CN204118050U - 膜体与集成电路分离装置 - Google Patents

Abstract

一种膜体与集成电路分离装置，其系供一膜体设置，该膜体的一面贴附有至少一集成电路，其特征在于：所述膜体与集成电路分离装置具有：一承台，其具有至少一凹槽，各凹槽的底端具有一穿孔；一吹气单元，其系升降地设于所述承台的下方；以及一吸取单元，其系升降地设于所述承台的上方，该吸取单元具有至少一吸取头；其中，所述膜体的另一面贴附于所述承台，各集成电路相对于各凹槽；吸取单元与吹气单元分别提供一负压气体与一高压气体，而使集成电路与膜体二者相分离，藉以达到自动化分离膜体与集成电路的效果。

Description

膜体与集成电路分离装置

技术领域

本实用新型涉及一种膜体与集成电路分离装置，其系利用负压气体与高压气体，而使集成电路与膜体二者相互分离。

背景技术

于半导体制程中，利用溅镀技术将金属靶材溅镀于集成电路的表面，其主要目的在于屏蔽电磁干扰（EMI），以提高应用于集成电路的质量与良率。于本案所指之集成电路系泛指晶圆、晶粒、未封装之晶粒、已封装之晶粒、未封胶之晶粒或已封胶之晶粒。

于溅镀制程中，集成电路的一面系贴附于一膜体，该面系紧密贴附于膜体，该面系具有多个接点，该些接点系呈平坦状。集成电路的其余各面，即集成电路的五面，其系进行溅镀制程。

然完成溅镀的集成电路仅能以人工方式一颗一颗由膜体分离，并放置于料盘中。

随着现今电子产业的发达，对于集成电路目标的尺寸与功能的要求系日益提升，因此原集成电路未被溅镀的一面系设有多个凸出接点或被动组件，而凸出接点或被动组件系造成集成电路应与膜体紧密贴附的一面，无法紧密贴附，而使该面与膜体之间具有空隙，该空隙会于溅镀制程中产生溢镀的情况。

如上所述，如何改善溢镀的情况，以及降低人工的使用率于分离集成电路与膜体，其系成为各厂商所探讨的项目。

发明内容                                               

本实用新型目的在于提供一种膜体与集成电路分离装置，其系利用高压气体与负压气体，而使膜体与集成电路二者相分离，以达到自动化分离膜体与集成电路。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种膜体与集成电路分离装置，其系供一膜体设置，该膜体的一面贴附有至少一集成电路，其特征在于：所述膜体与集成电路分离装置具有：

一承台，其具有至少一凹槽，各凹槽的底端具有一穿孔；

一吹气单元，其系升降地设于所述承台的下方；以及

一吸取单元，其系升降地设于所述承台的上方，该吸取单元具有至少一吸取头；

其中，所述膜体的另一面贴附于所述承台，各集成电路相对于各凹槽；所述吹气单元系提供一高压气体给所述承台，而使所述膜体产生变形；所述吸取单元系提供一负压气体给所述吸取头，使膜体与集成电路相互分离，以使吸取单元的吸取头吸取该集成电路。

上述方案中，所述吹气单元具有至少一吹针与一供气与升降模块，该吹针的一端系贴附于该承台的底端，并相对于该穿孔，所述供气与升降模块系耦接该吹针的另一端。再进一步，所述吹针具有一吹孔。

上述方案中，所述吸取单元还具有一负压与升降模块，所述吸取头系相对于所述穿孔，所述负压与升降模块系耦接所述吸取头的一端。再进一步，所述吸取头具有一吸孔；所述吸取单元还具有至少一罩盖，该罩盖系设于所述吸取头的另一端。

综合上述，本实用新型膜体与集成电路分离装置，其吸取单元与吹气单元系分别提供一负压气体与一高压气体，而使集成电路与膜体二者相分离，藉以达到自动化分离膜体与集成电路的效果。

另外，实用新型利用具有凹槽与穿孔的承台，当集成电路设于具有弹性的膜体上时，集成电路的突出接点或被动组件系位于凹槽中，故于进行集成电路溅镀时，突出接点或被动组件系无法被金属薄膜所盖覆。

附图说明

图1为本实用新型所适用的贴附有集成电路的膜体的立体示意图；

图2为本实用新型膜体与集成电路分离装置的动作示意图；

图3为本实用新型膜体与集成电路分离装置的另一动作示意图。

以上附图中：10、膜体；11、集成电路；12、突出接点或被动组件；20、承台；200、凹槽；201、穿孔；21、；吹气单元；210、；吹针；211、；供气与升降模块；212、吹孔；22、吸取单元；220、吸取头；221、负压与升降模块；222、罩盖；223、吸孔。 

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例： 参见图1-图3所示：

本实施例涉及一种膜体与集成电路分离装置，其应用于具有至少一膜体10，至少一集成电路11系贴附于膜体10的一面，膜体10具有弹性，故集成电路11具有突出接点或被动组件12的一面系紧密贴附于膜体10，突出接点或被动组件12系被膜体10所包覆。膜体10的两面分别具有黏性。

所述膜体与集成电路分离装置具有一承台20、一吹气单元21与一吸取单元22。

承台20具有至少一凹槽200，各凹槽200的底端具有一穿孔201。承台20系供所述膜体10设置，膜体10的一面系贴附于承台20，各穿孔201系相对于各集成电路11。

吹气单元21系设于承台20的下方，吹气单元21具有至少一吹针210与一供气与升降模块211。吹针210具有一吹孔212，吹针210的一端系紧贴附于承台20的底端，且吹孔212系相对于穿孔201。供气与升降模块211系耦接吹针210的另端，以使吹针210能够相对于承台20升降，并且供气与升降模块211系提供一高压气体给吹孔212。

吸取单元22系设于承台20的上方。吸取单元22具有至少一吸取头220、一负压与升降模块221及至少一罩盖222。吸取头220系相对于穿孔201，吸取头220具有一吸孔223。负压与升降模块221系耦接吸取头220的一端，以提供一负压气体给吸取头220，并且该负压与升降模块221系使吸取头220能够相对于承台20升降。罩盖222系设于吸取头220的另一端。

如第2图所示，集成电路11未被溅镀的一面具有突出接点或被动组件12，集成电路11贴附于膜体10的一面，故集成电路11与膜体10之间未存有间隙，并使该些突出接点或被动组件12系包覆于膜体10中。因膜体10系包覆有突出接点或被动组件12，故部分的膜体10会变形，并容置于凹槽200中，藉此增加膜体10与集成电路11之间的贴合度，或者膜体10与承台20之间的贴合度。

当集成电路11进行溅镀时，因膜体10与集成电路11之间无间隙，故金属薄膜无法被镀于被包覆在膜体10中的突出接点或被动组件12，故能够避免突出接点或被动组件12被镀上金属薄膜。

请再配合参考图2所示，当欲将集成电路11与膜体10相互脱离时，膜体10系贴附于承台20。受到供气与升降模块211的驱动，吹针210系朝向通孔11方向移动，并且吹针210的端部系贴附于承台20的底部。供气与升降模块211系提供一高压气体给吹针210，该高压气体系通过吹孔212、穿孔201与凹槽200吹向集成电路11。

当吹针210的端部系贴附于承台20的底部时，负压与升降模块221亦使吸取头220朝向集成电路11下降，以使罩盖222将所欲吸取的集成电路11四周之膜体10予以压覆，罩盖222的边缘系贴附于膜体10的一面。罩盖222系用于限制高压气体与负压气体所吹送的区域。

如第2图所示，当上述高压气体吹向集成电路11时，负压与升降模块221系提供一负压气体给吸取头220，该负压气体系透过吸孔223吸取集成电路12。因受到高压气体作用的膜体10，其系能够浮于承台20的上方，而且膜体10会产生变形。此时负压气体作用于膜体10与集成电路11，而使膜体10与集成电路11会相互分离，或者部分的集成电路11会与膜体10分离。

请配合参考第3图所示，藉由高压气体与负压气体二者的作用下，膜体10系产生变形，且集成电路11系与膜体10相分离，并被吸取头220所吸取。

待吸取头220吸附集成电路11，负压与升降模块221系使吸取头220上升，并将吸取头220移动至一预设的工作站，于该工作站，吸取头220系能够释放集成电路11，并再回复至最初位置，以进行下一吸取集成电路11的动作。

于吸取头220上升时，供气与升降模块211系使吹针210下降，以使吹针210回到最初位置，再待下一顶出集成电路11的动作。供气与升降模块211亦停止供应高压气体给吹针210。

综合上述，本实施例承台20具有一凹槽200，该凹槽200系可供膜体10容置之用，除了膜体10外，凹槽200亦可供突出接点或被动组件12与膜体10容置，藉以避免于溅镀集成电路11时，突出接点或被动组件12被金属薄膜所盖覆。

本实施例亦使用具有弹性的膜体10，故膜体10的一面系能够包覆突出接点或被动组件12，而膜体10的另一面会因突出接点或被动组件12而略有变形，该变形的部份系能够容置于凹槽200中，藉此提升膜体10与集成电路11之间的贴合度，或者膜体10与承台20之间的贴合度。若突出接点或被动组件12的体积较大时，部分的突出接点或被动组件12系可连同膜体10被容置于凹槽200中，而使膜体10与承台20之间的贴合度，或者膜体10与集成电路11之间的贴合度能够保持。

另外，本实施例罩盖222罩覆于预被吸取之集成电路10时，并且罩盖222的边缘系贴齐膜体10的一面，罩盖222系用于限制高压气体与负压气体所吹送的区域。

再者，本实施例的吹气单元21与吸取单元22系分别提供高压气体与负压气体给集成电路11，以使集成电路11与膜体10二者相互分离，藉此达到自动化集成电路11与膜体10分离的效果，以节省人工支出，并降低成本支出。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种膜体与集成电路分离装置，其系供一膜体设置，该膜体的一面贴附有至少一集成电路，其特征在于：所述膜体与集成电路分离装置具有：

一承台，其具有至少一凹槽，各凹槽的底端具有一穿孔；

一吹气单元，其系升降地设于所述承台的下方；以及

一吸取单元，其系升降地设于所述承台的上方，该吸取单元具有至少一吸取头；

其中，所述膜体的另一面贴附于所述承台，各集成电路相对于各凹槽；所述吹气单元系提供一高压气体给所述承台，而使所述膜体产生变形；所述吸取单元系提供一负压气体给所述吸取头，使膜体与集成电路相互分离，以使吸取单元的吸取头吸取该集成电路。

2.根据权利要求1所述膜体与集成电路分离装置，其特征在于：所述吹气单元具有至少一吹针与一供气与升降模块，该吹针的一端系贴附于该承台的底端，并相对于该穿孔，所述供气与升降模块系耦接该吹针的另一端。

3.根据权利要求2所述膜体与集成电路分离装置，其特征在于：所述吹针具有一吹孔。

4.根据权利要求1所述膜体与集成电路分离装置，其特征在于：所述吸取单元还具有一负压与升降模块，所述吸取头系相对于所述穿孔，所述负压与升降模块系耦接所述吸取头的一端。

5.根据权利要求4所述膜体与集成电路分离装置，其特征在于：所述吸取头具有一吸孔。

6.根据权利要求4所述膜体与集成电路分离装置，其特征在于：所述吸取单元还具有至少一罩盖，该罩盖系设于所述吸取头的另一端。