JPH08167321A

JPH08167321A - 導電ペースト

Info

Publication number: JPH08167321A
Application number: JP33189494A
Authority: JP
Inventors: Akira Otani; 明大谷; Haruhiko Kano; 東彦狩野; Shuji Mushimoto; 修二虫本
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1994-10-13
Filing date: 1994-12-09
Publication date: 1996-06-25

Abstract

(57)【要約】【目的】電子部品に、はんだ付け時の耐熱衝撃性に優
れた電極を形成することが可能な導電ペーストを提供す
る。【構成】導電成分の焼結促進剤として、金属有機レジ
ネートを０．３〜５．０重量％の割合で添加する。ま
た、金属有機レジネートとして、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、及
びＷからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機レジ
ネートを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、導電ペーストに関し、
詳しくは、電子部品の端子電極（外部電極）などを形成
するのに適した導電ペーストに関する。

【０００２】

【従来の技術】積層セラミックコンデンサの端子電極な
どを形成するのに用いられる導電ペーストは、通常、例
えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄなどの導電成分（粉末）と、ガ
ラスフリットなどを混合することによって製造されてい
る。

【０００３】そして、この導電ペーストを用いて、積層
セラミックコンデンサなどの電子部品の端子電極を形成
する場合、通常は、まず、導電ペーストを電子部品素子
の所定の位置に塗布した後焼付けし、導電ペーストに含
まれる導電成分を焼結させることにより導電性厚膜（厚
膜電極）を形成し、その後厚膜電極のはんだくわれを防
止するためにその表面に、Ｎｉメッキを行い、さらに、
はんだ付け性を向上させるために、Ｎｉメッキ膜の上か
らＳｎメッキを施している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の導電ペ
ーストを用いて厚膜電極を形成した場合、メッキ液が端
子電極の表面から内部に浸透してはんだ付け時の耐熱衝
撃性が劣化し、信頼性が低下するという問題点がある。

【０００５】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、電子部品に、はんだ付け時の耐熱衝撃性に優れた電
極を形成することが可能な導電ペーストを提供すること
を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の導電ペーストは、導電成分の焼結促進剤と
して、金属有機レジネートを０．３〜５．０重量％の割
合で添加したことを特徴としている。

【０００７】また、前記金属有機レジネートが、Ｂｉ、
Ｃｕ、Ｍｏ、及びＷからなる群より選ばれる少なくとも
１種の有機レジネートであることを特徴としている。

【０００８】

【作用】本発明の導電ペーストにおいては、導電成分の
焼結促進剤として、金属有機レジネートが０．３〜５．
０重量％の割合で添加されていることから、焼付け工程
において、導電成分が確実に焼結され、焼結密度が向上
するとともに、電極と該電極を形成する対象物（例え
ば、電子部品を構成するセラミック素子）との界面にガ
ラスフリット層を厚く形成することが可能になる。

【０００９】したがって、本発明の導電ペーストを用い
ることにより、メッキ液の侵入を抑制、防止することが
可能で、はんだ付け時の耐熱衝撃性に優れた端子電極を
形成することが可能になる。

【００１０】また、前記金属有機レジネートとしては、
Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、及びＷからなる群より選ばれる少な
くとも１種の有機レジネートを用いることが可能であ
り、これらの金属有機レジネートを用いることにより、
はんだ付け時の耐熱衝撃性に優れた信頼性の高い端子電
極を形成することが可能になる。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の実施例を比較例とともに示し
てその特徴とするところをさらに詳しく説明する。

【００１２】下記の各原料を配合して導電成分（平均粒径２μmのＡｇ粉末）：１００重量部ガラスフリット（ホウケイ酸亜鉛系のガラスフリット）：４重量部樹脂成分（セルロース樹脂）：５重量部溶剤（ブチルカルビトール）：２１重量部を配合してなるペーストに、焼結促進剤（この実施例で
は、Ｂｉレジネート（ただし、Ｂｉ含有率２０重量
％））を表１に示すような割合で添加して導電ペースト
を作成した。

【００１３】

【表１】

【００１４】なお、試料番号に*印を付したものは本発
明の範囲外のもの（比較例）である。

【００１５】そして、表１の各導電ペーストを電子部品
素子（この実施例では積層セラミックコンデンサ素子）
に塗布した後、乾燥、焼付けを行って端子電極を形成し
た後、はんだ付け時の耐熱衝撃性及びたわみ強度を調べ
た。その結果を表１に併せて示す。

【００１６】なお、耐熱衝撃性は、任意の温度に設定し
たはんだ槽に試料を浸漬することによって実施した熱衝
撃試験における不良（破壊）発生率、すなわち、総試料
数に対する破壊した試料数の割合を示す。

【００１７】また、たわみ強度は、試料をガラスエポキ
シ基板にはんだ付けした後、該ガラスエポキシ基板をた
わませることにより試料にクラックを生じさせた場合
の、クラック発生時の基板のたわみ強度の値である。な
お、たわみ強度は、その値が大きいほど特性が優れてい
ることを意味する。

【００１８】表１に示すように、焼結促進剤であるＢｉ
レジネートを添加していない導電ペースト（試料番号
５）においては、耐熱衝撃試験における不良発生率が高
くなっており、また、焼結促進剤であるＢｉレジネート
の添加量を、本発明の範囲（０．３〜５．０重量％）を
越える６．０重量％とした導電ペースト（試料番号６）
においては、耐熱衝撃性は良好であるが、たわみ強度が
低下している。

【００１９】これに対して、焼結促進剤であるＢｉレジ
ネートを、０．３〜５．０重量％の範囲で添加した本発
明の実施例にかかる導電ペースト（試料番号１〜４）に
おいては、たわみ強度が低下することなく、耐熱衝撃性
が向上している。

【００２０】なお、上記実施例では、焼結促進剤とし
て、Ｂｉレジネートを用いた場合について説明したが、
焼結促進剤を構成する金属としては、Ｂｉに限らず、Ｃ
ｕ、Ｍｏ、及びＷのいずれか一つ又はそれらを組み合せ
たものを用いることが可能であり、それらの有機レジネ
ートを焼結促進剤として用いた場合にも上記実施例と同
様の効果を得ることが可能である。また、場合によって
はさらに他の金属の有機レジネートを用いることも可能
である。

【００２１】また、上記実施例では、積層セラミックコ
ンデンサの端子電極を形成する場合を例にとって説明し
たが、本発明の導電ペーストは積層セラミックコンデン
サの端子電極を形成する場合に限らず、圧電共振部品や
正特性サーミスタなどの種々の電子部品の端子電極を形
成する場合に好適に用いることができる。さらに、端子
電極を形成する場合に限らず、回路などを形成する場合
にも適用することが可能である。

【００２２】本発明は、さらにその他の点においても上
記実施例に限定されるものではなく、導電成分の種類や
粒径、ガラスフリット、樹脂成分及び溶剤の種類、ある
いはそれらの配合割合などに関し、発明の要旨の範囲内
において種々の応用、変形を加えることが可能である。

【００２３】

【発明の効果】上述のように、本発明の導電ペースト
は、導電成分の焼結促進剤として、金属有機レジネート
を０．３〜５．０重量％の割合で添加していることか
ら、焼付け工程において、導電成分が確実に焼結され、
焼結密度が向上するとともに、電極と該電極を形成する
対象物（例えば、電子部品を構成するセラミック素子）
との界面にガラスフリット層を厚く形成することが可能
になる。

【００２４】したがって、本発明の導電ペーストを用い
ることにより、メッキ液の侵入を抑制、防止することが
可能で、はんだ付け時の耐熱衝撃性に優れた端子電極を
形成することができる。

【００２５】また、前記金属有機レジネートとしては、
Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、及びＷからなる群より選ばれる少な
くとも１種の有機レジネートを用いることが可能であ
り、これらの金属有機レジネートを用いることにより、
はんだ付け時の耐熱衝撃性に優れた信頼性の高い端子電
極を形成することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電成分の焼結促進剤として、金属有機
レジネートを０．３〜５．０重量％の割合で添加したこ
とを特徴とする導電ペースト。
【請求項２】前記金属有機レジネートが、Ｂｉ、Ｃ
ｕ、Ｍｏ、及びＷからなる群より選ばれる少なくとも１
種の有機レジネートであることを特徴とする請求項１記
載の導電ペースト。