JPH10312508A

JPH10312508A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH10312508A
Application number: JP9119591A
Authority: JP
Inventors: Katsuyuki Himeshima; 克行姫島; Toshiyuki Fujine; 俊之藤根; Akio Kitatani; 明雄北谷; Takashi Kimura; 喬木村; Nobuyuki Yamada; 信行山田; Kenichi Tsunoda; 健一角田
Original assignee: Hitachi Metals Ltd; Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp; Proterial Ltd
Priority date: 1997-05-09
Filing date: 1997-05-09
Publication date: 1998-11-24

Abstract

(57)【要約】【課題】アジマス精度の劣化、放電ノイズの発生、摺
動性の悪化による出力の低下、および透磁率の低下、面
粗れ、リセスの発生で生じるスペーシングロスによる出
力低下を解決する。【解決手段】セラミックの非磁性基板１上に軟磁性膜
である蒸着法により成膜したＦｅＡｌＳｉ蒸着膜２を積
層し、積層膜３を形成する。層間は２０００ÅのＳｉＯ
₂ 膜による絶縁膜４を蒸着して絶縁する。また、走行方
向に対して積層膜３を斜めに設定する。非磁性基板１は
ＬａＯ_3/2 −ＣｏＯ−ＮｉＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ₂ の５成
分を主成分とし、ＬａＯ_3/2 ＋ＣａＯが４５ｍｏｌ％以
上、５０ｍｏｌ％以下、且つ、ＣａＯとＴｉＯ₂ との配
合比が略１：２とした材料を用い、非磁性基板１に略Ｖ
字状の溝を形成し、その斜面上に軟磁性膜を形成して磁
気ヘッドを構成する。前記非磁性基板の相は、ＣａＴｉ
Ｏ₃ 相が生成することなく、略単相とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気回路を構成する
軟磁性膜と、その軟磁性膜を支持する非磁性基板からな
る磁気ヘッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録の高密度化に伴い磁気記録媒体
の高保磁力化が進み、磁気ヘッドにおいて使用されるコ
ア材料は高い飽和磁束密度が要求されてきている。更
に、システムの広帯域化、低ノイズ化等の要請から薄膜
積層型磁気ヘッドの実用化が進んできている。薄膜積層
ヘッドの作成方法は平面な非磁性基板の上に、軟磁性膜
を積層したものを重ね合わせてブロックを得る作成方法
（例えば、特開昭６３−２１３１０９）が一般的であ
る。

【０００３】従来の薄膜積層ヘッドの代表的な構造につ
いて図３を参照して説明する。非磁性基板１は膨張係数
αが１３０×１０^-7以下のセラミック基板であって、こ
のセラミック基板に積層膜３が挟み込まれている。ま
た、符号５はギャップであり、符号８は巻線窓である。

【０００４】磁気ヘッドの加工方法としてはフェライト
ヘッドと同様に基板に略Ｖ字状の溝を形成し、その斜面
上に軟磁性膜を形成することによりブロック一体加工を
可能とした薄膜積層ヘッドが実用化されている（例え
ば、特開昭６３−１４６２０４）。

【０００５】この薄膜積層ヘッドの作成方法について図
４を参照して説明する。結晶化ガラス基板１ａにＶ字状
の溝１０を形成し〔図４（ａ）〕、その斜面上に軟磁性
膜であるＦｅＡｌＳｉ蒸着膜の積層膜３を形成する〔図
４（ｂ）〕。低融点の溶着ガラス７をモールドし〔図４
（ｃ）〕、余分のガラスを研削した後、結晶化ガラス基
板１ａを切断し複数のピース１１を得る〔図４
（ｄ）〕。巻線窓の切削、ギャップ面のポリッシングを
行った後、ギャップ材をスパッタリングにて形成する
〔図４（ｅ）〕。その後２つのピース１１を溶着し〔図
４（ｆ）〕、摺動面の研磨を行った後、チップスライス
を行いヘッドチップコア９を得る〔図４（ｇ）〕。

【０００６】この略Ｖ字状の溝１０を形成して作成する
薄膜積層ヘッド（以下、「Ｖ字溝タイプ」と呼称する）
は、重ね合わせてブロックを得る作成方法による薄膜積
層ヘッド（以下、「ラミネートタイプ」と呼称する）に
比べて軟磁性膜の磁路が小さく磁気抵抗が大きくなると
いう問題点がある。更に、成膜される基板表面が切削仕
上げのため、粗くなり透磁率が低下するという問題があ
る。従ってラミネートタイプと同等の特性を得るために
は膜特性そのものをラミネートタイプより良くする必要
がある。

【０００７】そこで従来のＶ字溝タイプは蒸着法による
ＦｅＡｌＳｉを軟磁性膜とすることで、スパッタリング
法よりも２倍以上の透磁率を実現し、更に基板材料を結
晶化ガラスにして膜と基板の熱膨張差を小さくすること
により、膜の内部応力を小さくし、ヘッド特性をラミネ
ートタイプと同等以上にすることができた。

【０００８】実際に実用化されたヘッドは上述した対応
によりラミネートタイプと比較してコア効率は同等であ
る。一方、コアの断面積が小さいために同一インダクタ
ンスを得るにはコイルの巻数を増加させる必要があり、
このため再生出力はラミネートタイプより大きくなるも
のである。従って薄膜積層ヘッドにおいてＶ字溝タイプ
はヘッド製造の簡略化とヘッド特性の両面においてラミ
ネートタイプを凌駕している。

【０００９】しかしながら、Ｖ字溝タイプの薄膜積層ヘ
ッドにおいては結晶化ガラス基板１ａを用いた場合、以
下に記述する問題がある。

【００１０】まず、その第一はヘッド製造プロセスの溶
着工程において最高５７０℃の熱プロセスが施される
が、このとき結晶化ガラス基板の軟化変形、およびボン
ディングガラスと結晶化ガラスの化学反応等が起こり、
図５に示すように積層膜３が結晶化ガラス基板１ａに食
い込む現象が発生する。図５において通常は破線で示す
アジマスを有するギャップになるが、結晶化ガラス基板
１ａに積層膜３が食い込むことにより、アジマス角度が
θだけマイナス側にずれた実線で示すアジマスを有する
ギャップとなる。従って、この現象はヘッドのアジマス
精度の劣化につながり、ヘッド製造時の歩留りを低下さ
せる。

【００１１】その第二はヘッドとテープ間の摩擦に関す
る問題であって、ＶＨＳ、Ｓ−ＶＨＳシステムのＶＴＲ
において、ある特定のテープを使用した場合、ヘッドと
テープの摺動による摩擦帯電が発生し、最終的に放電ノ
イズとして再生画像の劣化を招く現象である。

【００１２】第三の問題もヘッドとテープ間の摩擦に関
していて、特に塗布型テープとの摺動性が悪い場合にお
ける、出力の低下を招く現象である。なかでも３０％以
下の低湿度において顕著であり、図６に示すように結晶
化ガラス基板１ａ、ボンディング用の溶着ガラス７に白
濁１２が発生し、軟磁性の積層膜３には焼き付きの一種
である、所謂、ブラウンスポット１３が発生する。

【００１３】更にＶ字溝タイプの薄膜積層ヘッドにおい
ては、結晶化ガラス基板の代わりにセラミック基板を用
いた場合、以下に記述する問題がある。

【００１４】まず、その第一は従来のセラミック基板上
に成膜した場合、結晶化ガラス基板と比較して膜特性が
低下し、これに伴いヘッド出力が低下する現象である。
透磁率を確保するためにＦｅＡｌＳｉを軟磁性膜とする
場合、蒸着法を採用しているが、ＦｅＡｌＳｉ膜の熱膨
張係数は７００℃で１６０×１０^-7／℃である。ところ
が従来のセラミックはＭｎＯ−ＮｉＯ系、ＣａＴｉＯ₃
−ＮｉＯ系で１４５×１０^-7／℃が限界であった。

【００１５】表１に、従来の結晶化ガラスの基板Ａ、セ
ラミックの基板Ｂ（ＭｎＯ−ＮｉＯ系）、セラミックの
基板Ｃ（ＣａＴｉＯ₃ −ＮｉＯ系）に厚さ５μｍのＦｅ
ＡｌＳｉ膜を４層積層したときの実効透磁率μeff とヘ
ッド出力の比較を示す。基板Ｂ、Ｃの実効透磁率μeff
について周波数１ＭＨｚ、５ＭＨｚ、１０ＭＨｚにおけ
る値を基板Ａに対するｄＢ値で、また、基板Ｂ、Ｃの記
録再生出力について周波数１ＭＨｚ、５ＭＨｚ、７ＭＨ
ｚにおける値を基板Ａに対するｄＢ値で表１に記載して
ある。また、各基板の熱膨張率αを表２に示す。表１お
よび表２より、セラミック基板の場合、熱膨張率αの低
下と共に実効透磁率μeff は劣化し、ヘッド出力も低下
することが分かる。

【００１６】

【表１】

【００１７】

【表２】

【００１８】第二の問題はヘッドとテープ間の摩擦に関
する問題である。一般的に薄膜積層ヘッドに用いられる
セラミックは粒径が数μｍの複数の相の集合体であり、
各相毎に機械的強度、熱膨張係数等の物性値が異なる。
このためＶＨＳシステムのような高いテンションがかか
る場合、更にＨｉ８システムで用いられる蒸着テープの
ような特殊な表面状態を有するテープにおいて、図７に
示すようなセラミック基板１ｂのテープタッチ領域内で
結晶粒の一部が脱落する、所謂、面粗れ１４が発生す
る。

【００１９】更に、図８に示すように蒸着テープの場
合、磨耗速度は膜材料の方が基板材料よりも大きいため
ヘッド摺動面に、非磁性基板１に対して積層膜３が低く
なる段差（以下、「リセス」と呼称する）が生じる。面
粗れやリセスが生じるとスペーシングロスによる出力劣
化の問題が発生する。尚、図８（ａ）はテープ摺動面の
平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａにおけ
る断面図である。

【００２０】また、ＬａＣｏ_x Ｎｉ_y Ｏ₃ −ＮｉＣｏＯ
₂ （ｘ＋ｙ＝１，ｘ＞ｙ）系、（ＬａＣｏ_x Ｎｉ_y Ｏ₃
−ＮｉＣｏＯ₂ ）＋ＺｒＯ₂ （ｘ＋ｙ＝１，ｘ＞＞ｙ）
系、（ＬａＣｏ_x Ｎｉ_y Ｏ₃ −ＮｉＣｏＯ₂ ）＋ＺｒＯ
₂ ＋ＣａＴｉＯ₃ （ｘ＋ｙ＝１，ｘ＞＞ｙ）系のセラミ
ック基板を用いると、従来のセラミック基板を用いた場
合の第一の問題は、熱膨張係数を７００℃で１６０×１
０^-7／℃とすることが可能であるため解決する。しかし
ながら、これらの基板においても粒径が数μｍの複数の
相の集合体であり、各相毎に機械的強度、熱膨張係数等
の物性値が異なる。従って、従来のセラミック基板を用
いた場合の第二の問題はそのまま残ることになる。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、Ｖ溝タイプの薄膜積層ヘッドにおいて結晶化ガラス
基板を用いた場合の基板の軟化変形によるアジマス精度
の劣化、ヘッドとテープの摺動で発生する摩擦帯電によ
る放電ノイズの発生、および摺動性の悪化による出力の
低下について解決すると共に、Ｖ溝タイプの薄膜積層ヘ
ッドにおいてセラミック基板を用いた場合の透磁率の低
下による出力の低下、および面粗れ、リセスの発生で生
じるスペーシングロスによる出力低下の問題を解決す
る。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
成されたものであって、ＬａＯ_3/2 −ＣｏＯ−ＮｉＯ−
ＣａＯ−ＴｉＯ₂ の５成分を主成分とし、ＬａＯ_3/2 ＋
ＣａＯが４５ｍｏｌ％以上、５０ｍｏｌ％以下、且つ、
ＣａＯとＴｉＯ₂ との配合比が略１：２である非磁性基
板を用いると共に、該非磁性基板に略Ｖ字状の溝を形成
し、その斜面上に軟磁性膜を形成して構成する磁気ヘッ
ドを提供する。また、前記非磁性基板の相は、ＣａＴｉ
Ｏ₃ 相が生成することなく、略単相である構成にして上
記課題を解決する。

【００２３】上述した構成を採ることにより、Ｖ溝タイ
プの薄膜積層ヘッドにおいて、結晶化ガラス基板を用い
た場合に生ずる前述した第一ないし第三の問題につい
て、および従来のセラミックを用いた場合に生じる前述
した第一ないし第二の問題について、本発明に係わるセ
ラミック基板を用いることにより解決が可能である。

【００２４】まず、結晶化ガラス基板を用いた場合の第
一の問題であるアジマス精度の劣化は積層膜が基板に食
い込むことに起因するものであり、これは溶着温度によ
る基板の軟化変形が原因である。図２に示すように結晶
化ガラスの基板Ａは５２０℃で熱膨張係数が大きく変化
する。この原因は結晶化ガラスは完全な結晶体ではな
く、非晶質ガラス部分が転位、屈伏を起こすことによ
る。即ち、溶着温度より約５０℃低い温度で非晶質ガラ
ス部分の変態が起こり、基板の軟変化が生じている。本
発明に係わるセラミックの基板Ｅ、Ｆ、Ｇは溶着温度付
近での変態はなく、図２に示すようにその膨張は一定、
もしくは増加傾向であって、積層膜は基板に食い込むこ
とはなくアジマス精度は保証される。

【００２５】また、結晶化ガラス基板を用いた第二の問
題の放電ノイズの発生はＶＴＲドラムの高速度回転によ
るテープとヘッドの帯電摩擦が原因であり、テープとヘ
ッドの摩擦により摩擦帯電を起こさない組み合わせ、ま
た、摩擦により帯電した電化が逃げやすい構成にすると
良い。塗布型テープに用いられているバインダーは多種
の高分子材料からなり、帯電系列の中で大きくマイナス
帯電となり、一方、ガラス材は大きくプラス帯電となる
ことが知られている。このため結晶化ガラス基板は摩擦
帯電量が多い。

【００２６】摩擦帯電量の測定は、例えば「セラミック
スの磨耗における摩擦帯電の影響」（佐々木信也著機
械技術研究所所報Ｖｏｌ．４４，Ｎｏ．４，ｐ２４−
３１，１９９０）に示されているように、一般に磨耗の
評価に用いるピンオンディスク試験を使って表面電位計
による測定方法がある。

【００２７】この方法で測定を行った結果を図９に示
す。摩擦帯電量は結晶化ガラスでは同図（ａ）に示すよ
うに約３２９１Ｖである。一方、従来のセラミックのＭ
ｎＯ−ＮｉＯ系では同図（ｂ）に示すように７．３Ｖ、
ＣａＴｉＯ₃ −ＮｉＯ系では同図（ｃ）に示すように０
Ｖであり、セラミックにおいて摩擦帯電は殆ど生じな
く、セラミックを基板として用いる効果は大きいことが
分かる。

【００２８】また、第三の問題である結晶化ガラス基板
における出力劣化は、結晶化ガラス基板とテープとの摩
擦係数が大きいことによる。特に低温度では凝固摩擦形
態になるため摩擦抵抗が上昇し、接触点での温度上昇を
招き、ガラス部分は白濁を生じ、膜部分はブラウンスポ
ットを生じるが、セラミック基板では一般にガラスより
も摩擦抵抗が小さいのでこの問題は生じない。

【００２９】一方、従来のセラミック基板を用いた場合
に生じる第一の透磁率が低く出力が低下する問題は、複
合材料の熱応力が温度差と熱膨張の差により発生するた
め、基板と軟磁性膜の熱膨張係数が一致すれば解決でき
る。従って、軟磁性膜が蒸着法によるＦｅＡｌＳｉ膜の
場合、７００℃において熱膨張係数αを膜と同等のα＝
１６０×１０^-7／℃にすればよい。Ｌａ−Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｃａ−Ｔｉを含む酸化物系セラミック基板はＬａＯ_3/2
＋ＣａＯ＝４５〜５０ｍｏｌ％、ＣａＯ：ＴｉＯ₂ ≒
１：２として、ＬａＯ_3/2 とＣａＯの比率を変えること
により、熱膨張係数αの制御が可能であって、α＝１６
０×１０^-7／℃を得ることが可能である。

【００３０】従来のセラミック基板を用いた場合に生じ
る第二の問題の面粗れ、リセスによる出力劣化は、シス
テムの異なるＶＴＲ、および使用する磁気テープにより
大きく異なる。面粗れはセラミックにおける複数の相の
磨耗速度の差により発生するものである。従来の２相以
上のセラミックにおいて、面粗れはＨｉ８ＭＥ、Ｓ−Ｖ
ＨＳ、Ｈｉ８ＭＰ、ＤＶＣＭＥの順に小さくなる傾向を
示す。しかしながら単相系セラミックにおいては、セラ
ミック内の相は１つのため磨耗速度は一定であり、従っ
て面粗れの発生はない。

【００３１】

【発明の実施の形態】図１に示すようにセラミックの非
磁性基板１上に軟磁性膜である蒸着法により成膜された
ＦｅＡｌＳｉ蒸着膜２が積層されていて、積層膜３が形
成されている。層間は２０００ÅのＳｉＯ₂ 膜による絶
縁膜４を蒸着することにより絶縁されている。また、テ
ープとの摺動性を考慮して形状的にリセスの小さくな
る、走行方向に対して積層膜３を斜めになるように設定
している。

【００３２】ＦｅＡｌＳｉ蒸着膜２の一層の厚みは使用
するＶＴＲの周波数帯域により変えている。Ｓ−ＶＨ
Ｓ、Ｈｉ８システムの場合４〜５μｍ、民生用デジタル
ＶＴＲの場合２．５〜３．５μｍとしている。トラック
幅は各システムで決定され、これにより積層数が決定さ
れる。また、ギャップ５を介した２つのコア６ａ、６ｂ
は低融点の溶着ガラス７によってボンディングされてい
る。図示は省略するが巻線窓８にコイルが巻かれて支持
ベースに接着され、磁気ヘッドを構成している。ヘッド
作成方法は図４を参照して説明した方法と同一である。

【００３３】本発明に係わるセラミックの基板Ｅ〜Ｇの
複合体組成系と熱膨張係数αを前掲の表２に示す。ま
た、基板Ｅ〜Ｇの配合組成を表３に示す。尚、この場
合、熱膨張係数αが１６０×１０^-7／℃近傍になる配合
を目標とし、ＣａＴｉＯ₃ 相が生成することなく略単相
となり、また、ボイドを発生せず、焼結可能な範囲とし
てこれら配合比を定めた。

【００３４】

【表３】

【００３５】図２に示す基板の温度に対する熱膨張係数
αの変化から、結晶化ガラスの基板Ａは５２０で熱膨張
が低下し、その後また上昇する。この理由は前述したよ
うに、結晶化ガラスにおいて非晶質ガラス部分が転位、
屈服したため基板が軟化したことによる。一方、全ての
セラミック基板においては熱膨張の低下はなく、従って
ヘッド作成プロセスの温度範囲において変態、変形は起
こらない。

【００３６】表４に基板Ｅ、Ｆを用いた磁気ヘッドの記
録再生出力と従来の結晶化ガラスと同等の出力のあるセ
ラミックの基板Ｄを用いた磁気ヘッドの記録再生出力を
示す。基板Ｄの出力を基準（０ｄＢ）とし、周波数０．
４７ＭＨｚ、１０．５ＭＨｚ、２０ＭＨｚにおいて測定
した。磁気ヘッドの積層膜の積層数は３であって、トラ
ック幅Ｔｗ＝１１μｍ、ギャップ長Ｇ１＝０．２μｍ、
インダクタンスＬ＝０．８５μＨ（周波数２１ＭＨｚに
於ける）のＤＶＣ仕様である。出力はＤＶＣテープを用
い、相対速度１０．２ｍ／ｓｅｃで測定した。本発明の
基板Ｅ、Ｆを用いたヘッドの記録再生出力の低下は１ｄ
Ｂ以内であり、結晶化ガラスのヘッドと略同レベルの出
力が得られることが分かる。

【００３７】

【表４】

【００３８】尚、基板Ｄの実効透磁率については周波数
１ＭＨｚ、５ＭＨｚ、１０ＭＨｚにおける値を基板Ａに
対する値として、また、基板Ｄの記録再生出力について
は周波数１ＭＨｚ、５ＭＨｚ、７ＭＨｚにおける値を基
板Ａに対する値としてｄＢで前掲の表１に記載してあ
る。

【００３９】また、本発明に係わる基板Ｅ、Ｆを用いた
磁気ヘッドのＶ字溝の加工において、加工負荷が基板Ｄ
を用いたものよりも小さいものであった。従って、加工
性にも優れているものである。

【００４０】従来の基板Ｄを用いた磁気ヘッドと本発明
に係わる基板Ｆを用いた磁気ヘッドを民生用デジタルＶ
ＴＲについて搭載してエージングテストを行った。エー
ジング時間は５００時間とし、テープは１００時間ごと
に交換した。テープは１時間に相当する長さのＤＶＣ用
のＭＰテープを用いた。

【００４１】出力は５００時間エージング後に基板Ｆを
用いた磁気ヘッドの方が基板Ｄを用いたものよりも１．
５ｄＢの出力上昇が認められた。５００時間エージング
後の磨耗量は、双方とも１．２μｍであった。また、リ
セスは基板Ｄを用いた磁気ヘッドが４ｎｍ、基板Ｆを用
いた磁気ヘッドが８ｎｍであり、実用上略同等であっ
た。基板Ｄを用いた磁気ヘッドは面粗れが発生していた
が、基板Ｆを用いた磁気ヘッドにはこの発生は認められ
なかった。

【００４２】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、組成がＬ
ａＯ_3/2 −ＣｏＯ−ＮｉＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ₂ の５成分
を主成分とし、ＬａＯ_3/2 ＋ＣａＯが４５〜５０ｍｏｌ
％で、且つ、ＣａＯとＴｉＯ₂ の配合比が略１：２であ
る非磁性基板を用い、該非磁性基板に略Ｖ字状の溝を形
成し、その斜面上に軟磁性膜を形成して磁路とした磁気
ヘッドを構成することで、フェライトヘッドと同様にブ
ロック一体加工が可能であり、従来の結晶化ガラスで問
題であったアジマス精度も確保でき、生産性に優れた磁
気ヘッドが構成できる。

【００４３】また、従来のセラミック基板では達成でき
なかった高い出力が得られ、従来の結晶化ガラスで問題
であった放電ノイズの発生がない磁気ヘッドが構成でき
る。

【００４４】更に、組成がＬａ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃａ−Ｔ
ｉを含む酸化物系の非磁性基板をＣａＴｉＯ₃ 相が生成
することなく、略単相構造とすることにより、面粗れの
ない優れた摩擦特性を有する磁気ヘッドを構成すること
ができる。

【００４５】従って、上述したようにＶ溝タイプの薄膜
積層ヘッドにおいて、Ｌａ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃａ−Ｔｉを
含む酸化物系基板は、如何なる種類のＶＴＲ、およびテ
ープに対しても用いることが可能であり、更に高密度化
が進む磁気記録再生装置に好適であって工業的利用価値
が大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッドのヘッドチップコアの構
造を示す斜視図である。

【図２】各基板と温度の熱膨張係数の関係を示すグラ
フである。

【図３】従来のラミネート型薄膜積層ヘッドのヘッド
チップコアの構造を示す斜視図である。

【図４】Ｖ溝型薄膜積層ヘッドの製造方法を示す図で
ある。

【図５】従来の結晶化ガラス基板を用いた磁気ヘッド
における膜の基板への食い込みを示す図である。

【図６】従来の結晶化ガラス基板を用いた磁気ヘッド
における塗布型テープ走行時の摺動面の劣化現象を示す
図である。

【図７】セラミック基板のテープ走行時における摺動
面の面粗れを示す図である。

【図８】リセスを示す図である。

【図９】ピンオンディスク装置を用いて表面電位計で
摩擦帯電量を測定した結果を示すグラフである。

【符号の説明】

１非磁性基板１ａ結晶化ガラス基板１ｂセラミック基板２ＦｅＡｌＳｉ蒸着膜３積層膜４絶縁膜５ギャップ６ａ、６ｂ磁気ヘッドコア７溶着ガラス８巻線窓９ヘッドチップコア１０Ｖ溝１１ピース１２白濁１３ブラウンスポット１４面粗れ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者北谷明雄大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者木村喬大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者山田信行東京都千代田区丸の内２丁目１番２号日立金属株式会社内 (72)発明者角田健一東京都千代田区丸の内２丁目１番２号日立金属株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＬａＯ_3/2 −ＣｏＯ−ＮｉＯ−ＣａＯ−
ＴｉＯ₂ の５成分を主成分とし、ＬａＯ_3/2 ＋ＣａＯが
４５ｍｏｌ％以上、５０ｍｏｌ％以下、且つ、ＣａＯと
ＴｉＯ₂ との配合比が略１：２である非磁性基板を用い
ると共に、該非磁性基板に略Ｖ字状の溝を形成し、その斜面上に軟
磁性膜を形成して構成することを特徴とする磁気ヘッ
ド。
【請求項２】前記非磁性基板の相は、ＣａＴｉＯ₃ 相
が生成することなく、略単相であることを特徴とする、
請求項１に記載の磁気ヘッド。