KR20050118100A - 소자 전사 방법 및 표시장치 - Google Patents

소자 전사 방법 및 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050118100A
KR20050118100A KR1020047016234A KR20047016234A KR20050118100A KR 20050118100 A KR20050118100 A KR 20050118100A KR 1020047016234 A KR1020047016234 A KR 1020047016234A KR 20047016234 A KR20047016234 A KR 20047016234A KR 20050118100 A KR20050118100 A KR 20050118100A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
substrate
electrical wiring
layer
embedded
Prior art date
Application number
KR1020047016234A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100982964B1 (ko
Inventor
마사토 도이
카츠히로 토모다
토시히코 와타나베
토요하루 오오하타
Original Assignee
소니 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 가부시키가이샤 filed Critical 소니 가부시키가이샤
Publication of KR20050118100A publication Critical patent/KR20050118100A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100982964B1 publication Critical patent/KR100982964B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01018Argon [Ar]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01052Tellurium [Te]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01075Rhenium [Re]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01076Osmium [Os]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

소자를 배열한 기판으로부터 다른 기판으로 소자를 전사할 때에, 소자의 전사를 행한 후에 용이하게 기판의 박리를 행할 수가 있고, 기판이 손상될 가능성을 저감시키는 것이 가능하며, 소자를 전사한 후에 재차 동일한 기판 위에 소자를 추가하여 전사하는 것이 가능한 소자 전사 방법 및 표시장치를 제공한다. 가보존유지 기판에 배열된 복수의 소자를 전사 기판 위에 형성된 점착층에 매입하여 보존유지하고, 소자를 가보존유지 기판으로부터 박리한다. 점착층을 경화하기 전에 다른 소자를 점착층에 더 추가하여 매입하여, 대면적의 전사 기판 위에 소자를 배열할 수가 있다. 또한, 추가하여 점착층에 매입하는 소자를 미리 점착층에 매입되어 있는 소자와는 다른 특성의 소자로 하는 것으로, 다색 표시의 표시장치나 구동회로를 가지는 표시장치 등을 간편하게 얻는 것이 가능해진다.

Description

소자 전사 방법 및 표시장치{ELEMENT TRANSFER METHOD AND DISPLAY DEVICE}
본 발명은 소자 전사 방법 및 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 소자를 정밀도 좋게 전사할 수가 있는 소자 전사 방법 및 표시장치에 관한 것이다.
발광소자를 매트릭스 형상으로 배열하여 화상 표시장치에 편입하는 경우에는, 종래, 액정 표시장치(LCD: Liquid Crystal Display)나 플라즈마 디스플레이 패널(PDP: Plasma Display Panel)과 같이 기판 위에 직접 소자를 형성하거가, 혹은 발광 다이오드 디스플레이(LED 디스플레이)와 같이 단체(單體)의 LED 패키지를 배열하는 것이 행해지고 있다. 예를 들면, LCD, PDP와 같은 화상표시장치에 있어서는, 소자 분리를 할 수 없기 때문에, 제조 프로세스 당초부터 각 소자는 그 화상 표시장치의 화소 피치만큼 간격을 띄워 형성하는 것이 통상 행해지고 있다.
한편, LED 디스플레이의 경우에는 LED 칩을 다이싱 후에 취출하고, 개별적으로 와이어본드 혹은 플립 칩에 의한 범프 접속에 의해 외부 전극에 접속되어, 패키지화되는 것이 행해지고 있다. 이 경우, 패키지화의 전 혹은 후에 화상 표시장치로서의 화소 피치로 배열되지만, 이 화소 피치는 소자 형성시의 소자의 피치와는 무관계로 된다.
발광소자인 LED(발광다이오드)는 고가이기 때문에, 1장의 웨이퍼로부터 수많은 LED 칩을 제조하는 것에 의해 LED를 이용한 화상 표시장치를 저 코스트로 할 수 있다. 즉, LED 칩의 크기를 종래 약 300㎛각(角)의 것을 수십㎛각의 LED 칩으로 하고, 그것을 접속해서 화상 표시장치를 제조하면 화상 표시장치의 가격을 내릴 수가 있다.
그런데, 소자 형성 기판에 형성된 복수의 소자를 장치 기판에 재배열하여 필요한 장치를 제조하는 제조 공정에 관하여, 일시적으로 소자를 보존유지하는 소자 보존유지 기판에 형성된 접착제층에 소자를 전사한 후, 최종적인 배치처(處)인 장치 기판에 전사하는 것에 의해 소자를 배열하는 소자의 배열 방법이 행해지고 있다.
소자 보존유지 기판으로부터 장치 기판에 소자를 전사할 때에는, 소자 보존유지 기판에 가고정된 소자 위에 접착제를 적하(滴下)하고, 그 후에 장치 기판을 접착했었다. 이 때, 소자 보존유지 기판과 장치 기판을 접착한 후에, 소자 보존유지 기판과 장치 기판을 박리(剝離)하는 것이지만, 접착제에 의해 강력하게 접착되어 있는 소자 보존유지 기판과 장치 기판을 박리하는 것은 곤란하였다. 특히, 큰 면적의 기판끼리를 한데 붙인 경우에는 박리시에 기판이 손상할 가능성이 높아진다는 문제가 있었다. 더욱이, 소자가 접착제층에 파묻힌 상태에서 접착제층을 경화 (硬化)시키기 때문에, 소자를 장치 기판 위에 전사한 후에 재차 동일한 장치 기판 위에 소자를 전사하는 것이 곤란하였다.
따라서 본원 발명은, 소자를 배열한 기판으로부터 다른 기판으로 소자를 전사 할 때에, 소자의 전사를 행한 후에 용이하게 기판의 박리를 행할 수가 있고, 기판이 손상될 가능성을 저감하는 것이 가능하며, 소자를 전사한 후에 재차 동일한 기판 위에 소자를 추가하여 전사하는 것이 가능한 소자 전사 방법 및 표시장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
도 1은 소자 전사 방법의 공정을 도시하는 단면도이고, 가보존유지 기판 위에 소자가 배열된 모습을 도시하는 도면.
도 2는 점착층이 형성된 전사 기판을 가보존유지 기판에 평행하게 배치한 모습을 도시하는 공정단면도.
도 3은 가보존유지 기판과 전사 기판을 접근시켜서 점착층에 소자를 매입 시킨 모습을 도시하는 공정단면도.
도 4는 가보존유지 기판으로부터 소자를 박리하고, 소자를 점착층에 매입한 상태에서 보존유지한 모습을 도시하는 공정단면도.
도 5는 점착층 위에 전기 배선을 형성한 모습을 도시하는 공정단면도.
도 6은 접착제층을 형성한 지지 기판을 소자와 전기 배선에 접착한 모습을 도시하는 공정단면도.
도 7은 점착층과 전사 기판을 박리한 상태를 도시하는 공정단면도.
도 8은 점착층에 컨택트비어를 개구한 상태를 도시하는 공정단면도.
도 9는 점착층 위에 금속을 적층하고 컨택트비어를 충전함과 동시에, 전기 배선을 형성한 상태를 도시하는 단면도.
도 10은 본원 발명의 제 2 실시의 형태에 있어서, 점착층에 소자가 부분적으로 매입되는 정도로 가보존유지 기판과 전사 기판을 접근시킨 상태를 도시하는 공정단면도.
도 11은 소자가 점착층에 부분적으로 매입된 상태에서, 가보존유지 기판으로부터 소자를 박리한 모습을 도시하는 공정단면도.
도 12는 점착층으로부터 부분적으로 돌출되어 있는 소자를, 더욱 깊게 점착층에 매입하는 모습을 도시하는 공정단면도.
도 13은 본원 발명의 제3 실시의 형태에 있어서, 다른 특성을 가지는 소자를 점착층에 반복해서 매입하는 모습을 도시하는 공정단면도.
도 14a 내지 도 14c는, 본원 발명의 제 4 실시의 형태에 있어서, 점착층에 소자가 매입된 상태에서 소자가 매입되어 있지 않은 영역에 소자를 더 추가하여 매입하는 모습을 도시하는 공정단면도.
상기 과제를 해결하기 위해 본원 발명의 소자 전사 방법은, 제 1 기판 위에 배열된 소자를 제 2 기판 위에 형성된 점착층에 매입(埋入)하는 공정과, 상기 제 1 기판으로부터 상기 소자를 박리하고, 상기 소자를 상기 점착층에 매입한 상태에서 보존유지하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
점착층에 소자를 매입하는 것에 의해 제 2 기판에 대한 소자의 배열을 보존유지하기 때문에, 소자 형상에 의존하지 않고서 점착층 내에 소자를 묻어넣고, 제 2 기판 위에 실장(實裝)하는 것이 가능해진다. 또한, 제 1 기판과 제 2 기판을 접근시키는 것으로 제 1 기판 위에 배열된 복수의 소자를 일괄해서 점착층에 매입할 수가 있기 때문에, 제 1 기판 위에서의 소자끼리의 배치 상태를 유지한 채로 동시에 복수의 소자를 제 2 기판에 실장시키는 것이 가능하다. 점착층을 경화하기 전에 가접착층으로부터 소자를 박리하기 때문에, 제 1 기판과 제 2 기판을 떼어놓을 때에 필요한 힘이 작아지고, 제 1 기판 또는 제 2 기판이 파손될 가능성을 저감시키는 것이 가능해진다.
또한 점착층에 소자를 매입하고 보존유지한 후에 점착층을 경화하는 것으로, 점착층의 경화 전에 소자가 매입된 상태에서는, 소자를 점착층에 더 매입할 수가 있다. 또한, 점착층을 경화한 후에 점착층 위에 제 1 전기 배선을 형성하고, 점착층의 제 1 전기 배선이 형성된 면에 제3 기판을 첩부(貼付)하고, 제 2 기판과 점착층을 박리하며, 점착층에 상기 소자까지 도달하는 개구부를 형성하여, 개구부에 도전성 재료를 충전함과 동시에 점착층 위에 제 2 전기 배선을 형성하는 것에 의해, 소자의 배열을 유지한 채로 소자에 전기 배선을 접속할 수가 있고, 표시장치나 전자기기의 제조 등에 있어서 간편하게 본 발명의 소자 전사 방법을 이용할 수가 있다.
또한, 소자를 점착층에 매입하기 전에, 제 1 기판 위에 형성된 가접착층에 소자를 접촉시키고, 소자를 가접착층에 가접착하여 제 1 기판 위에 소자를 배열하는 것으로, 제 1 기판 위에서 소자를 배열할 때에 몇번이라도 배열을 다시 하는 것이 가능하고, 흐트러짐이 없는 소자의 배열을 행한 후에 소자를 전사할 수 있다.
제 1 기판 위에 형성된 가접착층의 점착력보다도, 제 2 기판 위에 형성된 점착층의 점착력을 크게 하는 것이나, 점착층 또는 가접착층의 점착력을 변화시키고 가접착층의 점착력보다 점착층의 점착력을 크게 하는 것에 의해, 점착층과 가접착층 사이의 점착력의 상이(相異)에 기인하여, 소자를 점착층에 매입시켜서 제 1 기판과 제 2 기판을 떼어놓는 것만으로, 소자가 점착층에 매입된 상태에서 소자를 가접착층으로부터 박리하는 것이 가능해져서, 작업 공정이 간편한 것이 된다.
더욱이 점착층에 대한 매입을, 소자가 부분적으로 매몰(埋沒)하는 정도로 행하는 것에 의해, 점착층과 가접착층이 직접 접촉하는 일이 없어지고, 제 1 기판과 제 2 기판을 떼어 놓을 때에 필요한 힘이 작아져서, 제 1 기판 또는 제 2 기판이 파손될 가능성을 저감하는 것이 가능해진다. 또한, 점착층을 절연성 재료에 의해 형성하는 것으로, 소자의 전사가 끝난 후에 점착층을 제거하지 않고 점착층을 그대로 절연층으로서 이용할 수가 있고, 전자기기 등의 제조 공정을 감소시키는 것이 가능해진다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 본원 발명의 소자 전사 방법은, 제 2 기판 위에 형성된 점착층에 한쪽 소자가 매입된 상태에서 제 1 기판 위에 배열된 다른쪽 소자를 상기 점착층에 더 매입하는 공정과, 상기 제 1 기판으로부터 상기 다른쪽 소자를 박리하고, 상기 다른쪽 소자를 상기 점착층에 매입한 상태에서 보존유지하는 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
점착층에 한 쪽 소자가 매입된 상태에서 다른 쪽 소자를 점착층에 더 매입하는 것에 의해, 제 1 기판의 면적이 작은 경우에도 제 2 기판을 대형화하고, 제 1 기판 위에 배치된 소자를 복수 회에 걸쳐서 제 2 기판 위에 전사할 수가 있기 때문에, 큰 표시 면적의 표시장치를 제조하는 경우에도 본원 발명의 소자 전사 방법을 이용하는 것이 가능해진다.
이 때, 한 쪽 소자와 다른 쪽 소자를 다른 특성을 가지는 소자로 하는 것으로, 동일한 성장 기판 위에는 형성할 수 없는 소자를 제 2 기판 위에 배열하여 보존유지시킬 수가 있다. 이 때 특성이 다른 소자로서 적ㆍ녹ㆍ청 등 다른 색의 발광을 행하는 발광다이오드를 제 2 기판에 배열하는 것으로, 다색 표시의 표시장치를 얻을 수도 있다. 또한, 기판 위의 다른 영역에 한 쪽 소자와 다른 쪽 소자를 매입 하여 보존유지하는 것에 의해, 소자를 제 1 기판에 배열하는 것이 가능한 면적이 한정되어 있는 경우에도 제 2 기판의 면적을 크게 하고, 점착층의 소자가 매입되어 있지 않은 영역에 소자를 추가하여 매입하고, 대(大)면적의 기판 위에도 소자 배열을 행하는 것이 가능해진다. 이것은, 특히 대(大)화면의 표시장치를 제조하는 경우에 유용한 소자 전사 방법이 된다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 본원 발명의 표시장치는, 제 1 기판 위에 배열된 소자를 제 2 기판 위에 형성된 점착층에 매입하고, 상기 제 1 기판으로부터 상기 소자를 박리하고, 상기 소자를 상기 점착층에 매입한 상태에서 보존유지시켜서 상기 점착층을 경화하고, 상기 점착층 위에 제 1 전기 배선을 형성하고, 상기 점착층의 상기 제 1 전기 배선이 형성된 면에 제3 기판을 첩부하고, 상기 제 2 기판과 상기 점착층을 박리하고, 상기 점착층에 상기 소자까지 도달하는 개구부를 형성하고, 상기 개구부에 도전성 재료를 충전함과 동시에, 상기 점착층 위에 제 2 전기 배선을 형성하여 얻어지는 것을 특징으로 한다.
소자를 점착층에 매입하는 소자 전사 방법을 이용하여 표시장치를 얻는 것에 의해, 소자의 배열 및 전기 배선의 형성을 양호하게 행할 수가 있다. 제 1 전기 배선과 제 2 전기 배선에 의해 소자에 전압을 인가하여 단순 매트릭스 구동에 의해 표시를 행하는 것으로, 기존의 단순 매트릭스 구동에 의한 표시장치와 마찬가지로 화상의 표시를 행하는 것이 가능하다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 본원 발명의 표시장치는, 제 1 기판 위에 배열된 한 쪽 소자를 제 2 기판 위에 형성된 점착층에 매입하고, 상기 제 1 기판으로부터 상기 한 쪽 소자를 박리하고 상기 다른 쪽 소자를 상기 점착층에 매입한 상태에서 보존유지하고, 상기 점착층에 한 쪽 소자가 매입된 상태에서 제 1 기판 위에 배열된 다른 쪽 소자를 상기 점착층에 더 매입하고, 상기 제 1 기판으로부터 상기 한 쪽 소자를 박리하고 상기 다른 쪽 소자를 상기 점착층에 매입한 상태에서 보존유지하고, 상기 한 쪽 소자 및 상기 다른 쪽 소자를 상기 점착층에 매입한 상태에서 보존유지시켜 상기 점착층을 경화하고, 상기 점착층 위에 제 1 전기 배선을 형성하고, 상기 점착층의 상기 제 1 전기 배선이 형성된 면에 제3 기판을 첩부하고, 상기 제 2 기판과 상기 점착층을 박리하고, 상기 점착층에 상기 한 쪽 소자 또는 상기 다른 쪽 소자까지 도달하는 개구부를 형성하고, 상기 개구부에 도전성 재료를 충전함과 동시에, 상기 점착층 위에 제 2 전기 배선을 형성하여 얻어지는 것을 특징으로 한다.
소자를 점착층에 매입하는 소자 전사 방법을 이용하여 표시장치를 얻는 것에 의해, 소자의 배열 및 전기 배선의 형성을 행할 수가 있다. 점착층에 한 쪽 소자가 매입된 상태에서 다른 쪽 소자를 점착층에 더 매입하는 것에 의해, 제 2 기판을 대형화하여 큰 표시 면적의 표시장치를 얻는 것이 용이하게 된다.
이 때, 한 쪽 소자와 다른 쪽 소자를 다른 특성을 가지는 소자로 하는 것으로, 동일한 성장 기판 위에는 형성할 수 없는 소자를 제 2 기판 위에 배열해서 보존유지시킬 수가 있는, 다른 색의 발광을 행하는 발광다이오드를 배열하는 것으로 다색 표시의 표시장치를 얻을 수도 있다. 또한, 기판 위의 다른 영역에 한 쪽 소자와 다른 쪽 소자를 매입하여 보존유지하는 것에 의해, 소자를 제 1 기판에 배열하는 것이 가능한 면적이 한정되어 있는 경우에도, 제 2 기판의 면적을 크게 하고, 점착층의 소자가 매입되어 있지 않은 영역에 소자를 추가하여 매입하고, 대면적의 기판 위에도 소자 배열을 행하는 것이 가능해진다.
제 1 전기 배선과 제 2 전기 배선에 의해 소자에 전압을 인가하여 단순 매트릭스 구동에 의해 표시를 행하는 것으로, 기존의 단순 매트릭스 구동에 의한 표시장치와 마찬가지로 화상의 표시를 행하는 것이 가능하다. 또한, 한 쪽 소자 또는 다른 쪽 소자가, 표시 소자 또는 구동 회로 소자라고 하고, 구동 회로 소자에 의해 표시 소자에 전압을 인가하여 액티브 매트릭스 구동에 의해 표시를 행하는 것으로, 기존의 액티브 매트릭스 구동에 의한 표시장치와 마찬가지로 화상의 표시를 행하는 것이 가능하다.
[제 1 실시의 형태]
이하, 본원 발명을 적용한 소자 전사 방법 및 표시장치에 대하여, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또, 본원 발명은 이하의 기술에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다.
도 1 에 도시하는 바와 같이, 가보존유지 기판(1) 위에 가접착층(2)을 형성하고, 가접착층(2) 위에 발광다이오드인 소자(3)를 배열한다. 가보존유지 기판(1) 은 소요의 강성을 가진 기판이며, 반도체 기판, 석영 유리 기판, 플라스틱 기판, 금속 기판 등의 여러 가지 기판을 이용할 수가 있다. 가접착층(2)은 가보존유지 기판(1)의 취급 시에 가보존유지 기판(1) 위에서의 소자(3) 의 위치가 변위하지 않는 정도로, 소자(3)를 보존유지할 수 있는 점착력을 가지는 재질에 의해 형성되어 있다. 또한, 가접착층(2)은 예를 들면 실리콘 수지층에 의해 형성되지만, 시트 형상의 접착제층을 첩부하거나, 접착제층을 스핀코트 등에 의해 도포하는 등에 의해 형성되어도 좋다.
소자(3)는 질화갈륨 등의 질화물 반도체계의 재료에 의해 구성되는 발광소자 다이오드이며, 일례로서 활성층(3b)을 p 클래드층(3p)과 n 클래드층(3n)이 협지하여 구성된 더블헤테로 구조를 가진다. 또한, 여기서 나타내는 소자(3)는 대략 평판 형상이며, 소자(3)의 활성층, 클래드층은 활성층 및 클래드층을 성장시키는 사파이어 기판의 주면(主面)에 평행한 면에서 연재(延在)되고, 선택 성장 등에 의해 질화갈륨 결정층 등을 적층시키는 것에 의해 형성된다. 도면 중에서는 소자(3)의 가접착층(2) 측이 p 클래드층(3p)인 예를 도시하고 있지만, 가접착층(2) 측에 n 클래드층(3n)이 위치하도록 배치해도 좋다. 또한, 도면에서는 생략하고 있지만, p 클래드층(3p)의 표면에는 후술하는 전기 배선과 소자(3)와의 접촉 저항을 저감하기 위한 p 전극이 형성되어 있으며, 마찬가지로 n 클래드층(3n)의 표면에는 n 전극이 형성되어 있다.
또한, 소자(3)는 더블헤테로 구조일 필요도 발광다이오드일 필요도 없으며, 미세 가공된 전자 회로 소자여도 좋다. 소자(3)의 형상으로서는 대략 평판 형상일 필요는 없고, 육각추 형상 등 여러 형상으로 형성되어도 좋지만, 가접착층(2)과 밀착해서 효율적으로 보존유지되기 위해서는 가접착층(2)과 접하는 면은 평탄한 것이 바람직하다. 또한, 가접착층(2) 위에서의 소자(3)끼리의 배치 간격을 도면 중에서는 일정 간격으로 하여 도시하고 있지만, 일정 간격일 필요는 없다.
접착층(2) 위에서의 소자(3)의 배열은 평면 내에서의 종횡 방향으로 복수 배열된 매트릭스 형상이고, 도면 중의 지면에 수직 방향에도 등간격으로 복수의 소자가 배열되어 있다. 소자(3)가 표시 소자로서 기능하는 발광다이오드이기 때문에, 매트릭스 형상으로 배열된 소자(3)를 단순 매트릭스 구동에 의해 구동하는 것으로 화상의 표시를 행하는 것이 가능해진다.
다음에, 도 2에 도시하는 바와 같이, 점착층(5)이 형성된 전사 기판(4)을 가보존유지 기판(1)과 평행이 되도록 배치한다. 전사 기판(4)은 반도체 기판, 석영 유리 기판, 플라스틱 기판, 금속 기판 등의 여러 가지 기판을 이용할 수가 있다. 점착층(5)은 가열 처리 등의 외적 요인에 의해 경화되는 가소성의 수지이며, 시트 형상의 수지를 첩부하거나, 수지를 스핀 코트 등에 의해 도포하는 등에 의해 형성된다. 점착층(5)은 소자(3)를, 예를 들면 완전하게 점착층(5) 내에 매립할 수가 있는 정도의 두께를 가지고 있는 것으로 한다. 또한, 후속 공정에서 점착층(5)을 제거하지 않고 표시장치의 절연층으로서 이용하기 위해서는 절연성의 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
다음에 도 3에 도시하는 바와 같이, 전사 기판(4)과 가보존유지 기판(1)을 평행한 채로 접근시키고, 가접착층(2) 위에 보존유지되어 있는 소자(3)를 점착층 (5)에 매입한다. 이 때, 도 3에 도시한 바와 같이, 가접착층(2)과 점착층(5)이 접할 때까지 소자(3)를 점착층(5)에 매입하고, 소자(3)의 가접착층(2)과 접하는 면과 점착층의 표면이 대략 동일면이 되도록 한다.
점착층(5)에 소자(3)를 매입하는 것에 의해 전사 기판(4)에 대한 소자(3)의 배열을 보존유지하기 때문에, 소자(3)의 형상에 의존하지 않고서 점착층(5) 내에 소자(3)를 매입하고, 전사 기판(4) 위에 실장하는 것이 가능해진다. 또한, 가보존유지 기판(1)과 전사 기판(4)을 접근시키는 것으로 가접착층(2) 위에 배열된 복수의 소자(3)를 일괄해서 점착층(5)에 매입할 수가 있기 때문에, 가접착층(2) 상에서의 소자(3)끼리의 배치 상태를 유지한 채로 동시에 복수의 소자(3)를 전사 기판(4) 에 실장시키는 것이 가능하다.
다음에 도 4에 도시하는 바와 같이, 가접착층(2)으로부터 소자(3)를 박리하고, 소자(3)가 점착층(5)에 매입된 상태에서 전사 기판(4) 위의 위치를 보존유지한다. 이 때, 가접착층(2)이 소자(3)를 보존유지하는 점착력보다도 매입된 소자(3)를 보존유지하는 점착층(5)의 점착력이 크게 되도록 점착층(5)과 가접착층(2)을 구성하는 재질을 선택해 두는 것으로, 가보존유지 기판(1)과 전사 기판(4)을 떼어놓는 것 만으로 소자(3)를 가접착층(2)으로부터 박리하고, 점착층(5)에 소자(3)를 매입한 상태에서 보존유지하는 것이 가능해진다. 또한, 가열이나 광 조사(照射) 등의 환경 변화에 의해 점착력이 변화하도록 가접착층(2) 또는 점착층(5)을 구성하는 재질을 선택하고, 소자(3)를 점착층(5)에 매입한 후에 가접착층(2)의 점착력보다도 점착층(5)의 점착력이 크게 되도록 환경을 변화시키는 것으로 해도 좋다.
점착층(5)을 경화하기 전에 가접착층(2)으로부터 소자(3)를 박리하기 때문에, 가보존유지 기판(1)과 전사 기판(4)을 떼어놓을 때에 필요한 힘이 작고, 소자 (3)를 가접착층(2)으로부터 박리할 때에 가보존유지 기판(1)이나 전사 기판(4)을 파손할 가능성이 낮아진다. 특히, 대화면의 표시장치를 제조할 때에는 전사 기판 (4)의 면적을 크게 할 필요가 있기 때문에, 전사 기판(4)이나 가보존유지 기판(1)의 파손을 저감할 수 있는 것에 의해, 제조 코스트의 저감을 도모하는 것도 가능해진다.
다음에 도 5에 도시하는 바와 같이, 점착층(5)에 소자(3)가 매입되어 보존유지된 상태에서 점착층(5)이 경화되는 바와 같은 외적 요인, 예를 들면 가열 처리 등을 행하여 점착층(5)의 경화를 행하고, 점착층(5) 및 소자(3) 위에 전기 배선(6)을 형성한다. 소자(3)와 점착층(5)이 대략 동일면을 구성하고 있기 때문에, 점착층(5) 위에 마스크를 하여 금속을 스퍼터링 하는 방법이나, 소자(3) 및 점착층 (5) 위에 금속층을 형성한 후에 포토리소그래피 및 에칭을 행하는 방법 등, 통상 이용되는 방법에 의해 전기 배선(6)을 형성하는 것이 가능하다. 소자(3)의 노출된 면은 p 클래드층(3p) 위에 형성되어 있는 p 전극이기 때문에, 전기 배선(6)은 각 소자의 p 클래드층(3p)과 접속된 배선이 된다. 또한, 전기 배선(6)은 도면 중의 지면과 수직 방향으로 연신되어 스트라이프 형상으로 형성되고, 매트릭스 형상으로 배치되어 있는 소자(3)의 주사(走査) 배선으로서 기능한다.
다음에 도 6에 도시하는 바와 같이, 점착층(5)의 전기 배선(6)이 형성된 면과 접착제층(8)이 접하도록, 접착제층(8)이 형성된 지지 기판(7)을 점착층에 첩부한다. 이 때, 점착층(5) 위에 형성된 복수의 전기 배선(6)과 접착제층(8)이 접촉하기 때문에, 접착제층(8)은 절연성의 재질을 선택한다. 지지 기판(7)의 첩부를 한 후, 도 7에 도시하는 바와 같이 레이저를 조사하는 것에 의해 전사 기판(4)을 점착층(5)으로부터 박리한다. 전사 기판(4)과 점착층(5)의 박리를 행하는 것에 의해, 도면에 도시하는 바와 같이, 지지 기판(7) 위에 접착제층(8)이 형성되고, 접착제층 (8) 위에 경화된 점착층(5)이 적층되며, 접착제층(8) 위에 형성된 전기 배선(6)과 점착층(5)에 매입된 복수의 소자(3)가 접착제층(8)과 점착층(5) 사이에 보존유지된 상태로 된다. 이 때, 소자(3)는 경화된 점착층(5)으로부터 노출되어 있지 않기 때문에, 소자(3)의 n 클래드층(3n)에 대해서 전기 배선의 형성을 행할 수 없게 된다.
거기서 도 8에 도시하는 바와 같이, 경화된 점착층(5)에 드라이에칭 등에 의해 소자(3)의 n 클래드층(3n)까지 도달하는 개구부인 컨택트비어(contact via)(9)를 형성한다. 점착층(5)에 컨택트비어(9)를 개구하는 것에 의해, 소자(3)의 n 클래드층(3n)이 점착층(5)으로부터 노출되고, 전기 배선의 형성을 행하는 것이 가능해진다.
다음에 도 9에 도시하는 바와 같이, 컨택트비어(9)에 금속을 충전함과 동시에 점착층(5) 위에 전기 배선(10)을 형성한다. 전기 배선(10)의 형성에는, 점착층 (5)에 마스크를 하여 금속을 스퍼터링 하는 방법이나, 소자(3) 및 점착층(5) 위에 금속층을 형성한 후에 포토리소그래피 및 에칭을 행하는 방법 등, 통상 이용되는 방법에 의해 형성하는 것이 가능하다. 컨택트비어(9)로부터 노출된 소자(3)의 면은 n 클래드층(3n) 위에 형성된 n 전극이기 때문에, 전기 배선(10)은 각 소자의 n 클래드층(3n)과 접속된 배선이 된다. 또한, 전기 배선(10)은 도면 중의 지면과 수평 방향으로 연신되어 스트라이프 형상으로 형성되고, 매트릭스 형상으로 배치되어 있는 소자(3)의 신호 배선으로서 기능한다.
상술한 방법으로 소자(3)의 전사 및 전기 배선(6) 및 전기 배선(10)의 형성을 행하는 것으로, 지지 기판(7) 위에 접착제층(8)이 형성되고, 접착제층(8) 위에 경화된 점착층(5)이 적층되며, 접착제층(8) 위에 형성된 전기 배선(6)과 점착층(5) 에 매입된 복수의 소자(3)가 접착제층(8)과 점착층(5) 사이에 보존유지되고, 점착층(5)에 형성된 컨택트비어(9)가 금속으로 충전되며, 점착층(5) 위에 전기 배선 (10)이 형성된 소자(3)의 배열이 얻어진다. 지지 기판(7) 위에 매트릭스 형상으로 배치된 소자(3)는 발광다이오드이고, 전기 배선(6)은 소자(3)의 p 클래드층(3p)에 접속된 스트라이프 형상의 주사 배선이며, 전기 배선(10)은 소자(3)의 n 클래드층 (3n)에 접속된 스트라이프 형상의 신호 배선이기 때문에, 도 9에 도시된 소자의 배열에 따라, 단순 매트릭스 구동에 의해 표시를 행하는 것이 가능한 표시장치가 얻어진다.
본원 발명의 소자 전사 방법에 있어서, 가보존유지 기판(1) 위에 형성된 가접착층(2)에 소자(3)를 배열하여 도 1에 도시한 상태로 하는 방법의 일례를 이하에 설명한다.
소자(3)는 사파이어 기판 위에 매트릭스 형상으로 배열되도록 형성된 질화 갈륨 등의 질화물 반도체계의 재료에 의해 발광소자 다이오드로서 구성된다. 소자 (3)는 대략 평판 형상이며, 소자(3)의 활성층, 클래드층은 활성층 및 클래드층을 성장시키는 사파이어 기판의 주면과 평행한 면에서 연재되고, 선택 성장 등에 의해 질화갈륨 결정층 등을 적층시키는 것에 의해 형성된다.
소자(3)는 개개의 소자마다 분리되어 사파이어 기판 위에 형성되어 있고, 개개의 소자마다 분리할 때에는, 예를 들면 RIE(반응성 이온 에칭) 등에 의해 분리 가능하다. 본 예에서는, 소자(3)는 대략 평판 형상을 가지지만, 사파이어 기판의 주면에 대해서 경사진 경사 결정층을 가지는 소자여도 좋고, 소자(3)가 예를 들면 사파이어 기판의 주면에 대해서 경사진 면과 평행한 결정면을 가지는 활성층 및 클래드층으로 이루어지는 소자인 경우에는, 소자를 덮도록 수지로 피복된 칩 형성으로 해서 전사할 수도 있다.
계속해서, 소자(3)를 가접착층(2)에 접착한 상태에서, 사파이어 기판으로부터 소자(3)를 분리한다. 사파이어 기판으로부터 소자(3)를 분리할 때에는, 엑시머 레이저나 YAG 레이저 등의 레이저광을 사파이어 기판의 이면으로 조사하고, 소자 (3)와 사파이어 기판과의 계면에 레이저 애블레이션(ablation)을 일으키게 한다. 레이저 애블레이션이란 조사광을 흡수한 고정 재료가 광화학적 또는 열적으로 여기 (勵起)되고, 그 표면이나 내부의 원자 또는 분자의 결합이 절단되는 것을 말하며, 주로 고정 재료 전부 또는 일부가 용해, 증발, 기화 등의 상(相)변화를 일으키는 현상으로서 나타난다. 이 레이저 애블레이션에 의해 소자(3)와 사파이어 기판과의 계면에서는 GaN계 재료가 금속(Ga)과 질소로 분해되어 가스가 발생한다. 이 때문에 비교적 간단하게 소자(3)를 박리할 수가 있다. 조사되는 레이저광으로서는, 특히 단파장역에서 고출력인 것으로부터 엑시머레이저를 이용하는 것이 바람직하고, 순간적으로의 처리가 가능하여, 소자(3)의 박리를 신속히 행할 수가 있다.
상술한 레이저 애블레이션을 이용하여 성장 기판인 사파이어 기판으로부터 가(假)보존유지 기판(1) 위에 소자(3)를 배열하는 것에 의해, 성장 기판 위에서는 소자(3)끼리의 간격이 매우 밀접하게 배열되어 있어도 선택적으로 소자(3)에 레이저를 조사하여 성장 기판으로부터 박리하는 것으로, 소자(3)끼리의 간격을 크게 한 상태에서 가보존유지 기판(1) 위에 배치를 행하는 것이 가능하다.
소자(3)를 점착층(5)에 매입하는 소자 전사 방법을 이용하여 표시장치를 얻는 것에 의해, 소자(3)의 배열 및 상기 전기 배선(6) 및 전기 배선(10)의 형성을 행할 수가 있다. 전기 배선(6)과 전기 배선(10)에 의해 소자(3)에 전압을 인가하여 단순 매트릭스 구동에 의해 표시를 행하는 것으로, 기존의 단순 매트릭스 구동에 의한 표시장치와 마찬가지로 화상의 표시를 행하는 것이 가능하다.
[제 2 실시의 형태]
다음에, 본원 발명의 다른 실시의 형태를 이하에 도면을 이용하여 설명한다. 본 실시의 형태는 상술한 제 1 실시의 형태 중, 소자를 점착층에 매입하는 공정을 변화시킨 소자의 전사 방법이며, 다른 공정은 제 1 실시의 형태와 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
가보존유지 기판(21) 위에 형성된 가접착층(22) 위에 소자(23)를 배열하고, 접착층(25)이 형성된 전사 기판(24)을 가보존유지 기판(21)과 평행이 되도록 배치한 후에, 가보존유지 기판(21)과 전사 기판(24)을 접근시켜 간다. 제 1 실시의 형태에서는 가접착층과 점착층이 접촉할 때까지 가보존유지 기판과 전사 기판을 접근시키고, 소자와 점착층의 표면이 대략 동일면이 될 때까지 소자를 점착층에 매입 하였지만, 본 실시의 형태에서는 도 10에 도시하는 바와 같이 가접착층(22)과 점착층(25)이 접촉하지 않고, 소자(23)가 부분적으로 점착층(25)에 매입된 상태가 될 때까지 가보존유지 기판(21)과 전사 기판(24)을 접근시킨다.
점착층(25)에 소자(23)을 부분적으로 매입한 후에, 도 11에 도시하는 바와 같이 가접착층(22)으로부터 소자(23)를 박리하고, 소자(23)가 점착층(25)에 매입된 상태에서 전사 기판(24) 위의 위치를 보존유지한다. 이 때, 가접착층(22)이 소자 (23)를 보존유지하는 점착력보다도, 매입된 소자(23)를 보존유지하는 점착층(25) 의 점착력이 크게 되도록 점착층(25)과 가접착층(22)을 구성하는 재질을 선택해 두는 것으로, 가보존유지 기판(21)과 전사 기판(24)을 떼어놓는 것만으로 소자(23)를 가접착층(22)으로부터 박리하여, 점착층(25)에 소자(23)를 매입한 상태에서 보존유지하는 것이 가능해진다. 또한, 가열이나 광조사 등의 환경 변화에 의해 점착력이 변화하도록 가접착층(22) 또는 점착층(25)을 구성하는 재질을 선택하고, 소자(23)를 점착층(25)에 매입한 후에 가접착층(22)의 점착력보다도 점착층(25)의 점착력이 크게 되도록 환경을 변화시키는 것으로 해도 좋다.
가접착층(22)과 점착층(25)을 접촉시키지 않고 가접착층(22)으로부터 소자 (23)를 박리하기 때문에, 가보존유지 기판(21)과 전사 기판(24)을 떼어놓을 때에 필요한 힘이 작고, 소자(23)를 가접착층(22)으로부터 박리할 때에 가보존유지 기판 (21)이나 전사 기판(24)을 파손할 가능성이 낮아진다. 특히, 대화면의 표시장치를 제조할 때에는 전사 기판(24)의 면적을 크게 할 필요가 있기 때문에, 전사 기판 (24)이나 가보존유지 기판(21)의 파손을 저감시킬 수 있는 것에 의해, 제조 코스트의 저감을 도모하는 것도 가능해진다.
다음에 도 12에 도시하는 바와 같이, 점착층(25)에 부분적으로 매입하여 점착층(25)으로부터 부분적으로 돌출된 상태의 소자(23)를 롤러 등으로 점착층(25) 에 더욱 깊게 매입하고, 소자(23)와 점착층(25)의 표면이 대략 동일면이 될 때까지 소자(23)를 점착층(25)에 매입하여 점착층(25)에 보존유지시킨다.
그 후에는 제 1 실시의 형태와 마찬가지로 해서, 점착층(25)에 소자(23)가 매입되어 보존유지된 상태에서 점착층(25)이 경화되는 바와 같은 외적 요인, 예를 들면 가열 처리 등을 행하여 점착층(25)의 경화를 행하고, 점착층(25) 및 소자(23) 위에 전기 배선을 형성하며, 점착층(25)의 전기 배선이 형성된 면과 접착제층이 접하도록 접착제층이 형성된 지지 기판을 점착층(25)에 첩부한다. 지지 기판의 첩부를 행한 후, 레이저를 조사하는 것에 의해 전사 기판(24)을 점착층(25)으로부터 박리한다.
다음에, 경화된 점착층(25)에 드라이에칭 등에 의해 소자(23)까지 도달하는 개구부인 컨택트비어를 형성하고, 컨택트비어에 금속을 충전함과 동시에 점착층 (25) 위에 전기 배선을 형성한다. 소자(23) 및 전기 배선의 배열과 전기적인 접속 구조에 의해, 제 1 실시의 형태와 마찬가지로 단순 매트릭스 구동에 의해 표시를 행하는 표시장치를 얻을 수가 있다.
[제 3 실시의 형태]
다음에, 본원 발명의 다른 실시의 형태를 이하에 도면을 이용하여 설명한다. 본 실시의 형태는, 상술한 제 1 실시의 형태 중, 소자를 점착층에 매입하는 공정을 복수회 반복하여 행하는 소자의 전사 방법이며, 다른 공정은 제 1 실시의 형태와 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
도 13은 본 실시의 형태에 있어서 소자(33R)를 점착층(35)에 매입하는 공정을 도시한 도면이다. 소자(33R)는 적색을 발광하는 발광다이오드이다. 가보존유지 기판 위에 형성된 가접착층 위에 소자(33R)를 배열하고, 점착층(35)이 형성된 전사 기판(34)을 가보존유지 기판에 평행하게 되도록 배치한 후에, 가보존유지 기판과 전사 기판(34)을 접근시키고, 점착층(35)에 소자(33R)를 매입한다. 가접착층으로부터 소자(33R)를 박리하고, 도 13의 (a)에 도시하는 바와 같이 소자(33R)가 점착층 (35)에 매입된 상태에서 전사 기판(34) 위의 위치를 보존유지한다.
그 후 도 13의 (b)에 도시하는 바와 같이, 녹색을 발광하는 발광다이오드인 소자(33G)를 재차 도 1 내지 도 4 에 도시한 수순으로 소자(33R)에 인접하는 위치에 매입하고, 그 후 도 13의 (c)에 도시하는 바와 같이, 청색을 발광하는 발광다이오드인 소자(33B)를 소자(33G)에 인접하는 위치에 매입한다.
복수 종류의 소자를 점착층(35)에 매입한 후에, 제 1 실시의 형태와 마찬가지로 해서 점착층(35)에 소자(33R), (33G), (33B)가 매입되어 보존유지된 상태에서 점착층(35)이 경화되는 바와 같은 외적 요인, 예를 들면 가열 처리 등을 행하여 점착층(35)의 경화를 행하고, 점착층(35) 및 소자(33) 위에 전기 배선을 형성하며, 점착층(35)의 전기 배선이 형성된 면과 접착제층이 접하도록 접착제층이 형성된 지지 기판을 점착층(35)에 첩부한다. 지지 기판의 첩부를 행한 후에, 레이저를 조사하는 것에 의해 전사 기판(34)을 점착층(35)으로부터 박리한다.
다음에, 경화된 점착층(35)에 드라이에칭 등에 의해 소자(33)까지 도달하는 개구부인 컨택트비어를 형성하고, 컨택트비어에 금속을 충전함과 동시에 점착층 (35) 위에 전기 배선을 형성한다. 소자(33R), (33G), (33B) 및 전기 배선의 배열과 전기적인 접속 구조에 의해 적ㆍ녹ㆍ청의 발광을 행하는 소자에 의해 1 화소를 구성하는 표시장치를 얻는 것이 가능하다.
다른 특성을 가지는 소자는 일반적으로 동일한 성장 기판 위에 형성하는 것이 곤란하고, 그 때문에 다른 특성을 가지는 소자를 가보존유지 기판 위에 배열한 후에 점착층(35)에 소자(33)를 매입하는 것은 곤란하다. 점착층(35)을 경화하기 전에 가보존유지 기판 위에 배열된 소자(33)의 점착층(35)으로의 매입을 반복해서 행하는 것에 의해, 다른 특성을 가지는 소자(33)를 전사 기판(34) 위의 동일면 내에 배열하는 것이 용이해진다. 또한, 점착층(35)에 소자(33R)가 매입된 상태에서 다른 특성의 소자(33G)를 점착층(35)에 매입하는 것으로, 가보존유지 기판 위에 배열된 소자(33G)와 점착층(35)에 매입되어 있는 소자(33R)와의 위치 관계를 조정할 때에, 소자(33G)와 소자(33R)가 간섭해서 배열이 흐트러지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 소자(33)로서는 발광다이오드 외에도 수광(受光) 소자나 구동 회로 소자 등을 이용할 수가 있기 때문에, 표시 소자와 수광 소자를 동일면 내에 혼재시켜서 배열하는 것이나, 표시 소자와 구동 회로 소자를 동일면 내에 혼재시켜서 배열하는 것을 용이하게 행할 수 있다.
표시 소자와 구동 회로 소자를 1 화소 중에 혼재시켜서 소자의 전사를 행하여 전기 배선의 형성을 행하는 것에 의해, 구동 회로 소자에 대해서 전기 신호를 송출하고, 구동 회로 소자에 의해 화소마다의 발광을 제어하는 액티브 매트릭스 구동의 표시 소자를 얻을 수도 있다.
[제 4 실시의 형태]
다음에, 본원 발명의 다른 실시의 형태를 이하에 도면을 이용해 설명한다. 본 실시의 형태는 상술한 제 1 실시의 형태 중, 소자를 점착층에 매입하는 공정을 복수회 반복해서 행하는 소자의 전사 방법이며, 다른 공정은 제 1 실시의 형태와 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
도 14a∼도 14c는 본 실시의 형태에 있어서 소자(43)를 점착층(45)에 매입하는 공정을 도시한 도면이다. 가보존유지 기판 위에 형성된 가접착층 위에 소자(43)를 배열하고, 점착층(45)이 형성된 전사 기판(44)을 가보존유지 기판에 평행하게 되도록 배치한 후에, 가보존유지 기판과 전사 기판(44)을 접근시켜 점착층(45)에 소자(43)를 매입한다. 가접착층으로부터 소자(43)을 박리하고, 도 14a에 도시하는 바와 같이 소자(43)가 점착층(45)에 매입된 상태에서 전사 기판(44) 위의 위치를 보존유지한다. 이 때, 소자(43)가 매입되는 영역은 전사 기판(44) 위에서의 일부분이고, 소자(43)가 매입되어 있지 않은 점착층(45)의 영역이 있는 것으로 한다.
다음에 도 14b 및 도 14c에 도시하는 바와 같이, 소자(43)가 매입되어 있지 않은 점착층(45)의 영역에 소자(43)를 더 추가해서 매입한다. 복수회로 분할하여 소자(43)를 점착층(45)에 매입한 후에, 제 1 실시의 형태와 마찬가지로 해서, 점착층(45)에 소자가 매입되어 보존유지된 상태에서 점착층(45)이 경화되는 바와 같은 외적 요인, 예를 들면 가열 처리 등을 행하여 점착층(45)의 경화를 행하고, 점착층 (45) 및 소자(43) 위에 전기 배선을 형성하며, 점착층(45)의 전기 배선이 형성된 면과 접착제층이 접하도록, 접착제층이 형성된 지지 기판을 점착층(45)에 첩부한다. 지지 기판의 첩부를 행한 후, 레이저를 조사하는 것에 의해 전사 기판(44)을 점착층(45)으로부터 박리한다.
다음에, 경화된 점착층(45)에 드라이에칭 등에 의해 소자(43)까지 도달하는 개구부인 컨택트비어를 형성하고, 컨택트비어에 금속을 충전함과 동시에 점착층 (45) 위에 전기 배선을 형성한다. 소자(43) 및 전기 배선의 배열과 전기적인 접속 구조에 의해, 단순 매트릭스 구동에 의해 표시를 행하는 것이 가능한 표시장치가 얻어진다.
점착층(45)에 소자(43)가 매입된 상태에서, 소자(43)가 매입되어 있지 않은 전사 기판(44) 위의 영역에 더 추가하여 소자(43)를 매입해서 보존유지하는 것에 의해, 소자(43)를 가보존유지 기판에 배열하는 것이 가능한 면적이 한정되어 있는 경우에도, 전사 기판(44)의 면적을 크게 해서, 대면적의 기판 위에도 소자 배열을 행하는 것이 가능해진다. 이것은 특히 대화면의 표시장치를 제조하는 경우에 유용한 소자 전사 방법이 된다.
점착층을 경화하기 전에 가접착층으로부터 소자를 박리하기 때문에, 가보존유지 기판과 전사 기판을 떼어놓을 때에 필요한 힘이 작고, 소자를 가접착층으로부터 박리할 때에 가보존유지 기판이나 전사 기판을 파손할 가능성이 낮아진다. 특히, 대화면의 표시장치를 제조할 때에는 전사 기판의 면적을 크게 할 필요가 있기 때문에, 전사 기판이나 가보존유지 기판의 파손을 저감시킬 수 있는 것에 의해 제조 코스트의 저감을 도모하는 것도 가능해진다.
점착층을 경화하기 전에 다른 특성을 가지는 소자를 점착층에 매입하는 것으로, 동일한 성장 기판 위에는 형성할 수 없는 소자를 전사 기판 위에 배열하여 보존유지시킬 수가 있으며, 다른 색의 발광을 행하는 발광다이오드를 배열하는 것으로 다색 표시의 표시장치를 얻을 수도 있다. 또한, 소자로서 발광다이오드 외에 수광 소자를 이용하거나, 구동 회로를 이용하는 것도 가능하다.
표시 소자와 구동 회로 소자를 1 화소 중에 혼재시켜 소자의 전사를 행하고, 전기 배선의 형성을 행하는 것에 의해, 구동 회로 소자에 대해서 전기 신호를 송출하고, 구동 회로 소자에 의해 화소마다의 발광을 제어하는 액티브 매트릭스 구동의 표시 소자를 얻을 수도 있다.
점착층에 소자가 매입된 상태에서, 전사 기판 위의 소자가 매입되어 있지 않은 영역에 더 추가하여 소자를 매입해서 보존유지하는 것에 의해, 소자를 가보존유지 기판에 배열하는 것이 가능한 면적이 한정되어 있는 경우에도, 전사 기판의 면적을 크게 하여 대면적의 기판 위에도 소자 배열을 행하는 것이 가능해진다. 이것은 특히 대화면의 표시장치를 제조하는 경우에 유용한 소자 전사 방법이 된다.

Claims (23)

  1. 제 1 기판 위에 배열된 소자를, 제 2 기판 위에 형성된 점착층(粘着層)에 매입(埋入)하는 공정과,
    상기 제 1 기판으로부터 상기 소자를 박리(剝離)하여, 상기 소자를 상기 점착층에 매입한 상태에서 보존유지하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 점착층에 상기 소자를 매입하여 보존유지한 후에, 상기 점착층을 경화 (硬化)하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 점착층을 경화한 후에, 상기 점착층 위에 제 1 전기 배선을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 점착층 위에 상기 제 1 전기 배선을 형성한 후에, 상기 점착층의 상기 제 1 전기 배선이 형성된 면에 제 3 기판을 첩부(貼付)하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 점착층의 상기 제 1 전기 배선이 형성된 면에 제 3 기판을 첩부한 후에, 상기 제 2 기판과 상기 점착층을 박리하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제 2 기판과 상기 점착층을 박리한 후에, 상기 점착층에 상기 소자까지 도달하는 개구부를 형성하는 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 개구부에 도전성 재료를 충전함과 동시에, 상기 점착층 위에 제 2 전기 배선을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 소자를 상기 점착층에 매입하기 전에, 상기 제 1 기판 위에 형성된 가(假)접착층에 상기 소자를 접촉시키고, 상기 소자를 상기 가접착층에 가접착하는 것으로 상기 제 1 기판 위에 상기 소자를 배열하는 공정을 더 가지는 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 1 기판 위에 형성된 상기 가접착층의 점착력보다도, 상기 제 2 기판 위에 형성된 상기 점착층의 점착력이 큰 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 점착층 또는 상기 가접착층의 점착력을 변화시키고, 상기 가접착층의 점착력보다도 상기 점착층의 점착력을 크게 하는 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 점착층에 대한 매입은, 상기 소자를 부분적으로 매몰시키는 정도로 행하는 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 점착층은 절연성 재료에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  13. 제 2 기판 위에 형성된 점착층에 한 쪽 소자가 매입된 상태에서, 제 1 기판 위에 배열된 다른 쪽 소자를 상기 점착층에 더 매입하는 공정과,
    상기 제 1 기판으로부터 상기 다른 쪽 소자를 박리하여, 상기 다른 쪽 소자를 상기 점착층에 매입한 상태에서 보존유지하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 한 쪽 소자와 상기 다른 쪽 소자는 다른 특성을 가지는 소자인 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 기판 위의 다른 영역에 상기 한 쪽 소자와 상기 다른 쪽 소자를 매입 하여 보존유지하는 것을 특징으로 하는 소자 전사 방법.
  16. 제 1 기판 위에 배열된 소자를 제 2 기판 위에 형성된 점착층에 매입하고,
    상기 제 1 기판으로부터 상기 소자를 박리하여, 상기 소자를 상기 점착층에 매입한 상태에서 보존유지시켜 상기 점착층을 경화하고,
    상기 점착층 위에 제 1 전기 배선을 형성하고, 상기 점착층의 상기 제 1 전기 배선이 형성된 면에 제 3 기판을 첩부하고, 상기 제 2 기판과 상기 점착층을 박리하며,
    상기 점착층에 상기 소자까지 도달하는 개구부를 형성하여, 상기 개구부에 도전성 재료를 충전함과 동시에, 상기 점착층 위에 제 2 전기 배선을 형성하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제 1 전기 배선과 상기 제 2 전기 배선에 의해 상기 소자에 전압을 인가하여 단순 매트릭스 구동에 의해 표시를 행하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  18. 제 1 기판 위에 배열된 한 쪽 소자를 제 2 기판 위에 형성된 점착층에 매입하고, 상기 제 1 기판으로부터 상기 한 쪽 소자를 박리하여 상기 한 쪽 소자를 상기 점착층에 매입한 상태에서 보존유지하고,
    상기 점착층에 한 쪽 소자가 매입된 상태에서, 제 1 기판 위에 배열된 다른 쪽 소자를 상기 점착층에 더 매입하고, 상기 제 1 기판으로부터 상기 다른 쪽 소자를 박리하여 상기 다른 쪽 소자를 상기 점착층에 매입한 상태에서 보존유지하고,
    상기 한 쪽 소자 및 상기 다른 쪽 소자를 상기 점착층에 매입한 상태에서 보존유지시켜 상기 점착층을 경화하고,
    상기 점착층 위에 제 1 전기 배선을 형성하고, 상기 점착층의 상기 제 1 전기 배선이 형성된 면에 제 3 기판을 첩부하며, 상기 제 2 기판과 상기 점착층을 박리하고,
    상기 점착층에 상기 한 쪽 소자 또는 상기 다른 쪽 소자까지 도달하는 개구부를 형성하여, 상기 개구부에 도전성 재료를 충전함과 동시에, 상기 점착층 위에 제 2 전기 배선을 형성하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 한 쪽 소자와 상기 다른 쪽 소자는 다른 특성을 가지는 소자인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  20. 제 18항에 있어서,
    상기 제 2 기판에서의 다른 영역에 상기 한 쪽 소자와 상기 다른 쪽 소자를 매입하여 보존유지하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  21. 제 18항에 있어서,
    상기 제 1 전기 배선과 상기 제 2 전기 배선에 의해 상기 한 쪽 소자 또는 상기 다른 쪽 소자에 전압을 인가하여 단순 매트릭스 구동에 의해 표시를 행하는 표시장치.
  22. 제 18항에 있어서,
    상기 한 쪽 소자 또는 상기 다른 쪽 소자가 표시 소자 또는 구동 회로 소자인 것을 특징으로 하는 표시장치.
  23. 제 22항에 있어서,
    상기 구동 회로 소자에 의해 상기 표시 소자에 전압을 인가하여 액티브 매트릭스 구동에 의해 표시를 행하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
KR1020047016234A 2003-03-06 2004-01-28 소자 전사 방법 및 표시장치 KR100982964B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2003-00059540 2003-03-06
JP2003059540A JP4082242B2 (ja) 2003-03-06 2003-03-06 素子転写方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050118100A true KR20050118100A (ko) 2005-12-15
KR100982964B1 KR100982964B1 (ko) 2010-09-17

Family

ID=32958851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020047016234A KR100982964B1 (ko) 2003-03-06 2004-01-28 소자 전사 방법 및 표시장치

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20050233504A1 (ko)
JP (1) JP4082242B2 (ko)
KR (1) KR100982964B1 (ko)
CN (1) CN1698077A (ko)
TW (1) TWI246107B (ko)
WO (1) WO2004079700A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014083974A1 (ja) * 2012-11-27 2014-06-05 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
KR20190121393A (ko) * 2017-03-16 2019-10-25 코닝 인코포레이티드 마이크로-led들의 대량 전달을 위한 방법 및 프로세스
KR20210089555A (ko) * 2020-01-08 2021-07-16 웨이브로드 주식회사 반도체 발광소자 칩을 전사하는 방법

Families Citing this family (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7294961B2 (en) * 2004-03-29 2007-11-13 Articulated Technologies, Llc Photo-radiation source provided with emissive particles dispersed in a charge-transport matrix
US20070090387A1 (en) * 2004-03-29 2007-04-26 Articulated Technologies, Llc Solid state light sheet and encapsulated bare die semiconductor circuits
US7217956B2 (en) * 2004-03-29 2007-05-15 Articulated Technologies, Llc. Light active sheet material
US7858994B2 (en) * 2006-06-16 2010-12-28 Articulated Technologies, Llc Solid state light sheet and bare die semiconductor circuits with series connected bare die circuit elements
US7521292B2 (en) 2004-06-04 2009-04-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Stretchable form of single crystal silicon for high performance electronics on rubber substrates
EP2650907A3 (en) 2004-06-04 2014-10-08 The Board of Trustees of the University of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
JP4848638B2 (ja) * 2005-01-13 2011-12-28 ソニー株式会社 半導体素子の形成方法および半導体素子のマウント方法
JP2006324549A (ja) 2005-05-20 2006-11-30 Sony Corp 素子転写装置、素子転写方法および表示装置の製造方法
US8456015B2 (en) 2005-06-14 2013-06-04 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Triaxial through-chip connection
US7687400B2 (en) 2005-06-14 2010-03-30 John Trezza Side stacking apparatus and method
US7851348B2 (en) 2005-06-14 2010-12-14 Abhay Misra Routingless chip architecture
US7781886B2 (en) 2005-06-14 2010-08-24 John Trezza Electronic chip contact structure
US7560813B2 (en) 2005-06-14 2009-07-14 John Trezza Chip-based thermo-stack
US7946331B2 (en) 2005-06-14 2011-05-24 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Pin-type chip tooling
US7767493B2 (en) * 2005-06-14 2010-08-03 John Trezza Post & penetration interconnection
US7786592B2 (en) 2005-06-14 2010-08-31 John Trezza Chip capacitive coupling
US7838997B2 (en) 2005-06-14 2010-11-23 John Trezza Remote chip attachment
JP2007059873A (ja) * 2005-07-26 2007-03-08 Sharp Corp 半導体発光素子及びその製造方法
CN100429796C (zh) * 2005-07-26 2008-10-29 夏普株式会社 半导体发光元件及其制造方法
US8067253B2 (en) * 2005-12-21 2011-11-29 Avery Dennison Corporation Electrical device and method of manufacturing electrical devices using film embossing techniques to embed integrated circuits into film
JP2007299846A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Sharp Corp 半導体発光素子及びその製造方法
US7687397B2 (en) 2006-06-06 2010-03-30 John Trezza Front-end processed wafer having through-chip connections
TWI292947B (en) * 2006-06-20 2008-01-21 Unimicron Technology Corp The structure of embedded chip packaging and the fabricating method thereof
JP4899675B2 (ja) 2006-07-12 2012-03-21 ソニー株式会社 実装方法、電子機器の製造方法および発光ダイオードディスプレイの製造方法
US9111950B2 (en) * 2006-09-28 2015-08-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Process for preparing a semiconductor structure for mounting
JP5306589B2 (ja) * 2006-11-17 2013-10-02 シャープ株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP2008130861A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Sony Corp シリコーンゴム層積層体及びその製造方法、突当て装置、実装用基板への物品の実装方法、並びに、発光ダイオード表示装置の製造方法
JP2008141026A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Sony Corp 電子機器及びその製造方法、並びに、発光ダイオード表示装置及びその製造方法
JP2008176073A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Japan Advanced Institute Of Science & Technology Hokuriku 回路基板シートおよび回路基板の製造方法
US7670874B2 (en) 2007-02-16 2010-03-02 John Trezza Plated pillar package formation
JP6017110B2 (ja) 2007-05-29 2016-11-09 ティーピーケイ ホールディング カンパニー リミテッド 粒子含有表面とその関連方法
DE102007043877A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement
JP4450046B2 (ja) 2007-10-05 2010-04-14 ソニー株式会社 電子部品基板の製造方法
JP5506172B2 (ja) * 2007-10-10 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板の作製方法
JP4479827B2 (ja) 2008-05-12 2010-06-09 ソニー株式会社 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
JP2012500865A (ja) 2008-08-21 2012-01-12 イノーバ ダイナミクス インコーポレイテッド 増強された表面、コーティング、および関連方法
US8580612B2 (en) * 2009-02-12 2013-11-12 Infineon Technologies Ag Chip assembly
JP2010245365A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Sony Corp 半導体発光素子組立体の製造方法、半導体発光素子、電子機器、及び、画像表示装置
TWI485825B (zh) * 2009-07-28 2015-05-21 Xintec Inc 晶片封裝體及其形成方法
KR101043540B1 (ko) * 2009-10-01 2011-06-21 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 제조방법
US20110151114A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Cooledge Lighting, Inc. Composite patterning device and method for removing elements from host substrate by establishing conformal contact between device and a contact surface
US9496155B2 (en) * 2010-03-29 2016-11-15 Semprius, Inc. Methods of selectively transferring active components
US9263314B2 (en) * 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
US8749009B2 (en) * 2010-08-07 2014-06-10 Innova Dynamics, Inc. Device components with surface-embedded additives and related manufacturing methods
JP5426498B2 (ja) * 2010-08-18 2014-02-26 シスメックス株式会社 検体吸引装置
JP5740981B2 (ja) 2011-01-05 2015-07-01 ソニー株式会社 発光装置、照明装置および表示装置
JP5652252B2 (ja) 2011-02-24 2015-01-14 ソニー株式会社 発光装置、照明装置および表示装置
JP5754173B2 (ja) * 2011-03-01 2015-07-29 ソニー株式会社 発光ユニットおよび表示装置
KR101847941B1 (ko) * 2012-02-08 2018-04-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US9034672B2 (en) * 2012-06-19 2015-05-19 Epistar Corporation Method for manufacturing light-emitting devices
CN108598102B (zh) * 2012-08-15 2021-11-05 晶元光电股份有限公司 发光装置
JP6478913B2 (ja) 2012-09-05 2019-03-06 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. デバイスウエハからのキャリアウエハのレーザ剥離
JP2014130918A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Nitto Denko Corp 封止層被覆光半導体素子、その製造方法および光半導体装置
JP6078920B2 (ja) * 2013-02-13 2017-02-15 国立大学法人広島大学 薄膜形成方法、及びそれを用いて作製した半導体基板ならびに電子デバイス
US9299887B2 (en) * 2013-03-15 2016-03-29 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Ultra-thin printed LED layer removed from substrate
JP6104832B2 (ja) 2013-03-25 2017-03-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子組立体及びその製造方法、並びに、表示装置
CN110277379B (zh) * 2013-06-26 2024-04-16 晶元光电股份有限公司 发光元件及其制造方法
KR20150012530A (ko) * 2013-07-25 2015-02-04 삼성디스플레이 주식회사 전사용 도너 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
TWI549170B (zh) * 2013-07-29 2016-09-11 晶元光電股份有限公司 選擇性轉移半導體元件的方法
KR101841609B1 (ko) * 2013-07-29 2018-03-23 에피스타 코포레이션 반도체 장치
CN103700662B (zh) * 2013-12-09 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种承载基板和柔性显示器件制作方法
DE102014215661A1 (de) 2014-08-07 2016-02-11 Airbus Operations Gmbh Flugzeuginnenverkleidungsbauteil, Verfahren zur Herstellung eines Flugzeuginnenverkleidungsbauteils und Flugzeugbaugruppe
US9209142B1 (en) * 2014-09-05 2015-12-08 Skorpios Technologies, Inc. Semiconductor bonding with compliant resin and utilizing hydrogen implantation for transfer-wafer removal
US9825202B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
US10242977B2 (en) 2014-10-31 2019-03-26 eLux, Inc. Fluid-suspended microcomponent harvest, distribution, and reclamation
US10381332B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 eLux Inc. Fabrication method for emissive display with light management system
US10381335B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 ehux, Inc. Hybrid display using inorganic micro light emitting diodes (uLEDs) and organic LEDs (OLEDs)
US10543486B2 (en) 2014-10-31 2020-01-28 eLux Inc. Microperturbation assembly system and method
US10418527B2 (en) 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
US10446728B2 (en) 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
US10535640B2 (en) 2014-10-31 2020-01-14 eLux Inc. System and method for the fluidic assembly of micro-LEDs utilizing negative pressure
US10236279B2 (en) 2014-10-31 2019-03-19 eLux, Inc. Emissive display with light management system
US10319878B2 (en) 2014-10-31 2019-06-11 eLux, Inc. Stratified quantum dot phosphor structure
US10520769B2 (en) 2014-10-31 2019-12-31 eLux, Inc. Emissive display with printed light modification structures
TWI557831B (zh) * 2015-05-15 2016-11-11 友達光電股份有限公司 微組件的傳送方法
US10224307B2 (en) * 2015-07-14 2019-03-05 Goertek, Inc. Assembling method, manufacturing method, device and electronic apparatus of flip-die
WO2017037475A1 (en) * 2015-09-02 2017-03-09 Oculus Vr, Llc Assembly of semiconductor devices
GB2541970B (en) * 2015-09-02 2020-08-19 Facebook Tech Llc Display manufacture
GB2549734B (en) 2016-04-26 2020-01-01 Facebook Tech Llc A display
GB2544728B (en) 2015-11-17 2020-08-19 Facebook Tech Llc Redundancy in inorganic light emitting diode displays
US10600823B2 (en) 2015-09-02 2020-03-24 Facebook Technologies, Llc Assembly of semiconductor devices
CN107924653B (zh) 2015-09-11 2020-02-28 夏普株式会社 图像显示装置以及图像显示元件的制造方法
KR102412409B1 (ko) * 2015-10-26 2022-06-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US10068888B2 (en) * 2015-12-21 2018-09-04 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Making semiconductor devices with alignment bonding and substrate removal
US9842782B2 (en) * 2016-03-25 2017-12-12 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Intermediate structure for transfer, method for preparing micro-device for transfer, and method for processing array of semiconductor device
CN105870265A (zh) * 2016-04-19 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管基板及其制备方法、显示装置
US9887119B1 (en) * 2016-09-30 2018-02-06 International Business Machines Corporation Multi-chip package assembly
KR101897129B1 (ko) * 2016-10-18 2018-09-10 한국기계연구원 소자 전사방법 및 소자 전사방법을 이용한 전자제품 제조방법
US10720415B2 (en) * 2016-11-01 2020-07-21 Innolux Corporation Display device and method for forming the same
DE102016124646A1 (de) * 2016-12-16 2018-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
KR102587215B1 (ko) * 2016-12-21 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
EP3598492B1 (en) 2017-03-13 2023-07-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Method for manufacturing display device
WO2018230606A1 (ja) * 2017-06-13 2018-12-20 大日本印刷株式会社 積層体およびそれを用いた凹部付き多層体の製造方法
JP2019015899A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 株式会社ブイ・テクノロジー 表示装置の製造方法、チップ部品の転写方法、および転写部材
DE102017123290A1 (de) 2017-10-06 2019-04-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauteil, Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
DE102017126338A1 (de) 2017-11-10 2019-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteilverbund, Bauteil und Verfahren zur Herstellung von Bauteilen
TWI637481B (zh) 2017-11-29 2018-10-01 財團法人工業技術研究院 半導體結構、發光裝置及其製造方法
DE102017129326B4 (de) * 2017-12-08 2022-04-28 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlichtquellen
CN108258006B (zh) * 2017-12-21 2021-04-06 厦门市三安光电科技有限公司 微发光元件
KR102113200B1 (ko) * 2017-12-22 2020-06-03 엘씨스퀘어(주) 변형필름을 이용한 전사방법
WO2019232230A1 (en) * 2018-05-30 2019-12-05 The Regents Of The University Of California Method of removing semiconducting layers from a semiconducting substrate
TWI683453B (zh) 2018-06-08 2020-01-21 友達光電股份有限公司 發光裝置的製造方法
WO2019237228A1 (zh) * 2018-06-11 2019-12-19 厦门三安光电有限公司 发光组件
CN108807265B (zh) * 2018-07-09 2020-01-31 厦门乾照光电股份有限公司 Micro-LED巨量转移方法、显示装置及制作方法
US11110520B2 (en) * 2018-08-10 2021-09-07 The Boeing Company Fastener alignment systems, fastener alignment kits, and associated methods
DE102018120711A1 (de) * 2018-08-24 2020-02-27 Airbus India Operations Private Limited Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Verbundmaterialbauteils mit integriertem elektrischen Leiterkreis sowie damit erhältliches Verbundmaterialbauteil
JP7335085B2 (ja) * 2019-03-29 2023-08-29 東レエンジニアリング株式会社 転写基板ならびにこれを用いた実装方法および画像表示装置の製造方法
CN112424958B (zh) 2019-06-13 2024-04-09 京东方科技集团股份有限公司 微型发光二极管的巨量转移方法及系统
JP7308944B2 (ja) * 2019-06-28 2023-07-14 京セラ株式会社 半導体素子の製造方法
US20210066547A1 (en) 2019-08-28 2021-03-04 Tslc Corporation Semiconductor Components And Semiconductor Structures And Methods Of Fabrication
CN112802756A (zh) * 2019-11-13 2021-05-14 成都辰显光电有限公司 临时基板及其制备方法、以及微元件的转移方法
CN111722440A (zh) * 2020-06-30 2020-09-29 上海天马微电子有限公司 驱动背板、背光模组、制作方法以及显示面板
JP2022116799A (ja) * 2021-01-29 2022-08-10 日東電工株式会社 電子部品転写用粘着シートおよび電子部品転写用粘着シートを用いた電子部品の加工方法
CN113611786B (zh) * 2021-08-02 2022-09-27 东莞市中麒光电技术有限公司 剥离良率高且方便倒膜的led芯片巨量转移方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4034134A (en) * 1975-10-07 1977-07-05 United Merchants And Manufacturers, Inc. Laminates and coated substrates
JPH0521007A (ja) * 1991-07-15 1993-01-29 Nissha Printing Co Ltd 蛍光表示管の製造方法
US5548091A (en) * 1993-10-26 1996-08-20 Tessera, Inc. Semiconductor chip connection components with adhesives and methods for bonding to the chip
US6700185B1 (en) * 1999-11-10 2004-03-02 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive film for semiconductor, lead frame and semiconductor device using the same, and method for manufacturing semiconductor device
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP4665298B2 (ja) * 2000-08-25 2011-04-06 東レ株式会社 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置
JP4538951B2 (ja) * 2000-12-15 2010-09-08 ソニー株式会社 素子の選択転写方法、画像表示装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法
JP4876319B2 (ja) * 2001-03-09 2012-02-15 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
US6872635B2 (en) * 2001-04-11 2005-03-29 Sony Corporation Device transferring method, and device arraying method and image display unit fabricating method using the same
JP3959988B2 (ja) * 2001-06-27 2007-08-15 ソニー株式会社 素子の転写方法
JP2003077940A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
TWI258317B (en) * 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014083974A1 (ja) * 2012-11-27 2014-06-05 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
KR20190121393A (ko) * 2017-03-16 2019-10-25 코닝 인코포레이티드 마이크로-led들의 대량 전달을 위한 방법 및 프로세스
KR20210089555A (ko) * 2020-01-08 2021-07-16 웨이브로드 주식회사 반도체 발광소자 칩을 전사하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004079700A1 (ja) 2004-09-16
US8257538B2 (en) 2012-09-04
JP2004273596A (ja) 2004-09-30
TW200426895A (en) 2004-12-01
KR100982964B1 (ko) 2010-09-17
US20050233504A1 (en) 2005-10-20
JP4082242B2 (ja) 2008-04-30
CN1698077A (zh) 2005-11-16
US20080081400A1 (en) 2008-04-03
TWI246107B (en) 2005-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100982964B1 (ko) 소자 전사 방법 및 표시장치
US10468398B2 (en) Efficiently micro-transfer printing micro-scale devices onto large-format substrates
US10930623B2 (en) Micro-transfer printable electronic component
US10418331B2 (en) Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
US10153257B2 (en) Micro-printed display
US10222698B2 (en) Chiplets with wicking posts
JP4605207B2 (ja) 素子転写方法
JP2003077940A (ja) 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP4450067B2 (ja) 電子部品及びその製造方法、これを用いた画像表示装置
KR20030019580A (ko) 화상 표시 장치 및 화상 표시 장치의 제조 방법
JP2002344011A (ja) 表示素子及びこれを用いた表示装置
JP4100203B2 (ja) 素子転写方法
JP2002314052A (ja) 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2003347524A (ja) 素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP2003209295A (ja) 電子部品及びその製造方法、これを用いた画像表示装置
JP4840371B2 (ja) 素子転写方法
JP2002368282A (ja) 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2002343944A (ja) 電子部品の転写方法及び素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2002314053A (ja) チップ部品の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2002314123A (ja) 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2003216072A (ja) 画像表示装置及びその製造方法
JP2003162231A (ja) 素子の製造方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP2003005674A (ja) 表示素子及び画像表示装置
JP4333080B2 (ja) 基板接着方法
JP2003031847A (ja) 素子の取り出し方法、及びこれを用いた素子の転写方法、素子の配列方法、画像表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130906

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150904

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160902

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170901

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180831

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190906

Year of fee payment: 10