KR20050059077A - 고유전율 금속 실리케이트 원자층 증착 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 하프늄 실리케이트를 포함하는 금속 실리케이트의 고유전체 층의 원자층 증착("ALD")에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 금속 유기 선구체, 실리콘 유기 선구체 및 오존을 사용하는 금속 실리케이트의 ALD 형성에 관한 것이다. 바람직하게, 금속 유기 선구체는 금속 알킬 아미드이며, 실리콘 유기 선구체는 실리콘 알킬 아미드이다.
Description
본 출원은 "Atomic Layer Deposition of Metal Silicates for High-k Gate and Capacitor Dielectrics"라는 제목으로 2002년 8월 18일 출원된 미국 가출원 No. 60/404,371에 관한 것으로 이를 우선권으로 주장하며, 상기 가출원은 본 명세서에 참조된다. 상기 출원은 "Atomic Layer Deposition of High-k Dielectric Films"라는 제목으로 2002년 7월 19일 출원된 미국 가출원 No. 60/396,723에 관한 것이며, 본 명세서에 참조된다.
본 발명은 하프늄 실리케이트와 같은 금속 실리케이트의 고유전체 막(high k dielectric films)의 원자층 증착("ALD")에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 금속 유기 선구체, 실리콘 유기 선구체 및 오존으로부터 금속 실리케이트의 ALD 형성에 관한 것이다.
컴퓨터의 속도 및 기능은 매년 두 배가 되며, 집적 회로의 크기를 감소시킴으로써 대부분 조장된다. 일반적으로, 최신의 회로에서 가장 작은 크기는, 실리콘에서의 제어 전류로부터 제어 전극("게이트 전극")을 절연시키는, 게이트 절연체의 두께이다. 통상적으로, 게이트 절연체는 실리콘 산화물(SiO2) 및/또는 실리콘 질화물(SiN)로 구성된다. 이러한 절연체는 현재 20Å정도로 얇다. 그러나, 통상의 게이트 유전체는 두께가 20Å이하로 감소함에 따라 누출과 신뢰성 부족의 어려움을 겪고 있다.
결국, 대체 절연체를 찾기 위한 노력이 진행 중이다. 지금까지, 노력의 대부분은 고유전율(high "k") 재료에 집중되었다. 여기서도 사용되는 것처럼, 만일 유전 상수"k"가 실리콘 산화물(k=3.9)보다 큰 경우, 재료는 고유전율(high "k")이다. 상보형 전계 효과 트랜지스터를 사용하는 고유전율 게이트 유전체에 대한 요구는 반도체용 국제 기술 로드맵에서 확인된다. 조사된 고유전체는 금속 실리케이트를 포함한다.
게다가, 화학기상증착(CVD)과 같은 선행 증착 기술은 점차 진보한 박막에 대한 요구를 충족시킬 수 없다. CVD 프로세스가 진보된 스텝 커버리지를 갖는 컨포멀한 막을 제공하기 위해 전용될 수 있지만, CVD 프로세스는 종종 높은 프로세싱 온도를 필요로 하고, 높은 불순물 농도의 혼입을 초래하며, 불량한 선구체 또는 반응성 이용 효율을 갖는다. 예를 들어, 고유전율의 게이트 유전체를 만드는데 있어서의 장애 중 하나는 CVD 프로세스 동안의 계면 실리콘 산화물층의 형성이다. 다른 장애는 실리콘 기판 상에 고유전율 게이트 유전체를 위해 초박막을 증착하는 선행 기술의 CVD 프로세스의 한계이다.
따라서, 균일한 화학량론, 두께, 컨포멀한 커버리지, 가파른 인터페이스, 부드러운 표면, 및 감소된 입자 경계, 크랙과 핀홀을 갖는 순수한 형태로 재료를 증착하는 개선된 방법을 개발하기 위한 노력이 진행 중이다. ALD는 개발될 최신의 방법이다. ALD에서, 선구체 및 공반응물은, 번갈아 행해지는 펄스와 세정에 의해 펄스 사이클당 막 성장의 단일 모노층을 생성하기 위해 각각 성장 막의 표면에 도입된다. 층 두께는 펄스 사이클의 전체 수에 의해 제어된다. ALD는 CVD에 비해 몇몇 장점을 갖는다. ALD는 상대적으로 낮은 온도에서 실행될 수 있는데, 이는 저온으로 향하는 산업분야의 경향에 부합한다. 보다 유리하게, ALD는 원자 스케일로 막의 두께를 조절할 수 있으며, "나노-엔지니어" 복합 박막에 사용될 수 있다. 이에 따라, ALD에서 더 많은 개발이 매우 요구된다.
ALD에서 금속 유기 선구체와 같은 금속 알킬 아미드의 사용이 공지되어 있다. 예를 들어, 하프늄 테트라키스(디메틸아미드)("Hf-TDMA") 및 하프늄 테트라키스(에틸 메틸 아미드)("Hf-TEMA")를 사용하는 하프늄 산화물의 ALD 형성이 보고 되었다. "금속 산화물 및 실리케이트의 기상증착을 참조하라": Possible Gate Insulators For Future Microelectronics, R. Gordon et al., Chem. Mater.,2001, pp.2463-2464 및 Atomic Layer Depositioin of Hafnium Dioxide Films From Hafnium Tetrakis(ethylmethylamide) And Water, K. Kukli et al., Chem. Vap. Deposition, 2002, Vol.8, No.5, pp. 199-204. 그러나, 이러한 참조문헌은 금속 실리케이트를 형성하기 위해 금속 알킬 아미드를 사용하지 않는다. 더욱이, 이러한 참조 문헌은 산화제로서 오존의 바람직한 사용을 개시하지 않는다.
오존은 공지된 산화제이다. 예를 들어, 오존은 지르코늄 테트라-티-부톡사이드로부터 지르코늄 산화물을 형성하는 ALD 프로세스에서 보고된 많은 적절한 산화제 중 하나이다. 미국 특허 No.6,465,371을 참조하라. 그러나, 산소 및/또는 스팀이 금속 산화물의 ALD 형성에서 바람직한 산화제로 사용되는 경향이 있다. 예를 들어, "Atomic Layer Deposition of Hafnium Dioxide Film from Hafnium Tetrakis(ethylmethylamide) And Wafer"을 참조하라.
도1은 본 발명의 실시예의 ALD 사이클을 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
도2는 본 발명에 따라 게이트에 형성된 고유전체 막의 사용을 개시한다.
본 발명은 게이트 및/또는 캐패시터 유전체 응용예에서 실리콘 산화물을 대체하기 위해, 하프늄 실리케이트를 포함하는 고유전율 금속 실리케이트를 형성하는 ALD 프로세스를 제공한다. 상기 방법은 이하의 단계: 즉, 첫 번째, 동시 또는 연속적으로 금속 유기 선구체 및 실리콘 유기 선구체를 기판을 포함하는 반응 챔버로 펄싱하는 단계; 두 번째, 반응 챔버를 세정하는 단계; 세 번째, 반응 챔버로 오존을 펄싱하는 단계; 네 번째, 반응 챔버를 세정하는 단계를 포함한다. 이러한 펄스 사이클은 목적한 두께의 금속 실리케이트가 얻어질 때까지 반복된다.
금속 유기 선구체는 소정의 금속 공여 유기 재료일 수 있다. 바람직한 금속 유기 선구체는 금속 알킬, 금속 알콕사이드 및 금속 알킬 아미드를 포함한다. 바람직하게, 금속 유기 선구체는 금속 알킬 아미드이다. 더욱 바람직하게, 금속 유기 선구체는 에틸메틸 아미드 리간드를 포함하는 금속 알킬 아미드이다. 이러한 선구체는 최종 금속 실리케이트 막에 감소된 탄소 오염을 나타낸다.
실리콘 유기 선구체는 소정의 실리콘 공여 유기 재료일 수 있다. 바람직한 실리콘 유기 선구체는 알킬 실란, 실리콘 알콕사이드, 실록산, 실라잔, 실리콘 알킬 아미드를 포함한다. 그러나, 바람직하게, 실리콘 유기 선구체는 실리콘 알킬 아미드이다. 더욱 바람직하게, 실리콘 유기 선구체는 실리콘 테트라키스(에틸 메틸 아미드)이다. 다시 말하지만, 이러한 선구체는 감소된 탄소 오염을 나타낸다.
ALD 프로세스에서 오존을 사용함에 따라, 스팀과 같은 통상의 산화제와는 대조적으로, 최종 금속 산화물 막에 고정되고 트랩핑된 전하가 현저히 감소한다. 게다가, ALD 프로세스에서 오존을 사용함으로써, 산소 가스와 같은 통상의 산화제와는 대조적으로, ALD 프로세스를 위해 요구되는 동작 온도가 현저히 감소된다.
본 발명에 따라 생성된 고유전율 금속 산화물 막은 게이트 및 캐패시터에서 유전체로서 유용하다. 게이트 유전체로서 사용될 경우, 고유전체 막은 통상적으로 실리콘 웨이퍼인 기판 상에 하나 이상의 n 또는 p 도핑된 채널 사이에 형성된다. 이어 다결정 실리콘 전극과 같은 전극이 게이트를 형성시키기 위해 유전체 위에 형성된다. 캐패시터 유전체로서 사용될 경우, 고유전체 막은 두 개의 도전성 플레이트 사이에 형성된다.
본 발명은 이하의 도면을 참조하여 더 상세하게 설명될 것이다.
본 발명은 게이트 및/또는 캐패시터 유전체 응용예에서 실리콘 산화물을 대체하기 위해 고유전율 금속 실리케이트를 형성하는 ALD 프로세스를 제공한다. 상기 프로세스에 따라 형성된 바람직한 금속 실리케이트는 하프늄 실리케이트이다. 하프늄 실리케이트는 우수한 열적 안정성을 나타내며, 그로 인해, 다른 실리케이트와 비교하여 더 적은 계면 실리콘 산화물 성장을 초래한다.
펄스 사이클을 시작하기에 앞서, 통상적으로 실리콘 웨이퍼인 기판이 반은 챔버에 배치되는데, 종종 챔버의 단부에 위치한 밸브를 통해 배치되기도 한다. 바람직하게, 실리콘 웨이퍼는 고유한 실리콘 산화물을 제거하기 위해 플르오르화수소로 세정된다.
기판은 기판을 지지하고 필요한 반응 온도로 기판을 가열하는 가열가능한 웨이퍼 홀더에 놓인다. 일단 기판이 적절하게 배치되면, 펄스 사이클이 시작할 수 있다.
통상적으로, 펄스 사이클의 제1 펄스에 앞서, 웨이퍼는 100℃ 내지 약 500℃의 범위의 온도, 바람직하게는 200℃ 내지 400℃ 범위의 온도로 가열된다. 이러한 온도는 프로세스 동안 내내 유지된다.
통상적으로, 펄스 사이클의 제1 펄스에 앞서, 반응 챔버에는 또한 0.1 내지 5 토르의 압력, 바람직하게는 0.1 내지 2 토르의 압력이 적용된다. 이러한 압력도 또한 프로세스 내내 유지된다.
펄스 사이클은 시각적으로 도1에 개시된다. 펄스 사이클은 이하의 단계를 포함한다:
첫 번째, 휘발성 액체 금속 유기 선구체 및 휘발성 액체 실리콘 선구체는 휘발되어 공동으로 또는 개별적으로, 그리고 동시 또는 연속적으로 반응 챔버로 펄싱된다. 금속 유기 선구체 및 실리콘 소스는 이어 기판의 표면으로 화학적 흡수(chemi-absorbed)된다.
통상적으로, 금속 유기 선구체 및 실리콘 선구체는 약 0.1초 내지 약 5초의 범위의 주기에 걸쳐 약 0.1 내지 1100 sccm(분당 표준 입방 센티미터) 범위의 흐름율로 도입된다. 선구체, 또는 선구체 혼합물은 아르곤, 질소 또는 헬륨 가스와 같은 불활성 캐리어 가스와 함께 도입될 수 있다. 택일적으로, 선구체 또는 선구체 혼합물은 순수한 형태로 도입될 수 있다. 바람직하게, 선구체 액체는 혼합 및 휘발되어 아르곤 가스와 함께 반응 챔버로 도입된다.
금속 유기 선구체는 소정의 금속 공여 유기 재료일 수 있다. 바람직한 금속 유기 선구체는 금속 알킬, 금속 알콕사이드 및 금속 알킬 아미드를 포함한다. 그러나, 바람직하게, 금속 유기 선구체는 금속 알킬 아미드이다. 금속 알킬 아미드는 최종 막에서 더 적은 탄소 오염을 나타내는 경향이 있다.
적절한 금속 알킬 아미드는 이하의 구조식을 갖는다:
M(NR1R2)n
여기서, "M"은 금속이며, "R1" 및 "R2"는 각각 치환되거나 치환되지 않는 선형, 분지형 및 사이클릭 알킬을 포함하는 그룹으로부터 선택되며, "n"은 금속의 원자가에 대응하는 수이다. 바람직하게 "M"은 4족(Ti, Zr, Hf) 금속 (4족 금속은 이전의 IUPAC 폼에서는 IVA족에, CAS 폼에서는 IVB족에 해당하는 새로운 주기표의 표기임)이다. 바람직하게 금속은 하프늄이다. 바람직하게, "R1" 및 "R2"는 각각 메틸 및 에틸과 같은 C1-C6 알킬인데, 이는 이러한 리간드가 최종 막에서 탄소 오염을 감소시키기 때문이다. 더욱 바람직하게, "R1" 및 "R2"는 각각 에틸 및 메틸 단위체이다. 에틸메틸 아미드 리간드와 함께 메틸 알킬 아미드를 사용하는 것은 금속 실리케이트 막에서 더 적은 탄소 오염을 발생시킨다. 예를 들어, Hf-TEMA는 Hf-TDMA 및 하프늄 테트라에틸 아미드("Hf-TDEA")와 같은 관련된 혼합물 보다 더 적은 탄소 오염을 발생시킨다.
실리콘 유기 선구체는 소정의 실리콘 공여 유기 재료일 수 있다. 바람직하게 실리콘 유기 선구체는 알킬 실란, 실리콘 알콕사이드, 실록산, 실라잔, 및 실리콘 알킬 아미드를 포함한다. 예를 들어, 적절한 실리콘 유기 선구체는 테트라메틸 실란과 같은 알킬 실란, 실리콘 테트라키스-티-브톡사이드와 같은 실리콘 알콕사이드, 헥사메틸디실록산("HMDSO") 및 테트라메틸디실록산("TMDSO")과 같은 실록산, 및 헥사메틸디실란젠과 같은 실라잔을 포함한다. 그러나, 바람직하게, 실리콘 유기 선구체는 실리콘 알킬 아미드이다. 실리콘 알킬 아미드는 최종 금속 실리콘 막에서 더 적은 탄소 성분을 발생시킨다.
적절한 실리콘 알킬 아미드는 이하의 구조식을 갖는 혼합물을 포함한다:
Si(NR1R2)4
여기서, "R1" 및 "R2"는 각각 치환되거나 치환되지 않는 선형, 분지형 및 사이클릭 알킬을 포함하는 그룹으로부터 선택된다. 바람직하게, "R1" 및 "R2"는 각각 메틸 및 에틸과 같은 C1-C6 알킬이다. 더욱 상세하게, 실리콘 알킬 아미드는 실리콘 테트라키스(에틸메틸 아미드)("Si-TEMA")인데, 이는 심지어 실리콘 테트락스(디에틸 아미드)("Si-TDEA") 및 실리콘 테트라키스(디메틸 아미드)("Si-TDMA")와 같은 유사한 혼합물과 비교해도, 실리콘 테트라키스(에틸메틸 아미드)("Si-TEMA")가 더 적은 탄소 오염을 발생시키기 때문이다.
두 번째, 반응 챔버에서 반응하지 않은 금속 유기 선구체, 반응하지 않은 실리콘 유기 선구체, 및 부산물이 세정된다. 세정은 예를 들어, 불활성 세정 가스 또는 진공 세정을 사용하여 행해진다. 불활성 세정 가스는 아르곤, 질소 및 헬륨 가스를 포함한다. 세정 가스는 통상적으로 약 0.1 내지 5초 범위의 주기에 걸쳐 약 0.1 내지 1100 sccm 범위의 흐름율로 반응 챔버에 펄싱된다.
세 번째, 오존 가스가 반응 챔버에 도입된다. 오존은 통상적으로 약 0.1 내지 5초 범위의 주기에 걸쳐 약 0.1 내지 1100 sccm 범위의 흐름율로 반응 챔버에 펄싱된다. 오존은 아르곤, 질소 또는 헬륨 가스와 같은 불활성 가스와 함께 도입될 수 있다. 택일적으로 오존은 순수한 형태로 첨가될 수 있다. "순수함"이란 의미는 산소 가스가 완전히 없음을 의미하지 않는다. 산소 가스는 오존에 대한 선구체이며 어느 정도 오존에 거의 언제나 존재한다. 오존은 금속 유기 선구체 및 실리콘 유기 선구체에 대해 산화제로서 작용하며, 금속 실리케이트를 형성하기 위해 필요한 산소를 공급한다.
ALD 프로세스에서 오존을 사용함으로써, 산소 가스나 스팀과 같은 통상의 산화제와는 대조적으로, 최종 금속 산화물 막에서 고정되고 트랩핑된 전화가 감소된다. 게다가, 필요한 동작 온도가 감소된다. 통상적으로, 산소 가스 및 스팀은 ALD 프로세스를 위한 바람직한 산화제인 반면, 오존은 산화제로서 인정은 되었지만 상대적으로 높은 불안정성 때문에 선호되지 않았다. 그러나, ALD에 의한 금속 산화물 막의 형성에서 오존이 실질적으로 바람직한 산화제라는 것을 발견하였다. 산소 가스가 약 400℃의 동작 온도를 필요로 하는 반면, 오존은 300℃ 이하의 동작 온도를 가능케 한다. 스팀이 최종 막에 수산기 오염을 발생시키는 반면, 오존은 이러한 오염이 없는 막을 생성한다.
마지막으로 네 번째, 반응 챔버에서 반응되지 않은 오존 및 부산물이 세정된다. 이러한 두 번째 세정 단계는 통상적으로 첫 번째 세정 단계와 동일한 방식으로 수행된다.
이는 ALD 프로세스의 하나의 사이클을 완성한다. 최종적으로, 기판 상에 하나의 금속 실리케이트 모노층이 형성된다. 이어, 펄스 사이클은 원하는 두께의 막을 얻기 위해 필요한 만큼 여러 번 반복된다. ALD 성장에 의한 층은 대형 기판에 걸쳐 우수한 커버리지를 제공하며 우수한 스텝 커버리지를 제공한다.
본 발명에 따라 형성된 바람직한 금속 실리케이트는 하프늄 실리케이트, 지르코늄 실리케이트, 및 티타늄 실리케이트와 같은 4족 금속 실리케이트이다. 가장 바람직한 금속 실리케이트는 하프늄 실리케이트이다. 하프늄 실리케이트는 우수한 열적 안정성을 보이며, 그로 인해, 계면 실리콘 이산화물을 더 적게 성장시킨다.
하프늄 실리케이트(HfXSi1-XO2) 막은 Hf-TEMA 및 Si-TEMA의 증기 혼합물을 1:4의 비율로 펄싱한 후, 세정하고, 이어 오존을 펄싱한 후 다시 세정함으로써 실리콘 기판 상에 형성된다. 바람직하게, 압력은 프로세스 내내 0.5 토르이며, 증발기 설정 포인트는 125℃이며, 라인 히터는 135℃이다.
택일적으로, 펄스 사이클은 다음과 같다: 첫 번째, 선구체는 0.04g/min의 농도 및 2초동안 300sccm의 흐름율로 챔버에 펄싱되며; 두 번째, 아르곤 세정은 3초 동안 300sccm의 흐름율로 챔버로 펄싱되며; 세 번째, 오존은 2초 동안 300sccm의 흐름율로 챔버로 펄싱되며, 마지막으로, 아르곤은 3초 동안 300sccm의 흐름율로 챔버로 펄싱된다. 이러한 조건은 대략 1.5%(1σ)의 불균일도 및 약 0.95Å/cycle의 증착율을 제공한다.
통상적으로, 웨이퍼 온도의 증가는 증착율 및 두께 균일도(Tox)를 증가시키고 누설 전류 밀도(Jg)를 감소시킨다. 오존 펄스 시간의 증가는 증착율 및 Tox를 증가시키고, Jg를 감소시킨다. 게다가, 최종 막에서의 하프늄 및 실리콘의 비율이 웨이퍼 온도에 구속되는 것이 측정되었다. 구체적으로, 웨이퍼의 온도가 상승함에 따라, 하프늄의 비율은 감소하고 실리콘의 비율은 증가한다. 사실, 실리콘의 비율은 웨이퍼의 온도가 300℃에서 400℃로 상승함에 따라 두 배로 증가하지만, 이어 증가하지 않고 유지되며 450℃까지는 많은 증가를 보이지 않는다. 예를 들어, 350℃의 웨이퍼 온도에서 막의 원자 비율은 1.4% 수소, 3.0% 탄소, 63.4% 산소, 10.9% 실리콘, 20.3% 하프늄, 및 1.0% 질소이다. 대조적으로, 400℃ 웨이퍼 온도에서 막의 원자 비율은 1.8% 수소, 2.5% 탄소, 62.7% 산소, 13.3% 실리콘, 18.5% 하프늄 및 1.2% 질소이다. 그러나, 450℃의 웨이퍼 온도에서, 막 내의 원자 비율은 1.0% 수소, 2.1% 탄소, 63.8% 산소, 13.7% 실리콘, 18.8% 하프늄, 및 0.6%의 질소이다.
본 발명의 실시예의 ALD 프로세스는 게이트 및 캐패시터 구조에 사용하기 위한 고유전체를 생성하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 도핑된 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상에 고유전율 금속 산화물 막을 형성함으로써 게이트를 형성하는데 사용할 수 있으며, 도핑된 폴리 실리콘과 같은 도전층을 갖는 구조를 캡핑할 수도 있다. 택일적으로, 프로세스는 두개의 도전체 플레이트 사이에 고유전율 금속 산화물을 형성함으로써 캐패시터를 형성하는데 사용할 수 있다.
도2는 게이트에서의 상기한 고유전체의 사용을 도시한다. 도2에서, 전계 효과 트랜지스터(100)의 단면이 도시된다. 트랜지스터는 높은 농도로 P-도핑된 실리콘 기판(110)을 포함하는데, 이 가판에는 n-도핑된 실리콘 소스(130)와 n-도핑된 실리콘 드레인(140)이 형성되고, 그 사이에 채널 영역(120)이 존재한다. 게이트 유전체(160)는 채널 영역(120) 위에 위치한다. 게이트 전극(150)은 게이트 유전체(160) 위에 위치하여, 매개된 게이트 유전체(160)에 의해 채널 영역(120)으로부터 분리된다. 소스(130)와 드레인(140) 사이에 전압차가 발생하면, 채널을 통해 어떠한 전류도 흐르지 않는데, 이는 소스(130) 또는 드레인(140)에서 하나의 접합부가 역 바이어스되기 때문이다. 그러나, 게이트 전극(150)으로 양의 전압을 인가함으로써, 채널 영역(120)을 통해 전류가 흐른다. 게이트 유전체(160)는 본 발명의 ALD 프로세스에 따라 생성된 고유전율 금속 산화물이다.
당업자는 본 발명에 대한 많은 변경이 가능하다는 것을 알 것이다. 예를 들어, 오존은 다양한 방식으로 생성 및 운반될 수 있다. 게다가, ALD 챔버의 입자, 가스 분배 장치, 밸브, 타이밍 등은 종종 변화한다. 본 명세서에서 구체적으로 설명하지 않은 다른 변경이 본 발명의 사상 내에서 존재할 수 있다. 결과적으로, 본 발명은 이하의 청구항의 사상에 의해서만 한정된다.
Claims (25)
- 원자층 증착에 의해 기판상에 금속 실리케이트를 성장시키는 방법으로서,(ⅰ) 기판을 포함하는 반응 챔버속에 금속 유기 선구체와 실리콘 유기 선구체를 주입하는 단계;(ⅱ) 상기 반응 챔버를 세정하는 단계;(ⅲ) 상기 반응 챔버속에 오존을 주입하는 단계;(ⅳ) 상기 반응 챔버를 세정하는 단계; 및(ⅴ) 상기 기판상에 원하는 두께의 막이 달성될때까지 (ⅰ), (ⅱ), (ⅲ) 및 (ⅳ) 단계들을 반복하는 단계를 포함하는, 금속 실리케이트 성장 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘인 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 성장 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체내의 금속은 4족 금속인 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 성장 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체내의 금속은 하프늄인 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 성장 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체는 선형, 분기형 및 사이클릭 알킬인 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 성장 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체는 금속 알킬 아미드인 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 성장 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 유기 선구체는 실리콘 알킬 아미드인 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 성장 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체는 금속 알콕사이드인 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 성장 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체와 상기 실리콘 유기 선구체는 혼합되고 휘발되어 혼합 가스로서 상기 챔버속에 주입되는 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 성장 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체와 상기 실리콘 유기 선구체는 개별적으로 휘발되며 상기 챔버속에 동시에 주입되는 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 성장 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체와 상기 실리콘 유기 선구체는 개별적으로 휘발되며 상기 챔버속에 연속적으로 주입되는 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 성장 방법.
- 트랜지스터용 게이트 제조 방법으로서,(ⅰ) 기판을 포함하는 반응 챔버속에 금속 유기 선구체와 실리콘 유기 선구체를 주입하는 단계;(ⅱ) 상기 반응 챔버를 세정하는 단계;(ⅲ) 상기 반응 챔버속에 오존을 주입하는 단계;(ⅳ) 상기 반응 챔버를 세정하는 단계;(ⅴ) 상기 기판상에 원하는 두께의 유전체막이 달성될때까지, (ⅰ), (ⅱ), (ⅲ) 및 (ⅳ) 단계들을 반복하는 단계; 및(ⅵ) 상기 유전체막 위에 도전막을 위치시키는 단계를 포함하는, 트랜지스터용 게이트 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘인 것을 특징으로 하는, 트랜지스터용 게이트 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체는 4족 금속의 선형, 분기형 및 사이클릭 아미드이고, 상기 실리콘 유기 선구체는 실리콘 공여(donating) 유기 재료인 것을 특징으로 하는, 트랜지스터용 게이트 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체는 4족 금속의 금속 알킬 아미드이며, 상기 실리콘 유기 선구체는 실리콘 알킬 아미드인 것을 특징으로 하는, 트랜지스터용 게이트 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체와 상기 실리콘 유기 선구체는 혼합되고 휘발되어, 혼합 가스로서 상기 챔버속에 주입되는 것을 특징으로 하는, 트랜지스터용 게이트 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체와 상기 실리콘 유기 선구체는 개별적으로 휘발되며 동시적으로 상기 챔버속에 주입되는 것을 특징으로 하는, 트랜지스터용 게이트 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체와 상기 실리콘 유기 선구체는 개별적으로 휘발되며 연속적으로 상기 챔버속에 주입되는 것을 특징으로 하는, 트랜지스터용 게이트 제조 방법.
- 캐패시터 제조 방법으로서,(ⅰ) 기판을 포함하는 반응 챔버속에 금속 유기 선구체와 실리콘 유기 선구체를 주입하는 단계;(ⅱ) 상기 반응 챔버를 세정하는 단계;(ⅲ) 상기 반응 챔버속에 오존을 주입하는 단계;(ⅳ) 상기 반응 챔버를 세정하는 단계;(ⅴ) 상기 기판상에 원하는 두께의 유전체막이 달성될 때까지, (ⅰ). (ⅱ), (ⅲ) 및 (ⅳ) 단계들을 반복하는 단계; 및(ⅵ) 두개의 전극들 사이에 상기 막을 위치시키는 단계를 포함하는, 캐패시터 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서, 상기 기판은 상기 두 개의 전극 중 하나인 것을 특징으로 하는, 캐패시터 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체는 4족 금속의 선형, 분기형 및 사이클릭 아미드이며, 상기 실리콘 유기 선구체는 실리콘 공여(donating) 유기 재료인 것을 특징으로 하는, 캐패시터 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체는 4족 금속의 금속 알킬 아미드이고, 상기 실리콘 유기 선구체는 실리콘 알킬 아미드인 것을 특징으로 하는, 캐패시터 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체와 상기 실리콘 유기 선구체는 혼합되고 휘발되어, 혼합 가스로서 상기 챔버속에 주입되는 것을 특징으로 하는, 캐패시터 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체와 상기 실리콘 유기 선구체는 개별적으로 휘발되며 동시적으로 상기 챔버속에 주입되는 것을 특징으로 하는, 캐패시터 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서, 상기 금속 유기 선구체와 상기 실리콘 유기 선구체는 개별적으로 휘발되며 연속적으로 상기 챔버속에 주입되는 것을 특징으로 하는, 캐패시터 제조 방법.
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