KR20050117286A - 원자층 적층 방식의 박막 형성방법 및 이를 이용한 반도체소자의 커패시터 형성방법 - Google Patents

원자층 적층 방식의 박막 형성방법 및 이를 이용한 반도체소자의 커패시터 형성방법 Download PDF

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Abstract

원자층 적층 방식의 박막 형성 방법에서, 챔버 내부에 기판을 위치시킨 후, 챔버 내부에 반응물질을 도입한다. 상기 반응물질의 일부를 기판 상에 화학 흡착시킨다. 아르곤, 제논, 크립톤과 같은 불활성 가스와 산소, 질소, 아산화질소와 같은 비활성 가스를 사용하여 형성한 플라즈마를 이용하여 상기 화학 흡착된 반응물질에 포함된 원자들의 일부를 제거한다. 공정 단계가 단순화되어 공정 시간과 공정 비용이 감소하게 된다.

Description

원자층 적층 방식의 박막 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 커패시터 형성방법{METHOD OF FORMING A THIN FILM USING AN ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS AND METHOD OF FORMING A CAPACITOR OF A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME}
본 발명은 박막 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 커패시터 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 원자층 적층 방법(atomic layer deposition process)을 이용한 박막 형성방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 커패시터 형성방법에 관한 것이다.
급속도로 발전하는 정보화 사회에 있어서 대량의 정보를 보다 빠르게 처리하기 위하여 데이터 전송속도가 높은 반도체 소자가 요구되고 있다. 반도체 소자의 데이터 전송속도를 높이기 위해서는 하나의 칩(chip)상에 고집적도로 셀들을 집적시켜야 한다. 이에 따라 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)을 축소시키는 작업이 활발하게 진행되고 있다. 특히, 디램(dynamic random access memory; 이하, DRAM이라 한다.)에 있어서, 신호를 전달하고 저장하기 위해서는 큰 축적용량을 갖는 커패시터가 요구된다.
그러나, 메모리 셀 영역의 축소에 따른 셀 캐패시턴스의 감소는 반도체 메모리 장치의 집적도 증가를 어렵게 한다. 셀 캐패시턴스의 감소는 메모리 셀의 데이터 독출능력(readability)을 열화시키고 소프트 에러율(soft error rate)을 증가시키며, 반도체 메모리 장치가 저전압에서 동작하는 것을 어렵게 한다.
이와 같이 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 발생하는 문제점들을 극복하기 위하여 반도체 장치의 박막 형성에 있어서 낮은 열 다발(heat budget), 우수한 단차 도포성(step coverage), 박막 두께의 정확한 제어, 간단한 공정 변수 및 낮은 오염도 등이 엄격하게 요구된다.
화학기상증착법(CVD)은 가장 널리 이용되는 증착 기술로서, 반응가스와 분해가스를 이용하여 요구되는 두께를 갖는 박막을 기판 상에 증착한다. 화학기상증착법은 먼저 다양한 가스들을 반응 챔버 내로 주입시키고, 열, 빛, 플라즈마와 같은 고에너지에 의해 유도된 가스들을 화학 반응시킴으로써 기판 상에 요구되는 두께의 박막을 증착시킨다. 아울러, 화학기상증착법(CVD)에서는 반응 에너지만큼 인가된 플라즈마 또는 가스들의 비(ratio) 및 양(amount)을 통해 반응조건을 제어함으로써 증착률을 증가시킨다. 그러나 반응들이 빠르기 때문에 원자들의 열역학적(thermodynamics)안정성을 제어하기 매우 어렵고, 박막의 물리적, 화학적 전기적 특성을 저하시키는 등의 여러 가지 문제가 있다.
예를 들면, 전형적인 CVD 방법은 상대적으로 높은 온도에서 박막의 적층이 이루어지기 때문에, 반도체 장치에 높은 열 다발을 주게 된다. 또한, CVD 박막은 디바이스 표면에서 두께 편차를 갖는다. 즉, 디바이스 표면 상의 조밀하게 패킹된 형상 주위에 증착되는 박막의 두께가 보다 덜 조밀하게 패킹되는 형상 주위의 박막 두께보다 얇아지게 됨으로써, 로딩 효과와 같은 문제를 발생시킨다.
LPCVD 박막은 수소와 같은 불순물의 함량이 높으며, 단차 도포성(step coverage)이 불량하다. PECVD 박막은 LPCVD 방법에 비해 상대적으로 낮은 온도에서 증착할 수 있는 반면, 단차 도포성이 저하되는 단점을 갖는다. 따라서, 저압 화학기상증착(low pressure chemical vapor deposition; 이하, LPCVD라 한다.), 플라즈마-증대 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; 이하, PECVD라 한다.)등과 같은 전형적인 화학기상증착(chemical vapor deposition; 이하, CVD라 한다.)방법은 현재의(state-of-the-art) 반도체 소자의 박막 형성에 적합하지 않다.
이에 따라, 단차 도포성이 우수하고 로딩 효과가 발생하지 않으면서 저온에서 박막을 증착할 수 있는 원자층 적층(atomic layer deposition; 이하, ALD라 한다.) 방법이 통상의 박막 형성기술을 대체할 수 있는 기술로서 제안되고 있다. 원자층 적층 방법(ALD)은 반응가스와 퍼지가스를 교대로 공급하여 원자층을 증착하기 위한 방법으로서, 이에 의해 형성된 박막은 고종횡비를 갖고 저압에서도 균일하며, 전기적, 물리적 특성이 우수하다.
보다 구체적으로, 상술한 ALD 방법은 금속 전구체(precursor) 및 산소(O2), 오존(O3), 수증기(H2O)와 같은 산화제를 기판 상에 차례로 공급하고, 공급 사이에 비활성 기체로 퍼지(purge)하는 것을 특징으로 한다. 예컨대, 기판 상에 금속 전구체를 도입하여 물리화학적으로 막을 흡착시키고, 퍼지하여 물리적으로 부착된 전구체를 제거한다. 이후 상기 막 상에 산화제를 제공하여 상기 흡착된 전구체와 반응시킴으로써 원하는 산화막을 형성한다.
도 1a 내지 도 1d는 종래 기술에 따른 ALD 방법을 사용한 박막 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1a를 참조하면, 챔버(10) 내부에 위치한 기판(12) 상으로 제1 반응물질(20)을 도입한다. 이에 따라 제1 반응물질(20)이 기판 상에 화학 흡착된다.
도 1b를 참조하면, 상기 기판(12) 상에 화학흡착하지 않은 제1 반응물질들(20)을 챔버(10)로부터 제거하기 위하여 퍼지가스를 도입한다. 상기 화학흡착하지 않은 제1 반응물질(20)은 기판(12) 상에 물리적으로 흡착한 제1 반응물질(20)도 포함한다.
이어서, 도 1c에 도시한 바와 같이 제2 반응물질(22)을 상기 챔버(10) 내로 도입하여 상기 기판(12) 상에 화학흡착된 제1 반응물질(20)들과 반응시킨다.
도 1d를 참조하면, 챔버(10)내에 잔류하는 제2 반응물질(도시되지 않음)을 챔버(10)로부터 제거하기 위하여 퍼지가스를 챔버 내부로 도입한다. 이에 따라 챔버(10) 내 잔류물들이 제거됨과 동시에 원하는 박막(24)을 얻을 수 있다.
이와 같은 원자층 적층 방법을 이용하여 금속산화막 또는 금속질화막 등을 형성하는 일 예가 미합중국 특허 제6,124,158호(issued to Dautartas, et al.)에 개시되어 있다. 미합중국 특허 제6,124,158호에 의하면, 유기 전구체와 같은 제1 반응 물질을 도입하여 처리 표면 상에 반응시켜 반응종이 결합되는 모노층을 형성한다. 그리고, 수증기와 같은 산화제를 제2 반응 물질로서 챔버 내로 도입하고 이를 기판과 반응시켜 원하는 박막을 형성한다. 상기 각 단계들을 수행한 다음, 반응 챔버를 불활성 가스로 퍼지(purge)하여 처리 표면 이외에서의 반응을 저지한다.
또한 원자층 적층 방법을 이용하여 금속 산화막 또는 금속 질화막 등을 형성하는 다른 예가 대한민국 특허출원 제2001-38641호에 개시되어 있다. 대한민국 특허 출원 제2001-38641호에 의하면, 동일 챔버 내에서 원자층 적층법을 이용하여 기판 상에 탄탈륨산화막을 증착한다. 이와 동시에 오존을 이용하여 플라즈마처리하는 과정을 다수번 반복하여 탄탈륨산화막을 형성한다.
그러나 이와 같은 기존의 ALD 증착법으로 금속산화막, 금속질화막 등을 제작하는 경우에 있어서, 일반적으로 금속 전구체를 도입한 후에 별도의 산화반응물 또는 질화반응물을 챔버 내로 도입하여야 한다. 또한 금속 산질화막을 형성하는 경우에는, 상술한 바와 같이 여러 단계를 거쳐 금속 산화막 또는 금속 질화막을 제작한 후, 다시 플라즈마 산화 또는 플라즈마 질화 처리 공정이 뒤따라야 한다. 따라서, 기존의 ALD 증착법을 사용하여 금속 산화막, 금속 질화막 또는 금속 산질화막 등을 형성하는 경우 공정시간이 길어지고 비용이 증가하여 경제적인 면에서 바람직하지 않다.
따라서, 본 발명의 목적은 공정 단계가 단순화된 원자층 적층 방법을 이용하여 박막을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상술한 박막 형성 방법을 이용하여 유전막을 포함하는 반도체 소자의 커패시터 형성방법을 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 박막 형성 방법에서, 원자층 적층 방법을 사용하여 반도체 기판 상에 예비 박막을 형성한 후, 플라즈마를 사용하여 상기 예비 박막 내에 포함된 원자들의 일부를 제거한다. 이 경우, 플라즈마는 가스를 챔버 내로 도입한 후, 챔버 내에서 플라즈마 상태로 여기시켜 사용하거나(direct plasma), 챔버 외부에서 플라즈마 상태로 여기시킨 후, 이를 다시 챔버 내부로 도입(remote plasma)하여 사용한다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 박막 형성방법에 있어서, 반도체 기판 상에 유기 금속 전구체와 같은 반응물질을 화학 흡착시킨다. 이후, 불활성 가스, 비활성 가스 또는 이들의 혼합가스를 사용하여 형성한 플라즈마를 이용하여 상기 화학 흡착된 반응 물질을 구성하는 원자들의 일부를 제거하여 금속막, 금속산화막, 또는 금속질화막과 같은 박막을 형성한다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 다른 실시예에 의한 박막 형성방법에 있어서, 챔버 내부에 기판을 위치시키고, 상기 챔버 내부에 반응 물질을 도입한다. 이에 따라, 상기 반응 물질의 일부분이 상기 기판 상에 화학 흡착되어 예비 박막을 형성한다. 이후, 플라즈마를 사용하여 상기 예비 박막내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 제거하여 박막을 형성한다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 또 다른 실시예에 의한 박막 형성방법에 있어서, 챔버 내부에 기판을 위치시키고 상기 챔버 내부에 제1 반응물질을 도입한다. 이에 따라, 상기 제1 반응물질의 일부분이 상기 기판 상에 화학 흡착되어 단일원자층을 형성한다. 이어서, 플라즈마를 사용하여 상기 단일원자층 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 제거한다. 상기 챔버 내부에 제2 반응 물질을 도입하여 상기 단일원자층과 상기 제2 반응물질의 일부분을 화학적으로 반응시켜 상기 기판 상에 박막을 형성한다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 커패시터 형성방법에 있어서, 하부 전극이 형성된 반도체 기판을 챔버 내부에 위치시킨 후, 상기 기판 상에 반응물질을 도입하여 상기 하부전극을 따라 균일하게 흡착막을 형성한다. 이어서 플라즈마를 사용하여 상기 흡착막 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 제거하여 유전막을 형성한다. 이후, 상기 유전막 상에 상부전극을 형성한다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자의 커패시터 형성방법에 있어서, 하부 전극이 형성된 반도체 기판을 챔버 내부에 위치시킨 후, 상기 기판 상에 제1 반응물질을 도입하여 상기 하부전극을 따라 균일하게 흡착막을 형성한다. 이어서 플라즈마를 사용하여 상기 흡착막 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 제거한다. 상기 흡착막으로 제2 반응물질을 도입하여 상기 제1 반응물질과 상기 제2 반응물질을 화학적으로 반응시켜 유전막을 형성한다. 이후, 상기 유전막 상에 상부전극을 형성한다.
본 발명에 의하면, 반응물질을 사용하여 형성된 예비 박막에 플라즈마를 적용하여 예비 박막에 포함된 일부 원소들을 제거함으로써 박막을 형성한다. 이에 따라 기존 ALD 방법과 같이 제1 반응물질의 도입과 제1 퍼지, 제2 반응물질의 도입과 제2 퍼지라는 여러 단계의 공정이 단순화되어 한번의 반응물질 도입과 한번의 플라즈마 사용으로 원하는 박막을 형성할 수 있다. 이에 따라 공정 시간과 공정 비용이 감소하게 된다. 결과적으로 본 발명에 따르면 양질의 박막과 이를 이용한 신뢰성 높은 메모리 소자를 여러 단계의 공정을 거치지 않고 경제적으로 생산할 수 있으므로 반도체 제조 공정의 전체적인 시간과 비용을 절감할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 박막 형성방법과 이를 이용한 반도체 장치의 커패시터 형성방법을 상세히 설명한다. 이하의 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 적층 방식을 이용한 박막 형성 방법에 사용되는 박막 제조 장치의 개략적인 단면도이다. 도 2에 개시된 장치는 챔버 내부에서 가스를 플라즈마 상태로 여기시키고, 상기 플라즈마를 동일한 챔버 내에 위치한 기판에 바로 적용한다.
도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 박막 제조 장치(30)는 반응챔버(44) 상단부의 중앙부분에 가스 주입구(31)가 설치되어 있다. 이 가스주입부(31)에는 반응물질, 퍼지가스 등을 주입하는 가스 주입장치(32)가 접속되어 있다. 가스주입구(31)를 감싸면서 전극(33)이 형성되어 있으며, 주입가스에 고주파를 가하여 플라즈마 상태로 여기시키는 RF전원(34)이 전극(33)에 접속되어 있다. 전극(33) 아래에는 도입된 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 버퍼공간(35)이 구비된다. 이러한 버퍼 공간(35) 하부에는, 버퍼공간(35)에서 플라즈마 상태로 여기된 가스를 기판 상으로 균일하게 증착시키기 위한 샤워헤드(36)가 구비된다. 또한, 반응챔버(44)내에 가스 주입부(31)와 대향하도록 위치하여 반도체 기판(38)이 위치하는 척(37)이 설치되어 있다. 반응챔버(44)의 외벽에 내부가스를 배기시켜 진공상태로 만들기 위한 배기구(39) 및 펌프(40)가 설치되어 있고 상기 배기구(39) 및 펌프(40)는 배기라인(41)으로 상호 연결된다. 또한 배기구(39) 및 펌프(40)사이에는 챔버 내 압력을 조절하기 위한 압력 제어 밸브(43)가 구비된다.
도 3은 도 2에 도시한 박막 제조장치를 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 4a 내지 도 4c는 도 2에 도시한 박막 제조장치를 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막을 형성하는 공정 단계들을 나타내는 단면도들이다.
도 3 및 도 4a를 참조하면, 기판(38)을 챔버(44) 내에 위치시킨 후(단계 S10), 반응 물질(50) 또는 반응물질(50)을 포함하는 가스를 가스 공급 라인(도시하지 않음)이 연결된 도 2의 가스 주입부(31)를 통해 챔버(44)내부의 반응공간(42)으로 도입시킨다(단계 S12).
상기 반응물질(50)로 유기 금속 전구체를 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 박막 형성 방법에서 사용 가능한 유기전구체의 예로서는 알콕사이드(Alkoxide)화합물, 아미노(amino)화합물, 싸이클로펜타디에닐(Cyclopentadienyl)화합물, 디케토네이트(diketonate)화합물, 알킬(alkyl)화합물 등을 들 수 있다. 이들은 필요에 따라 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 알콕사이드화합물의 예로서는 B[OCH3]3, B[OC2H5]3 , Al[OCH3]3, Al[OC2H5]3, Al[OC3H7]3, Ti[OCH3 ]4, Ti[OC2H5]4, Ti[OC3H7]4 , Zr[OC3H7]4, Zr[OC4H9]4, Zr[OC4H8OCH3]4, Hf[OC4H9]4, Hf[OC4H8OCH3]4, Hf[OSi(C2H5)3 ]4, Hf[OC2H5]4, Hf[OC3H7]4 , Hf[OC4H9]4, Hf[OC5H11]4, Si[OCH3 ]4, Si[OC2H5]4, Si[OC3H7]4 , Si[OC4H9]4, HSi[OCH3]3, HSi[OC2H5]3, Si[OCH3]3F, Si[OC2H5 ]3F, Si[OC3H7]3F, Si[OC4H9] 3F, Sn[OC4H9]4, Sn[OC3H7]3[C4H9], Pb[OC4H9] 4, Pb4O[OC4H9]6, Nb[OCH3]5, Nb[OC2H5]5, Nb[OC3H7]5, Nb[OC4H9]5, Ta[OCH3]5, Ta[OC2H5 ]5, Ta[OC4H9]5, Ta(OC2H5)5 , Ta(OC2H5)5[OC2H4N(CH3)2 ], P[OCH3]3, P[OC2H5]3, P[OC3H7 ]3, P[OC4H9]3, PO[OCH3]3 등을 들 수 있다. 이들은 필요에 따라서 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 아미노화합물의 예로서는, Hf(NCH3CH3)4, Hf(NCH3C2 H5)4, Hf(NC2H5C2H5)4, Hf(NCH3C3H7)4, Hf(NC2H5C3H 7)4, 또는 Hf(NC3H7C3H7)4 등을 들 수 있다. 이들은 필요에 따라서 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 싸이클로펜타디에닐화합물의 예로서는, Ru(Cp)2 (이하, Cp는 cyclopentadienyl group을 의미한다.), Ru(CpC2H5)2, Ru(CpC3H 7)2, La(CpC3H7)3, Ru(CpC4H9)2, Y(CpC4H9)3, La(CpC4 H9)3 등을 들 수 있다. 이들은 필요에 따라서 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 디케토네이트화합물의 예로서는, Ba(THD)2 (이하, THD는 tetramethyl heptanedionate를 의미한다.), Sr(THD)2, La(THD)3, Pb(THD)2, Zr(THD) 2, Ba(METHD)2 (이하, METHD는 methoxyethoxy tetramethy heptanedionate를 의미한다.), Ru(METHD)3, Zr(METHD)4 등을 들 수 있다. 이들은 필요에 따라서 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 알킬화합물의 예로서는, Al(CH3)3, Al(CH3)2Cl, Al(CH 3)2H, Al(C2H5)3, Al(CH2CH2(CH3)2)3, Ga(CH3)3, Ga(CH3)2(C2H5), Ga(C2H5)3, Ga(C2H5)2Cl, Ga(CH2CH2(CH3)2)3, Ga(CH2C(CH3 )3)3, In(CH3)3, ((CH3)2(C2 H5)N)In(CH3)3, In(CH3)2Cl, In(CH3)2(C2H5), In(C2H5)3, Sn(CH3)4, Sn(C2H5)4, Zn(CH3)2 , Zn(C2H5)2, Cd(CH3)2, Hg(CH3)2 등을 들 수 있다. 이들은 필요에 따라서 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
상술한 바와 같이 반응물질들(50)을 챔버 내부로 도입하여, 상기 반응물질들(50)의 일부분을 반응 공간(42)의 내부에 있는 기판(38)상에 화학 흡착시킨다. 이에 따라, 상기 기판(38)의 공정 표면 상에 예비 박막이 형성된다.
이어서, 플라즈마를 사용하여 상기 예비 박막 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 예비 박막으로부터 제거하기 위하여 가스를 가스 공급라인(도시되지 않음)과 연결된 가스 주입부(31)를 통하여 버퍼공간(35)으로 도입한다. 이와 동시에, 상기 가스를 플라즈마 상태로 여기시키기 위하여 RF 소스(34)에서 전극(33)으로 RF전력을 인가한다(단계 S14).
본 발명에 따른 박막 형성방법에 있어서, 상기 가스는 불활성 가스, 비활성 가스 또는 이들의 혼합 가스를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 가스들은 챔버(44)내에 잔류하는 반응물질들과 반응하여 불필요한 화합물을 생성하지 않으면서 예비 박막 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원자들을 제거할 수 있기 때문이다.
사용할 수 있는 불활성 가스의 예로서는 헬륨가스(helium gas), 제논가스(xenon gas), 크립톤 가스(krypton gas), 아르곤 가스(argon gas) 등을 들 수 있다. 이들은 필요에 따라 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
사용할 수 있는 비활성 가스의 예로서는 산소 가스, 수소 가스, 암모니아 가스, 아산화질소 가스, 이산화질소 가스 등을 들 수 있다. 이들은 필요에 따라 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
상술한 바와 같이 상기 가스에 RF파워를 인가함에 따라 버퍼공간(35)에는 플라즈마가 형성되며 이는 샤워헤드(36)를 통해 기판 상으로 균일하게 적용된다.
도 4b를 참조하면 상기 플라즈마는 박막 내의 리간드 또는 원자단과 화학 반응함에 따라 예비 박막 내의 리간드 또는 원자단에 포함되어 있는 원소들의 일부 또는 전부를 제거한다. 이와 동시에 상기 플라즈마는 화학흡착하지 않고 챔버 내에 잔류하는 반응물질(50)을 챔버로부터 제거하는 역할도 수행한다. 여기서, 화학 흡착하지 않은 반응물질들(50)이란 기판 상에 물리 흡착되는 반응물질들(50)을 포함한다.
상술한 바와 같이 플라즈마를 사용하여 상기 예비 박막 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원소들을 제거함에 따라, 기판(38) 상에 박막(52)이 형성된다. 상기 박막(52)은 금속막, 금속산화막 또는 금속 질화막일 수 있다.
즉, 예비 박막내에 포함된 유기 금속 전구체의 금속을 제외한 모든 리간드 또는 원자단이 제거된 경우에는 금속막이 형성된다. 또한, 알콕사이드 화합물과 같이 산소를 포함한 유기 금속 전구체에서 산소를 제외한 탄화수소기가 모두 제거된 경우에는 금속산화막이 형성되며, 아미노 화합물과 같이 질소를 포함한 유기 금속 전구체에서 질소를 제외한 탄화수소기가 모두 제거된 경우에는 금속질화막이 형성된다.
도 4c를 참조하면, 반응 물질(도시되지 않음)을 도입하여 예비 박막의 형성, 플라즈마를 사용하여 예비 박막의 원소들의 일부를 제거함과 동시에 화학 흡착하지 않은 반응 물질을 반응 공간(42)으로부터 제거하는 단계들을 반복적으로 수행함으로서 원하는 두께를 갖는 박막(54)을 형성할 수 있다.
도 5는 도 2에 도시한 박막 제조장치를 이용하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 6a 내지 도 6e 도 2에 도시한 박막 제조장치를 이용하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막을 형성하는 공정 단계들을 나타내는 단면도들이다.
도 5 및 도 6a를 참조하면, 기판(38)을 챔버(44) 내에 위치시킨 후(단계 S20), 제1 반응 물질(60) 또는 제1 반응물질(60)을 포함하는 가스를 가스 공급 라인(도시하지 않음)이 연결된 도 2의 가스 주입부(31)를 통해 챔버(44)내부의 반응공간(42)으로 도입시킨다(단계 S22).
상기 제1 반응물질(60)로 유기 금속 전구체를 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 박막 형성 방법에서 사용 가능한 유기 금속 전구체의 구체적인 예들은 상술한 바와 같다.
제1 반응물질들(60)을 챔버 내부로 도입하여, 상기 제1 반응물질들(60)의 일부분을 반응 공간(42)의 내부에 있는 기판(38)의 공정 표면 상에 화학 흡착시킨다. 이에 따라, 상기 기판(38)의 공정 표면 상에 단일 원자층(도시되지 않음)이 형성된다.
이어서, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면 화학 흡착하지 않은 제1 반응물질들(60)을 챔버(44)로부터 제거하기 위하여 퍼지 가스를 도입할 수도 있다. 여기서, 화학 흡착하지 않은 제1 반응물질들(60)이란 기판 상에 물리 흡착되는 제1 반응물질들(60)을 포함한다. 이러한 퍼지 단계를 수행하기 위하여 본 발명의 챔버(44)는 배기 라인(41) 및 압력 제어 밸브(43)를 포함한다. 상기 배기 라인(41)은 펌프(40)와 연결되어 화학 흡착하지 않은 제1 반응물질들(60)을 챔버(44)로부터 외부로 배출시킨다. 퍼지 단계를 수행하는 동안에, 제어 밸브(43)는 실질적으로 폐쇄되고, 퍼지 가스가 챔버(44) 내부로 가스주입부(31)를 통하여 공급된다. 그리고, 챔버(44) 내부로 제1 반응물질들(60)이 도입되는 것은 실질적으로 중단된다. 바람직하게는, 화학 흡착하지 않은 제1 반응물질들(60)의 제거는 펌프(40)를 사용한 챔버(44)의 펌핑에 의해 이루어진다.
이후, 플라즈마를 사용하여 상기 단일원자층 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 단일 원자층으로부터 제거하기 위하여 가스를 가스 공급라인(도시되지 않음)과 연결된 가스 주입부(31)를 통하여 버퍼공간(35)으로 도입한다. 이와 동시에, 상기 가스를 플라즈마 상태로 여기시키기 위하여 RF 소스(34)에서 전극(33)으로 RF전력을 인가한다(단계 S24).
상술한 바와 같이 상기 가스에 RF파워를 인가함에 따라 버퍼공간(35)에는 플라즈마가 형성되며 이는 샤워헤드(36)를 통해 기판 상으로 균일하게 적용된다.
도 6b를 참조하면 상기 플라즈마는 단일 원자층 내의 리간드 또는 원자단과 화학 반응함에 따라 단일원자층 내의 리간드 또는 원자단에 포함되어 있는 원소들을 제거한다. 이와 동시에 상기 플라즈마는 화학흡착하지 않고 챔버 내에 잔류하는 제1 반응물질(도시되지 않음)을 챔버로부터 제거하는 역할도 수행한다. 여기서, 화학 흡착하지 않은 제1 반응물질들(도시되지 않음)이란 기판 상에 물리 흡착되는 제1 반응물질들을 포함한다.
상술한 바와 같이 플라즈마를 사용하여 상기 단일 원자층 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원소들을 제거함에 따라, 기판(38) 상에 박막(62)이 형성된다. 상기 박막은 상술한 바와 같이 금속산화막 또는 금속질화막일 수 있다.
즉, 알콕사이드 화합물과 같이 산소를 포함한 유기 금속 전구체에서 산소를 제외한 탄화수소기가 모두 제거된 경우에는 금속산화막이 형성되며, 아미노 화합물과 같이 질소를 포함한 유기 금속 전구체에서 질소를 제외한 탄화수소기가 모두 제거된 경우에는 금속질화막이 형성된다.
이어서, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면 화학 흡착하지 않은 제1 반응물질들(60) 및 상기 플라즈마에 의하여 형성된 챔버 내 잔류물들을 상기 챔버(44)로부터 제거하기 위하여 퍼지 가스를 도입할 수 도 있다.
상술한 제1 반응물질의 도입과 플라즈마의 적용을 n번 반복하여 원하는 두께의 박막을 형성한다.
도 5 및 도 6c를 참조하면, 상기 반응 공간(42)의 내부에 제2 반응물질들(64) 또는 제2 반응물질(64)을 포함하는 가스를 도입한다(단계 S26). 이 경우 상기 제2 반응물질(64)로 산소 또는 질소를 포함하는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 박막 형성 방법에서 사용 가능한 제2 반응물질(64)의 예로서는 산소, 아산화질소, 질소, 암모늄 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
도 6d에 도시된 바와 같이 상기 제2 반응물질(도시되지 않음)을 도입함에 따라, 기판(38) 상에 형성되어 있는 단일 원자층과 상기 제2 반응물질들이 화학적으로 반응하여 박막(66)이 형성된다. 상기 박막(66)은 금속산질화막일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 상기 제2 반응물질은 플라즈마 상태를 갖는다. 즉, 제2 반응물질을 챔버(44) 내부로 도입시 RF파워를 인가하여 챔버(44) 내에서 제2 반응물질을 플라즈마 상태로 여기시켜 사용할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 기판(58) 상에 증착되어 있는 단일원자층과(도시되지 않음) 제2 반응물질의 반응이 촉진되어 보다 안정적인 박막을 형성할 수 있다.
이어서, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면 챔버 내에 잔류하는 제2 반응물질들을 상기 챔버(44)로부터 제거하기 위하여 퍼지 가스를 도입할 수도 있다. 또한 상기 퍼지 가스는 가스를 챔버 내부로 도입시 RF파워를 인가하여 챔버 내에서 플라즈마 상태로 여기시켜 사용할 수 있다.
도 6e를 참조하면, 제1 반응 물질(도시되지 않음)을 도입하여 단일원자층을 형성, 플라즈마를 사용하여 단일원자층의 원소들의 일부를 제거함과 동시에 화학 흡착하지 않은 제1 반응 물질을 반응 공간(42)으로부터 제거, 제2 반응물질(도시되지 않음)을 도입하여 박막(도시되지 않음)을 형성 및 제2 반응물질을 챔버로부터 제거하는 단계들을 반복적으로 수행함으로서 원하는 두께를 갖는 박막(68)을 형성할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 원자층 적층 방식을 이용한 박막 형성 방법에 사용되는 박막 제조 장치의 개략적인 단면도이다. 도 7에 개시된 장치는 챔버 외부에서 가스를 플라즈마 상태로 여기시키고, 이를 챔버 내로 도입하여 사용한다.
여기서 도시한 박막 제조장치는 대한민국 특허 출원번호 제2001-35736호(발명의 명칭: 원자층 적층을 이용한 박막 형성방법)에 개시되어 있다. 본 실시예에서는 상기 특허 출원에 도시한 박막형성장치를 사용하는 것을 설명하였으나, 상기한 구조 이외에 다른 형태의 제조장치를 이용할 수도 있다.
도 7을 참조하면, 공정 튜브(71) 내부에 단일 반응 공간(72)을 갖는 챔버(70)가 도시되어 있다. 히터와 같은 챔버(70)의 일측 부분에 설치되는 부재는 간략화를 위하여 생략된다. 바람직하게, 상기 챔버(70)는 미합중국 특허 제5,217,340 및 제5,112,641호에 개시된 통상의 LPCVD 퍼니스와 유사한 퍼니스-형태의 수직 챔버(수직한 방향)이다. 그러나, 본 발명의 관점 범위 내에서는 수평 방향과 같은 다른 형태의 챔버도 적절하게 적용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 반응 공간(72)은 기판들(또는 웨이퍼들)(74)이 놓여지고, 원자층 적층을 위한 다양한 공정이 순차적으로 일어나는 공간을 의미할 수 있다.
상기 챔버(70)를 사용하여 박막을 형성하기 위한 공정을 수행할 경우, 한 묶음의 기판(73)들을 챔버(70)의 단일 반응 공간(72) 내부로 실질적으로 동시에 로딩시킨다. 한 묶음의 기판(73)은 한번의 원자층 적층으로 기판들(74) 상에 박막을 형성하기 위하여 챔버(70) 내부로 로딩되는 기판들의 전체 수를 의미할 수 있다. 각각의 기판들(74)은 바람직하게 그 최상부에 공정 표면을 갖는다.
본 발명의 원자층 적층 공정에 의하면, 웨이퍼 자동 이송 장치(77)를 사용하여 한 묶음(73)의 기판들(74)을 챔버(70)로 로딩시킨다. 웨이퍼 자동 이송 장치(77)는 미합중국 특허 제5,217,340호, 또는 제5,112,641호 등에 개시된 하나일 수 있다. 그러나, 다른 형태의 웨이퍼 자동 이송 장치도 본 발명의 관점 범위 내에서는 적절하게 적용할 수 있다. 한 묶음(73)의 기판들은 보트(78) 내부에 설정 상태로 정렬되고 놓여진다. 석영 또는 통상의 다른 재질로 형성되는 전형적인 보트(78)는 그 내부면에 다수개의 홈들을 갖고, 상기 홈들에 기판들(74)을 놓는다. 그리고, 한 묶음(73)의 기판들(74)을 적재한 보트(78)가 챔버(70) 내부로 로딩되기 때문에, 챔버(70)의 단일 반응 공간(72) 내부로 한 묶음(73)의 기판들(74)이 동시에 로딩된다. 여기서, 기판들(74)의 최상부 표면 전부는 자동 이송을 위하여 실질적으로 동일한 방향을 향한다.
도 8은 도 7에 도시한 바와 같은 박막 제조장치를 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 9a 내지 도 9c는 도 7에 도시한 바와 같은 박막 제조 장치를 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막을 형성하는 공정 단계들을 나타내는 단면도들이다.
도 8 및 도 9a를 참조하면, 기판(74)을 챔버(70) 내에 위치시킨 후(단계 S30) 반응 물질(90) 또는 반응물질(90)을 포함하는 가스를 가스 공급 라인(도시하지 않음)이 연결된 도 7의 도입부(75)를 통해 챔버(70)내부의 반응공간(72)으로 도입시킨다(단계 S32). 상기 반응물질(90)로 유기 금속 전구체를 사용하는 것이 바람직하다. 사용 가능한 유기 금속 전구체의 예는 상술한 바와 같다.
반응물질들(90)을 챔버 내부로 도입하여, 상기 반응물질들(90)의 일부분을 반응 공간(72)의 내부에 있는 기판(74)의 공정 표면 상에 화학 흡착시킨다. 이에 따라, 상기 기판(74)의 공정 표면 상에 예비 박막을 형성한다.
이어서, 상기 예비 박막 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 예비 박막으로부터 제거하기 위하여 플라즈마를 가스 공급라인(도시되지 않음)과 연결된 도입부(75)를 통하여 반응공간(72)으로 도입한다(단계 S34). 이 경우, 챔버(70) 외부의 리모트 플라즈마 발생부(81)에서 상기 플라즈마를 형성한 후 이를 챔버 내부로 도입하여 사용한다. 본 발명에 따른 박막 형성방법에 있어서, 플라즈마 형성에 사용 가능한 가스는 상술한 바와 같다.
도 9b를 참조하면 상기 플라즈마는 예비 박막 내의 리간드 또는 원자단과 화학 반응하여 리간드 또는 원자단의 일부 또는 전부를 제거한다. 이와 동시에 상기 플라즈마는 화학흡착하지 않고 챔버 내에 잔류하는 반응물질(도시되지 않음)을 챔버로부터 제거하는 역할도 수행한다.
상술한 바와 같이 플라즈마를 사용하여 상기 예비 박막 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원소들을 제거함에 따라, 기판(74) 상에 박막(91)이 형성된다. 이 경우 상기 박막(91)은 금속막, 금속산화막 또는 금속 질화막일 수 있다.
도 9c를 참조하면, 반응 물질(도시되지 않음)을 도입하여 예비 박막의 형성, 플라즈마를 사용하여 예비 박막의 원소들의 일부를 제거함과 동시에 화학 흡착하지 않은 반응 물질을 반응 공간(72)으로부터 제거하는 단계들을 반복적으로 수행함으로서 원하는 두께를 갖는 박막(92)을 형성할 수 있다.
도 10은 도 7에 도시한 바와 같은 박막 제조장치를 이용하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 형성 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 11a 내지 도 11e는 도 7에 도시한 바와 같은 박막 제조 장치를 이용하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막을 형성하는 공정 단계들을 나타내는 단면도들이다.
도 10 및 도 11a를 참조하면, 기판(74)을 챔버(70) 내에 위치시킨 후(단계 S40), 제1 반응 물질(95) 또는 제1 반응물질(95)을 포함하는 가스를 가스 공급 라인(도시하지 않음)이 연결된 도 7의 도입부(75)를 통해 챔버(70)내부의 반응공간(72)으로 도입시킨다(단계 S42). 상기 제1 반응물질(95)로 유기 금속 전구체를 사용하는 것이 바람직하다. 사용 가능한 유기 금속 전구체의 예는 상술한 바와 같다.
제1 반응물질들(95)을 챔버 내부로 도입하여, 상기 제1 반응물질들(95)의 일부분을 반응 공간(72)의 내부에 있는 기판(74)의 공정 표면 상에 화학 흡착시킨다. 이에 따라, 상기 기판(74)의 공정 표면 상에 단일 원자층을 형성한다
이어서, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면 화학 흡착하지 않은 제1 반응물질들(95)을 챔버(70)로부터 제거하기 위하여 퍼지 가스를 도입할 수 도 있다. 여기서, 화학 흡착하지 않은 제1 반응물질들(95)이란 기판 상에 물리 흡착되는 제1 반응물질들(95)을 포함한다.
이어서, 상기 단일원자층 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 단일원자층으로부터 제거하기 위하여 플라즈마를 가스 공급라인(도시되지 않음)과 연결된 도입부(75)를 통하여 반응공간(72)으로 도입한다(단계 S44). 이 경우, 챔버(70) 외부의 리모트 플라즈마 발생부(81)에서 상기 플라즈마를 형성한 후 챔버 내부로 도입하여 사용한다. 본 발명에 따른 박막 형성방법에 있어서, 플라즈마 형성에 사용 가능한 가스는 상술한 바와 같다.
도 11b를 참조하면 상기 플라즈마는 예비 박막 내의 리간드 또는 원자단과 화학 반응하여 리간드 또는 원자단의 일부 또는 전부를 제거한다. 이와 동시에 상기 플라즈마는 화학흡착하지 않고 챔버 내에 잔류하는 제1 반응물질(도시되지 않음)을 챔버로부터 제거하는 역할도 수행한다.
상술한 바와 같이 플라즈마를 사용하여 상기 단일 원자층 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원소들을 제거함에 따라, 기판(74) 상에 박막(96)이 형성된다. 상술한 바와 같이 상기 박막(96)은 금속산화막 또는 금속질화막일 수 있다.
이어서, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면 화학 흡착하지 않은 제1 반응물질들(도시되지 않음) 및 상기 플라즈마에 의하여 형성된 챔버 내 잔류물들을 상기 챔버(70)로부터 제거하기 위하여 퍼지 가스를 도입할 수 도 있다.
상술한 제1 반응물질의 도입과 플라즈마의 적용을 n번 반복하여 원하는 두께의 박막을 형성한다.
도 10 및 도 11c를 참조하면, 상기 반응 공간(72)의 내부에 제2 반응물질들(97) 또는 제2 반응물질(97)을 포함하는 가스를 도입한다(단계 S46). 이 경우 상기 제2 반응물질(97)로 산소 또는 질소를 포함하는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 박막 형성 방법에서 사용 가능한 제2 반응물질(97)의 예는 상술한 바와 같다.
도 11d를 참조하면, 상술한 바와 같이 상기 제2 반응물질(도시되지 않음)을 도입함에 따라, 기판(74) 상에 형성되어 있는 단일 원자층과 상기 제2 반응물질들이 화학적으로 반응하여 박막(98)이 형성된다. 상기 박막은 금속산질화막일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 상기 제2 반응물질은 플라즈마 상태를 가질 수 있다. 즉, 상기 플라즈마는 챔버(70) 외부의 리모트 플라즈마 발생부(81)에서 형성되어 챔버 내부로 도입된다. 본 실시예에 따르면, 기판(74) 상에 증착되어 있는 단일원자층과(도시되지 않음) 제2 반응물질의 반응이 촉진되어 보다 안정적인 박막을 형성할 수 있다.
이어서, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면 챔버 내에 잔류하는 제2 반응물질들을 상기 챔버(70)로부터 제거하기 위하여 퍼지 가스를 도입할 수 도 있다. 이 경우, 상기 퍼지 가스는 챔버(70)의 리모트 플라즈마 발생부(81)에서 형성되어 챔버(70) 내부로 도입하여 사용한다.
도 11e를 참조하면, 제1 반응 물질(도시되지 않음)을 도입하여 단일원자층(도시되지 않음)을 형성, 플라즈마를 사용하여 단일원자층의 원소들의 일부를 제거함과 동시에 화학 흡착하지 않은 제1 반응 물질을 반응 공간(72)으로부터 제거, 제2 반응물질(도시되지 않음)을 도입하여 박막(도시되지 않음)을 형성 및 제2 반응물질을 챔버(70)로부터 제거하는 단계들을 반복적으로 수행함으로서 원하는 두께를 갖는 박막(99)을 형성할 수 있다.
도 12a 내지 도 12e는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 장치의 커패시터 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 12a를 참조하면, 소자분리 영역(102)에 의해 활성 영역(101)이 정의된 반도체 기판(100) 상에 게이트 유전막(104), 게이트 전극(110) 및 소오스/드레인 영역(116a, 116b)을 구비한 트랜지스터들을 형성한다. 1 기가비트 이상의 반도체 장치에서는 약 10Å 내외의 매우 얇은 게이트 유전막이 요구되기 때문에, 상술한 본 발명의 ALD 공정을 이용하여 게이트 유전막(104)을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 도 4a 내지 도 4c, 도 6a 내지 도 6e, 도 9a 내지 도 9c 또는 도 11a 내지 도 11e를 참조하여 설명한 바와 같은 방법으로 박막을 형성한다. 이에 따라, 본 발명에 의한 ALD 공정으로 금속 산화막, 금속 질화막 또는 금속 산질화막으로 이루어진 게이트 유전막(104)을 형성할 수 있다.
상기 게이트 전극(110)은 불순물이 도핑된 폴리실리콘막(106)과 금속 실리사이드막(108)이 적층된 폴리사이드 구조로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 게이트 전극(110)의 상부면 및 측면에는 각각, 실리콘 산화물이나 실리콘 질화물로 이루어진 캡핑 절연막(112) 및 측벽 스페이서(114)가 형성된다.
도 12b를 참조하면, 상기 트랜지스터들이 형성된 기판(100)의 전면에 산화물로 이루어진 제1 절연막(118)을 형성한다. 사진식각 공정으로 상기 제1 절연막(118)을 식각하여 상기 소오스 영역(116a)을 부분적으로 노출하는 콘택홀(120)을 형성한다. 이어서, 상기 콘택홀(120) 및 제1 절연막(118) 상에 제1 도전막, 예컨대 인(P)으로 도핑된 폴리실리콘막을 증착한 후, 상기 제1 절연막(118)의 표면까지 상기 제1 도전막을 에치백 또는 화학 기계적 연마(CMP) 공정으로 제거하여 상기 콘택홀(120)의 내부에 콘택 플러그(122)를 형성한다.
도 12c를 참조하면, 상기 콘택 플러그(122) 및 제1 절연막(118) 상에 식각 방지막(123)을 형성한다. 상기 식각 방지막(123)은 상기 제1 절연막(118)과의 식각 선택비가 높은 물질, 예를 들면 실리콘 질화물(SixNy)막 또는 실리콘 산질화물(SiON)을 사용하여 형성한다.
상기 식각 방지막(123) 상에 산화물로 이루어진 제2 절연막(124)을 형성한 후, 상기 제2 절연막(124)을 식각하여 상기 콘택 플러그(122)를 노출하는 개구부(126)를 형성한다. 구체적으로 상기 제2 절연막(124)을 식각 방지막(123)이 노출될 때까지 식각한 다음, 일정 시간동안 과도 식각하여 콘택 플러그(122) 및 제1 절연막(118)의 일부분을 노출하는 개구부(126)를 형성한다. 상기 개구부(126)는 입구보다 저부가 좁도록 소정의 측벽 기울기를 가지면서 형성된다. 이것은 식각 공정을 수행할 때 로딩 효과에 의해 개구부(126)의 입구에 비해 저부의 식각율(etch rate)이 감소되기 때문이다.
이어서, 상기 개구부(126)의 측면과 저면 및 상기 제2 절연막(124)의 상면에 제2 도전막(127)을 형성한다. 상기 제2 도전막(127)은 폴리실리콘 등의 반도체 물질, 루테늄(Ru), 플라티늄(Pt), 이리듐(Ir) 등의 금속 또는 TiN, TaN, WN 등의 도전성 금속 질화물로 형성할 수 있다.
도 12d를 참조하면, 상기 제2 도전막(127) 및 개구부(126) 상에 희생막(도시하지 않음)을 형성한 후, 상기 개구부(126)의 측면과 저면에만 제2 도전막(127)이 남도록 상기 희생막의 상부를 에치백한다. 그러면, 상기 제2 절연막(124)의 표면에 증착되었던 제2 도전막(127)이 제거되어 상기 개구부(126) 내부의 프로파일을 따라 증착된 제2 도전막(127)이 셀 단위로 분리된다. 그런 다음, 상기 희생막을 습식 식각 공정으로 제거하여 각각의 셀 영역에 캐패시터의 하부 전극(128)을 형성한다. 상기 하부 전극(128)은 도시된 바와 같이 입구는 넓고 저부는 좁은 실린더 형태로 형성된다.
이어서, 상기 하부 전극(128) 상에, 도 4a 내지 도 4c 또는 도 9a 내지 9c에 도시한 바와 같이, 반응물질로서 알콕사이드(alkoxide)화합물, 아미노(Amino)화합물, 싸이클로펜타디에닐(cyclopentadienyl)화합물, 디케토네이트화합물, 알킬화합물 또는 이들의 혼합물과 같은 유기전구체를 사용하여 흡착막(도시되지 않음)을 형성한다. 이어서, 불활성 가스 또는 비활성 가스를 사용하여 형성한 플라즈마를 이용하여 상기 흡착막 내의 리간드나 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 제거하여 커패시터의 유전막(130)을 형성한다. 이 경우 유전막(130)은 금속 산화막이나 금속질화막일 수 있다.
또한 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따르면, 도 6a 내지 도 6e 또는 도 11a 내지 도 11e에서 도시한 바와 같이 제1 반응물질로서 상술한 바와 같은 유기금속 전구체 사용하여 단일원자층(도시되지 않음)을 형성한다. 이어서, 불활성 가스 또는 비활성 가스를 사용하여 형성한 플라즈마를 이용하여 단일원자층 내의 리간드나 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 제거하여 금속산화막 또는 금속 질화막을 형성한다. 이후, 제2 반응물질로서 산소, 아산화질소, 질소, 암모니아 등과 같은 산소 또는 질소를 포함하는 화합물을 상기 금속산화막 또는 금속질화막과 반응시켜 커패시터의 유전막(130)을 형성한다. 이 경우 커패시터의 유전막은 금속산질화막일 수 있다.
상기 유전막(130)은 단일막으로 형성할 수도 있고, 두 가지 이상의 금속 산화막이 교대로 적층된 복합막으로 형성할 수도 있다. 예를 들어, ALD 공정의 금속 전구체를 바꿔가면서 Al2O3/HfO2/Al2O3/HfO2 의 적층 구조로 이루어진 유전막(130)을 형성할 수 있다.
도 12e를 참조하면, 상기 유전막(130) 상에 캐패시터의 상부 전극(132)을 증착함으로써, 하부 전극(128), 유전막(130) 및 상부 전극(132)으로 구성된 캐패시터(C)를 형성한다. 상기 상부 전극(132)은 폴리실리콘 등의 반도체 물질, 루테늄(Ru), 플라티늄(Pt), 이리듐(Ir) 등의 금속 또는 TiN, TaN, WN 등의 도전성 금속 질화물로 형성한다. 바람직하게는, 상기 상부 전극(132)은 TiN과 폴리실리콘의 적층 구조로 형성한다.
하프늄 산질화막의 제조
본 발명의 일 실시예에 따라 하프늄 산질화막을 제조하였다. 보다 구체적으로, 상술한 바와 같은 원자층 적층 공정에 의해 반도체 기판 상에 하프늄 산질화막을 형성하였다. TEMAH(tetrakis(ethylmethylamino)hafnium)가스를 제1 반응물질로 사용하여 예비박막을 형성한 후, 아르곤 플라즈마를 사용하여 하프늄 질화막을 제조하였다. 이어서, 산소(O2)를 제2 반응 물질로 사용하여 하프늄 산질화막을 형성하였다. 박막의 증착 온도는 약 325℃이었고, 챔버 내 압력은 약 200mTorr이었다. 또한 제1 반응물질의 유량은(flow rate)은 약 1000sccm이었다.
보다 상세하게는, 먼저 반도체 기판을 챔버 내에 로딩하였다. 제1 반응물질을 도입하기 위하여 TEMAH의 도징을 약 2초간 실시하였다. 이어서, 아르곤 플라즈마를 사용하여 화학 흡착하지 않은 TEMAH를 챔버로부터 제거함과 동시에 TEMAH에 포함된 질소를 제외한 탄화수소기를 제거하였다. 상기 플라즈마의 적용은 약 2초 동안 수행하였다. 이와 같은 TEMAH 도징과 아르곤 플라즈마의 적용을 약 90회 정도 반복적으로 수행하여 하프늄 질화막을 형성하였다.
계속해서, 상기 기판을 약 24시간 정도 자연산화 시켰다. 이에 따라 상기 기판 상에는 140Å의 두께의 하프늄 산질화막이 형성되었다.
박막 내의 하프늄-산소 결합에 포함된 산소의 조사
도 13은 광전자 분광학(X-ray photoemission spectroscopy)분석 방법을 사용하여 실험예에서 제조한 하프늄산질화막 내의 하프늄-산소 결합으로부터 산소의 양을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다. 이 경우, 최대 피크값이 클수록 박막 내에 산소의 함량이 높음을 의미한다.
아르곤 플라즈마로 상기 하프늄 산질화막을 각각 30초, 1분, 2분, 5분 동안 스퍼터링(sputtering)한 후, 하프늄 산질화막의 조성 및 화학적 결합상태를 조사하였다. 이에 따라 하프늄 산질화막의 깊이에 따른 화학적 조성 및 결합 상태를 확인할 수 있었다. 즉, 스퍼터링 시간을 길게 할 수록, 하프늄 산질화막 하부의 상태를 알 수 있다.
도 13을 참조하면, 스퍼터링 시간이 길어질수록 산소의 함량이 줄어드는 것을 확인할 수 있다. 이로부터 하프늄 산질화막 하부로 갈수록 산소의 함량이 줄어들었음을 알 수 있다.
박막 내의 하프늄-질소 결합에 포함된 질소의 조사
도 14는 광전자 분광학(X-ray photoemission spectroscopy)분석 방법을 사용하여 실험예에서 제조한 하프늄 산질화막 내의 하프늄-질소 결합으로부터 질소의 양을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다. 이 경우, 최대 피크값이 클수록 박막 내에 질소의 함량이 높음을 의미한다.
아르곤 플라즈마로 상기 하프늄 산질화막을 각각 30초, 1분, 2분, 5분 동안 스퍼터링(sputtering)한 후 하프늄 산질화막의 조성과 결합상태를 조사하였다. 이에 따라 하프늄 산질화막의 깊이에 따른 화학적 조성 및 화학적 결합 상태를 확인할 수 있었다. 즉, 스퍼터링 시간을 더 길게할 수록 하프늄 산질화막 하부의 상태를 알 수 있다.
도 14를 참조하면, 스퍼터링 시간이 길어질수록 질소의 함량이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이는 하프늄 산질화막 하부로 갈수록 질소의 함량이 증가함을 의미한다.
도 13 및 도 14에서 도시한 결과를 종합적으로 판단해보면, 하프늄 산질화막의 상부에는 산소가 많이 포함되어 있으며, 하부로 내려갈수록 질소의 함량이 늘어난다. 본 실험예에서 하프늄 산질화막을 형성하기 위하여, 하프늄전구체의 도입 및 플라즈마 적용을 수회 반복 실시하여 하프늄질화막(제1막)을 형성하였다. 이어서, 이를 산소로 산화시켜 하프늄산질화막(제2막)을 형성하였다. 이에 따르면 하프늄 질화막(제1막)을 산화시킬 때, 하프늄 질화막 상부가 하프늄 질화막 하부에 비하여 산화가 더 잘 진행될 수 있다. 따라서 하프늄 산질화막의 하부로 내려갈수록 하프늄 질화막, 즉 제1 막의 성질을 가지게 된다.
따라서 제1 막은 하프늄 질화막이며, 제2 막은 하프늄 산질화막임을 알 수 있다. 즉, 본 발명에 따라 하프늄 전구체를 도입한 후, 플라즈마를 적용하여 하프늄 질화막을 형성할 수 있었고, 이에 다시 제2 반응물질인 산소를 도입하여 하프늄 산질화막을 형성할 수 있었다. 결과적으로, 본 실험예에 의하여 형성한 박막은 본 발명의 목적에 맞도록 제조되었음을 알 수 있다.
박막 내에 포함된 하프늄 결합의 조사
도 15는 광전자 분광학(X-ray photoemission spectroscopy)분석 방법을 사용하여 실험예에서 제조한 하프늄산질화막 내의 하프늄 결합 상태를 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
아르곤 플라즈마로 상기 하프늄 산질화막을 각각 30초, 1분, 2분, 5분 동안 스퍼터링(sputtering)한 후 하프늄 산질화막의 조성과 결합상태를 조사하였다. 이에 따라 하프늄 산질화막의 깊이에 따른 화학적 조성 및 각 성분의 화학적 결합 상태를 확인할 수 있었다. 즉, 스퍼터링 시간을 길게 할 수록 하프늄 산질화막 하부의 상태를 알 수 있다.
도 15를 참조하면, 스퍼터링 시간이 길어질수록 하프늄-산소결합에서 나타나는 피크에서 하프늄-질소결합에서 나타나는 피크로 변하는 경향을 확인할 수 있다.
즉, 하프늄 산질화막의 상부에는 하프늄-산소결합이 많이 포함되어 있으며, 하부로 내려갈수록 하프늄-질소결합이 증가하는 것을 알 수 있다. 본 실험예에서 하프늄 산질화막을 형성하기 위하여, 하프늄전구체를 도입하고 플라즈마를 적용하는 과정을 수회 반복하여 하프늄 질화막(제1막)을 형성하였고, 이를 산소로 산화시켜 하프늄 산질화막(제2막)을 형성하였다. 이에 따르면, 하프늄 산질화막의 하부로 내려갈수록 하프늄 질화막, 즉 제1막의 성질이 많이 나타날 수 있다.
따라서 제1막은 하프늄 질화막으로 형성되었으며, 제2 막은 하프늄 산질화막으로 형성되었으므로, 본 실험예에서 형성된 박막은 본 발명의 목적에 맞도록 제조되었음을 확인할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 원자층 적층 방법을 사용하여 형성된 예비 박막에 플라즈마를 적용하여 예비 박막에 포함된 일부 원소들을 제거한다. 이에 따라 기존 ALD 방법과 같이 제1 반응물질의 도입과 제1 퍼지, 제2 반응물질의 도입과 제2 퍼지라는 여러 단계의 공정이 단순화되어 한번의 반응물질 도입과 한번의 플라즈마 사용으로 원하는 박막을 형성할 수 있다. 이에 따라 공정 시간과 공정 비용이 감소하게 된다. 따라서 본 발명에 의하면 양질의 박막과 이를 이용한 신뢰성 높은 메모리 소자를 여러 단계의 공정을 거치지 않고 경제적으로 생산할 수 있으므로 반도체 제조 공정의 전체적인 시간과 비용을 절감할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1a 내지 도 1d는 종래의 ALD 방법을 사용하여 박막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 원자층 적층 방식을 이용한 박막 형성 방법에 사용되는 박막 제조 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시한 박막 제조장치를 사용하여 박막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4a 내지 도 4c는 도 2에 도시한 박막 제조장치를 이용하여 박막을 형성하는 공정 단계들을 나타내는 단면도들이다.
도 5는 도 2에 도시한 박막 제조장치를 사용하여 박막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6a 내지 도 6e는 도 2에 도시한 박막 제조장치를 이용하여 박막을 형성하는 공정 단계들을 나타내는 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 원자층 적층 방식을 이용한 박막 형성 방법에 사용되는 박막 제조 장치의 개략적인 단면도이다.
도 8은 도 7에 도시한 박막 제조장치를 사용하여 박막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 9a 내지 도 9c는 도 7에 도시한 박막 제조 장치를 사용하여 박막을 형성하는 공정 단계들을 나타내는 단면도들이다.
도 10은 도 7에 도시한 박막 제조장치를 사용하여 박막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 11a 내지 11e는 도 7에 도시한 박막 제조 장치를 사용하여 박막을 형성하는 공정 단계들을 나타내는 단면도들이다.
도 12a 내지 도 12e는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 장치의 커패시터를 형성하는 공정단계들을 나타내는 단면도들이다.
도 13은 실험예에 의해 제조된 하프늄 산질화막 내의 하프늄-산소 결합 상태를 나타낸 광전자 분광 그래프이다.
도 14는 실험예에 의해 제조된 하프늄 산질화막 내의 하프늄-질소 결합 상태를 나타낸 광전자 분광 그래프이다.
도 15는 실험예에 의해 제조된 하프늄 산질화막 내의 하프늄 결합 상태를 나타낸 광전자 분광 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10, 44, 70: 반응 챔버 12, 38,73, 74, 100: 기판
20, 60, 95: 제1 반응물질 22, 64, 97: 제2 반응물질
24, 52, 54, 66, 68, 91, 92, 98,99: 박막 30: 박막제조장치
31: 가스주입구 32: 가스주입장치
33: 전극 34: RF전원
35: 버퍼공간 36: 샤워헤드
37: 척 39: 배기구
40, 80: 펌프 41, 82: 배기라인
42, 72: 반응공간 43, 79: 압력제어밸브
50, 90: 반응물질 62, 96: 단일원자층
71: 공정튜브 75: 도입부
77: 웨이퍼 자동이송장치 78: 보트
81: 리모트 플라즈마 발생부 101: 활성영역
102: 소자 분리 영역 104: 게이트 유전막
106:폴리실리콘막 108: 금속실리사이드막
110: 게이트전극 112: 캡핑절연막
114: 스페이서 116a, 116b: 소오스/드레인 영역
118: 제1 절연막 120: 콘택홀
122: 콘택플러그 123: 식각 방지막
124: 제2 절연막 126: 개구부
127: 제2 도전막 128: 하부전극
130: 유전막 132: 상부전극

Claims (31)

  1. 원자층 적층 방법을 사용하여 반도체 기판 상에 예비 박막을 형성하는 단계; 및
    플라즈마를 사용하여 상기 예비 박막 내에 포함된 원자들의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마는 상기 기판에 인근하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마는 상기 기판에 이격하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마는 불활성 가스, 비활성 가스 또는 이들의 혼합가스를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 불활성 가스는 헬륨 가스, 제논 가스, 크립톤 가스, 아르곤 가스 또는 이들의 혼합 가스인 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 비활성 가스는 산소 가스, 수소 가스, 암모니아 가스, 아산화질소 가스, 이산화질소 가스 또는 이들의 혼합 가스인 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 박막은 금속막, 금속산화막, 또는 금속질화막인 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  8. 반도체 기판 상에 반응물질을 화학 흡착시키는 단계; 및
    플라즈마를 사용하여 상기 화학 흡착된 반응물질을 구성하는 원자들의 일부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 반응물질은 유기 금속 전구체인 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 유기 금속 전구체는 알콕사이드화합물, 아미노화합물, 싸이클로펜타디에닐화합물, 디케토네이트화합물, 알킬화합물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 알콕사이드화합물은 Hf, Ta, Al, Si, La, Y, Zr, Mg, Sr, Pb, Ti, Nb, Ce, Ru, Ba, Ca, In, Ge, Sn, V, As, Pr, Sb 및 P로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 아미노화합물은 Hf, Ta, Al, Si, La, Y, Zr, Mg, Sr, Pb, Ti, Nb, Ce, Ru, Ba, Ca, In, Ge, Sn, V, As, Pr, Sb 및 P로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 싸이클로펜타디에닐화합물은 Hf, Ta, Al, Si, La, Y, Zr, Mg, Sr, Pb, Ti, Nb, Ce, Ru, Ba, Ca, In, Ge, Sn, V, As, Pr, Sb 및 P로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 디케토네이트화합물은 Hf, Ta, Al, Si, La, Y, Zr, Mg, Sr, Pb, Ti, Nb, Ce, Ru, Ba, Ca, In, Ge, Sn, V, As, Pr, Sb 및 P로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 알킬화합물은 Hf, Ta, Al, Si, La, Y, Zr, Mg, Sr, Pb, Ti, Nb, Ce, Ru, Ba, Ca, In, Ge, Sn, V, As, Pr, Sb 및 P로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  16. (a) 챔버 내부에 기판을 위치시키는 단계;
    (b) 상기 챔버 내부에 반응물질을 도입하는 단계;
    (c) 상기 반응물질의 일부를 상기 기판 상에 화학 흡착시켜 예비 박막을 형성하는 단계; 및
    (d) 플라즈마를 사용하여 상기 예비 박막 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기(d)단계에서 상기 플라즈마를 사용하여 화학 흡착되지 않은 반응물질을 챔버로부터 제거하는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 (b) 내지 (d)단계를 적어도 한번 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  19. (a) 챔버 내부에 기판을 위치시키는 단계;
    (b) 상기 챔버 내부에 제1 반응물질을 도입하는 단계;
    (c) 상기 제1 반응물질의 일부를 상기 기판 상에 화학 흡착시켜 상기 기판 상에 단일 원자층을 형성하는 단계;
    (d) 플라즈마를 사용하여 상기 단일 원자층 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 제거하는 단계;
    (e) 상기 챔버 내부에 제2 반응물질을 도입하는 단계; 및
    (f) 상기 단일 원자층과 상기 제2 반응물질의 일부를 화학적으로 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 박막은 금속산질화막인 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기 제2 반응물질은 산소, 또는 질소를 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  22. 제19항에 있어서, 상기 제2 반응물질은 플라즈마 상태를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  23. 제19항에 있어서, 상기 (d) 단계 전에, 상기 챔버 내부로 퍼지가스를 도입하여 상기 화학 흡착하지 않은 제1 반응물질들을 상기 챔버로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  24. 제19항에 있어서, 상기 (e) 단계 전에, 상기 챔버 내부로 퍼지가스를 도입하여 상기 화학 흡착하지 않은 제1 반응물질 및 상기 플라즈마에 의하여 형성된 챔버 내 잔류물들을 상기 챔버로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  25. 제19항에 있어서, 상기 (e)단계 전에, 상기 (b) 내지 (d)단계를 적어도 한번 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  26. 제19항에 있어서, 상기 (b) 내지 (f)단계를 적어도 한번 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  27. 제19항에 있어서, 상기 (f) 단계 후에, 상기 챔버 내부로 퍼지가스를 도입하여 상기 화학 흡착하지 않은 제2 반응물질들을 상기 챔버로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 퍼지가스는 플라즈마 상태를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 형성방법.
  29. (a) 하부전극이 형성된 반도체 기판을 챔버 내부에 위치시키는 단계;
    (b) 상기 기판 상에 반응물질을 도입하여 상기 하부전극을 따라 균일하게 흡착막을 형성하는 단계;
    (c) 플라즈마를 사용하여 상기 흡착막 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 제거하여 유전막을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 유전막 상에 상부전극을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 소자의 커패시터 형성방법.
  30. 제29항에 있어서, 하부전극 및 상부전극은 실리콘, 금속, 금속산화물, 금속질화물 또는 금속산질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 커패시터 형성방법.
  31. (a) 하부전극이 형성된 반도체 기판을 챔버 내부에 위치시키는 단계;
    (b) 상기 기판 상에 제1 반응물질을 도입하여 상기 하부전극을 따라 균일하게 흡착막을 형성하는 단계;
    (c) 플라즈마를 사용하여 상기 흡착막 내의 리간드 또는 원자단에 포함된 원자들의 일부 또는 전부를 제거하는 단계;
    (d) 상기 흡착막으로 제2 반응물질을 도입하여 상기 제1 반응물질과 상기 제2 반응물질을 화학적으로 반응시켜 유전막을 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 유전막 상에 상부전극을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 소자의 커패시터 형성방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101328424B1 (ko) * 2008-12-26 2013-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제조하는 방법
CN107026072A (zh) * 2015-11-30 2017-08-08 三星电子株式会社 形成薄膜的方法、制造集成电路器件的方法和形成半导体器件的方法

Families Citing this family (373)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100791334B1 (ko) * 2006-07-26 2008-01-07 삼성전자주식회사 원자층 증착법을 이용한 금속 산화막 형성 방법
KR100958332B1 (ko) 2008-01-28 2010-05-18 (주)디엔에프 신규 루테늄 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) * 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9196473B2 (en) * 2010-12-27 2015-11-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing an oxynitride film for a semiconductor device
US8569158B2 (en) * 2011-03-31 2013-10-29 Tokyo Electron Limited Method for forming ultra-shallow doping regions by solid phase diffusion
US8580664B2 (en) 2011-03-31 2013-11-12 Tokyo Electron Limited Method for forming ultra-shallow boron doping regions by solid phase diffusion
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
GB201113808D0 (en) * 2011-08-11 2011-09-21 Univ Strathclyde Methods for forming an organic layer on a substrate
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
TWI622664B (zh) 2012-05-02 2018-05-01 Ａｓｍ智慧財產控股公司 相穩定薄膜，包括該薄膜之結構及裝置，及其形成方法
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9583337B2 (en) * 2014-03-26 2017-02-28 Ultratech, Inc. Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US9899224B2 (en) 2015-03-03 2018-02-20 Tokyo Electron Limited Method of controlling solid phase diffusion of boron dopants to form ultra-shallow doping regions
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6479560B2 (ja) * 2015-05-01 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US10458016B2 (en) 2015-12-25 2019-10-29 Tokyo Electron Limited Method for forming a protective film
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10170300B1 (en) * 2017-11-30 2019-01-01 Tokyo Electron Limited Protective film forming method
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
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US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
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KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
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TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4714625A (en) * 1985-08-12 1987-12-22 Chopra Kasturi L Deposition of films of cubic boron nitride and nitrides of other group III elements
US4883686A (en) * 1988-05-26 1989-11-28 Energy Conversion Devices, Inc. Method for the high rate plasma deposition of high quality material
US6313035B1 (en) * 1996-05-31 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition using organometallic precursors
US6200893B1 (en) * 1999-03-11 2001-03-13 Genus, Inc Radical-assisted sequential CVD
US6391785B1 (en) * 1999-08-24 2002-05-21 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes
DE19941253A1 (de) * 1999-08-31 2001-03-08 Basf Ag Glanzpigmente mit absorbierender, niedrigbrechender Beschichtung
US6551399B1 (en) * 2000-01-10 2003-04-22 Genus Inc. Fully integrated process for MIM capacitors using atomic layer deposition
US6475902B1 (en) * 2000-03-10 2002-11-05 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of niobium barriers for copper metallization
US7141278B2 (en) * 2000-06-08 2006-11-28 Asm Genitech Korea Ltd. Thin film forming method
US6464779B1 (en) * 2001-01-19 2002-10-15 Novellus Systems, Inc. Copper atomic layer chemical vapor desposition
US6391803B1 (en) * 2001-06-20 2002-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane
US20030017697A1 (en) * 2001-07-19 2003-01-23 Kyung-In Choi Methods of forming metal layers using metallic precursors
US6656282B2 (en) * 2001-10-11 2003-12-02 Moohan Co., Ltd. Atomic layer deposition apparatus and process using remote plasma
US7081271B2 (en) * 2001-12-07 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
US7160577B2 (en) * 2002-05-02 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits
KR100469126B1 (ko) * 2002-06-05 2005-01-29 삼성전자주식회사 수소 함유량이 적은 박막 형성방법
US6921555B2 (en) * 2002-08-06 2005-07-26 Tegal Corporation Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber
US20040118697A1 (en) * 2002-10-01 2004-06-24 Applied Materials, Inc. Metal deposition process with pre-cleaning before electrochemical deposition
US7022605B2 (en) * 2002-11-12 2006-04-04 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition methods
US7163721B2 (en) * 2003-02-04 2007-01-16 Tegal Corporation Method to plasma deposit on organic polymer dielectric film
US7378129B2 (en) * 2003-08-18 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition methods of forming conductive metal nitride comprising layers
US7235482B2 (en) * 2003-09-08 2007-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing a contact interconnection layer containing a metal and nitrogen by atomic layer deposition for deep sub-micron semiconductor technology
US20070248767A1 (en) * 2006-04-19 2007-10-25 Asm Japan K.K. Method of self-cleaning of carbon-based film

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101328424B1 (ko) * 2008-12-26 2013-11-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치를 제조하는 방법
US9136390B2 (en) 2008-12-26 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9711651B2 (en) 2008-12-26 2017-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US11817506B2 (en) 2008-12-26 2023-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN107026072A (zh) * 2015-11-30 2017-08-08 三星电子株式会社 形成薄膜的方法、制造集成电路器件的方法和形成半导体器件的方法
CN107026072B (zh) * 2015-11-30 2021-11-09 三星电子株式会社 形成薄膜的方法、制造集成电路器件的方法和形成半导体器件的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20060063346A1 (en) 2006-03-23
KR100589062B1 (ko) 2006-06-12

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