CN106783713A - Sip模组的制造、拾取方法和设备及emi电磁屏蔽层制造方法 - Google Patents

Sip模组的制造、拾取方法和设备及emi电磁屏蔽层制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种SIP模组的制造方法、拾取方法和设备及EMI电磁屏蔽层制造方法。SIP模组的拾取方法用于拾取被双面胶固定在承载盘上表面的SIP模组，包括步骤：吸盘下降至与SIP模组的上表面接触；吸盘真空吸附SIP模组的上表面；空气顶针上升至与承载盘的下表面接触，空气顶针遮罩住承载盘的通孔，使SIP模组的下表面、通孔以及空气顶针形成一密闭空间；从空气顶针的中空结构向密闭空间内喷射压缩空气，且作用于SIP模组的下表面，使SIP模组与双面胶的粘合松动；吸盘上升拾取SIP模组。利用本发明的方法及设备可以得到表面焊点不会被污染且不会受损的SIP模组，并且本发明可以有效提高SIP模组的生产效率。

Description

SIP模组的制造、拾取方法和设备及EMI电磁屏蔽层制造方法
技术领域
本发明涉及SIP模组的制造领域，尤指一种SIP模组的制造、拾取方法和设备及EMI电磁屏蔽层制造方法。
背景技术
随着科学技术的发展，现在的电子设备逐渐趋于轻薄短小，这要求电路组件与线路的分布密度过高，很多的组件挤在很小的空间中，这增加了组件之间相互干扰的机会，其中又以电磁干扰(ElectromagneticInterference，EMI)及噪声最令人困扰。本领域的技术人员为解决上述技术问题，发明了一种集成电路基板的电磁干扰屏蔽结构，利用溅镀的方式直接在集成电路基板上形成区块隔间，从而有效预防电磁干扰以及噪声。
SIP(System In a Package，系统包装)封装主要是将不同组件内藏于多功能基板中，达到功能整合的目的。不同的芯片排列方式，与不同的内部接合技术搭配，使SIP的封装型态产生多样化的组合，并可依照客户或产品的需求加以客制化或弹性生产。为避免在溅镀过程中将溅镀材料喷射到SIP模组具有焊点的一面，本领域的技术人员会在溅镀过程前在SIP模组具有焊点的一面上涂一层INK保护层，溅镀过程结束后再将INK保护层洗掉，同时也可以把溅镀过程中喷射到INK保护层上的溅镀材料洗掉。这种方法虽然可以保护SIP模组的焊点不受到损坏，但是，这种方法的操作过程复杂，效率低，不适合大批量生产。
因此，本申请人致力于提供一种SIP模组的制造方法、拾取方法和设备及EMI电磁屏蔽层制造方法，从而得到一种焊点不会被污染以及不会受损的SIP模组，并且提高了SIP模组的生产效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种SIP模组的制造方法、拾取方法和设备及EMI电磁屏蔽层制造方法，从而得到焊点不会被污染以及不会受损的SIP模组，并且提高了SIP模组的生产效率。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种SIP模组的拾取方法，用于拾取被双面胶固定在承载盘上表面的所述SIP模组，包括步骤：
吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触；
吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；
空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；
从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；
所述吸盘上升拾取所述SIP模组。
本发明的SIP模组的拾取方法通过向SIP模组喷射压缩空气，使SIP模组与双面胶的粘合松动，从而有效拾取用双面胶固定在承载盘上的SIP模组，且压缩空气不仅会吹掉SIP模组下表面上的杂质，避免SIP模组上的焊点受到污染，而且会有效避免SIP模组上的焊点受到损伤。
优选地，所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。
这此条件下，本发明的拾取方法会达到较好的拾取效果。
优选地，所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。
这此条件下，本发明的拾取方法会达到较好的拾取效果。
优选地，所述拾取方法还包括步骤：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。
本发明还提供了一种SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，包括步骤：
用双面胶将SIP模组固定在设有通孔的承载盘的上表面，所述下表面为所述SIP模组具有焊点的表面，且所述焊点位于所述通孔的正上方且不与所述双面胶接触；
对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层；
吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触，吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；
空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；
从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；
所述吸盘上升拾取制造完成的上表面及四周具有EMI电磁屏蔽层且下表面无污染、无损伤的SIP模组。
由于SIP模组通过双面胶固定在承载盘上，这样SIP模组与承载盘之间的空间被双面胶有效填充，从而有效避免了在SIP模组上制造EMI电磁屏蔽层时，溅镀材料喷射到SIP模组的焊点上。
优选地，所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。
优选地，所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。
优选地，所述SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法还包括步骤：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。
本发明还提供了一种SIP模组的制造方法，包括步骤：
在PCB的上表面焊接SIP模组所需的芯片及主动元件、被动元件，所述PCB的下表面具有预留的焊点，制成SIP模组的PCBA；
对所述PCBA的上表面填胶，使胶覆盖所述PCBA上表面的芯片及主动元件、被动元件，而后使胶固化制成SIP模组；
用双面胶将SIP模组固定在设有通孔的承载盘的上表面，所述下表面为所述SIP模组具有焊点的表面，且所述焊点位于所述通孔的正上方且不与所述双面胶接触；
对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层；
吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触，吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；
空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；
从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；
所述吸盘上升拾取制造完成的下表面无污染、无损伤的SIP模组。
优选地，所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。
优选地，所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。
优选地，还包括步骤所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。
优选地，所述PCB、PCBA、胶固化制成的SIP模组是多联板PCB、多联板PCBA、多联板SIP模组；在进行金属溅镀步骤之前需要将多联板SIP模组切割成单颗的SIP模组。
本发明还提供了一种SIP模组的拾取设备，用于拾取被双面胶固定在承载盘上表面的所述SIP模组，包括：吸盘，设置在所述承载盘的上方，用于真空吸附所述SIP模组的上表面，拾取所述SIP模组；机械手臂，与所述吸盘连接，用于移动所述吸盘；空气顶针，设置在所述承载盘的下方；其中间设有供压缩空气通过的中空结构，用于喷射压缩空气；空气顶针移动机构，与所述空气顶针连接，用于使所述空气顶针正对所述承载盘的通孔；所述空气顶针移动机构还用于使所述空气顶针上升、下降至与所述承载盘的下表面接触、脱离。
其中，所述空气顶针在被所述空气顶针移动机构上升至与所述承载盘的下表面接触时，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；并从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；并由所述吸盘真空吸附、上升拾取所述SIP模组。
优选地，所述SIP模组的拾取设备还包括电磁阀和气缸；所述气缸与所述空气顶针连接，用于向所述空气顶针提供压缩空气；所述电磁阀设置在所述气缸和所述空气顶针之间，用于控制所述气缸喷射压缩空气。
其中，所述空气顶针在被所述空气顶针移动机构上升至与所述承载盘的下表面接触时，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；并从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；并由所述吸盘真空吸附、上升拾取所述SIP模组。
优选地，所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。
优选地，所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。
优选地，所述空气顶针上设有一’O’型圈，所述空气顶针上升时，所述’O’型圈与所述承载盘的下表面接触。
优选地，所述空气顶针的形状与尺寸足以遮罩住所述承载盘的通孔是指：所述’O’型圈的尺寸等于或大于所述通孔的尺寸，足以遮罩、并密封住所述通孔的底部。
所述SIP模组的拾取设备还包括空气顶针移动机构，空气顶针移动机构与所述空气顶针连接，用于使所述空气顶针正对所述承载盘的通孔；所述空气顶针移动机构还用于使所述空气顶针上升、下降至与所述承载盘的下表面接触、脱离。
其中，所述空气顶针在被所述空气顶针移动机构上升至与所述承载盘的下表面接触时，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；并从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；并由所述吸盘真空吸附、上升拾取所述SIP模组。
优选地，所述SIP模组还包括一承载盘传动机构，所述承载盘传动机构与所述承载盘连接，用于移动所述承载盘。
综上所述，本发明可以实现以下有益效果：
(1)本发明的SIP模组的拾取方法，通过从承载盘的通孔向SIP模组下表面喷射压缩空气，使SIP模组与双面胶的粘合松动，被吸嘴完全吸附，从而有效拾取用双面胶固定在承载盘上的SIP模组，且有效避免SIP模组的下表面上的焊点受到污染以及受到损伤。
(2)本发明的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，在对SIP模组进行溅镀前用双面胶将SIP模组具有焊点的一面固定在承载盘上，然后再对SIP模组进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层，双面胶有效填充了SIP模组与承载盘之间的空间，这样可以有效避免溅镀材料喷射到SIP模组的下表面造成污染。
(3)本发明的SIP模组的拾取设备，通过用空气顶针向用双面胶固定在承载盘上的SIP模组下表面喷射压缩空气，从而使其被吸嘴完全吸附，从而有效拾取SIP模组，且有效避免了SIP模组的焊点在拾取过程中受到损伤。
(4)本发明的SIP模组的拾取设备中的空气顶针通过一’O’型圈与承载盘的下表面接触，这样可以使二者的接触更为封闭，从而有效避免压缩空气在喷射过程中发生泄漏。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明：
图1是具体实施例的SIP模组的拾取方法的流程示意图；
图2是具体实施例的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法的流程示意图；
图3是具体实施例的SIP模组的制造方法的流程示意图；
图4是SIP模组的拾取设备的具体实施例1的结构示意图；
图5是SIP模组的拾取设备的具体实施例2的结构示意图；
图6是SIP模组的拾取设备的具体实施例3的结构示意图；
图7是承载盘的俯视图。。
附图标号说明：
A SIP模组 B 承载盘 B1 通孔
C 双面胶 1 机械手臂 2 吸盘
3 空气顶针 31 中空结构 4 空气顶针移动机构
5 电磁阀 6 气缸 7 ’O’型圈。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
如图1所示是具体实施例的SIP模组的拾取方法的流程示意图；参见图1，本具体实施例公开了一种SIP模组的拾取方法，用于拾取被双面胶固定在承载盘上表面的所述SIP模组，其特征在于，包括步骤：
步骤S10：吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触；
步骤S11：吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；
步骤S12：空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；
步骤S13：从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；
步骤S14：所述吸盘上升拾取所述SIP模组。
具体的，本实施例中的拾取方法还包括步骤S15：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。
在本实施例中，为达到较好的拾取效果，所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力，或者是所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。
其中，所述喷射的压缩空气压力使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力是指：
剩余粘合力<真空吸附力；
剩余粘合力+芯片自重<＝真空吸附力；
剩余粘合力<＝真空吸附力-芯片自重。
需要说明的是，在其他实施例中，空气顶针喷射的压缩空气压力大小可以根据实际需要设置，只要其能使SIP模组与双面胶的粘合松动即可。
图2是具体实施例的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法的流程示意图；参见图2，一种SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，包括：
步骤S20：用双面胶将SIP模组固定在设有通孔的承载盘的上表面，所述下表面为所述SIP模组具有焊点的表面，且所述焊点位于所述通孔的正上方且不与所述双面胶接触；
步骤S21：对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层；
步骤S22：吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触；
步骤S23：吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；
步骤S24：空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；
步骤S25：从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；
步骤S26：所述吸盘上升拾取制造完成的上表面及四周具有EMI电磁屏蔽层且下表面无污染、无损伤的SIP模组。
在本实施例中，为达到较好的拾取效果，所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力，或者是，所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。
需要说明的是，在其他实施例中，空气顶针喷射的压缩空气压力大小可以根据实际需要设置，只要其能使SIP模组与双面胶的粘合松动即可。
具体的，所述SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法还包括步骤S27：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。
图3是具体实施例的SIP模组的制造方法的流程示意图；参见图3，一种SIP模组的制造方法，包括步骤：
步骤S30：在PCB的上表面焊接SIP模组所需的芯片及主动元件、被动元件，所述PCB的下表面具有预留的焊点，制成SIP模组的PCBA；
步骤S31：对所述PCBA的上表面填胶，使胶覆盖所述PCBA上表面的芯片及主动元件、被动元件，而后使胶固化制成SIP模组；
步骤S32：用双面胶将SIP模组固定在设有通孔的承载盘的上表面，所述下表面为所述SIP模组具有焊点的表面，且所述焊点位于所述通孔的正上方且不与所述双面胶接触；
步骤S33：对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层；
步骤S34：吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触；
步骤S35：吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；
步骤S36：空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；
步骤S37：从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；
步骤S38：所述吸盘上升拾取制造完成的下表面无污染、无损伤的SIP模组。
在本实施例中，为达到较好的拾取效果，所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力，或者是，所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。
需要说明的是，在其他实施例中，空气顶针喷射的压缩空气压力的具体值可以根据实际需要设置，只要其能使SIP模组与双面胶的粘合松动即可。
具体的，SIP模组的制造方法还包括步骤S39：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。
在本具体实施例中，PCB、PCBA、胶固化制成的SIP模组是多联板PCB、多联板PCBA、多联板SIP模组。并且在进行金属溅镀步骤之前需要将多联板SIP模组切割成单颗的SIP模组。
本发明公开了一种SIP模组的拾取设备，用于拾取被双面胶固定在承载盘上表面的所述SIP模组。
图4是SIP模组的拾取设备的具体实施例1的结构示意图；如图4所示，在具体实施例1中，SIP模组的拾取设备包括：吸盘2，设置在承载盘B的上方，用于真空吸附所述SIP模组A的上表面，拾取所述SIP模组A；机械手臂1，与所述吸盘2连接，用于移动所述吸盘2；空气顶针3，设置在所述承载盘B的下方；其中间设有供压缩空气通过的中空结构31，用于喷射压缩空气；空气顶针移动机构4，与所述空气顶针3连接，用于使所述空气顶针3正对所述承载盘B的通孔B1；所述空气顶针移动机构4还用于使所述空气顶针3上升、下降至与所述承载盘B的下表面接触、脱离。
再次参见图4，其中，所述空气顶针3在被所述空气顶针移动机构4上升至与所述承载盘B的下表面接触时，所述空气顶针3遮罩住所述承载盘B的通孔B1，使所述SIP模组A的下表面、所述通孔B1以及所述空气顶针3形成一密闭空间；并从空气顶针3的中空结构31向所述密闭空间内喷射压缩空气，作用于所述SIP模组A的下表面，使所述SIP模组A与所述双面胶C的粘合松动；并由所述吸盘2真空吸附、上升拾取所述SIP模组A。
从图4中可以看出，双面胶C与承载盘B的接触面积大于双面胶C与SIP模组A的接触面积。因此，SIP模组A与双面胶C的粘合力大于承载盘B与双面胶C的粘合力。当喷射压缩空气时，双面胶C与SIP模组A的接触面先于双面胶C与承载盘B的接触面发生粘合松动。
图5是SIP模组的拾取设备的具体实施例2的结构示意图，本实施例的结构与图4相同，差别仅在于本实施例的SIP模组的拾取设备还包括电磁阀5和气缸6；所述气缸6与所述空气顶针3连接，用于向所述空气顶针3提供压缩空气；所述电磁阀5设置在所述气缸6和所述空气顶针3之间，用于控制所述气缸6喷射压缩空气。
再次参见图5，所述空气顶针3在被所述空气顶针移动机构4上升至与所述承载盘B的下表面接触时，所述空气顶针3遮罩住所述承载盘B的通孔B1，使所述SIP模组A的下表面、所述通孔B1以及所述空气顶针3形成一密闭空间；电磁阀5控制气缸6，气缸6通过空气顶针3的中空结构31向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组A的下表面，使所述SIP模组A与所述双面胶C的粘合松动；并由所述吸盘2真空吸附、上升拾取所述SIP模组A。
图6是SIP模组的拾取设备的具体实施例3的结构示意图，本实施例3的结构与图4相同差别仅在于本实施例的空气顶针3上还设有一’O’型圈7，所述空气顶针3上升时，所述’O’型圈7与所述承载盘B的下表面接触。具体的，所述空气顶针3的形状与尺寸足以遮罩住所述承载盘B的通孔B1是指：所述’O’型圈7的尺寸等于或大于所述通孔B1的尺寸，足以遮罩、并密封住所述通孔B1的底部。具体的，所述’O’型圈7由橡胶材料制成。
再次参见图6，其中，所述空气顶针3在被所述空气顶针移动机构4上升至与所述承载盘B的下表面接触时，所述空气顶针3遮罩住所述承载盘B的通孔B1，使所述SIP模组A的下表面、所述通孔B1以及所述空气顶针3形成一密闭空间；并从空气顶针3的中空结构31向所述密闭空间内喷射压缩空气，作用于所述SIP模组A的下表面，使所述SIP模组A与所述双面胶C的粘合松动；并由所述吸盘2真空吸附、上升拾取所述SIP模组A。
在上述SIP模组的拾取设备的三个实施例中，为达到较好的拾取效果，所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力，或者是，所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。具体的，SIP模组的拾取设备还包括一承载盘传动机构，所述承载盘传动机构与所述承载盘连接，用于移动所述承载盘。具体的，电磁阀优选脉冲电磁阀。
图7是承载盘的俯视图，如图7所示，在上述实施例中，双面胶布满整个承载盘B，并且位于承载盘B的通孔B1上方处的双面胶也设有相应的通孔，需要说明的是，双面胶上的通孔的尺寸可以略大于或者略小于承载盘上的通孔的尺寸大小，但是SIP模组的尺寸需大于双面胶上的通孔的尺寸。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (20)

1.一种SIP模组的拾取方法，用于拾取被双面胶固定在承载盘上表面的所述SIP模组，其特征在于，包括步骤：
吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触；
吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；
空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；
从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；
所述吸盘上升拾取所述SIP模组。
2.如权利要求1所述的SIP模组的拾取方法，其特征在于：
所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。
3.如权利要求1所述的SIP模组的拾取方法，其特征在于：
所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的SIP模组的拾取方法，其特征在于：
所述拾取方法还包括步骤：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。
5.一种SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于，包括步骤：
用双面胶将SIP模组固定在设有通孔的承载盘的上表面，所述下表面为所述SIP模组具有焊点的表面，且所述焊点位于所述通孔的正上方且不与所述双面胶接触；
对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层；
吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触，吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；
空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；
从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；
所述吸盘上升拾取制造完成的上表面及四周具有EMI电磁屏蔽层且下表面无污染、无损伤的SIP模组。
6.如权利要求5所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：
所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。
7.如权利要求5所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：
所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。
8.如权利要求5-7中任意一项所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：
所述SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法还包括步骤：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。
9.一种SIP模组的制造方法，其特征在于，包括步骤：
在PCB的上表面焊接SIP模组所需的芯片及主动元件、被动元件，所述PCB的下表面具有预留的焊点，制成SIP模组的PCBA；
对所述PCBA的上表面填胶，使胶覆盖所述PCBA上表面的芯片及主动元件、被动元件，而后使胶固化制成SIP模组；
用双面胶将SIP模组固定在设有通孔的承载盘的上表面，所述下表面为所述SIP模组具有焊点的表面，且所述焊点位于所述通孔的正上方且不与所述双面胶接触；
对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层；
吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触，吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；
空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；
从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；
所述吸盘上升拾取制造完成的下表面无污染、无损伤的SIP模组。
10.如权利要求9所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：
所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。
11.如权利要求9所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：
所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。
12.如权利要求9-11中任意一项所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：
还包括步骤：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。
13.如权利要求9-11中任意一项所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：
所述PCB、PCBA、胶固化制成的SIP模组是多联板PCB、多联板PCBA、多联板SIP模组；
在进行金属溅镀步骤之前需要将多联板SIP模组切割成单颗的SIP模组。
14.一种SIP模组的拾取设备，用于拾取被双面胶固定在承载盘上表面的所述SIP模组，其特征在于，包括：
吸盘，设置在所述承载盘的上方，用于真空吸附所述SIP模组的上表面，拾取所述SIP模组；
机械手臂，与所述吸盘连接，用于移动所述吸盘；
空气顶针，设置在所述承载盘的下方；其中间设有供压缩空气通过的中空结构，用于喷射压缩空气；
空气顶针移动机构，与所述空气顶针连接，用于使所述空气顶针正对所述承载盘的通孔；所述空气顶针移动机构还用于使所述空气顶针上升、下降至与所述承载盘的下表面接触、脱离；
其中，所述空气顶针在被所述空气顶针移动机构上升至与所述承载盘的下表面接触时，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；并从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；
并由所述吸盘真空吸附、上升拾取所述SIP模组。
15.如权利要求14所述的SIP模组的拾取设备，其特征在于：
所述SIP模组的拾取设备还包括电磁阀和气缸；
所述气缸与所述空气顶针连接，用于向所述空气顶针提供压缩空气；
所述电磁阀设置在所述气缸和所述空气顶针之间，用于控制所述气缸喷射压缩空气。
16.如权利要求15所述的SIP模组的拾取设备，其特征在于：
所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。
17.如权利要求15所述的SIP模组的拾取设备，其特征在于：
所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。
18.如权利要求14所述的SIP模组的拾取设备，其特征在于：
所述空气顶针上设有一’O’型圈，所述空气顶针上升时，所述’O’型圈与所述承载盘的下表面接触。
19.如权利要求18所述的SIP模组的拾取设备，其特征在于：
所述空气顶针的形状与尺寸足以遮罩住所述承载盘的通孔是指：所述’O’型圈的尺寸等于或大于所述通孔的尺寸，足以遮罩、并密封住所述通孔的底部。
20.如权利要求14-19中任意一项所述的SIP模组的拾取设备，其特征在于：
还包括一承载盘传动机构，所述承载盘传动机构与所述承载盘连接，用于移动所述承载盘。
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