KR20030043005A - 웨이퍼 서셉터 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 웨이퍼 서셉터는, 세라믹 몸체; 상기 세라믹 몸체 내에 설치되는 서셉터 RF 전극; 상기 서셉터 RF전극의 하부에 위치하도록 상기 서셉터 RF 전극과 소정간격 이격되어 상기 세라믹 몸체 내에 설치되는 히터; 및 상기 히터 및 상기 서셉터 RF 전극과는 닿지 않으면서 상기 서셉터 RF 전극과 히터 사이에 위치하도록 상기 세라믹 몸체 내에 설치되고 전기적으로는 접지되는 금속재질의 RF 실드(shield); 을 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 서셉터 RF 전극에 RF를 인가할 경우에 히터가 RF 노이즈에 의하여 영향 받는 것을 최소화시킬 수 있게 된다. 따라서, 서셉터를 고온으로 가열하면서도 서셉터에 RF를 인가시킬 수 있게 되어 고밀도의 박막을 증착시킴과 동시에 스트레스 및 스텝 카바리지(step coverage) 등과 같은 박막 스트레스를 제어할 수 있을 뿐만 아니라 박막 특성을 조절할 수 있다. 그리고, 장비의 전원시스템의 안정화를 이끌 수 있다.
Description
본 발명은 웨이퍼 서셉터에 관한 것으로서, 특히 RF 전극과 히터의 역할을함께 하는 웨이퍼 서셉터에 관한 것이다.
반도체소자 제조공정에 많이 사용되는 공정 중의 하나가 PECVD 공정이다. PECVD 공정은 통상의 CVD 공정과 달리 플라즈마를 이용하여 공정기체를 활성화(activation)시킨 상태에서 공정을 진행하기 때문에 통상의 CVD 공정보다 더 낮은 공정온도에서 공정을 진행시킬 수 있다는 등 여러 장점을 가지고 있다.
도 1은 통상의 PECVD 장치를 설명하기 위한 개략도이다. 도 1을 참조하면, 반응챔버(10) 내에는 웨이퍼(25)가 안착되어지는 서셉터(70)가 설치되어 있으며, 반응챔버(10)의 상부공간에는 상부 RF 전극(30)이 설치되어 있다.
통상, PECVD 장치는 듀얼(dual) RF 소스를 갖지 않기 때문에 하부전극인 서셉터는 접지되어 있고, 상부전극은 평판형 전극 또는 돔(dome)형 전극으로서 이에 RF 전력을 인가하는 구조로 되어 있다. 때로는 막질의 특성을 개선하기 위해 하부전극인 서셉터에 RF 전력을 인가하기도 한다.
상부 RF 전극(30)에 RF 전력을 인가하면, 반응챔버(10) 내에 플라즈마가 발생하게 되고, 이렇게 플라즈마가 발생하면 셀프 바이어스(self-bias)에 의하여 플라즈마 내의 양이온들이 웨이퍼(25) 쪽으로 끌려들어가 웨이퍼(25)에 박막이 증착되게 된다. 통상 서셉터는 접지시키지만, 때로는 이러한 효과를 더 극대화시키기 위하여 서셉터(70) 내에 서셉터 RF 전극(22)을 설치하여 여기에도 RF 전력을 인가한다. 또한, 서셉터 RF 전극(22)에 RF 전력을 인가함으로써 웨이퍼(25)에 증착되는 박막층의 표면압축력과 표면장력을 제어할 수도 있다. 뿐만 아니라, 웨이퍼 상의 패턴이 플라즈마에 의한 손상을 받지 않도록 제어할 수도 있다. 이는 패턴 사이에쌓이는 전하를 바이어스(bias) RF로 소멸시키기 때문이다.
한편, 웨이퍼(25)에 고밀도의 막을 증착하기 위해서는 웨이퍼(25)를 500℃ 또는 그 이상으로 가열할 필요가 있다. 통상 이러한 가열을 위해 서셉터(70) 내에 히터(미도시)를 설치한다.
그러나, 서셉터 RF 전극(22)에 RF 전력을 인가하면 RF 노이즈에 의하여 히터가 영향을 받아 신뢰성 있는 박막형성이 되지 못하며, 플라즈마 효율도 저하되고, 히터의 온도제어시스템도 영향을 받게 된다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, RF 전극과 히터의 역할을 겸용하는 웨이퍼 서셉터에 있어서 히터에 미치는 RF 전극의 RF 노이즈 영향을 최소화시킴으로써 상술한 종래의 문제점을 해결할 수 있는 웨이퍼 서셉터를 제공하는 데 있다.
도 1은 통상의 PECVD 장치를 설명하기 위한 개략도;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 서셉터를 설명하기 위한 개략도;
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 특징부인 서셉터의 여러 실시예를 설명하기 위한 도면들이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 참조번호의 설명 >
10: 반응챔버 20: 세라믹 몸체
22: 서셉터 RF 전극 23: RF 실드
24: 히터 25: 웨이퍼
30: 상부 RF 전극 70: 서셉터
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 서셉터는, 세라믹 몸체; 상기 세라믹 몸체 내에 설치되는 서셉터 RF 전극; 상기 서셉터 RF전극의 하부에 위치하도록 상기 서셉터 RF 전극과 소정간격 이격되어 상기 세라믹 몸체 내에 설치되는 히터; 및 상기 히터 및 상기 서셉터 RF 전극과는 닿지 않으면서 상기 서셉터 RF 전극과 히터 사이에 위치하도록 상기 세라믹 몸체 내에 설치되고 전기적으로는 접지되는 금속재질의 RF 실드(shield); 을 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 RF 실드는 판, 그물망 또는 상기 세라믹 몸체에 코팅되어 형성되는 박막에 의해 형성된 것일 수 있다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 도면에 있어서, 도 1과 동일한 참조번호는 동일 기능을 수행하는 구성요소를 나타내며 반복적인 설명은 생략한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 서셉터를 설명하기 위한 개략도이다. 도 2를 참조하면, 서셉터(70)는 세라믹 몸체(20), 서셉터 RF 전극(22), 히터(24) 및 RF 실드(shield, 23)로 구성된다.
세라믹 몸체(20)는 AlN 또는 Al2O3으로 이루어진다. 서셉터 RF 전극(22), 히터(24) 및 RF 실드(23)는 모두 세라믹 몸체(20) 내에 설치된다. 히터(24)는 RF 서셉터 전극(22)과 소정간격 이격되어 서셉터 RF 전극(22)의 하부에 위치한다. 히터(24)는 세라믹 몸체(20)와 긴밀하게 접하는 것이 아니므로 히터(24) 주위에는 약간의 공간(H)이 형성된다. 본 실시예에서는, 히터(24) 주위에는 약간의 공간(H)이 형성된 것을 예로 들었지만, 히터(24)가 세라믹 몸체(20)와 긴밀하게 접하여 히터(24) 주위에 공간이 없는 구조를 가져도 무방하다.
RF 실드(23)는 서셉터 RF 전극(22)과 히터(24) 사이의 RF 전계를 약화시키는 그리드(grid) 전극의 역할을 하며, 히터(24) 및 서셉터 RF 전극(22)과 닿지 않으면서 서셉터 RF 전극(22)과 히터(24) 사이에 위치하도록 설치된다. RF 실드(23)는 고온에 견딜 수 있는 SUS, Mo 또는 W 등의 금속으로 이루어지며 접지된다. 또는 RF 실드가 히터 주변을 감아 쌓는 구조로 설치될 수도 있다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 특징부인 서셉터(70)의 여러 실시예를 설명하기 위한 도면들이다.
도 3a는 RF 실드(23)가 히터(24)를 덮도록 세라믹 몸체(20) 내부에 설치되는 경우이다. RF 실드(23)는 세라믹 몸체(20)에 금속박막을 코팅함으로써 얻어진다. 물론, RF 실드(23)는 금속판 또는 그물망을 가지고도 이와 같은 형태로 만들 수 있다. 그물망을 이용할 경우에는 구멍크기가 인치당 5 내지 100메시(mesh)인 것이 적당하다.
RF 실드(23)가 금속박막에 의해서 형성된 것일 경우에는 서셉터(70)의 가열과 냉각과정에서 금속박막과 세라믹 몸체(20)의 열팽창계수의 차이에 의하여 금속박막이 떨어져 나갈 수 있으므로 열팽창계수의 차이에 의한 영향을 최소화시키기 위하여 금속박막을 가능한 얇게 예컨대 0.1nm 내지 0.5mm의 두께로 형성하는 것이 좋다.
도 3b는 RF 실드(23)가 히터(24)와 세라믹 몸체(20) 사이에 형성된 공간(H)에 설치되는 경우이다. 세라믹 몸체(20)는 하부몸체에 홈을 파서 거기에 히터(24)를 설치한 후 상부몸체를 덮어서 만들므로, 히터(24)와 세라믹 몸체(20) 사이에 공간(H)이 형성된다.
세라믹 몸체(20)의 하부몸체와 상부몸체를 결합하기 전에 공간(H)의 상면 및 측면에 금속판 또는 그물망을 부착시키든지, 아니면 금속을 코팅하여 금속박막을형성시키는 과정을 먼저 거친 다음에 하부몸체와 상부몸체를 결합시키면 손쉽게 RF 실드(23)를 형성시킬 수 있다. 물론, RF 실드(23)와 히터(24)가 서로 접촉되지 않도록 주의하여야 한다. 주변의 홈은 상부세라믹과 하부세라믹을 정렬하여 조립할 수 있으며, 외부에서 형성된 플라즈마가 내부 히터 등에 영향을 주지 않도록 하는 역할을 한다.
한편, 도 3c와 같이 공간(H)의 측면에 세라믹 기둥(26)을 설치한 다음에 그 기둥상에 금속판이나 그물망을 걸치게 하여 RF 실드(23)를 형성할 수도 있다.
도 3d는 RF 실드(23)가 히터(24)를 감싸도록 설치되는 경우이다. 이러한 구조의 경우에는 통상적으로 RF 실드(23)는 실린더형(cylinder type)을 하게 된다. 여기서의 RF 실드(23)는 금속판이나 그물망을 이용하여 만들 수 있으며, 경우에 따라서는 세라믹 몸체(20)에 금속박막을 코팅하여 형성시킬 수도 있다. 도 3d(나)는 그물망을 이용한 실린더형을 도시한 것이다.
상술한 바와 같은 본 발명에 의하면, 서셉터 RF 전극(22)과 히터(24) 사이에 그리드 전극으로서 금속재질의 RF 실드(23)를 설치하여 접지시킴으로써 서셉터 RF 전극(22)에 RF를 인가할 경우에 히터(24)가 RF 노이즈에 의하여 영향 받는 것을 최소화시킬 수 있게 된다.
따라서, 본 발명에 의하면, 서셉터(70)를 고온으로 가열하면서도 서셉터(70)에 RF를 인가시킬 수 있게 되어 고밀도의 박막을 증착시킴과 동시에 스트레스 및스텝 카바리지 등과 같은 박막 스트레스를 제어할 수 있을 뿐만 아니라 박막 특성을 조절할 수 있다. 그리고, 장비의 전원시스템의 안정화를 이끌 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.
Claims (8)
- 세라믹 몸체;상기 세라믹 몸체 내에 설치되는 서셉터 RF 전극;상기 서셉터 RF전극의 하부에 위치하도록 상기 서셉터 RF 전극과 소정간격 이격되어 상기 세라믹 몸체 내에 설치되는 히터; 및상기 히터 및 상기 서셉터 RF 전극과는 닿지 않으면서 상기 서셉터 RF 전극과 히터 사이에 위치하도록 상기 세라믹 몸체 내에 설치되고 전기적으로는 접지되는 금속재질의 RF 실드(shield); 을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 서셉터.
- 제1항에 있어서, 상기 세라믹 몸체가 AlN 또는 Al2O3으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 서셉터.
- 제1항에 있어서, 상기 RF 실드가 고온에 견디는 금속인 SUS, Mo 또는 W인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 서셉터.
- 제1항에 있어서, 상기 RF 실드가 판, 그물망 또는 상기 세라믹 몸체에 코팅되어 형성되는 박막에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 웨이퍼 서셉터.
- 제4항에 있어서, 상기 RF 실드가 박막에 의해 형성된 것일 경우에 상기 박막의 두께가 0.1nm 내지 0.5mm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 서셉터.
- 제4항에 있어서, 상기 RF 실드가 그물망에 의해 형성된 것일 경우에 그 구멍크기가 인치당 5 내지 100 메시(mesh)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 서셉터.
- 제1항에 있어서, 상기 RF 실드가 상기 히터를 감싸도록 설치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 서셉터.
- 제7항에 있어서, 상기 RF 실드가 실린더형(cylinder type)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 서셉터.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100830237B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2008-05-16 | 주식회사 테라세미콘 | 대면적 기판 처리 시스템의 서셉터 구조물 |
KR101046963B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2011-07-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 클램핑 전기 커넥터를 구비한 기판 지지부 |
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Families Citing this family (235)
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US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
KR102457649B1 (ko) * | 2016-04-22 | 2022-10-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 한정 피쳐들을 갖는 기판 지지 페디스털 |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
JP6615134B2 (ja) | 2017-01-30 | 2019-12-04 | 日本碍子株式会社 | ウエハ支持台 |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
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CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
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JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
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USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5187347A (en) | 1991-01-28 | 1993-02-16 | Motorola, Inc. | Susceptor electrode and method for making same |
US5800618A (en) * | 1992-11-12 | 1998-09-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof |
US5478429A (en) * | 1993-01-20 | 1995-12-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma process apparatus |
US5581874A (en) * | 1994-03-28 | 1996-12-10 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a bonding portion |
US5817406A (en) | 1995-07-14 | 1998-10-06 | Applied Materials, Inc. | Ceramic susceptor with embedded metal electrode and brazing material connection |
KR980005304U (ko) * | 1996-06-29 | 1998-03-30 | 고주파를 이용하는 반도체 제조장비의 잡음원 차폐및 챔버 가열장치 | |
US6308654B1 (en) * | 1996-10-18 | 2001-10-30 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled parallel-plate plasma reactor with a conical dome |
JPH10204645A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-04 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 下部電極 |
US6035101A (en) * | 1997-02-12 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods |
US6082297A (en) * | 1997-09-12 | 2000-07-04 | Novellus Sytems, Inc. | Encapsulated thermofoil heater apparatus and associated methods |
JP2000286239A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Rohm Co Ltd | 半導体基板用プラズマ表面処理装置 |
KR100541541B1 (ko) * | 1999-08-26 | 2006-01-12 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 증착장비의 프로세스 챔버 |
JP3746935B2 (ja) * | 2000-04-05 | 2006-02-22 | 住友大阪セメント株式会社 | サセプタ及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-11-26 KR KR1020010073961A patent/KR100588774B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-11-18 US US10/295,954 patent/US6683274B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-18 TW TW091133593A patent/TWI267161B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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