KR20060121763A - 전기도금 프로세스의 인-시튜 프로파일 측정 - Google Patents

전기도금 프로세스의 인-시튜 프로파일 측정 Download PDF

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마누쳐 비랑
니콜라이 코발스카이
아론 로젠필드
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

전기화학적 도금 셀의 전해질에서 차동 전압을 측정하는 방법 및 장치가 제공된다. 전류 밀도는 측정된 차동 전압으로부터 계산되며 도금된 물질의 두께값과 상관된다. 실시간 두께 프로파일은 두께 값으로부터 생성될 수 있다.

Description

전기도금 프로세스의 인-시튜 프로파일 측정{IN-SITU PROFILE MEASUREMENT IN AN ELECTROPLATING PROCESS}
도 1은 예시적인 도금 셀의 개략도;
도 2는 예시적인 도금 셀 및 그안에서 발생된 전계 라인들의 개략적 단면도;
도 3은 본 발명의 예시적 도금 셀의 개략적 단면도;
도 3A는 도 3에 도시된 도금 셀의 예시적 센서 어셈블리를 나타내는 도면;
도 3B는 도 3에 도시된 도금 셀의 예시적 센서 어셈블리를 나타내는 도면;
도 3C는 본 발명의 센서 어셈블리의 예시적 장치의 상부도;
도 3D는 본 발명의 센서 어셈블리의 예시적 장치의 상부도;
도 3E는 본 발명의 센서 어셈블리의 예시적 장치의 상부도;
도 4A는 균일한 전계를 갖는 예시적 도금 셀의 단면도;
도 4B는 불균일한 전계를 갖는 예시적 도금 셀의 단면도;
도 4C는 예시적 기하학 팩터 세트를 나타내는 도면;
도 4D는 셀 전류 분포로부터 두께 프로파일을 발생시키는 예시적 실시예를 나타내는 도면;
도 5는 본 발명의 센서 어레이에 대한 데이터 샘플링 및 프로세싱 회로의 예시적인 실시예를 나타내는 도면;
도 6은 기하학 팩터를 식별하는 예시적인 실시예를 나타내는 도면;
도 7은 실시간 두께 프로파일을 생성하는 예시적인 실시예를 나타내는 도면;
도 8은 전기화학적 도금 프로세스 동인 균일한 두께를 달성하는 예시적인 실시예를 나타내는 도면;
도 9는 전기화학적 도금 프로세스 동안 원하는 두께 프로파일을 달성하는 예시적인 실시예를 나타내는 도면;
도 10은 도금 용액속으로의 기판 침지를 모니터링하는 예시적인 실시예를 나타내는 도면;
도 11은 본 발명의 전기화학적 도금 시스템의 예시적인 실시예를 나타내는 도면;
도 11A는 도 11에 도시된 전기화학적 도금 시스템의 프로세스 최적화 소프트웨어의 예시적인 실시예를 나타내는 도면;
도 12는 본 발명의 특성화 툴의 예시적인 실시예를 나타내는 도면.
* 도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명 *
300 : 도금 셀 305 : 애노드
315 : 기판 313 : 전기적 콘택 부재
316 : 유체 볼륨
본 발명의 실시예들은 전반적으로 전기화학적 도금 셀 내부에서 인-시튜로 차동 전압을 측정함으로써 나타나는 공간 도금 셀 전류 분포를 측정하는 것에 관한 것이다.
반도체 프로세싱에서, 전기화학적 도금(ECP)은 일반적으로 기판 상에 형성된 피쳐를 전도성 물질로 충진하는 바람직한 기술이다. 일반적으로 전형적인 ECP 프로세스는 전도성 물질(일반적으로 구리)의 이온이 풍부한 전해질 용액속에 기판을 침지시키는 단계 및 상기 전해질 용액속에 위치된 기판 표면상에 형성된 전도성 시드층과 애노드 사이에 전기적 바이어스를 인가하는 단계를 포함한다. 시드층과 애노드 사이의 전기적 바이어스 인가는 시드층상에 전도성 물질의 이온들이 도금되게 하는 전기화학적 반응을 촉진시킨다.
그러나, 종래의 ECP 프로세스 및 시스템을 사용할 경우, 기판 상에 형성된 전도성 시드층은 일반적으로 매우 얇아, 저항성이 높다. 시드층의 저항 특성은 도금 프로세스시 애노드와 시드층 사이를 이동하는 전계는 일반적으로 시드층과 전기적 콘택이 형성되는 기판의 주변부 부근에서 보다 조밀해지게 한다. 이렇게 증가된 전계 밀도는 기판 주변부 부근에서의 도금 속도를 비례적으로 증가시킨다. 이러한 현상은 일반적으로 "터미널 효과(terminal effect)"로 공지되어 있으며, 종래의 도금 시스템과 관련된 바람직하지 못한 특성이다.
터미널 효과는 특히 반도체 프로세싱에 관련된 것으로, 이는 피쳐의 크기가 지속적으로 감소되고 종횡비가 지속적으로 증가됨에 따라, 시드층의 두께가 본질적 으로 지속적으로 감소되기 때문이다. 시드층의 감소된 두께가 층의 저항률을 보다 증가시킴에 따라, 이러한 시드층의 두께 감소는 터미널 효과를 보다 증가시킨다.
전기도금 프로세스에서 또다른 문제점은 기판이 도금 배쓰(bath)속에 침지되면서 기판 일부분 상의 피쳐가 바람직하게 못하게 충진되거나 또는 과도하게 충진될 수 있다는 것이다. 이머션(immersion) 프로세스 동안, 일반적으로 산성 용액인 도금 용액에 의해 기판 상의 시드층 에칭을 방지하도록 순방향 또는 도금 바이어스가 인가된다. 0.25초 정도로 짧은 이러한 시간 주기 동안, 기판 상의 일부 영역에서 소정의 피쳐는 균일성 불량 및 가변하는 장치 처리 성능을 야기시킬 수 있게 충진될 수 있다.
따라서, 도금 두께 프로파일이 실시간 모니터링되고 제어되는, 전도성 물질의 반도체 기판 상에서 도금을 위한 전기화학적 도금 셀 및 방법이 요구된다.
본 발명은 실시간 도금 두께 프로파일이 모니터링되고 제어되는 전기화학적 도금 셀 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 실시예들은 전반적으로 전해질에 배치된 센서 어셈블리 및 상기 센서에 접속된 제어 유니트를 갖는 전기화학적 도금 시스템을 제공한다.
또한 본 발명의 실시예들은 전기화학적 도금 프로세스 동안 인-시튜로 도금 두께 프로파일을 측정하는 방법을 제공한다. 도금 배쓰에서 공간 차동 전압은 도금 배쓰에 배치된 센서 어레이를 통해 측정된다. 실시간 도금 프로파일은 차동 전 압 값과 관련된 전류값을 적분함으로써 생성된다.
또한 본 발명의 실시예들은 전기화학적 도금 프로세스 동안 인-시튜로 도금 두께 프로파일을 발생시키기 위한 방법 및 장치를 제공한다. 상기 방법은 전해직에서 차동 전압에 의해 나타나는 도금 셀 전류 분포를 측정하는 단계 및 시간에 따라 전류값을 적분함으로써 실시간 두께 프로파일을 생성하는 단계를 포함한다. 구리 두께는 시간에 따른 전기적 적분 값에 비례한다.
또한 본 발명의 실시예들은 전기화학적 도금에 의해 기판상에 균일한 프로파일을 생성하는 방법을 제공한다. 일반적으로 상기 방법은 전해질과 접촉하는 기판 상에서 전기도금을 시작하는 단계; 전해질에서 셀 전류 분포 세트를 측정하는 단계; 셀 전류 분포 세트로부터 실시간 두께 프로파일을 생성하는 단계; 및 실시간 두께 프로파일에 따라 하나 이상의 프로세스 파라미터를 조절하는 단계를 포함한다.
또한 본 발명의 실시예들은 전기도금에 의해 기판 상에 원하는 프로파일을 생성하는 방법을 제공한다. 일반적으로 상기 방법은 전해질과 접촉되는 기판 상에서 전기도금을 시작하는 단계; 전해질에서 셀 전류 분포 세트를 측정하는 단계; 셀 전류 분포 세트로부터 실시간 두께 프로파일을 생성하는 단계; 에러 프로파일을 얻기 위해 원하는 두께 프로파일과 실시간 두께 프로파일을 비교하는 단계; 실시간 두께 프로파일에 따라 하나 이상의 프로세스 파라미터를 조절하는 단계; 및 에러 프로파일이 예정된 톨러런스 프로파일 내에 있는 경우 전기도금 프로세스를 종료하는 단계를 포함한다.
또한 본 발명의 실시예들은 전기화학적 도금을 위해 전해질 속으로의 가판 침지를 모니터링하는 방법을 제공한다. 일반적으로 상기 방법은 전해질에 배치된 기판과 애노드 어셈블리 사이에 바이어스 전압을 인가하는 단계; 전해질 속에 기판을 침지시키는 단계; 침지 단계 동안, 전해질의 셀 전류 분포를 모니터링하는 단계; 셀 전류 분포로부터 침지 상태를 검출하는 단계; 및 침지 상태에 대응하게 바이어스 전압을 조절하는 단계를 포함한다.
하나 이상의 실시예들의 상세한 설명은 첨부되는 도면 및 상세한 설명에 개시된다. 본 발명의 다른 특징 및 장점은 상세한 설명 및 도면으로 명백해질 것이다.
상기 개시된 본 발명의 특징들이 본 발명의 보다 상세한 설명, 상기 요약을 통해 이해될 수 있는 방식으로, 첨부되는 도면에 도시된 일부 실시예를 참조한다. 그러나, 주목할 것은 첨부되는 도면은 단지 본 발명의 실시예를 나타내는 것으로 본 발명의 범주를 제한하고자 하는 것은 아니며, 다른 등가의 실시예들이 허용될 수 있다.
전반적으로 본 발명은 반도체 기판상에 금속을 도금하도록 구성된 전기화학적 도금 셀을 제공한다. 일반적으로 본 발명의 도금 셀은 유체 볼륨 셀, 콘택 링, 애노드 및 유체 볼륨에 배치된 센서 어레이를 포함한다. 유체 볼륨에 배치된 센서 어레이는 도금 동안 셀 전류 분포를 측정하도록 구성된다. 도금된 금속의 두께 프로파일은 본 발명에 의해 제공되는 방법을 이용하여 셀 전류 분포로부터 생성된다.
도 1은 예시적인 도금 셀(100)의 개략도를 나타낸다. 일반적으로 도금 셀 (100)은 외부 바신(basin)(101) 및 상기 외부 바신(101) 내부에 위치된 내부 바신(102)을 포함한다. 일반적으로 내부 바신(102)은 전기화학적 도금 프로세스 동안 기판상에 구리와 같은 금속을 도금하는데 사용되는 도금 용액을 포함하도록 구성된다. 도금 프로세스 동안, 도금 용액은 내부 바신(102)(예를 들어, 분당 1 갤런)에 연속적으로 공급되어, 도금 용액은 연속적으로 내부 바신(102)(일반적으로 위어(weir))의 최상 포인트를 넘쳐 흘러 외부 바신(101)에 의해 수집된다. 외부 바신(101)에 의해 수집된 용액은 순환 및/또는 화학적 처리를 위해 배출된다.
도 1에 도시된 것처럼, 일반적으로 도금 셀(100)은 경사진 각도로 위치된다, 즉, 도금 셀(100)의 프레임 부분(103)은 도금 셀(100)의 컴퍼넌트들이 약 3°내지 약 30°사이에서 경사지도록 한쪽 측면상에서 상승된다. 따라서 도금 동작 동안 내부 바신(102) 내부에서 도금 용액을 적정 깊이로 함유하기 위해, 내부 바신(102)의 최상부 부분은 도금 셀(100)의 한쪽 측면상에서 상향 연장될 수 있어, 내부 바신(102)의 최상부 포인트는 일반적으로 수평이며 공급되는 도금 용액이 내부 바신(102)의 주변부 부근에서 연속적으로 넘쳐흐르게 한다. 그러나, 본 발명의 실시예는 예를 들어 0°를 포함하는 수평면에 대해 임의의 각도에서 도금 셀(100)이 본 발명의 범주내에서 고안됨에 따라 경사진 도금 셀로 제한되지 않는다.
일반적으로 도금 셀(100)의 프레임 부재(103)는 프레임 부재(103)에 고정된 환형 베이스 부재(104)를 포함한다. 프레임 부재(103)가 한쪽 측면상에서 상승되기 때문에, 베이스 부재(104)의 상부 표면은 일반적으로 수평 위치에 대해 프레임 부재(103)의 각도에 대응하는 각도에서 수평으로부터 경사진다. 베이스 부재(104) 내부에는 환형 또는 디스크 형상의 리세스가 형성되며, 환형 리세스는 디스크 형상의 애노드 부재(105)를 수용하도록 구성된다. 베이스 부재(104)는 또한 그의 하부 표면상에 위치된 다수의 유체 인입구/배출구(109)를 포함한다. 일반적으로 유체 인입구/배출구(109) 각각은 도금 셀(100)의 애노드 컴파트먼트 또는 캐소드 컴파트먼트중 하나에 대해 유체를 개별적으로 공급 또는 배기시키도록 구성된다. 일반적으로 애노드 부재(105)는 그를 관통하여 형성된 다수의 슬롯(107)을 포함하며, 일반적으로 상기 슬롯(107)은 애노드(105)의 표면에 대해 서로 평행한 배향으로 위치된다. 평행한 배향은 애노드 표면에서 생성된 조밀한 유체들이 애노드 표면에 대해 아래 방향으로 그리고 슬롯(107)중 하나의 속으로 흐르게 한다.
또한 도금 셀(100)은 멤브레인 지지 어셈블리(106)를 포함한다. 멤브레인 지지 어셈블리(106)는 일반적으로 그의 외부 주변부에서 베이스 부재(104)에 고정되며, 유체가 통과할 수 있도록 구성된 내부 영역을 포함한다. 멤브레인(108)은 지지체(106)에 대해 연장되어 일반적으로 음극전해질(catholyte) 챔버(도금되는 기판에 인접하게 위치됨)와 양극전해질(anolyte) 챔버(셀의 애노도 전극에 인접하게 위치됨)가 유체적으로 분리되도록 작동한다. 멤브레인 지지 에셈블리(106)는 멤브레인(108)의 주변부 부근에 위치된 o-링형 시일을 포함할 수 있으며, 상기 시일은 유체가 멤브레인 지지체(106) 상에 고정된 멤브레인(108)의 한쪽 측면으로부터 멤브레인(108)의 다른쪽 측면으로 이동하는 것을 방지하도록 구성된다. 이로써, 멤브레인(108)은 일반적으로 도금 셀(100)의 애노드와 캐소드 부분 사이에 전기적 절연을 제공한다. 음극전해질로부터 양극전해질을 유체적으로 절연하는데 사용될 수 있는 예시적인 멤브레인은 본 명세서에서 참조되며, "Electrochemical Proessing Cell"이란 명칭으로 2003년 7월 24일자로 출원된 공동 양도된 미국 특허 출원 번호 10/627,336호에 개시되어 있다. 선택적으로, 멤브레인(108)은 유체가 관통할 수 있게 허용하는 유체 투과성 필터-형 멤브레인일 수 있다. 일 면에서, 멤브레인 또는 필터형 멤브레인은 도금 셀 비용 및 복잡성을 감소시키기 위해 도금 셀에서 사용되지 않는다.
다공성 세라믹 디스크 부재 또는 다른 유체 투과성 전기적 저항성 부재인 확산 플레이트(110)가 멤브레인(108) 위에 위치된다. 일단 도금 용액이 캐소드 챔버에 주입되면, 도금 용액은 확산 플레이트(110)를 통해 상향 이동한다. 일반적으로 세라믹 또는 다른 다공성 디스크 형상 부재인 확산 플레이트(110)는 유체 흐름 제한기로서 작요하여 기판 표면에 대해 흐름 패턴이 평활해지게 한다. 또한, 확산 플레이트(110)는 도금 균일성을 감소시키는 것으로 공지된 멤브레인(108)의 표면 또는 애노드(105)의 전기화학적 활성 영역에서 전기적 변수를 저항성으로 댐핑시키도록 동작한다.
도 1에 도시된 예시적인 도금 셀의 추가 실시예들은 2002년 7월 24일자로 출원된 미국 가출원 번호 60/398,345호에서 우선권을 청구하는 "Electrochemical Processing Cell"이란 명칭하에 2002년 10월 9일자로 출원된 공동 양도된 미국 특허 출원 번호 10/268,284호에 개시되며, 상기 문헌들은 모두 본 명세서에서 참조된다. 도금 셀의 또다른 실시예들은 "Electrochemical Processing Cell"이란 명칭으로 2003년 7월 24일자로 출원된 공동 양도된 미국 특허 출원 번호 10/627,336호에 개시되며, 상기 문헌은 본 명세서에서 참조된다.
도 2는 도 1에 도시된 전기화학적 도금 셀(100)과 유사한 전기화학적 도금 셀(200)을 개략적으로 나타내며, 기판(215) 상에서 도금 프로세스가 수행되는 경우 내부에 전계 라인이 생성된다. 일반적으로 도금 셀(200)은 전해질 도금 용액인 유체 볼륨(216)을 함유하도록 구성된 유체 바신 어셈블리(201)를 포함한다. 애노드(205)는 유체 바신 어셈블리(201)의하부 부분에 위치되며 도금되는 기판(215)은 셀(200)의 상부 개방부에 대해 위치된다. 기판(215)은 하나 이상의 전기적 콘택 부재(213)를 통해 기판(215)의 주변부 부근에서 기판(215)의 도금 표면(215A)과 전기적으로 접촉하도록 구성된 콘택 링(214)에 의해 지지된다. 기판 도금 표면(215A) 상부에는 전도성 시드층이 증착된다. 전기적 콘택 부재(213)는 전력원(221)의 제 1 단자(221A)와 전기적으로 연통되는 반면, 전력원(221)의 제 2 단자(221B)는 애노드(205)와 전기적으로 연통된다. 일반적으로 환형 형상을 가지는 콜리메이터(212)는 확산 플레이트(210)의 상부에 그리고 콘택 링(214)의 하부에 위치된다. 일반적으로 콜리메이터(212)는 기판(215) 보다 작은 직경을 가지며 유체 볼륨(216)에서 전계 채널로 구성된다.
또한 도 2는 도금 셀(200)에서의 도금 프로세스 동안 발생되는 전계 라인(220)을 나타낸다. 상기 도시된 것처럼, 도금 표면(215A) 상에는 전도성층이 증착된다. 도금 표면(215A) 상에 형성된 전도성층은 소정의 경우에서 전도성 시드층일 수 있어 매우 얇고 저항성이 높다. 시드층의 저항 특성은 도금 프로레스 동안 애노드(205)와 도금 표면(215A) 사이에 형성된 전계 라인이 도금 표면(215A)과 전기 적 접촉이 이루어지는 도금 표면(215A)의 주변부 부근이 보다 조밀해지게 한다. 전계 라인(220)은 본질적으로 전기적 콘택 부재(213)를 향해 수렴되어, 높은 전압(캐소드 바이어스)이 콘택 부재(213) 부근에 있는, 전도성층에 형성에 전압 강하가 형성된다. 다음 콘택 부재(213) 부근의 보다 높은 전압은 적어도 저항 경로를 형성한다. 도금 셀의 몇몇 제조자들은 실질적으로 전해질의 저항률을 증감시킴으로써 수렴 문제를 해결하려 했으나, 이는 도금 속도를 허용불가능한 정도로 감소시키고 전계 수렴 효과를 충분히 감소시키지 못했다.
도 3은 본 발명의 예시적인 도금 셀(300)의 개략적 단면도이다. 일반적으로 도금 셀(300)은 전해질 도금 용액인 유체 볼륨(316)을 포함하도록 구성된 유체 바신 어셈블리(301)를 포함한다. 애노드(305)는 유체 바신 어셈블리(301) 아래에 위치되며 일반적으로 도금되는 기판(315)은 셀(300)의 상부 개방 부분에 대해 위치된다. 기판(315)은 하나 이상의 전기적 콘택 부재(313)를 통해 기판(315)의 주변부 부근에서 기판(315)의 도금 표면(315A)과 전기적으로 접촉하도록 구성된 콘택 링(314)에 의해 지지된다. 전기적 콘택 부재(313)는 전력원(321)의 제 1 단자(321A)와 전기적으로 연통되는 반면, 전력원(321)의 제 2 단자(321B)는 애노드(305)와 전기적으로 연통된다. 일반적으로 확산 플레이트(310)는 기판(315)과 애노드(305) 사이에 위치된다. 환형 형상을 갖는 콜리메이터(312)는 확산 플레이트(310) 상부 및 콘택 링(314) 아래에 위치된다. 일반적으로 콜리메이터(312)는 기판(315) 보다 작은 직경을 가지며 유체 볼륨(316)에서 전계 채널로 구성된다. 일면에서, 확산 플레이트(310)는 예를 들어, 2-3mm로 기판(315)에 가깝게 위치될 수 있고 콜리메니 터는 필요없을 수도 있다.
도 3을 참조로, 센서(331) 어레이를 갖는 센서 어셈블리(330)가 도금 셀(300)에 배치된다. 센서(331)는 이들이 기준 전극에 접속되지 않기 때문에 도금 셀(300)에서 플로팅 상태에 있다. 센서(331)는 구리, 또는 희금속, 예를 들어, 플래티늄, 금, 파라듐, 이리듐, 루테늄, 도는 희금속 위에 도금된 구리로 구성된 와이어일 수 있다. 2개 이상의 센서(331)는 도금 볼륨(316)에 위치된 센서들(331) 사이에 국소 전압 레벨을 감지하도록 구성된다. 센서 어셈블리(330)는 센서 어셈블리가 배치되는 유체 볼륨(316)에서 국소 셀 전류 분포를 얻도록 구성된 신호 샘플링 및 프로세싱 회로(332)로 구성된다. 도 3은 다수의 높은 입력 임피던스 차동 증폭기(333), 하나 이상의 멀티플렉서(334), 및 A/D 컨버터(335)를 포함하는 프로세싱 회로(332)의 일 실시예의 개략적 구성을 나타낸다. 다수의 높은 입력 임피던스 차동 증폭기는 일반적으로 센서(331) 어레이에 접속되어, 각각의 높은 입력 임피던스 차동 증폭기(333)의 2개의 입력 핀은 2개의 차동 센서(331)과 전기적으로 연통된다. 따라서, 각각의 높은 입력 임피던스 차동 증폭기(333)는 2개의 센서(331) 사이에서 차동 전압을 출력한다. 높은 입력 임피던스 차동 증폭기(333)는 하나 이상의 멀티플렉서(334)에 접속될 수 있으며, 상기 하나 이상의 멀티플렉서(334)는 임의의 멀티플 입력중 하나를 선택하고 상기 선택된 입력을 출력 라인(334A)에 공급하는 기능을 수행한다. 멀티플렉서(334)의 출력 라인(334A)은 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 A/D 컨버터(335)에 접속될 수 있다. A/D 컨버터(335)는 차동 전압 데이터를 처리하기 위한 프로그램을 갖춘 컴퓨터(336)에 접 속될 수 있으며 유체 볼륨(316)의 전계 정보를 제공한다. 일면에서, 실시간 두께 프로파일은 차동 전압에 관련된 전류값을 적분함으로써 생성될 수 있다. 컴퓨터(336)는 측정된 차동 전압 데이터 및 도금 용액의 특성 정보로부터 전류값을 계산하고, 두께 프로파일을 얻도록 도금 시간에 대해 전류 값들을 적분한 다음 두께 프로파일을 플롯팅 및/또는 디스플레이하도록 구성된다. 유체 볼륨(316)에서 차동 전압을 수신 및 프로세싱함에 따라, 컴퓨터(336)는 전계의 국소화된 강도를 조절하도록 전력원(321) 및/또는 다른 제어가능한 컴퍼넌트에 제어 신호를 출력할 수 있다.
도 3을 참조로, 일 실시예에서, 센서 어셈블리(330)는 길이 방향으로 분포된 센서 (331) 어레이를 갖는 직사각형 인쇄 회로 보드이다. 센서 어셈블리(330)는 도금 표면(315A)에 수직으로 배치된다. 센서 어셈블리(330)의 한쪽 단부는 도금 표면(315A)의 중심부 부근에 위치되며 센서 어셈블리(330)의 다른쪽 단부는 도금 표면(315A)의 주변부 부근에 위치된다. 일 면에서, 센서(331)는 기판(315) 반경에 대한 도금 두께에 대응하는 전계가 모니터링될 수 있도록 도금 표면(315A)에 방사상 분포된다. 일 실시예에서, 도 3에 도시된 것처럼, 센서 어셈블리(330)는 확산 플레이트(310) 위에 그리고 도금 표면(315A) 아래에 위치될 수 있다. 일 면에서, 센서 어셈블리(331)는 센서(331)가 도금 표면(315A)으로부터 약 1mm 내지 약 15mm 사이에 있도록 위치에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 도시되지 않았지만, 센서 어셈블리(330)는 인쇄 회로 보드에 형성되기 보다는 확산 플레이트(310)에 통합될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 센 서들은 공지된 간격 떨어져 위치되며 도금 셀의 강성의 부재에 부착되지 않는다. 일 실시예에서, 센서들은 음극전해질 챔버와 양극전해질 챔버 모두를 포함하는 전체 도금 셀 어디에든 위치될 수 있다. 일면에서, 센서들은 도금 셀에 애노드 또는 캐소드(즉, 콘택 핀)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 센서들은 콘택 핀을 포함하며 콘택 핀과 전해질내의 다른 센서들 사이의 전위차가 측정될 수 있다.
도 3A는 도 3에 도시된 도금 셀의 예시적인 센서 어셈블리(330A)의 정면도를 나타낸다. 센서 어셈블리(330A)는 일반적으로 상이한 높이의 길게 연장된 부분을 갖는 인쇄 회로 보드이다. 센서 어셈블리(330A)의 높은 부분은 2개 로우(row)의 센서(331A)를 포함한다. 일 면에서, 각각의 로우에서 센서(331A)는 센서 어셈블리(330A)의 높은 부분의 길이에 따라 균일하게 분포되며 서로 간격(D1)을 둔다. 이러한 구성에서, 제 1 로우의 센서(331A)는 센서(331A)가 도금 표면에 매우 근접한 영역을 측정할 수 있게 센서 어셈블리의 높은 부분의 상부 에지에 근접하게 위치된다. 제 2 로우의 각각의 센서(331A)는 제 1 로우의 각각의 센서(331A) 바로 밑에 위치되며 제 1 로우의 각각의 센서(331A)로부터 간격(D2)을 둔다. 일면에서, 간격(D1)은 약 7.5mm이며, 간격(D2)는 약 7.5mm 이다. 또다른 실시예에서, 도시되진 않았지만, 각각의 로우의 센서(331A)는 센서 어셈블리(330A)의 길이 방향을 따라 불균일하게 분포될 수 있다. 일면에서, 다수의 콘택(341A)은 센서 어셈블리(330A)의 짧은 부분에 배치된다. 각각의 콘택(341A)은 하나의 센서(331A)와 전기적으로 연통되며 도 3의 신호 샘플링 및 프로세싱 회로(332)와 같이 다른 회로와 해당 센서를 접속하도록 구성된다.
일면에서, 센서(331A, 331B)는 서로에 대한 각도(수직 또는 수평이 아닌)에서 다른 장치에 또는 기판 또는 도금 셀의 다른 부재들에 대한 이들의 위치에 따라 수직형, 수평형 및 환형 장치들의 임의의 조합물에 위치될 수 있다. 일면에서, 센서 어셈블리는 도금 셀에서 전계를 나타낼 수 있는 3D 좌표 시스템, 폴러(polar) 좌표 시스템, 및 타원형 좌표 시시템과 같은 좌표 시스템에 형성될 수 있다.
도 3B는 도 3에 도시된 도금 셀(300)의 예시적인 센서 어셈블리(330B)의 정면도를 나타낸다. 일반적으로 센서 어셈블리(330B)는 상이한 높이의 길게 연장된 부분을 갖는 인쇄 회로 보드이다. 센서 어셈블리(330B)의 높은 부분은 3개 로우의 센서(331B)를 갖는다. 일면에서, 각각의 로우에서 센서(331B)는 센서 어셈블리(330B)의 높은 부분의 길이방향을 따라 균일하게 분포되며 서로 간격(D3)을 두고 이격된다. 일 면에서, 제 1 로우의 센서(331B)는 도금 표면에 매우 인접한 영역을 센서(331A)가 측정할 수 있게 센서 어셈블리의 높은 부분의 상부 에지에 근접하게 위치된다. 제 2 로우 및 제 3 로우의 각각의 센서(331B)는 제 1 로우의 각각의 센서(331B) 바로 밑에 위치되며 상기 로우에서 각각의 센서(331B)로부터 간격(D4)을 두고 이격된다. 일 면에서, 간격(D3)은 약 3.75mm이며 간격(D4)은 약 3.75mm이다. 또다른 실시예에서, 도시되지는 않았지만, 각각의 로우의 센서(331B)는 센서 어셈블리(330B)의 길이 방향을 따라 불균일하게 분포될 수 있다. 일면에서, 다수의 콘택(341B)은 일반적으로 센서 어셈블리(330A)의 짧은 부분에 배치된다. 각각의 콘택(341B)은 하나의 센서(331B)와 전기적으로 연통되며 도 3의 신호 샘플링 및 프로세싱 회로(332)와 같은 다른 회로와 대응하는 센서를 접속시키도록 구성된다.
각각의 센서 및/또는 센서 그룹들의 위치를 위해 다른 장치가 사용될 수도 있다.
도 3C는 도금되는 기판(315C)에 대한 센서 어셈블리(330C)의 예시적인 장치의 상부도를 나타낸다. 일 실시예에서, 센서 어셈블리(330C)의 한쪽 단부는 기판(315C)의 중심부 부근에 위치되며 센서 어셈블리(330C)의 다른쪽 단부는 기판(315C)의 주변부 부근에 위치된다. 센서 어셈블리(331C)에서 센서들은 기판(315C)에 대한 도금 두께에 상응하는 전계가 모니터링될 수 있도록 기판(315C)의 반경에 대해 직선으로 분포된다. 도 3D에 도시된 것처럼, 또다른 실시예에서, 다수의 센서 어셈블리(330D)가 기판(315D)에 대해 공간 패턴으로 분포된다. 이러한 장치는 기판(315D)의 반경에 대한 전계 및 도금 유체의 상이한 세그먼트에서의 전계 모두를 모니터링할 수 있게 한다. 도 3C에 도시된 장치와 비교할 때, 상기 배열은 특히 기판(315D)의 주변부 부근에서 보다 높은 센서 밀도를 가능케한다. 도 3E는 본 발명의 센서 어셈블리(330E)의 또다른 예시적인 장치의 상부도를 나타낸다. 도 3E에 도시된 것처럼 5개인, 다수의 센서 어셈블리(330E)는 기판(315E)의 중심부로부터 방사상 분포된다. 이러한 장치는 기판(315E)의 반경에 대한 전계 및 도금 용액의 상이한 세그먼트에서의 전계 모두를 모니터링할 수 있다.
도 4A는 균일한 전계를 갖는 도금 셀(400A)의 개략도를 나타낸다. 일반적으로 도금 셀(400A)은 애노드(405), 전도성 시드층(425)을 갖는 기판(415), 전해질 볼륨(416), 전력원(421), 및 전해질 볼륨(416)에서 국소 전압 레벨을 측정하도록 구성된 센서(4311-4) 어레이를 포함한다. 전력원(421)은 전도성 시드층(425) 및 애노드(405)와 결합된다. 애노드(405)와 전도성층(425) 모두는 전해질 볼륨(416)에 보유된 도금 용액과 접촉된다. 전력원(421)이 전도성층(425)과 애노드(405) 사이에 전압을 제공하는 경우 전해질 볼륨(416)에 균일한 전계가 생성된다. 전계 세기는 등가-전압(iso-voltage) 라인(V1, V2, V3) 및 전계 라인(420)에 의해 도시된다. 등가-전압(V1, V2, V3)은 전해질 볼륨(416)에서의 전압 레벨을 나타내며 시드층(425)에 평행하다. 전계 라인은 전해질 볼륨(416)에서 이온 플럭스 또는 전류를 나타내는 전압 라인에 수직으로 이동한다. 도 4A에 도시된 것처럼, 센서(4311 및 4313)는 동일한 전압 라인(V2)에 위치되어, 일반적으로 4311과 4313 사이에서 측정된 전압은 제로와 같아지며, 이는 전압차 값(△V)이 V2-V2이기 때문이다. 한편 센서(4311 및 4312)는 각각 등가-전압 라인(V2, V3)에 위치되어, 일반적으로 V2-V3를를 각각 반영하는 전압 값들이 출력된다. 센서(4311 및 4312)는 동일한 전계 라인(4201)에 위치되며, 4311 및 4312에서 전압 값들 사이의 차동 전압은 하기 형태의 전계 라인(420A)의 전류 값과 관련된다.
국소 전류 밀도 = (센서들 간의 차동 전압)/(기하학적 상수)×(전해질 저항)×(센서들 사이의 간격)
(식 1)
이 경우, 도금 셀(400A)이 균일한 전계를 갖는 경우, 전해질 볼륨(416)에 2개의 센서를 위치시킴으로써 센서들 사이의 전압 강하 측정은 국소 전류 밀도 추정을 허용한다. 다음 국소 전류 밀도는 전체 전하 및 국소 도금 두께와 상관될 수 있다.
도 2와 관련하여 도시된 것처럼, 도금 셀에서 전계는 특히 도금 표면의 주변부 부근에서 불균일할 수 있다. 도 4B는 불균일한 전계를 갖는 도금 셀(400B)의 개략도를 나타낸다. 일반적으로 도금 셀(400B)은 애노드(405B), 전도성 시드층(425B)를 갖는 기판(415B), 전해질 볼륨(416B), 전력원(421B), 및 전해질 볼륨(416B)에서 국소 전압 레벨을 측정하도록 구성된 센서(4315-12) 어레이를 포함한다. 전력원(421B)은 전도성 시드층(425B)과 애노드(405B)에 결합된다. 애노드(405B)와 전도성층(425B)은 전해질 볼륨(416B)에 보유된 도금 용액과 접촉된다. 전력원(421)이 전도성층(425B)과 애노드(405B) 사이에 전압을 제공하는 경우, 소정의 경우 불균일할 수 있는 전계가 전해질 볼륨(416B)에 생성된다. 전계는 등가-전압 라인(V1B-V6B) 및 전계 라인(420B)에 의해 표시된다. 본 실시예에서, 기판 표면으로부터 간격을 두고 있는 전계 라인(420B)은 전도성층(425B)과 직교하지 않는다. 따라서, 국소 전류 밀도는 전도성층(425B)에 수직인 센서의 전압 측정치로부터 쉽게 예견될 수 없다. 차동 전압의 추가적인 수평 컴퍼넌트는 전류 밀도를 계산하기 위해 측정될 수 있다. 도 4B에 도시된 것처럼, 센서(4315, 4317, 4319 및 43111)은 도금 표면(425B)에 평행한 하나의 수평 라인에 위치되며, 이들 위치들 사이에서 측정 된 전압 레벨은 전계의 불균일성으로 인해 상이하다. 따라서, 2개의 센서들 사이에 전압차를 측정함으로써 차동 전압의 수평 컴퍼넌트가 얻어질 수 있다. 예를 들어, 센서들(4315, 4317 및 4318 , 4317) 사이에서 측정된 전압 레벨은 상기 영역에서 전류 밀도의 방향 및 크기를 계산하는데 사용될 수 있다. 수평 컴퍼넌트(dVh)는 dVh = 4315에서의 전압 레벨 - 4317에서의 전압 레벨로 부터 계산될 수 있다. 수직 컴퍼넌트 dVn는 dVn = 4318에서의 전압 레벨 - 4317에서의 전압 레벨로 부터 계산될 수 있다. 4317에서의 차동 전압은 도 3C에 도시된 것처럼 dVn과 dVh의 벡터 합에 의해 계산될 수 있다. 다음 국소 전류 밀도는 식 1을 사용하여 계산될 수 있다.
그러나, 도 4C에 도시된 것처럼, dVn과 dVh로부터 계산된 차동 전압 dV은 센서들 사이가 유한 간격이기 때문에 부분적으로 불균일한 전계에서 실제 차동 전압 ΣdV에 비해 가변적이다. 일 면에서, 이러한 편차는 예를 들어, 수평 기하학 계수(C1) 및 수직 기하학 계수(C2)와 같은 기하학 계수 세트를 도입함으로써 보상될 수 있다. 수평 컴퍼넌트 dVh 및 수직 컴퍼넌트 dVn는 각각 C1과 C2에 의해 먼저 곱해진 다음 서로 합산되어 실제 차동 전압 ΣdV을 얻을 수 있다. 식 2는 이러한 계산의 스칼라형을 제공한다.
ΣdV =
Figure 112006036728556-PAT00001
(식 2)
불균일한 전계의 차동 전압을 얻는데 있어 기하학 계수 적용은 효과적인 것으로 증명되었으며 기하학 계수 식별 방법은 하기에 개시된다.
도 4B를 참조로, 전해질 볼륨(416B)의 중간에서 국소 전류 밀도는 전도성층(425B) 부근의 국소 전류 밀도와 상당히 상이할 수 있다. 따라서, 센서(431)에 의해 측정된 차동 전압으로부터 도금 두께를 계산하기 위해 센서(431)를 전도성층(425B)에 가깝게 위치시키는 것이 바람직하다.
도 4D는 측정된 차동 전압으로부터 두께 프로파일 측정치를 생성하는 방법의 예시적 실시예를 나타낸다. 두께 프로파일 측정은 기판의 중심부 또는 에지에 대한 간격을 나타내는 x-축 및 도금된 물질의 두께를 나타내는 y-축을 갖는 2D 곡선을 사용하여 도시될 수 있다. 단계(454)에서, x-축에 대한 전류는 측정된 차동 전압으로부터 계산된다. 이 단계는 2개 부분에서 접촉될 수 있다. 먼저, 각각의 샘플 포인트에 대해, 실제 차동 전압은 하나 이상의 센서들 사이에서 측정된 수평 및 수직 전압으로부터 계산되며 기하학 계수 세트는 예를 들어 식 2와 같은 수학적 모델을 사용함으로써 계산된다. 다음 국소 전류 밀도는 식 1을 사용하여 계산된다. 각각의 샘플 포인트에서 전압 레벨은 도금 프로세스 과정 동안 주기적으로 샘플링된다. 따라서, 국소 전류 밀도 값 세트가 각각의 샘플 포인트에 대해 얻어진다.
도 4D의 단계(456)에서, 각각의 샘플 포인트에 대해, 총 전하는 도금 시간에 대해 국소 전류를 적분함으로써 얻어진다. 적분은 합산에 의해 근사될 수 있다.
총 전하(t) =Σ(i(t)·△t)△A (식 3)
여기서, △A는 기판상에 대응하는 영역 또는 각각의 샘플 포인트에 대한 반경에 따른 간격이며 i는 각각의 샘플 포인트에서 국소 전류 밀도이다.
단계(458)에서, 각각의 샘플 포인트에서 총 전하는 실험 검사표를 통해 또는 계산에 의해 도금된 물질의 두께와 상관된다. 예를 들어, 프로세스에서 Cu2+ 이온들이 기판 상에 도금된다. 구리 결정에 대해 a=b=c=361.49pm=3.6149Å이 공지되어 있다. 따라서, 유니트 셀의 볼륨은 47.23Å3이다. 유니트 셀에 4 원자 및 원자당 2전하가 있기 때문에, 유니트 셀을 증착하는데 요구되는 총 전하는 4원자*2전하*1.6e-19 쿨롱이다. 샘플 영역상에 3.6149Å(유니트 셀의 층)의 두께를 증착하는데 요구되는 총 전하는 4원자*2전하*1.6e-19 * 샘플 영역/3.6149Å/3.6149Å 쿨롱이다.
단계(460)에서, 두께 프로파일은 단계(458)로부터 도금된 물질의 두께를 계산하여 생성된다. 일 면에서, 두께 프로파일은 식 4에 도시된 것처럼, 최 두께에 도금된 두께를 더함으로써 계산된다.
두께 = 초기 두께 + 도금된 물질 두께 (식 4)
두께 프로파일은 도금 시간에 대해 전해질의 전류를 적분함으로써 생성될 수 있다. 전류 값은 전해질에서 차동 전압으로부터 계산된다. 차동 전압은 차동 전압 장치를 사용하여 센서들 사이의 전압 차를 측정함으로써 얻어질 수 있다. 도 5에 도시된 차동 전압 측정 장치의 일 실시예는 센서들 간의 전압 차를 감지하고 증폭시켜, 증폭된 차동 전압을 디지털 신호로 전환시킨다. 이런 실시예에서, 다수의 높은 입력 임피던스 차동 증폭기(503)는 센서들 사이의 전압 차를 측정하고 증폭시키는데 사용된다. 각각의 높은 입력 임피던스 차동 증폭기(503)에 대해, 각각 2개의 입력 핀은 센서(331)와 접속된 레지스터(501)에 접속되고; 레지스터(5021)는 503 의 출력 핀에 503의 네거티브 입력 핀을 접속시키며; 503의 포지티브 입력 핀은 레지스터(5022)를 통해 접지에 접속된다. 입력 핀에 상응하는 센서들(331) 사이의 저압차는 R502/R501 배로 증폭된다. 예를 들어, 레지스터(502)는 100k 옴의 저항을 가지며 레지스터(501)는 1k 옴의 저항을 갖는다. 입력 핀들 사이의 전압차는 100 배 증폭된다. 도 5에 도시된 것처럼, 높은 입력 임피던스 차동 증폭기(503)는 차동 전압의 수평 및 수직 컴퍼넌트를 감지하고 증폭시키는데 사용된다. 높은 입력 임피던스 차동 증폭기(503)의 출력은 하나 이상의 멀티플렉서(504)의 입력 핀에 접속되고 연속 배열되어 A/D 컨버터(505)에 입력된다. 일 면에서, A/D 컨버터(505)는 12-비트 A/D 컨버터일 수 있다. 다음 A/D 컨버터(506)의 출력은 데이터 버스를 통해 컴퓨터(506)에 접속된다. 컴퓨터(506)는 실시간 두께 프로파일을 생성하고, 기하학 계수 세트를 식별하고, 도금 프로세스를 제어하고, 도금 프로세스를 최적화시키기 위해 측정된 차동 전압을 사용할 수 있는 프로그램을 가질 수 있다. 전기화학적 프로세스에서 차동 전압을 이용하는 방법 및 장치의 실시예들이 도 6-11에 도시된다.
도 6은 기하학 계수의 세트를 식별하는 예시적인 실시예를 나타낸다. 본 실시예에서, (시드층의) 워내 두께는 두께 측정 장치를 사용하여, 예를 들어, 표면 저항률 또는 x-레이 반사율 측정을 통해 측정된다. 다음 전해질에 배치된 센서 어레이로 도금 셀에서 도금 프로세스가 개시된다. 차동 전압은 도금 프로세스 마지막 까지 센서 및 도 3-5와 관련하여 상기 개시된 데이터 수집 장치를 사용하여 주 기적으로 측정된다. 최종 두께 프로파일은 두께 측정 장치를 사용하여 측정될 수 있다. 초기 값은 기하학 계수 세트에 대해 선택된다. 다음 단계(620)에서, 생성된 두께 프로파일은 도 4D에 개시된 것처럼 측정된 차동 전압, 기하학 계수 및 오리지널 두께 프로파일로부터 얻어질 수 있다. 단계(622)에서, 생성된 두께 프로파일은 단계(616)에서 얻어진 측정된 두께 프로파일과 비교된다. 생성 및 측정된 두께 프로파일 간의 차를 나타내는 에러 프로파일 또는 파라미터가 단계(624)에서 평가된다. 에러 또는 차가 예정된 톨러런스의 한계치, 예를 들어 최대 에러를 초과하는 경우, 단계(626)가 수행되어 새로운 값의 기하학 계수가 얻어진다. 단계(620, 622, 624, 626)는 에러 또는 차가 예정된 톨러런스의 한계치 이내가 될 때까지 반복적으로 수행된다. 다음 프로세스가 중지되고 기하학 계수가 식별된다. 실험 결과는 기하학 계수가 주로 전해질 전도성에 따른다는 것을 나타낸다. 기판의 초기 저항률은 기하학 계수에 작은 영향력을 가질 수 있다. 따라서, 일단 식별이되면, 동일한 전해질 전도성 및 유사한 기판 초기 저항률을 가지는 도금 프로세스에 대한 두께 프로파일을 생성하도록 기하학 계수의 초기 세트가 적용된다.
도 7은 도금 프로세스 동안 실시간 두께 프로파일을 생성하는 본 발명의 실시예를 나타낸다. 오리지널 두께 프로파일은 단계(710)에 도시된 것처럼 도금 프로세스 이전에 프로브에 의해 측정될 수 있다. 일면에서, 단계(710)는 도입되는 층 두께가 크게 변하지 않는 기판 배쓰에 대해 단지 한번 수행된다. 단계(720)에서, 전기화학적 도금 프로세스는 전해질에 배치된 센서 어레이를 가지는 도금 셀에서 시작된다. 도금 프로세스가 시작된 이후, 단계들(730-780)은 프로페스 파라미 터에 따라 주기적으로 또는 가변 주파수에서 수행될 수 있다. 단계(730)는 차동 전압 데이터, 예를 들어, 수평 차동 전압(dVh) 및 수직 차동 전압(dVn)을 샘플링하는 단계를 수반한다. 단계(740)는 기하학 계수 세트를 사용하여 차동 전압 데이터로부터 실제 차동 전압을 계산하고, 실제 차동 전압으로부터 전류 밀도를 계산하는 단계를 포함한다. 일반적으로 단계(750)는 총전하 값을 얻기 위해 샘플 시간에 따라 전류 밀도를 적분하는 단계를 포함한다. 단계(760)는 일반적으로 도금된 두께 값과 총 전하 값을 상관시키는 단계를 포함한다. 일반적으로 단계(770)는 도금된 두께 값을 더함으로써 두께 프로파일을 업데이트하는 단계를 포함한다. 단계(780)에서, 업데이트된 두께 프로파일은 다른 방식으로 도시 또는 제공되어 도금 프로세스를 자동적으로 또는 불활성적으로 조절할 수 있다.
도 8은 전기화학적 도금 프로세스 동안 균일한 두께를 달성하는 본 발명의 실시예를 나타낸다. 단계(810)에서, 전기화학적 도금 프로세스는 내부에 센서 어레이가 배치된 도금 셀에서 수행된다. 도금 프로페스가 시작된 이후, 단계들(820-850)이 프로세스 파라미터에 따라 주기적으로 또는 가변 주파수에서 수행될 수 있다. 단계(820)는 차동 전압 데이터, 예를 들어, 수평 차동 전압 및 수직 차동 전압을 샘플링하는 단계를 수반한다. 단계(830)에서, 실시간 두께 프로파일이 생성된다. 일면에서, 상기 단계는 도 7에서 단계(740) 내지 단계(770)에 개시된 것처럼 수행된다. 단계(840)는 일반적으로 실시간 두께 프로파일을 분석하는 단계 및 도금된 표면의 균일성을 검출하는 단계를 포함한다. 균일성 검출시, 평탄도와 같은 두께 프로파일의 기하학적 특성이 계산되며, 프로파일에서 높고 낮은 포인트들 이 표시된다. 단계(850)에서, 하나 이상의 프로세스 파라미터들이 표면 균일성에 따라 조절될 수 있다. 주목할 것은 만약 균일성이 만족스럽다면, 프로세스 파라미터들은 조절될 필요가 없다는 것이다. 조절될 수 있는 프로세스 파라미터는 제한되지는 않지만 전류 세트 포인트, 애노드 타이밍, 띠프(thief) 전류, 헤드 공간, 애노드 부재의 전류 및 타이밍중 하나 이상을 포함한다. 애노드 부재에 대한 상세한 설명은 2005년 5월 25일자로 "Electroplating apparatus based on an array of anodes"란 명칭으로 출원된 미국특허 출원에 개시되어 있으며, 상기 문헌은 본 명세서에서 참조된다.
도 9는 전기화학적 도금 프로세스 동안 원하는 두께 프로파일을 달성하기 위한 본 발명의 실시예를 나타낸다. 단계(910)에서, 전기화학적 도금 프로세스는 내부에 센서 어레이가 배치된 도금 셀에서 수행된다. 도금 프로세스가 시작된 이후, 단계들(920-960)은 프로세스 파라미터에 따라 주기적으로 또는 가변 주파수에서 수행된다. 단계(920)는 차동 전압 데이터, 예를 들어, 수평 차동 전압과 수직 차동 전압을 샘플링하는 단계를 포함한다. 단계(930)에서, 실시간 두께 프로파일이 생성된다. 일 면에서, 상기 단계는 도 7의 단계(740) 내지 단계(770)에 개시된 것처럼 수행될 수 있다. 단계(940)에서, 실시간 두께 프로파일은 얻어진 원하는 두께 프로파일과 비교되어 실시간 두께 프로파일과 원하는 두께 프로파일 사이의 차를 나타내는 에러 프로파일 또는 파라미터가 얻어진다. 에러 또는 차가 예정된 톨러런스, 예를 들어 임계 에러의 한계를 초과하는 경우, 단계(960)가 수행된다. 에러 또는 차가 예정된 톨러런스의 한계치 이내가 되면, 도금 프로세스는 중단된다. 단 계(960)는 프로세스 파라미터가 조절될 필요가 있는지를 검출한다. 일면에서, 검출 프로세스는 에러 프로파일을 분석하는 단계를 수반한다. 단계(970)에서, 하나 이상의 파라미터가 에러 프로파일에 따라 조절될 수 있다. 프로세스 파라미터 조절은 전류 세트 포인트, 애노드 타이밍, 띠프(thief) 전류, 헤드 공간, 애노드 부재의 전류 및 타이밍중 하나 이상일 수 있다.
도 10은 도금 셀의 도금 용액에 기판을 침지시키는 프로세스를 모니터링하는 본 발명의 실시예를 나타낸다. 단계(1010) 동안, 일반적으로 음극(cathodic) 전압 바이어스가 기판과 양극으로(anodically) 바이어스된 전극(애노드) 사이에 인가된다. 단계(1020) 동안, 기판은 내부에 센서 어레이가 배치된 도금 셀에 침지된다. 단계(1030)에서, 도금 용액의 차동 전압이 센서들로부터 신호를 샘플링 및 프로세싱함으로써 모니터된다. 일반적으로 단계(1040)는 기판의 침지 상태를 검출하는 단계 및/또는 두께 프로파일을 생성하는 단계를 포함한다. 기판이 도금 용액에 침지됨에 따라, 전기적 통신이 설정되어, 센서 어레이의 하나 이상의 센서들은 기판의 다양한 영역들 사이에서의 차가 프로세스 동안 보상될 수 있도록 지시된다. 또한 실시간 두께 프로파일은 예를 들어 단계들(740-770)에 개시된 프로세스에 의해 생성될 수 있다. 단계(1050)에서, 바이어스는 침지 상태에 따라 조절될 수 있다. 애노다가 세그먼트화되면, 각각의 애노드 세그먼트의 바이어스가 독립적으로 조절될 수 있다. 도 10에 도시된 프로세스는 도 7-9에 개시된 프로세스에 부가될 수 있다.
도 11은 본 발명의 전기화학적 도금 시스템(1100)의 예시적인 실시예를 나타 낸다. 일반적으로 시스템(1100)은 전기화학적 도금 셀(1110) 및 도금 셀(1110)에 결합된 제어 유니트(1120)를 포함하여, 다양한 프로세스 변수들이 제어 유니트(1120)에 의해 모니터링될 수 있고 제어 유니트(1120)는 제어 신호를 도금 셀(1110)로 전송하여 도금 결과를 제어하도록 프로세스 변수들을 조절할 할 수 있다. 일반적으로 제어 유니트(1120)는 데이터 샘플링 및 프로세싱 장치(1130), 실시간 두께 프로파일 생성기(1122), 및 프로세스 최적화 모듈(1124)을 포함한다. 도금 셀(1110)은 제어 유니트(1120)의 데이터 샘플링 및 프로세싱 장치(1130)의 다수의 센서를 포함할 수 있다. 다수의 센서는 도금 셀(1110)의 전해질에 배치된 센서 어레이를 포함할 수 있으며 전해질의 차동 전압을 측정하도록 구성된다. 데이터 샘플링 및 프로세싱 장치(1130)는 다수의 센서로부터 신호들을 샘플링하고 프로세싱하도록 구성되며 처리된 프로세스 변수들을 프로세스 최적화 모듈(1124)에 출력한다. 프로세싱 변수들은 제한되지는 않지만, 예를 들어, 차동 전압, 배쓰 온도, 웨이퍼 높이, 산도(acidity), 헤드 회전, 경사 각도, 및 애노드 조건을 포함한다. 일 면에서, 데이터 샘플링 및 프로세싱 장치(1130)는 실시간 두께 프로파일을 생성하고 프로세스 최적화 모듈(1124)로 출력되도록 구성된 실시간 두께 프로파일 생성기(1122)로 차동 전압 측정치를 출력할 수 있다. 실시간 두께 프로파일 생성기(1122)는 도 7 내지 도 10에 도시된 프로세스를 수행하기 위해 소프트웨어 및/또는 하드웨어를 포함할 수 있다. 프로세스 최적화 모듈(1124)은 소프트웨어 및/또는 하드웨어를 포함하며, 예를 들어, 전류 세트 포인트, 애노드 타이밍, 애노드 세그먼트 제어 신호, 띠프 전류, 헤드 공간을 포함할 수 있는 다수의 제어 신호를 전송 함으로써 도금 셀(1110)에서 수행되는 도금 프로세스를 최적화시킬 수 있다. 도 11A는 도 11에 도시된 전기화학적 도금 시스템의 프로세스 최적화 모듈의 예시적인 실시예를 나타낸다. 프로세스 최적화 모듈(1124A)은 다수의 입력 변수 및 다수의 출력 변수를 포함할 수 있다. 입력 변수는 예를 들어, 실시간 두께 프로파일, 배쓰 온도, 웨이퍼 높이, 산도, 헤드 회전, 경사 각도 및 애노드 조건을 포함할 수 있다. 예를 들어 출력 변수는 전류 세트 포인트, 애노드 타이밍, 애노드 세그먼트 제어 신호, 띠프 전류, 헤드 공간을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세스 최적화 모듈(1124A)는 다수의 입력 변수에 따라 원하는 도금 결과로 수렴되도록 요구되는 다수의 출력 변수를 검출하는 예견 알고리즘을 사용하는 멀티 입력 멀티 출력 소프트웨어 모델일 수 있다.
도 12는 본 발명의 특성화 툴(1200)의 예시적인 실시예를 나타낸다. 특성화 툴(1200)은 웨이퍼(1200)의 상이한 반경에서 금속 패치(patches)를 갖는 특정 웨이퍼이다. 각각의 패치(1201)는 웨이퍼 상에서 금속 트레이스(1202)에 의해 웨이퍼(1200)의 주변부상의 접속 포인트(1203)와 접속된다. 금속 트레이스(1202)는 웨이퍼(1200)가 전해질과 접촉되는 경우, 금속 트레이스(1202)가 전해질과 접촉하지 않도록 유전체 물질로 커버된다. 일 면에서, 웨이퍼(1200)는 전기도금 셀의 콘택 링 상에서 콘택 핀과 정렬된 접속 포인트(1203)로 전기도금 셀에 도금되도록 배치된다. 각각의 금속 패치(1201)상에서의 전류는 해당 콘택 링으로부터 하류에서 측정된다. 일 면에서, 콘택 링으로부터 측정된 전류값은 동일한 반경에 따라 해당하는 센서들에 의해 측정된 전류 값과 비교될 수 있다. 일면에서, 센서 정확도가 특징 화될 수 있다. 또다른 면에서, 비교 결과는 센서 판독치를 교정 및 "정정(correct)"하는데 사용될 수 있다. 또한 웨이퍼(1200)는 도금 셀 또는 애노드 어셈블리를 특성화시키는데 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 패치(1201), 트레이스(1202) 및 접속 포인트(1203)는 구리로 형성된다. 일면에서, 패치(1201)는 2mm2의 크기를 가질 수 있다. 패치(1201) 및 접속 포인트(1203)는 상이한 방식으로 배열될 수도 있다.
지금까지 본 발명의 실시예들에 대해 설명했지만, 본 발명의 또다른 추가 실시예들이 하기의 청구범위에서 결정되는 본 발명의 범주를 이탈하지 않고 고안될 수 있다.
본 발명에 따라 실시간 도금 두께 프로파일이 모니터링되고 제어되는 전기화학적 도금 셀 및 방법이 달성될 수 있다.

Claims (44)

  1. 전해질에서 수행되는 전기화학적 도금 프로세스 동안 실시간 두께 프로파일을 생성하는 방법으로서,
    상기 전해질에 배치된 센서 어레이를 사용하여 전류 세트를 측정하는 단계;
    전하 데이터 세트를 얻기 위해, 시간 주기에 대해 상기 전류 세트를 적분하는 단계;
    상기 전하 데이터 세트를 도금된 두께 값에 상관시키는 단계; 및
    상기 도금된 두께 값으로부터 실시간 두께 프로파일을 생성하는 단계
    를 포함하는 실시간 두께 프로파일 생성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 오리지널 두께 프로파일을 가지며 실시간 두께 프로파일을 생성하는 단계는 상기 오리지널 두께 프로파일에 도금된 두께 값을 더하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실시간 두께 프로파일 생성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 전류 세트를 측정하는 단계는,
    센서 어레이를 사용하여 차동 전압 세트를 측정하는 단계; 및
    상기 차동 전압 세트로부터 전류 세트를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실시간 두께 프로파일 생성 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 차동 전압 세트 각각은 제 1 좌표의 제 1 컴퍼넌트 및 제 2 좌표의 제 2 컴퍼넌트를 포함하는 것을 특징으로 하는 실시간 두께 프로파일 생성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 좌표는 수평이며 상기 제 2 좌표는 수직인 것을 특징으로 하는 실시간 두께 프로파일 생성 방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 전류 세트를 계산하는 단계는,
    상기 차동 전압 세트 각각에 대해, 상기 제 1 컴퍼넌트와 제 1 계수를 곱하는 단계; 및
    상기 차동 전압 세트 각각에 대해, 상기 제 2 컴퍼넌트와 제 2 계수를 곱하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실시간 두께 프로파일 생성 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판은 오리지널 두께 프로파일을 가지며 상기 실시간 두께 프로파일을 생성하는 단계는 도금된 두께 값에 상기 오리지널 두께 프로파일을 더하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실시간 두께 프로파일 생성 방법.
  8. 전기화학적 프로세스 동안 전해질에서 도금되는 물질의 실시간 국소 두께를 측정하는 방법으로서,
    상기 전해질에 배치된 제 1 센서 및 제 2 센서를 사용하여 국소 전류를 측정하는 단계;
    전하를 얻기 위해 시간 주기에 대해 상기 국소 전류를 적분하는 단계;
    상기 시간 주기 동안 도금된 두께와 상기 전하를 상관시키는 단계; 및
    상기 시간 주기 동안 상기 도금된 두께로부터 실시간 국소 두께를 생성하는 단계
    를 포함하는, 도금되는 물질의 실시간 국소 두께 측정 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 실시간 국소 두께를 생성하는 단계는 상기 시간 주기 동안 도금된 두께에 오리지널 두께를 더하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도금되는 물질의 실시간 국소 두께 측정 방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 국소 전류를 측정하는 단계는,
    상기 제 1 센서와 제 2 센서 사이에 제 1 차동 전압을 측정하는 단계; 및
    상기 제 1 차동 전압으로부터 국부적 전류를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도금되는 물질의 실시간 국소 두께 측정 방법.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 국소 전류를 측정하는 단계는,
    상기 제 1 센서와 제 2 센서 사이에 제 1 차동 전압을 측정하는 단계;
    전해질에 배치된 상기 제 1 센서와 제 3 센서 사이에 제 2 차동 전압을 측정하는 단계;
    상기 제 1 차동 전압과 제 1 예정된 계수를 곱하는 단계; 및
    상기 제 2 차동 전압과 제 2 예정된 계수를 곱하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도금되는 물질의 실시간 국소 두께 측정 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 실시간 국소 두께를 생성하는 단계는 시간 주기 동안 상기 도금된 두께에 오리지널 두께를 더하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도금되는 물질의 실시간 국소 두께 측정 방법.
  13. 전기화학적 도금에 의해 기판 상에 균일한 프로파일을 생성하는 방법으로서,
    상기 기판 상에서 전기도금 프로세스를 시작하는 단계 - 상기 기판은 전해질과 접촉됨 - ;
    실시간 두께 프로파일을 생성하는 단계; 및
    상기 실시간 두께 프로파일에 따라 하나 이상의 프로세스 파라미터를 조절하는 단계
    를 포함하는, 균일한 프로파일 생성 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 실시간 두께 프로파일을 생성하는 단계는,
    상기 전해질에 배치된 센서 어레이를 사용하여 상기 전해질의 전류 세트를 측정하는 단계;
    전하 데이터 세트를 얻기 위해 시간 주기에 대해 상기 전류 세트를 적분하는 단계; 및
    도금된 두께 값에 상기 전하 데이터 세트를 상관시키는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 균일한 프로파일 생성 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 전류 세트를 측정하는 단계는 상기 전해질에 배치된 센서 어레이를 사용하여 차동 전압을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 균일한 프로파일 생성 방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 프로세싱 파라미터는 전류 세트 포인트, 애노드 타이밍, 띠프(thief) 전류, 및 헤드 공간중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 균일한 프로파일 생성 방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 프로세싱 파라미터를 조절하는 단계는 상기 실시간 두께 프로파일에 반영된 국소 두께에 대응하는 국소 전류 세트 포인트를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 균일한 프로파일 생성 방법.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 프로세싱 파라미터를 조절하는 단계는 상기 하나 이상의 프로세싱 파라미터의 조절을 결정하기 위해 예견 알고리즘을 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 균일한 프로파일 생성 방법.
  19. 전기화학적 도금에 의해 기판상에 원하는 두께 프로파일을 생성하는 방법으로서,
    상기 기판상에서 전기도금 프로세스를 시작하는 단계 - 상기 기판은 전해질과 접촉됨 - ;
    실시간 두께 프로파일을 생성하는 단계;
    에러 프로파일을 얻기 위해 원하는 두께 프로파일과 상기 실시간 두께 프로파일을 비교하는 단계;
    상기 에러 프로파일에 따라 하나 이상의 프로세스 파라미터를 조절하는 단계; 및
    상기 에러 프로파일이 예정된 톨러런스 프로파일 내에 있을 경우 상기 전기도금 프로세스를 종결시키는 단계
    를 포함하는, 두께 프로파일 생성 방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 실시간 두께 프포파일을 생성하는 단계는,
    상기 전해질에 배치된 센서 어레이를 사용하여 상기 전해질의 전류 세트를 측정하는 단계;
    전하 데이터 세트를 얻기 위해 시간 주기에 대해 전류 데이터 세트를 적분하는 단계; 및
    도금된 두께 값에 상기 전하 데이터 세트를 상관시키는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 두께 프로파일 생성 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 전류 세트를 측정하는 단계는 상기 전해질에 배치된 센서 어레이중에서 차동 전압을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 두께 프로파일 생성 방법.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 프로세싱 파라미터는 전류 세트 포인트, 애노드 타이밍, 띠프 전류, 및 헤드 공간 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 두께 프로파일 생성 방법.
  23. 제 19 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 프로세싱 파라미터를 조절하는 단계는 상기 실시간 두께 프로파일에 반영된 국소 두께에 따라 국소 전류 세트 포인트를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 두께 프로파일 생성 방법.
  24. 제 19 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 프로세싱 파라미터를 조절하는 단계는 상기 하나 이상의 프로세싱 파라미터의 조절을 결정하기 위해 예견 알고리즘을 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 두께 프로파일 생성 방법.
  25. 전기화학적 도금을 위해 전해질속에 기판을 침지시키는 방법으로서,
    상기 기판과 전해질에 배치된 애노드 어셈블리 사이에 바이어스 전압을 인가하는 단계;
    상기 전해질에 배치된 센서 어레이를 사용하여 상기 전해질의 전류를 모니터링하면서 상기 전해질에 기판을 침지시키는 단계;
    상기 전류로부터 침지 상태를 검출하는 단계; 및
    상기 침지 상태에 따라 상기 바이어스 전압을 조절하는 단계
    를 포함하는, 기판을 침지시키는 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 애노드 어셈블리는 세그먼트화되며 상기 바이어스 전압을 조절하는 단계는 상기 애노드 어셈블리의 각각의 세그먼트화된 애노드를 독립적으로 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 침지시키는 방법.
  27. 전기화학적 도금 셀에서 전류 분포를 특성화시키는 방법으로서,
    패터닝된 기판을 도금하는 단계; 및
    콘택 핀으로부터 하류의 전류를 측정하는 단계를 포함하며,
    상기 패터닝된 기판은 서로 절연되며 상기 패터닝된 기판의 반경에 대해 분포되는 다수의 전도성 패치(patch), 및 서로 절연되며 상기 패터닝된 기판의 에지르 따라 분포되는 다수의 콘택 핀을 포함하며, 상기 다수의 콘택 핀 각각은 전기화학적 도금 프로세스 동안 전력원에 접속되도록 구성된 전기화학적 도금 셀의 콘택 핀에 정렬될 수 있으며, 상기 다수의 전도성 패치 각각은 보호된 트레이스를 통해 상기 다수의 콘택 핀의 해당 콘택 포인트와 전기적으로 연통되는,
    전기화학적 도금 셀에서 전류 분포를 특성화시키는 방법.
  28. 전기화학적 도금 셀에서 전류를 측정하는 센서를 교정하는 방법으로서,
    상기 도금 셀에 센서를 배치시키는 단계 ;
    패터닝된 기판을 도금하는 단계 ;
    콘택 핀으로부터 하류의 셀 전류를 측정하는 단계; 및
    센서 전류와 셀 전류를 비교함으로써 센서 전류를 교정하는 단계를 포함하 며,
    상기 패터닝된 기판은,
    전도성 패치 - 상기 전도성 패치는 상기 센서 및 상기 전도성 패치가 상기 패터닝된 기판의 중심부를 통과하는 중심 축에 동일한 간격을 갖도록 배치됨 - ; 및
    상기 전기화학적 도금 프로세스 동안 전력원에 접속되도록 구성된 전기화학적 도금 셀의 콘택 핀에 정렬된 상기 패터닝된 기판 에지 상의 콘택 핀
    을 포함하며,
    상기 전도성 패치는 보호된 트래이스를 통해 상기 콘택 핀과 전기적으로 연통되는,
    센서 교정 방법.
  29. 전기화학적 도금 시스템으로서,
    기판과 접촉하도록 구성된 콘택 핀 - 상기 기판은 전해질과 접촉됨 - ;
    상기 전해질에 배치된 애노드;
    상기 콘택 핀과 애노드 사이에 바이어스를 인가하도록 구성된 전력원;
    상기 전해질에 배치된 센서 어셈블리 - 상기 센서 어셈블리는 적어도 제 1 센서 및 제 2 센서를 포함함 - ; 및
    상기 센서들에 접속되는 제어 유니트 - 상기 제어 유니트는 상기 제 1 센서 및 제 2 센서 사이에서 제 1 차동 전압을 검출하도록 구성됨 -
    를 포함하는 전기화학적 도금 시스템.
  30. 제 29 항에 있어서,
    상기 센서 어셈블리는 제 3 센서를 더 포함하며, 상기 제어 유니트는 상기 제 1 센서 및 제 3 센서 사이에 제 2 차동 전압을 검출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 시스템.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 제 1 센서 및 제 2 센서는 상기 기판에 수직인 라인에 위치되며 상기 제 1 센서 및 제 3 센서는 상기 기판에 평행한 라인에 위치되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 시스템.
  32. 제 29 항에 있어서,
    상기 센서 어셈블리는 센서 어레이를 포함하며 상기 센서 어레이는 상기 기판의 중심 포인트 부근으로부터 상기 기판의 에지 포인트 부근에 분포되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 시스템.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 센서 어레이는 인쇄 회로 보드 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 시스템.
  34. 제 32 항에 있어서,
    상기 센서 어레이는 상기 기판의 중심 포인트로부터 방사상 분포된 다수의 인쇄 회로 보드 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 시스템.
  35. 제 32 항에 있어서,
    상기 센서 어레이는 나선형 패턴으로 분포되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 시스템.
  36. 제 29 항에 있어서,
    상기 제어 유니트는 상기 콘택 핀과 접속되며 상기 콘택 핀과 적어도 상기 제 1 센서 사이에 전압차를 검출하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 시스템.
  37. 제 29 항에 있어서,
    상기 전해질에 배치된 확산 플레이트를 더 포함하며, 상기 센서 어레이는 상기 확산 플레이트에 통합되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 시스템.
  38. 제 29 항에 있어서, 상기 제어 유니트는,
    상기 센서 어셈블리에 접속된 전기 회로; 및
    상기 전기 회로에 접속된 컴퓨터를 포함하며,
    상기 전기 회로는 상기 센서 어셈블리의 입력을 샘플링 및 프로세싱하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전기화학적 도금 시스템.
  39. 전기화학적 프로세싱 시스템으로서,
    다수의 센서를 포함하는 전기화학적 도금 셀; 및
    상기 다수의 센서로부터 입력을 수신하도록 구성된 제어 유니트를 포함하며,
    상기 제어 유니트는,
    상기 다수의 센서로부터 입력을 프로세싱하도록 구성된 전기 장치; 및
    다수의 입력 변수 및 다수의 출력 변수를 가지는 프로세스 최적화 모듈
    을 더 포함하는, 전기화학적 프로세싱 시스템.
  40. 제 39 항에 있어서,
    상기 다수의 센서는 상기 전기화학적 도금 셀에 함유된 전해질에 배치된 센서 어레이를 포함하며, 상기 센서 어레이는 상기 전해질의 차동 전압을 측정하도록 구성되며 상기 제어 유니트는 차동 전압으로부터 실시간 도금 두께 프로파일을 생성하도록 구성된 프로파일 생성기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기화학적 프로세싱 시스템.
  41. 전기화학적 도금 셀을 특성화시키기 위한 패터닝된 기판으로서,
    제 1 전도성 패치; 및
    상기 패터닝된 기판 에지에 배치되며 상기 전기화학적 도금 셀의 콘택핀과 접속되도록 구성된 제 1 콘택 핀을 포함하며,
    상기 제 1 전도성 패치는 보호된 트레이를 통해 상기 제 1 콘택 포인트와 전기적으로 연통되는, 패터닝된 기판.
  42. 제 41 항에 있어서,
    서로 절연되는 다수의 전도성 패치; 및
    서로 절연되며 상기 패터닝된 기판의 에지에 위치된 다수의 콘택 포인트를 포함하며,
    상기 다수의 콘택 포인트 각각은 상기 전기도금 셀의 개별 콘택 핀과 정렬되며, 상기 다수의 전도성 패치 각각은 상기 다수의 콘택 핀의 해당 콘택 포인트와 전기적으로 연통되는 것을 특징으로 하는 패터닝된 기판.
  43. 제 42 항에 있어서,
    상기 다수의 패치는 상기 패터닝된 기판의 반경에 대해 분포되는 것을 특징으로 하는 패터닝된 기판.
  44. 제 42 항에 있어서,
    상기 다수의 패치는 상기 패터닝된 기판의 반경에 대해 직선으로 분포되는 것을 특징으로 하는 패터닝된 기판.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140147044A (ko) * 2013-06-18 2014-12-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전기-도금 프로세서의 자동 인­시츄 제어

Families Citing this family (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8475636B2 (en) 2008-11-07 2013-07-02 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for electroplating
US8308931B2 (en) * 2006-08-16 2012-11-13 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for electroplating
US8623193B1 (en) 2004-06-16 2014-01-07 Novellus Systems, Inc. Method of electroplating using a high resistance ionic current source
US7837851B2 (en) * 2005-05-25 2010-11-23 Applied Materials, Inc. In-situ profile measurement in an electroplating process
US8114262B2 (en) * 2006-01-11 2012-02-14 Sipix Imaging, Inc. Thickness distribution control for electroplating
US7655126B2 (en) * 2006-03-27 2010-02-02 Federal Mogul World Wide, Inc. Fabrication of topical stopper on MLS gasket by active matrix electrochemical deposition
US7667835B2 (en) * 2006-08-28 2010-02-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for preventing copper peeling in ECP
US8323460B2 (en) * 2007-06-20 2012-12-04 Lam Research Corporation Methods and systems for three-dimensional integrated circuit through hole via gapfill and overburden removal
WO2009040250A2 (de) * 2007-09-20 2009-04-02 Siemens Aktiengesellschaft Stromsteuerungsvorrichtung eines stromnetzes einer elektrochemischen beschichtungsanlage
US9692898B1 (en) 2008-01-28 2017-06-27 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for benchmarking paring strategies in a contact center system
US10750023B2 (en) 2008-01-28 2020-08-18 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for hybrid behavioral pairing in a contact center system
US9787841B2 (en) 2008-01-28 2017-10-10 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for hybrid behavioral pairing in a contact center system
US10708431B2 (en) 2008-01-28 2020-07-07 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for hybrid behavioral pairing in a contact center system
US9654641B1 (en) 2008-01-28 2017-05-16 Afiniti International Holdings, Ltd. Systems and methods for routing callers to an agent in a contact center
US8879715B2 (en) 2012-03-26 2014-11-04 Satmap International Holdings Limited Call mapping systems and methods using variance algorithm (VA) and/or distribution compensation
US9300802B1 (en) 2008-01-28 2016-03-29 Satmap International Holdings Limited Techniques for behavioral pairing in a contact center system
US10567586B2 (en) 2008-11-06 2020-02-18 Afiniti Europe Technologies Limited Pooling callers for matching to agents based on pattern matching algorithms
US8903079B2 (en) * 2008-01-28 2014-12-02 Satmap International Holdings Limited Routing callers from a set of callers based on caller data
US10708430B2 (en) 2008-01-28 2020-07-07 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for benchmarking pairing strategies in a contact center system
US9774740B2 (en) 2008-01-28 2017-09-26 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for benchmarking pairing strategies in a contact center system
US8781100B2 (en) * 2008-01-28 2014-07-15 Satmap International Holdings Limited Probability multiplier process for call center routing
US9712679B2 (en) 2008-01-28 2017-07-18 Afiniti International Holdings, Ltd. Systems and methods for routing callers to an agent in a contact center
US8824658B2 (en) * 2008-11-06 2014-09-02 Satmap International Holdings Limited Selective mapping of callers in a call center routing system
US9712676B1 (en) 2008-01-28 2017-07-18 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for benchmarking pairing strategies in a contact center system
US9781269B2 (en) 2008-01-28 2017-10-03 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for hybrid behavioral pairing in a contact center system
US8781106B2 (en) 2008-08-29 2014-07-15 Satmap International Holdings Limited Agent satisfaction data for call routing based on pattern matching algorithm
US8472611B2 (en) 2008-11-06 2013-06-25 The Resource Group International Ltd. Balancing multiple computer models in a call center routing system
USRE48412E1 (en) 2008-11-06 2021-01-26 Afiniti, Ltd. Balancing multiple computer models in a call center routing system
US8262871B1 (en) 2008-12-19 2012-09-11 Novellus Systems, Inc. Plating method and apparatus with multiple internally irrigated chambers
CN102269565B (zh) * 2010-06-07 2014-11-05 鞍钢股份有限公司 一种金属过渡层厚度的测试方法
US9624592B2 (en) 2010-07-02 2017-04-18 Novellus Systems, Inc. Cross flow manifold for electroplating apparatus
US9523155B2 (en) 2012-12-12 2016-12-20 Novellus Systems, Inc. Enhancement of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
US10233556B2 (en) 2010-07-02 2019-03-19 Lam Research Corporation Dynamic modulation of cross flow manifold during electroplating
US8795480B2 (en) 2010-07-02 2014-08-05 Novellus Systems, Inc. Control of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
US10094034B2 (en) 2015-08-28 2018-10-09 Lam Research Corporation Edge flow element for electroplating apparatus
PL410260A1 (pl) * 2010-08-11 2015-05-11 Outotec Oyj Urządzenie do elektroprodukcji
US8724797B2 (en) 2010-08-26 2014-05-13 Satmap International Holdings Limited Estimating agent performance in a call routing center system
US8750488B2 (en) 2010-08-31 2014-06-10 Satmap International Holdings Limited Predicted call time as routing variable in a call routing center system
JP2012182169A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置および半導体装置
US9518332B2 (en) * 2011-03-17 2016-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Electrochemical plating
US9005409B2 (en) 2011-04-14 2015-04-14 Tel Nexx, Inc. Electro chemical deposition and replenishment apparatus
US9017528B2 (en) 2011-04-14 2015-04-28 Tel Nexx, Inc. Electro chemical deposition and replenishment apparatus
US9221081B1 (en) 2011-08-01 2015-12-29 Novellus Systems, Inc. Automated cleaning of wafer plating assembly
US9988734B2 (en) 2011-08-15 2018-06-05 Lam Research Corporation Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
US9228270B2 (en) 2011-08-15 2016-01-05 Novellus Systems, Inc. Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses
US10066311B2 (en) 2011-08-15 2018-09-04 Lam Research Corporation Multi-contact lipseals and associated electroplating methods
CN102997832A (zh) * 2011-09-15 2013-03-27 上海宝钢工业检测公司 镀锡板表面氧化膜镀层自动测定系统
US8585875B2 (en) * 2011-09-23 2013-11-19 Applied Materials, Inc. Substrate plating apparatus with multi-channel field programmable gate array
US8565410B2 (en) 2012-03-26 2013-10-22 The Resource Group International, Ltd. Call mapping systems and methods using variance algorithm (VA) and/or distribution compensation
SG10201608038VA (en) * 2012-03-28 2016-11-29 Novellus Systems Inc Methods and apparatuses for cleaning electroplating substrate holders
KR102092416B1 (ko) 2012-03-30 2020-03-24 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 역전류 디플레이팅을 이용한 전기도금 기판 홀더의 클리닝
US9222195B2 (en) * 2012-09-05 2015-12-29 Applied Materials, Inc. Electroplating systems and methods for high sheet resistance substrates
US8792630B2 (en) 2012-09-24 2014-07-29 Satmap International Holdings Limited Use of abstracted data in pattern matching system
US10416092B2 (en) 2013-02-15 2019-09-17 Lam Research Corporation Remote detection of plating on wafer holding apparatus
US9746427B2 (en) 2013-02-15 2017-08-29 Novellus Systems, Inc. Detection of plating on wafer holding apparatus
US9670588B2 (en) 2013-05-01 2017-06-06 Lam Research Corporation Anisotropic high resistance ionic current source (AHRICS)
US9449808B2 (en) 2013-05-29 2016-09-20 Novellus Systems, Inc. Apparatus for advanced packaging applications
US9303329B2 (en) 2013-11-11 2016-04-05 Tel Nexx, Inc. Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management
CN103700601A (zh) * 2013-12-13 2014-04-02 清华大学 用于测量晶圆表面铜膜厚度的标定方法和测量方法及装置
JP5826952B2 (ja) * 2014-01-17 2015-12-02 株式会社荏原製作所 めっき方法およびめっき装置
CN104532334A (zh) * 2015-01-01 2015-04-22 深圳市兴达线路板有限公司 检测电镀线电流异常并调整电流的方法和装置
US9816194B2 (en) 2015-03-19 2017-11-14 Lam Research Corporation Control of electrolyte flow dynamics for uniform electroplating
US10014170B2 (en) 2015-05-14 2018-07-03 Lam Research Corporation Apparatus and method for electrodeposition of metals with the use of an ionically resistive ionically permeable element having spatially tailored resistivity
US10053793B2 (en) 2015-07-09 2018-08-21 Lam Research Corporation Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking
CN113099047B (zh) 2015-12-01 2023-01-03 阿菲尼帝有限公司 用于案例分配的技术
US10023969B2 (en) 2016-05-24 2018-07-17 Applied Materials, Inc. Plating power supply with headroom control and ethercat interface
US10364505B2 (en) 2016-05-24 2019-07-30 Lam Research Corporation Dynamic modulation of cross flow manifold during elecroplating
US10142473B1 (en) 2016-06-08 2018-11-27 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for benchmarking performance in a contact center system
US9692899B1 (en) 2016-08-30 2017-06-27 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for benchmarking pairing strategies in a contact center system
US9888121B1 (en) 2016-12-13 2018-02-06 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for behavioral pairing model evaluation in a contact center system
US10257354B2 (en) 2016-12-30 2019-04-09 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for L3 pairing in a contact center system
US9955013B1 (en) 2016-12-30 2018-04-24 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for L3 pairing in a contact center system
US10326882B2 (en) 2016-12-30 2019-06-18 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for workforce management in a contact center system
US11831808B2 (en) 2016-12-30 2023-11-28 Afiniti, Ltd. Contact center system
US10320984B2 (en) 2016-12-30 2019-06-11 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for L3 pairing in a contact center system
US10135986B1 (en) 2017-02-21 2018-11-20 Afiniti International Holdings, Ltd. Techniques for behavioral pairing model evaluation in a contact center system
CN106705826A (zh) * 2017-03-15 2017-05-24 四维尔丸井(广州)汽车零部件有限公司 电镀件的镀层厚度测试方法
CN107012491B (zh) * 2017-04-01 2020-04-07 河北民族师范学院 一种Co纳米层/Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜及其制备方法
US10970658B2 (en) 2017-04-05 2021-04-06 Afiniti, Ltd. Techniques for behavioral pairing in a dispatch center system
US9930180B1 (en) 2017-04-28 2018-03-27 Afiniti, Ltd. Techniques for behavioral pairing in a contact center system
US10122860B1 (en) 2017-07-10 2018-11-06 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for estimating expected performance in a task assignment system
US11001934B2 (en) 2017-08-21 2021-05-11 Lam Research Corporation Methods and apparatus for flow isolation and focusing during electroplating
US10781527B2 (en) 2017-09-18 2020-09-22 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling delivery of cross flowing and impinging electrolyte during electroplating
CN107624001B (zh) * 2017-09-27 2020-05-05 广州兴森快捷电路科技有限公司 电路板电镀方法
US10509669B2 (en) 2017-11-08 2019-12-17 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for benchmarking pairing strategies in a task assignment system
US10110746B1 (en) 2017-11-08 2018-10-23 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for benchmarking pairing strategies in a task assignment system
US11399096B2 (en) 2017-11-29 2022-07-26 Afiniti, Ltd. Techniques for data matching in a contact center system
US10509671B2 (en) 2017-12-11 2019-12-17 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for behavioral pairing in a task assignment system
CN108191148B (zh) * 2017-12-29 2021-10-15 赣州龙源环保产业经营管理有限公司 一种焦铜废水的自动化净化系统及净化方法
US10623565B2 (en) 2018-02-09 2020-04-14 Afiniti Europe Technologies Limited Techniques for behavioral pairing in a contact center system
CN108441845B (zh) * 2018-04-13 2020-03-31 河南科技学院 一种精确控制化学镀镀层厚度的方法及耐磨筛网的制备方法
US11250359B2 (en) 2018-05-30 2022-02-15 Afiniti, Ltd. Techniques for workforce management in a task assignment system
US10496438B1 (en) 2018-09-28 2019-12-03 Afiniti, Ltd. Techniques for adapting behavioral pairing to runtime conditions in a task assignment system
CN109183091B (zh) * 2018-10-26 2020-09-08 成都科力夫科技有限公司 一种车用发动机附件制造方法
CN109161957B (zh) * 2018-10-26 2020-09-15 成都科力夫科技有限公司 一种发动机减震装置制造设备
US10867263B2 (en) 2018-12-04 2020-12-15 Afiniti, Ltd. Techniques for behavioral pairing in a multistage task assignment system
US11144344B2 (en) 2019-01-17 2021-10-12 Afiniti, Ltd. Techniques for behavioral pairing in a task assignment system
WO2020242838A1 (en) * 2019-05-24 2020-12-03 Lam Research Corporation Electrochemical deposition system including optical probes
CN110158120B (zh) * 2019-05-28 2021-12-17 合肥铜冠电子铜箔有限公司 生箔机在线监测系统及其监测方法
CN110161306A (zh) * 2019-05-31 2019-08-23 苏州迅鹏仪器仪表有限公司 多回路安培小时总计量仪表和电镀控制系统及方法
IT201900013626A1 (it) 2019-08-01 2021-02-01 Fluid Metal 3D As Procedimento e sistema di elettroformatura localizzata da getti con retroazione ad anello chiuso in tempo reale
US10757261B1 (en) 2019-08-12 2020-08-25 Afiniti, Ltd. Techniques for pairing contacts and agents in a contact center system
US11445062B2 (en) 2019-08-26 2022-09-13 Afiniti, Ltd. Techniques for behavioral pairing in a task assignment system
RU2718773C1 (ru) * 2019-09-17 2020-04-14 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" Устройство для контролируемого получения пористых оксидов полупроводников in situ
US10757262B1 (en) 2019-09-19 2020-08-25 Afiniti, Ltd. Techniques for decisioning behavioral pairing in a task assignment system
WO2021158436A1 (en) 2020-02-03 2021-08-12 Afiniti, Ltd. Techniques for behavioral pairing in a task assignment system
CN115244513A (zh) 2020-02-04 2022-10-25 阿菲尼帝有限公司 用于在具有外部配对系统的任务分配系统中进行错误处置的技术
AU2021216947A1 (en) 2020-02-05 2022-09-22 Afiniti, Ltd. Techniques for sharing control of assigning tasks between an external pairing system and a task assignment system with an internal pairing system
WO2021158439A1 (en) 2020-02-05 2021-08-12 Afiniti, Ltd. Techniques for behavioral pairing in a task assignment system with an external pairing system
CN111323471A (zh) * 2020-02-25 2020-06-23 江苏寅昊智能装备有限公司 一种锡层厚度检测装置及检测方法
JP7135234B1 (ja) * 2022-04-22 2022-09-12 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP7233588B1 (ja) * 2022-05-10 2023-03-06 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP7373684B1 (ja) 2023-03-02 2023-11-02 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP7305075B1 (ja) 2023-03-17 2023-07-07 株式会社荏原製作所 めっき装置

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2689216A (en) * 1952-03-04 1954-09-14 American Brass Co Electrodeposition of copper
US3915834A (en) * 1974-04-01 1975-10-28 Kennecott Copper Corp Electrowinning cell having an anode with no more than one-half the active surface area of the cathode
US4279707A (en) * 1978-12-18 1981-07-21 International Business Machines Corporation Electroplating of nickel-iron alloys for uniformity of nickel/iron ratio using a low density plating current
US4267024A (en) * 1979-12-17 1981-05-12 Bethlehem Steel Corporation Electrolytic coating of strip on one side only
SU968104A2 (ru) 1981-02-18 1982-10-23 Белгородский Филиал Всероссийского Проектно-Конструкторского И Технологического Института "Россельхозтехпроект" Ячейка дл нанесени электролитических покрытий
US4399019A (en) 1981-07-21 1983-08-16 Imperial Clevite Inc. Ultra-high current density electroplating cell
US4534832A (en) * 1984-08-27 1985-08-13 Emtek, Inc. Arrangement and method for current density control in electroplating
JPS63109375A (ja) * 1986-10-28 1988-05-14 Takeo Oki 導電体接液面の電流密度測定装置
US4828654A (en) * 1988-03-23 1989-05-09 Protocad, Inc. Variable size segmented anode array for electroplating
US5041196A (en) * 1989-12-26 1991-08-20 Olin Corporation Electrochemical method for producing chlorine dioxide solutions
US5256274A (en) * 1990-08-01 1993-10-26 Jaime Poris Selective metal electrodeposition process
EP0560814B1 (en) * 1990-11-28 1995-07-05 MOLTECH Invent S.A. Electrode assemblies and multimonopolar cells for aluminium electrowinning
US5156730A (en) * 1991-06-25 1992-10-20 International Business Machines Electrode array and use thereof
JPH0688295A (ja) * 1992-04-22 1994-03-29 Nec Corp メッキ装置およびメッキ膜厚制御方法
JPH0625899A (ja) * 1992-07-10 1994-02-01 Nec Corp 電解メッキ装置
JP2943551B2 (ja) * 1993-02-10 1999-08-30 ヤマハ株式会社 メッキ方法及びその装置
JP3462970B2 (ja) * 1997-04-28 2003-11-05 三菱電機株式会社 メッキ処理装置およびメッキ処理方法
JPH1180989A (ja) * 1997-09-02 1999-03-26 Oki Electric Ind Co Ltd メッキ装置
US6187164B1 (en) * 1997-09-30 2001-02-13 Symyx Technologies, Inc. Method for creating and testing a combinatorial array employing individually addressable electrodes
US6179983B1 (en) 1997-11-13 2001-01-30 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for treating surface including virtual anode
US6126798A (en) * 1997-11-13 2000-10-03 Novellus Systems, Inc. Electroplating anode including membrane partition system and method of preventing passivation of same
US6391166B1 (en) 1998-02-12 2002-05-21 Acm Research, Inc. Plating apparatus and method
EP0991795B1 (en) * 1998-04-21 2006-02-22 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system and method of electroplating on substrates
JPH11323600A (ja) * 1998-05-13 1999-11-26 Chuo Seisakusho Ltd 積算電流計タイマー
US6074544A (en) * 1998-07-22 2000-06-13 Novellus Systems, Inc. Method of electroplating semiconductor wafer using variable currents and mass transfer to obtain uniform plated layer
US6103085A (en) * 1998-12-04 2000-08-15 Advanced Micro Devices, Inc. Electroplating uniformity by diffuser design
US6587118B1 (en) * 1999-03-31 2003-07-01 Sony Corporation Image displaying processing method, medium including an image displaying processing program stored thereon, and image displaying processing apparatus
US7160421B2 (en) * 1999-04-13 2007-01-09 Semitool, Inc. Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US6551483B1 (en) * 2000-02-29 2003-04-22 Novellus Systems, Inc. Method for potential controlled electroplating of fine patterns on semiconductor wafers
US6924641B1 (en) * 2000-05-19 2005-08-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring a metal layer during chemical mechanical polishing
US20050145499A1 (en) * 2000-06-05 2005-07-07 Applied Materials, Inc. Plating of a thin metal seed layer
US6793792B2 (en) * 2001-01-12 2004-09-21 Unitive International Limited Curaco Electroplating methods including maintaining a determined electroplating voltage and related systems
US6866763B2 (en) * 2001-01-17 2005-03-15 Asm Nutool. Inc. Method and system monitoring and controlling film thickness profile during plating and electroetching
US6627055B2 (en) * 2001-07-02 2003-09-30 Brush Wellman, Inc. Manufacture of fine-grained electroplating anodes
US6830673B2 (en) * 2002-01-04 2004-12-14 Applied Materials, Inc. Anode assembly and method of reducing sludge formation during electroplating
JP2003268598A (ja) * 2002-03-18 2003-09-25 Fujitsu Ltd めっき装置及びめっき方法
JP2004149872A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Renesas Technology Corp メッキ処理装置およびメッキ処理方法
WO2004072331A2 (en) * 2003-02-12 2004-08-26 Surfect Technologies, Inc. Apparatus and method for highly controlled electrodeposition
US20040192066A1 (en) * 2003-02-18 2004-09-30 Applied Materials, Inc. Method for immersing a substrate
US7279084B2 (en) * 2004-02-06 2007-10-09 Intel Corporation Apparatus having plating solution container with current applying anodes
US7368042B2 (en) * 2004-12-30 2008-05-06 United Microelectronics Corp. Electroplating apparatus including a real-time feedback system
US7837851B2 (en) * 2005-05-25 2010-11-23 Applied Materials, Inc. In-situ profile measurement in an electroplating process

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140147044A (ko) * 2013-06-18 2014-12-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전기-도금 프로세서의 자동 인­시츄 제어

Also Published As

Publication number Publication date
TWI370852B (en) 2012-08-21
EP1726690A2 (en) 2006-11-29
US7837851B2 (en) 2010-11-23
US20060266653A1 (en) 2006-11-30
TW200702497A (en) 2007-01-16
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US20110031112A1 (en) 2011-02-10

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