、実
用電圧域における磁性体トンネル接合素子のＭＲ比を増
大する事が出来るのである。
【００３６】Ａｕ、Ａｇ等の貴金属、または銅を用いる
ことにより、ダウンスピンバンドの電子を強磁性体薄膜
中に閉じ込めたが、クロムを用いた場合には、アップス
ピンバンドの電子が強磁性体薄膜中に閉じ込められる。
ことにより、ダウンスピンバンドの電子を強磁性体薄膜
中に閉じ込めたが、クロムを用いた場合には、アップス
ピンバンドの電子が強磁性体薄膜中に閉じ込められる。
【００３７】離散的なエネルギー間隔は膜厚に依存する
為、本発明の磁性体トンネル接合素子の強磁性体層は、
エネルギー間隔を増大させる様、膜厚を約５ｎｍ以下と
すると、上述の特性が得られる。
為、本発明の磁性体トンネル接合素子の強磁性体層は、
エネルギー間隔を増大させる様、膜厚を約５ｎｍ以下と
すると、上述の特性が得られる。
【００３８】さらに、高い配向性を持った強磁性体薄膜
を得る為には、ＧａＡｓ等の半導体基板上にエピタキシ
ャル成長させる事が好ましい。従って、基板表面を配向
させるのに適した構造とするほか、配向を得るのに適し
たバッファ層を用いる事が好ましい。
を得る為には、ＧａＡｓ等の半導体基板上にエピタキシ
ャル成長させる事が好ましい。従って、基板表面を配向
させるのに適した構造とするほか、配向を得るのに適し
たバッファ層を用いる事が好ましい。
【００３９】次に、本発明の第１の実施形態の応用例に
ついて説明する。この応用例の磁性体トンネル接合素子
は第１の実施形態と同様、図１を用いて、２つの非磁性
体層１１、１２と、これらの非磁性体層１１、１２に挟
持される２つの強磁性体層１３、１４、そしてこれらの
強磁性体層１３、１４に挟持される絶縁層１５から成
る。本実施形態の構成は、第１の実施形態では第１の非
磁性体層１１としてＡｕを形成したが、その代わりに、
Ａｇを約１０ｎｍ形成するほかは、第１の実施形態と同
様な構成である。また、この応用例の磁性体トンネル接
合素子の製造方法としては、クヌーセン・セルを用い、
第１の非磁性体層１１として、[ １００] 方向に結晶配
向したＡｇの薄膜を約０．３ｎｍ／ｍｉｎの速度で約１
０ｎｍの厚さにエピタキシャル成長する以外は、第１の
実施形態と同様の方法で磁性体トンネル接合素子を製造
する。
ついて説明する。この応用例の磁性体トンネル接合素子
は第１の実施形態と同様、図１を用いて、２つの非磁性
体層１１、１２と、これらの非磁性体層１１、１２に挟
持される２つの強磁性体層１３、１４、そしてこれらの
強磁性体層１３、１４に挟持される絶縁層１５から成
る。本実施形態の構成は、第１の実施形態では第１の非
磁性体層１１としてＡｕを形成したが、その代わりに、
Ａｇを約１０ｎｍ形成するほかは、第１の実施形態と同
様な構成である。また、この応用例の磁性体トンネル接
合素子の製造方法としては、クヌーセン・セルを用い、
第１の非磁性体層１１として、[ １００] 方向に結晶配
向したＡｇの薄膜を約０．３ｎｍ／ｍｉｎの速度で約１
０ｎｍの厚さにエピタキシャル成長する以外は、第１の
実施形態と同様の方法で磁性体トンネル接合素子を製造
する。
【００４０】第１の実施形態と同様にして、磁気抵抗特
性の測定を行ったところ、ＭＲ比は約３５％と高い値が
得られた。次に、本発明の第２の実施形態について説明
する。
性の測定を行ったところ、ＭＲ比は約３５％と高い値が
得られた。次に、本発明の第２の実施形態について説明
する。
【００４１】本実施形態の磁性体トンネル接合素子は第
１の実施形態と同様、図１に示すように、２つの非磁性
体層１１、１２と、これらの非磁性体層１１、１２に挟
持される２つの強磁性体層１３、１４、そしてこれらの
強磁性体層１３、１４に挟持される絶縁層１５から成
り、第１の強磁性体層１３として、[ １００] 方向に結
晶配向したα鉄の薄膜を約０．１ｎｍ／ｍｉｎの速度で
約１ｎｍの厚さに、[ １００] 方向に結晶配向したＡｕ
の薄膜を約０．１ｎｍ／ｍｉｎの速度で約１．５ｎｍの
厚さに、[ １００] 方向に結晶配向したα鉄の薄膜を約
０．１ｎｍ／ｍｉｎの速度で約１ｎｍの厚さに積層する
以外は、第２の実施形態と同様の方法で磁性体トンネル
接合素子を製造した。
１の実施形態と同様、図１に示すように、２つの非磁性
体層１１、１２と、これらの非磁性体層１１、１２に挟
持される２つの強磁性体層１３、１４、そしてこれらの
強磁性体層１３、１４に挟持される絶縁層１５から成
り、第１の強磁性体層１３として、[ １００] 方向に結
晶配向したα鉄の薄膜を約０．１ｎｍ／ｍｉｎの速度で
約１ｎｍの厚さに、[ １００] 方向に結晶配向したＡｕ
の薄膜を約０．１ｎｍ／ｍｉｎの速度で約１．５ｎｍの
厚さに、[ １００] 方向に結晶配向したα鉄の薄膜を約
０．１ｎｍ／ｍｉｎの速度で約１ｎｍの厚さに積層する
以外は、第２の実施形態と同様の方法で磁性体トンネル
接合素子を製造した。
【００４２】第１の実施形態と同様にして、磁気抵抗特
性の測定を行ったところ、ＭＲ比は約４１％と、高い値
が得られた。以上詳細に説明したような磁性体トンネル
接合素子を用いる事により、高密度記憶素子を作製出来
る。上記の実施形態では両方の磁性体電極を非磁性体と
強磁性体の積層構造とし、[ １００] 方向に結晶配向し
たが、片方の磁性体電極が本発明に示す構成になってい
れば良い。
性の測定を行ったところ、ＭＲ比は約４１％と、高い値
が得られた。以上詳細に説明したような磁性体トンネル
接合素子を用いる事により、高密度記憶素子を作製出来
る。上記の実施形態では両方の磁性体電極を非磁性体と
強磁性体の積層構造とし、[ １００] 方向に結晶配向し
たが、片方の磁性体電極が本発明に示す構成になってい
れば良い。
【００４３】[ １００] 方向の配向については、膜主
面、つまり、強磁性体層と絶縁層との接合面と垂直方向
に結晶配向している事をいい、言い換えると、膜主面が
〈１００〉面に配向したものをいう。この結晶配向は、
ＲＨＥＥＤにより観察する事が出来る。
面、つまり、強磁性体層と絶縁層との接合面と垂直方向
に結晶配向している事をいい、言い換えると、膜主面が
〈１００〉面に配向したものをいう。この結晶配向は、
ＲＨＥＥＤにより観察する事が出来る。
【００４４】また、一方の強磁性体層内にＩｒＭｎ合金
等の反強磁性固着層を挿入して、強磁性体層の磁化方向
を固着しても良い。なお、上記各実施形態では、Ｆｅ、
Ａｕ、Ａｇ等と表記したが、各層が数ｎｍと薄い事か
ら、隣接する層、特に下層を構成する材料原子が、上層
に混入する事もある。この場合、互いの磁気特性に損傷
を与えない程度の拡散であれば、本発明の効果は得られ
る。
等の反強磁性固着層を挿入して、強磁性体層の磁化方向
を固着しても良い。なお、上記各実施形態では、Ｆｅ、
Ａｕ、Ａｇ等と表記したが、各層が数ｎｍと薄い事か
ら、隣接する層、特に下層を構成する材料原子が、上層
に混入する事もある。この場合、互いの磁気特性に損傷
を与えない程度の拡散であれば、本発明の効果は得られ
る。
【００４５】図４は本発明の磁性体トンネル接合素子を
用いたＭＲＡＭセルの回路図である。磁性体トンネル接
合素子４１は、一方の電極はワード線４２に接続され、
もう一方はノードＮを介してＭＯＳ型トランジスタ４３
のゲートと、抵抗４４へ各々接続される。ＭＯＳ型トラ
ンジスタ４３のソースは接地されており、ドレインはビ
ット線４５へ接続されている。
用いたＭＲＡＭセルの回路図である。磁性体トンネル接
合素子４１は、一方の電極はワード線４２に接続され、
もう一方はノードＮを介してＭＯＳ型トランジスタ４３
のゲートと、抵抗４４へ各々接続される。ＭＯＳ型トラ
ンジスタ４３のソースは接地されており、ドレインはビ
ット線４５へ接続されている。
【００４６】このＭＲＡＭセルへの書き込み、読み出し
方法としては、公知の方法で行う事が出来、書き込み方
法としては、磁性体トンネル接合素子４１上にワード線
４２とビット線４５が直交するように配置し、ワード線
４２、ビット線４５に、同時に電流を流す。２つの電流
により発生する合成磁場を利用して、磁化の向きを変化
させる事により、１つのセルに選択的に書き込みが出来
る。電流の大きさは、磁性体トンネル接合素子４１の一
方の強磁性体層の磁化を変化させる程度にすれば良い。
方法としては、公知の方法で行う事が出来、書き込み方
法としては、磁性体トンネル接合素子４１上にワード線
４２とビット線４５が直交するように配置し、ワード線
４２、ビット線４５に、同時に電流を流す。２つの電流
により発生する合成磁場を利用して、磁化の向きを変化
させる事により、１つのセルに選択的に書き込みが出来
る。電流の大きさは、磁性体トンネル接合素子４１の一
方の強磁性体層の磁化を変化させる程度にすれば良い。
【００４７】また、読み出し方法としては、ワード線４
２から磁性体トンネル接合素子４１に電圧をかける際
に、磁性体トンネル接合素子４１の磁化が平行であるか
反平行であるかによって抵抗が変化する事を利用して、
ゲートがオン、またはオフし、ビット線４５に流れる電
流が変化する事によって読み出す。抵抗４４は、ノード
Ｎの電位に、バイアスを与える為に設ける。
２から磁性体トンネル接合素子４１に電圧をかける際
に、磁性体トンネル接合素子４１の磁化が平行であるか
反平行であるかによって抵抗が変化する事を利用して、
ゲートがオン、またはオフし、ビット線４５に流れる電
流が変化する事によって読み出す。抵抗４４は、ノード
Ｎの電位に、バイアスを与える為に設ける。
【００４８】以上の様に磁性体トンネル接合素子を用い
る事により、高感度、かつＭＲ比の高い磁気再生ヘッド
や磁気メモリーを形成する事が出来、ひいては高記録密
度の磁気記録装置、及び高集積の記録装置を提供する事
が可能である。
る事により、高感度、かつＭＲ比の高い磁気再生ヘッド
や磁気メモリーを形成する事が出来、ひいては高記録密
度の磁気記録装置、及び高集積の記録装置を提供する事
が可能である。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、ＭＲ比が大きく、電圧
依存性の小さい磁性体トンネル接合素子が得られる。
依存性の小さい磁性体トンネル接合素子が得られる。
【図１】 本発明の磁性体トンネル接合素子の断面図。
【図２】 薄膜中の電子の状態密度とエネルギーの関
係。
係。
【図３】 電子状態密度とエネルギーのスピン依存性。
【図４】 ＭＲＡＭセル。
【図５】 ハーフメタルのバンド図。
【図６】 従来の磁性体トンネル接合素子の断面図。
【図７】 強磁性金属のバンド図。
１１…第１の非磁性体層 １２…第２の非磁性体層 １３…第１の強磁性体層 １４…第２の強磁性体層 １５…絶縁層 ４１…磁性体トンネル接合素子 ４２…ワード線 ４３…ＭＯＳ型トランジスタ ４４…抵抗 ４５…ビット線 ６１…磁性体電極層 ６２…絶縁層
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の磁性体電極と、前記第１の磁性体
電極上に設けられる絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ
る第２の磁性体電極とを具備し、前記第２の磁性体電極
は、鉄、コバルト、またはニッケルを含む厚さが５ｎｍ
以下である第１の薄膜と、貴金属、銅、またはクロムを
含む第２の薄膜との積層構造から構成されている事を特
徴とする磁性体トンネル接合素子。 - 【請求項２】 第１の磁性体電極と、前記第１の磁性体
電極上に設けられる絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ
る[ １００] 方向に結晶配向した第２の磁性体電極とを
具備し、前記第２の磁性体電極は、鉄、コバルト、また
はニッケルを含む第１の薄膜と、貴金属、銅、またはク
ロムを含む第２の薄膜との積層構造から構成されている
事を特徴とする磁性体トンネル接合素子。 - 【請求項３】 前記第１の薄膜及び前記第２の薄膜が半
導体基板上に直接またはバッファー層を介して形成され
ている事を特徴とする請求項１または２記載の磁性体ト
ンネル接合素子。 - 【請求項４】 前記第１の薄膜及び前記第２の薄膜がエ
ピタキシャル成長されている事を特徴とする請求項３記
載の磁性体トンネル接合素子。 - 【請求項５】 第１の磁性体電極と、前記第１の磁性体
電極上に設けられる絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ
る第２の磁性体電極とを具備し、前記第２の磁性体電極
中の非局在性電子のうち、一方のスピンのエネルギー準
位を離散化し、他方のスピンのエネルギー準位のみをフ
ェルミ準位に存在させる事を特徴とする磁性体トンネル
接合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09203499A JP3587439B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 磁性体トンネル接合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09203499A JP3587439B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 磁性体トンネル接合素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286478A true JP2000286478A (ja) | 2000-10-13 |
| JP3587439B2 JP3587439B2 (ja) | 2004-11-10 |
Family
ID=14043257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09203499A Expired - Lifetime JP3587439B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 磁性体トンネル接合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3587439B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002029911A2 (en) * | 2000-10-02 | 2002-04-11 | Motorola, Inc., | Tunelling magnetoresistance (tmr) material having ultra-thin magnetic layer |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP09203499A patent/JP3587439B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002029911A2 (en) * | 2000-10-02 | 2002-04-11 | Motorola, Inc., | Tunelling magnetoresistance (tmr) material having ultra-thin magnetic layer |
| WO2002029911A3 (en) * | 2000-10-02 | 2002-06-20 | Motorola Inc | Tunelling magnetoresistance (tmr) material having ultra-thin magnetic layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3587439B2 (ja) | 2004-11-10 |
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