KR20040093660A - 산화망간의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 리튬이차전지의 양극재료의 제조원료 등으로서 바람직한 탭밀도가 높은 산화망간을 높은 제조비율, 작업능률하에서 안정하게 생산할 수 있는 수단의 확립을 목적으로 한다. 이 수단은, 탄산망간을 배소하여 산화망간을 제조하는 데 있어서, 배소화로로서 로터리 킬른을 사용하는 동시에, 그 화로내를 저산화분위기(예를 들면 산소농도 15% 미만의 분위기)로 하면서 원료충전구로부터 탄산망간을 공급하여 배소를 시작하고, 또한 로터리 킬른의 원료충전구로부터 거리를 둔 화로내 위치에서 배소원료에 산소함유가스(예를 들면 산소농도 15% 이상의 가스)를 취입하면서 배소를 계속한다. 화로내의 분위기온도는 400∼600℃가 좋다.

Description

산화망간의 제조방법{MANGANESE OXIDE PRODUCING METHOD}
근년, 리튬이차전지의 양극 활물질로서, 종래부터의 LiCoO2나 LiNiO2등을 대신하여 리튬·망간 복합산화물(LiMnO2, LiMn2O4)을 적용하는 기운이 높아져 왔다.
이 리튬·망간 복합산화물은 일반적으로 망간산화물과 리튬염(탄산리튬 등)을 반응시키는 것에 따라 제조되지만, 원료가 되는 망간산화물로서는, 망간건전지용 재료로서 개발된 전해(電解) 이산화망간이나 화학합성 이산화망간 등의 여러 가지의 이산화망간(MnO2), 혹은 이들 이산화망간을 열처리하여 얻어진 삼산화망간 (Mn2O3) 등이 사용되고 있다.
그러나, 이들 산화망간은 입자지름이 비교적 크고(최대입자지름 100㎛ 이상, 평균입자지름 25㎛ 이상), 그 때문에 이들을 원료로 한 리튬·망간 복합산화물도 입자지름이 커져 버리기 때문에, 이것을 도포하여 얻어지는 리튬이차전지용의 전극이 충분한 평활성면을 나타내기 어려운 문제가 지적되었다.
또, 이들 산화망간을 분쇄하여 입자지름을 작게 함에 의해 리튬이차전지용으로서의 특성을 개선시키는 것이 시도되고 있지만, 일차전지용의 재료는 원래 구조가 다공질이기 때문에 분쇄하여 입자지름이 작아지면 탭밀도가 현저히 작아져서 (1.5g/㎤을 크게 하회하여 버린다), 전극에의 도포성이 나빠질 뿐만 아니라, 부피당 에너지밀도도 저하하였다.
그래서, 리튬이차전지의 양극재로서도 충분히 만족할 수 있는 미세하고 또한 고(高)탭밀도를 가지는 리튬·망간 복합산화물 등의 제조에 바람직한 "고밀도의 미세입자 산화망간"의 제조수단으로서, 일본국 공개특허공보인 일본 특허공개 2000-281349호 공보나 일본 특허공개 2000-281351호 공보에 나타나는 것과 같은 '탄산망간을 저산소함유 분위기중(저산화분위기중)에서 배소(焙燒)하고 나서 잇따라 고산소함유 분위기중에서 배소하는 2단계 배소에 의해 산화망간(Mn2O3)을 얻는 방법'이 제안되었다.
이 탄산망간의 2단계 배소에 의한 산화망간의 제조방법은, 메디안지름이 10㎛ 이하이고 탭밀도 1.8g/㎤ 이상을 나타내는 구형상의 미세입자 고밀도 산화망간을 얻는 것을 가능하게 하여, 이것을 원료로서 제조된 리튬·망간 복합산화물은 미세하고 높은 탭밀도를 나타내기 때문에 리튬이차전지 양극재의 성능향상에 크게 기여하는 것이었다.
그러나, 생력화(省力化), 에너지절약화, 비용절감화의 요구가 각 방면에서점점 거세지고 있는 최근의 상황을 근거로 하면서 상기 "탄산망간의 2단계 배소에 의한 산화망간의 제조방법"에 대해서 재검토한 결과, 해당 방법은 '제조가공의 경우나 작업능률의 점에서 더 나은 개선의 여지가 남는다'로 결론되는 것에 달하였다.
즉, 상기 "탄산망간의 2단계 배소에 의한 산화망간의 제조방법"에서는 확실히 고밀도의 미세입자 산화망간을 얻을 수 있지만, 그 제조효율은 반드시 양호하다고는 할 수 없고, 예를 들면, 탭밀도가 2.0g/㎤ 이상인 산화망간을 얻고자 하면 제조비율이 50% 정도에 멈추는 경우가 많았다. 한편, 제조비율을 향상시키고자 하면 소(少)로트생산을 할 수밖에 없어, 작업능률의 점에서 불리할 수밖에 없었다.
이러한 점에서, 본 발명이 목적으로 한 것은, 리튬이차전지의 양극재로서 사용되는 리튬·망간 복합산화물의 제조원료 등으로서 충분히 만족할 수 있는 탭밀도가 높은 산화망간을 높은 제조비율, 작업능률하에서 안정하게 생산할 수 있는 수단을 확립하는 것이었다.
본 발명은, 리튬이차전지의 양극재로서 사용되는 리튬·망간 복합산화물 (LiMnO2, LiMn2O4)의 제조원료 등으로서 바람직한 산화망간의 제조방법에 관한 것이다.
도 1은, 본 발명방법을 실시할 때에 사용하는 로터리 킬른의 1예를 나타낸 개요도이다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 다음의 사항을 알 수 있었다.
a) 상기 일본 특허공개 2000-281349호 공보 혹은 일본 특허공개 2000-281351호 공보에 나타나는 "탄산망간의 2단계 배소(焙燒)에 의한 산화망간의 제조방법"에서는, 이 종류 재료의 배소에 있어서 일반적으로 적용되는 "정치(靜置)한 반응용기내에 탄산망간분말을 충전하여 배소하는 정치배소(靜置焙燒)"가 채용되고 있지만,정치배소에 의하면 반응용기의 상부와 하부에서 "얻어지는 산화망간"의 성질형상(탭밀도, 비표면적)에 차가 생겨버려, 이것이 목적으로 하는 제품(산화망간)의 제조비율 저하로 이어져 버린다. 또, 반응용기에 충전하는 원료를 소량으로 하면 상기 불합리가 완화되지만, 이 경우에는 작업능률의 극단적인 저하는 부정할 수 없다.
b) 그런데, 탄산망간의 배소에 로터리 킬른을 적용하여, 그 화로내를 저산화분위기로 하여 탄산망간을 배소하면서, 로터리 킬른의 소정위치에서 배소원료에 공기 등의 산소함유가스를 취입(吹入)하여 배소를 계속하면, 로터리 킬른으로의 탄산망간의 충전을 연속하여 실시할 수 있는 데다가, 로터리 킬른방식에서는 정치배소와 같은 화로용기의 상부와 하부라는 위치에 의한 배소조건의 차가 생기지 않기 때문에 성상이 균질한 산화망간이 얻어져서, 목적으로 하는 성상의 산화망간을 대폭으로 높은 제조비율로 또한 높은 작업능률하에서 얻는 것이 가능하게 된다. 더구나, 연속 충전된 탄산망간은 우선 저산화분위기에서 배소되고, 계속해서 산소함유가스 취입(吹入)위치 근방에서 산소농도가 높은 분위기상태로 배소되기 때문에, 전술한 일본 특허공개 2000-281349호 공보나 일본 특허공개 2000-281351호 공보에 나타나는 "탄산망간의 2단계 배소에 의한 산화망간의 제조방법"의 경우와 마찬가지의 배소조건이 실현되고, 메디안지름이 작고(예를 들면 10㎛ 이하) 탭밀도가 높은(예를 들면 1.2g/㎤ 이상, 나아가서는 1.8g/㎤ 이상) 산화망간의 고능률 생산이 가능하게 된다.
c) 또한, 로터리 킬른내의 분위기온도를 조정함에 의해, 얻어지는 산화망간의 탭밀도, 비표면적을 조정할 수도 있다.
본 발명은, 상기 지견사항 등을 기초로 하여 완성된 것으로, 다음에 나타내는 미세입자 고밀도 산화망간의 제조방법을 제공하는 것이다.
(1) 탄산망간을 배소(焙燒)하여 산화망간을 제조하는 데 있어서, 배소화로로서 로터리 킬른을 사용하는 동시에, 그 화로내를 저산화분위기로 하면서 원료충전구로부터 탄산망간을 공급하여 배소를 개시하고, 또한 로터리 킬른의 원료충전구로부터 거리를 둔 화로내 위치에서 배소원료에 산소함유가스를 취입(吹入)하면서 배소를 계속하는 것을 특징으로 하는, 미세입자 고밀도 산화망간의 제조방법.
(2) 적어도 산소함유가스의 취입위치까지의 화로내 분위기를 산소농도 15% 미만의 분위기로 하는, 상기 (1)항에 기재된 미세입자 고밀도 산화망간의 제조방법.
(3) 배소원료에 취입하는 산소함유가스로서 산소농도가 15% 이상의 가스를 사용하는, 상기 (1)항 또는 (2)항에 기재된 미세입자 고밀도 산화망간의 제조방법.
(4) 화로내의 분위기온도를 400∼600℃로 하는, 상기 (1) 내지 (3)항의 어느 한 항에 기재된 미세입자 고밀도 산화망간의 제조방법.
이하, 본 발명의 실시의 형태를 그 작용과 같이 상술한다.
우선, 본 발명방법으로써 원료로 사용하는 탄산망간에는 특별히 제한은 없지만, 구형상이고 미세입자인 일본 특허공개 2000-281347호 공보에 나타난 것(메디안지름 : 10㎛ 이하, 탭밀도 : 1.2g/㎤ 이상)을 적용하는 것이 바람직하다.
또, 이 일본 특허공개 2000-281347호 공보에 나타나는 탄산망간은, 금속망간을 암모늄이온함유용액으로써 용해하고, 이 용해액의 pH가 8.5 이상인 영역에서 CO2가스를 취입(吹入)하는 처리에 의해서 얻어지는 것이다.
그런데, 본 발명에 있어서는, 산화망간의 제조원료인 탄산망간은 로터리 킬른에 의해 배소(焙燒)처리된다.
도 1은 로터리 킬른의 1예를 나타낸 개요도이지만, 이 로터리 킬른은 회전하는 화로심관(1)이 히터박스(2)에서 가열되는 형식의 것으로, 탄산망간은 원료충전호퍼(3)를 통과하여 로터리 킬른의 원료충전구(화로심관의 원료충전구)로부터 화로내로 공급된다. 또, 부호 4는 산소함유가스의 공급파이프로서, 그 선단부에는, 후술하는 "원료충전구로부터 거리를 둔 화로내의 소정위치"에서 배소원료에 산소함유가스를 취입하기 위한 "화로심관의 하부내벽에 대향하는 노즐구멍"이 개구하고 있다.
로터리 킬른의 화로내를 저산화분위기로 하기 위해서는, 분위기중의 산소농도를 컨트롤하면 좋다. 예를 들면, 공기의 혼입비율을 조정한 질소가스를 화로내에 유통시키는 수법 등을 채용할 수가 있다.
로터리 킬른의 원료충전구로부터 연속 공급된 탄산망간은, 우선 화로내의 저산화분위기속에서 가열되어,
MnCO3+ xO2
= (Mn3O4, 또는 Mn3O4와 Mn2O3의 혼합물)
되는 반응에 의해서 다공질의 MnO2를 생성하는 일없이 저산화상태의 망간산화물이 된다.
이 저산화상태의 망간산화물은 Mn2O3과 Mn3O4의 혼합물(가열온도, 즉 분위기온도가 낮은 경우나 가열처리의 초기에서는 Mn3O4가 주체)로서, 색조는 붉은 자주빛을 나타내고 있다. 그리고, 이 혼합물이 로터리 킬른내를 진행하여 배소가 진행함에 따라서 혼입하고 있는 Mn3O4는 Mn2O3로 변화하여 탭밀도가 증가한다.
또, 고(高) 탭밀도의 산화망간을 생성시키기 위해서는, 화로내 분위기(특히 원료충전구 근방의 화로내분위기)중의 산소농도는 15% 미만(바람직하게는 10% 이하, 보다 바람직하게는 5% 이하)으로 하는 것이 좋다. 왜냐하면, 이 산소농도가 15% 이상이면 다공성의 MnO2가 생성하여 탭밀도가 감소하기 쉬워지기 때문이다.
본 발명방법에서는, 저산화분위기중에서 배소되어 로터리 킬른내를 진행하는 배소원료(Mn2O3과 Mn3O4와의 혼합물인 망간산화물)가 원료충전구로부터 거리를 둔 화로내의 소정위치{배소원료(망간산화물)의 탭밀도 증가가 포화하는 경향을 보이기 시작하는 위치로서, 미리 조사결과에 따라서 정하면 좋다}에 도달하면, 해당 위치에서 배소원료에 산소함유가스가 취입된다.
이와 같이 산소함유가스를 취입하면서 배소를 계속하는 것에 따라, 미변화의Mn3O4가 Mn2O3으로 변환하는 시간이 단축되어, 비교적 단시간으로 Mn2O3단상(單相)의 망간산화물을 얻을 수 있게 된다.
상기 배소원료(망간산화물)에 취입하는 산소함유가스로서는, 산소농도를 15% 이상(바람직하게는 20% 이상)으로 조정한 가스(예를 들면 공기 혹은 공기를 혼입시킨 질소가스 등)를 사용하는 것이 좋다. 이 산소함유가스의 산소농도가 15% 미만이면, 혼입하고 있는 Mn3O4가 Mn2O3으로 신속히 변환되지 않아, 처리에 장시간을 요하거나 제품성능의 악화를 초래할 우려가 나온다.
로터리 킬른내의 분위기온도는 400∼600℃로 하는 것이 좋다. 화로내의 분위기온도가 400℃ 미만이면, 탄산망간이 효과적으로 저산화상태의 망간산화물로 변화하지 않을 뿐만 아니라, 생성한 Mn3O4가 Mn2O3으로 신속히 변환되지 않아서 처리에 장시간을 요하거나 제품성능의 악화를 초래할 우려가 있다. 한편, 화로내의 분위기온도가 600℃를 넘으면, 망간산화물의 입자끼리가 응집·소결(燒結)하여 미세하고 고 탭밀도의 제품 망간산화물을 얻을 수 없게 될 염려가 나온다.
더구나, 로터리 킬른내의 분위기온도를 400∼600℃의 범위내에서 조정함에 의해, 얻어지는 산화망간(Mn2O3)의 탭밀도, 비표면적을 조정할 수도 있다.
예를 들면, 분위기온도를 450∼500℃로 함에 따라 탭밀도가 1.9g/㎤ 정도이고 비표면적이 2.5㎡/g 정도인 산화망간을 얻는 것이 용이하게 되고, 또한 분위기온도를 500∼550℃로 함에 의해 탭밀도가 2.2g/㎤ 정도이고 비표면적이 2.2㎡/g 정도인 산화망간을 얻는 것이 용이하게 된다.
상술한 본 발명방법에 의하면, 메디안지름이 작고 탭밀도가 높은 산화망간을 80∼90%의 제조비율 하에서 고능률 생산하는 것이 가능하다.
또, 로터리 킬른의 회전수나 로터리 킬른내에서의 원료의 체류시간은, 피처리 탄산망간의 양, 얻어지는 망간산화물의 균질도, 로터리 킬른의 치수, 분위기온도, 분위기중의 산소농도 등에 따라서 조정하면 좋다.
그런데, 그 메디안지름이 10㎛ 이하이고 탭밀도가 1.8g/㎤ 이상인 비표면적이 큰 미세입자 고밀도 산화망간은, 예를 들면 리튬이차전지용의 망간산화리튬 (LiMnO2, LiMn2O4)의 제조원료로서 사용한 경우에 전지특성(전류부하특성, 사이클특성 등)의 현저한 향상을 가져온다. 또한, 산화망간입자의 형상이 구형상일수록 이들 특성을 얻는 데 유리하지만, 산화망간입자의 형상을 구형상으로 하기 위해서는, 그 제조원료인 탄산망간으로서 구형상으로 극히 균일한 것을 고르거나, 이것을 배소하여 산화망간을 얻을 때의 분위기온도가 과도하게 높아지지 않도록 유의할 필요가 있다.
다음에, 실시예에 의해서 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.
[실시예]
우선, 전술한 일본 특허공개 2000-281347호 공보에 나타나 있는 방법(금속망간을 암모늄이온함유용액으로써 용해하는 동시에 용해액의 pH가 8.5 이상인 영역에서 CO2가스를 취입하는 처리)에 의해, 메디안지름이 10㎛, 탭밀도가 1.2g/㎤인 탄산망간을 준비하였다.
이어서, 상기 도 1에서 나타낸 양식의 로터리 킬른(화로심관의 안지름이 200mm이고 길이가 3000mm)을 사용하여, 이것에 상기 탄산망간을 0.06kg/min의 충전속도로 연속 충전하여 배소처리를 하였다.
이 때, 화로내에는 "산소농도가 5%가 되도록 조정한 공기와 질소의 혼합가스"를 10ℓ/min의 유량으로 통기(通氣)하는 동시에, 화로심관의 회전수를 3rpm으로, 그리고 충전원료의 진행속도를 200mm/min로 각각 조정하였다. 그리고, 산소함유가스의 공급파이프를 통하여, 원료충전구로부터 1200mm의 거리를 둔 화로내의 하부내벽상에 위치하는 배소원료에, "산소 농도가 20%가 되도록 조정한 공기와 질소의 혼합가스"를 45ℓ/min의 유량으로 연속하여 취입을 계속하였다.
또, 배소처리는, 화로내의 분위기온도가 각각 450℃, 500℃, 550℃, 600℃ 및 650℃인 5개의 조건으로 실시하였다.
이 배소처리에 의해서 얻어진 산화망간(Mn2O3)의 성상을 조사하여, 그 결과를 제 1 표에 정리하여 나타내었다.
제 1 표에 나타나는 결과로부터도, 본 발명방법에 의하면, 탭밀도가 1.8g/㎤ 이상인 미세입자 고밀도 산화망간을 작업성 좋게 높은 제조비율로 제조할 수 있는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 탭밀도가 높은 미세입자 고밀도 산화망간은, 이것을 리튬이차전지용 망간산리튬의 제조원료 등으로 한 경우에는 얻어지는 제품의 성능향상에 크게 도움이 되게 된다.
단지, 상기 결과로부터는, 분위기온도가 650℃로 높아지면 입자의 소결이 진행되어 입자형상이 찌그러지게 되어, 비표면적도 저하하는 것도 엿볼 수 있다.
표 1
얻어진 산화망간의 성상 제조비율(%)
화로내의분위기온도(℃) 탭밀도(g/㎤) 비표면적 (㎡/g) 입자형상 최대입자지름(㎛) 메디안지름
450 1.9 2.5 구형상 40 9.2 95
500 2.0 2.3 구형상 40 9.2 95
550 2.2 2.2 구형상 40 9.4 95
600 2.3 1.8 구형상 60 9.4 90
650 2.4 1.2 소결형상 〉200 25.3 50
본 발명에 의하면, 탭밀도가 높은 미세입자 고밀도 산화망간을 고비율, 또한 고능률로 안정하게 제조하는 것이 가능하게 되어, 이것을 원료로 하는 것으로 예를 들면 충분히 만족할 수 있는 전지특성을 가진 리튬이차전지용 망간산리튬을 염가로 제조할 수 있는 등, 산업상 지극히 유용한 효과가 초래된다.

Claims (4)

  1. 탄산망간을 배소(焙燒)하여 산화망간을 제조하는데 있어서, 배소화로로서 로터리 킬른을 사용하는 동시에, 그 화로내를 저산화분위기로 하면서 원료충전구로부터 탄산망간을 공급하여 배소를 시작하고, 또한 로터리 킬른의 원료충전구로부터 거리를 둔 화로내 위치에서 배소원료에 산소함유가스를 취입(吹入)하면서 배소를 계속하는 것을 특징으로 하는 미세입자 고밀도 산화망간의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 적어도 산소함유가스의 취입위치까지의 화로내 분위기를 산소농도 15% 미만의 분위기로 하는 미세입자 고밀도 산화망간의 제조방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 배소원료에 취입하는 산소함유가스로서 산소농도가 15% 이상인 가스를 사용하는 미세입자 고밀도 산화망간의 제조방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 화로내 분위기온도를 400∼600℃로 하는 미세입자 고밀도 산화망간의 제조방법.
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