CN203850267U - 集成电路取放装置 - Google Patents

Abstract

一种集成电路取放装置，其具有：一承台；一吹气单元，其系升降地设于该承台的下方；以及一吸取单元，其系升降地设于该承台的上方；其中，该承台系供一膜体设置，该膜体具有至少一通孔，各通孔具有一集成电路；该吹气单元系将该集成电路吹离该膜体，以使该吸取单元吸取该集成电路。吸取装置与吹气装置系分别提供一负压气体与一高压气体，而使集成电路与膜体二者相分离，藉以达到自动化分离膜体与集成电路的效果。

Description

集成电路取放装置

技术领域

本实用新型涉及一种集成电路取放装置，其系利用负压气体与高压气体，而使集成电路与膜体二者相互分离。

背景技术

于半导体制程中，利用溅镀技术将金属靶材溅镀于集成电路的表面，其主要目的在于屏蔽电磁干扰（EMI），以提高应用于集成电路的品质与良率。于本案所指之集成电路系泛指晶圆、晶粒、未封装之晶粒、已封装之晶粒、未封胶之晶粒或已封胶之晶粒。

于溅镀制程中，集成电路的一面系贴附于一膜体，该面系紧密贴附于膜体，该面系具有多个接点，该些接点系呈平坦状。集成电路的其余各面，即集成电路的五面，其系进行溅镀制程。

然而，完成溅镀的集成电路仅能以人工方式一颗一颗由膜体分离，并放置于料盘中。

随着现今电子产业的发达，对于集成电路目标的尺寸与功能的要求系日益提升，因此原集成电路未被溅镀的一面系设有多个凸出接点或被动元件，而凸出接点或被动元件系造成集成电路应与膜体紧密贴附的一面，无法紧密贴附，而使该面与膜体之间具有空隙，该空隙会于溅镀制程中产生溢镀的情况。

如上所述，如何改善溢镀的情况，以及降低人工的使用率于分离集成电路与膜体，其系成为各厂商所探讨的项目。

发明内容

本实用新型目的在于提供一种集成电路取放装置，其系利用高压气体与负压气体，而使膜体与集成电路二者相分离，以达到自动化分离膜体与集成电路的效果。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种集成电路取放装置，其具有：

一承台；

一吹气单元，其升降地设于所述承台的下方；以及

一吸取单元，其升降地设于所述承台的上方；

其中，所述承台供一膜体设置，该膜体具有至少一通孔，各通孔上具有一集成电路；所述吹气单元将所述集成电路吹离该膜体，以使所述吸取单元吸取所述集成电路。

上述方案中，所述承台具有至少一穿孔，该穿孔系相对于所述通孔。所述吹气单元具有至少一顶针与一供气与升降模组，所述顶针的一端系突伸至该穿孔中，所述供气与升降模组系耦接所述顶针的另端。所述顶针具有一吹孔。

上述方案中，所述吸取装置具有至少一吸取头与一负压与升降模组，所述吸取头系相对于所述穿孔，所述负压与升降模组系耦接所述吸取头的一端。所述吸取头具有一吸孔。所述吸取装置具有至少一罩盖，该罩盖系设于所述吸取头的另一端。

本实用新型集成电路取放装置，其吸取装置与吹气装置系分别提供一负压气体与一高压气体，而使集成电路与膜体二者相分离，藉以达到自动化分离膜体与集成电路的效果。

另外，本实用新型系利用具有通孔之膜体，当集成电路设于膜体时，集成电路的被动元件或凸出接点系位于通孔中，故于进行集成电路溅镀时，被动元件或凸出接点系无法被金属薄膜所盖覆。

附图说明

图1为本实用新型实施例贴附有集成电路的膜体的立体示意图；

图2为本实用新型实施例集成电路取放装置的动作示意图一；

图3为本实用新型实施例集成电路取放装置的动作示意图二。

以上附图中：10、膜体；11、通孔；12、集成电路；120、被动元件；20、承台；200、穿孔；21、吹气单元；210、顶针；211、升降模组；212、吹孔；22、吸取单元；220、吸取头；221、升降模组；222、罩盖；223、吸孔。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例：参见图1-3所示：

请配合参考图1与图2所示，本实施例系一种集成电路取放装置，其系应用于具有至少一通孔11的膜体10，各通孔11具有一集成电路12。该集成电路取放装置具有一承台20、一吹气单元21与一吸取单元22。

 承台20具有至少一穿孔200，承台20系供上述膜体10设置，通孔11系相对于穿孔200。所述膜体10的两面分别具有黏性，膜体10的一面系贴附于承台20，膜体10的另一面系黏附上述至少一个集成电路12。

吹气单元21系设于承台20的下方，吹气单元21具有至少一顶针210与一供气与升降模组211。顶针210具有一吹孔212，顶针210的一端系突伸至穿孔200中。供气与升降模组211系耦接顶针210的另端，以使顶针210能够于穿孔200中升降，并且供气与升降模组211系提供一高压气体吹孔212。

所述吸取装置22系设于承台20的上方。吸取装置22具有至少一吸取头220、一负压与升降模组221及至少一罩盖222。吸取头220系相对于穿孔200，吸取头220具有一吸孔223。负压与升降模组221系耦接吸取头220的一端，以提供一负压气体给吸取头220，并且该负压与升降模组221系使吸取头220能够相对于承台20升降。罩盖222系设于吸取头220的另一端。

如图1所示，膜体10具有通孔11。如图2所示，集成电路12未被溅镀的一面具有被动元件120或凸出接点，该集成电路12系贴附于膜体10的一面，故集成电路12与膜体10之间未存有间隙，并使该些被动元件120或凸出接点系位于通孔11中。

当集成电路12进行溅镀时，因膜体10与集成电路12之间无间隙，故金属薄膜无法被镀于位于通孔11中之被动元件120或凸出接点，故能够避免被动元件120或凸出接点被镀上金属薄膜。

请再配合参考图2所示，当欲将集成电路12与膜体10相互脱离时，膜体10系贴附于承台20。受到供气与升降模组211的驱动，顶针210系朝向通孔11方向移动。供气与升降模组211系提供一高压气体给顶针210，该高压气体系通过吹孔212吹向集成电路12。

于上述顶针210朝向集成电路12上升时，负压与升降模组221亦使吸取头220朝向集成电路12下降，以使罩盖222将所欲吸取的集成电路12予以罩覆。

当上述之高压气体吹向集成电路时，负压与升降模组221系提供一负压气体给吸取头220，该负压气体系通过吸孔223吸取集成电路12。因该集成电路12系被罩盖222所罩覆，故该集成电路12系处于一密闭空间。藉由高压气体与负压气体二者的作用下，集成电路12系与膜体10相分离，并被吸取头220所吸取。

待吸取头220吸附集成电路12，负压与升降模组221系使吸取头220上升，如图3所示，并将吸取头220移动至一预设的工作站，于该工作站，吸取头220系能够释放集成电路12，并再回复至最初位置，以进行下一吸取集成电路12的动作。

于吸取头220上升时，供气与升降模组211系使顶针210下降，以使顶针210回到最初位置，再待下一顶出集成电路12的动作。供气与升降模组211亦停止供应高压气体给顶针210。

综合上述，本实施例所使用具有通孔11的膜体10，该些通孔11系能够收纳被动元件120，以使该些被动元件120或凸出接点于集成电路12的溅渡过程中，不会被金属薄膜所覆盖。

另外，本创作的吹气单元21与吸取单元22系分别提供高压气体与负压气体给集成电路12，以使集成电路12与膜体10二者相互分离，藉此达到自动化集成电路12与膜体10分离的效果，以节省人工支出，并降低成本支出。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种集成电路取放装置，其特征在于：其具有：

一承台；

一吹气单元，其升降地设于所述承台的下方；以及

一吸取单元，其升降地设于所述承台的上方；

其中，所述承台供一膜体设置，该膜体具有至少一通孔，各通孔上具有一集成电路；所述吹气单元将所述集成电路吹离该膜体，以使所述吸取单元吸取所述集成电路。

2.根据权利要求1所述集成电路取放装置，其特征在于：所述承台具有至少一穿孔，该穿孔系相对于所述通孔。

3.根据权利要求2所述集成电路取放装置，其特征在于：所述吹气单元具有至少一顶针与一供气与升降模组，所述顶针的一端系突伸至该穿孔中，所述供气与升降模组系耦接所述顶针的另端。

4.根据权利要求3所述集成电路取放装置，其特征在于：所述顶针具有一吹孔。

5.根据权利要求2所述集成电路取放装置，其特征在于：所述吸取装置具有至少一吸取头与一负压与升降模组，所述吸取头系相对于所述穿孔，所述负压与升降模组系耦接所述吸取头的一端。

6.根据权利要求5所述集成电路取放装置，其特征在于：所述吸取头具有一吸孔。

7.根据权利要求5所述集成电路取放装置，其特征在于：所述吸取装置具有至少一罩盖，该罩盖系设于所述吸取头的另一端。