KR20010015451A - 자기 헤드, 자기 헤드의 제조 방법, 자기 헤드를 포함하는영상 기록 및 재생 장치, 및 자기 헤드를 포함하는 비디오카메라 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 자기 헤드는 한 쌍의 자기 코어 반부; 및 자기 코어 반부 쌍을 결합시키기 위해 자기 코어 반부 쌍 사이에 제공된 비자성층을 포함한다. 자기 코어 반부 쌍 각각은 산화물 자기 베이스, 산화물 자기 베이스 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층, 및 바탕막과 비자성 층 간에 제공된 금속 자성 박막을 포함한다. 금속 자성 박막은 평균 체적 Va 및 Sa > 약 4.84 Va2/3의 관계를 충족시키는 평균 표면적 Sa를 갖는 자기 결정질 입자를 주 재료로서 함유하는 자성막을 포함한다. 자기 코어 반부 쌍 중의 적어도 하나는 내부에 권선 창을 갖는다. 금속 자성 박막은 금속 자성 박막에서 발생된 내부 스트레스로 인해 산화물 자기 베이스가 크래킹되는 것을 방지하는 방식으로 제공된다.

Description

자기 헤드, 자기 헤드의 제조 방법, 자기 헤드를 포함하는 영상 기록 및 재생 장치, 및 자기 헤드를 포함하는 비디오 카메라{Magnetic head, method for producing the same, video recording and reproduction apparatus including the magnetic head, and video camera including the magnetic head}
(기술분야)
본 발명은 항부식성 및 입출력 특성에서 만족스럽고, 그의 베이스 중에서의 크래킹에 대항하여 충분히 내구적인 자기 헤드; 자기 헤드의 제조 방법; 자기 헤드를 포함하는 영상 기록 및 재생 장치, 및 자기 헤드를 포함하는 비디오 카메라에 관한 것이다.
(종래기술의 설명)
VCR 등을 위한 자기 헤드로서, 한 쌍의 페라이트 섹션을 함께 결합시킴으로써 형성된 자기 코어를 포함하는 페라이트 헤드가 통상적으로 사용된다. 최근에, 자기 기록 밀도의 개선에 따라, 메탈-인-갭 헤드(MIG 헤드)가 종종 사용되어 왔다. MIG 헤드는 기록/재생 갭 근처의 부분에 대한 페라이트의 자속 밀도보다 더 크게 포화된 자속 밀도를 갖는 금속 자기 물질을 사용한다.
도 8은 전형적인 종래의 페라이트 헤드(300)를 개략적으로 나타낸다. 도 9a 내지 9d는 전형적인 종래의 MIG 헤드(400)를 개략적으로 나타낸다.
도 8을 참조하면, 페라이트 헤드(300)는 한 쌍의 페라이트 섹션(F1A 및 F1B), 및 페라이트 섹션(F1A 및 F1B)을 결합시키기 위해 페라이트 섹션(F1A 및 F1B) 쌍 사이에 제공된 비자성 층(N1) 및 유리 결합 섹션(G1) 모두를 포함한다.
도 9a 내지 9d를 참조하면, MIG 헤드(400)는 한 쌍의 자기 코어 반부(MCA 및 MCB), 및 자기 코어 반부(MCA 및 MCB)를 결합시키기 위해 자기 코어 반부(MCA 및 MCB) 쌍 사이에 제공된 비자성 층(N2) 및 유리 결합 섹션(G2) 모두를 포함한다. 자기 코어 반부(MCA)는 페라이트 섹션(F2A), 페라이트 섹션(F2A) 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층(도시되지 않음), 및 바탕층과 비자성 층(N2) 사이에 제공된 금속 자성 박막(FM2)을 포함한다. 자기 코어 반부(MCB)는 페라이트 섹션(F2B), 페라이트 섹션(F2B) 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층(도시되지 않음), 및 바탕층과 비자성 층(N2) 사이에 제공된 금속 자성 박막(FM2)을 포함한다.
금속 자성 박막(FM2)을 위한 물질로서, 무정형 물질(예, 일본국 특허 공개 출원 제63-120653호), Fe-N-기재 물질 및 Fe-C-기재 물질이 개발되어 왔다. Fe-N-기재 물질 및 Fe-C-기재 물질은 약 5 내지 약 20nm의 직경을 갖는 초소형 결정을 증착시키기 위해 Fe를 주로 함유하는 무정형 필름을 열적으로 처리함으로써 얻어진다(예, 하세가와, 저널 오브 더 마그네틱 소사이어티 오브 저팬, 14, 제319-322페이지(1990; 나고, IEEE, Trans., magn., 제28권, 제5호(1992)).
이들 물질 중에서, 자기 금속 구성을 갖고, 그에 따라 1.2T 이상의 고도로 포화된 자속 밀도를 갖고 연자성을 갖는 초소형 결정질 입자를 증착 또는 성장시킴으로써 얻어진 물질은 항부식성을 개선시킬 필요가 있다.
이러한 목적으로, 이들 물질에 대한 부동성을 갖는 가벼운 원소를 부가하려는 시도가 이루어져 왔다. 그러나, 산소, 질소 등과 용이하게 반응하는 가벼운 원소들은 결정을 무정형 또는 초소형으로 만들기 위해 사용된 산소와 반응하고, 따라서 자기 금속 구성을 갖는 초소형 결정질 입자에 남겨지지 않는 경향이 있다.
이러한 문제점을 극복하기 위해, 상기 금속 자기 물질에 수동성을 갖는 가벼운 원소를 부가하는 것 외에, 이들 물질의 자기 결정질 입자들 각각은 비교적 큰 크기 및 비교적 큰 표면적을 갖도록 제어된다. 이와 같이 개발된 금속 자성 박막은 만족스러운 자성, 고도로 포화된 자속 밀도 및 충분한 항부식성을 갖는다(예, 일본국 특허 출원 공개 제10-223435호).
MIG 헤드는 산화물인 페라이트와 금속 자성 박막의 복합 장치이다. 따라서, MIG 헤드는 페라이트가 금속 자성 박막에서 발생된 내부 스트레스에 의해 크래킹될 수 있고, 자성은 페라이트 베이스와 금속 자성 박막 간의 인터페이스에서 반응에 의해 악화될 수 있는 문제점을 포함한다. 상기 문제점들은 MIG 헤드의 구조 또는 금속 자성 박막의 물질 특성에 의해 유발된다.
자기 헤드의 최적 구조는 금속 자성 박막의 물질적 특성에 따라 변화한다. 자기 헤드의 특성을 개선시키기 위해, 페라이트 베이스에서 크래킹 및 자성의 열화라는 문제점을 해결할 뿐만 아니라 물질 디자인을 개선시킬 필요가 있다.
도 1a는 기록 테이프가 주행하는, 본 발명에 따른 제1 실시예에서 자기 헤드 표면의 도면.
도 1b는 도 1a에서 직선 A1-A1을 따라 취한 단면도.
도 1c는 본 발명에 따른 제1 실시예에서 다른 전형적인 자기 헤드를 나타내는 도면.
도 1d는 본 발명에 따른 제1 실시예에서 또 다른 전형적인 자기 헤드를 나타내는 도면.
도 1e는 기록 테이프가 주행하는, 본 발명에 따른 제1 실시예에서 다른 자기 헤드 표면의 도면.
도 2a 내지 2d는 본 발명에 따른 제1 실시예에서 자기 헤드의 재생 방법을 예시하는 등각도.
도 3a는 도 2b에 나타낸 권선 창을 갖는 페라이트 단결정의 확대된 부분 단면도.
도 3b는 도 1b에 나타낸 권선 창을 갖는 페라이트 단결정의 단면도.
도 3c는 본 발명에 따른 제1 실시예에서 자기 헤드의 재생 방법을 예시하는 흐름도.
도 4a는 기록 테이프가 주행하는, 본 발명에 따른 제2 실시예에서 자기 헤드 표면의 도면.
도 4b는 도 4a에서 직선 A2-A2를 따라 취한 단면도.
도 4c는 본 발명에 따른 제2 실시예에서 다른 전형적인 자기 헤드를 나타내는 도면.
도 4d는 본 발명에 따른 제2 실시예에서 또 다른 전형적인 자기 헤드를 나타내는 도면.
도 4e는 기록 테이프가 주행하는, 본 발명에 따른 제2 실시예에서 다른 자기 헤드 표면의 도면.
도 5a 내지 5d는 본 발명에 따른 제2 실시예에서 자기 헤드의 재생 방법을 예시하는 등각도.
도 5e는 본 발명에 따른 제1 실시예에서 자기 헤드의 재생 방법을 예시하는 흐름도.
도 6은 본 발명에 따른 제3 실시예에서 영상 기록 및 재생 장치의 구조를 나타내는 블록도.
도 7은 본 발명에 따른 제4 실시예에서 비디오 카메라의 구조를 나타내는 블록도.
도 8은 전형적인 종래의 페라이트 헤드를 나타내는 개략적인 등각도.
도 9a 내지 9d는 전형적인 종래의 MIG 헤드의 개략도.
* 도면의주요부분에대한부호의설명
100, 100A, 100B, 200, 200A, 200B: 자기 헤드
300: 페라이트 헤드
400: 종래의 MIG 헤드
800: 영상 기록 및 재생 장치
801: 실린더
802: 실린더 구동부
804: 자기 테이프
901: 광학계
902: 마이크로폰
903: 액정 모니터
(발명의 요약)
본 발명의 일면에 따르면, 자기 헤드는 한 쌍의 자기 코어 반부; 및 자기 코어 반부 쌍을 결합시키기 위해 자기 코어 반부 쌍 간에 제공된 비자성층을 포함한다. 자기 코어 반부 쌍 각각은 산화물 자기 베이스, 산화물 자기 베이스 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층, 및 바탕막과 비자성 층 간에 제공된 금속 자성 박막을 포함한다. 금속 자성 박막은 평균 체적 Va 및 Sa > 약 4.84 Va2/9의 관계를 충족시키는 평균 표면적 Sa를 갖는 자기 결정질 입자를 주 재료로서 함유하는 자성막을 포함한다. 자기 코어 반부 쌍 중의 적어도 하나는 내부에 권선 창을 갖는다. 금속 자성 박막은 이 금속 자성 박막에서 발생된 내부 스트레스로 인해 산화물 자기 베이스가 크래킹되는 것을 방지하는 방식으로 제공된다.
본 발명의 일 실시예에서, 금속 자성 박막은 약 50 nm 이상의 보다 긴 측면의 평균 길이를 갖는 자기 결정질 입자를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 자기 결정질 입자는 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 및 일반적으로 바늘 같은 형상 및 일반적으로 기둥 같은 형상의 자기 결정질 입자들을 포함하는 다중-브랜치 형상으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 형상을 갖고; 일반적으로 바늘 같은 형상 및 일반적으로 기둥 같은 형상을 갖는 자기 결정질 입자들은 약 5nm 내지 약 60nm의 보다 짧은 측면의 평균 길이를 갖는다.
본 발명의 일 실시예에서, dS는 자기 결정질 입자들의 보다 짧은 측면의 평균 길이이고, dL은 자기 결정질 입자들의 보다 긴 측면의 평균 길이인 경우, 약 5nm<dS<약 60nm 및 약 60nm<dL<약 5000nm이다.
본 발명의 일 실시예에서, 금속 자성 박막은 (MaXbZc)100-dAd로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 M은 Fe, Co 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 자성 금속 원소를 포함하고; X는 Si, Al, Ga 및 Ge으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; Z는 IVa족 원소, Va족 원소, Al, Ga 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; A는 O 및 N으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c 및 d는 약 0.1≤b ≤약 26, 약 0.1≤c ≤약 5, a+b+c=100, 및 약 1≤d ≤약 10의 관계를 충족시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 자기 코어 반부 쌍 각각은 사이에 개입된 비자성층과 다른 자기 코어 반부와 결합된 결합 표면, 기록 매체가 주행하는 기록 매체 주행 표면, 및 결합 표면으로부터 및 기록 매체 주행 표면으로부터 연속적인 외부 측면 표면을 갖고; 금속 자성 박막은 외부 측면 표면 상에 제공되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에서, 금속 자성 박막은 (FeaSibAlcTid)100-eNe로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 Ti는 Ti 및 Ta로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c, d 및 e는 약 10≤b ≤약 23, 약 0.1≤d ≤약 5, 약 0.1≤c+d ≤약 8, a+b+c+d=100 및 약 1≤e ≤약 10의 관계를 충족시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, Z는 IVa족 원소, Va족 원소 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, X는 Si 및 Ge로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c 및 d는 약 0.1≤b ≤약 23, 약 0.1≤c ≤약 8, a+b+c=100, 및 약 1≤d ≤약 10의 관계를 충족시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 금속 자성 박막은 (FeaSibAlcTid)100-e-fNeOf로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 a, b, c, d, e 및 f는 약 10≤b ≤약 23, 약 0.1≤d ≤약 5, 약 0.1≤c+d ≤약 8, a+b+c+d=100 및 약 1≤e+f ≤약 10, 및 0.1≤f ≤약 5의 관계를 충족시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 적어도 하나의 바탕층은 Al의 산화물, Si의 산화물, Al의 질화물, Si의 질화물 및 이들의 혼합물 중의 적어도 하나를 함유한다.
본 발명의 일 실시예에서, 적어도 하나의 바탕층은 자기 코어 반부와 접촉하는 제1의 바탕층 및 금속 자성 박막과 접촉하는 제2의 바탕층을 포함한다. 제1의 바탕층은 Al의 산화물, Si의 산화물, Al의 질화물, Si의 질화물 및 이들의 혼합물 중의 적어도 하나를 함유한다. 금속 자성 박막은 산소 및 질소 중의 적어도 하나를 함유하고; 제2의 바탕층은 금속 자성 박막의 주성분이고, 산소 및 질소 중의 적어도 하나는 금속 자성 박막에 포함된 양보다 더 큰 양이다. 제2의 바탕층은 결정질 입자들을 함유한다. 결정질 입자들은 제1의 바탕층과 제2의 바탕층 사이의 인터페이스 근처에서 적어도 약 5nm 이하의 평균 입자 직경을 갖는다.
본 발명의 일 실시예에서, 제1의 바탕층은 Al의 산화물을 함유하고, 약 0.5nm 내지 약 4nm의 두께를 갖는다. 제2의 바탕층은 약 0.5nm 내지 약 200nm의 두께를 갖는다.
본 발명의 일 실시예에서, 자기 코어 반부 각각의 산화물 자기 베이스는 페라이트 단결정을 함유한다. 페라이트 단결정은 사이에 개입된 비자성층과 다른 자기 코어 반부와 결합된 자기 코어 반부의 결합 표면에 대응하는 결합 표면, 및 기록 매체가 주행하는 기록 매체 주행 표면을 갖는다.
본 발명의 일 실시예에서, 페라이트 단결정은 Fe2O3A몰%, MnO B몰% 및 ZnO C몰%를 함유하는 MnZn 페라이트 단결정을 포함하고, 여기서, A, B 및 C는 약 52≤A ≤약 57, 약 5≤B ≤약 29, 및 약 16≤C ≤약 21의 관계를 충족시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 자기 코어 반부 쌍 각각은 사이에 개입된 비자성층과 다른 자기 코어 반부와 결합된 결합 표면, 및 기록 매체가 주행하는 기록 매체 주행 표면을 갖는다. 자기 코어 반부 쌍중 적어도 하나는 권선 창을 형성하기 위한 바닥 표면 및 제1의 내부 측면 표면을 갖는다. 제1의 내부 측면 표면은 바닥 표면으로부터 결합 표면으로 확장하고, 바닥 표면에 대하여 기록 매체 주행 표면의 측면 상에 제공된다. 제1의 내부 측면 표면 및 결합 표면에 의해 이루어진 각도는 약 22.5。 내지 약 70。이다.
본 발명의 일 실시예에서, 권선 창은 자기 코어 반부 쌍 중 하나에 제공되고, 제1의 내부 측면 표면 및 결합 표면에 의해 이루어진 각도는 약 45。 내지 약 70。이다.
본 발명의 일 실시예에서, 권선 창은 자기 코어 반부 쌍 모두에 제공되고, 제1의 내부 측면 표면 및 결합 표면에 의해 이루어진 각도는 약 22.5。 내지 약 50。이다.
본 발명의 일 실시예에서, 제1의 내부 측면 표면은 결합 표면에 인접한 제2의 내부 측면 표면 및 바닥 표면에 인접한 제3 내부 측면 표면을 포함한다. 제2의 내부 측면 표면 및 결합 표면에 의해 이루어진 각도는 약 22.5。 내지 약 70。이다. 제3의 내부 측면 표면 및 바닥 표면에 의해 이루어진 각도는 약 90。이다.
본 발명의 일 실시예에서, 권선 창은 자기 코어 반부 쌍 중 하나에 제공되고, 제2의 내부 측면 표면 및 결합 표면에 의해 이루어진 각도는 약 45。 내지 약 70。이다.
본 발명의 일 실시예에서, 권선 창은 자기 코어 반부 쌍 모두에 제공되고, 제2의 내부 측면 표면 및 결합 표면에 의해 이루어진 각도는 약 22.5。 내지 약 50。이다.
본 발명의 일 실시예에서, 금속 자성 박막은 (FeaSibAlcTid)100-e-fNeOf로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 a, b, c, d, e 및 f는 약 10≤b ≤약 13, 약 1≤c ≤약 3, 약 1≤d ≤약 3, a+b+c+d=100, 약 4≤e+f ≤약 10, 및 약 0.1≤f ≤약 2의 관계를 충족시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 자기 코어 반부 각각의 산화물 자기 베이스는 사이에 개입된 비자성 층과 다른 자기 코어 반부의 산화물 자기 베이스와 결합된 결합 표면, 및 결합 표면으로부터 연속되는 측면 표면을 갖는다. 결합 표면 및 측면 표면 각각에 의해 이루어진 각도는 약 70。 내지 약 90。이다. 금속 자성 박막은 결합 표면 상에 제공되지만 측면 표면 상에 제공되지는 않는다.
본 발명의 다른 일면에 따라, 자기 헤드의 제조 방법이 제공된다. 이 자기 헤드는 한 쌍의 자기 코어 반부, 및 자기 코어 반부 쌍을 결합시키기 위해 자기 코어 반부 쌍 간에 제공된 비자성 층을 포함한다. 자기 코어 반부 쌍 각각은 산화물 자기 베이스, 산화물 자기 베이스 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층, 및 바탕층과 비자성 층 간에 제공된 금속 자성 박막을 포함한다. 금속 자성 박막은 평균 체적 Va 및 Sa > 약 4.84 Va2/9의 관계를 충족시키는 평균 표면적 Sa를 갖는 자기 결정질 입자를 주 재료로서 함유하는 자성막을 포함한다. 자기 코어 반부 쌍 중의 적어도 하나는 내부에 권선 창을 갖고, 금속 자성 박막은 이 금속 자성 박막에서 발생된 내부 스트레스로 인해 산화물 자기 베이스가 크래킹되는 것을 방지하는 방식으로 제공되고; 금속 자성 박막은 (MaXbZc)100-dAd로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 M은 Fe, Co 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 자성 금속 원소를 포함하고; X는 Si, Al, Ga 및 Ge으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; Z는 IVa족 원소, Va족 원소, Al, Ga 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; A는 O 및 N으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c 및 d는 약 0.1≤b ≤약 26, 약 0.1≤c ≤약 5, a+b+c=100, 및 약 1≤d ≤약 10의 관계를 충족시킨다. 금속 자성 박막은 자기 결정질 입자들을 포함한다. 자기 결정질 입자는 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 및 일반적으로 바늘 같은 형상 및 일반적으로 기둥 같은 형상의 자기 결정질 입자들을 조합하는 다중-브랜치 형상으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 형상을 갖고; 자기 결정질 입자들은 약 5nm<dS<약 60nm의 보다 짧은 측면의 평균 길이 dS 및 약 60nm<dL<약 5000nm의 보다 긴 측면의 평균 길이 dL을 갖는다, 이 제조 방법은 일반적으로 편평한 산화물 자기 플레이트 쌍 중 적어도 하나에 권선 창을 형성하는 권선 창 형성 단계; 산화물 자기 플레이트 쌍 각각 상에 적어도 하나의 바탕층을 형성하는 바탕층 형성 단계; 바탕층 상에 금속 자성 박막을 형성하는 금속 자성 박막 형성 단계(금속 자성 박막은 가스상 기술에 의해 산소 및 질소 중 적어도 하나를 함유하는 분위기에서 금속 자성 박막의 주성분인 원소를 함유하는 고체 물질을 사용하여 형성되는 것임); 산화물 자기 플레이트, 바탕층 및 금속 자성 박막을 포함하는 몸체에 홈을 형성함으로써 그 홈이 트랙에 대응하는 폭을 갖게 하는 트랙 형성 단계; 및 산화물 자기 플레이트, 바탕층, 및 금속 자성 박막을 포함하는 다른 몸체와, 사이에 개입된 비자성 층과 그 몸체를 결합시키는 결합 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제조 단계들은 권선 창 형성 단계, 바탕층 형성 단계, 금속 자성 박막 형성 단계, 트랙 형성 단계, 및 이어서 결합 단계의 순서로 수행된다.
본 발명의 일 실시예에서, 제조 단계들은 바탕층 형성 단계, 금속 자성 박막 형성 단계, 권선 창 형성 단계, 트랙 형성 단계, 및 이어서 결합 단계의 순서로 수행된다.
본 발명의 또 다른 일면에 따라, 영상 기록 및 재생 장치는 임의의 상기 자기 헤드가 그 위에 설치된 실린더; 실린더 둘레에 자기 테이프를 감는 헤드/테이프 인터페이스 기구; 실린더를 구동시키는 실린더 구동부; 및 실린더 둘레에 감겨진 자기 테이프를 구동시키는 자기 테이프 구동부를 포함한다.
본 발명의 또 다른 일면에 따라, 비디오 카메라는 임의의 상기 자기 헤드가 그 위에 설치된 실린더; 실린더 둘레에 자기 테이프를 감는 헤드/테이프 인터페이스 기구; 실린더를 구동시키는 실린더 구동부; 실린더 둘레에 감겨진 자기 테이프를 구동시키는 자기 테이프 구동부; 영상 신호를 전기 신호로 변환시키는 광학계; 및 광학계에 의한 변환에 의해 얻어진 전기 신호를 자기 헤드로 출력하는 신호 처리 회로를 포함한다.
따라서, 본 명세서에 개시된 본 발명은 (i) 항부식성이 만족스럽고, 베이스 중에서 크래킹에 대해 충분히 내구적이고, (ii) 금속 자성 박막과 헤드 구조의 최적 조합을 갖는 자기 헤드; 자기 헤드의 제조 방법; 자기 헤드를 포함하는 영상 기록 및 재생 장치; 및 자기 헤드를 포함하는 비디오 카메라를 제공하는 장점을 갖는다.
본 발명의 이들 및 기타 장점은 수반된 도면을 참조하여 하기 상세한 설명을 읽고 이해함에 따라 당업계의 숙련자들에게 명백해질 것이다.
이하, 본 발명을 수반된 도면을 참조하여 예시된 실시예들에 의해 기재할 것이다. 명세서 전반에 걸쳐 동일한 원소는 동일한 참조 번호를 갖고 그의 설명은 반복하지 않을 것이다.
(실시예 1)
도 1a 및 1b는 본 발명에 따른 제1 실시예에서 자기 헤드(100)를 개략적으로 나타낸다. 도 1a는 기록 테이프가 주행하는(이하, "테이프 주행 표면"이라 칭함), 자기 헤드 표면의 도면이다. 도 1b는 도 1a에서 직선 A1-A1을 따라 취한 단면도이다.
도 1a 및 1b를 참조하면, 자기 헤드(100)는 한 쌍의 자기 코어 반부(MC1 및 MC2), 및 자기 코어 반부(MC1 및 MC2)를 결합시키기 위해 자기 코어 반부(MC1 및 MC2) 쌍 사이에 제공된 비자성 층(N3) 및 유리 결합 섹션(G3) 모두를 포함한다. 자기 코어 반부(MC1)는 페라이트 섹션(F3A), 페라이트 섹션(F3A) 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층(UL1)(도 1a), 및 바탕층(UL1)과 비자성 층(N3) 사이에 제공된 금속 자성 박막(FM3)을 포함한다. 자기 코어 반부(MC2)는 페라이트 섹션(F3B), 페라이트 섹션(F3B) 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층(UL1)(도 1a), 및 바탕층(UL1)과 비자성 층(N3) 사이에 제공된 금속 자성 박막(FM3)을 포함한다. 자기 코어 반부(MC1)는 권선 창(21A)을 갖는다.
도 1a를 참조하면, 페라이트 섹션(F3A 및 F3B) 각각은 비자성층(N3)에 대향하는 결합 표면(S1) 및 이 결합 표면(S1)으로부터 연속되는 외부 측면 표면(S2 및 S3)을 포함한다. 페라이트 섹션(F3A 및 F3B) 각각에서, 금속 자성 박막(FM3)은 사이에 개입된 바탕층(UL1)과 결합 표면(S1) 상에 만 제공되고, 다음 이유 때문에 외부 측면 표면(S2 또는 S3) 상에는 제공되지 않는다. 결합 표면(S1) 및 측면 표면(S2 및 S3) 각각에 의해 이루어진 각도는 약 70。 내지 약 90。이다.
금속 자성 박막(FM3)이 외부 측면 표면(S2 및 S3) 상에 제공되는 경우에, 외부 측면 표면(S2 및 S3) 상에 제공된 금속 자성 박막(FM3)에서 바람직하지 못한 내부 스트레스가 발생한다. 그러한 내부 스트레스는 페라이트 섹션(F3A 및 F3B)에서 크래킹을 유발한다. 금속 자성 박막(FM3)은 페라이트 섹션(F3A 및 F3B)이 바람직하지 못한 내부 스트레스로 인해 크래킹되지 않는 방식으로 제공된다. 페라이트 섹션(F3A 및 F3B) 모두는 페라이트 단결정, 예를 들면 MnZn 페라이트 단결정을 포함한다. MnZn 페라이트 단결정은 Fe2O3A몰%, MnO B몰% 및 ZnO C몰%를 포함하고, 여기서, A, B 및 C는 약 52≤A ≤약 57, 약 5≤B ≤약 29, 및 약 16≤C ≤약 21의 관계를 충족시킨다. MnZn 페라이트 단결정은 Ca의 산화물, Ni의 산화물 및 Cu의 산화물을 더 포함할 수 있다.
도 1c는 본 발명에 따른 제1 실시예에서 다른 전형적인 자기 헤드(100A)를 나타내고, 도 1d는 본 발명에 따른 제1 실시예에서 또 다른 전형적인 자기 헤드(100B)를 나타낸다. 도 1c에 나타낸 자기 헤드(100A)는 자기 코어 반부(MC1) 모두에 권선 창(21A)을 포함한다. 도 1d에 나타낸 자기 헤드(100B)는 권선 창(21A)의 형상과 상이한 형상을 갖는 권선 창(21)을 자기 코어 반부(MC3) 모두에 포함한다.
도 1b, 1c 및 1d에서, 바탕층(UL1)은 간단히 하기 위해 생략한다.
이하, 자기 헤드(100B)의 제조 방법은 개략적인 등각도를 나타내는 도 2a 내지 도 2d 및 그 방법의 흐름도를 예시하는 도 3c를 참조하여, 자기 헤드(100, 100A 및 100B)의 제조 방법의 실시예로써 기재할 것이다.
도 2a는 표면(S21, S22 및 S23)을 갖는 플레이트 같은 직각 평행6면체 MnZn 단결정을 나타낸다. 표면(S21, S22 및 S23) 각각은 실질적으로 결정질 배향(100)을 갖는다. 단계(S101)(도 3c)에서, 도 2a에 나타낸 MnZn 페라이트 단결정은 권선 창(21)을 갖는 도 2b에 나타낸 형상을 갖도록 처리된다. 보다 상세하게는, 표면(S21)은 절단되고 연마되고, 이어서 그의 특성이 절단 및 연마에 의해 변화된 층은 제거된다. 자기 코어 반부(MC2)를 생산할 때(도 1b), 어떠한 권선 창도 생산되지 않는다. 자기 코어 반부(MC1)를 생산할 때, 권선 창(21A)이 생산된다.
자기 헤드의 일반적인 특성으로 인해, 표면(S21)은 바람직하게는 (100) 평면이고, 표면(S22 및 S23)은 바람직하게는 (100) 또는 (110) 평면이다. 오퍼레이션 중에 발생하는 자기 테이프와 자기 헤드의 마찰을 고려하여, 표면(S23)은 (110) 평면보다는 (100) 평면인 것이 보다 바람직하다. 표면(S21 및 S23)이 모두 (100) 평면일 때, 표면(S22)은 필연적으로 (100) 평면이다.
실질적인 레벨에서, 정확하게 (100) 또는 (110) 평면으로 표면(S21, S22 및 S23)을 형성하기는 곤란하지만, 표면(S21, S22 및 S23)의 결정 배향의 에러가 =4。일 때 실질적으로 등가의 효과가 얻어진다.
도 3a는 도 2b에 나타낸 권선 창(21)을 갖는 페라이트 단결정의 확대된 부분 단면도이다. 도 3b는 권선 창(21A)(도 1b)을 갖는 페라이트 단결정의 단면도이다. 도 3a에 나타낸 권선 창(21)의 단면 형상은 결합 표면(S1) 근처에서만 경사진다(도 2b에서 S21). 그러한 경사로 인해, 자속은 좁아지고 따라서 자기 헤드의 특성이 개선된다.
도 3b에 나타낸 권선 창(21A)은 제1의 내부 측면 표면(S1A) 및 바닥 표면(S1B)을 갖는다. 제1의 내부 측면 표면(S1A)은 바닥 표면(S1B)으로부터 결합 표면(S1) 쪽으로 확장되고, 바닥 표면에 대하여 기록 매체 주행 표면의 측면 상에 제공된다. 결합 표면(S1) 및 제1의 내부 측면 표면에 의해 이루어진 각도(θ1)는 바닥 표면(S1B) 및 제1의 내부 측면 표면(S1A)에 의해 이루어진 각도 θ2와 동일하고; 즉 θ1=θ2. 2개의 자기 코어 반부 중의 하나(즉, 자기 코어 반부(MC1))에서만 권선 창(21A)을 갖는 자기 헤드(100)(도 1b)에서, 좁아진 자속의 바람직한 결과는 θ1=약 45。 내지 약 70。일 때 얻어진다. 2개의 자기 코어 반부(MC1) 모두에 권선 창(21A)을 갖는 자기 헤드(100A)(도 1c)에서, 좁아진 자속의 바람직한 결과는 θ1=약 22.5。 내지 약 50。일 때 얻어진다.
권선 창(21A)의 크기는 필요한 수의 회전이 제공될 수 있도록 결정된다. 동일한 수의 회전을 허용하는 2개의 권선 창이 비교될 때, 테이프 주행 표면으로부터 볼 때 보다 짧은 자기 경로를 갖는 권선 창은 자기 헤드의 보다 큰 레벨의 재생 감도를 제공한다.
자속의 협소화 효과를 유지하면서 자기 경로를 단축시키기 위해, 도 3a에 나타낸 권선 창(21)이 바람직하다. 권선 창(21)은 바닥 표면(S1B)을 포함하고, 도 3b에서 제1의 내부 측면 표면(S1A)에 대응하는 측면은 제2의 내부 측면 표면(S1C) 및 제3의 내부 측면 표면(S1D)으로 분할된다. 결합 표면(S1) 및 제2의 내부 측면 표면(S1B)에 의해 이루어진 각도(θ11)는 제3의 내부 측면 표면(S1D) 및 바닥 표면(S1B)에 의해 이루어진 각도(θ12)와 상이하다.
자속의 협소화와 관련한 각도(θ11)는 상기한 바와 동일한 범위에서 바람직한 결과를 제공한다. 다시 말해, 2개의 자기 코어 반부(도시되지 않음) 중 하나에서만 권선 창(21)을 갖는 자기 헤드에서, 자속을 협소화시킨 바람직한 결과는 θ11=약 45。 내지 약 70。일 때 얻어진다. 2개의 자기 코어 반부(MC3) 모두에 권선 창(21)을 갖는 자기 헤드(100B)(도 1d)에서, 자속을 협소화시킨 바람직한 결과는 θ1=약 22.5。 내지 약 50。일 때 얻어진다.
각도(θ12)는 자기 경로를 단축시키면서 바람직한 감기 회전수에 필요한 권선 창(21)의 크기를 유지하기 위해 도 3a에 나타낸 바와 같이 실질적으로 90。가 바람직하다.
권선 창(예, 21)이 형성된 후, 알루미나의 바탕층(UL1)(도 1a)은 단계(S102)에서 결합 표면(S1) 상에 형성된다(도 3c). 바탕층(UL1)은 페라이트(즉, 산화물) 섹션(F3A 및 F3B) 상에 직접적으로 금속 자성 박막(FM3)이 형성되므로써 열처리 중에 바람직하지 못하게 산소를 확산시킬 수 있기 때문에 형성된다. 바탕층(UL1)으로 사용 가능한 바람직한 다른 물질로는 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 실리콘 질화물 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 바탕층(UL1)은 산소의 확산을 방지하기 위해 약 0.5nm 이상의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 산소의 확산을 방지하는 효과는 바탕층(UL1)이 두꺼워짐에 따라 보다 양호하지만, 바탕층(UL1)에 바람직한 물질은 비자성이기 때문에 바탕층(UL1)이 너무 두꺼울 때 자속이 누설된다. 이러한 자속의 누설은 자기 헤드의 특성을 악화시킨다. 따라서, 바탕층(UL1)의 두께는 약 4nm 이하가 바람직하다.
단계(S103)(도 3c)에서, 금속 자성 박막(FM3)이 바탕층(UL1) 상에 형성된다. 보다 바람직한 효과는 금속 자성 박막(FM3)이 형성되기 전에, 약 0.5nm 내지 약 200nm, 바람직하게는 약 0.5nm 내지 약 20nm의 두께를 갖는 제2의 바탕층(UL2)(도 1b)을 형성함으로써 제공된다. 제2의 바탕층(UL2)에 함유된 산소 및 질소 각각의 양은 금속 자성 박막(FM3)에 함유된 것보다 더 크다. 금속 자성 박막(FM3)은 고체 물질을 사용하여 형성된다. 도 2c는 생성된 몸체를 나타낸다. 도 2c 및 도 2d(아래 기재함)에서, 바탕층(UL1 및 UL2)은 간단히 하기 위해 생략된다.
비자성 갭 층(도시되지 않음)이 금속 자성 박막(FM3) 상에 형성된 후, 단계(S104)(도 3c)에서 트랙의 폭을 조절하기 위해 홈 또는 홈들(22)(즉, 트랙 또는 트랙들)이 형성된다. 도 2d는 생성된 몸체를 나타낸다. 이어서, 비자성층(N3)이 도 2d에 나타낸 몸체 상에 형성된다.
단계(S105)(도 3c)에서, 비자성층(N3)을 갖는 생성된 몸체는 다른 동일한 몸체에 대향하도록 적절히 배치되고, 결합하는 유리 물질은 2개의 몸체를 결합시키기 위해 불활성 가스 분위기에서 수행된 열 처리에 의해 유동된다. 단계(S106)(도 3c)에서, 생성된 어셈블리는 목적하는 형상으로 절단되고 연마된다. 따라서, 2개의 자기 코어 반부(MC3)를 포함하는 자기 헤드(100B)(도 1d)가 얻어진다. 자기 헤드(100)(도 1b) 및 (100A)(도 1c)은 적절한 변화에 따라 유사한 방식으로 얻어진다.
본 발명에 따라 자기 헤드를 형성하기 위해, 통상적인 방법이 사용될 수 있다. 예를 들면, 절단은 레진 본드 다이아몬드 블레이드 또는 금속 수지 본드 다이아몬드 블레이드, 슬라이싱 톱니 등을 포함하는 다이싱 톱니를 사용하여 수행될 수 있다. 연마는 예를 들면 주조 철 또는 표면 플레이트와 조합된 그린 카본(SiC) 맷돌 또는 다이아몬드 맷돌을 사용하거나 또는 유기 수지 테이프 및 알루미나 또는 그 위에 분산된 다이아몬드 맷돌을 사용하여 회전 중첩시킴으로써 수행될 수 있다.
필요할 때, 그의 특성이 변화되는 페라이트층은 예를 들면 인산 등을 사용하는 산 표면 에칭 또는 약산성으로 조절될 콜로이드성 실리카 맷돌과 조합하여 저분자량 주석 표면 플레이트를 사용하는 기계적 중첩에 의해 제거될 수 있다.
바탕층(UL1 및 UL2) 및 본 발명에 따른 자기 코어 반부를 결합시키기 위한 비자성층은 통상적인 가스 상 필름 형성 방법에 의해, 예를 들면 고주파수 마그네트론 스퍼터링, 카운터 타겟 스퍼터링, 이온 빔 스퍼터링, ECR 스퍼터링 등의 스퍼터링에 의해 또는 CVD에 의해 형성될 수 있다.
금속 자성 박막은 예를 들면 고주파수 마그네트론 스퍼터링, DC 스퍼터링, 카운터 타겟 스퍼터링, 이온 빔 스퍼터링, ECR 스퍼터링 등의 스퍼터링에 의해 낮은 가스압 분위기에서 형성될 수 있다.
금속 자성 박막은 구체적으로 다음과 같이 생성된다. 본 발명에 따라 의도되는 조성으로부터 가능한 조성의 오프셋을 고려하여 결정된 조성을 갖는 합금 타겟은 아르곤 등의 불활성 가스를 사용하여 스퍼터링에 의해 베이스 상에 형성된다. 첨가제의 일부는 펠릿으로서 합금 타겟 상에 제공되고 합금 타겟과 함께 스퍼터링될 수 있다. 대안으로, 첨가제의 일부는 가스 상태로 스퍼터링 장치에 도입될 수 있고 반응성 스퍼터링이 수행될 수 있다.
자기 코어 반부 쌍은 결합 유리 물질을 사용하여 유리 결합함으로써 함께 결합될 수 있고, 그것이 페라이트 헤드 및 MIG 헤드용으로 통상적으로 사용된다. 예를 들면, 약 460℃ 내지 약 560℃의 연화점을 갖는 결합 유리 물질로부터 선택된 결합 유리 물질은 ±40℃의 연화점 범위에서 선택된 온도에서 열처리되고, 결합될 자기 코어 반부 둘레의 적어도 2 부분으로 흐르게 한다. 이어서 결합 유리 물질이 경화된다. 따라서, 자기 코어 반부가 함께 결합된다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 제1 실시예에서, 금속 자성 박막(FM3)은 자기 코어 반부 각각의 결합 표면(S1) 상에만 제공되고 외부 측면 표면(S2 및 S3) 상에는 제공되지 않는다. 결과적으로, 페라이트 섹션(F3A 및 F3B)은 금속 자성 박막(FM3)에서 바람직하지 못한 내부 스트레스에 의한 크래킹이 방지된다.
따라서, 본 발명에 따라, 항부식성 및 입출력 특성이 만족스럽고 크래킹에 대항한 내구성이 있는 자기 헤드 및 그러한 자기 헤드의 제조 방법이 제공된다.
(실시예 2)
도 4a 및 4b는 본 발명에 따른 제2 실시예에서 자기 헤드(200)를 개략적으로 나타낸다. 도 4a는 자기 헤드(200)의 테이프 주행 표면의 도면이다. 도 4b는 도 4a에서 직선 A2-A2를 따라 취한 단면도이다. 자기 헤드(200)는 2개의 자기 코어 반부(MC4 및 MC5)를 포함하고, 자기 코어 반부 중 하나(즉, 자기 코어 반부 MC4)에는 권선 창(21A)을 포함한다.
도 4c는 본 발명에 따른 제2 실시예에서 다른 전형적인 자기 헤드(200A)를 나타내고, 도 4d는 본 발명에 따른 제2 실시예에서 또 다른 전형적인 자기 헤드(200B)를 나타낸다. 도 4c에 나타낸 자기 헤드(200A)는 자기 코어 반부(MC4) 모두에 권선 창(21A)을 포함한다. 도 4d에 나타낸 자기 헤드(200B)는 2개의 자기 코어 반부(MC5 및 MC6)를 포함하고, 자기 코어 반부중 하나(즉, 자기 코어 반부 MC6)에 권선 창(21A)과 다른 형상을 갖는 권선 창(21)을 포함한다.
도 4b, 4c 및 4d에서, 바탕층(UL1)은 간단히 하기 위해 생략된다.
이하, 자기 헤드(200B)의 제조 방법은 개략적인 등각도를 나타내는 도 5a 내지 5d 및 그 방법의 흐름도를 예시하는 도 5c를 참조하여, 자기 헤드(200, 200A 및 200B)의 제조 방법의 예로써 기재할 것이다.
도 5a는 표면(S21, S22 및 S23)을 갖는 직각 평행6면체 MnZn 단결정을 나타낸다. 도 5a에 나타낸 MnZn 페라이트 단결정은 도 5b에 나타낸 형상을 갖도록 절단되고 연마된다. 표면(S21)은 절단되고 연마되고, 이어서 그의 특성이 절단 및 연마에 의해 변화된 층은 제거된다. 단계(S201)(도 5e)에서, 알루미나의 바탕층(UL1)(도 4a)이 결합 표면(S1) 상에 형성된다. 바탕층으로 사용 가능한 다른 물질로는 제1 실시예에서와 같이 실리콘의 산화물, 알루미늄의 산화물, 및 알루미늄의 질화물, 실리콘의 질화물, 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
단계(S202)(도 5e)에서, 금속 자성 박막(FM3)이 바탕층(UL1) 상에 형성된다. 보다 바람직한 효과는 금속 자성 박막(FM3)이 형성되기 전에, 약 0.5nm 내지 약 200nm, 바람직하게는 약 0.5nm 내지 약 20nm의 두께를 갖고, 바탕층(UL1)과의 인터페이스 근처에 약 5nm 이하의 평균 입자 직경을 갖는 제2의 바탕층(UL2)(도 4e)을 형성함으로써 제공된다. 제2의 바탕층(UL2)에 함유된 산소 및 질소 각각의 양은 금속 자성 박막(FM3)에 함유된 것보다 더 크다. 도 5c는 생성된 몸체를 나타낸다. 도 5c 및 도 5d(아래 기재함)에서, 바탕층(UL1 및 UL2)은 간단히 하기 위해 생략된다.
비자성 갭 층(도시되지 않음)이 금속 자성 박막(FM3) 상에 형성된 후, 권선 창(21)이 단계(S203)(도 5e)에서 형성된다. 자기 코어 반부(MC5)(도 4b)를 생산할 때, 어떠한 권선 창도 생산되지 않는다. 자기 코어 반부(MC4)(도 4b)를 생산할 때, 상이한 형상의 권선 창(21A)이 생산된다. 권선 창(21)은 제1 실시예에서의 형상과 동일한 형상을 가질 수 있다.
단계(S204)(도 5e)에서, 트랙의 폭을 조절하기 위해 홈 또는 홈들(22)(즉, 트랙 또는 트랙들)이 형성된다. 도 5d는 생성된 몸체를 나타낸다. 이어서, 비자성층(N3)이 도 5d에 나타낸 몸체 상에 형성된다. 단계(S205)(도 5e)에서, 비자성층(N3)을 갖는 생성된 몸체는 임의의 권선 창 없이 다른 몸체에 대향하도록 적절히 배치되고, 결합 유리 물질은 몸체들을 결합시키기 위해 불활성 가스 분위기에서 수행된 열 처리에 의해 유동된다. 단계(S206)(도 5e)에서, 생성된 어셈블리는 목적하는 형상으로 절단되고 연마된다. 따라서, 자기 코어 반부(MC6 및 MC5)를 포함하는 자기 헤드(200B)(도 4d)가 얻어진다. 자기 헤드(200)(도 4b) 및 (200A)(도 4c)은 적절한 변화에 따라 유사한 방식으로 얻어진다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 제2 실시예에서, 금속 자성 박막(FM3)은 자기 코어 반부 각각의 결합 표면(S1) 상에만 제공되고, 외부 측면 표면(S2 및 S3) 상에는 제공되지 않는다. 결과적으로, 페라이트 섹션(F3A 및 F3B)은 금속 자성 박막(FM3)에서 바람직하지 못한 내부 스트레스에 의한 크래킹이 방지된다.
따라서, 본 발명에 따라, 항부식성 및 입출력 특성이 만족스럽고 크래킹에 대항한 내구성이 있는 자기 헤드 및 그러한 자기 헤드의 제조 방법이 제공된다.
(실시예 3)
도 6은 본 발명에 따른 제1 실시예에서 복수개의 자기 헤드(100)를 포함하는 영상 기록 및 재생 장치의 블록도이다.
영상 기록 및 재생 장치(800)는 자기 헤드(100), 자기 헤드(100)를 고정시키는 실린더(801), 실린더(801) 둘레에 자기 테이프(804)를 감는 헤드/테이프 인터페이스 기구(805), 실린더(801)를 회전시키는 실린더 구동부(802), 및 실린더(801) 둘레에 감겨진 자기 테이프(804)를 구동시키는 자기 테이프 구동부(803)을 포함한다.
영상 기록 및 재생 장치(800)는 영상 신호 또는 음성 신호의 기록 및 재생을 다음과 같이 수행한다.
실린더 구동부(802)은 실린더(801)를 일정한 속도로 회전시킨다. 자기 테이프 구동부(803)은 자기 테이프(804)를 하나의 릴로부터 일정한 속도로 피딩함으로써 자기 테이프(804)는 실린더(801)를 따라 주행하고 이어서 다른 릴 둘레에 감겨진다. 헤드/테이프 인터페이스 기구(805)은 실린더(801) 둘레에 자기 테이프(804)를 비스듬히 감는 작용을 한다.
실린더(801)가 회전하기 시작할 때, 자기 헤드(100)는 자기 테이프(804)를 일정한 주기로 스캐닝한다. 기록 오퍼레이션 동안에, 자기 헤드(100)는 입력된 전기 신호를 자속으로 변환시켜 자기 테이프(804) 상의 자기 물질의 자화 상태를 변화시킨다. 따라서, 기록이 수행된다. 재생 오퍼레이션 동안, 자기 헤드(100)는 자기 테이프(804) 상의 자속을 전기 신호로 변환시킨다.
본 발명에 따라, 항부식성 및 입출력 특성이 만족스럽고 크래킹에 대항한 내구성이 있는 자기 헤드를 포함하는 영상 기록 및 재생 장치가 제공된다.
(실시예 4)
도 7은 본 발명에 따른 제1 실시예에서 복수개의 자기 헤드(100)를 포함하는 비디오 카메라(900)의 블록도이다.
비디오 카메라(900)는 자기 헤드(100), 자기 헤드(100)를 고정시키는 실린더(801), 실린더(801) 둘레에 자기 테이프(804)를 감는 헤드/테이프 인터페이스 기구(805), 실린더(801)를 회전시키는 실린더 구동부(802), 실린더(801) 둘레에 감겨진 자기 테이프(804)를 구동시키는 자기 테이프 구동부(803), 영상 신호를 전기 신호로 변환시키는 광학계(901), 음성 신호를 전기 신호로 변환시키는 마이크로폰(902), 광학계(901) 및 마이크로폰(902)으로부터 전기 신호를 자기 헤드(100)로 출력하는 신호 처리 회로(904), 및 영상 신호를 디스플레이하는 액정 모니터(903)를 포함한다.
비디오 카메라(900)는 제3 실시예에서와 유사한 방식으로 영상 신호 또는 음성 신호의 기록 또는 재생을 수행한다.
기록 오퍼레이션 동안, 영상 신호 및 음성 신호는 자기 헤드(100)에 의해 자기 테이프(804) 상에 기록되고, 또한 액정 모니터(903) 상에 디스플레이된다. 재생 오퍼레이션 동안, 자기 헤드(100)에 의해 재생된 영상 신호는 신호 처리 회로(904)를 통해 액정 모니터(903) 상에 디스플레이되고, 인터페이스 섹션(905)을 통해 외부 장치(도시하지 않음)로 출력된다. 자기 헤드(100)에 의해 재생된 음성 신호는 스피커(도시되지 않음)를 통해 출력된다.
본 발명에 따라, 항부식성 및 입출력 특성이 만족스럽고 크래킹에 대항한 내구성이 있는 자기 헤드를 포함하는 비디오 카메라가 제공된다.
(특정예)
본 발명의 특정 실시예들을 상세히 기재할 것이다.
(특정예 1)
외부 측면 표면 상에 어떠한 금속 자성 박막도 갖지 않는 제1 실시예에 기재된 자기 헤드들 및 비교예로서 외부 측면 표면 상에 금속 자성 박막(FM2)을 갖는 도 9a 내지 9d에 나타낸 종래의 자기 헤드들(400)을 표 1에 나타낸 조건 하에 아래 기재된 공통 명세서에 따라 생산하였다. 자기 헤드들을 기록 및 재생 출력, 항부식성, 및 페라이트 크래킹 비율에 대해 평가하였다.
표 1에서, 금속 자성 박막의 조성은 aa 내지 ag로 지시되고, ba 내지 bg는 표 2에서 나타낸다. 항부식성을 평가하기 위해, 염수를 시료 상에 분무하였다. 이러한 시험 전 후의 기록 및 재생 출력이 비교되었다. 항부식성은 출력에서 악화 정도로 평가하였다. 페라이트 크래킹 비율은 각각의 카테고리에서 시료의 전체 수에 대해 페라이트 크래킹으로 인해 결함있는 것으로 결정된 시료의 비율로 평가하였다.
표 1에서, 기록 및 재생 출력 및 항부식성의 평가는 번호 1로 나타낸 종래의 자기 헤드에 관하여 나타낸다. "X"는 번호 1의 자기 헤드에 비해 열등함을 나타내고, "△"는 번호 1의 자기 헤드와 동등함을 나타내고, "O"는 번호 1의 자기 헤드에 비해 우수함을 나타내고(즉, 0 내지 +2dB의 우수성), "◎"는 번호 1의 자기 헤드에 비해 현저하게 우수함을 나타낸다(즉, +2dB 이상 우수함).
크래킹 비율의 평가는 백분율로 나타낸다.
각각의 금속 자성 박막은 자기 결정질 입자들을 함유한다. 자기 결정질 입자들은 각각 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 또는 다중-브랜치 형상(즉, 일반적으로 바늘 같은 형상과 일반적으로 기둥 같은 형상의 조합)을 가질 수 있다.
표 2에서, "dS"는 자기 결정질 입자들의 보다 짧은 측면의 평균 길이를 나타내고, "dL"은 자기 결정질 입자들의 보다 긴 측면의 평균 길이를 나타낸다. 표 2에 나타낸 바와 같이, dL은 50nm를 초과하고, 바람직하게는 60nm 내지 5000nm이다. dS는 5nm 내지 60nm이다.
조성 aa 내지 ag는 (MaXbZc)100-dAd로 나타낸다. M은 Fe, Co 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 자기 금속 원소를 포함한다. X는 Si, Al, Ga 및 Ge으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다. Z는 IVa족 원소, Va족 원소, 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다. A는 O 및 N으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다.
a, b, c 및 d는 다음: 즉,
약 0.1≤b ≤약 26,
약 0.1≤c ≤약 5,
a+b+c=100, 및
약 1≤d≤약 10의 관계를 충족시킨다.
조성 ac 내지 ag는 (FeaSibAlcTd)100-eNe로 나타낸다. T는 Ti 및 Ta로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 포함한다.
a, b, c, d 및 e는 다음: 즉,
약 10≤b ≤약 23,
약 0.1≤d ≤약 5,
약 0.1≤c+d ≤약 8,
a+b+c+d=100 및
약 1≤e ≤약 10의 관계를 충족시킨다.
상기 공통 사양은 다음과 같다.
헤드:
트랙 폭: 17㎛
갭 깊이: 12.5㎛
갭 길이: 0.2㎛
회전 수: 16
금속 자성 박막 두께: 4.5㎛
바탕층: 알루미나: 두께: 2nm
C/N(캐리어 대 노이즈 비) 특성:
테이프의 상대 속도: 10.2 m/s
기록 및 재생 주파수: 20.9 MHz
테이프: MP 테이프
표 1(제1 실시예)에서 자기 헤드의 구조가 제2 실시예의 구조로 변화하였을 때조차, 시험 결과는 표 1의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
표 2에서 Si가 Ge로 변화하였을 때조차, 시험 결과는 표 1의 그것과 유사한 경향을 나타냈다. 표 2에서 조성 aa 및 ab에서 Si가 Al로 변화하였을 때조차, 시험 결과는 표 1의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
표 2에서 Ta가 Ti, Zr, Hf, V, Nb 또는 Cr로 변화하였을 때조차, 시험 결과는 표 1의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
"유사한 경향"이라는 표현은 예를 들면, 기록 및 재생 출력의 수치 값이 정확하게 동일하지 않지만, 동일하게 평가되는 것, 즉, "X", "△", "O" 또는 "◎"가 얻어지는 것을 의미한다.
상기 실험 결과에 기초하여, 본 발명에 따른 자기 헤드(번호 11 내지 번호 21로 지시됨)가 기록 및 재생 출력, 항부식성 및 페라이트 크래킹 비율에서 개선된 것으로 확인된다. 번호 14 내지 번호 21의 자기 헤드는 항부식성에서 특히 바람직하다. θ12=90。(도 3a)인 권선 창을 갖는 번호 20 및 번호 21의 자기 헤드가 기록 및 재생 출력에서 바람직하였다.
금속 자성 박막은 주 재료로서 자기 결정질 입자들을 함유하는 자성막을 포함한다. 본 발명에 따른 상기 각각의 조성의 자기 결정질 입자들이 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 또는 다중-브랜치 형상(즉, 일반적으로 바늘 같은 형상과 일반적으로 기둥 같은 형상의 조합)을 갖는지에 관하여 관찰하였다. 자기 결정질 입자들의 평균 체적 Va 및 평균 표면적 Sa가 Sa>약 4.84Va2/3의 관계를 갖는지에 관하여 확인하였다.
(특정예 2)
표 3에 나타낸 조건 하에 아래 기재된 공통 명세서에 따라 생산된 자기 헤드들을 특정예 1에서와 동일한 방식으로 평가하였다.
표 3에서, 금속 자성 박막의 조성은 ca 내지 cg로 지시되고, da 내지 dg는 표 4에서 나타낸다.
표 3에서, 기록 및 재생 출력 및 항부식성의 평가는 번호 1로 나타낸 종래의 자기 헤드에 관하여 나타낸다. "X"는 번호 1의 자기 헤드에 비해 열등함을 나타내고, "△"는 번호 1의 자기 헤드와 동등함을 나타내고, "O"는 번호 1의 자기 헤드에 비해 우수함을 나타내고(즉, 0 내지 +2dB의 우수성), "◎"는 번호 1의 자기 헤드에 비해 현저하게 우수함을 나타낸다(즉, +2dB 이상 우수함).
크래킹 비율의 평가는 백분율로 나타낸다.
표 4에서, 조성 ca 내지 cg는 (MaXbZc)100-dAd로 나타낸다. M은 Fe, Co 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 자기 금속 원소를 포함한다. X는 Si 및 Ge로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다. Z는 IVa족 원소, Va족 원소, 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다. A는 O 및 N으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다.
a, b, c 및 d는 다음: 즉,
약 0.1≤b ≤약 23,
약 0.1≤c ≤약 8,
a+b+c=100, 및
약 1≤d≤약 10의 관계를 충족시킨다.
조성 cc 내지 ce는 (FeaSibAlcTid)100-e-fNeOf로 나타내고, 여기서 a, b, c, d, e 및 f는 약 10≤b ≤약 13, 약 0.1≤c ≤약 3, 약 0.1≤d ≤약 3, a+b+c+d=100, 약 4≤e+f ≤약 10, 및 0.1≤f ≤약 2의 관계를 충족시킨다.
상기 공통 명세서는 다음과 같다.
헤드:
트랙 폭: 17㎛
갭 깊이: 12.5㎛
갭 길이: 0.2㎛
회전 수: 16
금속 자성 박막 두께: 4.5㎛
바탕층: 알루미나: 두께: 2nm
C/N 특성:
테이프의 상대 속도: 10.2 m/s
기록 및 재생 주파수: 20.9 MHz
테이프: MP 테이프
표 3(제1 실시예)에서 자기 헤드의 구조가 제2 실시예의 구조로 변화하였을 때조차, 시험 결과는 표 3의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
표 4에서 Si가 Ge로 변화하였을 때조차, 시험 결과는 표 3의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
표 4에서 Al 및 Ti가 각각 Ga, Zr, Hf, V, Ta, Nb 또는 Cr로 변화하였을 때조차, 시험 결과는 표 3의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
특정예 1에서와 같이, "유사한 경향"이라는 표현은 예를 들면, 기록 및 재생 출력의 수치 값이 정확하게 동일하지 않지만, 동일하게 평가되는 것, 즉, "X", "△", "O" 또는 "◎"가 얻어지는 것을 의미한다.
상기 실험 결과에 기초하여, 본 발명에 따른 효과가 확인되었다.
금속 자성 박막의 각각의 조성의 자기 결정질 입자들을 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 또는 다중-브랜치 형상(즉, 일반적으로 바늘 같은 형상과 일반적으로 기둥 같은 형상의 조합)을 갖는지에 관하여 관찰하였다. 자기 결정질 입자들의 평균 체적 Va 및 평균 표면적 Sa가 Sa>약 4.84Va2/3의 관계를 갖는지에 관하여 확인하였다.
(특정예 3)
제1 실시예에서 자기 헤드들을 표 3에 나타낸 조건 하에 아래 기재된 공통 명세서에 따라 생산하고, 기록 및 재생 출력 및 리플에 대해 평가하였다.
표 5에서, 금속 자성 박막의 조성은 ac 및 cc로 지시되고, 이는 표 2 및 4에 나타낸다.
표 5에서 역시, "바탕층 1"은 페라이트 섹션과 접촉하는 층(도 1e 및 4e에서 UL1)을 의미하고, "바탕층 2"는 금속 자성막과 접촉하는 층(도 1e 및 4e에서 UL2)을 의미한다.
금속 자성막이 조성 ac를 갖는 번호 73, 75, 77, 79, 81, 83, 85 및 87로 지시된 자기 헤드를 고려하여, 기록 및 재생 출력은 바탕층 1이나 2에 대해서가 아니라 번호 71의 자기 헤드에 대해 평가된다. "△"는 번호 71의 자기 헤드와 동등함을 나타내고, "O"는 번호 71의 자기 헤드에 비해 우수함을 나타내고(즉, 0 내지 +3dB 우수함), "◎"는 번호 71의 자기 헤드에 비해 현저하게 우수함을 나타낸다(즉, +3dB 이상 우수함).
리플의 평가는 수적인 값으로 나타낸다.
표 6은 표 5에서 바탕층 2의 형성 조건을 나타낸다. 타겟으로서, 금속 자성 박막을 위한 합금 타겟이 사용되었다.
상기 공통 명세서는 다음과 같다.
헤드:
트랙 폭: 17㎛
갭 깊이: 12.5㎛
갭 길이: 0.2㎛
회전 수: 16
금속 자성 박막 두께: 4.5㎛
C/N 특성:
테이프의 상대 속도: 10.2 m/s
기록 및 재생 주파수: 20.9 MHz
테이프: MP 테이프
표 5에서 Al이 Si로 변화하였을 때조차, 시험 결과는 표 5의 그것과 유사한 경향을 나타냈다. 표 6에서 질소가 산소로 변화하였을 때조차, 시험 결과는 표 5의 그것과 유사한 경향을 나타냈다. 표 5에서 조성 ac 및 cc가 각각 ca 내지 cb중 임의의 것 및 cd 내지 cg중 임의의 것으로 변화하였을 때조차, 시험 결과는 표 5의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
특정예 1에서와 같이, "유사한 경향"이라는 표현은 예를 들면, 기록 및 재생 출력의 수치 값이 정확하게 동일하지 않지만, 동일하게 평가되는 것, 즉, "X", "△", "O" 또는 "◎"가 얻어지는 것을 의미한다.
상기 실험 결과에 기초하여, 본 발명에 따른 효과가 확인되었다.
금속 자성 박막의 각각의 조성의 자기 결정질 입자들을 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 또는 다중-브랜치 형상(즉, 일반적으로 바늘 같은 형상과 일반적으로 기둥 같은 형상의 조합)을 갖는지에 관하여 관찰하였다. 자기 결정질 입자들의 평균 체적 Va 및 평균 표면적 Sa가 Sa>약 4.84Va2/3의 관계를 갖는지에 관하여 확인하였다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 항부식성 및 입출력 특성이 만족스럽고 베이스 중에서 크래킹에 대항하는 충분한 내구성이 있는 자기 헤드, 그러한 자기 헤드의 제조 방법, 그러한 자기 헤드를 포함하는 영상 기록 및 재생 장치, 및 그러한 자기 헤드를 포함하는 비디오 카메라를 제공한다.
본 발명은 또한 금속 자성 박막 및 헤드 구조의 최적 조합을 갖는 자기 헤드를 제공한다.
본 발명의 범위 및 정신에서 벗어나지 않는 여러 가지 다른 변형이 당업계의 숙련자들에게 명백할 것이고, 그들에 의해 용이하게 이루어질 수 있다. 따라서, 이에 첨부된 특허 청구의 범위는 본 명세서에 나타낸 바의 설명으로 제한되는 것으로 의도되지 않고, 오히려 특허 청구의 범위는 광의로 해석되어야 한다.

Claims (28)

  1. 한 쌍의 자기 코어 반부; 및
    상기 자기 코어 반부 쌍을 결합시키기 위해 자기 코어 반부 쌍 간에 제공된 비자성층을 포함하고, 상기 자기 코어 반부 쌍 각각은,
    산화물 자기 베이스,
    상기 산화물 자기 베이스 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층, 및
    상기 바탕막과 상기 비자성 층 간에 제공된 금속 자성 박막을 포함하고,
    상기 금속 자성 박막은 평균 체적 Va 및 Sa > 약 4.84 Va2/3의 관계를 충족시키는 평균 표면적 Sa를 갖는 자기 결정질 입자를 주 재료로서 함유하는 자성막을 포함하고,
    상기 자기 코어 반부 쌍 중의 적어도 하나는 내부에 권선 창을 갖고,
    상기 금속 자성 박막은 상기 금속 자성 박막에서 발생된 내부 스트레스로 인해 산화물 자기 베이스가 크래킹되는 것을 방지하기 위해 제공되는 자기 헤드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 자성 박막은 약 50 nm 이상의 보다 긴 측면의 평균 길이를 갖는 자기 결정질 입자를 포함하는 자기 헤드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 자기 결정질 입자는 대략 바늘 같은 형상, 대략 기둥 같은 형상, 및 대략 바늘 같은 형상 및 대략 기둥 같은 형상의 자기 결정질 입자들을 포함하는 다중-브랜치 형상으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 형상을 갖고; 상기 대략 바늘 같은 형상 및 상기 대략 기둥 같은 형상을 갖는 상기 자기 결정질 입자들은 약 5nm 내지 약 60nm의 보다 짧은 측면의 평균 길이를 갖는 자기 헤드.
  4. 제2항에 있어서, dS가 상기 자기 결정질 입자들의 보다 짧은 측면의 평균 길이이고, dL가 상기 자기 결정질 입자들의 보다 긴 측면의 평균 길이인 경우, 약 5nm<dS<약 60nm 및 약 60nm<dL<약 5000nm인 자기 헤드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속 자성 박막은 (MaXbZc)100-dAd로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 M은 Fe, Co 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 자기 금속 원소를 포함하고; X는 Si, Al, Ga 및 Ge으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; Z는 IVa족 원소, Va족 원소, Al, Ga 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; A는 O 및 N으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c 및 d는 약 0.1≤b ≤약 26, 약 0.1≤c ≤약 5, a+b+c=100, 및 약 1≤d≤약 10의 관계를 충족시키는 자기 헤드.
  6. 제1항에 있어서, 상기 자기 코어 반부 쌍 각각은 사이에 개입된 상기 비자성 층과 다른 자기 코어 반부와 결합된 결합 표면, 기록 매체가 주행하는 기록 매체 주행 표면, 및 결합 표면으로부터 및 기록 매체 주행 표면으로부터 연속하는 외부 측면 표면을 갖고; 상기 금속 자성 박막은 상기 외부 측면 표면 상에 제공되지 않는 자기 헤드.
  7. 제6항에 있어서, 상기 금속 자성 박막은 (FeaSibAlcTd)100-eNe로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 T는 Ti 및 Ta로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c, d 및 e는 약 10≤b ≤약 23, 약 0.1≤d ≤약 5, 약 0.1≤c+d ≤약 8, a+b+c+d=100 및 약 1≤e ≤약 10의 관계를 충족시키는 자기 헤드.
  8. 제5항에 있어서, Z는 IVa족 원소, Va족 원소 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 자기 헤드.
  9. 제5항에 있어서, X는 Si 및 Ge로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c 및 d는 약 0.1≤b ≤약 23, 약 0.1≤c ≤약 8, a+b+c=100, 및 약 1≤d ≤약 10의 관계를 충족시키는 자기 헤드.
  10. 제9항에 있어서, 상기 금속 자성 박막은 (FeaSibAlcTid)100-e-fNeOf로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 a, b, c, d, e 및 f는 약 10≤b ≤약 23, 약 0.1≤d ≤약 5, 약 0.1≤c+d ≤약 8, a+b+c+d=100 및 약 1≤e+f ≤약 10, 및 0.1≤f ≤약 5의 관계를 충족시키는 자기 헤드.
  11. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 바탕층은 Al의 산화물, Si의 산화물, Al의 질화물, Si의 질화물 및 이들의 혼합물 중의 적어도 하나를 함유하는 자기 헤드.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 바탕층은 상기 자기 코어 반부와 접촉하는 제1의 바탕층 및 상기 금속 자성 박막과 접촉하는 제2의 바탕층을 포함하고,
    상기 제1의 바탕층은 Al의 산화물, Si의 산화물, Al의 질화물, Si의 질화물 및 이들의 혼합물 중의 적어도 하나를 함유하고,
    상기 금속 자성 박막은 산소 및 질소 중의 적어도 하나를 함유하고; 상기 제2의 바탕층은 상기 금속 자성 박막의 주성분인 원소 및 산소 및 질소 중 적어도 하나를 상기 금속 자성 박막에 포함된 양보다 더 많이 함유하고,
    상기 제2의 바탕층은 결정질 입자들을 함유하고,
    상기 결정질 입자들은 상기 제1의 바탕층과 상기 제2의 바탕층 사이의 경계 근방에서 적어도 약 5nm 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자기 헤드.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1의 바탕층은 Al의 산화물을 함유하고, 약 0.5nm 내지 약 4nm의 두께를 갖고,
    상기 제2의 바탕층은 약 0.5nm 내지 약 200nm의 두께를 갖는 자기 헤드.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 자기 코어 반부 각각의 산화물 자기 베이스는 페라이트 단결정을 함유하고,
    상기 페라이트 단결정은 사이에 개입된 상기 비자성 층과 상기 다른 자기 코어 반부와 결합된 자기 코어 반부의 결합 표면에 대응하는 결합 표면, 및 기록 매체가 주행하는 기록 매체 주행 표면을 갖는 자기 헤드.
  15. 제14항에 있어서, 상기 페라이트 단결정은 Fe2O3A몰%, MnO B몰% 및 ZnO C몰%를 함유하는 MnZn 페라이트 단결정을 포함하고, 여기서, A, B 및 C는 약 52≤A ≤약 57, 약 5≤B ≤약 29, 및 약 16≤C ≤약 21의 관계를 충족시키는 자기 헤드.
  16. 제1항에 있어서, 상기 자기 코어 반부 쌍 각각은 사이에 개입된 비자성 층과 다른 자기 코어 반부와 결합된 결합 표면, 및 기록 매체가 주행하는 기록 매체 주행 표면을 갖고,
    상기 자기 코어 반부 쌍중 적어도 하나는 권선 창을 형성하기 위한 바닥 표면 및 제1의 내부 측면 표면을 갖고,
    상기 제1의 내부 측면 표면은 바닥 표면으로부터 결합 표면으로 확장하고, 바닥 표면에 대하여 기록 매체 주행 표면의 측면 상에 제공되고,
    상기 제1의 내부 측면 표면과 상기 결합 표면에 의해 이루어진 각도는 약 22.5。 내지 약 70。인 자기 헤드.
  17. 제16항에 있어서, 상기 권선 창은 자기 코어 반부 쌍 중 하나에 제공되고, 상기 제1의 내부 측면 표면 및 결합 표면에 의해 이루어진 각도는 약 45。 내지 약 70。인 자기 헤드.
  18. 제16항에 있어서, 상기 권선 창은 자기 코어 반부 쌍 모두에 제공되고, 상기 제1의 내부 측면 표면과 상기 결합 표면에 의해 이루어진 각도는 약 22.5。 내지 약 50。인 자기 헤드.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 제1의 내부 측면 표면은 결합 표면에 인접한 제2의 내부 측면 표면 및 바닥 표면에 인접한 제3 내부 측면 표면을 포함하고,
    상기 제2의 내부 측면 표면 및 결합 표면에 의해 이루어진 각도는 약 22.5。 내지 약 70。이고,
    상기 제3의 내부 측면 표면 및 바닥 표면에 의해 이루어진 각도는 약 90。인 자기 헤드.
  20. 제19항에 있어서, 상기 권선 창은 자기 코어 반부 쌍 중 하나에 제공되고, 제2의 내부 측면 표면 및 결합 표면에 의해 이루어진 각도는 약 45。 내지 약 70。인 자기 헤드.
  21. 제19항에 있어서, 상기 권선 창은 자기 코어 반부 쌍 모두에 제공되고, 제2의 내부 측면 표면 및 결합 표면에 의해 이루어진 각도는 약 22.5。 내지 약 50。인 자기 헤드.
  22. 제1항에 있어서, 상기 금속 자성 박막은 (FeaSibAlcTid)100-e-fNeOf로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 a, b, c, d, e 및 f는 약 10≤b≤약 13, 약 1≤c≤약 3, 약 1≤d≤약 3, a+b+c+d=100, 약 4≤e+f≤약 10, 및 약 0.1≤f≤약 2의 관계를 충족시키는 자기 헤드.
  23. 제1항에 있어서, 상기 자기 코어 반부 각각의 산화물 자기 베이스는 사이에 개입된 비자성 층과 다른 자기 코어 반부의 산화물 자기 베이스와 결합된 결합 표면, 및 결합 표면으로부터 연속되는 측면 표면을 갖고,
    상기 결합 표면 및 측면 표면 각각에 의해 이루어진 각도는 약 70。 내지 약 90。이고,
    상기 금속 자성 박막은 결합 표면 상에 제공되지만 측면 표면 상에 제공되지는 않는 자기 헤드.
  24. 대략 편평한 산화물 자기 플레이트 쌍 중 적어도 하나에 권선 창을 형성하는 권선 창 형성 단계;
    상기 산화물 자기 플레이트 쌍 각각 상에 적어도 하나의 바탕층을 형성하는 바탕층 형성 단계;
    상기 바탕층 상에 금속 자성 박막을 형성하는 금속 자성 박막 형성 단계로서, 상기 금속 자성 박막은 가스상 기술에 의해 산소 및 질소 중 적어도 하나를 함유하는 분위기에서 금속 자성 박막의 주성분인 원소를 함유하는 고체 물질을 사용하여 형성되는 금속 자성 박막 형성 단계;
    산화물 자기 플레이트, 바탕층 및 금속 자성 박막을 포함하는 몸체에 홈을 형성함으로써 그 홈이 트랙에 대응하는 폭을 갖게 하는 트랙 형성 단계; 및
    산화물 자기 플레이트, 바탕층, 및 금속 자성 박막을 포함하는 다른 몸체와, 사이에 개입된 비자성 층과 그 몸체를 결합시키는 결합 단계를 포함하는 것으로,
    한 쌍의 자기 코어 반부, 및 자기 코어 반부 쌍을 결합시키기 위해 자기 코어 반부 쌍 간에 제공된 비자성 층을 포함하고, 여기서, 자기 코어 반부 쌍 각각은 산화물 자기 베이스, 산화물 자기 베이스 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층, 및 바탕층과 비자성 층 간에 제공된 금속 자성 박막을 포함하고; 금속 자성 박막은 평균 체적 Va 및 Sa > 약 4.84 Va2/3의 관계를 충족시키는 평균 표면적 Sa를 갖는 자기 결정질 입자를 주 재료로서 함유하는 자성막을 포함하고; 자기 코어 반부 쌍 중의 적어도 하나는 내부에 권선 창을 갖고, 상기 금속 자성 박막은 이 금속 자성 박막에서 발생된 내부 스트레스로 인해 산화물 자기 베이스가 크래킹되는 것을 방지하는 방식으로 제공되고; 상기 금속 자성 박막은 (MaXbZc)100-dAd로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 M은 Fe, Co 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 자기 금속 원소를 포함하고; X는 Si, Al, Ga 및 Ge으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; Z는 IVa족 원소, Va족 원소, Al, Ga 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; A는 O 및 N으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c 및 d는 약 0.1≤b ≤약 26, 약 0.1≤c ≤약 5, a+b+c=100, 및 약 1≤d ≤약 10의 관계를 충족시키고; 금속 자성 박막은 자기 결정질 입자들을 포함하고, 자기 결정질 입자는 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 및 일반적으로 바늘 같은 형상 및 일반적으로 기둥 같은 형상의 자기 결정질 입자들을 조합하는 다중-브랜치 형상으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 형상을 갖고; 자기 결정질 입자들은 약 5nm<dS<약 60nm의 보다 짧은 측면의 평균 길이 dS 및 약 60nm<dL<약 5000nm의 보다 긴 측면의 평균 길이 dL을 갖는 자기 헤드의 제조 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 제조 단계들은 상기 권선 창 형성 단계, 상기 바탕층 형성 단계, 상기 금속 자성 박막 형성 단계, 상기 트랙 형성 단계, 및 이어서 상기 결합 단계의 순서로 수행되는 자기 헤드의 제조 방법.
  26. 제24항에 있어서, 상기 제조 단계들은 상기 바탕층 형성 단계, 상기 금속 자성 박막 형성 단계, 상기 권선 창 형성 단계, 상기 트랙 형성 단계, 및 이어서 상기 결합 단계의 순서로 수행되는 자기 헤드의 제조 방법.
  27. 제1항에 따른 자기 헤드가 그 위에 설치된 실린더;
    상기 실린더 둘레에 자기 테이프를 감는 헤드/테이프 인터페이스 기구;
    상기 실린더를 구동시키는 실린더 구동부; 및
    상기 실린더 둘레에 감긴 상기 자기 테이프를 구동시키는 자기 테이프 구동부를 포함하는, 영상 기록 및 재생 장치.
  28. 제1항에 따른 자기 헤드가 그 위에 설치된 실린더;
    상기 실린더 둘레에 자기 테이프를 감는 헤드/테이프 인터페이스 기구;
    상기 실린더를 구동시키는 실린더 구동부;
    상기 실린더 둘레에 감긴 상기 자기 테이프를 구동시키는 자기 테이프 구동부;
    영상 신호를 전기 신호로 변환시키는 광학계; 및
    광학계에 의한 변환에 의해 얻어진 전기 신호를 자기 헤드로 출력하는 신호 처리 회로를 포함하는, 비디오 카메라.
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