JP2003268598A

JP2003268598A - めっき装置及びめっき方法

Info

Publication number: JP2003268598A
Application number: JP2002074748A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Fukuda; 裕幸福田; Kazuaki Karasawa; 一明柄沢
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2002-03-18
Filing date: 2002-03-18
Publication date: 2003-09-25

Abstract

(57)【要約】【課題】めっき装置及びめっき方法に関し、電子部
品、特に、半導体装置を製造するプロセスで実施される
めっきに於ける条件をリアルタイムで最適化できるよう
にし、工程の短縮や信頼性の向上に寄与しようとする。【解決手段】支持基板上で複数に分割されて相互に絶
縁状態にあると共に独立にめっき電流を流し得る略同面
積の導電部１４Ａ及び１４Ｂが形成されてなる電流分布
計測板を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品、特に半
導体装置の製造プロセスで用いて好適なめっき装置及び
めっき方法に関する。

【０００２】現在、半導体装置に於ける電極・配線を製
造する為のダマシン・プロセス、或いは、磁気ヘッドの
製造プロセスなどで成膜を必要とする場合、めっき法が
多用されつつある。

【０００３】めっき法は、他の成膜法、例えばスパッタ
リング法やＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などと比較して製造設備が安価
であって、コスト面での利点が大きいのであるが、膜厚
の均一化や組成の均一化の面では、これまでの経験で得
られたノウハウに基づくことが多く、安定した品質を実
現するには、めっき液の管理、めっき装置の最適化な
ど、条件の設定に種々と問題がある。

【０００４】一般に、電解めっき法に依る成膜では、カ
ソードに於ける電流密度分布の不均一に起因してめっき
膜厚のばらつきが大きくなるので、様々な手段を採って
電流密度分布の均一化を図っている。

【０００５】図５は電流密度分布の不均一を説明する為
のめっき装置を表す要部切断側面図であり、図に於い
て、１はめっき槽、２は電源、３はアノード、４はカソ
ード、５はめっき液をそれぞれ示していて、電流密度分
布不均一の大きな原因は、図示されているように、カソ
ード４の外周部に電気力線が集中することにある。

【０００６】図６は図５について説明しためっき装置の
欠点を是正しためっき装置を表す要部切断側面図であ
り、図５に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか
或いは同じ意味を持つものとする。

【０００７】このめっき装置に於いては、アノード３と
カソード４との間に遮蔽板６を挿設することに依ってカ
ソード４近傍に於ける電流密度分布の均一化を図った例
であり、この場合、電流密度分布が最も均一になるよう
に遮蔽板６に於ける開口の形状（通常は円形）や開口の
寸法を最適化している。

【０００８】図７は補助カソードを用いためっき装置を
表す要部切断側面図であり、図５に於いて用いた記号と
同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとす
る。

【０００９】このめっき装置に於いては、カソード４の
近傍に電流密度分布を均一化する為の補助カソード４Ａ
を設けて補助カソード用電源２Ａを接続した例であり、
この場合、カソード４近傍に於ける電流密度分布が最も
均一になるように補助カソード用電源２Ａから補助カソ
ード４Ａに流す電流の最適化調整を行う。

【００１０】前記各例では、説明した諸調整の他にめっ
き液の流量、攪拌状態、液温などのめっき条件の調整や
めっき液自体の調整が必要になる場合もある。

【００１１】図６について説明した手段を採る場合、遮
蔽板６としては、電流密度分布を均一にする為、開口径
を最適化することが必要となるのであるが、その際、カ
ソード４である例えば半導体ウエハ１枚について実際に
めっきを行い、膜厚の分布を確認し、次いで、その結果
に基づいて遮蔽板６の開口径を調整し、更に２枚目のめ
っきを行い、膜厚の分布を確認する旨の作業を繰り返す
ことになる。

【００１２】図７について説明した手段を採る場合、補
助カソード４Ａに所定値の電流を流して実際にめっきを
行い、膜厚の分布を確認し、次いで、その結果に基づい
て補助カソード４Ａに流す電流の値を調整し、更に２枚
目のめっきを行い、膜厚の分布を確認する旨の作業を繰
り返すことになる。

【００１３】また、遮蔽板６の開口径の調整や補助カソ
ード４Ａに流す電流の値の調整に加え、前記したように
めっき液の流量、攪拌状態、液温などのめっき条件の調
整やめっき液自体の調整など多数のパラメータに対して
実際にめっきを行って膜厚の測定を行う作業を繰り返さ
なくてはならない。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明では、電子部
品、特に、半導体装置を製造するプロセスで実施される
めっきに於ける条件をリアルタイムで最適化できるよう
にし、工程の短縮や信頼性の向上に寄与しようとする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明に依るめっき装置
及びめっき方法に於いては、支持基板上に複数に分割さ
れて電気的に絶縁されてなると共に面積が予め既知であ
る通電部が形成され且つ該各通電部に電流検知器が接続
される電流分布計測板を用いることが基本になってい
る。

【００１６】前記手段を採ることに依り、従来の技術に
於けるめっき条件知得のルーチン、即ち、めっき条件の
設定→めっき→膜厚測定、めっき条件へのフィードバッ
ク、というプロセスは不要となり、めっきを行っている
状態で、めっき膜厚の均一化に大きく影響する電流密度
分布をリアルタイムで検出して適正化することが可能で
あって、めっき工程の短縮、及び、めっきの信頼性向上
に大きく寄与することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】図１は本発明のめっき装置及びめ
っき方法を実施する際に用いる電流分布計測板を表す要
部説明図であり、電流分布計測板自体は平面を示してい
る。

【００１８】図に於いて、１４Ａ並びに１４Ｂはカソー
ドとして作用する導電部、１５は電源、１７Ａ並びに１
７Ｂは電流検知器をそれぞれ示している。

【００１９】この電流分布計測板では、支持基板（図示
せず）上に形成された導電部１４Ａ及び１４Ｂには、流
れる電流をそれぞれ独立にモニタする為の電流検知器１
７Ａ及び１７Ｂが接続されている。

【００２０】導電部１４Ａの面積及び導電部１４Ｂの面
積は予め知得されている為、電流密度は下記の式で計算
することができる。電流密度〔ｍＡ／ｃｍ²〕＝電流〔ｍＡ〕÷めっき面積
〔ｃｍ²〕

【００２１】導電部１４Ａ及び１４Ｂに流れるそれぞれ
の電流は、めっき中にリアルタイムで表示されるので、
ウエハ外周部、及び、ウエハ中央部の電流密度もリアル
タイムで計算することができる。

【００２２】めっき装置に、電流→電流密度の演算装
置、を組み込めば、ウエハ外周部とウエハ中央部の電流
密度が直接知ることができるので、更に使い易くなる。

【００２３】本発明に依る電流分布計算板を遮蔽板や補
助カソードなどの電流調整機能をもっためっき装置に応
用する場合、遮蔽板を交換しながら、或いは、補助カソ
ードの電流を調整しながら、めっき条件をリアルタイム
で最適化することができる。

【００２４】また、ウエハの上下方向や左右方向に於け
る膜厚分布のばらつきを調整する場合には、導電部のパ
ターンを図１について説明したものとは異なるパターン
にすると好結果が得られる。

【００２５】図２は電流分布計測板の他の例を表す要部
切断説明図であり、（Ａ）では上下に二分割された導電
部２４Ａ及び２４Ｂをもつ例が示され、また、（Ｂ）は
上下及び左右に四分割された導電部３４Ａ乃至３４Ｄを
もつ例が示され、（Ａ）の例は俯瞰した状態で上下の膜
厚分布のばらつきを調整するのに好適であり、また、
（Ｂ）の例は俯瞰した状態で上下左右の膜厚分布のばら
つきを調整するのに好適である。

【００２６】電流分布計測板を再生利用するには、めっ
き膜をエッチングして除去すれば良く、その為には、導
電部に於ける表面をＰｔなどの耐エッチング性に優れて
いる材料で被覆しておけば、めっき膜のみを容易にエッ
チングして除去することができる。

【００２７】実際の本工程に於けるウエハに近い状態で
めっき条件の最適化を行う為には、めっき面積やシード
層の電気抵抗がウエハと等しい電流分布計測板を用いれ
ば良く、その為には、導電部上を本工程で使用するウエ
ハと同じ開口面積となるように絶縁保護膜を選択的に形
成すると良い。

【００２８】図３は本工程に於けるウエハに近い状態に
設定した電流分布計測板を表す要部切断側面図であり、
４１は支持基板、４２は導電部、４３は絶縁保護膜、４
４は電流検知器、Ｓは導電部の厚さをそれぞれ示してい
る。

【００２９】この電流分布計測板に於いては、絶縁保護
膜４３のパターニングに依って、本工程に於けるウエハ
と同じ開口面積となるように調整を行い、また、導電部
４２の厚さＳを変えることで、本工程に於けるウエハと
同じ電気抵抗となるように調整を行う。

【００３０】また、本工程で用いるシード層の電気抵抗
が小さい場合には、電流分布計測板に於けるＰｔからな
る導電部４２の膜厚を大きくすれば対処できるのである
が、高価なＰｔを多量に用いなくても、安価に対応する
ことが可能である。

【００３１】図４は電気抵抗が小さいシード層を用いる
本工程に於けるウエハに近い状態に設定した電流分布計
測板などを表す要部説明図であり、（Ａ）は要部平面
を、また、（Ｂ）は要部切断側面をそれぞれ示してい
る。

【００３２】図４に見られる電流分布計測板の重要な点
は、シード層５３がＴｉからなる下側層５３ＡとＰｔか
らなる上側層５３Ｂからなる二層構造になっていること
である。

【００３３】実施例１（１）表面が厚さ０．５〔μｍ〕の熱酸化膜５２で覆わ
れた１２．５〔ｃｍ〕φ（５〔インチ〕φ）のＳｉ基板
５１にスパッタリング法を適用することに依り、Ｓｉ基
板５１側から順にＴｉ（５０〔ｎｍ〕）／Ｐｔ（２００
〔ｎｍ〕）のシード層５３を形成する。尚、Ｔｉ／Ｐｔ
層の層厚を変えることで、電気抵抗を本工程で用いるア
ルミナ・チタン・カーバイドからなるセラミック基板
（例えばアルチック基板）と同等にすることができる。

【００３４】（２）ドライ・エッチング法を適用するこ
とに依り、シード層５３を外周部５３Ｒと中央部５３Ｃ
とに分かれるようにパターニングするのであるが、その
際、外側から中央部５３Ｃに給電できるようにする為、
引き出し配線５３Ｌを形成する。

【００３５】この場合、外周部５３Ｒと中央部５３Ｃと
の面積を同じくする為、直径にして８．５〔ｃｍ〕のと
ころを外周部５３Ｒと中央部５３Ｃとの境にした。これ
に依って、両者の面積は５６〔ｃｍ²〕となる。

【００３６】（３）めっき装置に於けるリング状の補助
カソード６１内に前記のようにして作製した電流分布計
測板を配設し、且つ、所要の結線を行ってから、ＦｅＮ
ｉのめっき液中に於いて、外周部５３Ｒと中央部５３Ｃ
それぞれの電流をモニタしながら合計で１．１２〔Ａ〕
の電流を流しながらめっきを行ったところ、外周部５３
Ｒに流れる電流が０．６３〔Ａ〕、中央部５３Ｃに流れ
る電流が０．４９〔Ａ〕であった。

【００３７】外周部５３Ｒ及び中央部５３Ｃに流れる電
流値を電子計算機に取り込み、電流値から電流密度を計
算したところ、外周部５３Ｒの電流密度は、１１．２５〔ｍＡ／ｃｍ²〕（６３０〔ｍＡ〕÷５６
〔ｃｍ²〕）、中央部５３Ｃの電流密度は、８．７５〔ｍＡ／ｃｍ²〕（４９０〔ｍＡ〕÷５６〔ｃ
ｍ²〕）、であった。

【００３８】（４）前記（３）の状態から、補助カソー
ド６１に電流を流し、リアルタイムで外周部５３Ｒと中
央部５３Ｃとに流れる電流をモニタし、補助カソード６
１の電流を調整したところ、補助カソード６１に流す電
流を２．３６〔Ａ〕にしたところで外周部５３Ｒと中央
部５３Ｃとに流れる電流が等しくなった。

【００３９】外周部５３Ｒ及び中央部５３Ｃに流れる電
流値を電子計算機に取り込み、電流値から電流密度を計
算したところ、外周部５３Ｒの電流密度は、１０〔ｍＡ／ｃｍ²〕（５６０〔ｍＡ〕÷５６〔ｃ
ｍ²〕）、中央部５３Ｃの電流密度は、１０〔ｍＡ／ｃｍ²〕（５６０〔ｍＡ〕÷５６〔ｃ
ｍ²〕）、であり、電流密度は等しくなった。

【００４０】（５）次いで、前記電流分布計測板と同じ
パターンのＦｅＮｉのシード層が成膜されている約１
２．５〔ｃｍ〕φ（５〔インチ〕φ）のアルミナ・チタ
ン・カーバイドからなるセラミック基板（アルチック基
板）に前記と同じ条件でＦｅＮｉのめっきを行ってか
ら、外周部と中央部との膜厚を比較したところ、略同じ
値であった。

【００４１】（６）この後、電流分布の調整に用いた電
流分布計測板を硝酸からなるエッチング液に浸漬したと
ころ、ＦｅＮｉ膜のみが除去され、再度、使用できる状
態にすることができた。尚、硝酸エッチング液では電流
分布計測板に於ける支持基板であるＳｉ基板５１は全く
損傷を受けない。

【００４２】実施例２（１）表面が厚さ０．５〔μｍ〕の熱酸化膜で覆われた
１２．５〔ｃｍ〕φ（５〔インチ〕φ）のＳｉ基板５１
にスパッタリング法を適用することに依り、Ｓｉ基板側
から順にＴｉ（５０〔ｎｍ〕）／Ｐｔ（３００〔ｎ
ｍ〕）のシード層を形成する。尚、実施例２に於いても
図４を参照すると判り易い。

【００４３】（２）ドライ・エッチング法を適用するこ
とに依り、シード層を外周部と中央部とに分かれるよう
にパターニングするのであるが、その際、外側から中央
部に給電できるようにする為、中央部から引き出し配線
を導出する。

【００４４】外周部と中央部との面積を同じくする為、
直径にして８．５〔ｃｍ〕のところを外周部と中央部と
の境にした。これに依って、両者の面積は５６〔ｃ
ｍ²〕となる。

【００４５】（３）全面に開口面積が約５〔％〕となる
ようにポリイミドからなる絶縁膜を形成する。具体的に
は、この場合のポリイミド絶縁膜のパターンとして、５
０〔μｍ〕□の開口を２２４〔μｍ〕ピッチで形成すれ
ば、開口率を５〔％〕にすることができる。

【００４６】（４）前記のようにして作製した電流分布
計測板をめっき装置に配設し、且つ、所要の結線を行っ
てから、Ｃｕのめっき液中に於いて、外周部と中央部そ
れぞれの電流をモニタしつつ合計６０〔ｍＡ〕の電流を
流しながらめっきを行ったところ、外周部に流れる電流
が約４２〔ｍＡ〕、中央部に流れる電流が約１８〔ｍ
Ａ〕であった。

【００４７】（５）開口径が９０〔ｍｍ〕、９５〔ｍ
ｍ〕、１００〔ｍｍ〕、１０５〔ｍｍ〕である遮蔽板を
用意し、それ等を差し替えながらリアルタイムで外周部
と中央部それぞれの電流をモニタしたところ、開口径が
１００〔ｍｍ〕の遮蔽板を用いた場合に外周部と中央部
とに流れる電流値が最も近づいて、外周部で２９〔ｍ
Ａ〕、中央部で３１〔ｍＡ〕になった。

【００４８】めっき液の流量を１５〔Ｌ／〔分〕〕から
徐々に大きくしたところ、２２〔Ｌ／〔分〕〕で、外周
部の電流と中央部の電流とが等しく３０〔ｍＡ〕になっ
た。

【００４９】（６）次いで、前記電流分布計測板と同じ
パターンのＣｕのシード層が成膜されている約１２．５
〔ｃｍ〕φ（５〔インチ〕φ）のアルミナ・チタン・カ
ーバイドからなるセラミック基板（アルチック基板）に
前記と同じ条件、即ち、めっき開口面積が約５〔％〕の
ポリイミド絶縁膜を形成し、また、開口径が１００〔ｍ
ｍ〕の遮蔽板を用い、前記と同じ条件でＣｕのめっきを
行ってから、外周部と中央部との膜厚を比較したとこ
ろ、略同じ値であった。

【００５０】（７）この後、電流分布の調整に用いた電
流分布計測板を硝酸からなるエッチング液に浸漬したと
ころ、実施例１と同様、Ｃｕ膜のみが除去され、再度、
使用できる状態にすることができた。

【００５１】本発明に於いては、前記説明した実施の形
態を含め、多くの形態で実施することができ、以下、そ
れを付記として例示する。

【００５２】（付記１）支持基板上で複数に分割されて
相互に絶縁状態にあると共に独立にめっき電流を流し得
る略同面積の導電部が形成されてなる電流分布計測板を
備えてなることを特徴とするめっき装置。

【００５３】（付記２）支持基板がＳｉ、ＳｉＯ₂、セ
ラミックス、ガラスエポキシなどの複合樹脂から選択さ
れた何れかで構成されてなることを特徴とする（付記
１）記載のめっき装置。

【００５４】（付記３）電流分布計測板に於ける導電部
の表面が耐酸且つ耐アルカリの耐めっき液性をもつこと
を特徴とする（付記１）記載のめっき装置。

【００５５】（付記４）電流分布計測板に於ける導電部
の表面がＡｕ、Ｐｔなどの貴金属、Ｔｉ、或いは、これ
等の合金からなることを特徴とする（付記１）記載のめ
っき装置。

【００５６】（付記５）電流分布計測板に於ける導電部
の電気抵抗を導電部全体の膜厚で制御してなることを特
徴とする（付記１）記載のめっき装置。

【００５７】（付記６）電流分布計測板に於ける導電部
が複数の金属層からなることを特徴とする（付記１）記
載のめっき装置。

【００５８】（付記７）電流分布計測板に於ける導電部
が複数の金属層で構成されると共にその表面側が耐酸且
つ耐アルカリの耐めっき液性をもち且つ下側に在る金属
層の層厚に依って導電部の電気抵抗が制御されたもので
あることを特徴とする（付記１）記載のめっき装置。

【００５９】（付記８）電流分布計測板に於ける導電部
が複数の金属層で構成されると共にその表面側がＡｕ、
Ｐｔなどの貴金属、Ｔｉ、或いは、これ等の合金から構
成され且つ下側に在る金属層の層厚に依って導電部の電
気抵抗が制御されたものであることを特徴とする（付記
１）記載のめっき装置。

【００６０】（付記９）電流分布計測板に於ける導電部
の表面一部が絶縁保護膜で覆われてなることを特徴とす
る（付記１）記載のめっき装置。

【００６１】（付記１０）電流分布計測板に於ける導電
部の表面はめっき面積が所望の値となるように開口面積
を制御した絶縁保護膜で覆われてなることを特徴とする
（付記１）記載のめっき装置。

【００６２】（付記１１）支持基板上で複数に分割され
て相互に絶縁状態にあると共に独立にめっき電流を流し
得る略同面積の導電部が形成されてなる電流分布計測
板、或いは、該電流分布計測板に換えて本工程に於ける
めっき対象物となるウエハを設置する為の領域と、カソ
ード及びアノード及び電源と、電源とカソード及びカソ
ードとして作用する前記導電部との間を結ぶ複数の電気
回路と、該電気回路を流れる電流を測定する測定器とを
備えてなることを特徴とするめっき装置。

【００６３】（付記１２）各電気回路に流れる電流を電
流密度に換算する演算装置を備えてなることを特徴とす
る（付記１１）記載のめっき装置。

【００６４】（付記１３）めっき膜厚分布を調整する為
の機構をもつことを特徴とする（付記１１）記載のめっ
き装置。

【００６５】（付記１４）めっき膜厚分布を調整する為
の機構が電流分布計測板、或いは、該電流分布計測板に
換えて本工程に於けるめっき対象物となるウエハの周囲
に配置された補助カソードであることを特徴とする（付
記１３）記載のめっき装置。

【００６６】（付記１５）めっき膜厚分布を調整する為
の機構が開口をもった遮蔽板であることを特徴とする
（付記１３）記載のめっき装置。

【００６７】（付記１６）めっき膜厚分布を調整する為
の機構がめっき液流量調節機構であることを特徴とする
（付記１３）記載のめっき装置。

【００６８】（付記１７）支持基板上で複数に分割され
て相互に絶縁状態にあると共に独立にめっき電流を流し
得る略同面積の導電部が形成されてなる電流分布計測板
を用いて各導電部にめっきを行う過程と、各導電部に流
れるめっき電流を計測してめっき電流分布を知得する過
程と、知得されためっき電流分布に基づき各導電部に於
ける各めっき膜厚が略等しくなる条件を求める過程と、
該条件と同条件で本工程のウエハにめっきを行う過程と
が含まれてなることを特徴とするめっき方法。

【００６９】

【発明の効果】本発明に於けるめっき装置及びめっき方
法に於いては、支持基板上で複数に分割されて相互に絶
縁状態にあると共に独立にめっき電流を流し得る略同面
積の導電部が形成されてなる電流分布計測板を用いるこ
とが基本になっている。

【００７０】前記構成を採ることに依り、従来の技術に
於けるめっき条件知得のルーチン、即ち、めっき条件の
設定→めっき→膜厚測定、めっき条件へのフィードバッ
ク、というプロセスは不要となり、めっきを行っている
状態で、めっき膜厚の均一化に大きく影響する電流密度
分布をリアルタイムで検出して適正化することが可能で
あって、めっき工程の短縮、及び、めっきの信頼性向上
に大きく寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のめっき装置及びめっき方法を実施する
際に用いる電流分布計測板を表す要部説明図である。

【図２】電流分布計測板の他の例を表す要部切断説明図
である。

【図３】本工程に於けるウエハに近い状態に設定した電
流分布計測板を表す要部切断側面図である。

【図４】電気抵抗が小さいシード層を用いる本工程に於
けるウエハに近い状態に設定した電流分布計測板などを
表す要部説明図である。

【図５】電流密度分布の不均一を説明するためのめっき
装置を表す要部切断側面図である。

【図６】図５について説明しためっき装置の欠点を是正
しためっき装置を表す要部切断側面図である。

【図７】補助カソードを用いためっき装置を表す要部切
断側面図である。

【符号の説明】

１４Ａ並びに１４Ｂカソードとして作用する導電部１５電源１７Ａ並びに１７Ｂ電流検知器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4M104 AA01 BB04 BB14 BB36 DD20 DD37 DD52 DD64 DD65 HH20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持基板上で複数に分割されて相互に絶縁
状態にあると共に独立にめっき電流を流し得る導電部が
形成されてなる電流分布計測板を備えてなることを特徴
とするめっき装置。
【請求項２】電流分布計測板に於ける導電部の表面が耐
酸且つ耐アルカリの耐めっき液性をもつことを特徴とす
る請求項１記載のめっき装置。
【請求項３】電流分布計測板に於ける導電部の電気抵抗
を導電部全体の膜厚で制御してなることを特徴とする請
求項１記載のめっき装置。
【請求項４】電流分布計測板に於ける導電部の表面はめ
っき面積が所望の値となるように開口面積を制御した絶
縁保護膜で覆われてなることを特徴とする請求項１記載
のめっき装置。
【請求項５】支持基板上で複数に分割されて相互に絶縁
状態にあると共に独立にめっき電流を流し得る導電部が
形成されてなる電流分布計測板、或いは、該電流分布計
測板に換えて本工程に於けるめっき対象物となるウエハ
を設置する為の領域と、カソード及びアノード及び電源と、電源とカソード及びカソードとして作用する前記導電部
との間を結ぶ複数の電気回路と、該電気回路を流れる電流を測定する測定器とを備えてな
ることを特徴とするめっき装置。
【請求項６】各電気回路に流れる電流を電流密度に換算
する演算装置を備えてなることを特徴とする請求項５記
載のめっき装置。
【請求項７】支持基板上で複数に分割されて相互に絶縁
状態にあると共に独立にめっき電流を流し得る略同面積
の導電部が形成されてなる電流分布計測板を用いて各導
電部にめっきを行う過程と、各導電部に流れるめっき電流を計測してめっき電流分布
を知得する過程と、知得されためっき電流分布に基づき各導電部に於ける各
めっき膜厚が略等しくなる条件を求める過程と、該条件と同条件で本工程のウエハにめっきを行う過程と
が含まれてなることを特徴とするめっき方法。