JP2635402B2 - 軟磁性合金膜 - Google Patents
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
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- G11B5/1875—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers
- G11B5/1877—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film
- G11B5/1878—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film disposed immediately adjacent to the transducing gap, e.g. "Metal-In-Gap" structure
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- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15316—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals based on Co
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、磁気ヘッド等に適した軟磁性合金膜に関
する。
する。
［従来の技術］ 磁気記録の分野においては、記録密度を高めるために
磁気テープ等の記録媒体の高保磁力化が推進されている
が、それに対応する磁気ヘッドの材料として飽和磁束密
度（Bs）の高いものが要求されている。
磁気テープ等の記録媒体の高保磁力化が推進されている
が、それに対応する磁気ヘッドの材料として飽和磁束密
度（Bs）の高いものが要求されている。
従来の高飽和磁束密度の軟磁性材料（膜）として、Fe
−Si−Al合金（センダスト）が代表的なものであるが、
近年、強磁性金属元素であるCoを主体とする非晶質の合
金膜が開発されている。
−Si−Al合金（センダスト）が代表的なものであるが、
近年、強磁性金属元素であるCoを主体とする非晶質の合
金膜が開発されている。
また最近の試みとして、Feを主成分とする微細結晶か
らなる合金膜（Fe−C,Fe−Si等）により、Feの結晶磁気
異方性の影響（軟磁性に対する悪影響）を結晶の微細化
により軽減し、高飽和磁束密度でかつ軟磁気特性の優れ
た膜を得た例がある。
らなる合金膜（Fe−C,Fe−Si等）により、Feの結晶磁気
異方性の影響（軟磁性に対する悪影響）を結晶の微細化
により軽減し、高飽和磁束密度でかつ軟磁気特性の優れ
た膜を得た例がある。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、磁気ヘッドを組み込んだ装置は小型化、軽
量化する傾向にあり、移動に伴う振動にさらされたり、
悪環境のもとで使用されたりすることが多くなってい
る。そこで、磁気ヘッドには、磁気特性が優秀であって
磁気テープに対する耐摩耗性が優れていることは勿論、
温度や腐食性の雰囲気中での耐用性、すなわち耐環境性
や、耐振動性等が高いことが要求されている。そのた
め、ギャップ形成やケースへの組み込み等をガラス溶着
で行うことが必要となり、磁気ヘッドの素材はヘッドの
製造工程におけるガラス溶着工程の高温に耐え得ること
が必要である。
量化する傾向にあり、移動に伴う振動にさらされたり、
悪環境のもとで使用されたりすることが多くなってい
る。そこで、磁気ヘッドには、磁気特性が優秀であって
磁気テープに対する耐摩耗性が優れていることは勿論、
温度や腐食性の雰囲気中での耐用性、すなわち耐環境性
や、耐振動性等が高いことが要求されている。そのた
め、ギャップ形成やケースへの組み込み等をガラス溶着
で行うことが必要となり、磁気ヘッドの素材はヘッドの
製造工程におけるガラス溶着工程の高温に耐え得ること
が必要である。
しかしながら、前記従来の軟磁性合金膜において、セ
ンダストからなるものは、飽和磁束密度が約10000G（ガ
ウス）程度であり、今後一層の高密度化の要求に対して
は不充分である。また、Co系のアモルファス合金膜は13
000G以上の高い飽和磁束密度のものも得られているが、
従来のアモルファス合金の飽和磁束密度を高くしようと
するとアモルファス形成元素であるTi,Zr,Hf,Nb,Ta,Mo,
W等の添加量を少なくする必要があるが、添加量を少な
くすると、アモルファス構造の安定性が低下し、ガラス
溶着に必要な温度（約500℃以上）には耐え得ない問題
がある。
ンダストからなるものは、飽和磁束密度が約10000G（ガ
ウス）程度であり、今後一層の高密度化の要求に対して
は不充分である。また、Co系のアモルファス合金膜は13
000G以上の高い飽和磁束密度のものも得られているが、
従来のアモルファス合金の飽和磁束密度を高くしようと
するとアモルファス形成元素であるTi,Zr,Hf,Nb,Ta,Mo,
W等の添加量を少なくする必要があるが、添加量を少な
くすると、アモルファス構造の安定性が低下し、ガラス
溶着に必要な温度（約500℃以上）には耐え得ない問題
がある。
更に、上述したFeを主成分とする微細結晶からなる合
金膜（Fe−C,Fe−Si等）は、高温で結晶成長を起こし、
軟磁気特性が劣化するために、やはりガラス溶着に適し
たものとは言い難い。
金膜（Fe−C,Fe−Si等）は、高温で結晶成長を起こし、
軟磁気特性が劣化するために、やはりガラス溶着に適し
たものとは言い難い。
本発明は上述の問題点を解決し、保磁力が小さく透磁
率が高く、その特性が熱的に安定であるとともに高い飽
和磁束密度を有する軟磁性合金膜を提供するものであ
る。
率が高く、その特性が熱的に安定であるとともに高い飽
和磁束密度を有する軟磁性合金膜を提供するものであ
る。
［課題を解決するための手段］ 請求項１に記載した発明は前記課題を解決するため
に、組成式がCo x M z C wで示され、ＭはTi,Zr,Hf,Nb,
Ta,Mo,Wのうち、１種又は２種以上からなる金属元素又
はその混合物であり、組成比x,z,wは原子％で55≦ｘ≦9
6、２≦ｚ≦25、0.1≦ｗ≦20、なる関係を満足するとと
もに、その金属組織が、基本的に平均粒径0.05μｍ以下
の結晶粒からなり、その一部にＭの炭化物の結晶相を含
ませたものである。
に、組成式がCo x M z C wで示され、ＭはTi,Zr,Hf,Nb,
Ta,Mo,Wのうち、１種又は２種以上からなる金属元素又
はその混合物であり、組成比x,z,wは原子％で55≦ｘ≦9
6、２≦ｚ≦25、0.1≦ｗ≦20、なる関係を満足するとと
もに、その金属組織が、基本的に平均粒径0.05μｍ以下
の結晶粒からなり、その一部にＭの炭化物の結晶相を含
ませたものである。
請求項２に記載した発明は前記課題を解決するため
に、請求項１に記載した金属組織を基本的に平均粒径0.
05μｍ以下の結晶粒と非晶質組織からなるようにしたも
のである。
に、請求項１に記載した金属組織を基本的に平均粒径0.
05μｍ以下の結晶粒と非晶質組織からなるようにしたも
のである。
請求項３に記載した発明は前記課題を解決するため
に、組成式がCo x T y M z C wで示され、ＴはFe,Ni,Mn
のうち、１種又は２種以上からなる金属元素又はその混
合物、ＭはTi,Zr,Hf,Nb,Ta,Mo,Wのうち、１種又は２種
以上からなる金属元素又はその混合物であり、組成比x,
y,z,wは原子％で50≦ｘ≦96、0.1≦ｙ≦20、２≦ｚ≦2
5、0.1≦ｗ≦20、なる関係を満足させるとともに、その
金属組織が基本的に平均粒径0.05μｍ以下の結晶粒から
なり、その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含ませたも
のである 請求項４に記載した発明は前記課題を解決するため
に、請求項３に記載した金属組織を基本的に平均粒径0.
05μｍ以下の結晶粒と非晶質組織からなるようにしたも
のである。
に、組成式がCo x T y M z C wで示され、ＴはFe,Ni,Mn
のうち、１種又は２種以上からなる金属元素又はその混
合物、ＭはTi,Zr,Hf,Nb,Ta,Mo,Wのうち、１種又は２種
以上からなる金属元素又はその混合物であり、組成比x,
y,z,wは原子％で50≦ｘ≦96、0.1≦ｙ≦20、２≦ｚ≦2
5、0.1≦ｗ≦20、なる関係を満足させるとともに、その
金属組織が基本的に平均粒径0.05μｍ以下の結晶粒から
なり、その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含ませたも
のである 請求項４に記載した発明は前記課題を解決するため
に、請求項３に記載した金属組織を基本的に平均粒径0.
05μｍ以下の結晶粒と非晶質組織からなるようにしたも
のである。
請求項５に記載した発明は前記課題を解決するため
に、組成式がCo a V c C eで示され、組成比a,c,eは原
子％で、55≦ａ≦93、５≦ｃ≦25、0.5≦ｅ≦25、なる
関係を満足するとともに、その金属組織が平均粒径0.05
μｍ以下の結晶粒からなり、結晶粒の一部にＶの炭化物
の結晶相を含ませたものである。
に、組成式がCo a V c C eで示され、組成比a,c,eは原
子％で、55≦ａ≦93、５≦ｃ≦25、0.5≦ｅ≦25、なる
関係を満足するとともに、その金属組織が平均粒径0.05
μｍ以下の結晶粒からなり、結晶粒の一部にＶの炭化物
の結晶相を含ませたものである。
請求項６に記載した発明は前記課題を解決するため
に、請求項５に記載した金属組織を平均粒径0.05μｍ以
下の結晶粒と非晶質組織とからなるようにしたものであ
る。
に、請求項５に記載した金属組織を平均粒径0.05μｍ以
下の結晶粒と非晶質組織とからなるようにしたものであ
る。
請求項７に記載した発明は前記課題を解決するため
に、組成式がCo a V c M d C eで示され、組成比a,c,d,
eは原子％で55≦ａ≦96、0.5≦ｃ≦25、0.5≦ｄ≦25、
0.5≦ｅ≦25、２≦ｃ＋ｄ、なる関係を満足するととも
に、その金属組織が平均粒径0.05μｍ以下の結晶粒から
なり、結晶粒の一部にＶの炭化物とＭの炭化物の結晶相
を含ませたものである。
に、組成式がCo a V c M d C eで示され、組成比a,c,d,
eは原子％で55≦ａ≦96、0.5≦ｃ≦25、0.5≦ｄ≦25、
0.5≦ｅ≦25、２≦ｃ＋ｄ、なる関係を満足するととも
に、その金属組織が平均粒径0.05μｍ以下の結晶粒から
なり、結晶粒の一部にＶの炭化物とＭの炭化物の結晶相
を含ませたものである。
請求項８に記載した発明は前記課題を解決するため
に、請求項７に記載した金属組織を平均粒径0.05μｍ以
下の結晶粒と非晶質組織からなるようにしたものであ
る。
に、請求項７に記載した金属組織を平均粒径0.05μｍ以
下の結晶粒と非晶質組織からなるようにしたものであ
る。
請求項９に記載した発明は前記課題を解決するため
に、組成式がCo a T b V c C eで示され、組成比a,b,c,
eは原子％で50≦ａ≦93、0.1≦ｂ≦20、５≦ｃ≦25、0.
5≦ｅ≦25、なる関係を満足するとともに、その金属組
織が平均粒径0.05μｍ以下の結晶粒からなり、結晶粒の
一部にＶの炭化物の結晶相を含ませたものである。
に、組成式がCo a T b V c C eで示され、組成比a,b,c,
eは原子％で50≦ａ≦93、0.1≦ｂ≦20、５≦ｃ≦25、0.
5≦ｅ≦25、なる関係を満足するとともに、その金属組
織が平均粒径0.05μｍ以下の結晶粒からなり、結晶粒の
一部にＶの炭化物の結晶相を含ませたものである。
請求項10に記載した発明は前記課題を解決するため
に、請求項９に記載した金属組織を平均粒径0.05μｍ以
下の結晶粒と非晶質組織からなるようにしたものであ
る。
に、請求項９に記載した金属組織を平均粒径0.05μｍ以
下の結晶粒と非晶質組織からなるようにしたものであ
る。
請求項11に記載した発明は前記課題を解決するため
に、組成比がCo a T b V c M d C eで示され、組成比a,
b,c,d,eは原子％で50≦ａ≦96、0.1≦ｂ≦20、0.5≦ｃ
≦25、0.5≦ｄ≦25、0.5≦ｅ≦25、２≦ｃ＋ｄ、なる関
係を満足するとともに、その金属組織が平均粒径0.05μ
ｍ以下の結晶粒からなり、結晶粒の一部にＶの炭化物と
Ｍの炭化物の結晶相を含ませたものである。
に、組成比がCo a T b V c M d C eで示され、組成比a,
b,c,d,eは原子％で50≦ａ≦96、0.1≦ｂ≦20、0.5≦ｃ
≦25、0.5≦ｄ≦25、0.5≦ｅ≦25、２≦ｃ＋ｄ、なる関
係を満足するとともに、その金属組織が平均粒径0.05μ
ｍ以下の結晶粒からなり、結晶粒の一部にＶの炭化物と
Ｍの炭化物の結晶相を含ませたものである。
請求項12に記載した発明は前記課題を解決するため
に、請求項11に記載した金属組織を平均粒径0.05μｍ以
下の結晶粒と非晶質組織からなるようにしたものであ
る。
に、請求項11に記載した金属組織を平均粒径0.05μｍ以
下の結晶粒と非晶質組織からなるようにしたものであ
る。
以下に本発明を更に詳細に説明する。
前記合金膜の生成方法としては、合金膜をスパッタ、
蒸着等の薄膜形成装置により作製する。スパッタ装置と
しては、RF2極スパッタ、DCスパッタ、マグネトロンス
パッタ、３極スパッタ、イオンビームスパッタ、対向タ
ーゲット式スパッタ、等の既存のものを使用することが
できる。また、Ｃを膜中に添加する方法としては、ター
ゲット板上にグラファイトのペレットを配置して複合タ
ーゲットとし、これをスパッタする方法、あるいは、Ｃ
を含まないターゲット（Co−Ｔ−Ｍ系）を用い、Ar等の
不活性ガス中にメタン（CH4）等の炭化水素ガスを混合
したガス雰囲気でスパッタする反応性スパッタ法等を用
いることができ、反応性スパッタ法では膜中のＣ濃度の
制御が容易であるので所望のＣ濃度の優れた膜を得るこ
とができる。
蒸着等の薄膜形成装置により作製する。スパッタ装置と
しては、RF2極スパッタ、DCスパッタ、マグネトロンス
パッタ、３極スパッタ、イオンビームスパッタ、対向タ
ーゲット式スパッタ、等の既存のものを使用することが
できる。また、Ｃを膜中に添加する方法としては、ター
ゲット板上にグラファイトのペレットを配置して複合タ
ーゲットとし、これをスパッタする方法、あるいは、Ｃ
を含まないターゲット（Co−Ｔ−Ｍ系）を用い、Ar等の
不活性ガス中にメタン（CH4）等の炭化水素ガスを混合
したガス雰囲気でスパッタする反応性スパッタ法等を用
いることができ、反応性スパッタ法では膜中のＣ濃度の
制御が容易であるので所望のＣ濃度の優れた膜を得るこ
とができる。
このようにして作製したままの膜はアモルファス相を
かなりの割合で含んだものであり、不安定であるので、
400〜700℃程度に加熱する熱処理を施すことによって微
結晶を析出させる。そして、この熱処理を静磁界中ある
いは回転磁界中で行うことにより、より優れた軟磁気特
性が得られる。また、この熱処理は磁気ヘッドの製造工
程におけるガラス溶着工程と兼ねて行うことができる。
かなりの割合で含んだものであり、不安定であるので、
400〜700℃程度に加熱する熱処理を施すことによって微
結晶を析出させる。そして、この熱処理を静磁界中ある
いは回転磁界中で行うことにより、より優れた軟磁気特
性が得られる。また、この熱処理は磁気ヘッドの製造工
程におけるガラス溶着工程と兼ねて行うことができる。
なお、前記微結晶の析出工程は、完全に行なわれる必
要はなく、微結晶が相当数（好ましくは50％以上）析出
していれば良いので、アモルファス成分が一部残留して
いても差し支えなく、残留したアモルファス成分が特性
向上の障害となることはない。
要はなく、微結晶が相当数（好ましくは50％以上）析出
していれば良いので、アモルファス成分が一部残留して
いても差し支えなく、残留したアモルファス成分が特性
向上の障害となることはない。
以下、前記のように成分を限定した理由について述べ
る。
る。
Coは主成分であり、磁性を担う元素であって、少なく
ともフェライト（Bs≒5000G）以上の飽和磁束密度を得
るためには、ｘ≧55％あるいはａ≧55％が必要である。
ただし請求項3,4,9,10,11,12の発明の場合は、元素Ｔが
磁性を補うので、ｘ≧50％あるいはａ≧50％でよい。ま
た、請求項1,2,3,4の発明において良好な軟磁気特性を
得るためには、ｘ≦96％でなければならない。
ともフェライト（Bs≒5000G）以上の飽和磁束密度を得
るためには、ｘ≧55％あるいはａ≧55％が必要である。
ただし請求項3,4,9,10,11,12の発明の場合は、元素Ｔが
磁性を補うので、ｘ≧50％あるいはａ≧50％でよい。ま
た、請求項1,2,3,4の発明において良好な軟磁気特性を
得るためには、ｘ≦96％でなければならない。
請求項5,6,9,10の発明のように、元素Ｍを含まずに、
Ｖを含む場合は、良好な軟磁気特性を得るための範囲が
狭まり、ａ≦93％となる。請求項7,8,11,12の発明のよ
うに元素ＭとＶの複合添加の場合は、良好な軟磁気特性
を得るためには、ａ≦96％となる。
Ｖを含む場合は、良好な軟磁気特性を得るための範囲が
狭まり、ａ≦93％となる。請求項7,8,11,12の発明のよ
うに元素ＭとＶの複合添加の場合は、良好な軟磁気特性
を得るためには、ａ≦96％となる。
元素Ｍは軟磁気特性を良好にするために必要であり、
またＣと結合して炭化物の微細結晶を形成する。請求項
１〜４の発明では良好な軟磁気特性を維持するために
は、ｚ≧２％とする必要があり、請求項7,8,11,12の発
明では、ｄ≧0.5％かつｃ＋ｄ≧２％とする必要がある
が、多すぎると飽和磁束密度が低下してしまうので、請
求項１〜４の発明においてはｚ≦25％、請求項7,8,11,1
2の発明ではｄ≦25％とする必要がある。
またＣと結合して炭化物の微細結晶を形成する。請求項
１〜４の発明では良好な軟磁気特性を維持するために
は、ｚ≧２％とする必要があり、請求項7,8,11,12の発
明では、ｄ≧0.5％かつｃ＋ｄ≧２％とする必要がある
が、多すぎると飽和磁束密度が低下してしまうので、請
求項１〜４の発明においてはｚ≦25％、請求項7,8,11,1
2の発明ではｄ≦25％とする必要がある。
Ｃは軟磁気特性を良好にするため、及び、耐熱性を向
上させるために必要であり、また、元素M,Vと結合して
炭化物の微細結晶を形成する。良好な軟磁気特性及び熱
的安定性を維持するには、請求項１〜４の発明ではｗ≧
0.1％、請求項５〜12の発明ではｅ≧0.5％とする必要が
ある。また、多すぎると飽和磁束密度が低下してしまう
ので、請求項１〜４の発明ではｗ≦20％、請求項５〜12
の発明ではｅ≦25％とする必要がある。
上させるために必要であり、また、元素M,Vと結合して
炭化物の微細結晶を形成する。良好な軟磁気特性及び熱
的安定性を維持するには、請求項１〜４の発明ではｗ≧
0.1％、請求項５〜12の発明ではｅ≧0.5％とする必要が
ある。また、多すぎると飽和磁束密度が低下してしまう
ので、請求項１〜４の発明ではｗ≦20％、請求項５〜12
の発明ではｅ≦25％とする必要がある。
元素M,Vの炭化物の微細結晶は磁壁のピンニングサイ
トとして働き、透磁率の高周波特性を向上させる働きが
あるとともに、膜中に均一に分散させることで、Coの微
結晶が熱処理により成長して軟磁性を損うことを防止す
る働きがある。つまり、Coの結晶粒が成長して大きくな
ると結晶磁気異方性の悪影響が大きくなり、軟磁気特性
が悪化するが、元素Ｍ、Ｖの炭化物の微結晶がCoの粒成
長の障壁として働くことにより軟磁気特性の悪化を防止
する。
トとして働き、透磁率の高周波特性を向上させる働きが
あるとともに、膜中に均一に分散させることで、Coの微
結晶が熱処理により成長して軟磁性を損うことを防止す
る働きがある。つまり、Coの結晶粒が成長して大きくな
ると結晶磁気異方性の悪影響が大きくなり、軟磁気特性
が悪化するが、元素Ｍ、Ｖの炭化物の微結晶がCoの粒成
長の障壁として働くことにより軟磁気特性の悪化を防止
する。
そして、金属組織が基本的に0.05μｍ以下の微結晶か
らなっているから、非晶質に比べて熱的安定性に優れて
おり、添加元素を少なくでき、飽和磁束密度を高くする
ことができる。
らなっているから、非晶質に比べて熱的安定性に優れて
おり、添加元素を少なくでき、飽和磁束密度を高くする
ことができる。
元素Ｔ（Fe,Ni,Mn）は、磁歪の調整の目的で添加する
元素である。Co x M z V c C w系では磁歪は10-6台の負
の値であり、使用可能であるが、磁気ヘッドへの加工に
伴う加工歪みや、ガラス溶着に伴う熱歪みによる磁気特
性の劣化を最小限に抑えるには、磁歪が零であることが
望ましく、そのためには、磁歪を正にする効果のあるF
e,Ni,Mnの添加が有効である。添加する量の上限は、磁
歪が＋10-5台以上とならないように、請求項１〜４の発
明ではｙ≦20％としなければならない。なお、Fe,Ni,Mn
はCoの結晶構造をfcc（面心立方構造）として安定化す
る作用があり、このfccはCoの他の結晶構造であるhcp
（稠密六方構造）よりも軟磁性に優れているとともに、
結晶磁気異方性が小さく、軟磁性合金膜として好ましい
特性を発揮させる。
元素である。Co x M z V c C w系では磁歪は10-6台の負
の値であり、使用可能であるが、磁気ヘッドへの加工に
伴う加工歪みや、ガラス溶着に伴う熱歪みによる磁気特
性の劣化を最小限に抑えるには、磁歪が零であることが
望ましく、そのためには、磁歪を正にする効果のあるF
e,Ni,Mnの添加が有効である。添加する量の上限は、磁
歪が＋10-5台以上とならないように、請求項１〜４の発
明ではｙ≦20％としなければならない。なお、Fe,Ni,Mn
はCoの結晶構造をfcc（面心立方構造）として安定化す
る作用があり、このfccはCoの他の結晶構造であるhcp
（稠密六方構造）よりも軟磁性に優れているとともに、
結晶磁気異方性が小さく、軟磁性合金膜として好ましい
特性を発揮させる。
また、Fe,Ni,Mnのうちから複数の元素を組み合わせて
添加することにより、磁歪の調整、軟磁気特性の向上が
でき、これらの組み合わせによって軟磁気特性を損なわ
ないためには、元素Ｔの総量を請求項１〜４の発明では
ｙ≦20％としなければならない。
添加することにより、磁歪の調整、軟磁気特性の向上が
でき、これらの組み合わせによって軟磁気特性を損なわ
ないためには、元素Ｔの総量を請求項１〜４の発明では
ｙ≦20％としなければならない。
一方、請求項5,6,9,10の発明で、Ｖの組成比ｃを５≦
ｃ≦25としたのは、元素Ｍを含有せずにＶを含有させた
合金膜の場合、Ｖが少量では熱処理後の結晶粒が元素Ｍ
の添加のときほど微細にならないために、５≦ｃとする
必要があるためである。また、請求項7,8,11,12の発明
でＶの組成比ｃを0.5≦ｃ≦25としたのは、元素ＭとＶ
の複合効果では、元素Ｍの添加によって結晶粒が十分に
微細化するので、0.5≦ｃで良い。
ｃ≦25としたのは、元素Ｍを含有せずにＶを含有させた
合金膜の場合、Ｖが少量では熱処理後の結晶粒が元素Ｍ
の添加のときほど微細にならないために、５≦ｃとする
必要があるためである。また、請求項7,8,11,12の発明
でＶの組成比ｃを0.5≦ｃ≦25としたのは、元素ＭとＶ
の複合効果では、元素Ｍの添加によって結晶粒が十分に
微細化するので、0.5≦ｃで良い。
［作用］ 上記軟磁性合金膜においては、その組成がCoを主体し
て、飽和磁束密度を低下させる成分の添加が制限されて
いるから、最高16000Gという高い飽和磁束密度が得られ
る。また、元素ＭあるいはＶ及びＣが含まれているとと
もに、金属組織が微細な結晶粒からなっており、結晶磁
気異方性による軟磁性への悪影響が軽減されるので、良
好な軟磁気特性が得られる。なお、元素ＭあるいはＶの
炭化物が析出してCoを主成分とする結晶粒の成長を抑え
るので、ガラス溶着工程において600℃以上に加熱され
ても、結晶粒が粗大化することがない。
て、飽和磁束密度を低下させる成分の添加が制限されて
いるから、最高16000Gという高い飽和磁束密度が得られ
る。また、元素ＭあるいはＶ及びＣが含まれているとと
もに、金属組織が微細な結晶粒からなっており、結晶磁
気異方性による軟磁性への悪影響が軽減されるので、良
好な軟磁気特性が得られる。なお、元素ＭあるいはＶの
炭化物が析出してCoを主成分とする結晶粒の成長を抑え
るので、ガラス溶着工程において600℃以上に加熱され
ても、結晶粒が粗大化することがない。
［実施例］ （１）成膜 RF2極スパッタ装置を用いて、後に記載する第１表に
示す組成の合金膜を形成した。
示す組成の合金膜を形成した。
サンプルA1用としてCo84Ta10Hf6（添字は原子％）な
る組成の合金ターゲットを用い、サンプルB1用としてCo
84Ta10Hf6なる組成の合金ターゲットにFeのペレットを
配置した複合ターゲットを用い、スパッタをArガスとCH
4ガスの混合ガス雰囲気中で行うことによってＣ（炭
素）を膜中に分布させた。スパッタガス中のCH4濃度
（体積％）と、得られた膜中の炭素濃度（原子％）の関
係を第２図に示す。
る組成の合金ターゲットを用い、サンプルB1用としてCo
84Ta10Hf6なる組成の合金ターゲットにFeのペレットを
配置した複合ターゲットを用い、スパッタをArガスとCH
4ガスの混合ガス雰囲気中で行うことによってＣ（炭
素）を膜中に分布させた。スパッタガス中のCH4濃度
（体積％）と、得られた膜中の炭素濃度（原子％）の関
係を第２図に示す。
第２図から、CH4の濃度（分圧）を変化させることに
より膜中の炭素濃度を任意に制御できることが判明し
た。なお、成膜厚さは５μｍとした。
より膜中の炭素濃度を任意に制御できることが判明し
た。なお、成膜厚さは５μｍとした。
（２）熱処理 成膜後、550℃にて20分間保持した。
（３）測定 前記のように製造された合金膜とスパッタにより成膜
したセンダスト合金膜（比較例）について、熱処理後に
おける飽和磁束密度（Bs）と透磁率（μ）および保磁力
（Hc）の測定と磁歪の測定を行った。
したセンダスト合金膜（比較例）について、熱処理後に
おける飽和磁束密度（Bs）と透磁率（μ）および保磁力
（Hc）の測定と磁歪の測定を行った。
以上の結果を第１表に示す。
第１表のサンプルA1は、元素Ｔ（Fe,Mn,Ni）を含まな
い例であり、センダスト膜と同レベルの透磁率と、セン
ダスト膜より高い飽和磁束密度と、低い保磁力が得られ
ている。なお、従来のアモルファス合金においては、飽
和磁束密度がこのように高い値を示すものは同等の条件
の熱処理において結晶化し、透磁率が100以下まで低下
してしまう。従って、ガラスボンディング後の磁気特性
が劣化し、磁気ヘッドとしての満足な特性が得られない
ことになる。
い例であり、センダスト膜と同レベルの透磁率と、セン
ダスト膜より高い飽和磁束密度と、低い保磁力が得られ
ている。なお、従来のアモルファス合金においては、飽
和磁束密度がこのように高い値を示すものは同等の条件
の熱処理において結晶化し、透磁率が100以下まで低下
してしまう。従って、ガラスボンディング後の磁気特性
が劣化し、磁気ヘッドとしての満足な特性が得られない
ことになる。
第１表のサンプルB1は、合金膜にFeを含んでおり、磁
歪が低く抑えられているととも、飽和磁束密度が高めら
れ、また保磁力が低められている。
歪が低く抑えられているととも、飽和磁束密度が高めら
れ、また保磁力が低められている。
第１表のサンプルC1はサンプルB1よりもCoとFeの成分
を増やした例であり、15600Gもの高い飽和磁束密度が得
られている。
を増やした例であり、15600Gもの高い飽和磁束密度が得
られている。
次に前記合金膜の金属組織を同定するために、Ｘ線回
折パターンの測定を行った。第１図はサンプルA1とサン
プルC1の熱処理後のＸ線回折パターンであり、比較例と
して、Co84Ta10Hf6の組 成を有するアモルファス膜（サンプルE1）の回折パター
ンを示してある。
折パターンの測定を行った。第１図はサンプルA1とサン
プルC1の熱処理後のＸ線回折パターンであり、比較例と
して、Co84Ta10Hf6の組 成を有するアモルファス膜（サンプルE1）の回折パター
ンを示してある。
サンプルA1の膜の回折パターンにはfcc（面心立方構
造）のCoとhcp（六方稠密構造）のCoおよびTaCの結晶の
存在を示すブロードなピークが現れており、アモルファ
ス膜のサンプルE1と比較してわかるように結晶性が確認
される。つまり、合金膜の金属組織が完全なアモルファ
ス状態ではなく、結晶化していることを示している。第
１図のピークの半値幅から結晶粒径を計算すると、結晶
構造はfcc−Coにおいて30〜40Å、TaCで約20Åであり、
いずれも極めて微細な結晶粒からなっている。
造）のCoとhcp（六方稠密構造）のCoおよびTaCの結晶の
存在を示すブロードなピークが現れており、アモルファ
ス膜のサンプルE1と比較してわかるように結晶性が確認
される。つまり、合金膜の金属組織が完全なアモルファ
ス状態ではなく、結晶化していることを示している。第
１図のピークの半値幅から結晶粒径を計算すると、結晶
構造はfcc−Coにおいて30〜40Å、TaCで約20Åであり、
いずれも極めて微細な結晶粒からなっている。
なお、サンプルA1,C1は、ほぼ全体が微結晶組織とな
っているが、もっと低い温度で熱処理を行って全体の50
％以下のアモルファス相が残存するように処理してもほ
ぼ良好な磁気特性を示した。サンプルC1はFeを含むもの
で、Feを添加することにより第１図に示すようにhcp−C
oのピークが消えてfcc−Coピークが主体となっており、
第１表の結果を裏付けている。
っているが、もっと低い温度で熱処理を行って全体の50
％以下のアモルファス相が残存するように処理してもほ
ぼ良好な磁気特性を示した。サンプルC1はFeを含むもの
で、Feを添加することにより第１図に示すようにhcp−C
oのピークが消えてfcc−Coピークが主体となっており、
第１表の結果を裏付けている。
更に、サンプルA1と同等の組成の厚さ５μｍの合金膜
を、570℃において回転磁界中で熱処理を行い、透磁率
の周波数特性を測定した。その結果を第３図に示す。５
μｍの厚さにもかかわらず、10MHzまで1000以上の高い
透磁率を示しており、優れた軟磁気特性を示しているこ
とが判明した。
を、570℃において回転磁界中で熱処理を行い、透磁率
の周波数特性を測定した。その結果を第３図に示す。５
μｍの厚さにもかかわらず、10MHzまで1000以上の高い
透磁率を示しており、優れた軟磁気特性を示しているこ
とが判明した。
［実施例］ （１）成膜 RF2極スパッタ装置を用いて、第２表に示す組成の合
金膜を形成した。
金膜を形成した。
Coターゲット上にV,Nb,Feのペレットを適宜配置して
構成した複合ターゲットを用い、ArガスとCH4ガスの混
合ガス雰囲気中でスパッタを行って膜厚５〜６μｍの薄
膜を形成した。
構成した複合ターゲットを用い、ArガスとCH4ガスの混
合ガス雰囲気中でスパッタを行って膜厚５〜６μｍの薄
膜を形成した。
（２）熱処理 成膜後回転磁界中において550℃に20分間保持した。
（３）測定 前記のように製造された合金膜とスパッタにより成膜
したセンダスト合金膜（比較例）について、熱処理後に
おける飽和磁束密度（Bs）と透磁率（μ）および保磁力
（Hc）の測定と磁歪の測定を行った。
したセンダスト合金膜（比較例）について、熱処理後に
おける飽和磁束密度（Bs）と透磁率（μ）および保磁力
（Hc）の測定と磁歪の測定を行った。
以上の結果を第２表に示す。
第２表のサンプルA2は、センダスト膜より極めて高い
飽和磁束密度（13500G）を示す。ここで一般に13000G程
度の飽和磁束密度を示す従来のアモルファス合金におい
て、飽和磁束密度がこのように高い値を示すものは同等
の条件の熱処理（550℃、20分間保持）において結晶化
し、透磁率が100以下まで低下してしまう。即ち、アモ
ルファス合金膜ではガラスボンディング後の磁気特性が
劣化し、磁気ヘッドとしての満足な特性が得られないこ
とになる。従って本発明のサンプルA2が高温の熱処理を
受けても高い飽和磁束密度を示す優秀な合金膜であるこ
とが明らかである。ただしサンプルA2の膜はセンダスト
合金膜に比較して透磁率と保磁力の特性がやや低下して
いるが、これらの特性はサンプルB2,C2で向上させるこ
とができる。
飽和磁束密度（13500G）を示す。ここで一般に13000G程
度の飽和磁束密度を示す従来のアモルファス合金におい
て、飽和磁束密度がこのように高い値を示すものは同等
の条件の熱処理（550℃、20分間保持）において結晶化
し、透磁率が100以下まで低下してしまう。即ち、アモ
ルファス合金膜ではガラスボンディング後の磁気特性が
劣化し、磁気ヘッドとしての満足な特性が得られないこ
とになる。従って本発明のサンプルA2が高温の熱処理を
受けても高い飽和磁束密度を示す優秀な合金膜であるこ
とが明らかである。ただしサンプルA2の膜はセンダスト
合金膜に比較して透磁率と保磁力の特性がやや低下して
いるが、これらの特性はサンプルB2,C2で向上させるこ
とができる。
第２表のサンプルB2は、合金膜にNbを添加したもの
で、Nbの添加によって熱処理後の高い飽和磁束密度を維
持した上に、第２表に示す如くセンダスト合金膜と同等
あるいはそれ以上に優れた透磁率と保磁力を得ることが
できた。
で、Nbの添加によって熱処理後の高い飽和磁束密度を維
持した上に、第２表に示す如くセンダスト合金膜と同等
あるいはそれ以上に優れた透磁率と保磁力を得ることが
できた。
第２表のサンプルC2は、合金膜にNbとFeを添加したも
ので、熱処理後の高い飽和磁束密度を維持し、透磁率と
保磁力に優れ、更に、Feの添加により磁歪定数を10-7台
に低減させることができた。
ので、熱処理後の高い飽和磁束密度を維持し、透磁率と
保磁力に優れ、更に、Feの添加により磁歪定数を10-7台
に低減させることができた。
次に前記合金膜の金属組織を同定するために、Ｘ線回
折パターンの測定を行った。第４図にサンプルA2の組成
の膜において、成膜したままの状態の膜のＸ線回折パタ
ーンと熱処理後に得られた膜の回折パターンを示し
た。
折パターンの測定を行った。第４図にサンプルA2の組成
の膜において、成膜したままの状態の膜のＸ線回折パタ
ーンと熱処理後に得られた膜の回折パターンを示し
た。
第４図ののパターンでは非常にブロードしたCoの微
結晶（hcp−Co;六方稠密構造のCo、およびfcc−Co;面心
立方構造のCo）の回折ピークのみ現れている。（この状
態では、飽和磁束密度は第２表に示した値よりも低くな
る。） 第４図ののパターンでは、Coの微結晶のピークの他
に、V4C3,V2C等のＶの炭化物の微結晶の存在を示すピー
クが現れている。のパターンにおいてCoの平均結晶粒
径を回折ピークの半値幅から計算すると、約60〜70Åと
なり、極めて微細であることがわかる。このように高い
温度で熱処理してもCoの結晶粒が成長することがなく、
結晶粒の粗大化が起こらないのは、熱的に安定なＶの炭
化物の微細結晶が均一に分散しているために、この炭化
物がCoの結晶粒の成長を妨げているためである。Coの結
晶粒が微細になれば、Coが持つ結晶磁気異方性が平均化
され、異方性分散が少なくなり、結果として軟磁性が良
好になると理解される。
結晶（hcp−Co;六方稠密構造のCo、およびfcc−Co;面心
立方構造のCo）の回折ピークのみ現れている。（この状
態では、飽和磁束密度は第２表に示した値よりも低くな
る。） 第４図ののパターンでは、Coの微結晶のピークの他
に、V4C3,V2C等のＶの炭化物の微結晶の存在を示すピー
クが現れている。のパターンにおいてCoの平均結晶粒
径を回折ピークの半値幅から計算すると、約60〜70Åと
なり、極めて微細であることがわかる。このように高い
温度で熱処理してもCoの結晶粒が成長することがなく、
結晶粒の粗大化が起こらないのは、熱的に安定なＶの炭
化物の微細結晶が均一に分散しているために、この炭化
物がCoの結晶粒の成長を妨げているためである。Coの結
晶粒が微細になれば、Coが持つ結晶磁気異方性が平均化
され、異方性分散が少なくなり、結果として軟磁性が良
好になると理解される。
［発明の効果］ 以上詳述したようにこの発明は、Coを主成分とする微
結晶粒からなる軟磁性合金膜であり、飽和磁束密度を低
下させる成分の添加が制限されているから、センダスト
合金膜よりも高い飽和磁束密度であって、最高16000Gと
いう高い飽和磁束密度が得られる。
結晶粒からなる軟磁性合金膜であり、飽和磁束密度を低
下させる成分の添加が制限されているから、センダスト
合金膜よりも高い飽和磁束密度であって、最高16000Gと
いう高い飽和磁束密度が得られる。
また、元素Ｍ（Ti,Zr,Hf,Nb,Ta,Mo,W）,V及びＣとい
う軟磁性に良好とする成分が添加されるとともに、金属
組織が微細な結晶粒から成り、結晶磁気異方性による軟
磁性への悪影響が軽減されるので、良好な軟磁気特性が
得られる。更に、微細結晶粒からなるとともに、添加さ
れた元素ＭあるいはＶがＣと炭化物を形成するから、ガ
ラス溶着工程において600℃以上に加熱されても、結晶
粒が粗大化することがなく、上記の特性を維持するの
で、高密度記録に要求される高い性能を有する磁気ヘッ
ドの素材として好適である。
う軟磁性に良好とする成分が添加されるとともに、金属
組織が微細な結晶粒から成り、結晶磁気異方性による軟
磁性への悪影響が軽減されるので、良好な軟磁気特性が
得られる。更に、微細結晶粒からなるとともに、添加さ
れた元素ＭあるいはＶがＣと炭化物を形成するから、ガ
ラス溶着工程において600℃以上に加熱されても、結晶
粒が粗大化することがなく、上記の特性を維持するの
で、高密度記録に要求される高い性能を有する磁気ヘッ
ドの素材として好適である。
さらにまた、上記組成に加えて元素Ｔ（Fe,Ni,Mn）を
添加し、磁歪を調整し、結晶組織構造を調整することに
より、さらに上記の効果を高めることができるものであ
る。
添加し、磁歪を調整し、結晶組織構造を調整することに
より、さらに上記の効果を高めることができるものであ
る。
第１図はこの発明の実施例と比較例の各合金膜の金属組
織を同定するために行ったＸ線回折パターンを示すグラ
フ、第２図はスパッタガス中のCH4濃度と生成膜中のＣ
濃度の関係を示すグラフ、第３図は本発明の実施例の初
透磁率に対する周波数特性を示すグラフ、第４図はこの
発明の実施例の合金膜の金属組織を同定するために行っ
たＸ線回折パターンを示すグラフである。
織を同定するために行ったＸ線回折パターンを示すグラ
フ、第２図はスパッタガス中のCH4濃度と生成膜中のＣ
濃度の関係を示すグラフ、第３図は本発明の実施例の初
透磁率に対する周波数特性を示すグラフ、第４図はこの
発明の実施例の合金膜の金属組織を同定するために行っ
たＸ線回折パターンを示すグラフである。
Claims (12)
- 【請求項１】組成式がCo x M z C wで示され、ＭはTi,Z
r,Hf,Nb,Ta,Mo,Wのうち、１種又は２種以上からなる金
属元素又はその混合物であり、組成比x,z,wは原子％で 55≦ｘ≦96 ２≦ｚ≦25 0.1≦ｗ≦20 なる関係を満足するとともに、その金属組織が基本的に
平均粒径0.05μｍ以下の結晶粒からなり、その一部に元
素Ｍの炭化物の結晶相を含むことを特徴とする軟磁性合
金膜。 - 【請求項２】金属組織が基本的に平均粒径0.05μｍ以下
の結晶粒と非晶質組織からなることを特徴とする請求項
１記載の軟磁性合金膜。 - 【請求項３】組成式がCo x T y M z C wで示され、Ｔは
Fe,Ni,Mnのうち、１種又は２種以上からなる金属元素ま
たは混合物、ＭはTi,Zr,Hf,Nb,Ta,Mo,Wのうち、１種又
は２種以上からなる金属元素又はその混合物であり、組
成比a,c,d,eは原子％で 50≦ｘ≦96 0.1≦ｙ≦20 ２≦ｚ≦25 0.1≦ｗ≦20 なる関係を満足するとともに、その金属組織が基本的に
平均粒径0.05μｍ以下の結晶粒からなり、その一部に元
素Ｍの炭化物の結晶相を含むことを特徴とする軟磁性合
金膜。 - 【請求項４】金属組織が基本的に平均粒径0.05μｍ以下
の結晶粒と非晶質組織からなることを特徴とする請求項
３記載の軟磁性合金膜。 - 【請求項５】組成式がCo a V c C eで示され、組成比a,
c,eは原子％で 55≦ａ≦93 ５≦ｃ≦25 0.5≦ｅ≦25 なる関係を満足させるとともに、その金属組織が平均粒
径0.05μｍ以下の結晶粒からなり、結晶粒の一部にＶの
炭化物の結晶相を含むことを特徴とする軟磁性合金膜。 - 【請求項６】金属組織が平均粒径0.05μｍ以下の結晶粒
と非晶質組織からなることを特徴とする請求項５記載の
軟磁性合金膜。 - 【請求項７】組成式がCo a V c M d C eで示され、Ｍは
Ti,Zr,Hf,Nb,Ta,Mo,Wのうち、１種又は２種以上からな
る金属元素又はその混合物であり、組成比x,z,wは原子
％で 55≦ａ≦96 0.5≦ｃ≦25 0.5≦ｄ≦25 0.5≦ｅ≦25 ２≦ｃ＋ｄ なる関係を満足させるとともに、その金属組織が平均粒
径0.05μｍ以下の結晶粒からなり、結晶粒の一部にＶの
炭化物のと元素Ｍの炭化物の結晶相を含むことを特徴と
する軟磁性合金膜。 - 【請求項８】金属組織が平均粒径0.05μｍ以下の結晶粒
と非晶質組織からなることを特徴とする請求項７記載の
軟磁性合金膜。 - 【請求項９】組成式がCo a T b V c C eで示され、Ｔは
Fe,Ni,Mnのうち、１種又は２種以上からなる金属元素又
はその混合物であり、組成比a,b,c,eは原子％で 50≦ａ≦96 0.1≦ｂ≦20 ５≦ｃ≦25 0.5≦ｅ≦25 ２≦ｃ＋ｄ なる関係を満足するとともに、その金属組織が平均粒径
0.05μｍ以下の結晶粒からなり、結晶粒の一部にＶの炭
化物の結晶相を含むことを特徴とする軟磁性合金膜。 - 【請求項１０】金属組織が平均粒径0.05μｍ以下の結晶
粒と非晶質組織からなることを特徴とする請求項９記載
の軟磁性合金膜。 - 【請求項１１】組成式がCo a T b V c M d C eで示さ
れ、組成比a,b,c,d,eは原子％で 50≦ａ≦93 0.1≦ｂ≦20 0.5≦ｃ≦25 0.5≦ｄ≦25 0.5≦ｅ≦25 なる関係を満足するとともに、その金属組織が平均粒径
0.05μｍ以下の結晶粒からなり、結晶粒の一部にＶの炭
化物とＭの炭化物の結晶相を含むことを特徴とする軟磁
性合金膜。 - 【請求項１２】金属組織が平均粒径0.05μｍ以下の結晶
粒と非晶質組織からなることを特徴とする請求項11記載
の軟磁性合金膜。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055571A JP2635402B2 (ja) | 1988-11-02 | 1989-03-08 | 軟磁性合金膜 |
| KR1019890013134A KR920001939B1 (ko) | 1988-11-02 | 1989-09-11 | 연자성합금막 및 그 연자성합금막을 사용한 자기헤드 |
| DE3936519A DE3936519C2 (de) | 1988-11-02 | 1989-11-02 | Schicht aus weichmagnetischer Legierung |
| US07/565,285 US5031063A (en) | 1988-11-02 | 1990-08-09 | Magnetic head for use in a magnetic recording apparatus using a soft magnetic alloy film consisting primarily of cobalt |
| US07/847,435 US5164025A (en) | 1988-11-02 | 1992-03-06 | Soft magnetic alloy film and a magnetic head using such soft a magnetic alloy film |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-278303 | 1988-11-02 | ||
| JP27830388 | 1988-11-02 | ||
| JP1055571A JP2635402B2 (ja) | 1988-11-02 | 1989-03-08 | 軟磁性合金膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02229406A JPH02229406A (ja) | 1990-09-12 |
| JP2635402B2 true JP2635402B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=26396461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1055571A Expired - Lifetime JP2635402B2 (ja) | 1988-11-02 | 1989-03-08 | 軟磁性合金膜 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5031063A (ja) |
| JP (1) | JP2635402B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2635422B2 (ja) * | 1989-10-17 | 1997-07-30 | アルプス電気株式会社 | 磁気ヘッド |
| US5245492A (en) * | 1989-11-28 | 1993-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head |
| US5224001A (en) * | 1989-11-29 | 1993-06-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head |
| JPH0430308A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| EP0466159B1 (en) * | 1990-07-13 | 1996-02-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Composite magnetic head |
| US5270894A (en) * | 1991-01-08 | 1993-12-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | MIG magnetic head structured to minimize pseudo-gap problem |
| JPH04344311A (ja) * | 1991-05-21 | 1992-11-30 | Ngk Insulators Ltd | 薄膜磁気回路基板及びそれを用いた磁気ヘッド |
| JPH04344310A (ja) * | 1991-05-21 | 1992-11-30 | Ngk Insulators Ltd | 薄膜磁気回路基板及びそれを用いた磁気ヘッド |
| JP3027081B2 (ja) * | 1993-12-09 | 2000-03-27 | アルプス電気株式会社 | 薄膜素子 |
| US5889403A (en) * | 1995-03-31 | 1999-03-30 | Canon Denshi Kabushiki Kaisha | Magnetic detecting element utilizing magnetic impedance effect |
| US6249406B1 (en) | 1996-09-23 | 2001-06-19 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with a soft adjacent layer having high magnetization, high resistivity, low intrinsic anisotropy and near zero magnetostriction |
| US6232775B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-05-15 | Alps Electric Co., Ltd | Magneto-impedance element, and azimuth sensor, autocanceler and magnetic head using the same |
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Non-Patent Citations (1)
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