KR20060052651A - 웨이퍼 디마운트 방법, 웨이퍼 디마운트 장치 및 웨이퍼디마운트 이송기 - Google Patents

웨이퍼 디마운트 방법, 웨이퍼 디마운트 장치 및 웨이퍼디마운트 이송기 Download PDF

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Abstract

보다 안전하고 간편하며 또한 확실하게 웨이퍼를 디마운트할 수 있고, 또한, 웨이퍼의 디마운트를 수행하는 처리속도의 향상을 도모할 수 있는 웨이퍼 디마운트 방법, 웨이퍼 디마운트 장치 및 상기 웨이퍼 디마운트 장치를 사용한 웨이퍼 디마운트기를 제공한다. 상기 최상층의 웨이퍼의 정벽선축(A-A', B-B')로부터 시계방향 또는 반시계방향으로 각도 15°~75° 기울어진 축방향(L-L')에서 상기 최상층의 웨이퍼를 누르는 것과 동시에, 상기 최상층의 웨이퍼의 굴곡응력이 상기 정벽선축으로부터 기울어진 축방향(L-L')에서 생기도록, 상기 최상층의 웨이퍼의 주연부를 상방으로 휘게 하면서, 상기 최상층의 웨이퍼의 하면과 인접하는 하측의 웨이퍼의 상면과의 사이에 유체를 취입하고 동시에 상기 최상층의 웨이퍼를 살며시 상승시키고, 웨이퍼를 디마운트하게 했다.
웨이퍼 디마운트, 유체분사, 웨이퍼 디마운트 이송기

Description

웨이퍼 디마운트 방법, 웨이퍼 디마운트 장치 및 웨이퍼 디마운트 이송기 {Wafer demounting method, wafer demounting device, and wafer demounting and transferring machine}
본 발명은, 다수 장(枚) 또는 복수 장의 웨이퍼, 예컨대, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼, 특히 태양전지용 반도체 웨이퍼가 적층된 웨이퍼 적층체의 최상층의 웨이퍼를 인접하는 하측의 웨이퍼로부터 안전하고 간단하게 또한 확실하게 떼어내는 것이 가능한 신규한 웨이퍼 디마운트 방법, 웨이퍼 디마운트 장치 및 그 웨이퍼 디마운트 장치를 사용한 웨이퍼 디마운트 이송기에 관한 것이다.
종래, 실리콘 잉곳 등으로부터 슬라이스되어 절출된 박층상(薄層狀)의 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 한다)는, 그 후 각종 처리를 거쳐서 최종 제품화된다. 이 웨이퍼의 각종 처리에 있어서, 다수 장 또는 복수 장의 웨이퍼를 적층해서 웨이퍼 적층체(Coinstack라고 호칭된다)로써가 아닌, 그 웨이퍼 적층체로부터 1장씩 웨이퍼를 떼어내서 각 웨이퍼마다 처리하는 것이 통상적이다.
그러나, 예를 들면, 잉곳으로부터 슬라이스된 웨이퍼의 표면에는 기름을 함유한 지립제(슬러리)가 잔존부착하고 있는 것처럼, 각종 처리 후의 웨이퍼 표면에는 기름 등의 액체가 부착되어 있는 경우가 많다. 다수 장 또는 복수 장의 웨이퍼를 적층한 경우에는, 웨이퍼면에 존재하는 이들 액체의 표면장력에 의하여, 웨이퍼를 옆방향으로 이동하는 것은 가능해도 인접한 하측의 웨이퍼로부터 윗방향으로 떼어내는 것은 곤란하다.
거기서, 본 발명자는, 다수 장 또는 복수 장의 웨이퍼가 적층된 웨이퍼 적층체의 최상층의 웨이퍼의 주연부(周緣部)를 상방으로 휘게 하고, 그 최상층의 웨이퍼의 하면과 인접하는 하측의 웨이퍼의 상면과의 사이에 유체를 취입시키는 것과 동시에 그 최상층의 웨이퍼를 살며시 상승시키고, 웨이퍼를 디마운트하도록 한 웨이퍼 디마운트 장치를 제안했다(특개평9-64152호 공보참조).
상기 종래의 웨이퍼 디마운트 장치의 작동원리를 도 11에 기초하여 설명하면, 다수 장 또는 복수 장의 웨이퍼가 적층된 웨이퍼 적층체(WS)의 최상층의 웨이퍼(W1)의 중심부를 웨이퍼 누름수단(120)에 의하여 누르는 것과 동시에, 웨이퍼 흡착수단(22a), (22b)에 의하여 웨이퍼(W1)의 주변부를 진공흡착해서 웨이퍼(W1)의 주연부를 상방으로 휘게 하고, 그 최상층의 웨이퍼(W1)의 하면과 인접한 하측 웨이퍼(W2)의 상면과의 사이의 간극 D에 유체분사수단(24a), (24b)에 의하여 유체(F)(물 및/또는 공기)를 취입하는 것과 동시에 그 최상층의 웨이퍼(W1)를 살며시 상승시키고, 웨이퍼(W1)를 웨이퍼 적층체(WS)로부터 디마운트하도록 한 것이다.
상기 종래의 웨이퍼 디마운트 장치에 의해서도, 웨이퍼 적층체로부터 웨이퍼 를 1장씩 간단하고 또한 확실하게 떼어내는 것이 가능하지만, 도 11에 부호 S로 나타낸 부분에 굴곡응력이 생기기 때문에, 웨이퍼가 갈라지는 사고가 발생하는 경우가 있었다.
그래서, 본 발명자는, 웨이퍼의 상면 주변부이고 웨이퍼의 중심부를 끼고 서로 대향하는 2대(對)이상의 흡착위치(예를 들면 4점)를 진공흡착하고, 웨이퍼의 주연부를 상방으로 휘게 하는 것에 의하여, 웨이퍼에 생기는 굴곡응력이 분산하여, 안전하고 간편하며 또한 확실하게 웨이퍼를 디마운트시킬 수 있고, 게다가 웨이퍼의 디마운트를 수행하는 처리속도의 향상을 도모하도록 한 웨이퍼 디마운트 장치를 이미 제안했지만(국제출원번호:PCT/JP02/12753), 마찬가지로 웨이퍼가 갈라지는 사고가 발생하는 경우가 있어서, 다시 개량을 하는 등 면밀히 검토한 결과, 이하와 같은 지식을 얻었다.
웨이퍼는, CZ(Czochralski)법이나 FZ(Floating zone)법 등에 의하여 결정성장된 실리콘 등의 단결정봉(잉곳)을 원통연삭장치에 의하여 원주상으로 형성한 후, 와이어소오(saw)등에 의하여 봉축에 대하여 약 직각방향으로 얇게 슬라이스 하여 얻어진다.
이 실리콘 단결정의 결정성장에는, 예를 들면 CZ법에 의하여, 결정방위<100>방향으로 성장시킨 경우, 도 13에 나타낸 것처럼, 결정면{100}끼리 만드는 정벽선(晶癖線)(L)이 잉곳(G)의 외표면에 나타난다. 실리콘단결정에 있는 결정면100끼리의 교각은 90°이기 때문에, 잉곳(G)의 봉축으로부터 봐서 90°마다 합계 4개의 정벽선 (L)이 잉곳(G)의 외표면의 길이방향으로 높이 수㎜정도로 봉기한 凸조(條)(선상 凸기)로서 형성된다.
이러한 결정방위<100>방향에 성장된 잉곳으로부터 절출된 웨이퍼는, 예를 들면, 도 12(a)에 나타낸 것처럼, 원반형상의 웨이퍼(Wa)에서는, 정벽선이 형성된 축(이하, 정벽선축이라 함), 즉 도시예에서는 부호 A-A'로 나타낸 선분의 축과 부호 B-B'로 나타낸 선분의 축이 중심부분에서 직교하고, 정벽선축에 대응해서 OF(orientation flat)가 외주에 마련된다. 또한, 도 12(b)에 나타낸 것처럼, 근래, 생산량이 증대하고 있는 태양전지제조용 웨이퍼(Wb)의 경우에는, 웨이퍼 자체가 대략 사각형상으로 가공되어, 정벽선축(도시예에서는 부호 A-A'로 나타낸 선분의 축과 부호 B-B'로 나타낸 선분의 축)이 대체로 보아 웨이퍼의 대각선상에 있도록 절출되어 있다.
이들 웨이퍼는, 이 정벽선축을 따라서 평행한 방향으로 벽개하기 쉬운 성질이 있다. 그 때문에, 웨이퍼 적층체로부터 웨이퍼를 디마운트할 때, 웨이퍼의 주연부를 상방으로 휘게 한 경우에, 굴곡응력이 생기는 부분과 정벽선축이 일치하고 있다면, 극히 용이하게 벽개하기 위하여, 예를 들면, 전술한 제안과 같이, 웨이퍼에 생기는 굴곡응력이 분산되도록, 웨이퍼의 상면주변부이고 웨이퍼의 중심부를 끼어서 서로 대향하는 2대(對) 이상의 흡착위치(예를 들면 4점(点))를 흡착해서 웨이퍼의 주연부를 상방으로 휘게 하여도, 웨이퍼가 갈라지는 사고가 생겼다.
또한, 잉곳으로부터 절출된 직후의 웨이퍼처럼, 그 표면에 슬러리가 잔존 부착해 있는 경우에는, 최상층의 웨이퍼의 하면과 인접한 하측의 웨이퍼의 상면과의 사이에 취입 유체로서 물을 사용하는 것이 바람직하지만, 디마운트할 때에 물의 표 면장력이 작용해서, 디마운트하는 방향과는 역방향으로 인장되고, 게다가, 단순하게 상방으로 향하게 해서 디마운트하려고 한 경우, 상기 굴곡응력이 생기는 부분과 물의 표면장력이 작용하는 부분이 일치하기 때문에, 웨이퍼 갈라짐 사고가 보다 생기기 쉬운 상황으로 된다.
웨이퍼 갈라짐 사고가 일단 발생하면, 제품의 수득률 저하도 상당하고, 갈라진 웨이퍼 파편이 웨이퍼 디마운트 장치위에 흩어지기 때문에, 조업을 일시 중지하는 등 해서, 흩어져 있는 갈라진 웨이퍼 파편을 수작업으로 회수하지 않으면 안 되어, 현저하게 생산성이 저하하는 원인으로 된다.
본 발명은, 상기 문제점을 감안해서, 보다 안전하고 간단하며 또한 확실하게 웨이퍼를 디마운트시키는 것이 가능하고, 또한 웨이퍼의 디마운트를 수행하는 처리속도의 향상을 도모할 수 있는 웨이퍼 디마운트 방법, 웨이퍼 디마운트 장치 및 그 웨이퍼 디마운트 장치를 사용한 웨이퍼 디마운트기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 방법은, 다수 장 또는 복수 장의 웨이퍼가 적층된 웨이퍼 적층체로부터 최상층의 웨이퍼를 디마운트하는 웨이퍼 디마운트 방법으로서, 최상층의 웨이퍼의 정벽선축으로부터 시계방향 또는 반시계방향으로 15°~75° 기울어진 축방향에서 최상층의 웨이퍼를 누르는 것과 동시에, 최상층의 웨이퍼의 굴곡응력이 축방향으로 생기도록, 최상층의 웨이퍼의 주연부를 상방으로 휘게 하면서, 최상층의 웨이퍼의 하면과 인접한 하측의 웨이퍼의 상면과의 사이에 유체를 취입하는 동시에 최상층의 웨이퍼를 살며시 상승시켜서, 웨이퍼를 디마운트하도록 한 것을 특징으로 한다.
상기 정벽선축으로부터 시계방향 또는 반시계방향으로 기울어진 축방향의 각도는, 30°~60°인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 40°~50°가, 가장 이상적으로는 45°이다. 결정방위<100>의 웨이퍼의 경우, 정벽선축은 웨이퍼 중심부에서 직교해 있기 때문에, 정벽선축으로부터 시계방향 또는 반시계방향으로 45° 기울어진 축방향을 지축으로 해서 웨이퍼를 휘게 하는 것이 가장 벽개하기 어렵기 때문이다.
상기 최상층의 웨이퍼를 살며시 상승시켜서 디마운트할 때, 최상층의 웨이퍼를 수평방향에 경사지게 하면서 살며시 상승시키는 것이 바람직하다. 디마운트할 때에 최상층의 웨이퍼를 수평방향에서 경사지게 하면서 상승시키는 것에서, 최상층의 웨이퍼의 하면과 인접하는 하측의 웨이퍼의 상면과의 사이에서 생기는 물의 표면장력이 작용하는 부분이, 최상층의 웨이퍼의 굴곡응력이 생기는 부분으로부터 빗나가기 때문에, 물의 표면장력이 원인이 되어서 웨이퍼가 갈라지는 사고가 발생하지 않게 된다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치는, 다수 장 또는 복수 장의 웨이퍼가 적층된 웨이퍼 적층체로부터 최상층의 웨이퍼를 디마운트하는 웨이퍼 디마운트 장치이고, 상하 동(動)자재로 설치된 지지판과, 지지판의 하면에 설치된 웨이퍼 축압(軸押)수단과, 지지판의 하면주변부에 설치되고, 최상층의 웨이퍼의 상면주변부의 서로 대향하는 1대(對) 이상의 흡착위치를 흡착하는 웨이퍼 흡착수단과, 웨이퍼 흡착수단에 대응해서 그 외방에 설치된 유체 분사 수단을 가지고, 웨이퍼 축압수단에 의하여, 최상층의 웨이퍼 정벽선축으로부터 시계방향 또는 반시계방향으로 각도 15°~75° 기울어진 축방향에서 최상층의 웨이퍼를 누르는 것과 동시에, 최상층의 웨이퍼의 굴곡응력이 축방향으로 생기도록, 웨이퍼 흡착수단에 의하여 최상층의 웨이퍼의 상면 주변부이고 웨이퍼의 중심부를 끼어서 서로 대향하는 1대 이상의 흡착위치를 흡착하고, 최상층의 웨이퍼의 주연부를 1대 이상의 흡착위치에서 상방으로 휘게 하면서, 최상층의 웨이퍼의 하면과 인접하는 하측의 웨이퍼의 상면과의 사이에 유체분사수단에 의하여 유체를 취입하는 것과 동시에 최상층의 웨이퍼를 살며시 상승시켜서, 웨이퍼를 디마운트하도록 한 것을 특징으로 한다.
상기 정벽선축으로부터 시계방향 또는 반시계방향으로 기울어진 축방향의 각도는, 30°~60°인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 40°~50°, 가장 바람직하게는 45°인 것은 상술하였다.
상기 웨이퍼 축압수단은, 지지판의 하면에 일방향으로 병설된 복수의 웨이퍼 누름부재로 된 것, 혹은, 지지판의 하면에 설치된 일방향의 장척의 웨이퍼 누름부재로 된 것이 바람직하다. 즉, 종래의 웨이퍼 디마운트 장치에 있어서 웨이퍼 누름수단은, 웨이퍼를 휘게 할 때의 지점으로서 작용하고, 웨이퍼 중심부의 1점을 지지하는 지점으로 되는 것이었지만, 본 발명에 있어서 웨이퍼 축압수단은, 웨이퍼를 휘게 할 때의 지축으로서 작용하고, 웨이퍼의 상기 소정의 축방향을 지지하는 지축으로 되는 것이기 때문에, 웨이퍼 위를 점으로서가 아니고, 축방향으로 지지할 필요가 있게 된다.
상기 웨이퍼 흡착수단을 2대 이상 상설하여, 최상층의 웨이퍼의 상면 주변부이고 웨이퍼의 중심부를 끼고 서로 대향하는 2대 이상의 흡착위치를 흡착하고, 최상층의 웨이퍼의 주연부를 2대 이상의 흡착위치에서 상방으로 휘게 하도록 하는 것이 바람직하다.
상기 지지판을 십자형상, X자형상 혹은 エ자형상으로 형성하고, 지지판의 하면 주변부에, 상기 웨이퍼 흡착수단을 설치하는 것이 바람직하다.
상기 지지판은, 상방 이동시에 수평방향에서 경사지도록 설치되어 있는 것이 바람직하다. 전술한 것처럼, 디마운트할 때에 최상층의 웨이퍼를 수평방향에서 경사지게 하면서 상승시키는 것에서 물의 표면장력의 영향을 저감시킬 수 있다. 그렇게 하기 위해서는, 지지판을 상방이동시에 수평방향에서 경사지도록 설치하여, 지지판에 설치되어 있는 웨이퍼 흡착수단이나 웨이퍼 축압수단도 동일한 모양으로 수평방향에서 경사지게 되어서, 최상층의 웨이퍼가 웨이퍼 흡착수단에 의하여 흡착되어 상승할 때에 수평방향에서 경사지게 할 수 있다.
상기 유체는 물 및/또는 공기일 수 있지만, 바람직하게는, 물 및 공기를 소정시간에서 절환(切換)해서 취입하도록 한다. 최초에 물을 취입해서, 웨이퍼에 잔류부착해 있는 슬러리 등을 씻어내고, 디마운트하기 쉬운 상태로 한 후, 공기로 절환해서 취입하도록 하면, 공기에 의하여 물이 취승되어, 물의 표면장력의 작용을 저감하는 효과도 기대할 수 있고, 바람직한 태양으로 된다.
상기 웨이퍼 흡착수단은 액체분사기능을 구비한 진공흡착노즐이고, 진공흡착노즐로부터 액체를 분사하고, 상기 웨이퍼 적층체의 최상층의 웨이퍼의 흡착위치를 세정하는 것이 바람직하다. 실리콘 잉곳 등으로부터 슬라이스되어 절출된 박층상의 실리콘 웨이퍼 등은, 슬라이스시 슬러리 등의 액체가 잔류부착해 있고, 잔류한 슬러리 등의 액체는 시간이 경과하면 웨이퍼 표면에서 반건조 상태로 되기 때문에, 웨이퍼 흡착수단에 의하여 흡착에 실패한다든지, 불완전한 흡착으로 되던지 해서, 대단히 불안정한 것으로 된다. 그래서, 상술한 것처럼, 진공흡착 노즐로부터 액체를 분사해서, 흡착위치를 세정하도록 하면, 흡착의 실패나 불완전한 흡착 등의 잘못된 상태를 해소할 수 있다.
상기 웨이퍼 흡착수단은 액체분사 기능을 구비한 진공흡착노즐이고, 진공흡착 노즐로부터 액체를 분사하고, 진공흡착 노즐에 연통(連通)하는 배관의 세정을 수행하는 것이 바람직하다. 상술한 것처럼, 웨이퍼에는 슬라이스시에 슬러리 등의 액체가 잔존부착해 있기 때문에, 이것을 흡착할 때에, 슬러리 등의 액체도 진공흡착 노즐에 연통하는 배관으로 취입되기 때문에, 배관이 오염되어 막히는 등 작동불량을 일으킨다. 그래서, 진공흡착노즐로부터 액체를 분사해서, 배관을 세정하도록 하면, 이러한 작동불량의 발생을 방지할 수 있다.
상기 웨이퍼 흡착수단은 액체분사기능을 구비한 진공흡착노즐이고, 진공흡착노즐로부터 액체를 분사하고, 상기 웨이퍼 흡착수단이 웨이퍼 표면상에서 일시적으로 하블링(hobbling)하도록 하는 것이 바람직하다. 실리콘웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼는, 취성(脆性)재료이기 때문에, 충격 등에 의하여 용이하게 파손될 수 있다. 특히, 웨이퍼 흡착수단을 살며시 강하시켜서 웨이퍼의 표면에 접촉시켜, 진공흡착을 수행하는 경우, 단순하게 웨이퍼 흡착수단을 자중(自重)낙하시키면, 웨이퍼 흡착수단이 급강하해서 웨이퍼의 표면에 충돌하고, 웨이퍼가 파손되어 버린다. 그래서, 진공흡착노즐로부터 액체를 분사하면서 웨이퍼 흡착수단을 살며시 강하하고, 웨이퍼 흡착수단이 웨이퍼 표면상에서 일시적으로 하블링하도록 하면, 이러한 웨이퍼의 파손이 생기는 것을 막을 수 있다.
또, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 이송기는, 다수 장 또는 복수 장의 웨이퍼가 적층된 웨이퍼 적층체를 보지(保持)하는 웨이퍼 적층체 보지수단과, 상기 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치로 이루어진 1대(台) 이상의 웨이퍼 디마운트 수단과, 웨이퍼 디마운트 수단에 의하여 디마운트된 웨이퍼를 수취(受取)하고, 웨이퍼를 웨이퍼 수납카세트에 이송하는 웨이퍼 이송 수단과, 웨이퍼 수납 카세트가 재치(載置)되는 상하자동재인 웨이퍼 수납 카세트 재치수단을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기 웨이퍼 디마운트 수단을 2대 구비하고, 웨이퍼 디마운트 수단에 대체로 대응해서, 상기 웨이퍼 이송 수단 및 상기 웨이퍼 수납 카세트 재치수단을 가지고, 일방의 웨이퍼 디마운트 수단이 웨이퍼의 디마운트 동작을 수행하는 사이에, 타방의 웨이퍼 디마운트 수단에서는 웨이퍼 이송 수단으로 디마운트한 웨이퍼를 인도하는 동작을 수행하는 것이 바람직하다. 이것에 의하여, 각 수단의 휴지상태가 없게 되어 처리효율이 향상한다.
상기 웨이퍼 수납카세트 재치수단이 최하방에 위치한 경우에, 웨이퍼 수납 카세트가 액중에 침지(浸漬)된 상태로 되도록 침지조(槽)를 구비하는 것이 바람직하다. 침지조에는 순수한 물이나 약액을 가득 채워 두면, 웨이퍼의 오염방지나 세정 등을 행할 수 있어, 편리성이 높은 태양으로 된다.
도 1은, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치에 의하여, 웨이퍼를 디마운트하는 경우의 흡착위치를 나타내는 평면도이고, (a)는 원반형상의 웨이퍼의 경우, (b)는 대략 사각형상의 웨이퍼의 경우이다.
도 2는, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 방법에 있어서, 웨이퍼 디마운트시에 웨이퍼를 수평방향에서 살며시 경사지게 하는 동작원리를 나타내는 측면 개념설명도로서, (a)는 웨이퍼를 흡착해서 휘게 하는 상태를 나타내고, (b)는 웨이퍼를 수평방향에서 경사지게 한 상태를 나타내고 있다.
도 3은, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치의 지지판이 강하위치에 있는 경우를 나타내는 일부 단면 측면설명도이다.
도 4는, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치의 지지판이 상한 위치에 있는 경우를 나타내는 일부 단면 측면설명도이다.
도 5는, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치의 평면도이다.
도 6은, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치의 동작플로우를 나타내는 플로우차트이다.
도 7은, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 이송기를 정면측으로부터 나타낸 정면설명도이다.
도 8은, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 이송기를 배면측으로부터 나타낸 배면설명도이다.
도 9는, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 이송기를 부호 X-X'의 단면으로 나타낸 평면 단면설명도이다.
도 10은, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 이송기를 부호 Y-Y'의 단면으로 나타낸 측면 단면설명도이다.
도 11은, 종래의 웨이퍼 디마운트장치의 작동원리를 나타내는 개념설명도이다.
도 12는, 결정방위<100>의 웨이퍼의 정벽선축을 나타내는 평면도이다.
도 13은, 잉곳의 외표면에 형성된 정벽선의 모양을 나타내는 모식도이다.
이하에 본 발명의 실시의 형태를 개시하지만, 이하의 설명은 예시적인 것으로 한정적으로 해석되지 않는다. 또, 도 1~도 10에 있어서, 도 11 및 도 12와 동일 또는 유사 부재에 관해서는 동일 또는 유사 부호를 사용하였다.
도 1은, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 방법에 의하여, 웨이퍼를 디마운트하는 경우 흡착위치를 나타내는 평면도이고, (a)는 원반형상의 웨이퍼의 경우, (b)는 대략 사각형상의 웨이퍼의 경우이다.
도 1(a)에 있어서, 부호 Wa는 원반형상의 웨이퍼이고, 결정방위<100>의 웨이퍼이다. 부호 A-A'로 나타낸 선분의 축과 부호 B-B'로 나타낸 선분의 축이 정벽선축이고, 웨이퍼의 중심부분에서 직교하고 있다. 정벽선축에 대응해서 OF(오리엔테이션 플랫)가 외주에 설치되어 있다.
그리고, 정벽선축으로부터 45° 기울어진 축방향(부호 L-L'로 나타낸 선분의 축방향)을 웨이퍼 축압수단(20)인 웨이퍼 누름부재(20a), (20b)에 의하여 누르는 것과 동시에, 웨이퍼(Wa)의 상면 주변부이고, 웨이퍼의 중심부를 끼고 서로 대향하는 2대의 흡착위치를 웨이퍼 흡착수단(22a), (22b)의 조와 웨이퍼 흡착수단(22c), (22d)의 조에서 진공흡착한다.
그러면, 웨이퍼 누름부재(20a), (20b)에 의하여 눌러져 있는 축방향(부호 L-L'로 나타낸 선분의 축방향)을 지축으로 해서, 웨이퍼 흡착수단(22a), (22b)의 조와, 웨이퍼 흡착수단(22c), (22d)조에 의하여, 웨이퍼(Wa)가 절곡(折曲)되고, 정벽선축으로부터 45° 기울어진 벽개하기 어려운 축방향(부호 L-L'로 나타낸 선분의 축방향)을 따른 부분에만 굴곡응력이 생긴다. 이것에 의하여, 벽개하기 쉬운 정벽선축(부호 A-A'로 나타낸 선분의 축 또는 부호 B-B'로 나타낸 선분의 축)에는 굴곡응력이 생기지 않기 때문에, 웨이퍼가 갈라지는 사고도 감소하고, 안전하고 또한 확실하게 웨이퍼를 디마운트할 수 있다.
도 1(b)에 있어서, 부호 Wb는 대략 사각형상의 태양전지제조용 웨이퍼이다. 웨이퍼 (Wb)의 경우, 정벽선축(부호 A-A'로 나타낸 선분의 축 또는 부호 B-B'로 나타낸 선분의 축)은 웨이퍼의 대각선상에 있다.
그리고, 웨이퍼(Wb)의 경우도, 도 1(a)와 동일하게, 정벽선축으로부터 45° 기울어진 축방향(부호 L-L'로 나타낸 선분의 축방향)을 웨이퍼 축압수단인 웨이퍼 누름부재(20a), (21b)에 의하여 누르는 것과 동시에, 웨이퍼(Wa)의 상면 주변부이고, 웨이퍼의 중심부를 끼고 서로 대향하는 2대의 흡착위치를 웨이퍼 흡착수단 (22a), (22b)의 조와 웨이퍼 흡착수단(22c), (22d)의 조에서 진공흡착한다.
이것에 의하여, 정벽선축으로부터 45° 기울어진 벽개하기 어려운 축방향(부호 L-L'로 나타낸 선분의 축방향)을 따른 부분에만 굴곡응력이 생겨, 안전하고 또한 확실한 웨이퍼의 디마운트를 수행할 수 있다.
도 2는, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 방법에 있어서, 웨이퍼 디마운트시에 웨이퍼를 수평방향에서 살며시 경사지게 하는 작동원리를 나타내는 측면 개념설명도이고, (a)는 웨이퍼를 흡착해서 휘게 한 모양을 나타내고, (b)는 디마운트시에 웨이퍼를 수평방향에서 살며시 경사지게 한 모양을 나타내고 있다.
도 2(a) 및 (b)에 있어서, 부호 WS는 다수 장 또는 복수 장의 웨이퍼가 적층된 웨이퍼 적층체이다. 부호 10은 웨이퍼 적층체(WS)의 상방에서 상하 동자재인 가동부재이고, 예를 들면, 에어실린더의 실린더로드이다. 가동부재(10), 즉 실린더로드는 에어실린더의 에어가 오프로 되면 자체 무게로 강하하고, 에어실린더의 에어가 온으로 되면 상승하도록 구성된다.
가동부재(10)의 하단부에는 지지 베이스판(13)이 설치되어 있다. 지지베이스판(13)에는, 지지판(12)이 볼트(15a), (15b)에 의하여 유격(裕隔)이 있는 상태로 설치되어 있고, 볼트(15a)와 볼트(15b)는 유격폭이 다르도록 한다. 예를 들면, 도시한 것처럼, 볼트(15a)와 볼트(15b)에는 길이가 다른 볼트를 사용하고, 볼트(15a)가 볼트(15b)보다도 유격폭이 많도록 설치한다.
지지판(12)의 하면에는 웨이퍼 축압수단(20)이 설치된다. 전술한 것처럼, 웨이퍼 축압수단(20)은 웨이퍼 누름부재(20a), (20b)(도 1참조)로 되고, 웨이퍼(W1) 의 소정의 축방향을 누르게 된다. 지지판의 하면 주변부에는 웨이퍼 흡착수단(22a), (22b), (22c), (22d)이 설치되고, 이것에 대응해서 대략 그 외방에 유체흡착수단(24a), (24b), (24c), (24d)이 설치되어 있다(도5참조).
우선, 웨이퍼 적층체(WS)의 최상층의 웨이퍼(W1)를 웨이퍼 축압수단(20)에 의하여, 웨이퍼(W1)의 정벽선축으로부터 45° 기울어진 축방향(도1의 부호 L-L'로 나타낸 선분의 축방향)을 누른다. 이어서, 웨이퍼 축압수단(20)을 지축으로 해서, 웨이퍼 흡착수단(22a), (22b)의 조와, 웨이퍼 흡착수단(22c), (22d)의 조에 의하여 웨이퍼(W1)의 주변부를 흡착해서 웨이퍼(W1)의 주연부를 상방으로 휘게 하고, 유체분사수단(24a), (24b), (24c), (24d)에 의하여, 최상층의 웨이퍼(W1)의 하면과 인접하는 하측의 웨이퍼(W2)의 상면과의 사이의 간격 D에 유체 F(물 및/또는 공기)를 취입한다(도 2(a)).
그리고, 가동부재(10)를 상승시키면, 지지판(12)은 유격폭이 많은 볼트(15a) 측에서 수평방향에서 경사지기 때문에, 웨이퍼(W1)도 수평방향에서 경사진 상태로 된다(도2(b)). 따라서, 최상층의 웨이퍼(W1)가 인접하는 하측의 웨이퍼(W2)로부터 디마운트될 때 물의 표면장력은, 굴곡응력이 생겨 있는 부분보다도 볼트(15a) 측에서 기울어진 부분에서 작용하는 것으로 되고, 물의 표면장력이 작용하는 부분과 최상층의 웨이퍼의 굴곡응력이 생긴 부분이 일치하지 않게 되기 때문에, 물의 표면장력이 원인인 웨이퍼가 갈라지는 사고가 발생하기 어렵게 된다.
다음으로, 도 3~도 5에 기초하여, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 3은, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치의 지지판이 강하위치에 있는 경우를 나타내는 일부 단면 측면설명도이고, 도 4는, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치의 지지판이 상한 위치에 있는 경우를 나타내는 일부 단면 측면설명도이고, 도 5는, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치의 평면도이다.
도면 중, 부호 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 디마운트 장치이다. 부호 4는 다수 장 또는 복수 장의 반도체 웨이퍼, 예를 들면 실리콘 웨이퍼 등의 웨이퍼가 적층된 웨이퍼 적층체(WS)를 보지하는 웨이퍼 적층체 보지수단이다. 웨이퍼 적층제 보지 수단(4)은 웨이퍼 적층체(WS)를 위치 결정해서 보지하기 위한 복수개의 보지봉(6)을 구비한다. 부호 8은 상방을 개방한 용기이고, 웨이퍼 적층체 보지수단(4)이 중앙부에 설치되어 있다. 용기(8)는 적의(適宜) 필요에 응해서 전방이나 측방도 개방하도록 해 두면, 웨이퍼 적층체(WS)를 반입하기 쉽다.
가동부재(10)는, 웨이퍼 적층체 보지수단(4)의 상방에서 상하로 움직일 수 있게 설치되고, 에어실린더수단(11)의 실리더로드로 되어 있다. 실린더로드로서의 가동부재(10)는 에어실린더수단(11)의 에어가 오프로 되면 자체 무게에 의하여 강하하고, 에어실린더수단(11)의 에어가 온으로 되면 상승한다.
가동부재(10)의 하단부에는 지지베이스판(13)이 설치되어 있다. 지지베이스판(13)에는 지지판(12)이 매달린 상태로 수평방향에서 경사지도록, 연직(鉛直)방향의 유격폭이 다른 복수의 적착(吊着) 부재에 의하여, 적설(吊設)되어 있다. 적착부재로서는, 예를 들면, 볼트 너트를 사용할 수 있다. 이 경우, 도시한 것처럼, 볼트(15a)와 볼트(15b)에서는 연직방향의 유격폭이 다르도록 길이가 다른 볼트를 사용한다. 그리고, 볼트(15a)측이 볼트(15b)측보다도 유격폭이 많도록 설치하고, 지지 베이스판(13)으로부터 매달린 상태에서는 볼트(15a) 측에 경사지도록 지지판(12)을 적설한다. 또, 적착부재의 연직방향의 유격폭을 다르게 한 구성은, 탄성이 다른 스프링을 사용해서 유격폭을 다르게 하는 등 다양한 구성으로 얻을 수 있다.
지지판(12)은, 적어도 1방향 이상에 있어서, 웨이퍼의 직경보다도 긴 부재이면 좋고 특별히 한정되지 않는다. 웨이퍼보다도 큰 원형이나 사각형으로 하는 것도 가능하지만, 바람직하게는, 십자형상, X자형상 또는 エ자형상으로 형성하면 좋다. 도시예서는, 지지판(12)을 십자형상으로 형성한 경우를 나타냈다(도5 참조).
부호 20은 지지판(12)의 하면에 수설(垂設)된 탄성을 가지는 재료, 예를 들면, 고무재료로 구성된 웨이퍼 축압수단이다. 상술한 것처럼, 웨이퍼 축압수단(20)은, 웨이퍼의 정벽선축으로부터 시계방향 또는 반시계방향으로 각도 15°~75°, 바람직하게는 30°~60°, 더 바람직하게는 40°~50°, 가장 바람직하게는 45° 기울어진 축방향에서 최상층의 웨이퍼를 누르고, 웨이퍼 흡착수단(22a~22d)에 의하여 웨이퍼의 주연부를 흡착해서 상방으로 휘게 할 때의 지축으로 된다. 도시예에서는, 웨이퍼 축압수단(20)으로서의 소정방향으로 병렬한 웨이퍼 누름부재(20a), (20b)에 의하여, 웨이퍼의 소정의 축방향을 누르도록 하고 있다(도 5 참조).
지지판(12)의 하면 주변부에, 웨이퍼의 상면 주변부의 소정의 흡착위치(도시예에서는 4개소)를 진공흡착하는 웨이퍼 흡착수단(22a), (22b), (22c), (22d)이 설치된다(도5 참조).
웨이퍼 흡착수단(22a~22d)의 기단(基端)부는 대체로 배관(23)에 의하여 진공원(源)(도시하지 않음)과 온오프 가능하게 접속되어 있고, 선단의 진공흡착부가 웨 이퍼를 흡착하는 경우에는 진공원과의 접속이 온으로 되어 진공흡착을 수행하지 않고, 흡착하지 않는 경우에는 진공원과의 접속이 오프로 되도록 되어 있다.
웨이퍼 흡착수단(22a~22d)의 선단의 진공흡착부에는 진공흡착을 수행하기 위한 진공흡착노즐(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 진공흡착노즐은 물 등의 액체를 분사하는 액체분사기능을 겸비해서 구비할 수 있고, 이 경우는, 배관(23)에 의하여 물공급원(도시하지 않음)과 온오프 가능하게 또 진공원과 절환 가능하게 접속한다. 진공흡착노즐로부터 액체를 분사하는 경우에는, 진공원으로부터 물공급원에 절환해서, 물공급원과의 접속을 온으로 해서 액체를 분사하고, 액체를 분사하지 않는 경우에는 물공급원과의 접속도 오프로 한다.
진공흡착노즐의 액체분사기능은, 진공흡착노즐에 의하여 진공흡착을 수행하는 웨이퍼에는 슬러리 등이 잔존해 있기 때문에, 진공흡착을 반복해서 수행하면 진공흡착노즐에 연통하는 배관(23)이 오염되어 작동불량의 원인으로 되기 때문에, 진공흡착노즐로부터 물 등의 액체를 분사하는 것에 의하여 진공흡착노즐에 연통하는 배관(23)의 세정을 수행하고, 또, 최상층의 웨이퍼가 슬러리 등으로 오염되어 있으면, 진공흡착노즐에 의한 진공흡착이 불안정하게 되기 때문에, 진공흡착을 수행하기 전에, 진공흡착노즐로부터 물 등의 액체를 분사해서 최상층의 웨이퍼의 흡착위치의 세정을 수행하고, 또한, 전술한 것처럼, 가동부재(실린더로드)(10)는 자체 무게로 강하하고, 이와 동시에 진공흡착노즐을 구비하는 웨이퍼 흡착수단(22a~22d)도 강하하는 것으로 되지만, 이 강하가 급강하로 된 경우에 진공흡착노즐과 웨이퍼가 충돌해 웨이퍼를 파손할 위험이 있기 때문에, 진공흡착노즐로부터 액체를 분사하 고, 진공흡착노즐이 웨이퍼 표면상에서 일시적으로 하블링 상태로 되도록 해서, 웨이퍼의 파손을 방지하는 것이다.
부호 24a, 24b, 24c, 24d는 유체분사수단으로, 상기 웨이퍼 흡착수단(22a), (22b), (22c), (22d)에 대응해서 그 외방에 위치하도록 지지판(12)의 주단부에 부착된 금속죔쇠(28)를 매개해서 설치되어 있다. 유체분사수단(24a~24d)의 하단부에는 유체분사공(孔)(26)이 형성되어 있다. 웨이퍼 흡착수단(24a~24d)은 대체로 배관(25)과 연통해서 있고, 물공급원(도시하지 않음) 및/또는 공기공급원(도시하지 않음)과 온오프할 수 있게 또한 필요하다면 물과 공기를 절환할 수 있게 접속되어 있다.
유체분사수단(24a~24d)은, 웨이퍼 적층체(WS)의 최상층의 웨이퍼(W1)의 하면과 인접하는 하측의 웨이퍼(W2)의 상면과의 사이에 형성되는 간격 D(도 2 참조)에 유체를 분사한다. 분사하는 유체로서는, 물 또는 공기 또는 물과 공기를 혼합하는 것도 가능하지만, 바람직하게는, 최초에 소정시간동안, 물을 분사한 후, 공기로 절환해서 분사한다. 최초에 물을 분사하는 것으로, 웨이퍼에 부착해 있는 슬러리 등을 씻어 내는 효과가 있고, 최초부터 공기를 분사하는 경우보다도 디마운트하기 쉽게 된다. 다음에, 공기로 절환해서 분사하는 것으로, 물을 계속 분사하는 경우보다도, 공기의 분사에 의하여 물이 취승되기 때문에, 물의 표면장력의 작용을 저감할 수 있는 효과가 있다.
부호 32는 상기 에어실린더(11)의 하단부에 그 일단부가 설치된 판상체로서, 판상체(32)의 타단부는 측방 기체(基體)(3)에 접속되어 있다. 부호 36은 판상체 (32)의 중앙부분에 천설(穿設)된 관통구멍이고, 관통구멍(36)에서 상기 지지베이스판(13)에 연결부재(30)를 매개해서 입설(立設)된 가이드로드(38)를 삽입 통과시키고, 가이드로드(38)를 매개해서 지지베이스판(13)의 진동방지 작용을 수행하는 것이다. 또, 지지베이스판(13)의 진동방지를 행할 필요가 없으면, 연결부재(30), 관통구멍(36) 및 가이드로드(38)는 없어도 괜찮다.
또, 상기의 구성에 의한, 작동플로우를 도 6을 사용해서 설명한다. 도 6은, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치의 작동 플로우를 나타내는 플로우차트이다. 우선 웨이퍼 디마운트 장치(2)를 도시안한 기동(起動)수단을 온오프하는 것에 의하여 작동을 스타트시킨다.
상기 지지판(12)이 에어실린더(11)의 에어가 오프로 되는 것에 의하여 자체 무게로 강하를 개시한다(스텝 101). 이와 동시에 흡착수단(22a~22d)의 노즐로부터 물 등의 액체분사를 수행하는 것에 의하여, 노즐에 연통하는 배관(23)의 세정 및 최상층의 웨이퍼(W1)의 흡착위치의 세정을 수행한다(스텝 102).
지지판(12)의 하면에 설치된 웨이퍼 축압수단(20) 및 웨이퍼 흡착수단(22a~22d)이 최상층 웨이퍼(W1)에 접촉하면, 자체 무게에 의하여 강하해 있는 지지판(12)은 자동적으로 강하를 정지한다(스텝 103). 이 때, 웨이퍼 축압수단(20)에 의하여 웨이퍼의 정벽선축으로부터 시계방향 또는 반시계방향으로 각도 15°~75°, 바람직하게는 30°~60°, 더욱 바람직하게는 40°~50°, 가장 바람직하게는 45° 기울어진 축방향으로 최상층의 웨이퍼(W1)가 눌러진다.
또, 지지판(12)이 최상층 웨이퍼(W1)의 상면에 접촉해 있는 지 아닌 지를 검 지하는 센서를 설치해 두고, 지지판(12)의 최상층 웨이퍼(W1)에의 접촉을 검지하면, 센서로부터의 지령에 의하여 지지판(12)의 강하가 종료하도록 구성할 수 있다.
다음으로, 흡착수단(22a~22d)이 작동해서 최상층 웨이퍼(W1)의 상면 주변부를 흡착하고, 최상층 웨이퍼(W1)의 주연부를 상방으로 휘게 한다(스텝 104).
최상층 웨이퍼(W1)의 주연부와 접촉하는 하측의 웨이퍼(W2)의 주연부와의 사이에 형성된 간격 D (도 2 참조)에 대해서 유체분사수단(24)으로부터 물이 분사된다(스텝 105). 이 물 분사는, 웨이퍼에 부착해 있는 슬러리 등을 씻어 내어, 디마운트하기 쉽게 하는 것으로, 예컨대, 유량 0.5~1L/분 정도로, 1~2초 정도 물을 분사하면 바람직하다.
다음으로, 최상층 웨이퍼(W1)의 주연부와 접촉하는 하측의 웨이퍼(W2)의 주연부와의 사이에 형성된 간격 D(도 2 참조)에 대해서 유체분사수단(24)으로부터 공기가 분사된다(스텝 106). 이 공기 분사는, 상기 물 분사에 따른 물을 취승시키고, 디마운트할 때 물의 표면장력이 작용하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 예를 들면, 유량 10~30L/분 정도로, 2~3초 정도 공기를 분사하면 바람직하다.
이렇게 해서, 최상층 웨이퍼(W1)와 접촉하는 하측 웨이퍼(W2)와의 사이의 표면장력은 극히 낮게 되고, 용이하게 이간되어 얻을 수 있는 상태로 된다. 그리고, 지지판(12)을 흡착수단(22a~22d)에 최상층 웨이퍼(W1)를 흡착한 채로 살며시 상승시킨다(스텝 107). 이 때, 지지판(12)은 수평방향에서 경사지게 하면서 상승시키기 때문에, 물의 표면장력의 영향은 더욱 저감된다. 이 최상층 웨이퍼(W1)의 상승개시와 동시에 유체분사는 정지한다.
지지판(12)은 상한까지 이동한다(스텝 108). 그리고, 흡착수단(22a~22d)에 흡착된 최상층 웨이퍼는 진공흡착이 해제되어, 로봇 아암 등의 적의 수단에 의하여 다음 공정으로 반송된다(스텝 109). 여기까지에서 웨이퍼 디마운트 장치(2)의 작동의 1사이클은 종료한다.
다음으로, 도 7~도 10에 기초하여, 상기 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치를 사용한 본 발명의 웨이퍼 디마운트 이송기의 구성에 대하여 설명한다. 도 7은, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 이송기를 정면측으로부터 나타낸 정면설명도이다. 도 8은, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 이송기를 배면측으로부터 나타낸 배면설명도이다. 도9는, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 이송기를 부호 X-X'의 단면에서 나타낸 평면 단면설명도이다. 도 10은, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 이송기를 부호 Y-Y'의 단면에서 나타낸 측면 단면설명도이다.
도면 중, 부호 40은, 본 발명에 따른 웨이퍼 디마운트 이송기이다. 웨이퍼 디마운트 이송기(40)는 광체(筐體)(41)를 가지고, 광체(41)의 내부에 이하에 설명하는 기기를 구비 부착해서 된 것이다. 광체(41)는 조작 패널(46), 지지각(脚)(110) 및 코스터 (111)를 구비한다.
광체(41)의 내부 천정 부분으로부터 지지대(45)가 수설되어 있고, 지지대(45)에는 수평방향으로 레일(44)이 형성되어 있다. 레일(44)을 따라서 접동(摺動)자재로 베이스바디(42)가 설치되어 있고, 베이스바디(42)의 좌우양단의 하단부분부터 에어실린더 (11), (11)가 수설되고, 가동부재(실린더로드)(10), (10)의 하단에, 상기 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치(2)로 되는 웨이퍼 디마운트 수단(2A), (2B) 이 설치되어 있다.
광체(41)의 내부 정면측 중심부분에는, 처리대상으로 되는 웨이퍼 적층체를 보지하는 웨이퍼 적층체 보지수단(64)이 설치되고, 웨이퍼 적층체 보지수단(64)은 웨이퍼 적층체를 위치 결정지어서 보지하기 위한 복수개의 보지봉(66)을 구비한다. 웨이퍼 적층체 보지수단(64)을 둘러싸고 있는 용기(68)는, 상방이 개방되어 있고, 또한, 전방측(정면측)은 개폐 자재한 개폐문(61)으로 되어 있다(도 9 및 도 10 참조). 문(61)은, 손잡이(61a)를 가지고, 경첩(61b)를 매개해서 개폐자재로 된다. 또한, 용기(68)는 바닥에 배수공(62)을 구비하고, 웨이퍼를 씻어낸 물을 배출할 수 있게 되어 있다.
웨이퍼 적층체 보지수단(64)은 하부에 있어서, 승강자재한 가동봉(65)과 접속되어 있다. 가동봉(65)은 나사샤프트(64)와 부합하는 부합부재(67)에 접속되어 있고, 나사샤프트(64)는 모터(69)에 의하여 전동벨트 및 풀리를 매개해서, 회전구동될 수 있도록 되어 있다. 따라서, 나사샤프트(64)를 정전(正轉)구동 또는 역전(逆轉)구동하는 것에 의해 부합부재(67)와 함께 가동봉(65)이 상승 또는 하강된다. 이에 따라, 웨이퍼 적층체 보지수단(64)에 재치되어 있는 웨이퍼 장수의 다과(多寡)에 의하여, 웨이퍼 디마운트 수단(2A), (2B)에 의한 웨이퍼 디마운트가 수행하기 쉬운 위치까지, 웨이퍼 적층체 보지수단(64)의 상하위치를 조정할 수 있다.
부호 50a, 50b는 웨이퍼 이송수단이고, 웨이퍼 이송수단(50a), (50b)은, 대체로, 곱자형 박판모양 플레이트 부재(51)와 그 선단부에 흡착부(53)를 구비한다. 플레이트부재(51)는 축(軸)길이 방향으로 180° 회전가능하게 되어 있다. 또, 웨이 퍼 이송수단(50a), (50b)은, 플레이트부재(51)를 전방측(정면측) 또는 후방측(배면측)에 수평방향으로 살며시 왕복운동시키는 왕복운동기구(54)를 구비한다. 왕복운동기구(54)는, 길이방향으로 레일(55)을 구비하고, 레일(55)을 접동자재하게 슬라이드부재(52)가 설치되어 있고, 슬라이드부재(52)와 플레이트부재(51)가 연결되어 있다.
이러한 구성에 의하여, 웨이퍼 이송수단(50a), (50b)은, 흡착부(53)에서 웨이퍼 디마운트 수단(2A), (2B)으로부터 웨이퍼를 받아서 흡착하고, 여기서 흡착한 채로 180° 반전하고, 그 후, 웨이퍼 수납카세트(C)까지 이동해서, 웨이퍼의 흡착을 해제하고, 웨이퍼 수납카세트에 웨이퍼 디마운트 수단(2A), (2B)에 의하여 디마운트된 웨이퍼를 이송할 수 있다.
또, 웨이퍼 이송수단(50)의 하방에는, 수납 용기(56)가 구비되어 있다. 예를 들면, 웨이퍼 디마운트 수단(2A), (2B)에서 디마운트된 웨이퍼를 웨이퍼 이송수단(50a), (50b)에서 수취할 때에 웨이퍼가 갈라져 낙하하는 경우 등에, 낙하한 웨이퍼를 여기서 수납할 수 있게 되어 있다. 또한, 수납용기(56)에도 배수공(58)이 설치되어, 여분의 물 등은 여기로 배출된다.
부호 70은 웨이퍼 수납 카세트 재치수단이고, 양측 면에 측판(72)을 구비하고, 측판(72)으로부터 외방으로 돌출한 지지아암(76)에 카세트 재치판(77)이 설치되어 있다. 그리고, 이 카세트 재치판(77)의 웨이퍼 수납카세트 C1, C2, C3, C4가 재치되어 있다. 또, 웨이퍼 수납카세트 C1, C2, C3, C4는, 웨이퍼를 한 장 마다 수납하는 선반부를 수십단 구비하고 있다.
웨이퍼 수납카세트 재치수단(70)은, 상하 동기구(90)에 의하여 상하 동자재로 된다. 상하 동기구(90)는 나사샤프트(94)와, 나사샤프트(94)를 살며시 회전구동시키는 모터(92)와, 나사샤프트(94)를 따라서 양측에 설치된 레일(95)과, 나사샤프트(94)에 부합하고 또 레일(95)을 접동자재하는 부합부재(96)를 가지고, 웨이퍼 수납카세트 재치수단(70)은 부합부재(96)와 연결되어 있다. 따라서, 나사샤프트(94)를 정전구동 또는 역전구동하는 것에 의하여 부합부재(96)가 상승 또는 하강하면, 웨이퍼 수납카세트 재치수단(70)도 상승 또는 하강하는 것으로 된다. 또, 측판(72)의 하단부에 침지조(80)의 내측면을 접동하기 쉽도록 차륜(74)을 설치하는 것이 바람직하다.
또한, 웨이퍼 수납 카세트 재치수단(70)이 최하방에 위치한 경우에, 모든 웨이퍼 수납 카세트 C1, C2, C3, C4가 액 중에 침지된 상태로 되도록 침지조(80)가 설치되어 있다. 침지조(80)에는 순수한 물이나 약액 등을 가득 채워두면, 웨이퍼의 오염방지나 세정 등의 처리도 행할 수 있어 편리성이 높다. 배관(82)은 침지조(80)에 순수한 물이나 약액 등을 왕수 혹은 배수하기 위한 것이다.
이러한 구성의 본 발명의 웨이퍼 디마운트 이송기의 작동을 이하에서 설명한다. 또, 초기상태에서는, 웨이퍼 수납 카세트 재치수단(70)은 최상방의 위치(침지조(80)에 침지되지 않는 위치)에 배치되어 있다.
① 우선, 웨이퍼 디마운트 수단(2A)에 의하여, 웨이퍼 적층체 보지수단(64)으로 보지되어 있는 웨이퍼 적층체로부터 최상층의 웨이퍼를 흡착하여 디마운트한다(도 6의 S101부터 S108까지).
② 웨이퍼 디마운트 수단(2A)은 웨이퍼를 흡착한 상태에서 일시 대기하고, 베이스바디(42)가 레일(44)을 따라서 웨이퍼 이송수단(50a)의 방향으로 슬라이드하고, 웨이퍼 디마운트 수단(2A)에서 흡착되어 있는 웨이퍼를 웨이퍼 이송수단(50a)의 흡착부(53)의 상방 근처까지 이동한다.
③ 웨이퍼 디마운트 수단(2A)에 있는 웨이퍼의 흡착을 해제하고(도 6의 S109), 웨이퍼 이송수단(50a)의 흡착부(53)에서 흡착한다. 흡착부(53)에서 웨이퍼를 흡착한 채로 플레이트 부재(51)를 180° 반전한다. 즉, 흡착부(53)가 상면측에 있는 상태부터 하면측에 있는 상태까지 회전한다.
④ 한편, 상기 ③의 사이에, 웨이퍼 디마운트 수단(2B)에 의하여, 웨이퍼 적층체로부터 최상층의 웨이퍼를 흡착하여 디마운트한다(도 6의 S101부터 S108까지).
⑤ 웨이퍼 디마운트 수단(2B)은 웨이퍼를 흡착한 채로 일시 대기하고, 베이스바디(42)가 레일(44)을 따라서 웨이퍼 이송수단(50b)의 방향으로 슬라이드하고, 웨이퍼 디마운트 수단(2B)에서 흡착해 있는 웨이퍼를 웨이퍼 이송수단(50b)의 흡착부(53)의 상방 근처까지 이동한다.
⑥ 웨이퍼 디마운트 수단(2B)에 있어서 웨이퍼의 흡착을 해제하고(도 6의 S109), 웨이퍼 이송수단(50b)의 흡착부(53)에서 흡착한다. 흡착부(53)에서 웨이퍼를 흡착한 채로 플레이트 부재(51)를 180° 반전한다. 즉, 흡착부(53)가 상면측에 있는 상태부터 하면측에 있는 상태까지 회전한다.
⑦ 상기 ⑥의 사이에, 웨이퍼 이송수단(50a)은, 흡착부(53)의 하면측에 있는 상태에서 웨이퍼를 흡착한 채, 레일(55)을 따라서 웨이퍼 수납카세트(C1)의 정면 근방까지 슬라이드하고, 플레이트 부재(51)의 선단부분을 웨이퍼 수납카세트(C1)의 소정의 선반부로 삽입하고, 거기서 흡착부(53)에 의한 웨이퍼의 흡착을 해제하고, 웨이퍼를 웨이퍼 수납카세트(C1)의 소정의 선반부에 이송한다. 이와 함께, 웨이퍼 디마운트 장치(2A)에는, 다시 상기 ①과 동일하게 해서, 웨이퍼 적층체로부터 최상층의 웨이퍼를 흡착하여 디마운트한다.
⑧ 상기 ②와 동일하게, 웨이퍼 디마운트 수단(2A)은 웨이퍼를 흡착한 채로 일시 대기하고, 베이스바디(42)가 레일(44)을 따라서 웨이퍼 이송수단(50a)의 방향으로 슬라이드하고, 웨이퍼 디마운트 수단(2A)에서 흡착하고 있는 웨이퍼를 웨이퍼 이송수단(50a)의 흡착부(53)의 상방 근처까지 이동한다.
⑨ 상기 ③과 동일하게, 웨이퍼 디마운트 수단(2A)에 있어서 웨이퍼의 흡착을 해제하고(도 6의 S109), 웨이퍼 이송수단(50a)의 흡착부(53)에서 흡착한다. 흡착부(53)에서 웨이퍼를 흡착한 채로 플레이트 부재(51)를 180° 반전한다. 즉, 흡착부(53)가 상면측에 있는 상태로부터 하면측에 있는 상태로 회전한다.
⑩ 상기 ⑨의 사이에, 웨이퍼 이송수단(50b)은, 흡착부(53)가 하면측에 있는 상태에서 웨이퍼를 흡착한 채, 레일(55)을 따라서 웨이퍼 수납 카세트(C2)의 정면 근방까지 슬라이드하고, 플레이트부재(51)의 선단부분을 웨이퍼 수납 카세트(C2)의 소정의 선반부에 삽입하고, 거기서 흡착부(53)에 의한 웨이퍼의 흡착을 해제하고, 웨이퍼를 웨이퍼 수납 카세트(C2)의 소정의 선반부에 이송한다. 이와 동시에, 웨이퍼 디마운트 수단(2B)에서는, 다시 상기 ④와 동일하게 해서, 웨이퍼 적층체로부터 최상층의 웨이퍼를 흡착하여 디마운트한다.
⑪ 웨이퍼 수납 카세트(C1), (C2)의 웨이퍼가 이송되는 소정의 선반부가 한단 올라가도록 웨이퍼 수납 카세트 이송수단(70)을 하방으로 이송한다.
이후, 순차 이것을 되풀이하는 것에 의하여, 차차로 웨이퍼 적층체로부터 디마운트한 웨이퍼를 웨이퍼 수납 카세트 C1, C2, C3, C4에 이송할 수 있다.
또, 상기 본 발명의 웨이퍼 디마운트 이송기의 설명에서는, 본 발명의 웨이퍼 디마운트 장치(2)로 되는 웨이퍼 디마운트 수단(2A), (2B)을 2대 구비하고, 이것에 대응해서 웨이퍼 이송수단(50a), (50b) 등도 2대 구비하는 경우를 처리능력이나 장치의 간편함의 점에서 바람직한 예로 나타내고 있지만, 처리능력보다도 소형화를 도모하는 경우는 1대로도 좋으며, 처리능력을 올리고 싶은 경우는 3대 이상 구비해도 좋은 것은 말할 필요도 없다.
이상 설명한 것처럼, 본 발명에 의하면, 보다 안전하고 간편하며 또한 확실하게 웨이퍼를 디마운트시킬 수 있고, 게다가 웨이퍼의 디마운트를 수행하는 처리속도의 향상을 도모할 수 있는 웨이퍼 디마운트 방법, 웨이퍼 디마운트 장치 및 그 웨이퍼 디마운트 장치를 사용한 웨이퍼 이송기를 제공할 수 있는 것을 큰 효과로 들 수 있다.

Claims (18)

  1. 다수 장 또는 복수 장의 웨이퍼가 적층된 웨이퍼 적층체로부터 최상층의 웨이퍼를 디마운트하는 웨이퍼 디마운트 방법으로서, 상기 최상층의 웨이퍼의 정벽선축으로부터 시계방향 또는 반시계방향으로 각도 15°~75° 기울어진 축방향에서 상기 최상층의 웨이퍼를 누르는 것과 동시에, 상기 최상층의 웨이퍼의 굴곡응력이 상기 축방향으로 생기도록, 상기 최상층의 웨이퍼의 주연부를 상방으로 휘게 하면서, 상기 최상층의 웨이퍼의 하면과 인접하는 하측의 웨이퍼의 상면과의 사이에 유체를 취입하고 동시에 상기 최상층의 웨이퍼를 살며시 상승시켜서, 웨이퍼를 디마운트하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 정벽선축으로부터 시계방향 또는 반시계방향으로 기울어진 축방향의 각도는, 30°~60°인 것을 특징으로 웨이퍼 디마운트 방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 최상층의 웨이퍼를 살며시 상승시켜서 디마운트할 때, 상기 최상층의 웨이퍼를 수평방향에서 경사지게 하면서 살며시 상승시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 방법.
  4. 다수 장 또는 복수 장의 웨이퍼가 적층된 웨이퍼 적층체로부터 최상층의 웨이퍼를 디마운트하는 웨이퍼 디마운트 장치로서, 상하 동자재로 설치된 지지판과, 상기 지지판의 하면에 설치된 웨이퍼 축압수단과, 상기 지지판의 하면 주변부에 설치되고, 상기 최상층의 웨이퍼의 상면 주변부의 서로 대향하는 1대 이상의 흡착위치를 흡착하는 웨이퍼 흡착수단과, 상기 웨이퍼 흡착수단에 대응해서 그 외방에 설치된 유체분사수단을 가지고, 상기 웨이퍼 축압수단에 의하여, 상기 최상층의 웨이퍼의 정벽선축으로부터 시계방향 또는 반시계방향으로 각도 15°~75° 기울어진 축방향에서 상기 최상층의 웨이퍼를 누르는 것과 동시에, 상기 최상층의 웨이퍼의 굴곡응력이 상기 축방향으로 생기도록, 상기 웨이퍼 흡착수단에 의한 상기 최상층의 웨이퍼의 상면 주변부이고 웨이퍼의 중심부를 매개해서 서로 대향하는 1대 이상의 흡착위치를 흡착하고, 상기 최상층의 웨이퍼의 주연부를 1대 이상의 흡착위치에서 상방으로 휘게 하면서, 상기 최상층의 웨이퍼의 하면과 인접하는 하측의 웨이퍼의 상면과의 사이에 상기 유체분사수단에 의하여 유체를 취입하고 동시에 상기 최상층의 웨이퍼를 살며시 상승시키고, 웨이퍼를 디마운트하도록 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 정벽선축으로부터 시계방향 또는 반시계방향으로 기울어진 축방향의 각도는, 30°~60°인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 장치.
  6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 웨이퍼 축압수단은, 상기 지지판의 하면에 일방향으로 병설된 복수의 웨이퍼 누름부재로 되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 장치.
  7. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 웨이퍼 축압수단은, 상기 지지판의 하면에 설치된 일방향의 장척(長尺)의 웨이퍼 누름부재로 되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 장치.
  8. 제 4항 내지 제 7항의 어느 하나의 항에 있어서, 상기 웨이퍼 흡착수단을 2대 이상 설치하고, 최상층의 웨이퍼의 상면 주변부이고 웨이퍼의 중심부를 매개해서 서로 대향하는 2대 이상의 흡착위치를 흡착하고, 상기 최상층의 웨이퍼 주연부를 2대 이상의 흡착위치에서 상방으로 휘게 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 장치.
  9. 제 4항 내지 제 8항의 어느 하나의 항에 있어서, 상기 지지판을 십자형상, X 자형상 혹은 エ자형상으로 형성하고, 상기 지지판의 하면주변부에, 상기 웨이퍼 흡착수단을 설치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 장치.
  10. 제 4항 내지 제 9항의 어느 하나의 항에 있어서, 상기 지지판은, 상방 이동시에 수평방향에서 경사지도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 장치.
  11. 제 4항 내지 제 10항의 어느 하나의 항에 있어서, 상기 유체는 물 및/또는 공기인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 장치.
  12. 제 4항 내지 제 11항의 어느 하나의 항에 있어서, 상기 유체는 물 및 공기이고, 물 및 공기를 소정시간에서 절환해서 취입하도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 장치.
  13. 제 4항 내지 제12항의 어느 하나의 항에 있어서, 상기 웨이퍼 흡착수단이 액체분사기능을 구비한 진공흡착노즐이고, 상기 진공흡착노즐로부터 액체를 분사하 고, 상기 웨이퍼 적층체의 최상층의 웨이퍼의 흡착위치를 세정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트장치.
  14. 제 4항 내지 제 13항의 어느 하나의 항에 있어서, 상기 웨이퍼 흡착수단이 액체 분사기능을 구비한 진공흡착노즐이고, 상기 진공흡착노즐로부터 액체를 분사하고, 상기 진공흡착노즐에 연통하는 배관을 세정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 장치.
  15. 제 4항 내지 제 14항의 어느 하나의 항에 있어서, 상기 웨이퍼 흡착수단이 액체분사기능을 구비한 진공흡착노즐이고, 상기 진공흡착노즐로부터 액체를 분사하고, 상기 웨이퍼 흡착수단이 웨이퍼 표면상에서 일시적으로 하블링하도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 장치.
  16. 제 4항 내지 제 14항의 어느 하나의 항에 기재된 웨이퍼 디마운트 장치로부터 1대 이상의 웨이퍼 디마운트 수단과, 다수장 또는 복수장의 웨이퍼가 적층된 웨이퍼 적층체를 보지하는 웨이퍼 적층체 보지수단과, 상기 웨이퍼 디마운트 수단에 의하여 디마운트된 웨이퍼를 수취하고, 상기 웨이퍼를 웨이퍼 수납카세트에 이송하 는 웨이퍼 이송수단과, 상기 웨이퍼 수납카세트가 재치되는 상하 동자재인 웨이퍼 수납카세트 재치수단을 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 이송기.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 웨이퍼 디마운트 수단을 2대 구비하고, 상기 웨이퍼 디마운트 수단에 대응해서, 상기 웨이퍼 이송수단 및 상기 웨이퍼 수납카세트 재치수단을 가지고, 일방의 그 웨이퍼 디마운트수단이 웨이퍼 디마운트 동작을 수행하는 사이에, 타방의 상기 웨이퍼 디마운트 수단에서는 상기 웨이퍼 이송수단으로 디마운트한 웨이퍼를 인도하는 동작을 행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 이송기.
  18. 제 16항 또는 제 17항에 있어서, 상기 웨이퍼 수납 카세트 재치수단이 최하방에 위치한 경우에, 상기 웨이퍼 수납카세트가 액 중에 침지된 상태로 되도록 침지조를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 디마운트 이송기.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190036582A (ko) * 2017-09-27 2019-04-05 삼성디스플레이 주식회사 시트 이송 장치 및 이를 이용한 시트 이송 방법

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2861734B1 (fr) 2003-04-10 2006-04-14 Corneal Ind Reticulation de polysaccharides de faible et forte masse moleculaire; preparation d'hydrogels monophasiques injectables; polysaccharides et hydrogels obtenus
JP2007115600A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Toyota Motor Corp 燃料電池用セパレータ並びにその搬送方法及び搬送装置
CN100343735C (zh) * 2006-01-24 2007-10-17 旭东机械(昆山)有限公司 取料装置
NO324488B1 (no) * 2006-03-13 2007-10-29 Rec Scanwafer As Metode og anordning for a separere wafere fra en stabel med wafere
JP2010045057A (ja) * 2006-12-06 2010-02-25 Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd 液中ウェハ単離方法及び液中ウェハ単離装置
EP2122676B1 (en) * 2006-12-19 2013-02-27 REC Wafer Pte. Ltd. Method and device for separation of silicon wafers
JP4704365B2 (ja) * 2007-01-12 2011-06-15 オリジン電気株式会社 物品載置装置
DE102007020864A1 (de) * 2007-05-02 2008-11-06 Scolomatic Gmbh Flächengreifereinheit
US20080293637A1 (en) 2007-05-23 2008-11-27 Allergan, Inc. Cross-linked collagen and uses thereof
US8318695B2 (en) 2007-07-30 2012-11-27 Allergan, Inc. Tunably crosslinked polysaccharide compositions
US8697044B2 (en) 2007-10-09 2014-04-15 Allergan, Inc. Crossed-linked hyaluronic acid and collagen and uses thereof
SI2818184T1 (sl) 2007-11-16 2019-03-29 Aclaris Therapeutics, Inc. Sestava in postopki za zdravljenje purpure
US8394782B2 (en) 2007-11-30 2013-03-12 Allergan, Inc. Polysaccharide gel formulation having increased longevity
US8394784B2 (en) 2007-11-30 2013-03-12 Allergan, Inc. Polysaccharide gel formulation having multi-stage bioactive agent delivery
DE102007061410A1 (de) * 2007-12-11 2009-06-18 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zum Vereinzeln von Wafern von einem Waferstapel
CA2711266A1 (en) * 2008-01-24 2009-07-30 Brewer Science Inc. Method for reversibly mounting a device wafer to a carrier substrate
US8357795B2 (en) 2008-08-04 2013-01-22 Allergan, Inc. Hyaluronic acid-based gels including lidocaine
AU2009288118B2 (en) 2008-09-02 2014-12-11 Allergan, Inc. Threads of hyaluronic acid and/or derivatives thereof, methods of making thereof and uses thereof
JP5293443B2 (ja) * 2009-06-18 2013-09-18 富士電機株式会社 フィルム基板の移載装置
JP2011061120A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Sumitomo Metal Fine Technology Co Ltd ウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置
JP5278247B2 (ja) * 2009-08-28 2013-09-04 旭硝子株式会社 ガラス基板用スペーサ分離装置及びガラス基板の製造方法
JP5464696B2 (ja) * 2009-12-14 2014-04-09 三益半導体工業株式会社 液中ウェーハ単離方法及び液中ウェーハ単離装置
US20110172180A1 (en) 2010-01-13 2011-07-14 Allergan Industrie. Sas Heat stable hyaluronic acid compositions for dermatological use
US9114188B2 (en) 2010-01-13 2015-08-25 Allergan, Industrie, S.A.S. Stable hydrogel compositions including additives
EP2544652A2 (en) 2010-03-12 2013-01-16 Allergan Industrie SAS A fluid composition comprising a hyaluronan polymer and mannitol for improving skin condition.
HUE043344T2 (hu) 2010-03-22 2019-08-28 Allergan Inc Térhálósított hidrogélek lágy szövet növelésére
US8852391B2 (en) * 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
CN101870415B (zh) * 2010-07-22 2011-12-28 吴双利 一种分离拾取平板镜片的方法及其装置
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
US8883139B2 (en) 2010-08-19 2014-11-11 Allergan Inc. Compositions and soft tissue replacement methods
US8889123B2 (en) 2010-08-19 2014-11-18 Allergan, Inc. Compositions and soft tissue replacement methods
US8697057B2 (en) 2010-08-19 2014-04-15 Allergan, Inc. Compositions and soft tissue replacement methods
US9005605B2 (en) 2010-08-19 2015-04-14 Allergan, Inc. Compositions and soft tissue replacement methods
CN102001522B (zh) * 2010-09-22 2015-11-25 霍秀荣 吸附式板材提取机构
CN102689806A (zh) * 2011-03-24 2012-09-26 代芳 一种防止取放块状物体时相叠的技术与装置
JP2012223860A (ja) * 2011-04-20 2012-11-15 Murata Machinery Ltd 吸引チャック、及びそれを備えたワークの移載装置
FR2975627A1 (fr) * 2011-05-24 2012-11-30 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de decollement de substrat avec detection d'obstacles
CN102800559B (zh) * 2011-05-24 2016-04-20 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 从料盒中取晶片的装置、晶片上料设备和晶片上料系统
US9393263B2 (en) 2011-06-03 2016-07-19 Allergan, Inc. Dermal filler compositions including antioxidants
RU2624239C2 (ru) 2011-06-03 2017-07-03 Аллерган, Инк. Составы кожного наполнителя, включая антиоксиданты
US9408797B2 (en) 2011-06-03 2016-08-09 Allergan, Inc. Dermal filler compositions for fine line treatment
US20130096081A1 (en) 2011-06-03 2013-04-18 Allergan, Inc. Dermal filler compositions
JP2013033925A (ja) * 2011-07-01 2013-02-14 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム
US20130244943A1 (en) 2011-09-06 2013-09-19 Allergan, Inc. Hyaluronic acid-collagen matrices for dermal filling and volumizing applications
US9662422B2 (en) 2011-09-06 2017-05-30 Allergan, Inc. Crosslinked hyaluronic acid-collagen gels for improving tissue graft viability and soft tissue augmentation
JP5930156B2 (ja) * 2011-11-10 2016-06-08 株式会社Ihi 薄板状ワーク搬送装置及び薄板状ワーク搬送方法
JP5708892B2 (ja) * 2012-08-27 2015-04-30 日産自動車株式会社 シート材の接着剤塗布方法
EP3083459B1 (en) * 2013-12-19 2020-09-23 Short Brothers Plc Fabric positioning apparatus
JP6378530B2 (ja) * 2014-05-03 2018-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 フィルム吸着機構
ES2761558T3 (es) 2014-09-30 2020-05-20 Allergan Ind Sas Composiciones de hidrogel estables que incluyen aditivos
US9324566B1 (en) 2014-12-31 2016-04-26 International Business Machines Corporation Controlled spalling using a reactive material stack
WO2016128783A1 (en) 2015-02-09 2016-08-18 Allergan Industrie Sas Compositions and methods for improving skin appearance
CN106783713A (zh) * 2015-11-20 2017-05-31 环维电子(上海)有限公司 Sip模组的制造、拾取方法和设备及emi电磁屏蔽层制造方法
CN107665848B (zh) * 2016-07-29 2020-08-25 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种解键合调平装置及解键合方法
KR102559647B1 (ko) * 2016-08-12 2023-07-25 삼성디스플레이 주식회사 기판 연마 시스템 및 기판 연마 방법
US10781056B2 (en) * 2016-12-22 2020-09-22 General Electric Company Adaptive apparatus and system for automated handling of components
US10773902B2 (en) * 2016-12-22 2020-09-15 General Electric Company Adaptive apparatus and system for automated handling of components
US10068787B2 (en) * 2016-12-30 2018-09-04 Sunpower Corporation Bowing semiconductor wafers
JP7167944B2 (ja) * 2017-12-26 2022-11-09 日本電産リード株式会社 搬送装置
CN109037109A (zh) * 2018-08-03 2018-12-18 德淮半导体有限公司 一种半导体设备及清洗晶圆的方法
US10695952B2 (en) * 2018-09-19 2020-06-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Cutting apparatus with auto chuck cleaning mechanism
CN109795759A (zh) * 2019-01-29 2019-05-24 惠州市华星光电技术有限公司 面板解包装置及面板解包方法
JP7147678B2 (ja) * 2019-05-08 2022-10-05 トヨタ自動車株式会社 移載方法
US11538698B2 (en) 2019-09-27 2022-12-27 Globalwafers Co., Ltd. Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures
JP7309191B2 (ja) * 2019-11-06 2023-07-18 中村留精密工業株式会社 ウェハー分割装置
CN111469046B (zh) * 2020-04-22 2020-12-29 华海清科股份有限公司 一种晶圆装载杯
CN113488425B (zh) * 2021-07-01 2022-06-17 杭州中为光电技术有限公司 脱胶插片机及硅片加工方法
CN113942713B (zh) * 2021-10-19 2023-04-14 东莞联鹏智能装备有限公司 取料方法、取料装置及贴料设备
CN114180370B (zh) * 2021-12-10 2024-03-19 浙江瑞峰智能物联技术有限公司 一种裁片拾取装置及裁片拾取方法
CN114772332B (zh) * 2022-06-21 2022-09-30 赫比(成都)精密塑胶制品有限公司 堆叠金属薄片分片机械臂及分片方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0964152A (ja) * 1995-08-24 1997-03-07 Mimasu Handotai Kogyo Kk ウェーハ単離装置
US5690749A (en) * 1996-03-18 1997-11-25 Motorola, Inc. Method for removing sub-micron particles from a semiconductor wafer surface by exposing the wafer surface to clean room adhesive tape material
JP2832184B2 (ja) * 1996-08-08 1998-12-02 直江津電子工業株式会社 シリコン半導体デスクリート用ウエハの製造方法
SG68035A1 (en) * 1997-03-27 1999-10-19 Canon Kk Method and apparatus for separating composite member using fluid
JP2001114434A (ja) * 1999-10-15 2001-04-24 Sharp Corp 積重薄板の分離装置および方法
AU2002349422A1 (en) * 2002-12-05 2004-06-23 Mimasu Semiconductor Industory Co., Ltd. Wafer separation apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190036582A (ko) * 2017-09-27 2019-04-05 삼성디스플레이 주식회사 시트 이송 장치 및 이를 이용한 시트 이송 방법

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