JP2006196245A - 導電性ペースト及びそれを用いた配線回路基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 金属粉末、ガラスフリット、および有機ビヒクルを主成分とする導電性ペーストであって、ガラスフリットの配合量は、ガラスフリットと金属粉末の合計値に対して0.1重量%以上、15重量%以下であり、かつ前記ガラスフリットの熱膨張係数が6.5ppm/℃以上、10.0ppm/℃以下であることを特徴とする導電性ペースト。
【選択図】 なし
Description
ガラスフリットの平均粒径が5μmより大きいと、金属粉末とガラスフリットとの分散性が悪くなる。また平均粒径が0.3μmよりも小さいと、二次凝集を起こし、ガラスフリット自身の分散性が低下するため、焼結が不均一となる場合がある。
(銀微粒子の作製)
純水とエタノールを等量で混合した液に硝酸銀を溶解し、アンモニア水を加えてpHを11.3に調整し、溶液を透明にした。別に純水とエタノールを等量で混合した液に、還元剤としてのL−アスコルビン酸と、分散剤としてのポリアクリル酸(分子量:5000)を溶解した。この溶液を25℃に保ち、先に作製した硝酸銀の溶液を徐々に滴下して攪拌しつつ銀の微粒子を析出させた。その後洗浄乾燥し、一次粒子の平均粒径が20nmの球状銀粒子(B)を得た。
有機ビヒクルとして、α−テルピネオールに分子量18000のエチルセルロースを加熱溶解し、樹脂分濃度12重量%の溶液とした。これに表1に示す種類と量の銀粒子を加え、回転撹拌脱泡機を用いて均一に混合した。尚、銀粒子A1は1次粒子の平均粒径が3.0μmの球状粒子、銀粒子A2は平均粒径0.5μmの球状粒子である。さらに平均粒径3.0μmとなるようにビーズミルで粉砕したガラスフリットC(Bi2O3−B2O3系、作業点480℃、熱膨張係数9.3ppm/℃)を加えて混合を継続し、観察により均一と判断してから、この溶液を三本ロールミルに通した後、目開き50μmのステンレス製フィルタを用いて濾過して導電性ペーストを作製した。
作製した導電性ペーストのサンプルをガラス基材(旭硝子(株)製PD200基板)の上に、50mm幅×90mm長さで製膜し、これを恒温槽に入れ、150℃で30分加熱して溶剤を揮発させた後に、表1に示す焼結温度(500℃と520℃)の焼結炉に移して30分間加熱焼結した。焼結後、膜厚及び体積抵抗を測定して導電性を評価した。膜厚は、表面粗さ測定器(東京精密(株)製SURFCOM130A)で測定した。体積抵抗測定にはJISK7194に準拠する低抵抗率計(三菱化学(株)製ロレスタGP)を用いた。
上記導電性評価に用いたサンプルに1mm間隔の碁盤目状に切り込みを加え、上面に粘着テープを被せ、テープ剥離試験を10回行い、剥がれ具合を観察した(碁盤目剥離試験)。評価指標は、○:碁盤目剥離試験で剥がれ無し、×:剥がれ有り(1/100以上剥離)としている。
得られた塗膜の残留応力を、X線残留応力測定装置にて測定した。Cr−KαX線を30kV、20mAで励起し、sin2Ψ法(並傾法)にて、Ag(311)面を測定回折面とした。また使用定数はヤング率75000MPa、ポアソン比0.38とした。
更に焼結後のガラス基材の状態を目視観察し、厚膜塗布性を評価した。ガラス基材に割れ、ひび割れ等の異常が観察されなかったものを○、ガラス基材の一部がペーストの残留応力により凝集破壊したものを×、ガラス基材の全面破壊したものを××とした。
ガラスフリットとして、平均粒径1.0μmとなるようにビーズミルで粉砕したガラスフリットD(Bi2O3−B2O3系、作業点480℃、熱膨張係数9.3ppm/℃)を用いたこと以外は実施例1〜3と同様に導電性ペーストの作製及び評価を行った。
ガラスフリットとして、平均粒径3.0μmとなるようにビーズミルで粉砕したガラスフリットE(Bi2O3−B2O3系、作業点510℃、熱膨張係数8.5ppm/℃)を用いたこと以外は実施例1〜3と同様に導電性ペーストの作製及び評価を行った。
ガラスフリットとして、平均粒径3.0μmとなるようにビーズミルで粉砕したガラスフリットF(Bi2O3−B2O3系、作業点550℃、熱膨張係数8.0ppm/℃)を用いたこと以外は実施例1〜3と同様に導電性ペーストの作製及び評価を行った。
ガラスフリットとして、平均粒径2.8μmとなるようにビーズミルで粉砕したガラスフリットG(Bi2O3−B2O3系、作業点425℃、熱膨張係数10.5ppm/℃)を用いたこと以外は実施例1〜3と同様に導電性ペーストの作製及び評価を行った。
ガラスフリットとして、平均粒径1.2μmとなるようにビーズミルで粉砕したガラスフリットG(Bi2O3−B2O3系、作業点425℃、熱膨張係数10.5ppm/℃)を用いたこと以外は実施例1〜3と同様に導電性ペーストの作製及び評価を行った。以上の結果を表1に示す。
Claims (9)
- 金属粉末、ガラスフリット、および有機ビヒクルを主成分とする導電性ペーストであって、ガラスフリットの配合量は、ガラスフリットと金属粉末の合計値に対して0.1重量%以上、15重量%以下であり、かつ前記ガラスフリットの熱膨張係数が6.5ppm/℃以上、10.0ppm/℃以下であることを特徴とする導電性ペースト。
- 基板上に配線回路を形成するための導電性ペーストであって、金属粉末、ガラスフリット、および有機ビヒクルを主成分とし、前記ガラスフリットの配合量はガラスフリットと金属粉末の合計値に対して0.1重量%以上、15重量%以下であり、かつ前記ガラスフリットの熱膨張係数が、前記基板の熱膨張係数の80%〜120%の範囲であることを特徴とする、導電性ペースト。
- ガラスフリットの作業点が520℃以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の導電性ペースト。
- ガラスフリットの平均粒子径が0.3μm以上、5μm以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の導電性ペースト。
- ガラスフリットが鉛を含まないことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の導電性ペースト。
- 前記金属粉末が、白金、金、銀、銅、パラジウムから選ばれる一種以上の金属、又はそれらの合金であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の導電性ペースト。
- 前記金属粉末が、一次粒子の平均粒径が0.3〜10μmの略球状粒子(A)と、一次粒子の平均粒径が50nm以下の略球状粒子(B)を主成分とし、(A)と(B)の混合比率が99:1〜50:50であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の導電性ペースト。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の導電性ペーストを基板上に印刷して配線回路を形成した配線回路基板。
- 配線回路の厚さが30μm以上であり、体積抵抗率が10.0μΩ・cm以下であることを特徴とする請求項8に記載の配線回路基板。
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