KR20010095183A - 고분자 형광체, 이의 제조방법 및 이를 사용하는 고분자발광소자 - Google Patents
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Abstract
Description
피크 함량 | 비율(%) | 각주 |
착물 131 | 12.2 | 비반응성, 반응중 제거 |
착물 286 | 33.7 | 중합체의 말단에 부착 |
착물 3100 | 39.2 | 중합체의 주쇄 부분에 도입 |
착물 438 | 14.9 | 분지된 구조를 형성함 |
Claims (18)
- 고체 상태에서 형광을 방출하고 폴리스티렌으로 환산한 수평균분자량이 103내지 108이며 주쇄 부분에 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 1개 이상 포함하는 고분자 형광체(여기서, 고분자 형광체 속에 포함되어 있는 모든 반복 단위들 중의 0.05 내지 10몰%의 반복 단위는 화학식 1의 분지된 중합체 쇄를 갖는다).화학식 1위의 화학식 1에서,Ar1은 탄소수 6 내지 60의 아릴렌 그룹, 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 및 리간드로서 탄소수 4 내지 60의 유기 화합물 1종 이상을 갖는 금속 착물을 포함하는 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 그룹이고,Ar1는 치환체를 1개 이상 가질 수 있으며,R1및 R2는 서로 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬 그룹, 탄소수 6 내지 60의 아릴 그룹, 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹 및 시아노 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 그룹이고,n은 0 또는 1이다.
- 제1항에 있어서, 주쇄 부분에 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 반복 단위를 각각 1개 이상 포함하고, 이들 반복 단위의 총량이 전체 반복 단위의 양을 기준으로 하여 50몰% 이상이며, 화학식 2의 반복 단위의 양이 화학식 1 및 화학식 2의 반복 단위의 총량을 기준으로 하여 0.1 내지 10몰%이고, 화학식 2의 반복 단위에서 분지되는 중합체 쇄를 분지점으로서 갖는 고분자 형광체.화학식 2화학식 3위의 화학식 2 및 화학식 3에서,Ar2는 탄소수 6 내지 60의 아릴렌 그룹 또는 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹이고,Ar2는 추가로 치환체를 1개 이상 가질 수 있으며,Ar2가 다수의 치환체를 가질 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있고,X1은 화학식 3의 그룹으로서 주쇄의 일부를 형성하며,기호 "l"은 1 내지 4의 정수이고,R3및 R4는 서로 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬 그룹, 탄소수 6 내지 60의 아릴 그룹, 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹 및 시아노 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 그룹이며,m은 0 또는 1이고,Ar3은 탄소수 6 내지 60의 아릴렌 그룹 또는 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹이며,Ar3은 치환체를 1개 이상 가질 수 있고,R5, R6, R7및 R8은 서로 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬 그룹, 탄소수 6 내지 60의 아릴 그룹, 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹 및 시아노 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 그룹이며,j 및 k는 서로 독립적으로 0 또는 1이다.
- 제1항에 있어서, 주쇄 부분에 화학식 1 및 화학식 4의 반복 단위를 각각 1개 이상 포함하고, 이들 반복 단위의 총량이 모든 반복 단위의 양을 기준으로 하여 50몰% 이상이고, 화학식 4의 반복 단위의 양이 화학식 1 및 화학식 4의 반복 단위의 총량을 기준으로 하여 0.1 내지 10몰%이며, 화학식 4의 반복 단위에서 분지되는 중합체 쇄를 분지점으로서 갖는 고분자 형광체.화학식 4위의 화학식 4에서,Ar4및 Ar5는 탄소수 6 내지 60의 아릴렌 그룹 또는 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹이고,Ar4및 Ar5는 치환체를 1개 이상 가질 수 있으며,R9는 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬 그룹, 탄소수 6 내지 60의 아릴 그룹, 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹 및 시아노 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 그룹이다.
- 제1항에 있어서, 주쇄 부분에 화학식 1 및 화학식 5의 반복 단위를 각각 1개 이상 포함하고, 이들 반복 단위의 총량이 모든 반복 단위의 양을 기준으로 하여 50몰% 이상이고, 화학식 5의 반복 단위의 양이 화학식 1 및 화학식 5의 반복 단위의 총량을 기준으로 하여 0.1 내지 10몰%이며, 화학식 5의 반복 단위에서 분지되는 중합체 쇄를 분지점으로서 갖는 고분자 형광체.화학식 5화학식 6위의 화학식 5 및 화학식 6에서,Ar6은 리간드로서 탄소수 4 내지 60의 유기 화합물을 갖는 금속 착물을 포함하는 그룹(여기서, 금속 착물은 인접한 반복 단위와 연결된 리간드를 2개 이상 가지며, 금속 착물은 이의 전체적 구조면에서 볼 때 인접한 반복 단위 3개 이상과 연결된 분지점을 형성한다)이고,X2는 화학식 6의 그룹으로서 중합체 쇄의 일부를 형성하고,h는 1 내지 4의 정수이며,Ar6은 추가로 치환체를 1개 이상 가질 수 있고,Ar6이 다수의 치환체를 가질 경우, 이들은 동일하거나 상이할 수 있으며,R10및 R11은 서로 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬 그룹, 탄소수 6 내지 60의 아릴 그룹, 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹 및 시아노 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 그룹이고,i는 0 또는 1이며,Ar7은 중합체 쇄 부분에 포함된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌 그룹 또는 중합체 쇄 부분에 포함된 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹이고,Ar7은 치환체를 1개 이상 가질 수 있으며,R12, R13, R14및 R15는 서로 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬 그룹, 탄소수 6 내지 60의 아릴 그룹, 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹 및 시아노 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 그룹이고,g 및 f는 서로 독립적으로 0 또는 1이다.
- 각각 1종 이상의 화학식 7, 화학식 8 및 화학식 9의 화합물을, 화학식 9의 화합물의 양의 범위가 화학식 7, 화학식 8 및 화학식 9의 화합물의 총량을 기준으로 하여 0.05 내지 10몰%로 되도록 하여 반응시킴을 특징으로 하는, 제1항, 제2항 또는 제4항에 따르는 고분자 형광체의 제조방법.화학식 7X3-Ar8-X3화학식 8X4-Ar9-X4화학식 9Ar10-(X4)a화학식 10-CR10=CR17-위의 화학식 7 내지 화학식 10에서,Ar8내지 Ar10은 서로 독립적으로 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소 그룹, 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹 및 리간드로서 탄소수 4 내지 60의 유기 화합물을 갖는 금속 착물을 포함하는 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 그룹이고,Ar8내지 Ar10은 치환체를 1개 이상 가질 수 있으며,X3및 X4는 서로 반응하여 탄소-탄소 단일결합 또는 화학식 10의 구조를 형성하는 반응성 치환체이고,X3및 X4는 서로 상이한 그룹이며,a는 3 내지 6의 정수이고,R16및 R17은 서로 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬 그룹, 탄소수 6 내지 60의 아릴 그룹, 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹 및 시아노 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 그룹이다.
- 각각 1종 이상의 화학식 11, 화학식 12 및 화학식 13의 화합물을, 화학식 12의 화합물의 양의 범위가 화학식 11, 화학식 12 및 화학식 13의 화합물의 총량을 기준으로 하여 90 내지 99.95몰%로 되도록 하여 반응시킴을 특징으로 하는, 제1항, 제2항 또는 제4항에 따르는 고분자 형광체의 제조방법.화학식 11Ar11-(X5)b화학식 12X6-Ar12-X6화학식 13X6-Ar13-(X5)c위의 화학식 11 내지 화학식 13에서,Ar11내지 Ar13은 서로 독립적으로 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소 그룹, 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹 및 리간드로서 탄소수 4 내지 60의 유기 화합물을 갖는 금속 착물을 포함하는 그룹이고,Ar11내지 Ar13은 서로 독립적으로 치환체를 가질 수 있으며,X5및 X6은 서로 반응하여 탄소-탄소 단일결합 또는 화학식 10의 구조를 형성하는 반응성 치환체이고,X5및 X6은 서로 상이한 그룹이며,b는 3 내지 6의 정수이고,c는 2 내지 5의 정수이다.
- 각각 1종 이상의 화학식 11 및 화학식 12의 화합물을, 화학식 11의 화합물의 양이 화학식 11 및 화학식 12의 화합물의 총량을 기준으로 하여 0.05 내지 10몰% 범위로 되도록 하여 반응시킴을 특징으로 하는, 제1항, 제2항 또는 제4항에 따르는 고분자 형광체의 제조방법.
- 각각 1종 이상의 화학식 14 및 화학식 15의 화합물과 각각 1종 이상의 화학식 16, 화학식 17 및 화학식 18의 화합물을, 화학식 14 및 15의 화합물의 총량이 화학식 14, 화학식 15, 화학식 16, 화학식 17 및 화학식 18의 화합물의 총량을 기준으로 하여 0.05 내지 10몰%로 되도록 하여 반응시킴을 특징으로 하는, 제1항 또는 제3항에 따르는 고분자 형광체의 제조방법.화학식 14X7-Ar14-X7화학식 15X8-Ar15-X8화학식 16화학식 17화학식 18위의 화학식 14 내지 화학식 18에서,Ar14내지 Ar27은 서로 독립적으로 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소 그룹, 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹 및 리간드로서 탄소수 4 내지 60의 유기 화합물을 갖는 금속 착물을 포함하는 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 그룹이고,Ar14내지 Ar27은 서로 독립적으로 치환체를 1개 이상 가질 수 있으며,X7및 X8은 서로 반응하여 탄소-탄소 단일결합 또는 화학식 10의 구조를 형성하는 반응성 치환체이고,X7및 X8은 서로 상이한 그룹이며,R18내지 R20은 서로 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬 그룹, 탄소수 6 내지 60의 아릴 그룹, 탄소수 4 내지 60의 헤테로사이클릭 화합물 그룹 및 시아노 그룹으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 그룹이다.
- 양극 및 음극 중에서 적어도 하나가 투명하거나 반투명한 양극 및 음극으로 이루어진 한 쌍의 전극과 이들 전극 사이에 배치되어 있는 발광층 1개 이상을 포함하는 고분자 발광소자로서, 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 따르는 고분자 형광체가 발광층 속에 포함되어 있는 고분자 발광소자.
- 제9항에 있어서, 전도성 중합체를 포함하는 층이 적어도 전극 하나와 발광층 사이에 배치되어 있고, 전도성 중합체를 포함하는 층이 전극에 인접하도록 배치되어 있는 고분자 발광소자.
- 제9항에 있어서, 두께가 2㎚ 이하인 절연층이 적어도 전극 하나와 발광층 사이에 배치되어 있고, 절연층이 전극에 인접하도록 배치되어 있는 고분자 발광소자.
- 제9항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 있어서, 전자 운반 화합물을 포함하는 층이 음극과 발광층 사이에 배치되어 있고, 전자 운반 화합물을 포함하는 층이 발광층과 인접하도록 배치되어 있는 고분자 발광소자.
- 제9항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 있어서, 홀 운반 화합물을 포함하는 층이 양극과 발광층 사이에 배치되어 있고, 홀 운반 화합물을 포함하는 층이 발광층과 인접하도록 배치되어 있는 고분자 발광소자.
- 제9항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 있어서, 전자 운반 화합물을 포함하는 층이 음극과 발광층 사이에 배치되어 있고, 전자 운반 화합물을 포함하는 층이 발광층에 인접하도록 배치되어 있으며, 홀 운반 화합물을 포함하는 층이 양극과 발광층 사이에 배치되어 있고, 홀 운반 화합물을 포함하는 층이 발광층에 인접하도록 배치되어 있는 고분자 발광소자.
- 제9항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 따르는 고분자 발광소자를 사용하여 수득한 평면 광원.
- 제9항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 따르는 고분자 발광소자를 사용하여 수득한 세그멘트 표시소자.
- 제9항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 따르는 고분자 발광소자를 사용하여 수득한 도트 매트릭스 표시소자.
- 제9항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 따르는 고분자 발광소자를 백-라이트(back-light)로서 사용하여 수득한 액정 표시소자.
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