KR20040044145A - 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040044145A
KR20040044145A KR1020030081191A KR20030081191A KR20040044145A KR 20040044145 A KR20040044145 A KR 20040044145A KR 1020030081191 A KR1020030081191 A KR 1020030081191A KR 20030081191 A KR20030081191 A KR 20030081191A KR 20040044145 A KR20040044145 A KR 20040044145A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
projection
substrate
transparent plate
projection system
liquid
Prior art date
Application number
KR1020030081191A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100588125B1 (ko
Inventor
블리커아르노얀
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20040044145A publication Critical patent/KR20040044145A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100588125B1 publication Critical patent/KR100588125B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

침지(immersion) 리소그래피장치에는, 액체의 흐름이 투영렌즈상에 기준프레임을 찌그러뜨릴 수 있는 힘을 가하는 것을 방지하기 위하여, 상기 기판테이블과 상기 투영렌즈 사이에 투명한 판이 제공된다. 상기 판은, 기준프레임상에 장착된 위치센서에 응답하는 액추에이터시스템에 의하여 상기 기준프레임에 대하여 정적으로 유지된다. 상기 투명한 판은 액체와 동일한 굴절률을 가질 수 있다.

Description

리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 {Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method}
본 발명은,
- 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템;
- 필요한 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
- 기판을 잡아주는 기판테이블;
- 기판의 타겟부상으로 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템;
- 상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판 사이의 공간을 액체로 채우는 액체공급시스템을 포함하는 리소그래피장치에 관한 것이다.
"패터닝수단(patterning means)"이라는 용어는 기판의 타겟부에 형성되어야할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용될 수 있다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 형성될 디바이스 내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 이 마스크의 개념은 리소그래피분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번위상-시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠위상-시프트형과 같은 마스크형식과 다양한 하이브리드 마스크형식을 포함한다. 방사빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크로 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우에는, 일반적으로 지지구조체는 마스크테이블이 되고, 상기 마스크테이블은 입사되는 투영빔내의 어떤 위치에 마스크가 고정될 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크를 상기 빔에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있도록 한다.
- 프로그래밍 가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어층 (viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어)반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광이 회절광으로 반사되는 반면, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그래밍 가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 작은 거울의 매트릭스 배치를 채택하는 것인데, 상기 각각의 작은 거울은 국부화된 적절한 전기장을 가하거나 또는 압전작동수단(piezoelectric actuation means)을 채택하여 축선에 대하여 개별적으로 기울어질 수 있다. 또한, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이고, 이러한 어드레싱된 거울은 입사하는 방사빔을 어드레싱되지 않은 거울에 대하여 다른 방향으로 반사할 것이다. 이러한 방식으로, 반사된 빔은 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적당한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상술된 두가지 상황 모두에 있어서, 패터닝수단은 1이상의 프로그래밍가능한 거울배열로 이루어질 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호와 PCT특허출원 WO 98/38597호 및 WO 98/33096호로부터 얻을 수 있다. 프로그래밍 가능한 거울배열의 경우에, 상기 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는, 예를 들어, 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
- 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상술된 바와 같이, 이러한 경우에서의 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는, 예를 들어, 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그자체가 마스크와 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 특정적으로 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 패터닝수단은 IC의 각각의 층에 대응되는 회로패턴을 형성할 수 있으며, 이 패턴은 감응재(레지스트)층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타겟부(예를 들어, 1이상의 다이로 구성되는)상으로 묘화될 수 있다. 일반적으로, 단일 웨이퍼는 인접해 있는 타겟부들의 전체적인 네트워크를 포함하고, 이들 타겟부는 투영시스템에 의하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 상이한 형식의 기계로 구분될 수 있다. 어느 한 형식의 리소그래피투영장치에서는 타겟부상으로 전체 마스크 패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상적으로 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체장치에서는 소정의 기준방향("스캐닝방향")으로 투영빔 하의 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 상기 스캐닝방향과 평행으로 또는 반평행(anti-parallel)으로 기판테이블을 동기적으로 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로, 투영시스템은 배율인자 M(일반적으로 < 1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 M배가 된다. 본 명세서에 참조자료로 채택되고, 여기서 서술된 리소그래피장치에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 미국특허 US 6,046,792호에서 얻을 수 있다.
리소그래피투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선 감응재(레지스트)층에 의하여 적어도 부분적으로 도포되는 기판상으로 묘화된다. 이 묘화단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피쳐(imaged feature)의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC와 같은 디바이스의 각각의 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온 주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 각각의 층을 마무리하기 위한 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 집적회로 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 집적회로 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 본 명세서에서 참조자료로 채택되고 있는 이와 같은 공정에 관한 추가정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급 될 것이다; 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학기, 반사광학기, 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 포괄하는 것으로서폭 넓게 해석되어야 한다. 또한 상기 방사선시스템은 방사투영빔의 지향, 성형 또는 제어하는 이들 설계형식 중의 어느 하나에 따라 동작하는 성분를 포함할 수 있고, 이후에 설명에서는 이러한 성분들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 나아가, 상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블 (및/또는 2이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서, 추가테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 스테이지가 노광에 사용되고 있는 동안, 1이상의 다른 스테이지에서는 준비작업단계가 수행될 수 있다. 본 명세서에서 참조자료로 채택되는 듀얼 스테이지 리소그래피장치는, 예를 들어, 미국특허 US 5,969,441호 및 국제특허출원 WO 98/40791호에 개시되어 있다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치의 기판을 물과 같이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체내에 침지시켜 투영렌즈의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우는 것이 제안되어 왔다. 액체속에서는 노광방사선이 더 짧은 파장을 갖기 때문에, 이러한 관점에서 보다 작은 피처를 묘화할 수 있다(액체의 영향은 또한 시스템의 유효 NA를 증가시키는 것과 관련되는 것으로 간주될 수 있다).
그러나, 예를 들어, 스캐닝노광시에 액체내에서 기판테이블이 이동될 때, 액체의 점성은, 힘이 투영렌즈상에 작용하고, 따라서 장치내의 모든 위치센서가 부착되는 기준프레임상에 작용할 것이라는 것을 의미한다. 기판 및 마스크 스테이지를 정확히 포지셔닝시키기 위해서는, 기준프레임이, 그 위에 장착된 상이한 센서들에 대하여 매우 단단하고 안정적인 기준을 제공해야만 한다. 액체를 통해 제공되는 힘은, 기준프레임을 기초로 하는 상이한 위치측정치를 충분히 무효시킬 만큼 기준프레임을 찌그러뜨린다(distort).
본 발명의 목적은, 기판과 투영시스템 사이의 공간이 액체로 채워지지만 기판스테이지의 이동에 의하여 발생된 교란(disturbance)으로부터 기준프레임이 효과적으로 격리되는 리소그래피장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 리소그래피 투영장치의 도면;
도 2는 본 발명의 실시예의 기판테이블 침지(immersion) 및 투영렌즈의 격리(isolation)를 나타내는 도면이다.
상기 및 기타 목적은,
- 상기 투영시스템과 상기 기판테이블 사이에 제공되고, 상기 투영시스템으로부터 기계적으로 격리되는 투명한 판;
- 상기 투명한 판을 상기 투영시스템에 대하여 실질적으로 움직이지 않도록(stationary) 유지하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는, 서두에 명기된 바와 같은 본 발명에 따른 리소그래피장치에 의하여 달성된다.
투영시스템과 기판테이블 사이의 투명한 판은 기판테이블로부터 투영시스템을 격리시키고 액체를 통하여 투영렌즈 및 이에 따라 기준프레임으로 힘이 전달되는 것을 방지한다. 따라서, 기판테이블의 이동은 기준프레임 및 그 위에 장착되어 있는 센서들을 교란시키지 않는다.
상기 투명한 판은, 투영빔의 파장에 대하여 상기 액체의 굴절률과 실질적으로 동일한 굴절률을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 방식으로, 투명한 판은 어떠한 불필요한 광학효과도 도입하지 않는다.
투명한 판은, 액체가 2부분(투영렌즈와 판 사이의 한 부분, 판과 기판테이블사이의 나머지 한 부분)으로 나뉘도록 형성 및 위치되는 것이 바람직하고, 2부분사이의 액체연통(liquid communication)은 되지 않는다. 이러한 배열에 따르면, 기판테이블과 투영렌즈 사이의 완전한 격리가 보장될 수 있다.
투명한 판을 움직이지 않도록 유지하는 수단은, 투영시스템에 대하여 투명한 판의 위치를 측정하는 위치센서 및 상기 위치센서에 결합되고 상기 투영시스템에 대하여 사전설정된 위치에서 상기 투명한 판을 유지시키는 엑츄에이터수단을 포함할 수 있는 액추에이터시스템을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 위치센서는 상기 기준프레임상에 장착되는 것이 바람직하고, 상기 액추에이터수단은 베이스프레임상에 장착되는 것이 바람직하며, 상기 기준프레임은 상기 베이스프레임으로부터 기계적으로 격리된다. 액추에이터수단은, 위치센서를 통하여 피드백제어와 더불어 또는 이를 대신하는 피드포워드(feedforward)제어를 제공하도록 기판테이블에 대한 포지셔닝수단에 제공되는 포지셔닝명령(pisitioning instructions)에 응답할 수도 있다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면,
- 적어도 부분적으로는 한 층의 방사선감응재로 덮인 기판을 제공하는 단계;
- 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
- 패터닝수단을 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
- 방사선감응재층의 타겟부상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계; 및
- 상기 투영하는 단계에 사용되는 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판 사이의 공간을 채우기 위한 액체를 제공하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법에 있어서,
- 상기 기판과 상기 투영시스템의 최종 요소 사이에서 상기 투영시스템으로부터 기계적으로 격리된 투명한 판을 제공하고, 상기 투명한 판을 상기 투영시스템에 대하여 실질적으로 움직이지 않도록 유지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인)자외선 및 EUV(예를 들어 파장이 5 내지 20㎚ 범위인 극자외선)을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄하여 사용된다.
이제, 첨부된 개략적인 도면을 참조하여, 단지 예시의 방식으로 본 발명의 실시예가 서술된다.
도면에서, 대응하는 참조부호는 대응하는 부분을 나타낸다.
제1실시예
도 1은 본 발명의 특정한 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로도시한다. 상기 장치는,
ㆍ방사선(예를 들어, DUV방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(특별히 이 경우에 방사선시스템이 방사선소스(LA)도 포함한다);
ㆍ마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 제공되고, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 포지셔닝하는 제1포지셔닝수단(PM)에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 마련된, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 포지셔닝하는 제2포지셔닝수단(PW)에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
ㆍ기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화하는 투영시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 반사 렌즈시스템)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (투과마스크를 구비한)투과형이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (반사마스크를 구비한)반사형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울배열과 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
상기 소스(LA)(엑시머레이저)가 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 스펙트럼필터와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라고 함)를 설정하는 조정수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사선소스(LA)는 리소그패피투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 방사선소스(LA)가 흔히 수은 램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향거울에 의해) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 방사선소스(LA)가 엑시머레이저인 때에 흔한 경우이다. 본 발명과 청구범위는 이들 시나리오를 모두 포괄하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 거친다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2포지셔닝수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1포지셔닝수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정모듈(long stroke module)(개략적인 포지셔닝) 및 짧은 행정모듈(미세 포지셔닝)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 단지 짧은 행정액츄에어터에만 연결될 수도 있고 고정될 수도 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
- 스텝모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
- 스캔 모드에서는, 소정 타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이v의 속도로 소정방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도V=Mv로, 동일방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때M은 렌즈(PL)의 배율(통상M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
도 2는 기판스테이지를 보다 상세하게 도시한다. 기판테이블(WT)은 용액공급시스템(15)에 의하여 제공되는 예를 들어, 물과 같이 비교적 높은 굴절률을 갖는 용액(10)내에 침지된다. 용액은 공기나 진공내에서 보다 그 용액내에서 방사선의 투영빔이 보다 짧은 파장을 갖는 효과를 가지므로, 보다 작은 피처를 분해할 수 있게 한다. 투영시스템의 분해능한계는, 투영빔의 파장 및 시스템의 개구수에 따라 결정되는 것은 이미 잘 알려져 있다. 용액의 존재는 또한 유효 개구수를 증가시키는 것으로 간주될 수도 있다.
투명한 판 또는 접시(dish)(12)는 투영시스템(PL)과 기판테이블(WT) 사이에 위치되고, 또한 바람직하게는 액체(10)와 동일한 액체(11)로 채워진다. 따라서, 투영시스템(PL)과 기판(W) 사이의 전체 공간은 액체로 채워지지만, 판(12)과 투영시스템(PL) 사이의 액체(11)는 판(12)과 기판(W) 사이의 액체와 분리된다.
투명한 판(12)은, 판을 통과할 수 있는 투영빔 및 예를 들어, 스루더렌즈 정렬시스템(through the lens alignment system)의 여하한의 센서빔의 파장에서 적어도 액체(10, 11)와 동일한 굴절률을 가지는 것이 바람직하다. 이것은 광학 부작용을 피할 수 있게 하며, 그렇지 않으면 이것이 특성지워져야 하고 보상되어야만 한다. 물론, 판 전체가 투명해야할 필요는 없으며, 단지 빔이 통과되어야만 하는 부분만 투명하면 된다.
예를 들어, 스캐닝 노광을 수행하기 위하여, 기판테이블(WT)은 제2포지셔닝수단(PW)에 의해 화살표(v)로 표시된 방향으로 이동된다. 기판테이블의 이동은 액체(10)내에 흐름(current)을 일으키며, 이는 판(12)상에 힘을 가할 것이다. 이 힘이 투영시스템(PL) 및 기준프레임(RF)로 더욱 전파되는 것을 방지하기 위하여, 투명한 판(12)은 액추에이터시스템에 의하여 투영렌즈(PL)에 대하여 움직이지 않도록 유지된다. 판(12)이 움직이지 않도록 되어 있기 때문에, 액체(11)의 교란이 발생하지 않으며, 이에 따라 투영시스템(PL)에도 힘이 전달되지 않는다.
판(12)을 움직이지 않도록 유지하는 액추에이터시스템은, 기준프레임(RF)상에 장착된 위치센서(14)에 의하여 측정된 판(12)의 위치에 대응하여 피드백루프및/또는 제2포지셔닝수단(PW)으로 보내진 포지셔닝명령을 토대로 하는 포워드루프로 제어되는 액추에이터(13)를 포함하여 이루어진다. 액추에이터시스템을 위한 제어시스템은 안티노이즈측정기(anti noise measures)를 구현될 수 있다. 간섭계, 용량성센서(capacitive sensor) 및 인코더는 위치센서로 사용될 수 있고 로렌즈모터나 보이스코일(voice coil)은 액추에이터로 사용될 수 있다.
묘화된 후에, 베스(bath)내의 액체의 양을 과도하게 증가시키지 않으면서, 기판테이블(WT)로부터 기판을 용이하게 제거할 수 있다면, 기판테이블(WT)이 침지되는 베스로의 단단한 연결 보다는 액추에이터가 사용되는 것이 바람직하다.
액체(10)를 통한 힘의 전달에는 난류(turbulence) 및 지연이 존재하기 때문에, 판(12)에 가해지는 힘(Fd)은 기판테이블(WT)의 운동(v)에 대하여 반드시 평행하거나 선형일 필요가 없음을 이해할 것이다. 이것은 피드백제어의 유용성을 제한할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 판(12)에 가해지는 힘(Fa)이 액체(10)를 통해 전달되는 힘(Fd)에 충분하게 대항하여, 투영렌즈로 전달되는 힘이 허용가능한 한계값이내에 있도록 액체(11)내의 교란이 충분히 낮게 유지되는 것이 중요하다.
어떤 환경에서, 예를 들어, 기판테이블의 이동이 비교적 느리고 액체의 점성도 낮은 경우에는, 판(12)을 움직이지 않도록 유지시키기 위하여 액추에이터시스템을 반드시 사용해야할 필요가 없으며, 대신에 판은 기준프레임으로부터 격리된 장치의 여타의 움직이지 않는 부분(strationary part) 또는 베이스프레임에 고정될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예가 상술되었지만, 본 발명이 상술된 것과 다르게 실시될 수 있음을 이해할 것이다. 상기 설명은 본 발명을 제한하지 않는다.
본 발명에 따르면, 기판과 투영시스템 사이의 공간이 액체로 채워지지만, 기판스테이지의 이동에 의하여 발생된 교란으로부터 기준프레임이 효과적으로 격리될 수 있다.

Claims (10)

  1. - 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템;
    - 필요한 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 기판을 잡아주는 기판테이블;
    - 상기 기판의 타겟부상으로 상기 패터닝된 빔을 투영시키는 투영시스템;
    - 상기 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판 사이의 공간을 액체로 채우는 액체공급시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 상기 투영시스템과 상기 기판테이블 사이에 제공되고, 상기 투영시스템으로부터 기계적으로 격리되는 투명한 판;
    - 상기 투명한 판을 상기 투영시스템에 대하여 실질적으로 움직이지 않도록 유지하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투명한 판은, 상기 투영빔의 파장에서의 상기 액체의 굴절률과 실질적으로 동일한 상기 파장에서의 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 투명한 판은, 상기 액체가 상기 투영렌즈와 상기 판 사이의 한 부분 및 상기 판과 상기 기판테이블 사이의 나머지 한 부분 즉, 2부분으로 나뉘도록 형성 및 위치되어, 상기 2부분사이의 액체연통은 되지 않는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명한 판을 실질적으로 움직이지 않도록 유지하는 상기 수단은 액추에이터시스템을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 액추에이터시스템은, 상기 투영시스템에 대하여 상기 투명한 판의 위치를 측정하는 위치센서 및 상기 위치센서에 결합된 액추에이터수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 위치센서는, 상기 투영시스템을 또한 지지하는 기준프레임상에 장착되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 액추에이터수단은, 상기 기준프레임이 기계적으로 격리되는 베이스프레임상에 장착되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  8. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액추에이터시스템은 피드백방식으로 제어되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  9. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액추에이터시스템은 피드포워드방식(feedforward manner)으로 제어되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  10. - 적어도 부분적으로는 한 층의 방사선감응재로 덮인 기판을 제공하는 단계;
    - 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
    - 패터닝수단을 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
    - 상기 방사선감응재층의 타겟부상에 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계; 및
    - 상기 투영하는 단계에 사용되는 투영시스템의 최종 요소와 상기 기판 사이의 공간을 채우기 위한 액체를 제공하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법에 있어서,
    - 상기 기판과 상기 투영시스템의 최종 요소 사이에서 상기 투영시스템으로부터 기계적으로 격리된 투명한 판을 제공하고, 상기 투명한 판을 상기 투영시스템에 대하여 실질적으로 움직이지 않도록 유지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 디바이스 제조방법.
KR1020030081191A 2002-11-18 2003-11-17 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 KR100588125B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02257938.7 2002-11-18
EP02257938 2002-11-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040044145A true KR20040044145A (ko) 2004-05-27
KR100588125B1 KR100588125B1 (ko) 2006-06-09

Family

ID=32479815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030081191A KR100588125B1 (ko) 2002-11-18 2003-11-17 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7009682B2 (ko)
JP (1) JP3978421B2 (ko)
KR (1) KR100588125B1 (ko)
CN (1) CN1501170B (ko)
SG (1) SG131766A1 (ko)
TW (1) TWI238295B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100720242B1 (ko) * 2005-06-28 2007-05-22 주식회사 하이닉스반도체 이머젼 리소그래피 장치
KR20150038563A (ko) * 2004-06-10 2015-04-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법

Families Citing this family (227)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3953460B2 (ja) * 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7948604B2 (en) * 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
SG150388A1 (en) * 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
KR20110086130A (ko) * 2002-12-10 2011-07-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101036114B1 (ko) * 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
WO2004053952A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4352874B2 (ja) * 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1579435B1 (en) * 2002-12-19 2007-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
KR101562447B1 (ko) 2003-02-26 2015-10-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR101181688B1 (ko) * 2003-03-25 2012-09-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE602004020200D1 (de) * 2003-04-07 2009-05-07 Nippon Kogaku Kk Belichtungsgerät und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
JP4488004B2 (ja) * 2003-04-09 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ流体制御システム
CN104597717B (zh) * 2003-04-10 2017-09-05 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统
KR101129213B1 (ko) * 2003-04-10 2012-03-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로
JP4656057B2 (ja) * 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
KR20170064003A (ko) * 2003-04-10 2017-06-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
KR101178756B1 (ko) 2003-04-11 2012-08-31 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침액체를 유지하는 장치 및 방법
KR101508810B1 (ko) * 2003-04-11 2015-04-14 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP4582089B2 (ja) * 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP2006523958A (ja) * 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100437358C (zh) * 2003-05-15 2008-11-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
TW201415536A (zh) 2003-05-23 2014-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
TWI503865B (zh) * 2003-05-23 2015-10-11 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
KR20060009956A (ko) * 2003-05-28 2006-02-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI442694B (zh) * 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
DE10324477A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101729866B1 (ko) * 2003-06-13 2017-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
EP2216685B1 (en) * 2003-06-19 2012-06-27 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1975721A1 (en) * 2003-06-30 2008-10-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7236232B2 (en) * 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
EP2853943B1 (en) * 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
CN100508119C (zh) * 2003-07-09 2009-07-01 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2005006416A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法
EP2264531B1 (en) 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
SG109000A1 (en) * 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005010960A1 (ja) 2003-07-25 2005-02-03 Nikon Corporation 投影光学系の検査方法および検査装置、ならびに投影光学系の製造方法
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
EP2264535B1 (en) * 2003-07-28 2013-02-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
KR101171809B1 (ko) * 2003-08-26 2012-08-13 가부시키가이샤 니콘 광학소자 및 노광장치
EP2261740B1 (en) 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
EP1670039B1 (en) * 2003-08-29 2014-06-04 Nikon Corporation Exposure apparatus and device producing method
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3223074A1 (en) 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for immersion lithography for recovering fluid
CN100394244C (zh) * 2003-09-03 2008-06-11 株式会社尼康 为浸没光刻提供流体的装置和方法
JP4444920B2 (ja) * 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20170058458A (ko) 2003-09-29 2017-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
US7158211B2 (en) * 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005031823A1 (ja) * 2003-09-29 2005-04-07 Nikon Corporation 液浸型レンズ系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1519231B1 (en) * 2003-09-29 2005-12-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
KR101319109B1 (ko) 2003-10-08 2013-10-17 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
TWI598934B (zh) 2003-10-09 2017-09-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP1524558A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524557A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI530762B (zh) 2003-12-03 2016-04-21 尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR101119813B1 (ko) * 2003-12-15 2012-03-06 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
WO2005057635A1 (ja) * 2003-12-15 2005-06-23 Nikon Corporation 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
JP2005191381A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
DE602004027162D1 (de) 2004-01-05 2010-06-24 Nippon Kogaku Kk Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
WO2005069078A1 (en) * 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
DE602005019689D1 (de) * 2004-01-20 2010-04-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4506674B2 (ja) 2004-02-03 2010-07-21 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101504445B1 (ko) * 2004-03-25 2015-03-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) * 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
EP1747499A2 (en) * 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1768169B9 (en) * 2004-06-04 2013-03-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统
JP4655763B2 (ja) * 2004-06-04 2011-03-23 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US20070103661A1 (en) * 2004-06-04 2007-05-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
CN105467775B (zh) * 2004-06-09 2018-04-10 株式会社尼康 曝光装置及元件制造方法
US8373843B2 (en) 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8717533B2 (en) * 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP3067749B1 (en) * 2004-06-10 2017-10-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20070222959A1 (en) * 2004-06-10 2007-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) * 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7481867B2 (en) 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
WO2006009573A1 (en) * 2004-06-17 2006-01-26 Nikon Corporation Fluid pressure compensation for immersion lithography lens
CN100547488C (zh) * 2004-06-23 2009-10-07 台湾积体电路制造股份有限公司 浸入式光学投影系统与集成电路晶片的制造方法
JP4565272B2 (ja) * 2004-07-01 2010-10-20 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための動的流体制御システム
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101202230B1 (ko) * 2004-07-12 2012-11-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7161663B2 (en) * 2004-07-22 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4983257B2 (ja) * 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060044533A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Asmlholding N.V. System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system
US7522261B2 (en) * 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355674B2 (en) 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
US7894040B2 (en) * 2004-10-05 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7209213B2 (en) * 2004-10-07 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) * 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7128427B2 (en) * 2004-11-05 2006-10-31 Sematech, Inc. Method and apparatus for fluid handling in immersion lithography
US7414699B2 (en) * 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7251013B2 (en) 2004-11-12 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583357B2 (en) * 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7230681B2 (en) * 2004-11-18 2007-06-12 International Business Machines Corporation Method and apparatus for immersion lithography
US7145630B2 (en) * 2004-11-23 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20070083492A (ko) * 2004-12-02 2007-08-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7161654B2 (en) * 2004-12-02 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7256121B2 (en) * 2004-12-02 2007-08-14 Texas Instruments Incorporated Contact resistance reduction by new barrier stack process
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7248334B2 (en) * 2004-12-07 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Sensor shield
US7196770B2 (en) * 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) * 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) * 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) * 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7265813B2 (en) * 2004-12-28 2007-09-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060147821A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1804724A (zh) * 2005-01-14 2006-07-19 朱晓 芯片光刻制程中油浸式曝光方法
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20090262316A1 (en) 2005-01-31 2009-10-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
WO2006084641A2 (en) * 2005-02-10 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) * 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7324185B2 (en) * 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) * 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) * 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) * 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
US20090135382A1 (en) * 2005-04-28 2009-05-28 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
US7317507B2 (en) * 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006133800A1 (en) 2005-06-14 2006-12-21 Carl Zeiss Smt Ag Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US7652746B2 (en) * 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751027B2 (en) 2005-06-21 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7501834B2 (en) * 2005-06-21 2009-03-10 Custom Sensors & Technologies, Inc. Voice coil actuator with embedded capacitive sensor for motion, position and/or acceleration detection
US7474379B2 (en) * 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) * 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7468779B2 (en) * 2005-06-28 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7535644B2 (en) * 2005-08-12 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US8054445B2 (en) * 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7656501B2 (en) * 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4567651B2 (ja) * 2005-11-16 2010-10-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 露光装置及びデバイス製造方法
US7633073B2 (en) * 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7773195B2 (en) * 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
KR100768849B1 (ko) * 2005-12-06 2007-10-22 엘지전자 주식회사 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법
US7492441B2 (en) * 2005-12-22 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method incorporating a pressure shield
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7839483B2 (en) 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
US7649611B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US9477158B2 (en) * 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US8052289B2 (en) * 2006-06-07 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Mirror array for lithography
US7826030B2 (en) * 2006-09-07 2010-11-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045135B2 (en) * 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9632425B2 (en) * 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US7791709B2 (en) * 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8237911B2 (en) * 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US7866330B2 (en) * 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) * 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7900641B2 (en) * 2007-05-04 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
WO2008139913A1 (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Nikon Corporation 露光方法及び露光用平板
NL1036579A1 (nl) * 2008-02-19 2009-08-20 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and methods.
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
SG156564A1 (en) * 2008-04-09 2009-11-26 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8654306B2 (en) * 2008-04-14 2014-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method
US9176393B2 (en) * 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
NL2005207A (en) * 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
WO2011090690A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-28 Pioneer Hi-Bred International, Inc. Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
JP5919395B2 (ja) * 2012-02-03 2016-05-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 可動ステージシステム及びリソグラフィ装置
DE102018221670A1 (de) * 2018-12-13 2020-06-18 Karlsruher Institut für Technologie Vorrichtung und Verfahren zur optischen Charakterisierung oder Bearbeitung eines Objekts
WO2020154381A1 (en) * 2019-01-23 2020-07-30 Vulcanforms Inc. Laser control systems for additive manufacturing

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE242880C (ko)
DE224448C (ko)
DE206607C (ko)
DE221563C (ko)
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
US4395705A (en) * 1981-03-03 1983-07-26 Toyo Electronics Corporation Trouble-shooting circuit with first-failure identification capability
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD224448A1 (de) * 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
WO1998009278A1 (en) 1996-08-26 1998-03-05 Digital Papyrus Technologies Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999031717A1 (fr) 1997-12-12 1999-06-24 Nikon Corporation Procede d'exposition par projection et graveur a projection
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
CN1791839A (zh) 2001-11-07 2006-06-21 应用材料有限公司 光点格栅阵列光刻机
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
SG152063A1 (en) 2002-12-10 2009-05-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
KR20110086130A (ko) 2002-12-10 2011-07-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101157002B1 (ko) 2002-12-10 2012-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
WO2004053952A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101036114B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
AU2003289272A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
EP1573730B1 (en) 2002-12-13 2009-02-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
EP1579435B1 (en) 2002-12-19 2007-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150038563A (ko) * 2004-06-10 2015-04-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR100720242B1 (ko) * 2005-06-28 2007-05-22 주식회사 하이닉스반도체 이머젼 리소그래피 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US7009682B2 (en) 2006-03-07
TW200421043A (en) 2004-10-16
SG131766A1 (en) 2007-05-28
CN1501170B (zh) 2010-04-21
US20060098180A1 (en) 2006-05-11
KR100588125B1 (ko) 2006-06-09
US7119881B2 (en) 2006-10-10
JP2004172621A (ja) 2004-06-17
CN1501170A (zh) 2004-06-02
TWI238295B (en) 2005-08-21
US20040114117A1 (en) 2004-06-17
JP3978421B2 (ja) 2007-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100588125B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
US9639006B2 (en) Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
EP1420302A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100665749B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 측정시스템
KR100609113B1 (ko) 리소그래피장치, 디바이스 제조방법
JP4373376B2 (ja) アライメント方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法並びにアライメントツール
KR100706934B1 (ko) Ｚ오프셋 및 비-수직 조명으로 인한 마스크 대물시프트의 ｙ에서의 위치보정
US7804584B2 (en) Integrated circuit manufacturing methods with patterning device position determination
KR100646327B1 (ko) 투영시스템 및 그 사용 방법
KR100589230B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
KR100554247B1 (ko) 리소그래피장치, 디바이스 제조방법 및 이에 따라 제조된디바이스
KR100588126B1 (ko) 리소그래피장치, 디바이스 제조방법 및 광학요소 제조방법
JP5033175B2 (ja) リソグラフィ装置及びパターニングデバイス
KR100549780B1 (ko) 정렬 툴, 리소그래피장치, 정렬방법, 디바이스제조방법 및그 제조된 디바이스
KR100563103B1 (ko) 광학요소를 제조하는 방법, 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
KR100566144B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
KR100588114B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP2005311378A (ja) デバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140523

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150526

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160520

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170519

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee