KR20040068494A - 다층 세라믹 축전기용 말단 전극 조성물 - Google Patents
다층 세라믹 축전기용 말단 전극 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040068494A KR20040068494A KR1020040004387A KR20040004387A KR20040068494A KR 20040068494 A KR20040068494 A KR 20040068494A KR 1020040004387 A KR1020040004387 A KR 1020040004387A KR 20040004387 A KR20040004387 A KR 20040004387A KR 20040068494 A KR20040068494 A KR 20040068494A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- glass frit
- glass
- terminal electrode
- powders
- conductive
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 52
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical group CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical class CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002380 dibutyl phthalate Drugs 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N oxostrontium Chemical compound [Sr]=O UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E03—WATER SUPPLY; SEWERAGE
- E03D—WATER-CLOSETS OR URINALS WITH FLUSHING DEVICES; FLUSHING VALVES THEREFOR
- E03D1/00—Water flushing devices with cisterns ; Setting up a range of flushing devices or water-closets; Combinations of several flushing devices
- E03D1/30—Valves for high or low level cisterns; Their arrangement ; Flushing mechanisms in the cistern, optionally with provisions for a pre-or a post- flushing and for cutting off the flushing mechanism in case of leakage
- E03D1/32—Arrangement of inlet valves
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E03—WATER SUPPLY; SEWERAGE
- E03D—WATER-CLOSETS OR URINALS WITH FLUSHING DEVICES; FLUSHING VALVES THEREFOR
- E03D1/00—Water flushing devices with cisterns ; Setting up a range of flushing devices or water-closets; Combinations of several flushing devices
- E03D1/30—Valves for high or low level cisterns; Their arrangement ; Flushing mechanisms in the cistern, optionally with provisions for a pre-or a post- flushing and for cutting off the flushing mechanism in case of leakage
- E03D1/304—Valves for high or low level cisterns; Their arrangement ; Flushing mechanisms in the cistern, optionally with provisions for a pre-or a post- flushing and for cutting off the flushing mechanism in case of leakage with valves with own buoyancy
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E03—WATER SUPPLY; SEWERAGE
- E03D—WATER-CLOSETS OR URINALS WITH FLUSHING DEVICES; FLUSHING VALVES THEREFOR
- E03D1/00—Water flushing devices with cisterns ; Setting up a range of flushing devices or water-closets; Combinations of several flushing devices
- E03D1/30—Valves for high or low level cisterns; Their arrangement ; Flushing mechanisms in the cistern, optionally with provisions for a pre-or a post- flushing and for cutting off the flushing mechanism in case of leakage
- E03D1/33—Adaptations or arrangements of floats
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Public Health (AREA)
- Water Supply & Treatment (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Hydrology & Water Resources (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
본 발명은 다층 세라믹 축전기용 말단 전극 조성물에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 전도성 분말 및 유리 프릿(frit)으로 이루어지고 질소 분위기중 저온에서 소성될 수 있는, 다층 세라믹 축전기용 말단 전극 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 다층 세라믹 축전기용 말단 전극 조성물에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 전도성 분말 및 유리 프릿(frit) 결합제를 포함하며 질소 분위기중 저온에서 소성될 수 있는, 다층 세라믹 축전기용 말단 전극 조성물에 관한 것이다.
유기 결합제중에 분산된, 구리 또는 니켈과 같은 비(卑)금속 및 무기 결합제로 이루어진 전기 전도성 후막 페이스트 조성물은 다층 세라믹 축전기용 말단 전극 물질로서 폭넓게 사용된다. 전도성 페이스트는 중성 또는 환원 분위기에서 소성되어 구성 금속 및 내부 전극의 산화를 억제하고, 따라서 적합한 말단 연결 상태를 달성한다. 사용되는 무기 결합제는 주로 유리 프릿이다. 유리 프릿의 유동성(연화 거동)은 전도성 페이스트의 소결 거동에 영향을 주는 주요 인자중 하나이다. 다층 세라믹 축전기상의 말단 전극을 위한 통상의 비금속 전도성 페이스트는 양호한 유동성 때문에 무기 결합제로서 산화납 및 산화아연을 함유하는 유리 프릿을 함유한다. 대부분의 그러한 페이스트는 소성후 요구되는 특성을 제공하기 위해 800℃ 이상의 소성 온도를 갖는다. 최근의 관심은 층들이 증가하고 축전기에 대한 부작용을 방지하는 저온에서 소성가능한 다층 세라믹 축전기의 말단 전극 형성용 전도성 페이스트 조성물에 있다. 또한, 다층 세라믹 축전기의 말단 전극에 사용하기 위한 다른 필수 특성을 갖는 납, 비스무트 및 카드뮴 무함유 말단 전극 형성 물질에 대한 강한 시장 수요가 존재한다.
그러나, 건조시켜 유기 결합제를 제거한 후 800℃ 미만의 온도에서 그리고 무기 물질을 소결시키며 다층 세라믹 축전기의 말단 전극 형성 부위에 부착된 전도체 패턴을 생성하기에 충분한 시간 동안 소성하는 경우, 이 분야에 통상적으로 사용되고 있는 그러한 규산납 유리를 함유하는 통상의 전도성 조성물과 관련된 문제가 존재한다.
전극에서 유리 유동성이 불충분하여 축전기 조립체에 대한 접착성을 손상시키고, 축전기 조립체에 대한 접착성이 양호할 지라도 말단 전극의 소결이 부적절하고 밀집 구조가 형성되지 않는다. 그 결과, 후속 도금 단계에서, 도금 용액이 말단 전극을 통과하여 용액중 산에 의한 유리 성분의 부식을 초래하고 그 결과 심각한 말단 강도 손실을 초래한다.
형성된 전극의 밀도를 증가시키기 위해 800℃ 미만에서 전극의 소결을 수행하기 위한 양호한 유동성 또는 낮은 연화점을 갖는 유리 프릿을 선택하는 것은, 내부 전극에서의 전도체 및 말단 전극에서의 전도체의 합금과 관련된 접합 전에 유리가 유동되기 시작하여 내부 전극과 말단 전극 사이에 얇은 유전층을 형성하고, 전기 특성의 안정성 및 신뢰성을 감소시킨다. 더욱이, 유리 무기 결합제를 함유하는조성물은 낮은 유리 연화점을 가지며, 또한 열팽창 계수를 상승시켜 전극과 축전기 조립체 사이의 열팽창 계수의 차이 때문에 축전기 조립체 또는 전극에서의 균열을 초래하여 전기적 특성, 접착성 및 신뢰성의 손실을 초래한다.
산업계는 비교적 낮은 온도에서 소성하기 위한 적합한 연화점 및 열팽창 계수를 가지며 양호한 내산성을 갖는 납, 카드뮴 및 비스무트 무함유 말단 전극 조성물을 필요로 한다.
상기의 관점에서, 본 발명의 목적은 납, 카드뮴 및 비스무트를 함유하지 않고 800℃보다 낮은, 바람직하게는 750℃보다 낮은 온도에서 소성하는 경우 필요 충분한 소성후 특성을 제공할 수 있는 유리 프릿, 즉 허용가능한 범위 내의 연화점 및 열팽창 계수 및 양호한 내산성을 갖는 유리 프릿을 함유하는, 말단 전극용 페이스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 납, 카드뮴 및 비스무트를 함유하지 않으며 800℃ 미만의 온도에서 소성될 수 있는, 다층 세라믹 축전기에서의 말단 전극용 비금속 전도성 페이스트의 설계 및 공급을 가능하게 한다.
본 발명은 800℃보다 낮은 온도에서 소성가능한 말단 전극에 사용되는 전도체 조성물에 관한 것이다. 상기 조성물에서 발견되는 유리는 납, 카드뮴 및 비스무트를 함유하지 않으며 바람직하게는 알칼리토 붕규산염 유리 프릿이다. 본 발명은 이하 더욱 상세히 기재된다.
본 발명에 사용되는 유리 프릿은 시차 열 분석에 의해 측정할 때 530 내지 650℃의 연화점; 열기계적 분석에 의해 측정할 때 9.0 내지 11.5 ppm/℃의 열팽창 계수(이하, "TCE"로 약칭); 및 50℃에서 0.1 N 황산 중 30분 침지에 의해 10% 미만의 중량 손실을 갖는다. 연화점이 650℃보다 높은 경우, 밀집 구조를 갖는 말단 전극이 800℃ 미만의 소성 온도에서 달성될 수 없다. 한 편, 연화점이 530℃ 미만인 경우, 유리는 내부 전극 전도체와 말단 전극 전도체의 합금과 관련된 접합이 일어날 가능성을 갖기 전에 유동하기 시작한다. 이는 전기적 특성의 안정성 및 신뢰성을 손상시키는, 내부 전극과 말단 전극 사이에 얇은 유전층을 형성시킨다. 550 내지 620℃ 범위내의 연화점이 특히 바람직하다. 상기 언급된 바람직한 범위를 벗어난 TCE에서, 신뢰성 또는 접착성의 손실을 초래하는 균열의 높은 가능성이 존재한다. 9.0 내지 11.5 ppm/℃ 범위내의 TCE가 바람직하고, 9.5 내지 11.0 ppm/℃ 내의 TCE가 더욱 바람직하다.
유리 프릿의 산 유도된 중량 손실의 측정과 관련하여 상기 기재된 0.1 N 황산 중 침지의 조건은 도금 공정에서 실제 경험되는 조건보다 더욱 엄격한 것으로 믿어진다. 상기 나타낸 조건보다 높은 중량 손실에서, 유리는 도금 공정에 의해 너무 쉽게 부식되고, 따라서 도금후 접착 강도를 감소시킨다. 1% 미만의 중량 손실이 특히 바람직하다.
본 발명에 사용되는 유리 프릿은 납, 카드뮴 또는 비스무트를 함유하지 않는다. 유리는 산화스트론튬(SrO), 산화바륨(BaO)(SrO와 BaO의 총 함량은 30 내지60%임); 산화붕소(B2O3), 산화아연(ZnO) 및 산화나트륨(Na2O)(이들 세 성분의 총 함량은 20 내지 45%임)의 조성을 갖고, 이 때 산화나트륨(Na2O)은 유리를 형성하는 산화물의 총 중량을 기준으로 0 내지 7%이다.
800℃ 이하의 소성 온도 범위에서, 30% 미만의 SrO+BaO 함량을 갖는 유리 프릿은 매우 불량한 내산성을 갖고, 60% 초과의 SrO+BaO 함량을 갖는 유리 프릿은 충분한 유리 유동성이 결핍되어 있다. SrO+BaO 함량은 바람직하게는 40 내지 55%이다. 20% 미만의 B2O3+ZnO+임의적인 Na2O 함량에서, 충분한 유리 유동성이 달성되지 않는 반면, 45%보다 높은 B2O3+ZnO+임의적인 Na2O의 함량은 내산성을 손상시킨다. B2O3+ZnO+임의적인 Na2O 함량은 바람직하게는 25 내지 40%이다.
7% 초과의 산화나트륨(Na2O)에서, 상기 언급된 바람직한 범위에서 상한을 초과하는 열팽창 계수의 큰 가능성이 존재하고, 또한 유리 유동성이 과도해지고 소결이 너무 급속히 진행된다. 이는 블리스터링(blistering)으로 인해 말단 전극에서 형상 결함을 초래할 수 있고, 또한 내부 전극 전도체 및 말단 전극 전도체의 합금과 관련된 접합이 일어날 가능성을 갖기 전에 유리 유동을 초래하여 전기적 특성의 안정성 및 신뢰성을 손상시키는 내부 전극과 말단 전극 사이의 얇은 절연층을 형성시킬 수 있다. 2 내지 5%의 산화나트륨 함량이 특히 바람직하다.
전기 전도성 페이스트는 상기 기재된 유리 프릿중 하나 이상을 포함하고 페이스트내 총 유리 프릿 함량은 5 내지 20 중량%, 바람직하게는 7 내지 15 중량%이다. 전도체 분말 및 유리 프릿을 포함하여 무기 고체의 총 함량은 55.0 내지 85.0 중량% 범위이다.
5 중량% 미만의 총 유리 프릿 함량에서, 도금 용액에 대해 효과적인 장벽으로서의 기능을 하는 충분한 밀도의 소성된 말단 전극 필름이 달성될 수 없고, 축전기 조립체에 대한 접착성은 불량하다. 한 편, 20 중량% 초과의 유리 프릿 함량에서, 유리 성분은 소성된 필름의 표면에 상승하여 도금 접착성을 크게 손상시킨다.
유리 프릿은 입자 크기가 약 0.5 내지 20 ㎛, 바람직하게는 1 내지 10 ㎛인 미분된 분말이다. 너무 큰 입자 크기는 낮은 밀도를 초래하는 반면, 너무 작은 입자 크기는 유기 결합제의 분산 특성과 상이한 분산 특성을 초래하고, 레올로지를 변경시키고, 이상적인 코팅된 형상을 달성하는 것을 어렵게 만든다.
55 중량% 미만의 무기 고체의 총 함량에서, 밀집 말단 전극이 형성될 수 없다. 다른 한 편, 85 중량%보다 높은 함량에서, 목적하는 페이스트 점도가 달성되지 않거나, 말단 전극상의 소성된 필름이 너무 두꺼워져서 결함을 초래하는 경향이 있다. 65 내지 76 중량%의 총 무기 고체 함량이 바람직하다.
본 발명의 수행에서, 금속 입자는 구리, 니켈, 구리-니켈 합금 및 이들의 혼합물의 분말로부터 선택된다. 구리 분말이 바람직하다. 구형 또는 확인할 수 없는 형상을 가지며 평균 입자 크기가 0.5 내지 30 ㎛인 구리 입자, 입자 크기가 0.1 내지 30 ㎛인 박편형 구리 입자 및 이들의 혼합물이 바람직하다. 너무 큰 페이스트 금속 입자는 그로부터 생성되는 말단 전극의 밀도를 손상시킨다. 다른 한 편, 입자 크기가 너무 작은 경우, 분산 특성은 유기 결합제의 분산 특성과 상이하여 이상적인 코팅된 형상을 달성하기 어렵게 하는 레올로지 변화를 초래한다.
전기 전도성 페이스트 조성물에 사용되는 유기 매체는 소성 온도에서 완전히 연소되고 소성된 필름중 불완전하게 연소된 유기 물질을 남기지 않는 매체이다. 유기 매체는 통상 페이스트의 중량을 기준으로 10 내지 35 중량%, 바람직하게는 15 내지 30 중량%의 양으로 첨가된다. 폭넓게 다양한 불활성 액체가 유기 매체에 사용될 수 있다. 유기 매체는 고체가 적절한 안정도로 분산가능한 매체이어야 한다. 매체의 레올로지 특성은 조성물에 양호한 도포 특성을 갖게 하는 것이어야 한다. 그러한 특성은 적절한 안정도를 갖는 고체의 분산, 조성물의 양호한 도포, 적절한 점도, 틱소트로픽(thixotropic), 기재 및 고체의 적절한 습윤성, 양호한 건조 속도, 양호한 소성 특성, 및 거친 취급을 견디기에 충분한 건조된 필름 강도를 포함한다. 유기 매체는 당업계에 통상적이고, 통상 용매(들)중 중합체(들) 및(또는) 수지(들)의 용액이다. 이 목적에 가장 빈번히 사용되는 수지는 에틸 셀룰로스이다. 수지 및 중합체의 다른 예는 에틸히드록시에틸 셀룰로스, 목재 로진, 에틸 셀룰로스와 페닐계 수지의 혼합물, 저급 알코올의 폴리메타크릴레이트, 에틸렌 글리콜 모노아세테이트의 모노부틸 에테르, 아크릴계 및 스티렌 중합체가 또한 사용될 수 있다. 후막 조성물에서 발견되는 가장 폭넓게 사용되는 용매는 에틸 아세테이트 및 테르펜, 예를 들어 알파 또는 베타-테르피네올 또는 이들과 등유, 디부틸프탈레이트, 부틸 카르비톨, 부틸 카르비톨 아세테이트, 헥실렌 글리콜 및 고비점 알코올 및 알코올 에스테르와 같은 다른 용매와의 혼합물이다. 이들 및 다른 용매의 다양한 조합물이 목적하는 점도 및 휘발성 요건을 얻기 위해 조성된다.
또한, 후막 조성물은 가공시 접착성, 소결, 가공성, 경납접성, 납땜성, 신뢰성 등과 같은 조성물의 다양한 특성을 증진시키기 위해 후막 조성물의 업계에 공지된 다른 성분을 포함할 수 있다.
본 발명의 수행에서, 금속 입자 및 유리 프릿은 유기 매체에 분산되어 페이스트를 형성하고, 그 후 페이스트가 다층 세라믹 축전기의 말단 전극 형성 부위상에 코팅되고 800℃보다 낮은 온도에서 소성되어 말단 전극을 형성한다. 그 후, 소성된 후 니켈 또는 땜납 도금이 말단 전극에 납땜 표면으로서 적용되고 그에 의해 마감된 말단 전극을 생성한다.
<실시예>
본 발명의 실시예 및 비교예가 하기 제공된다.
유리 조성 및 시험 결과:
하기 표 1은 본 발명의 실시예 및 비교예에서 제조된 페이스트에 포함된 유리 프릿에 대한 조성 및 시험 결과를 제공한다. 유리 프릿을 용융 및 켄칭한 후 알루미나 볼을 사용하여 유리를 평균 입자 크기 3 내지 8 ㎛로 분쇄시킴으로써 제조하였다.
사용된 측정 방법을 하기 기재하였다.
리가꾸 코포레이션(Rigaku Corporation)에 의해 제조된 열기계적 분석기를 사용하여 측정한 실온에서의 값으로부터 350℃에서의 값으로 직선 연장의 기울기(ppm/℃)를 계산함으로써 열팽창 계수를 결정하였다.
리가꾸 코포레이션에 의해 제조된 시차 열 분석기를 사용하여 측정한 실온으로부터 900℃까지의 시차 열 곡선의 저온 측면에서의 제2 변곡점(흡열 피크)에 의해 연화점을 결정하였다.
알루미나 기재상에서 소성시켜 얻어진 두께 약 30 ㎛의 소성된 부분을 사용하여 내산성을 측정하였다. 소성된 부분을 50℃에서 30분 동안 0.1 N 황산에 침지시킨 후, 물로 세정하고, 그 후 150℃에서 15분 동안 건조하고, 중량% 손실을 측정하였다.
페이스트 조성물:
표 1에 중량%로 나타낸 성분들을 포함하는 각각의 말단 전극 페이스트 조성물을 제조하였다. 이들 실험에 사용되는 모든 구리 입자는 평균 입자 크기 3 ㎛의구형 구리 입자이었다. 유리를 표 1에 나타낸 유리 형성 성분들로부터 제조하였고, TEC, DTA 융점 및 내산성 시험 결과를 표 1에 나타내었다. 유기 매체는 78 중량%의 부틸카르비톨아세테이트중 중량 평균 분자량이 200,000인 22 중량% 메틸 메타크릴레이트(MMA)의 용액이었다. 각각의 성분을 칭량하고, 교반한 후, 3롤 밀상에서 블렌딩하여 균일한 분산을 수행함으로써 페이스트를 얻었다. 하기 표 2는 본 발명의 실시예 및 비교예에서 얻어진 페이스트 조성 및 시험 결과를 나타낸다.
시험 결과:
상기 조성의 페이스트를 다층 축전기 칩상으로 코팅하고, 질소 분위기중 750℃에서 소성하여 시험 시편을 수득하였다. 수행된 시험은 블리스터링 정도, 밀집도, 니켈 내부 전극과의 접합성, 말단 전극 표면에서의 유리 상승, 접착 강도 및 내산성이었다. 각각의 경우, 결과를 1(최악) 내지 5(최상)의 등급을 매겼다. 주사 전자 현미경하에 소성된 멤브레인의 단면을 검사함으로써 블리스터링, 밀집도 및 니켈 내부 전극과의 접합성을 평가하였다. 금속 현미경 및 주사 전자 현미경하에 소성된 필름의 표면을 검사함으로써 필름 표면에서의 유리 상승의 등급을 매겼다. 말단 전극을 날까로운 나이프로 절단하는 경우 접착 강도를 박리성을 기초하여 평가하였다. 황산 중 소성된 부분의 침지후 테이프 박리 시험에 의해 내산성을 평가하였다. 평가 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
| 유리 조성(중량%) | 비교예 1 | 비교예 2 | 비교예 3 | 비교예 4 | 비교예 5 | 실시예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 |
| 페이스트 평가 결과(5점 등급) | ||||||||
| 블리스터 | 1 | 2 | 4 | 3 | 4 | 5 | 5 | 5 |
| 밀집도 | 4 | 4 | 3 | 3 | 2 | 4 | 4 | 5 |
| Ni 내부 전극과의 접합성 | 1 | 2 | 4 | 3 | 3 | 4 | 4 | 5 |
| 필름 표면에서의 유리 상승 | 2 | 2 | 4 | 3 | 3 | 4 | 4 | 4 |
| 접착 강도 | 2 | 3 | 4 | 4 | 3 | 4 | 4 | 4 |
| 내산성 | 1 | 2 | 3 | 3 | 2 | 5 | 4 | 5 |
본 발명에 따라, 납, 카드뮴 및 비스무트를 함유하지 않고 800℃보다 낮은, 바람직하게는 750℃보다 낮은 온도에서 소성하는 경우 필요 충분한 소성후 특성을 제공할 수 있는 유리 프릿, 즉 허용가능한 범위 내의 연화점 및 열팽창 계수 및 양호한 내산성을 갖는 유리 프릿을 함유하는, 말단 전극용 페이스트 조성물이 제공된다. 또한, 본 발명은 납, 카드뮴 및 비스무트를 함유하지 않으며 800℃ 미만의 온도에서 소성될 수 있는, 다층 세라믹 축전기에서의 말단 전극용 비금속 전도성 페이스트의 설계 및 공급을 가능하게 한다.
Claims (4)
- 구리 분말, 니켈 분말, 구리-니켈 합금 분말 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 하나 이상의 전도성 분말; 및 납, 카드뮴 및 비스무트를 함유하지 않으며 530 내지 650℃의 연화점 및 9.0 내지 11.5 ppm/℃의 열팽창 계수를 갖는 유리 프릿을 포함하고, 상기 분말 및 유리 프릿이 유기 매체에 분산되어 있는 전기 전도성 페이스트.
- 제1항에 있어서, 유리 프릿이 산화물의 중량을 기준으로 30 내지 60%의 BaO+SrO, 20 내지 45%의 B2O3+ZnO+Na2O, 및 0 내지 7%의 Na2O를 함유하는 알칼리토 붕규산염 유리인 전도성 페이스트.
- (a) 제1항의 전도성 페이스트를 형성하는 단계,(b) 단계 (a)의 조성물을 다층 축전기의 말단 전극 형성 부위상으로 코팅하는 단계, 및(c) 단계 (b)의 다층 축전기를 소성시켜 마감된 말단 전극을 형성하는 단계를 포함하는 말단 전극의 형성 방법.
- 제1항의 전도성 페이스트를 활용하는 다층 축전기.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US44229703P | 2003-01-24 | 2003-01-24 | |
| US60/442,297 | 2003-01-24 | ||
| US10/671,309 US7147804B2 (en) | 2003-01-24 | 2003-09-25 | Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors |
| US10/671,309 | 2003-09-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040068494A true KR20040068494A (ko) | 2004-07-31 |
| KR100668549B1 KR100668549B1 (ko) | 2007-01-16 |
Family
ID=32659504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040004387A KR100668549B1 (ko) | 2003-01-24 | 2004-01-20 | 다층 세라믹 축전기용 말단 전극 조성물 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7147804B2 (ko) |
| EP (1) | EP1443530A1 (ko) |
| JP (1) | JP4503298B2 (ko) |
| KR (1) | KR100668549B1 (ko) |
| CN (1) | CN100386823C (ko) |
| TW (1) | TW200418221A (ko) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100379704C (zh) * | 2001-05-16 | 2008-04-09 | 纳幕尔杜邦公司 | 电阻减小的介电组合物 |
| CN100589680C (zh) * | 2003-11-14 | 2010-02-10 | 株式会社村田制作所 | 导电糊及多层陶瓷基板 |
| US20050248908A1 (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-10 | Gunther Dreezen | Termination coating |
| JP2006196245A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 導電性ペースト及びそれを用いた配線回路基板 |
| WO2007069674A1 (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-21 | Ngk Insulators, Ltd. | 接合材とその製造方法、及びそれを用いたハニカム構造体 |
| EP2008985B1 (en) | 2006-03-30 | 2015-06-24 | NGK Insulators, Ltd. | Bonded element and honeycomb sutructure using the same |
| US8092624B2 (en) * | 2006-12-07 | 2012-01-10 | Ngk Insulators, Ltd. | Bonding material composition and method for manufacturing the same, and joined body and method for manufacturing the same |
| EP1939261B1 (en) * | 2006-12-25 | 2010-03-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Joined body and method for manufacturing the same |
| US7832618B2 (en) | 2007-01-31 | 2010-11-16 | Avx Corporation | Termination bonding |
| GB2447321A (en) * | 2007-01-31 | 2008-09-10 | Avx Corp | Termination Bonding of Electrical Components |
| CN101611461B (zh) * | 2007-02-14 | 2012-03-21 | 株式会社村田制作所 | 叠层陶瓷电容器及其制造方法 |
| CN101364455B (zh) * | 2008-09-26 | 2011-09-28 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种贱金属铜电极浆料及所得电容器的制备方法 |
| US8609256B2 (en) * | 2008-10-02 | 2013-12-17 | E I Du Pont De Nemours And Company | Nickel-gold plateable thick film silver paste |
| CN101719395B (zh) * | 2008-10-09 | 2013-04-24 | 北京印刷学院 | 一种用于分散无机粉体的可完全燃烧挥发的高分子溶液分散介质 |
| JP5293348B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-09-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池 |
| CN102208228B (zh) * | 2011-01-17 | 2012-08-29 | 深圳市圣龙特电子有限公司 | 用于电子元件电极的镍铜导体浆料及其制作工艺 |
| US20130107419A1 (en) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Kemet Electronics Corporation | Multilayered ceramic capacitor with improved lead frame attachment |
| CN104620325B (zh) * | 2012-06-15 | 2016-09-21 | 株式会社村田制作所 | 导电性糊膏、及层叠陶瓷电子零件与其制造方法 |
| WO2014175013A1 (ja) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 |
| KR101786486B1 (ko) | 2013-09-27 | 2017-10-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 전자부품 |
| WO2015045722A1 (ja) | 2013-09-27 | 2015-04-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| CN104575663B (zh) * | 2014-12-19 | 2018-07-06 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 电极浆料及其制备方法 |
| JP6354970B2 (ja) * | 2015-10-01 | 2018-07-11 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性ペースト及び積層セラミック部品の端子電極形成方法 |
| CN112142480B (zh) * | 2020-09-22 | 2022-06-21 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 一种湿法工艺多层片式瓷介电容器的瓷浆及其制备方法 |
| JP2022123936A (ja) * | 2021-02-15 | 2022-08-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| CN116844755A (zh) * | 2023-07-28 | 2023-10-03 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种铜端电极浆料及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3516949A (en) * | 1966-10-10 | 1970-06-23 | Du Pont | Copper/vanadium oxide compositions |
| US3922387A (en) * | 1973-08-28 | 1975-11-25 | Du Pont | Metallizations comprising nickel oxide |
| JPS59184511A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-19 | 株式会社村田製作所 | セラミツク積層コンデンサ |
| EP0132810A1 (en) | 1983-07-25 | 1985-02-13 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Borosilicate glass composition |
| US4880567A (en) * | 1987-08-20 | 1989-11-14 | General Electric Company | Thick film copper conductor inks |
| JP3015621B2 (ja) * | 1993-05-10 | 2000-03-06 | 松下電器産業株式会社 | 導体ペ−スト組成物 |
| JPH06349314A (ja) * | 1993-06-03 | 1994-12-22 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト |
| US5378408A (en) * | 1993-07-29 | 1995-01-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lead-free thick film paste composition |
| JPH08180731A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性厚膜組成物、厚膜電極、セラミック電子部品、および積層セラミックコンデンサ |
| JP3209089B2 (ja) * | 1996-05-09 | 2001-09-17 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性ペースト |
| JP2002012445A (ja) | 2000-01-18 | 2002-01-15 | Central Glass Co Ltd | 低融点ガラス |
| JP2001307549A (ja) | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Furuya Kinzoku:Kk | 銀ペースト及びその製造方法 |
| JP3534684B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2004-06-07 | Ｔｄｋ株式会社 | 導電ペーストおよび外部電極とその製造方法 |
| JP2002270457A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 |
| JP4670164B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2011-04-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 外部電極用銅ペースト組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサー |
| JP4300786B2 (ja) * | 2001-12-21 | 2009-07-22 | 昭栄化学工業株式会社 | ガラスおよびこれを用いた導体ペースト |
| JP2004039355A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 導電性組成物 |
-
2003
- 2003-09-25 US US10/671,309 patent/US7147804B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-19 TW TW092136223A patent/TW200418221A/zh unknown
- 2003-12-31 CN CNB2003101245544A patent/CN100386823C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-01-06 JP JP2004001487A patent/JP4503298B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-01-09 EP EP04000318A patent/EP1443530A1/en not_active Withdrawn
- 2004-01-20 KR KR1020040004387A patent/KR100668549B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100386823C (zh) | 2008-05-07 |
| EP1443530A1 (en) | 2004-08-04 |
| JP2004228075A (ja) | 2004-08-12 |
| JP4503298B2 (ja) | 2010-07-14 |
| US20040144962A1 (en) | 2004-07-29 |
| US7147804B2 (en) | 2006-12-12 |
| TW200418221A (en) | 2004-09-16 |
| CN1518007A (zh) | 2004-08-04 |
| KR100668549B1 (ko) | 2007-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100668549B1 (ko) | 다층 세라믹 축전기용 말단 전극 조성물 | |
| US4172919A (en) | Copper conductor compositions containing copper oxide and Bi2 O3 | |
| US4521329A (en) | Copper conductor compositions | |
| JP4916442B2 (ja) | 鉛フリー及びカドミウムフリー導電性銅厚膜ペースト | |
| JP2009505395A (ja) | コンデンサ用の鉛フリー及びカドミウムフリーガラスを含む銅端子インク | |
| DK158215B (da) | Tykfilmlederkompositioner til anvendelse paa et dielektrisk keramisk underlag samt dielektrisk underlag med et tyndt lag af kompositionen bundet dertil | |
| KR100731219B1 (ko) | 다층 세라믹 축전기용 말단 전극 조성물 | |
| EP0071928B1 (en) | Thick film conductor compositions | |
| JP3297531B2 (ja) | 導電性ペースト | |
| KR100568638B1 (ko) | 다층 세라믹 축전기용 말단 전극 조성물 | |
| KR100666752B1 (ko) | 디스플레이용 전극용 도전성 페이스트 조성물 | |
| JP7256260B2 (ja) | 窒化ケイ素及び他の基板用の導電性厚膜ペースト | |
| JP4528502B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPH08298018A (ja) | 導電性ペースト | |
| WO2021221174A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
| JP2002134351A (ja) | 導電性ペースト及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP2004055557A (ja) | 銅ペーストとそれを用いた配線基板及び配線基板の製造方法 | |
| JPH022244B2 (ko) | ||
| JP2005216988A (ja) | セラミック電子部品用導電性ペーストおよびセラミック電子部品 | |
| JPH08167321A (ja) | 導電ペースト |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20091224 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |