DK158215B - Tykfilmlederkompositioner til anvendelse paa et dielektrisk keramisk underlag samt dielektrisk underlag med et tyndt lag af kompositionen bundet dertil - Google Patents

Tykfilmlederkompositioner til anvendelse paa et dielektrisk keramisk underlag samt dielektrisk underlag med et tyndt lag af kompositionen bundet dertil Download PDF

Info

Publication number
DK158215B
DK158215B DK474980A DK474980A DK158215B DK 158215 B DK158215 B DK 158215B DK 474980 A DK474980 A DK 474980A DK 474980 A DK474980 A DK 474980A DK 158215 B DK158215 B DK 158215B
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
copper
weight
oxide
dielectric
composition
Prior art date
Application number
DK474980A
Other languages
English (en)
Other versions
DK158215C (da
DK474980A (da
Inventor
Joseph Richard Rellick
Original Assignee
Du Pont
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Du Pont filed Critical Du Pont
Publication of DK474980A publication Critical patent/DK474980A/da
Publication of DK158215B publication Critical patent/DK158215B/da
Application granted granted Critical
Publication of DK158215C publication Critical patent/DK158215C/da

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
    • C04B41/5127—Cu, e.g. Cu-CuO eutectic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/88—Metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • H01L27/013—Thick-film circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Description

i
DK 158215 B
Den foreliggende opfindelse angår en tykfilmkobber-lederkomposition og et dielektrisk underlag med et tyndt lag af kompositionen bundet dertil. Specielt angår opfindelsen med blandede oxider bundne tykfilmkobberlederkomposi-5 tioner, der kan anvendes til fremstilling af mikrobølgekredsløbsledere .
Ædelmetalledere fremstillet ud fra tykfilmkomposi-tioner indeholdende et ædelmetal og en glasfritte dispergeret i et bærestof er velkendte inden for elektronikken. Afhængigt 10 af de enkelte, valgte bestanddele varierer sådanne fordelagtige egenskaber som lav specifik modstand, god loddebarhed og god adhæsion til et keramisk underlag. I US-patentskrift nr. 4.001.146 er beskrevet en anvendelig komposition, som indeholder et sølvmetal. Den høje pris på sølv og andre 15 ædelmetaller har ført til en søgen efter andre, mindre kostbare metaller som ledere. Nikkel og kobber hører til sådanne metaller.
I US-patentskrift nr. 3.943.168 er der beskrevet lederkompositioner indeholdende nikkel og en glasfritte 20 dispergeret i et indifferent flydende bærestof. I US-patentskrifterne nr. 4.072.771 og nr. 4.172.919 er der beskrevet lederkompositioner indeholdende kobber og en glasfritte dispergeret i et indifferent flydende bærestof. Fritte-bundne ledere har imidlertid for det meste vist sig at udvikle et 25 glasrigt mellemlag mellem lederen og det keramiske underlag efter brændingen. Dette mellemlag inhiberer varmeoverførsel mellem leder og underlag, og da det er skørt, er det tilbøjeligt til at revne under en termisk cyklus med dertil knyttet tab af adhærens. Området har også lav elektrisk ledningsevne.
30 Lav ledningsevne er særligt skadelig i kredsløb, hvor der anvendes mikrobølgefrekvenser på 1 GHz eller mere.
Med den foreliggende opfindelse tilvejebringes der en lederkomposition, der indeholder det ønskede kobber, men hvortil det ikke er nødvendigt at sætte en glasfritte. Med 35 en sådan komposition fås en leder, der er anvendelig til mikrobølgekredsløb. Lederen udviser lav specifik modstand, 2
DK 158215 B
god loddebarhed og god adhæsion til et keramisk underlag.
Opfindelsen angår således en tykfilmlederkomposition til anvendelse på et dielektrisk keramisk underlag, bestående af (a) en blanding af findelte partikler af kobber, kob-5 beroxid og et andet metaloxid, der er blyoxid eller bis-muthoxid eller begge dele, dispergeret i (b) et flydende bærestof og opløsningsmiddelmedium, og denne komposition er ejendommelig ved, at partikelblandingen består af 86-99 vægtprocent kobber, 0,3-12 vægtprocent kobberoxid og 0,3-12 10 vægtprocent af det andet metaloxid.
Det dielektriske underlag ifølge opfindelsen er ejendommelig ved, at det bundet dertil har et mønsterformet tyndt lag af kompositionen ifølge krav 1, der er tørret og derpå brændt i en ikke-oxiderende atmosfære ved 900-1060°C.
15 Kompositionen ifølge opfindelsen er således en blan ding af kobber, kobberoxid <Cu20) samt blyoxid (PbO) og/eller bismuthoxid (Bi203) i et indifferent flydende bærestof. Den ved blandingen fremkomne pasta trykkes gennem en sigtedug på et aluminiumoxidunderlag, og efter tørring bræn-20 des det i en nitrogenatmosfære ved mellem 900°C og 1060°C.
Det fremstillede ledende materiale kan anvendes i elektriske kredsløb ved mikrobølgefrekvenser på l GHz eller mere.
Kompositionerne ifølge opfindelen kan også anvendes til at fremstille multilagskredsløb til anvendelse på com-25 puter-kredsløbskort. Hertil brændes skiftende lag af kompositioner ifølge opfindelsen på dielektriske underlag.
Tre komponenter er kritiske i kompositionerne ifølge opfindelsen, nemlig kobberpulver, kobberoxidpulver samt blyoxid- og/eller bismuthoxidpulver. Det er også nødvendigt 30 at anvende et indifferent flydende bærestof til fremstilling af den ønskede pastakomposition.
Kobberpulveret har en partikelstørrelse på fra 0,1 til 10 i«m, fortrinsvis på fra 0,5 til 3 μτα. Udtrykt ved den samlede mængde uorganiske faste stoffer varierer indholdet 35 af kobberpulver fra 86 til 99 vægtprocent, og det er fortrinsvis fra 94 til 98 vægtprocent.
3
DK 158215 B
Udtrykt ved den samlede mængde uorganiske faste stoffer varierer indholdet af kobberoxidpulver fra 0,3 til 12 vægtprocent, og det er fortrinsvis fra 0,75 til 5 vægtprocent.
5 Udtrykt ved den samlede mængde uorganiske faste stof fer varierer indholdet af blyoxidpulveret, når det forefindes i kompositionen, fra 0,3 til 12 vægtprocent, og det er fortrinsvis fra 0,75 til 5 vægtprocent.
Udtrykt ved den samlede mængde uorganiske faste stof-10 fer varierer indholdet af bismuthoxidpulveret, når det forefindes i kompositionen, fra 0,3 til 12 vægtprocent, og det er fortrinsvis fra 0,75 til 5 vægtprocent.
Alle kobberoxid-, blyoxid- og bismuthoxidpulverne foreligger som findelte partikler. Udtrykket "findelte" 15 forstås af fagmænd inden for tykfilmteknikken som partikler, der er tilstrækkeligt fine til at passere gennem en 400 mesh-sigte (US standard-sigteskala). Det foretrækkes, at praktisk taget alle partiklerne har en største dimension i området fra 0,001 til 15 jLtm, og at den største dimension 20 fortrinsvis ikke er større end 5 μιη.
Det anvendte bærestof kan være en hvilken som helst organisk væske, der almineligvis anvendes til tykfilmkom-positioner. Eksempler på anvendelige organiske væsker er de aliphatiske alkoholer og estere deraf, f.eks. acetaterne og 25 propionater, terpener, såsom fyrreolie og terpineol, opløsninger af harpikser, såsom polymethacrylaterne af lavere alkoholer, eller opløsninger af ethylcellulose i opløsningsmidler, såsom fyrreolie og monobutyletheren af ethylengly-colmonoacetat. Der foretrækkes et bærestof, der indeholder 30 13 vægtprocent ethylcellulose, 29 vægtprocent terpineol og 58 vægtprocent dibutylphthaiat.
Der kan også anvendes et opløsningsmiddel, som sædvanligvis vil være terpinol.
Udtrykt ved den totale komposition foreligger de 35 uorganiske faste stoffer i mængder på fra 65 til 90 vægtprocent, og bærestoffet plus opløsningsmiddel i området fra 4
DK 158215 B
10 til 35 vægtprocent. Særligt foretrukken er en komposition med fra 82 til 90 vægtprocent uorganiske faste stoffer, fra 5 til 9 vægtprocent bærestof og fra 5 til 9 vægtprocent yderligere opløsningsmiddel. Kompositionen fremstilles ved 5 dispergering af pulverne i et bærestof og opløsningsmiddelmedium. Den fremkomne komposition har en pastaagtig konsistens .
Kompositionen trykkes gennem en sigtedug på et keramisk dielektrisk underlag, typisk aluminiumoxid eller ber-10 rylliumoxid, og tørres derpå ved 120°C i 15 minutter. Derefter brændes metalliseringen ved en temperatur i området fra 900°C til 1060°C med en opholdstid ved spids temper a tur en på ca. 15 minutter og med en samlet cyklustid på 1 time.
For at opnå optimal adhæsion og ledningsevne bør brændings-15 temperaturen være fra 1010°C til 1060*0.
De følgende eksempler tjener til nærmere belysning af kompositionen ifølge opfindelsen og dens fremstilling.
De i eksemplerne anførte dele og procenter er baseret på vægt, med mindre andet er anført.
20 Eksempel 1 85% kobberpulver med en partikelstørrelse på 0,3 til 5 μια, 2% kobberoxid og 1% bismuthoxid dispergeres i 6% af et bærestof, som består af 13% ethylcellulose, 29% terpineol og 58% dibutylphthalat, og i 6% terpineol som opløsnings-25 middel. Partiklerne dispergeres ved valseformaling.
Den fremkomne pasta trykkes gennem sigtedugen på en 200 mesh-sigte af rustfrit stål på et 96%'s aluminiumoxid-keramisk underlag. Efter tørring ved 120°C i 15 minutter, brændes delene i en "BTU ENGINEERING" bælte-ovn under nitro-30 genatmosfære, hvor spidstemperaturen når op på enten 1010°C eller 1060°C, med en opholdstid ved spidstemperaturen på ca. 15 minutter og en total cyklustid på 1 time. Den elektriske modstand måles på et nominelt 200 kvadraters serpentinemønster under anvendelse af et Hewlett-Packard model 35 4328A milliohmmeter. Målinger af bredde og tykkelse af den brændte ledning foretages under anvendelse af et B&L dob- 5
DK 158215 B
beltmikroskop udstyret med okularmikrometer samt en Brush-surfanalyzer. Disse målinger sammen med den målte modstand af ledningen anvendes til beregning af modstand pr. kvadrat normaliseret til en tykkelse på 0,0254 mm.
5 Dyppeblødlodning af den brændte metallisering udføres med Alpha 611-loddemiddel og 62 Sn/36 Pb/2Ag-loddemetal ved en temperatur på 220°C. 20 "gauge" tinbelagt kobbertråd loddes over metalliseringsterminaler på ca. 2 mm, og adhæsionen måles ved at bøje tråden vinkelret på underlaget 10 og trække. Den kraft, der forårsager en adskillelse af lederterminalen fra underlaget, måles på en "Hunter Spring"-manuel kraftmåler. Metalliseringsegenskaberne er som følger:
Brændinastemoeratur 15 ioio°c loeo^c
Ledningsevne 1,1 mn/kv. 1,1 mn/kv.
Loddebarhed særdeles god særdeles god
Adhæsion 22,7 N 31,1 N
Fejltype A A + C blandet 20 Fejltypen betegnet "A" angår en situation, hvor kob bermetalliseringen adskilles fra det keramiske underlag.
Type "C" angår en fejlsituation, hvor tråden trækker sig ud af loddebåndet, men stadig lader kobbermetalliseringerne være hæftet til underlaget. I sådanne tilfælde kan man kun 25 sige om terminaladhæsionen, at den overstiger den observerede trækværdi i
Eksempel 2 83,5% kobberpulver med en partikelstørrelse på 0,3 30 til 5 μιη, 3% kobberoxid og 1,5% blyoxid dispergeres i 5% ethylcellulose som bærestof og i 3,5% dibutylcarbitol som opløsningsmiddel og 3,5% dibutylphthalat som opløsningsmiddel. Partiklerne dispergeres ved valseformaling.
Den fremkomne pasta trykkes gennem sigtedugen på en 35 325 mesh-sigte af rustfrit stål på et 96%'s aluminiumoxid- keramisk underlag. Efter tørring ved 120°C i 15 minutter
DK 158215 B
e brændes delene i en "Lindberg"-bælte-ovn i en nitrogenatmosfære, hvor man når en spidstemperatur på 900°C med en opholdstid ved spidstemperaturen på ca. 10 minutter. Derefter påtrykkes et lag Du Pont-dielektrikum 4175 over det brændte 5 kobberlag og tørres og brændes på samme måde. Derpå trykkes yderligere et lag. af den ovenfor nævnte kobberkomposition gennem en sigtedug og brændes på den dielektriske overflade under anvendelse af samme fremgangsmåde.
Den fremkomne multilagsstruktur loddes med Alpha 10 611-loddemiddel og 60/40-tin/bly-loddemetal ved 225°C. Lodde-barheden viser sig at være "God-Særdelses god”, baseret på en visuel undersøgelse.
Eksempel 3 15 85% Kobberpulver med en partikelstørrelse på 0,3 til 5 μι, 1% kobberoxid, 1% bismuthoxid og 1% blyoxid dispergeres i 6% ethylcellulose som bærestof og i 6% terpineol som opløsningsmiddel. Partiklerne dispergeres ved valseformaling. . Den fremkomne pasta trykkes gennem sigtedugen på en 20 200 mesh-sigte af rustfrit stål på et 96%’s aluminiumoxid- keramisk underlag. Efter tørring ved 120°C i 15 minutter, brændes delene i en "BTU ENGINEERING"-bælteovn i en nitrogen-atmosfære, hvor der nås en spidstemperatur på enten 1010°C eller 1060°C med en opholdstid ved spidstemperaturen på ca.
25 15 minutter og en total cyklustid på 1 time. Den elektriske modstand måles på samme måde som beskrevet i eksempel 1. Tilsvarende måles også dyppeblødlodningen som beskrevet i eksempel 1.
Metalliseringsegenskaberne er som følger: 30
Brændincfstemperatur 1010°C 1060°C
Ledningsevne 1,0 mn/kv. 1,19 mn/kv.
Loddebarhed særdeles god særdeles god
35 Adhæsion 27,6 N 23,2 N
Fejltype C C

Claims (3)

1. Tykfilmlederkomposition til anvendelse på et dielektrisk keramisk underlag, bestående af (a) en blanding af findelte partikler af kobber, kobberoxid og et andet 5 metaloxid, der er blyoxid eller bismuthoxid eller begge dele, dispergeret i (b) et flydende bærestof og opløsningsmiddelmedium, kendetegnet ved, at partikelblandingen består af 86-99 vægtprocent kobber, 0,3-12 vægtprocent . kobberoxid og 0,3-12 vægtprocent af det andet metaloxid.
2. Kompositionen ifølge krav 1, kendetegne t ved, at partikelblandingen består af 94-98 vægtprocent kobber, 0,75 - 5 vægtprocent kobberoxid og 0,75 - 5 vægtprocent af det andet metaloxid.
3. Dielektrisk underlag, kendetegnet ved, 15 at det bundet dertil har et mønsterformet tyndt lag af kompositionen ifølge krav 1, der er tørret og derpå brændt i en ikke-oxiderende atmosfære ved 900-1060°C.
DK474980A 1979-11-08 1980-11-07 Tykfilmlederkompositioner til anvendelse paa et dielektrisk keramisk underlag samt dielektrisk underlag med et tyndt lag af kompositionen bundet dertil DK158215C (da)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US9271179 1979-11-08
US06/092,711 US4323483A (en) 1979-11-08 1979-11-08 Mixed oxide bonded copper conductor compositions

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DK474980A DK474980A (da) 1981-05-09
DK158215B true DK158215B (da) 1990-04-09
DK158215C DK158215C (da) 1990-09-03

Family

ID=22234701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK474980A DK158215C (da) 1979-11-08 1980-11-07 Tykfilmlederkompositioner til anvendelse paa et dielektrisk keramisk underlag samt dielektrisk underlag med et tyndt lag af kompositionen bundet dertil

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4323483A (da)
EP (1) EP0028819B1 (da)
JP (1) JPS592398B2 (da)
CA (1) CA1149150A (da)
DE (1) DE3066718D1 (da)
DK (1) DK158215C (da)
IE (1) IE50652B1 (da)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5879837A (ja) * 1981-10-31 1983-05-13 Tdk Corp 磁器コンデンサ
US4567111A (en) * 1982-11-04 1986-01-28 Uop Inc. Conductive pigment-coated surfaces
US4511601A (en) * 1983-05-13 1985-04-16 North American Philips Corporation Copper metallization for dielectric materials
US4521329A (en) * 1983-06-20 1985-06-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Copper conductor compositions
JPS604552A (ja) * 1983-06-23 1985-01-11 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 導電性組成物
US4594181A (en) * 1984-09-17 1986-06-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Metal oxide-coated copper powder
US4659406A (en) * 1985-04-22 1987-04-21 International Business Machines Corporation Method of bonding to ceramic and glass
US4623482A (en) * 1985-10-25 1986-11-18 Cts Corporation Copper conductive paint for porcelainized metal substrates
US4687597A (en) * 1986-01-29 1987-08-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Copper conductor compositions
US4877555A (en) * 1987-04-13 1989-10-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductor composition and method of manufacturing a ceramic multilayer structure using the same
US4906405A (en) * 1987-05-19 1990-03-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductor composition and method of manufacturing a multilayered ceramic body using the composition
JPH01192781A (ja) * 1988-01-26 1989-08-02 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 銅厚膜導体組成物
US4868034A (en) * 1988-02-11 1989-09-19 Heraeus Incorporated Cermalloy Division Non-oxidizing copper thick film conductors
US4906404A (en) * 1988-11-07 1990-03-06 Dai-Ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. Copper conductor composition
US5250229A (en) * 1991-10-10 1993-10-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Silver-rich conductor compositions for high thermal cycled and aged adhesion
EP0618309B1 (en) * 1992-10-21 1998-09-16 Tokin Corporation Metal powder composition for metallization and metallized substrate
JPH0817241A (ja) * 1994-06-30 1996-01-19 Mitsuboshi Belting Ltd 銅導体ペーストおよび銅導体膜の製造方法
DE69531980T2 (de) * 1994-08-23 2004-07-29 At & T Corp. Metallisierung von keramischen Materialien durch Auftrag einer haftenden reduzierbaren Schicht
US5976628A (en) * 1995-12-08 1999-11-02 Mitsuboshi Belting Ltd. Copper conductor paste and production method of copper conductor film
EP2804183B1 (en) * 2013-05-14 2019-04-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung e.V. Brown-red cu-comprising composition and a composite comprising the brown-red cu-comprising composition
DE102014209106A1 (de) 2013-06-05 2014-12-11 Ceramtec Gmbh Metallisierung auf keramischen Substraten
CN108473379A (zh) * 2015-12-22 2018-08-31 贺利氏德国有限责任两合公司 结合有金属或金属杂化箔的厚膜糊居间的陶瓷
EP3419390A1 (en) * 2017-06-21 2018-12-26 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Thick-film paste mediated ceramics bonded with metal or metal hybrid foils and vias
KR20220115597A (ko) * 2019-12-12 2022-08-17 버트 씬 필름스, 엘엘씨 태양광 셀을 위한 페이스트, 태양광 셀, 및 이를 제조하는 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE854473C (de) 1941-07-30 1952-11-04 Steatit Magnesia Ag Verfahren zur Herstellung festhaftender loetfaehiger Kupferschichten auf keramischenKoerpern
US2993815A (en) * 1959-05-25 1961-07-25 Bell Telephone Labor Inc Metallizing refractory substrates
GB1378520A (en) * 1971-05-10 1974-12-27 Atomic Energy Authority Uk Metallising pastes
SE354461B (da) 1971-05-21 1973-03-12 Bil City I Pitea Ab
GB1374763A (en) 1971-12-21 1974-11-20 Atomic Energy Authority Uk Metalising pastes
US3744120A (en) * 1972-04-20 1973-07-10 Gen Electric Direct bonding of metals with a metal-gas eutectic
US3766634A (en) * 1972-04-20 1973-10-23 Gen Electric Method of direct bonding metals to non-metallic substrates
US3943168A (en) * 1974-11-13 1976-03-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductor compositions comprising nickel borides
US4001146A (en) 1975-02-26 1977-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Novel silver compositions
US4122232A (en) * 1975-04-21 1978-10-24 Engelhard Minerals & Chemicals Corporation Air firable base metal conductors
US3994430A (en) * 1975-07-30 1976-11-30 General Electric Company Direct bonding of metals to ceramics and metals
US4072771A (en) * 1975-11-28 1978-02-07 Bala Electronics Corporation Copper thick film conductor
US4172919A (en) * 1977-04-22 1979-10-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Copper conductor compositions containing copper oxide and Bi2 O3
US4130671A (en) * 1977-09-30 1978-12-19 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for preparing a thick film conductor

Also Published As

Publication number Publication date
DE3066718D1 (en) 1984-03-29
JPS5693396A (en) 1981-07-28
JPS592398B2 (ja) 1984-01-18
IE50652B1 (en) 1986-06-11
EP0028819B1 (en) 1984-02-22
CA1149150A (en) 1983-07-05
DK158215C (da) 1990-09-03
EP0028819A1 (en) 1981-05-20
IE802302L (en) 1981-05-08
DK474980A (da) 1981-05-09
US4323483A (en) 1982-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK158215B (da) Tykfilmlederkompositioner til anvendelse paa et dielektrisk keramisk underlag samt dielektrisk underlag med et tyndt lag af kompositionen bundet dertil
KR100668549B1 (ko) 다층 세라믹 축전기용 말단 전극 조성물
US4172919A (en) Copper conductor compositions containing copper oxide and Bi2 O3
JP3209089B2 (ja) 導電性ペースト
JP4817951B2 (ja) 厚膜導体組成物ならびにｌｔｃｃ回路およびデバイスにおけるその使用
KR910005524B1 (ko) 구리도체 조성물
US4514321A (en) Thick film conductor compositions
KR100798263B1 (ko) 마이크로파 어플리케이션에서의 ｌｔｃｃ 테이프를 위한후막 전도체 페이스트 조성물
US4540604A (en) Thick film conductor compositions
US20050184278A1 (en) Conductive paste and ceramic electronic component
US4623482A (en) Copper conductive paint for porcelainized metal substrates
EP0046640A1 (en) Thick film conductor employing copper oxide
JP2000048642A (ja) 導電性ペースト及びガラス回路基板
JP3297531B2 (ja) 導電性ペースト
KR100731219B1 (ko) 다층 세라믹 축전기용 말단 전극 조성물
JP7256260B2 (ja) 窒化ケイ素及び他の基板用の導電性厚膜ペースト
JPH0737420A (ja) 導体ペースト組成物及びそれを用いた回路基板
JPH0349108A (ja) 銅導体組成物
JPS63283184A (ja) 導体組成物を被覆した回路基板
JP2000182435A (ja) 導電性ペースト及びセラミック電子部品
JPS6142948B2 (da)
JP2019032993A (ja) 厚膜導体形成用組成物および厚膜導体の製造方法
JPH09306239A (ja) 導電ペースト及び電子部品の製造方法
JPS6166304A (ja) 導体組成物

Legal Events

Date Code Title Description
PBP Patent lapsed