JP2943551B2 - メッキ方法及びその装置 - Google Patents
メッキ方法及びその装置Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属イオンの補充に好
適なメッキ方法及びその装置に関する。
適なメッキ方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のメッキ装置を図５に示す。まず、
この図に示す陽極１６として可溶性陽極を使用した場合
について説明する。メッキ槽１にはメッキ液１ａが満た
されており、このメッキ液１ａには陰極１５及び陽極１
６が入っている。この陰極１５及び陽極１６は、整流器
１２に接続されている。
この図に示す陽極１６として可溶性陽極を使用した場合
について説明する。メッキ槽１にはメッキ液１ａが満た
されており、このメッキ液１ａには陰極１５及び陽極１
６が入っている。この陰極１５及び陽極１６は、整流器
１２に接続されている。
【０００３】このような構成において、整流器１２を介
した通電が行われる陽極１６においては、 Ｍ → Ｍ+ ＋ ｅ- ……（１） なる反応が起こり、メッキ液１ａ中に金属イオンが溶出
する。一方、陰極１５においては、 Ｍ+ ＋ ｅ- → Ｍ ……（２） なる反応が起こり、上記化学式（１）によって示される
電解反応によって溶出した金属イオンが金属皮膜として
陰極１５に析出する。このように電解反応によって溶出
した金属イオンがそのまま金属皮膜として陰極１５に析
出するため、メッキ液１ａ中の金属イオン濃度は理論的
には変化しない状態になっている。
した通電が行われる陽極１６においては、 Ｍ → Ｍ+ ＋ ｅ- ……（１） なる反応が起こり、メッキ液１ａ中に金属イオンが溶出
する。一方、陰極１５においては、 Ｍ+ ＋ ｅ- → Ｍ ……（２） なる反応が起こり、上記化学式（１）によって示される
電解反応によって溶出した金属イオンが金属皮膜として
陰極１５に析出する。このように電解反応によって溶出
した金属イオンがそのまま金属皮膜として陰極１５に析
出するため、メッキ液１ａ中の金属イオン濃度は理論的
には変化しない状態になっている。
【０００４】次に、陽極１６として不溶性陽極を使用し
た場合について説明する。不溶性陽極を使用した場合、
整流器１２を介した通電が行われる陽極１６において
は、 ２ＯＨ- → Ｈ2Ｏ ＋ １／２Ｏ2 ＋ ２ｅ- ……（３） なる反応が起こり、電子が分離されるとともに酸素が発
生する。
た場合について説明する。不溶性陽極を使用した場合、
整流器１２を介した通電が行われる陽極１６において
は、 ２ＯＨ- → Ｈ2Ｏ ＋ １／２Ｏ2 ＋ ２ｅ- ……（３） なる反応が起こり、電子が分離されるとともに酸素が発
生する。
【０００５】一方、陰極１５においては、 Ｍ+ ＋ ｅ- → Ｍ ……（４） なる反応が起こり、上記化学式（３）によって示される
反応によって溶出した陰イオンが化学式（４）によって
示される反応によりメッキ液１ａ中に含まれている金属
イオンと結合し、金属皮膜として析出する。したがっ
て、メッキ液１ａ中の金属イオン濃度はメッキ析出量分
だけ減少する。この場合、金属イオン濃度がメッキ析出
量分だけ減少するため、メッキ液の管理を行い、金属イ
オンの補充をする必要がある。
反応によって溶出した陰イオンが化学式（４）によって
示される反応によりメッキ液１ａ中に含まれている金属
イオンと結合し、金属皮膜として析出する。したがっ
て、メッキ液１ａ中の金属イオン濃度はメッキ析出量分
だけ減少する。この場合、金属イオン濃度がメッキ析出
量分だけ減少するため、メッキ液の管理を行い、金属イ
オンの補充をする必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに、陽極１６として可溶性陽極を使用した場合には、
陽極１６が金属イオンを溶出する時のスラッジ（カス）
が陰極１５に付着し、メッキの品質が低下し、被メッキ
物の不良の原因となるという問題点があった。また、陽
極１６として不溶性陽極を使用した場合には、メッキ液
１ａ中の金属イオン濃度がメッキ析出量分だけ低下す
る。そのため、金属イオンの補充が必要になるという問
題点があった。このように、従来の装置においてはメッ
キ装置及びメッキ液の管理を円滑に行うことが十分にで
きなかった。
うに、陽極１６として可溶性陽極を使用した場合には、
陽極１６が金属イオンを溶出する時のスラッジ（カス）
が陰極１５に付着し、メッキの品質が低下し、被メッキ
物の不良の原因となるという問題点があった。また、陽
極１６として不溶性陽極を使用した場合には、メッキ液
１ａ中の金属イオン濃度がメッキ析出量分だけ低下す
る。そのため、金属イオンの補充が必要になるという問
題点があった。このように、従来の装置においてはメッ
キ装置及びメッキ液の管理を円滑に行うことが十分にで
きなかった。
【０００７】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、メッキ装置及びメッキ液の管理を円滑に
行うことができるメッキ方法及びその装置を提供するこ
とを目的とする。
たものであり、メッキ装置及びメッキ液の管理を円滑に
行うことができるメッキ方法及びその装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１に記載の発明にあっては、金属イオンを含ん
だメッキ液によって満たされたメッキ槽中で、還元反応
を行わせることにより、前記金属イオンを金属皮膜とし
て当該メッキ液に浸された被メッキ物に積層させるメッ
キ方法において、メッキを行う場合と当該メッキにより
消費された金属イオンを補充する場合とを選択する工程
を備え、メッキを行う場合には、可溶性陽極に通電する
ことなく被メッキ物と不溶性陽極との間で通電を行い、
当該メッキにより消費された金属イオンを補充する場合
には、被メッキ物に通電することなく前記不溶性陽極
と、可溶性陽極との間で可溶性陽極を陽極として通電を
行うことを選択的に動作することを特徴とする。
に請求項１に記載の発明にあっては、金属イオンを含ん
だメッキ液によって満たされたメッキ槽中で、還元反応
を行わせることにより、前記金属イオンを金属皮膜とし
て当該メッキ液に浸された被メッキ物に積層させるメッ
キ方法において、メッキを行う場合と当該メッキにより
消費された金属イオンを補充する場合とを選択する工程
を備え、メッキを行う場合には、可溶性陽極に通電する
ことなく被メッキ物と不溶性陽極との間で通電を行い、
当該メッキにより消費された金属イオンを補充する場合
には、被メッキ物に通電することなく前記不溶性陽極
と、可溶性陽極との間で可溶性陽極を陽極として通電を
行うことを選択的に動作することを特徴とする。
【０００９】また、請求項２に記載の発明にあっては、
金属イオンを含んだメッキ液によって満たされたメッキ
槽中で、還元反応を行わせることにより、前記金属イオ
ンを金属皮膜として当該メッキ液に浸された被メッキ物
に積層させるメッキ装置において、前記メッキ槽内に不
溶性陽極が配設されるとともに、メッキ液の流通経路内
に可溶性陽極を配設し、これらの二つの陽極を選択的に
機能するように選択する第１の選択手段と、被メッキ物
に対して通電の可否を選択可能にする第２の選択手段
と、２つの陽極および被メッキ物のうちの２つが電極と
して機能するように通電する手段とを有し、被メッキ物
に対して不溶性陽極を用いてメッキを行う際には可溶性
陽極に対して通電を行わないように前記第１の選択手段
が機能し、前記不溶性陽極に金属イオンを補充する際に
は被メッキ物に対して通電を行わないように前記第２の
選択手段が機能することを特徴とする。
金属イオンを含んだメッキ液によって満たされたメッキ
槽中で、還元反応を行わせることにより、前記金属イオ
ンを金属皮膜として当該メッキ液に浸された被メッキ物
に積層させるメッキ装置において、前記メッキ槽内に不
溶性陽極が配設されるとともに、メッキ液の流通経路内
に可溶性陽極を配設し、これらの二つの陽極を選択的に
機能するように選択する第１の選択手段と、被メッキ物
に対して通電の可否を選択可能にする第２の選択手段
と、２つの陽極および被メッキ物のうちの２つが電極と
して機能するように通電する手段とを有し、被メッキ物
に対して不溶性陽極を用いてメッキを行う際には可溶性
陽極に対して通電を行わないように前記第１の選択手段
が機能し、前記不溶性陽極に金属イオンを補充する際に
は被メッキ物に対して通電を行わないように前記第２の
選択手段が機能することを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記構成をとったため、請求項１に記載の方法
にあっては、被メッキ物と不溶性陽極との間で通電を行
うと当該被メッキ物に対してメッキが行われ、当該不溶
性陽極と可溶性陽極との間で通電を行うと前記メッキに
より消費された金属イオンが補充される。また、メッキ
を行う場合と、当該メッキにより消費された金属イオン
を補充する場合とを選択する工程を備えているため、金
属イオン濃度を所望の値に設定することができる。
にあっては、被メッキ物と不溶性陽極との間で通電を行
うと当該被メッキ物に対してメッキが行われ、当該不溶
性陽極と可溶性陽極との間で通電を行うと前記メッキに
より消費された金属イオンが補充される。また、メッキ
を行う場合と、当該メッキにより消費された金属イオン
を補充する場合とを選択する工程を備えているため、金
属イオン濃度を所望の値に設定することができる。
【００１１】請求項２に記載の発明にあっては、メッキ
槽内に可溶性陽極及び不溶性陽極とが配設されているた
め、可溶性陽極と不溶性陽極との間で通電することによ
り、メッキ槽の金属イオンの消費及び当該可溶性陽極に
よる金属イオンの補充が円滑に行われる。また、メッキ
槽内に可溶性陽極及び不溶性陽極を、選択的に機能する
ように選択する第１の選択手段と、被メッキ物に対して
通電の可否を選択可能にする第２の選択手段と、２つの
陽極および被メッキ物のうちの２つが電極として機能す
るように通電する手段とを有する装置であるので、金属
イオン濃度を所望の値に設定することができる。さら
に、被メッキ物に対して不溶性陽極を用いてメッキを行
う際には可溶性陽極に対して通電を行わないようにする
とともに、前記不溶性陽極に金属イオンを補充する際に
は被メッキ物に対して通電を行わないようにすること
で、被メッキ物へのメッキの際に可溶性陽極からの金属
イオンの溶出を防ぎ、電解分布の不安定化を避けること
ができ、金属イオンの補充時に被メッキ物に対する通電
を行わないようにし、金属イオン補充時に、被メッキ物
に対するメッキを行わないようにすることで、不安定な
電解分布の状況での被メッキ物に対するメッキを防ぐこ
とができるため、安定した電解分布でメッキを行なうこ
とができ、被メッキ物に対する所望のメッキ品質を得る
ことができる。
槽内に可溶性陽極及び不溶性陽極とが配設されているた
め、可溶性陽極と不溶性陽極との間で通電することによ
り、メッキ槽の金属イオンの消費及び当該可溶性陽極に
よる金属イオンの補充が円滑に行われる。また、メッキ
槽内に可溶性陽極及び不溶性陽極を、選択的に機能する
ように選択する第１の選択手段と、被メッキ物に対して
通電の可否を選択可能にする第２の選択手段と、２つの
陽極および被メッキ物のうちの２つが電極として機能す
るように通電する手段とを有する装置であるので、金属
イオン濃度を所望の値に設定することができる。さら
に、被メッキ物に対して不溶性陽極を用いてメッキを行
う際には可溶性陽極に対して通電を行わないようにする
とともに、前記不溶性陽極に金属イオンを補充する際に
は被メッキ物に対して通電を行わないようにすること
で、被メッキ物へのメッキの際に可溶性陽極からの金属
イオンの溶出を防ぎ、電解分布の不安定化を避けること
ができ、金属イオンの補充時に被メッキ物に対する通電
を行わないようにし、金属イオン補充時に、被メッキ物
に対するメッキを行わないようにすることで、不安定な
電解分布の状況での被メッキ物に対するメッキを防ぐこ
とができるため、安定した電解分布でメッキを行なうこ
とができ、被メッキ物に対する所望のメッキ品質を得る
ことができる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。 Ａ：実施例の構成 図１はこの発明の一実施例によるメッキ装置の構成を示
す図である。この図においてメッキ槽１は、金属イオン
が溶出したメッキ液１ａで満たされている。４はメッキ
が施されるワーク（被メッキ物）である。
て説明する。 Ａ：実施例の構成 図１はこの発明の一実施例によるメッキ装置の構成を示
す図である。この図においてメッキ槽１は、金属イオン
が溶出したメッキ液１ａで満たされている。４はメッキ
が施されるワーク（被メッキ物）である。
【００１３】このワーク４の一端部が配線５によって端
子７に接続されている。このワーク４にメッキを行う場
合には、この端子７がスイッチ１０ａによって端子１０
と接続される。この端子１０は整流器１２のマイナス端
子１３と予め接続されているため、端子７と端子１０が
スイッチ１０ａによって接続されることによりワーク４
とマイナス端子１３とが接続される。
子７に接続されている。このワーク４にメッキを行う場
合には、この端子７がスイッチ１０ａによって端子１０
と接続される。この端子１０は整流器１２のマイナス端
子１３と予め接続されているため、端子７と端子１０が
スイッチ１０ａによって接続されることによりワーク４
とマイナス端子１３とが接続される。
【００１４】３は不溶性陽極であり、白金もしくはチタ
ン上に白金を施したものから形成されており、ワーク４
の下方に配置されている。この不溶性陽極３が配置され
る位置やその形状はワーク４へのメッキ金属皮膜の皮膜
分布に対して影響を与えるため、ワーク４の位置やその
形状については所定の精度が保たれるようになってい
る。この不溶性陽極３は配線６によって端子８に接続さ
れている。
ン上に白金を施したものから形成されており、ワーク４
の下方に配置されている。この不溶性陽極３が配置され
る位置やその形状はワーク４へのメッキ金属皮膜の皮膜
分布に対して影響を与えるため、ワーク４の位置やその
形状については所定の精度が保たれるようになってい
る。この不溶性陽極３は配線６によって端子８に接続さ
れている。
【００１５】２ａは導電性のチタン製の網である。この
チタン製の網２ａの中は、メッキ処理によってワーク４
の表面へ析出する金属と同一の材料によって形成された
金属からなる粒状体（例えば、ハンダボール）２ｂが充
填されている。この粒状体２ｂとチタン製の網２ａとが
可溶性陽極２を構成する。チタン製の網２ａは粒状体２
ｂ各々に電流を流すようにするための導電体である。こ
の可溶性陽極２は、布等からなり、フィルタとして機能
するアノードバック２ｃに覆われている。このようにア
ノードバッグ２ｃによって可溶性陽極２を覆うことによ
り、この可溶性陽極２の溶出によって発生する金属のカ
スがメッキ液１ａの中に浮遊したり、ワーク４に付着し
ないようにしている。また、チタン製の網２ａは配線６
ａによって端子９に接続されている。メッキ液１ａ中に
金属イオンを補充する場合には、端子９はスイッチ１１
ａによって端子１１に接続される。
チタン製の網２ａの中は、メッキ処理によってワーク４
の表面へ析出する金属と同一の材料によって形成された
金属からなる粒状体（例えば、ハンダボール）２ｂが充
填されている。この粒状体２ｂとチタン製の網２ａとが
可溶性陽極２を構成する。チタン製の網２ａは粒状体２
ｂ各々に電流を流すようにするための導電体である。こ
の可溶性陽極２は、布等からなり、フィルタとして機能
するアノードバック２ｃに覆われている。このようにア
ノードバッグ２ｃによって可溶性陽極２を覆うことによ
り、この可溶性陽極２の溶出によって発生する金属のカ
スがメッキ液１ａの中に浮遊したり、ワーク４に付着し
ないようにしている。また、チタン製の網２ａは配線６
ａによって端子９に接続されている。メッキ液１ａ中に
金属イオンを補充する場合には、端子９はスイッチ１１
ａによって端子１１に接続される。
【００１６】Ｂ：実施例の動作 次に、図１乃至図３を参照して本実施例の動作を説明す
る。 ＜ワーク４にメッキを行う場合＞ まず、図１に示す端子７にスイッチ１０ａを接続する。
これにより、ワーク４とマイナス端子１３とが接続され
る。また、図１における端子８とスイッチ１１ａとを接
続する。これにより不溶性陽極３とプラス端子１４とが
接続される。このように接続した略図を図２に示す。な
お、この図２において、図１に示す符号７から符号１１
等で示す部分、アノードバッグ２ｃ及び粒状体２ｂ等の
可溶性陽極２の細部は図示を省略してある。
る。 ＜ワーク４にメッキを行う場合＞ まず、図１に示す端子７にスイッチ１０ａを接続する。
これにより、ワーク４とマイナス端子１３とが接続され
る。また、図１における端子８とスイッチ１１ａとを接
続する。これにより不溶性陽極３とプラス端子１４とが
接続される。このように接続した略図を図２に示す。な
お、この図２において、図１に示す符号７から符号１１
等で示す部分、アノードバッグ２ｃ及び粒状体２ｂ等の
可溶性陽極２の細部は図示を省略してある。
【００１７】このようにして、ワーク４及びマイナス端
子１３を接続した後、整流器１２に電流を供給する。こ
れにより図中矢印ｖ１で示す方向に電流が流れ、メッキ
液１ａの中では電解反応が起こる。この電解反応によっ
て、メッキ液１ａ中に溶出している金属イオンが還元さ
れ、ワーク４の表面に金属皮膜として析出する。なお、
メッキ液１ａに溶出している金属イオンの濃度は略均一
である。また、破線４ｂで示す部分は析出した金属被膜
である。
子１３を接続した後、整流器１２に電流を供給する。こ
れにより図中矢印ｖ１で示す方向に電流が流れ、メッキ
液１ａの中では電解反応が起こる。この電解反応によっ
て、メッキ液１ａ中に溶出している金属イオンが還元さ
れ、ワーク４の表面に金属皮膜として析出する。なお、
メッキ液１ａに溶出している金属イオンの濃度は略均一
である。また、破線４ｂで示す部分は析出した金属被膜
である。
【００１８】一方、このようにしてワーク４に金属が金
属皮膜として析出することによりメッキ液１ａ中に含ま
れる金属イオンが消費されると、メッキ液１ａ中ではワ
ーク４に析出した金属の量に相当する量の金属イオンが
減少している。そのため、メッキ液１ａの金属イオン濃
度が低くなっている。
属皮膜として析出することによりメッキ液１ａ中に含ま
れる金属イオンが消費されると、メッキ液１ａ中ではワ
ーク４に析出した金属の量に相当する量の金属イオンが
減少している。そのため、メッキ液１ａの金属イオン濃
度が低くなっている。
【００１９】 ＜メッキ液１ａに金属イオンを補充する場合＞ まず、図１における端子８にスイッチ１０ａを接続す
る。これにより不溶性陽極３とマイナス端子１３とが接
続される。また、図１における端子９にスイッチ１１ａ
を接続する。これにより、可溶性陽極２（より厳密には
チタン製の網２ａ）とプラス端子１４とが接続される。
このように接続した略図を図３に示す。なお、この図３
において、図１に示す符号７から符号１１等で示す部
分、アノードバッグ２ｃおよび粒状体２ｂ等の可溶性陽
極２の細部は図示を省略してある。
る。これにより不溶性陽極３とマイナス端子１３とが接
続される。また、図１における端子９にスイッチ１１ａ
を接続する。これにより、可溶性陽極２（より厳密には
チタン製の網２ａ）とプラス端子１４とが接続される。
このように接続した略図を図３に示す。なお、この図３
において、図１に示す符号７から符号１１等で示す部
分、アノードバッグ２ｃおよび粒状体２ｂ等の可溶性陽
極２の細部は図示を省略してある。
【００２０】このようにして、可溶性陽極２及びマイナ
ス端子１３を接続した後、整流器１２に電流を供給す
る。これにより図中矢印ｖ２で示す方向に電流が流れ、
メッキ液１ａの中では電解反応が起こる。この電解反応
によって、可溶性陽極２ａでは酸化反応が起こり、金属
が陽イオンとなってメッキ液１ａ中へ溶出する。このた
め上述のようなワーク４へのメッキ処理によって消費さ
れた金属イオンが補充される。
ス端子１３を接続した後、整流器１２に電流を供給す
る。これにより図中矢印ｖ２で示す方向に電流が流れ、
メッキ液１ａの中では電解反応が起こる。この電解反応
によって、可溶性陽極２ａでは酸化反応が起こり、金属
が陽イオンとなってメッキ液１ａ中へ溶出する。このた
め上述のようなワーク４へのメッキ処理によって消費さ
れた金属イオンが補充される。
【００２１】一方、不溶性陽極３では、還元反応が起こ
り、メッキ液１ａ中へ溶出した陽イオンとほぼ同量の金
属が金属皮膜として析出する。この場合において、ワー
ク４にメッキを施した場合と同一の電荷量（電流×時
間）を流せば、メッキ処理によって消費された金属イオ
ンとほぼ同量の金属イオンを補充することができる。な
お、本実施例においては整流器を使用したが、この整流
器に代えて直流電源を使用して通電するようにしても良
い。
り、メッキ液１ａ中へ溶出した陽イオンとほぼ同量の金
属が金属皮膜として析出する。この場合において、ワー
ク４にメッキを施した場合と同一の電荷量（電流×時
間）を流せば、メッキ処理によって消費された金属イオ
ンとほぼ同量の金属イオンを補充することができる。な
お、本実施例においては整流器を使用したが、この整流
器に代えて直流電源を使用して通電するようにしても良
い。
【００２２】Ｃ：本実施例の効果 このように、ワーク４にメッキを行う場合には、端子７
にスイッチ１０ａを接続するとともに、端子８にスイッ
チ１１ａを接続し、メッキ液１ａに金属イオンを補充す
る場合には端子８にスイッチ１０ａを接続するととも
に、端子９にスイッチ１１ａを接続し、所定量の電流を
一定時間流すという簡単、かつ、負担が少ない操作によ
ってメッキ処理及び金属イオンの補充ができるため、メ
ッキ装置及びメッキ液１ａの管理を円滑に行うことが可
能になる。また、アノードバッグ２ｃによって可溶性陽
極２を覆ったため、金属のカスがメッキ液１ａ中に溶出
することがなく、ワーク４に対するメッキの品質を向上
させることができる。さらに、可溶性陽極２および不溶
性陽極３の配置位置や形状を自由に設定することができ
るため、様々な形状のワーク４に対応しうるメッキ方法
および装置として応用することができる。
にスイッチ１０ａを接続するとともに、端子８にスイッ
チ１１ａを接続し、メッキ液１ａに金属イオンを補充す
る場合には端子８にスイッチ１０ａを接続するととも
に、端子９にスイッチ１１ａを接続し、所定量の電流を
一定時間流すという簡単、かつ、負担が少ない操作によ
ってメッキ処理及び金属イオンの補充ができるため、メ
ッキ装置及びメッキ液１ａの管理を円滑に行うことが可
能になる。また、アノードバッグ２ｃによって可溶性陽
極２を覆ったため、金属のカスがメッキ液１ａ中に溶出
することがなく、ワーク４に対するメッキの品質を向上
させることができる。さらに、可溶性陽極２および不溶
性陽極３の配置位置や形状を自由に設定することができ
るため、様々な形状のワーク４に対応しうるメッキ方法
および装置として応用することができる。
【００２３】Ｄ：他の実施例 図４に本発明の他の実施例の構成を説明する。この図４
に示すメッキ装置は、メッキ槽１とは別にメッキタンク
２０を有し、メッキタンク２０内のメッキ液をポンプ２
１により汲み上げフィルタ２３を介してメッキ槽１へ送
り、メッキ槽１内のメッキ液をポンプ２２によりメッキ
タンク２０へ戻すようにしたものである。また、このメ
ッキ装置において、可溶性陽極２はメッキ槽１内ではな
くメッキタンク２０内に配置される。また、上述の図１
に示す装置においては、アノードバック２ｃにより可溶
性陽極２を覆っていたが、この装置においてはアノード
バック２ｃを使用しない。フィルタ２３がアノードバッ
ク２ｃに代って金属のカスを除去するからである。可溶
性陽極２、不溶性陽極３およびワーク４の各々と、整流
器１２との配線のための構成は既に述べた図１に示す構
成と同様である。
に示すメッキ装置は、メッキ槽１とは別にメッキタンク
２０を有し、メッキタンク２０内のメッキ液をポンプ２
１により汲み上げフィルタ２３を介してメッキ槽１へ送
り、メッキ槽１内のメッキ液をポンプ２２によりメッキ
タンク２０へ戻すようにしたものである。また、このメ
ッキ装置において、可溶性陽極２はメッキ槽１内ではな
くメッキタンク２０内に配置される。また、上述の図１
に示す装置においては、アノードバック２ｃにより可溶
性陽極２を覆っていたが、この装置においてはアノード
バック２ｃを使用しない。フィルタ２３がアノードバッ
ク２ｃに代って金属のカスを除去するからである。可溶
性陽極２、不溶性陽極３およびワーク４の各々と、整流
器１２との配線のための構成は既に述べた図１に示す構
成と同様である。
【００２４】一般的にワークに対するメッキ層の付着の
度合いはメッキ槽内の電界分布に左右されるが、溶性電
極を使用したメッキの場合、電極の溶出に伴ってメッキ
槽内の電界分布が不安定になる。特にポンプによりメッ
キ液を循環させると共に通常のメッキ（例えば図５に示
されるメッキ装置によるメッキ）の場合の１０倍以上の
電流を通電してメッキを行う高速メッキにおいては、所
望のメッキ品質を得るために通常のメッキ以上にメッキ
槽内における電界分布の安定化を図る必要がある。しか
しながら、図４に示すメッキ装置においては、可溶性電
極２をワーク４および不溶性陽極３の配置されるメッキ
槽１とは別のメッキタンク２０内に配置したためワーク
４の周囲の電界分布の安定性が良く、加えてポンプ２１
および２２によりメッキ液の循環が高速に進められるの
で、メッキ処理の速度と保守性を共に向上させることが
できる。
度合いはメッキ槽内の電界分布に左右されるが、溶性電
極を使用したメッキの場合、電極の溶出に伴ってメッキ
槽内の電界分布が不安定になる。特にポンプによりメッ
キ液を循環させると共に通常のメッキ（例えば図５に示
されるメッキ装置によるメッキ）の場合の１０倍以上の
電流を通電してメッキを行う高速メッキにおいては、所
望のメッキ品質を得るために通常のメッキ以上にメッキ
槽内における電界分布の安定化を図る必要がある。しか
しながら、図４に示すメッキ装置においては、可溶性電
極２をワーク４および不溶性陽極３の配置されるメッキ
槽１とは別のメッキタンク２０内に配置したためワーク
４の周囲の電界分布の安定性が良く、加えてポンプ２１
および２２によりメッキ液の循環が高速に進められるの
で、メッキ処理の速度と保守性を共に向上させることが
できる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、メッキ槽内に可溶性陽極及び不溶性陽極とを配設し
たため、メッキ装置及びメッキ液の管理を円滑に行うこ
とができるという効果がある。
ば、メッキ槽内に可溶性陽極及び不溶性陽極とを配設し
たため、メッキ装置及びメッキ液の管理を円滑に行うこ
とができるという効果がある。
【図１】 この発明の一実施例によるメッキ装置の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】 この発明の一実施例によるメッキ装置の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 この発明の一実施例によるメッキ装置の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図４】 この発明の他の実施例によるメッキ装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図５】 従来のメッキ装置の構成を示す図である。
１……メッキ槽（メッキ槽）、２……可溶性陽極、３…
…不溶性陽極、４……ワーク。
…不溶性陽極、４……ワーク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C25D 21/14 C25D 5/00 101
Claims (2)
- 【請求項１】 金属イオンを含んだメッキ液によって満
たされたメッキ槽中で、還元反応を行わせることによ
り、前記金属イオンを金属皮膜として当該メッキ液に浸
された被メッキ物に積層させるメッキ方法において、 メッキを行う場合と当該メッキにより消費された金属イ
オンを補充する場合とを選択する工程を備え、 メッキを行う場合には、可溶性陽極に通電することなく
被メッキ物と不溶性陽極との間で通電を行い、 当該メッキにより消費された金属イオンを補充する場合
には、被メッキ物に通電することなく前記不溶性陽極
と、可溶性陽極との間で可溶性陽極を陽極として通電を
行うことを選択的に動作することを特徴とするメッキ方
法。 - 【請求項２】 金属イオンを含んだメッキ液によって満
たされたメッキ槽中で、還元反応を行わせることによ
り、前記金属イオンを金属皮膜として当該メッキ液に浸
された被メッキ物に積層させるメッキ装置において、 前記メッキ槽内に不溶性陽極が配設されるとともに、メ
ッキ液の流通経路内に可溶性陽極を配設し、これらの二
つの陽極を選択的に機能するように選択する第１の選択
手段と、被メッキ物に対して通電の可否を選択可能にする第２の
選択手段と、 ２つの陽極および被メッキ物のうちの２つが電極として
機能するように通電する手段とを有し、 被メッキ物に対して不溶性陽極を用いてメッキを行う際
には可溶性陽極に対して通電を行わないように前記第１
の選択手段が機能し、前記不溶性陽極に金属イオンを補
充する際には被メッキ物に対して通電を行わないように
前記第２の選択手段が機能する ことを特徴とするメッキ
装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5023046A JP2943551B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | メッキ方法及びその装置 |
| US08/192,425 US5441620A (en) | 1993-02-10 | 1994-02-07 | Electroplating apparatus |
| US08/372,552 US5498325A (en) | 1993-02-10 | 1995-01-13 | Method of electroplating |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5023046A JP2943551B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | メッキ方法及びその装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06235098A JPH06235098A (ja) | 1994-08-23 |
| JP2943551B2 true JP2943551B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=12099514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5023046A Expired - Fee Related JP2943551B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | メッキ方法及びその装置 |
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| US8475636B2 (en) | 2008-11-07 | 2013-07-02 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for electroplating |
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| US6527920B1 (en) | 2000-05-10 | 2003-03-04 | Novellus Systems, Inc. | Copper electroplating apparatus |
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| US8513124B1 (en) | 2008-03-06 | 2013-08-20 | Novellus Systems, Inc. | Copper electroplating process for uniform across wafer deposition and void free filling on semi-noble metal coated wafers |
| US8703615B1 (en) | 2008-03-06 | 2014-04-22 | Novellus Systems, Inc. | Copper electroplating process for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers |
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1994
- 1994-02-07 US US08/192,425 patent/US5441620A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-01-13 US US08/372,552 patent/US5498325A/en not_active Expired - Lifetime
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