KR20030065387A - 논리회로 및 반도체장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 고전위측 전원이 공급되는 제 1 전원공급단자와,저전위측 전원이 공급되는 제 2 전원공급단자를 갖고,상기 제 1 전원공급단자 및 상기 제 2 전원공급단자로부터의 전원공급에 의해 동작가능한 트랜지스터를 포함하는 논리게이트부와,상기 제 2 전원공급단자와 상기 저전위측 전원과의 사이에 설치되고, 입력된 제어신호에 따라 상기 논리게이트부에의 전원공급을 차단가능한 n채널형 제 1 트랜지스터와,상기 고전위측 전원과 상기 논리게이트부의 출력노드와의 사이에 설치되고,상기 제 1 트랜지스터에 의한 상기 전원공급의 차단동작에 연동하여 상기 논리게이트부의 출력노드를 하이 레벨로 고정가능한 p채널형 제 2 트랜지스터와, 를 갖고,상기 제 1 트랜지스터 및 상기 제 2 트랜지스터의 임계치는 상기 논리게이트부를 구성하는 트랜지스터의 임계치보다도 높게 설정되는 논리회로.
- 고전위측 전원이 공급되는 제 1 전원공급단자와,저전위측 전원이 공급되는 제 2 전원공급단자를 갖고,상기 제 1 전원공급단자 및 상기 제 2 전원공급단자로부터의 전원공급에 의해 동작가능한 트랜지스터를 포함하는 논리게이트부와,상기 제 2 전원공급단자와 상기 저전위측 전원사이에 설치되고, 입력된 제어신호에 따라 상기 논리게이트부에의 전원공급을 차단가능한 n채널형 제 1 트랜지스터와,상기 저전위측 전원과 상기 논리게이트부의 출력노드사이에 설치되고, 상기 제 1 트랜지스터에 의한 상기 전원공급의 차단동작에 연동하여 상기 논리게이트부의 출력노드를 로 레벨로 고정가능한 n채널형 제 2 트랜지스터와, 를 갖고,상기 제 1 트랜지스터 및 제 2 트랜지스터의 임계치는 상기 논리게이트부를 구성하는 트랜지스터의 임계치보다도 높게 설정되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 논리회로.
- 청구항 1 또는 2에 있어서,상기 논리게이트부에 있어서 제 2 전원공급단자는 상기 논리게이트부의 내부구성에 따라 서로 독립된 복수의 단자를 포함하고, 상기 제 1 트랜지스터는 상기 복수의 단자에 대응하여 배치된 복수의 트랜지스터를 포함하는 논리회로.
- 고전위측 전원이 공급되는 제 1 전원공급단자와,저전위측 전원이 공급되는 제 2 전원공급단자를 갖고,상기 제 1 전원공급단자 및 상기 제 2 전원공급단자로부터의 전원공급에 의해 동작가능한 트랜지스터를 포함하는 논리게이트부와,상기 제 1 전원공급단자와 상기 고전위측 전원사이에 설치되고, 입력된 제어신호에 따라 상기 논리게이트부에의 전원공급을 차단가능한 p채널형 제 1 트랜지스터와,상기 저전위측 전원과 상기 논리게이트부의 출력노드사이에 설치되고, 상기 제 1 트랜지스터에 의한 상기 전원공급의 차단동작에 연동하여 상기 논리게이트부의 출력노드를 로 레벨로 고정가능한 n채널형 제 2 트랜지스터와, 를 갖고,상기 제 1 트랜지스터 및 제 2 트랜지스터의 임계치는 상기 논리게이트부를 구성하는 트랜지스터의 임계치보다도 높게 설정되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 논리회로.
- 청구항 1, 2 또는 4 중 어느 하나에 있어서,상기 논리게이트부는, 상기 출력노드에 접속된 출력을 갖는 NOR회로를 포함하는 논리회로.
- 청구항 1, 2 또는 4 중 어느 하나에 있어서,상기 논리회로는 반도체장치에 포함되고, 상기 반도체장치는 입력된 어드레스신호를 디코드하기 위한 디코드배선군과,상기 디코드배선군의 논리신호에 따른 디코드출력을 얻기 위한 복수의 디코드논리회로를 포함하는 디코더를 포함하고,상기 복수의 디코드논리회로는 상기 논리회로를 포함하는 논리회로.
- 청구항 1, 2 또는 4에 있어서,상기 논리회로는 반도체장치에 포함되고, 상기 반도체장치는 클록 드라이버회로를 포함하고, 상기 클록 드라이버회로는, 클록신호를 설치하기 위한 클록입력단자와,선택신호를 설치하기 위한 선택신호 입력단자를 포함하는 클록 드라이버를 복수 포함하고,상기 복수의 클록 드라이버는 상기 논리회로를 포함하고, 상기 클록 입력단자를 통해 입력된 클록신호가 상기 논리게이트부에 입력되고, 상기 선택신호 입력단자를 통해 입력된 선택신호가 상기 제어신호로서 상기 제 1 트랜지스터에 전달되는 논리회로.
- 청구항 1, 2 또는 4 중 어느 하나에 있어서,상기 논리회로는 반도체장치에 포함되고, 상기 반도체장치는 신호출력을 위한 출력버퍼와,입력데이터에 따라 상기 출력버퍼를 구동하기 위한 출력드라이버를 포함하고,상기 출력 드라이버는 상기 논리회로를 포함하는 논리회로.
- 청구항 1, 2 또는 4 중 어느 하나에 있어서,상기 논리회로는 반도체장치에 포함되고, 상기 반도체장치는 신호출력을 위한 출력버퍼와, 입력데이터에 따라 상기 출력버퍼를 구동하기 위한 출력 드라이버를 포함하고,상기 출력 드라이버는 복수의 출력 드라이버회로와, 상기 출력 드라이버회로를 제어하므로써 상기 출력버퍼에서 출력되는 신호파형의 시작, 마침특성을 전환하기 위한 전환제어회로를 포함하고,상기 출력 드라이버회로 및 상기 전환제어회로는 상기 논리회로를 포함하는 논리회로.
- 제 1 전압을 받는 제 1 전압단자와,상기 제 1 전압보다도 큰 제 2 전압을 받는 제 2 전압단자와,제 1 단자와, 상기 제 2 전압단자에 접속된 제 2 단자와, 출력단자와, 제 1 N형 트랜지스터와,제 1 P형 트랜지스터를 포함하는 논리회로와,상기 제 1 전원단자와 상기 제 1 단자 사이에 접속된 소스 드레인경로와 제어신호를 받는 게이트를 갖는 제 2 N형 트랜지스터와,상기 제 2 전압단자와 상기 출력단자 사이에 접속된 소스 드레인경로와 상기 제어신호를 받는 게이트를 갖는 제 2 P형 트랜지스터를 포함하고,상기 제 2 N형 트랜지스터의 역치는 상기 제 1N형 트랜지스터의 역치보다도 크고,상기 제 2P형 트랜지스터의 역치는 상기 제 1P형 트랜지스터의 역치보다도큰 반도체 장치.
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- 청구항 10 또는 11에 있어서,상기 논리회로는 상기 출력단자에 접속된 NOR회로를 포함하고,상기 NOR회로는 상기 제 1N형 트랜지스터 및 상기 제 1P형 트랜지스터를 포함하는 반도체장치.
- 청구항 10에 있어서,상기 제 2N형 트랜지스터는 상기 논리회로의 서브 스레솔드전류를 저감하기 위한 트랜지스터이고,상기 제 2P형 트랜지스터는 상기 논리회로의 상기 출력단자의 전위를 상기 제 2 전압으로 고정하기 위한 트랜지스터인 반도체장치.
- 청구항 11에 있어서,상기 제 2P형 트랜지스터는 상기 논리회로의 서브 스레숄드전류를 저감하기 위한 트랜지스터이고,상기 제 2N형 트랜지스터는 상기 논리회로의 상기 출력단자의 전위를 상기 제 1전압으로 고정하기 위한 트랜지스터인 반도체장치.
- 청구항 10 또는 11에 있어서,상기 반도체장치는 데이터출력단자와,상기 데이터출력단자에 접속된 데이터출력회로를 더 포함하고,상기 데이터출력회로는 상기 논리회로를 포함하는 반도체장치.
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