JPH0547551A - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
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- JPH0547551A JPH0547551A JP20599691A JP20599691A JPH0547551A JP H0547551 A JPH0547551 A JP H0547551A JP 20599691 A JP20599691 A JP 20599691A JP 20599691 A JP20599691 A JP 20599691A JP H0547551 A JPH0547551 A JP H0547551A
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- thin film
- crystal grain
- average crystal
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/3204—Exchange coupling of amorphous multilayers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アニール処理をしなくとも低い保磁力を示
し、しかも耐熱性に優れ高飽和磁束密度を有する軟磁性
薄膜を提供する。 【構成】 Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜に、適量の窒素、酸
素、炭素を導入し、結晶粒を微細化する。微細化された
結晶粒径は、６００Å以下である。また、窒素、酸素、
炭素の導入量は、２０原子％以下とする。
し、しかも耐熱性に優れ高飽和磁束密度を有する軟磁性
薄膜を提供する。 【構成】 Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金膜に、適量の窒素、酸
素、炭素を導入し、結晶粒を微細化する。微細化された
結晶粒径は、６００Å以下である。また、窒素、酸素、
炭素の導入量は、２０原子％以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッド材料等に利
用される軟磁性薄膜に関するものであり、特にＦｅ，Ｓ
ｉ，Ａｌを主成分とする軟磁性薄膜の軟磁気特性の改善
に関するものである。
用される軟磁性薄膜に関するものであり、特にＦｅ，Ｓ
ｉ，Ａｌを主成分とする軟磁性薄膜の軟磁気特性の改善
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｆｅ，Ｓｉ，Ａｌを主成分とする軟磁性
薄膜は、センダストと称され、高透磁率、低保磁力であ
り、しかもフェライトに比べて飛躍的に高い飽和磁束密
度を有する材料であることから、高画質ＶＴＲ用の磁気
ヘッド材料としての研究が進められており、既に実用化
されている。
薄膜は、センダストと称され、高透磁率、低保磁力であ
り、しかもフェライトに比べて飛躍的に高い飽和磁束密
度を有する材料であることから、高画質ＶＴＲ用の磁気
ヘッド材料としての研究が進められており、既に実用化
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に結晶
質軟磁性材料は非晶質軟磁性材料に比べて熱安定性に優
れると言われており、前述のＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金も例
外ではない。しかし、この結晶質軟磁性材料の欠点とし
ては、アニール処理を施さないと十分な軟磁気特性が発
現されないことが挙げられ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金の場
合、数百℃でアニール処理を施さないと保磁力が十分に
小さな値とならない。このことは、例えば薄膜磁気ヘッ
ドのコア材料としての用途を考えた場合、上層コアを成
膜した後にアニール処理が必要になることを意味し、層
間絶縁膜の材質に制約が生ずる等、実用化の妨げとな
る。
質軟磁性材料は非晶質軟磁性材料に比べて熱安定性に優
れると言われており、前述のＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金も例
外ではない。しかし、この結晶質軟磁性材料の欠点とし
ては、アニール処理を施さないと十分な軟磁気特性が発
現されないことが挙げられ、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金の場
合、数百℃でアニール処理を施さないと保磁力が十分に
小さな値とならない。このことは、例えば薄膜磁気ヘッ
ドのコア材料としての用途を考えた場合、上層コアを成
膜した後にアニール処理が必要になることを意味し、層
間絶縁膜の材質に制約が生ずる等、実用化の妨げとな
る。
【０００４】また、例えばバルク型磁気ヘッドの場合、
優れた信頼性を得るためにはその製造に際して５５０℃
程度のガラス融着工程が必要であり、このような高温で
の熱処理後にも優れた軟磁気特性を発揮することが要求
されるが、かかる観点から見た場合、前記Ｆｅ−Ｓｉ−
Ａｌ合金の熱安定性は必ずしも十分なものとは言えな
い。
優れた信頼性を得るためにはその製造に際して５５０℃
程度のガラス融着工程が必要であり、このような高温で
の熱処理後にも優れた軟磁気特性を発揮することが要求
されるが、かかる観点から見た場合、前記Ｆｅ−Ｓｉ−
Ａｌ合金の熱安定性は必ずしも十分なものとは言えな
い。
【０００５】そこで本発明は、高飽和磁束密度を有し、
しかもアニール処理を施さなくとも十分な軟磁気特性を
発揮する軟磁性薄膜を提供することを目的とする。さら
に本発明は、熱安定性に優れ、高温でのガラス融着が可
能で、高信頼性の磁気ヘッドを実現することが可能な軟
磁性薄膜を提供することを目的とする。
しかもアニール処理を施さなくとも十分な軟磁気特性を
発揮する軟磁性薄膜を提供することを目的とする。さら
に本発明は、熱安定性に優れ、高温でのガラス融着が可
能で、高信頼性の磁気ヘッドを実現することが可能な軟
磁性薄膜を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前述の目
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、Ｆｅ−Ｓｉ
−Ａｌ合金膜を成膜する際に、窒素、酸素及び炭素のう
ちの少なくとも１種を導入し、成膜されたＦｅ−Ｓｉ−
Ａｌ合金膜の結晶粒を微細化することで、高飽和磁束密
度を示す組成において、アニール処理を施さなくとも
（いわゆるアズ・デポの状態でも）保磁力が小さく、し
かも高温での熱処理後にも十分な軟磁気特性が発現され
るとの知見を得るに至った。
的を達成せんものと鋭意検討を重ねた結果、Ｆｅ−Ｓｉ
−Ａｌ合金膜を成膜する際に、窒素、酸素及び炭素のう
ちの少なくとも１種を導入し、成膜されたＦｅ−Ｓｉ−
Ａｌ合金膜の結晶粒を微細化することで、高飽和磁束密
度を示す組成において、アニール処理を施さなくとも
（いわゆるアズ・デポの状態でも）保磁力が小さく、し
かも高温での熱処理後にも十分な軟磁気特性が発現され
るとの知見を得るに至った。
【０００７】本発明は、このような知見にもとづいて完
成されたものであって、（Ｆｅa Ｓｉb Ａｌc ）x Ｎy
Ｏz Ｃw 〔ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｘ，ｙ，ｚ，ｗは各元
素の割合（原子％）を表す。〕なる組成式で表され、そ
の組成範囲が ６０≦ａ≦９０ ０．１≦ｂ≦２５ ０．１≦ｃ≦２５ ８０≦ｘ≦１００ ０≦ｙ≦２０ ０≦ｚ≦２０ ０≦ｗ≦２０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ であるとともに、平均結晶粒径が６００Å以下であるこ
とを特徴とするものである。
成されたものであって、（Ｆｅa Ｓｉb Ａｌc ）x Ｎy
Ｏz Ｃw 〔ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｘ，ｙ，ｚ，ｗは各元
素の割合（原子％）を表す。〕なる組成式で表され、そ
の組成範囲が ６０≦ａ≦９０ ０．１≦ｂ≦２５ ０．１≦ｃ≦２５ ８０≦ｘ≦１００ ０≦ｙ≦２０ ０≦ｚ≦２０ ０≦ｗ≦２０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ であるとともに、平均結晶粒径が６００Å以下であるこ
とを特徴とするものである。
【０００８】ここで、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌの組成（ａ，
ｂ，ｃ）の範囲は、磁気特性の観点から設定されたもの
であり、この範囲を外れると飽和磁束密度や透磁率を高
い値とすることが難しい。一方、窒素や酸素、炭素の割
合（ｙ，ｚ，ｗ）は、軟磁気特性の観点から決められた
もので、これらの割合があまり多くなりすぎると（２０
原子％を越えると）、低保磁力、高透磁率を維持するこ
とが難しくなる。
ｂ，ｃ）の範囲は、磁気特性の観点から設定されたもの
であり、この範囲を外れると飽和磁束密度や透磁率を高
い値とすることが難しい。一方、窒素や酸素、炭素の割
合（ｙ，ｚ，ｗ）は、軟磁気特性の観点から決められた
もので、これらの割合があまり多くなりすぎると（２０
原子％を越えると）、低保磁力、高透磁率を維持するこ
とが難しくなる。
【０００９】また、本発明の軟磁性薄膜は、スパッタリ
ングや真空蒸着、イオンプレーティング等の手法により
成膜されるが、窒素や酸素、炭素の少なくとも１種を導
入するとともに、成膜条件を適正なものとし、得られる
軟磁性薄膜の平均結晶粒径を６００Å以下とする必要が
ある。この平均結晶粒径は、得られる軟磁性薄膜の軟磁
気特性に大きく影響し、平均結晶粒径が６００Åを越え
ると、低保磁力化を図ることが難しい。
ングや真空蒸着、イオンプレーティング等の手法により
成膜されるが、窒素や酸素、炭素の少なくとも１種を導
入するとともに、成膜条件を適正なものとし、得られる
軟磁性薄膜の平均結晶粒径を６００Å以下とする必要が
ある。この平均結晶粒径は、得られる軟磁性薄膜の軟磁
気特性に大きく影響し、平均結晶粒径が６００Åを越え
ると、低保磁力化を図ることが難しい。
【００１０】成膜時に窒素や酸素、炭素の少なくとも１
種を導入する手法としては、例えば窒素や酸素の場合に
は、それぞれ窒素ガス、酸素ガスを成膜雰囲気中に導入
すればよく、あるいはターゲットに窒化物や酸化物を用
いればよい。同様に、炭素を導入するには、炭化水素や
一酸化炭素、二酸化炭素等のように炭素を構成元素とす
るガスを成膜雰囲気中に導入すればよく、さらにはカー
ボンペレットや炭化物をターゲットに用いてもよい。
種を導入する手法としては、例えば窒素や酸素の場合に
は、それぞれ窒素ガス、酸素ガスを成膜雰囲気中に導入
すればよく、あるいはターゲットに窒化物や酸化物を用
いればよい。同様に、炭素を導入するには、炭化水素や
一酸化炭素、二酸化炭素等のように炭素を構成元素とす
るガスを成膜雰囲気中に導入すればよく、さらにはカー
ボンペレットや炭化物をターゲットに用いてもよい。
【００１１】
【作用】Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜を成膜する際に、窒
素、酸素、炭素の少なくとも１種を導入して結晶粒を微
細化し、平均結晶粒径を６００Å以下とすることによ
り、軟磁気特性が大幅に改善され、アズ・デポの状態で
も保磁力が十分に小さなものとなる。しかも高飽和磁束
密度が維持され、耐熱性も向上する。
素、酸素、炭素の少なくとも１種を導入して結晶粒を微
細化し、平均結晶粒径を６００Å以下とすることによ
り、軟磁気特性が大幅に改善され、アズ・デポの状態で
も保磁力が十分に小さなものとなる。しかも高飽和磁束
密度が維持され、耐熱性も向上する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、実験結果にもとづいて詳細に説明する。
いて、実験結果にもとづいて詳細に説明する。
【００１３】実験例１ 本実験例は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜に酸素を導入し、
平均結晶粒径や軟磁気特性への影響を調べたものであ
る。先ず、軟磁性薄膜の成膜はＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金タ
ーゲット（直径１００ｍｍ）を用いたＤＣスパッタによ
り行った。酸素の導入は、スパッタ雰囲気中にＡｒと酸
素（Ｏ2 ）の混合ガスを導入することにより行った。成
膜時のスパッタ条件は下記の通りである。 導入ガス ： Ａｒ＋Ｏ2 スパッタガス圧 ： ０．５１Ｐａ 投入電力 ： ３００Ｗ 膜厚 ： ３μｍ
平均結晶粒径や軟磁気特性への影響を調べたものであ
る。先ず、軟磁性薄膜の成膜はＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金タ
ーゲット（直径１００ｍｍ）を用いたＤＣスパッタによ
り行った。酸素の導入は、スパッタ雰囲気中にＡｒと酸
素（Ｏ2 ）の混合ガスを導入することにより行った。成
膜時のスパッタ条件は下記の通りである。 導入ガス ： Ａｒ＋Ｏ2 スパッタガス圧 ： ０．５１Ｐａ 投入電力 ： ３００Ｗ 膜厚 ： ３μｍ
【００１４】以上のスパッタ条件に従い、酸素の導入量
を変えて各種軟磁性薄膜を成膜し、その平均結晶粒径並
びに保磁力Ｈｃ（アズ・デポ）を測定した。なお、前記
平均結晶粒径は、Ｘ線回折パターンを基に、主ピークの
半値幅からＳｃｈｅｒｒｅｒの式により求めた。この値
は、透過型電子顕微鏡による膜の観察から求められた値
とほぼ一致した。また、保磁力Ｈｃは、Ｂ−Ｈループト
レーサーによって測定した。なお、飽和磁束密度Ｂｓに
ついても振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により測定した
が、いずれもほぼ１２ｋＧであった。
を変えて各種軟磁性薄膜を成膜し、その平均結晶粒径並
びに保磁力Ｈｃ（アズ・デポ）を測定した。なお、前記
平均結晶粒径は、Ｘ線回折パターンを基に、主ピークの
半値幅からＳｃｈｅｒｒｅｒの式により求めた。この値
は、透過型電子顕微鏡による膜の観察から求められた値
とほぼ一致した。また、保磁力Ｈｃは、Ｂ−Ｈループト
レーサーによって測定した。なお、飽和磁束密度Ｂｓに
ついても振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により測定した
が、いずれもほぼ１２ｋＧであった。
【００１５】図１は、（Ｆｅ74.5Ｓｉ17.4Ａｌ8.1 ）
100-z Ｏz （０≦ｚ≦２０）なる組成を有する軟磁性薄
膜において、酸素量を変化させることによって平均結晶
粒径が変化し、これに伴って保磁力Ｈｃが変化する様子
を図示したものである。保磁力Ｈｃは、平均結晶粒径が
小さくなるにつれ急激に小さな値を示すようになってい
る。
100-z Ｏz （０≦ｚ≦２０）なる組成を有する軟磁性薄
膜において、酸素量を変化させることによって平均結晶
粒径が変化し、これに伴って保磁力Ｈｃが変化する様子
を図示したものである。保磁力Ｈｃは、平均結晶粒径が
小さくなるにつれ急激に小さな値を示すようになってい
る。
【００１６】そこで次に、代表的なサンプルについて、
平均結晶粒径と保磁力Ｈｃ（アズ・デポ）の測定値を表
１に掲載する。これらサンプルは、いずれも先のスパッ
タ条件に従い酸素の導入量を変えることによって作製し
たものであるが、サンプル７については、スパッタガス
圧を高くして成膜した。（スパッタガス圧３Ｐａ）
平均結晶粒径と保磁力Ｈｃ（アズ・デポ）の測定値を表
１に掲載する。これらサンプルは、いずれも先のスパッ
タ条件に従い酸素の導入量を変えることによって作製し
たものであるが、サンプル７については、スパッタガス
圧を高くして成膜した。（スパッタガス圧３Ｐａ）
【００１７】
【表１】
【００１８】この表からも明らかなように、適量の酸素
を導入して平均結晶粒径を小さなものとしたサンプル１
〜４（実施例に相当）は、アズ・デポの状態での保磁力
Ｈｃが２以下であり、アニール処理を行わなくとも良好
な軟磁気特性を発揮した。これに対して、酸素を導入せ
ず平均結晶粒径が大きな値となっているサンプル５は、
アズ・デポでの保磁力Ｈｃが１２と大きな値を示した。
同様に、酸素を導入しても条件が不適切なために平均結
晶粒径が大きな値となっているサンプル７についても、
保磁力Ｈｃは高い値となっており、軟磁気特性の劣化が
見られる。また、酸素の導入量が多すぎるサンプル６
は、平均結晶粒径は小さな値となっているが、酸素過剰
により軟磁気特性が劣化しており、保磁力Ｈｃはやはり
高い値となっている。
を導入して平均結晶粒径を小さなものとしたサンプル１
〜４（実施例に相当）は、アズ・デポの状態での保磁力
Ｈｃが２以下であり、アニール処理を行わなくとも良好
な軟磁気特性を発揮した。これに対して、酸素を導入せ
ず平均結晶粒径が大きな値となっているサンプル５は、
アズ・デポでの保磁力Ｈｃが１２と大きな値を示した。
同様に、酸素を導入しても条件が不適切なために平均結
晶粒径が大きな値となっているサンプル７についても、
保磁力Ｈｃは高い値となっており、軟磁気特性の劣化が
見られる。また、酸素の導入量が多すぎるサンプル６
は、平均結晶粒径は小さな値となっているが、酸素過剰
により軟磁気特性が劣化しており、保磁力Ｈｃはやはり
高い値となっている。
【００１９】実験例２ 本実験例は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜に窒素を導入し、
平均結晶粒径や軟磁気特性への影響を調べたものであ
る。軟磁性薄膜の成膜条件は先の実験例１と同様である
が、スパッタ時の導入ガスをＡｒ＋Ｎ2 とした。窒素を
導入した場合にも、酸素の場合と同様に平均結晶粒径が
変化し、これに伴って保磁力Ｈｃが変化した。表２に、
代表的なサンプルの平均結晶粒径と保磁力Ｈｃ（アズ・
デポ）の測定値を示す。なお、サンプル１３について
は、先のサンプル７と同様、スパッタガス圧を３Ｐａと
して成膜した。
平均結晶粒径や軟磁気特性への影響を調べたものであ
る。軟磁性薄膜の成膜条件は先の実験例１と同様である
が、スパッタ時の導入ガスをＡｒ＋Ｎ2 とした。窒素を
導入した場合にも、酸素の場合と同様に平均結晶粒径が
変化し、これに伴って保磁力Ｈｃが変化した。表２に、
代表的なサンプルの平均結晶粒径と保磁力Ｈｃ（アズ・
デポ）の測定値を示す。なお、サンプル１３について
は、先のサンプル７と同様、スパッタガス圧を３Ｐａと
して成膜した。
【００２０】
【表２】
【００２１】窒素を導入した場合にも酸素の場合と全く
同様な傾向が見られ、適量の窒素を導入して平均結晶粒
径を小さなものとしたサンプル８〜１１は、アズ・デポ
の状態でも良好な軟磁気特性を発揮した。これに対し
て、窒素の導入量が多すぎるサンプル１２や窒素を導入
しても平均結晶粒径が大きなものとなっているサンプル
１３では、保磁力Ｈｃは高い値であった。
同様な傾向が見られ、適量の窒素を導入して平均結晶粒
径を小さなものとしたサンプル８〜１１は、アズ・デポ
の状態でも良好な軟磁気特性を発揮した。これに対し
て、窒素の導入量が多すぎるサンプル１２や窒素を導入
しても平均結晶粒径が大きなものとなっているサンプル
１３では、保磁力Ｈｃは高い値であった。
【００２２】実験例３ 本実験例は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金膜に炭素を導入し、
平均結晶粒径や軟磁気特性への影響を調べたものであ
る。軟磁性薄膜の成膜条件は先の実験例１と同様である
が、スパッタ時の導入ガスをＡｒとし、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ
ｌ合金ターゲット上にカーボンペレットを並べてスパッ
タを行った。炭素を導入した場合にも、酸素の場合と同
様に平均結晶粒径が変化し、これに伴って保磁力Ｈｃが
変化した。表３に、代表的なサンプルの平均結晶粒径と
保磁力Ｈｃ（アズ・デポ）の測定値を示す。なお、サン
プル１９については、先のサンプル７と同様、スパッタ
ガス圧を３Ｐａとして成膜した。
平均結晶粒径や軟磁気特性への影響を調べたものであ
る。軟磁性薄膜の成膜条件は先の実験例１と同様である
が、スパッタ時の導入ガスをＡｒとし、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａ
ｌ合金ターゲット上にカーボンペレットを並べてスパッ
タを行った。炭素を導入した場合にも、酸素の場合と同
様に平均結晶粒径が変化し、これに伴って保磁力Ｈｃが
変化した。表３に、代表的なサンプルの平均結晶粒径と
保磁力Ｈｃ（アズ・デポ）の測定値を示す。なお、サン
プル１９については、先のサンプル７と同様、スパッタ
ガス圧を３Ｐａとして成膜した。
【００２３】
【表３】
【００２４】炭素を導入して平均結晶粒径を小さなもの
とした場合にも酸素の場合と全く同様の効果が得られ、
平均結晶粒径が小さなものとされたサンプル１４〜１７
は、アズ・デポでの保磁力Ｈｃが小さく、軟磁気特性に
優れたものであった。また、炭素の導入量が多すぎるサ
ンプル１８や炭素を導入しても平均結晶粒径が大きいサ
ンプル１９は、アズ・デポでは保磁力Ｈｃが高く、軟磁
性薄膜としての性能に劣ることが確認された。
とした場合にも酸素の場合と全く同様の効果が得られ、
平均結晶粒径が小さなものとされたサンプル１４〜１７
は、アズ・デポでの保磁力Ｈｃが小さく、軟磁気特性に
優れたものであった。また、炭素の導入量が多すぎるサ
ンプル１８や炭素を導入しても平均結晶粒径が大きいサ
ンプル１９は、アズ・デポでは保磁力Ｈｃが高く、軟磁
性薄膜としての性能に劣ることが確認された。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金膜に窒素、酸
素、炭素のいずれかを導入して結晶粒を微細化している
ので、保磁力を著しく改善することができ、アズ・デポ
の状態での保磁力が小さく、しかも高飽和磁束密度を有
する軟磁性薄膜を提供することが可能である。また、結
晶粒の微細化により熱安定性を高めることができるの
で、信頼性の高いガラス融着工程が可能となり、高保磁
力磁気記録媒体に対応可能で、しかも高信頼性を有する
磁気ヘッドを実現することが可能である。
明においては、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金膜に窒素、酸
素、炭素のいずれかを導入して結晶粒を微細化している
ので、保磁力を著しく改善することができ、アズ・デポ
の状態での保磁力が小さく、しかも高飽和磁束密度を有
する軟磁性薄膜を提供することが可能である。また、結
晶粒の微細化により熱安定性を高めることができるの
で、信頼性の高いガラス融着工程が可能となり、高保磁
力磁気記録媒体に対応可能で、しかも高信頼性を有する
磁気ヘッドを実現することが可能である。
【図１】平均結晶粒径と保磁力Ｈｃ（アズ・デポ）の関
係を示す特性図である。
係を示す特性図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】本発明は、このような知見にもとづいて完
成されたものであって、（ＦｅａＳｉｂＡ１ｃ）ｘＮｙ
ＯｚＣｗ〔ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｘ，ｙ，ｚ，ｗは各元
素の割合（原子％）を表す。〕なる組成式で表され、そ
の組成範囲が ６０≦ａ≦９０ ０．１≦ｂ≦２５ ０．１≦ｃ≦２５ ８０≦ｘ≦１００ ０≦ｙ≦２０ ０≦ｚ≦２０ ０≦ｗ≦２０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ Ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００ であるとともに、平均結晶粒径が６００Å以下であるこ
とを特徴とするものである。
成されたものであって、（ＦｅａＳｉｂＡ１ｃ）ｘＮｙ
ＯｚＣｗ〔ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｘ，ｙ，ｚ，ｗは各元
素の割合（原子％）を表す。〕なる組成式で表され、そ
の組成範囲が ６０≦ａ≦９０ ０．１≦ｂ≦２５ ０．１≦ｃ≦２５ ８０≦ｘ≦１００ ０≦ｙ≦２０ ０≦ｚ≦２０ ０≦ｗ≦２０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ Ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１００ であるとともに、平均結晶粒径が６００Å以下であるこ
とを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】
【表１】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】
【表２】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】
【表３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 和彦 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 阿蘇 興一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ｆｅa Ｓｉb Ａｌc ）xＮy Ｏz Ｃw
〔ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｘ，ｙ，ｚ，ｗは各元素の割合
（原子％）を表す。〕なる組成式で表され、その組成範
囲が ６０≦ａ≦９０ ０．１≦ｂ≦２５ ０．１≦ｃ≦２５ ８０≦ｘ≦１００ ０≦ｙ≦２０ ０≦ｚ≦２０ ０≦ｗ≦２０ ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ であるとともに、平均結晶粒径が６００Å以下であるこ
とを特徴とする軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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-
1991
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Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPH08241813A (ja) * | 1995-01-16 | 1996-09-17 | Lg Electron Inc | 磁気ヘッド用軟磁性薄膜材料 |
| US5698725A (en) * | 1995-09-14 | 1997-12-16 | Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. | Surface treating agent for glass fiber substrates |
| JP2010010641A (ja) * | 2007-10-01 | 2010-01-14 | Alps Electric Co Ltd | 磁性シート及びその製造方法 |
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