JP7135234B1 - めっき装置 - Google Patents
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Abstract
Description
て算出された前記めっき電流密度に基づいて、前記基板上に形成されるめっきの膜厚を算出するように構成された膜厚算出部をさらに備える。
図1は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図2は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図1、2に示すように、めっき装置1000は、ロードポート100、搬送ロボット110、アライナ120、プリウェットモジュール200、プリソークモジュール300、めっきモジュール400、洗浄モジュール500、スピンリンスドライヤ600、搬送装置700、および、制御モジュール800を備える。
。本実施形態では2台のプリウェットモジュール200が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール200の数および配置は任意である。
モジュール400は同一の構成であるので、1台のめっきモジュール400のみを説明する。図3は、第1実施形態におけるめっきモジュール400の構成を概略的に示す縦断面図である。めっきモジュール400は、めっき液を収容するためのめっき槽を備える。めっき槽は、上面が開口した円筒形の内槽412と、内槽412の上縁からオーバーフローしためっき液を溜められるように内槽412の周囲に設けられた図示しない外槽と、を含んで構成される。
470による検出電位との差が取得されることが好ましい。電位センサ470によって測定される電位の変化は非常に小さいものなので、ノイズの影響を受けやすい。ノイズを低減させるために、めっき液中に独立した電極を設置し、それを直接グラウンドに接続することが好ましい。
を与える構成要素が組み込まれる。そのような構成要素は、例えば、アノード430、アノードマスク426、メンブレン420、抵抗体450、基板Wf、基板Wf上に設けられたシード層、めっき槽に収容されためっき液、導管462、および電位センサ470を含む。めっきモジュール400の3Dモデルは、これらの各構成要素についての形状、配置、および物性値(例えば伝導率、誘電率等)の情報によって構成することができる。一例として、これらの情報は、めっき装置1000のオペレータによって、制御モジュール800の入出力インターフェースを介して制御モジュール800に入力されてよく、3Dモデル作成部802は、入力された情報に基づいて、めっきモジュール400の3Dモデルを作成するのであってよい。上記情報の一部、例えばいくつかの物性値は、制御モジュール800の記憶装置にあらかじめ記憶されていてもよく、オペレータがその中から適切な値を選択するのであってもよい。
図7は、別の実施形態によるめっきモジュール400Aの構成を概略的に示す縦断面図である。この実施形態では、基板Wfは鉛直に配置される。つまり基板Wfは、その板面が水平方向を向くように保持される。図7に示すように、めっきモジュール400Aは、
内部にめっき液を保持するめっき槽410Aと、めっき槽410A内に配置されたアノード430Aと、基板ホルダ440Aとを備えている。基板Wfは、角形基板、円形基板のいずれであってもよい。
範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
100 ロードポート
110 搬送ロボット
120 アライナ
200 プリウェットモジュール
300 プリソークモジュール
400 めっきモジュール
500 洗浄モジュール
600 スピンリンスドライヤ
700 搬送装置
800 制御モジュール
412 内槽
420 メンブレン
422 カソード領域
424 アノード領域
426 アノードマスク
430 アノード
440 基板ホルダ
442 昇降機構
448 回転機構
450 抵抗体
452 駆動機構
456 パドル
462 導管
464 開口端
468 充填機構
470 電位センサ
802 3Dモデル作成部
804 状態空間モデル
806 状態推定部
808 観測値算出部
810 カルマンフィルタ
812 電流密度算出部
814 膜厚算出部
816 終点判定部
62 外縁部
441 電気接点
90 電源
Claims (7)
- めっき液を収容するためのめっき槽と、
基板を保持するための基板ホルダと、
前記基板ホルダに保持された前記基板と対向するように前記めっき槽内に配置されたアノードと、
前記基板ホルダに保持された前記基板の近傍に配置され、前記めっき液の電位を測定するように構成された電位センサと、
前記電位センサによる前記めっき液の電位の測定値に基づいて、状態方程式および観測方程式を用いて前記基板の外縁部を流れる電流密度を推定するように構成された状態空間モデルであって、前記状態方程式は、前記基板の外縁部を流れる前記電流密度に関する時間発展を記述する方程式であり、前記観測方程式は、前記基板の外縁部を流れる前記電流密度と前記電位センサの位置における前記めっき液の電位との関係を記述する方程式である、状態空間モデルと、
を備えるめっき装置。 - 前記めっき槽、前記基板ホルダ、前記アノード、および前記電位センサを少なくとも含むめっきモジュールを備え、
前記電流密度と前記めっき液の電位との前記関係は、前記めっきモジュールの3Dモデルを表す関数に基づく、請求項1に記載のめっき装置。 - 前記状態空間モデルは、前記電位センサの前記測定値に基づいて、前記基板の外縁部を流れる前記電流密度の推定結果を補正するように構成されたカルマンフィルタをさらに備える、請求項1に記載のめっき装置。
- 前記状態空間モデルによって推定された電流密度に基づいて、前記めっき液から前記基板に流れ込むめっき電流密度を算出するように構成された電流密度算出部をさらに備える、請求項1に記載のめっき装置。
- 前記電流密度算出部によって算出された前記めっき電流密度に基づいて、前記基板上に形成されるめっきの膜厚を算出するように構成された膜厚算出部をさらに備える、請求項4に記載のめっき装置。
- 前記基板の前記外縁部は、前記基板の前記基板ホルダによって把持される部分である、請求項4に記載のめっき装置。
- 前記電流密度算出部により算出される前記めっき電流密度は、前記基板の前記外縁部よりも内側の領域における電流密度である、請求項6に記載のめっき装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7373684B1 (ja) | 2023-03-02 | 2023-11-02 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006328537A (ja) | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Applied Materials Inc | 電気メッキ処理におけるイン・シトゥープロファイル測定 |
JP2019210515A (ja) | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 株式会社荏原製作所 | めっき方法、めっき装置、及び限界電流密度を推定する方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4852333B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-01-11 | 株式会社荏原製作所 | 分極曲線測定方法及び電解処理装置 |
JP2008014699A (ja) | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Tokyo Institute Of Technology | 電解処理における膜厚測定方法及び膜厚測定装置 |
JP6621377B2 (ja) * | 2016-06-07 | 2019-12-18 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置、めっき方法、及び記録媒体 |
JP6756540B2 (ja) * | 2016-08-08 | 2020-09-16 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置、めっき装置の制御方法、及び、めっき装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体 |
KR102222776B1 (ko) * | 2017-01-24 | 2021-03-05 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금 장치, 도금 방법, 기판 홀더, 저항 측정 모듈, 및 기판 홀더를 검사하는 방법 |
JP6861610B2 (ja) * | 2017-11-07 | 2021-04-21 | 株式会社荏原製作所 | めっき解析方法、めっき解析システム、及びめっき解析のためのコンピュータプログラム |
JP7183111B2 (ja) * | 2019-05-17 | 2022-12-05 | 株式会社荏原製作所 | めっき方法、めっき用の不溶性アノード、及びめっき装置 |
US20230193501A1 (en) * | 2021-03-10 | 2023-06-22 | Ebara Corporation | Plating apparatus and plating method |
-
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006328537A (ja) | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Applied Materials Inc | 電気メッキ処理におけるイン・シトゥープロファイル測定 |
JP2019210515A (ja) | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 株式会社荏原製作所 | めっき方法、めっき装置、及び限界電流密度を推定する方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7373684B1 (ja) | 2023-03-02 | 2023-11-02 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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