KR100376394B1 - 자기 헤드, 자기 헤드의 제조 방법, 자기 헤드를 포함하는영상 기록 및 재생 장치, 및 자기 헤드를 포함하는 비디오카메라 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 자기 헤드는 한 쌍의 자기 코어 반체들; 및 한 쌍의 자기 코어 반체들을 결합시키기 위해 한 쌍의 자기 코어 반체들 사이에 제공된 비자성층을 포함한다. 한 쌍의 자기 코어 반체들 각각은 산화물 자기 베이스, 산화물 자기 베이스 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층, 및 바탕막과 비자성 층 간에 제공된 금속 자성 박막을 포함한다. 금속 자성 박막은 Sa > 약 4.84 Va2/3의 관계를 충족시키는 평균 체적 Va 및 평균 표면적 Sa를 갖는 자기 결정 입자들을 주 재료로서 함유하는 자성막을 포함한다. 한 쌍의 자기 코어 반체들 중 적어도 하나는 내부에 권선 창을 갖는다. 금속 자성 박막은 금속 자성 박막에서 발생된 내부 응력으로 인해 산화물 자기 베이스가 크랙킹되는 것을 방지하는 방식으로 제공된다.

Description

자기 헤드, 자기 헤드의 제조 방법, 자기 헤드를 포함하는 영상 기록 및 재생 장치, 및 자기 헤드를 포함하는 비디오 카메라{Magnetic head, method for producing the same, video recording and reproduction apparatus including the magnetic head, and video camera including the magnetic head}
(기술분야)
본 발명은 내식성 및 입출력 특성에서 만족스럽고, 그의 베이스에서의 크랙킹에 대하여 충분히 내구성이 있는 자기 헤드; 자기 헤드의 제조 방법; 자기 헤드를 포함하는 영상 기록 및 재생 장치, 및 자기 헤드를 포함하는 비디오 카메라에 관한 것이다.
(종래기술의 설명)
VCR 등을 위한 자기 헤드로서, 한 쌍의 페라이트부들을 함께 결합시킴으로써 형성된 자기 코어를 구비하는 페라이트 헤드가 통상적으로 사용된다. 최근에, 자기 기록 밀도의 개선에 따라, 메탈-인-갭 헤드(metal-in-gap head; MIG 헤드)가 흔히 사용되게 되었다. MIG 헤드는 기록/재생 갭 근방의 부분에 대해 페라이트의 자속 밀도보다 더 크게 포화된 자속 밀도를 갖는 금속 자성 물질을 사용한다.
도 8은 전형적인 종래의 페라이트 헤드(300)를 개략적으로 나타낸다. 도 9a 내지 9d는 전형적인 종래의 MIG 헤드(400)를 개략적으로 나타낸다.
도 8을 참조하면, 페라이트 헤드(300)는 한 쌍의 페라이트부들(F1A 및 F1B), 및 페라이트부들(F1A 및 F1B)을 결합시키기 위해 한 쌍의 페라이트부들(F1A 및 F1B) 사이에 모두 제공된 비자성 층(N1) 및 글라스 결합부(G1)를 포함한다.
도 9a 내지 9d를 참조하면, MIG 헤드(400)는 한 쌍의 자기 코어 반체들(MCA 및 MCB), 및 자기 코어 반체들(MCA 및 MCB)을 결합시키기 위해 자기 코어 반체들(MCA 및 MCB) 사이에 모두 제공된 비자성 층(N2) 및 글라스 결합부(G2)를 포함한다. 자기 코어 반체(MCA)는 페라이트부(F2A), 페라이트부(F2A) 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층(도시되지 않음), 및 바탕층과 비자성 층(N2) 사이에 제공된 금속 자성 박막(FM2)을 포함한다. 자기 코어 반체(MCB)는 페라이트부(F2B), 페라이트부(F2B) 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층(도시되지 않음), 및 바탕층과 비자성 층(N2) 사이에 제공된 금속 자성 박막(FM2)을 포함한다.
금속 자성 박막들(FM2)을 위한 재료로서, 비정질 재료(예, 일본국 특허 출원 공보 제63-120653호), Fe-N계 재료 및 Fe-C계 재료가 개발되어 왔다. Fe-N계 재료 및 Fe-C계 재료는 약 5 내지 약 20nm의 직경을 갖는 미세 결정들을 퇴적시키기 위해 Fe를 주로 함유하는 비정질 막을 열처리함으로써 얻어진다(예, 하세가와, 저널 오브 더 마그네틱 소사이어티 오브 저팬, 14, 제319-322페이지(1990; 나고, IEEE, Trans., magn., 제28권, 제5호(1992)).
이들 재료들 중에서, 자성 금속 조성을 갖고, 그에 따라 1.2T 이상의 고포화 자속 밀도를 갖고 연자성을 갖는 미세 결정 입자들을 퇴적 또는 성장시킴으로써 얻어진 재료들은 내식성을 개선시킬 필요가 있다.
이러한 목적으로, 이들 물질에 대한 부동태(passivity)fmf 갖는 가벼운 원소들을 첨가하려는 시도가 이루어져 왔다. 그러나, 산소, 질소 등과 용이하게 반응하는 가벼운 원소들은 결정들을 비정질 또는 미세하게 만들기 위해 사용된 산소와 반응하고, 따라서 자성 금속 조성을 갖는 미세 결정 입자들에 남겨지지 않는 경향이 있다.
이러한 문제점을 극복하기 위해, 상기 금속 자성 물질에 부동태를 갖는 가벼운 원소들을 첨가하는 것 외에, 이들 재료들의 자기 결정 입자들은 각각 비교적 큰 크기 및 비교적 큰 표면적을 갖도록 제어된다. 이와 같이 개발된 금속 자성 박막은 만족스러운 자성, 고포화 자속 밀도 및 충분한 내식성을 갖는다(예, 일본국 특허 출원 공개 제10-223435호).
MIG 헤드는 산화물인 페라이트와 금속 자성 박막의 복합 장치이다. 따라서, MIG 헤드는 페라이트 베이스가 금속 자성 박막에서 발생된 내부 응력에 의해 크랙킹될 수 있고, 자기 특성이 페라이트 베이스와 금속 자성 박막 간의 계면에서의 반응에 의해 열화될 수 있는 문제점들을 포함한다. 상기 문제점들은 MIG 헤드의 구조 또는 금속 자성 박막의 재료 특성들에 의해 얻어진다.
자기 헤드의 최적 구조는 금속 자성 박막의 재료 특성들에 따라 변화한다. 자기 헤드의 특성들을 개선시키기 위해, 페라이트 베이스에서의 크랙킹들 및 자기 특성의 열화라는 문제점들을 해결할 뿐만 아니라 재료들 설계를 개선시킬 필요가 있다.
도 1a는 기록 테이프가 주행하는, 본 발명에 따른 제1 실시예의 자기 헤드 표면의 도면.
도 1b는 도 1a에서 선 A1-A1을 따라 절취한 단면도.
도 1c는 본 발명에 따른 제1 실시예의 다른 전형적인 자기 헤드를 나타내는 도면.
도 1d는 본 발명에 따른 제1 실시예의 또 다른 전형적인 자기 헤드를 나타내는 도면.
도 1e는 기록 테이프가 주행하는, 본 발명에 따른 제1 실시예의 다른 자기 헤드 표면의 도면.
도 2a 내지 2d는 본 발명에 따른 제1 실시예의 자기 헤드의 제조 방법을 설명하는 등각도들.
도 3a는 도 2b에 나타낸 권선 창을 갖는 페라이트 단결정의 확대 부분 단면도.
도 3b는 도 1b에 나타낸 권선 창을 갖는 페라이트 단결정의 단면도.
도 3c는 본 발명에 따른 제1 실시예의 자기 헤드의 제조 방법을 설명하는 흐름도.
도 4a는 기록 테이프가 주행하는, 본 발명에 따른 제2 실시예의 자기 헤드 표면의 도면.
도 4b는 도 4a의 선 A2-A2를 따라 절취한 단면도.
도 4c는 본 발명에 따른 제2 실시예의 다른 전형적인 자기 헤드를 나타내는 도면.
도 4d는 본 발명에 따른 제2 실시예의 또 다른 전형적인 자기 헤드를 나타내는 도면.
도 4e는 기록 테이프가 주행하는, 본 발명에 따른 제2 실시예의 다른 자기 헤드 표면의 도면.
도 5a 내지 5d는 본 발명에 따른 제2 실시예의 자기 헤드의 제조 방법을 설명하는 등각도들.
도 5e는 본 발명에 따른 제1 실시예의 자기 헤드의 재생 방법을 예시하는 흐름도.
도 6은 본 발명에 따른 제3 실시예의 영상 기록 및 재생 장치의 구조를 나타내는 블록도.
도 7은 본 발명에 따른 제4 실시예의 비디오 카메라의 구조를 나타내는 블록도.
도 8은 전형적인 종래의 페라이트 헤드를 나타내는 개략적인 등각도.
도 9a 내지 9d는 전형적인 종래의 MIG 헤드의 개략도들.
* 도면의주요부분에대한부호의설명
100, 100A, 100B, 200, 200A, 200B: 자기 헤드
300: 페라이트 헤드
400: 종래의 MIG 헤드
800: 영상 기록 및 재생 장치
801: 실린더
802: 실린더 구동부
804: 자기 테이프
901: 광학계
902: 마이크로폰
903: 액정 모니터
(발명의 요약)
본 발명의 일면에 따르면, 자기 헤드는 한 쌍의 자기 코어 반체들; 및 한 쌍의 자기 코어 반체들을 결합시키기 위해 한 쌍의 자기 코어 반체들 간에 제공된 비자성층을 포함한다. 한 쌍의 자기 코어 반체들 각각은 산화물 자기 베이스, 산화물 자기 베이스 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층, 및 바탕막과 비자성 층 간에 제공된 금속 자성 박막을 포함한다. 금속 자성 박막은 Sa > 약 4.84 Va2/9의 관계를 충족시키는 평균 체적 Va 및 평균 표면적 Sa를 갖는 자기 결정 입자들을 주 재료로서 함유하는 자성막을 포함한다. 한 쌍의 자기 코어 반체들 중 적어도 하나는 내부에 권선 창을 갖는다. 금속 자성 박막은 이 금속 자성 박막에서 발생된 내부 응력으로 인해 산화물 자기 베이스가 크랙킹되는 것을 방지하는 방식으로 제공된다.
본 발명의 일 실시예에서, 금속 자성 박막은 약 50 nm 보다 큰 보다 긴 측면의 평균 길이를 갖는 자기 결정 입자를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 자기 결정 입자들은 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 및 일반적으로 바늘 같은 형상 및 일반적으로 기둥 같은 형상의 자기 결정 입자들을 포함하는 다기 형상으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 형상을 갖고; 일반적으로 바늘 같은 형상 및 일반적으로 기둥 같은 형상을 갖는 자기 결정 입자들은 약 5nm 보다 길고 약 60nm 보다 짧은 측면의 평균 길이를 갖는다.
본 발명의 일 실시예에서, dS는 자기 결정 입자들의 보다 짧은 측면의 평균 길이이고, dL은 자기 결정 입자들의 보다 긴 측면의 평균 길이인 경우, 약 5nm<dS<약 60nm 및 약 60nm<dL<약 5000nm이다.
본 발명의 일 실시예에서, 금속 자성 박막은 (MaXbZc)100-dAd로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 M은 Fe, Co 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 자성 금속 원소를 포함하고; X는 Si, Al, Ga 및 Ge으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; Z는 IVa족 원소들, Va족 원소들, Al, Ga 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; A는 O 및 N으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c 및 d는 약 0.1≤b ≤약 26, 약 0.1≤c ≤약 5, a+b+c=100, 및 약 1≤d ≤약 10의 관계를 충족시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 한 쌍의 자기 코어 반체들 각각은 비자성층이 사이에 개재되어 다른 자기 코어 반체와 결합된 결합면, 기록 매체가 주행하는 기록 매체 주행면, 및 결합면으로부터 및 기록 매체 주행면으로부터 연속적인 외측면을 갖고; 금속 자성 박막은 외측면 상에 제공되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에서, 금속 자성 박막은 (FeaSibAlcTid)100-eNe로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 Ti는 Ti 및 Ta로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c, d 및 e는 약 10≤b ≤약 23, 약 0.1≤d ≤약 5, 약 0.1≤c+d ≤약 8, a+b+c+d=100 및 약 1≤e ≤약 10의 관계를 충족시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, Z는 IVa족 원소들, Va족 원소들 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, X는 Si 및 Ge로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c 및 d는 약 0.1≤b ≤약 23, 약 0.1≤c ≤약 8, a+b+c=100, 및 약 1≤d ≤약 10의 관계를 충족시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 금속 자성 박막은 (FeaSibAlcTid)100-e-fNeOf로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 a, b, c, d, e 및 f는 약 10≤b ≤약 23, 약 0.1≤d ≤약 5, 약 0.1≤c+d ≤약 8, a+b+c+d=100 및 약 1≤e+f ≤약 10, 및 0.1≤f ≤약 5의 관계를 충족시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 적어도 하나의 바탕층은 Al의 산화물, Si의 산화물, Al의 질화물, Si의 질화물 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 함유한다.
본 발명의 일 실시예에서, 적어도 하나의 바탕층은 자기 코어 반체와 접촉하는 제 1 바탕층 및 금속 자성 박막과 접촉하는 제 2 바탕층을 포함한다. 제 1 바탕층은 Al의 산화물, Si의 산화물, Al의 질화물, Si의 질화물 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 함유한다. 금속 자성 박막은 산소 및 질소 중 적어도 하나를 함유하고; 제 2 바탕층은 금속 자성 박막의 주성분이고, 산소 및 질소 중 적어도 하나는 금속 자성 박막에 포함된 양보다 더 많은 양이다. 제 2 바탕층은 결정 입자들을 함유한다. 결정 입자들은 제 1 바탕층과 제 2 바탕층 사이의 계면 근방에서 적어도 약 5nm 이하의 평균 입자 직경을 갖는다.
본 발명의 일 실시예에서, 제 1 바탕층은 Al의 산화물을 함유하고, 약 0.5nm 이상 약 4nm 이하의 두께를 갖는다. 제 2 바탕층은 약 0.5nm 이상 약 200nm 이하의 두께를 갖는다.
본 발명의 일 실시예에서, 자기 코어 반체들 각각의 산화물 자기 베이스는 페라이트 단결정을 함유한다. 페라이트 단결정은 비자성층이 사이에 개재되어 다른 자기 코어 반체와 결합된 자기 코어 반체의 결합면에 대응하는 결합면, 및 기록 매체가 주행하는 기록 매체 주행면을 갖는다.
본 발명의 일 실시예에서, 페라이트 단결정은 A몰%의 Fe2O3, B몰%의 MnO 및 C몰%의 ZnO 를 함유하는 MnZn 페라이트 단결정을 포함하고, 여기서, A, B 및 C는 약 52≤A ≤약 57, 약 5≤B ≤약 29, 및 약 16≤C ≤약 21의 관계를 충족시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 한 쌍의 자기 코어 반체들 각각은 비자성층이 사이에 개재되어 다른 자기 코어 반체와 결합된 결합면, 및 기록 매체가 주행하는 기록 매체 주행면을 갖는다. 한 쌍의 자기 코어 반체들 중 적어도 하나는 권선 창을 형성하기 위한 바닥면 및 제 1 내측면을 갖는다. 제 1 내측면은 바닥면으로부터 결합면으로 연장하고, 바닥면에 대하여 기록 매체 주행면 측에 제공된다. 제 1 내측면 및 결합면에 의해 이루어진 각도는 약 22.5。이상 약 70。이하이다.
본 발명의 일 실시예에서, 권선 창은 한 쌍의 자기 코어 반체들 중 하나에 제공되고, 제 1 내측면과 결합면에 의해 이루어진 각도는 약 45。이상 약 70。이하이다.
본 발명의 일 실시예에서, 권선 창은 한 쌍의 자기 코어 반체들 모두에 제공되고, 제 1 내측면과 결합면에 의해 이루어진 각도는 약 22.5。이상 약 50。이하이다.
본 발명의 일 실시예에서, 제 1 내측면은 결합면에 인접한 제 2 내측면 및 바닥면에 인접한 제 3 내측면을 포함한다. 제 2 내측면 및 결합면에 의해 이루어진 각도는 약 22.5。이상 약 70。이하이다. 제 3 내측면과 바닥면에 의해 이루어진 각도는 약 90。이다.
본 발명의 일 실시예에서, 권선 창은 한 쌍의 자기 코어 반체들 중 하나에 제공되고, 제 2 내측면과 결합면에 의해 이루어진 각도는 약 45。이상 약 70。이하이다.
본 발명의 일 실시예에서, 권선 창은 한 쌍의 자기 코어 반체들 모두에 제공되고, 제 2 내측면과 결합면에 의해 이루어진 각도는 약 22.5。이상 약 50。이하이다.
본 발명의 일 실시예에서, 금속 자성 박막은 (FeaSibAlcTid)100-e-fNeOf로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 a, b, c, d, e 및 f는 약 10≤b ≤약 13, 약 1≤c ≤약 3, 약 1≤d ≤약 3, a+b+c+d=100, 약 4≤e+f ≤약 10, 및 약 0.1≤f ≤약 2의 관계를 충족시킨다.
본 발명의 일 실시예에서, 자기 코어 반체들 각각의 산화물 자기 베이스는 비자성 층이 사이에 개재되어 다른 자기 코어 반체의 산화물 자기 베이스와 결합된 결합면, 및 결합면으로부터 연속하는 측면들을 갖는다. 결합면과 측면들 각각에 의해 이루어진 각도는 약 70。이상 약 90。이하이다. 금속 자성 박막은 결합면 상에 제공되지만 측면 상에는 제공되지는 않는다.
본 발명의 다른 일면에 따라, 자기 헤드의 제조 방법이 제공된다. 이 자기 헤드는 한 쌍의 자기 코어 반체들, 및 한 쌍의 자기 코어 반체들을 결합시키기 위해 한 쌍의 자기 코어 반체들 간에 제공된 비자성 층을 포함한다. 한 쌍의 자기 코어 반체들 각각은 산화물 자기 베이스, 산화물 자기 베이스 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층, 및 바탕층과 비자성 층 간에 제공된 금속 자성 박막을 포함한다. 금속 자성 박막은 Sa > 약 4.84 Va2/9의 관계를 충족시키는 평균 체적 Va 및 평균 표면적 Sa를 갖는 자기 결정 입자들을 주 재료로서 함유하는 자성막을 포함한다. 한 쌍의 자기 코어 반체들 중 적어도 하나는 내부에 권선 창을 갖고, 금속 자성 박막은 이 금속 자성 박막에서 발생된 내부 응력으로 인해 산화물 자기 베이스가 크랙킹되는 것을 방지하는 방식으로 제공되고; 금속 자성 박막은 (MaXbZc)100-dAd로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 M은 Fe, Co 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 자성 금속 원소를 포함하고; X는 Si, Al, Ga 및 Ge으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; Z는 IVa족 원소들, Va족 원소들, Al, Ga 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; A는 O 및 N으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c 및 d는 약 0.1≤b ≤약 26, 약 0.1≤c ≤약 5, a+b+c=100, 및 약 1≤d ≤약 10의 관계를 충족시킨다. 금속 자성 박막은 자기 결정 입자들을 포함한다. 자기 결정 입자들은 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 및 일반적으로 바늘 같은 형상과 일반적으로 기둥 같은 형상들을 조합하는 다기 형상으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 형상을 갖고; 자기 결정 입자들은 약 5nm<dS<약 60nm의 보다 짧은 측면의 평균 길이 dS 및 약 60nm<dL<약 5000nm의 보다 긴 측면의 평균 길이 dL을 갖는다, 이 제조 방법은 일반적으로 편평한 한 쌍의 산화물 자기 플레이트들 중 적어도 하나에 권선 창을 형성하는 권선 창 형성 단계; 한 쌍의 산화물 자기 플레이트들 각각 상에 적어도 하나의 바탕층을 형성하는 바탕층 형성 단계; 바탕층 상에 금속 자성 박막을 형성하는 금속 자성 박막 형성 단계로서, 금속 자성 박막은 기상 기술에 의해 산소와 질소 중 적어도 하나를 함유하는 분위기에서 금속 자성 박막의 주성분인 원소를 함유하는 고체 재료를 사용하여 형성되는, 상기 금속 자성 박막 형성 단계; 산화물 자기 플레이트, 바탕층 및 금속 자성 박막을 포함하는 몸체에 홈을 형성함으로써 상기 홈이 트랙에 대응하는 폭을 갖게 하는 트랙 형성 단계; 및 산화물 자기 플레이트, 바탕층, 및 금속 자성 박막을 포함하는 다른 몸체와 비자성 층이 사이에 개재되어 상기 몸체를 결합시키는 결합 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 단계들은 권선 창 형성 단계, 바탕층 형성 단계, 금속 자성 박막 형성 단계, 트랙 형성 단계, 및 이어서 결합 단계의 순서로 수행된다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 단계들은 바탕층 형성 단계, 금속 자성 박막 형성 단계, 권선 창 형성 단계, 트랙 형성 단계, 및 이어서 결합 단계의 순서로 수행된다.
본 발명의 또 다른 일면에 따라, 영상 기록 및 재생 장치는 임의의 상기 자기 헤드가 그 위에 설치된 실린더; 실린더 주위에 자기 테이프를 감는 헤드/테이프 인터페이스 기구; 실린더를 구동시키는 실린더 구동부; 및 실린더 주위에 감긴 자기 테이프를 구동시키는 자기 테이프 구동부를 포함한다.
본 발명의 또 다른 일면에 따라, 비디오 카메라는 임의의 상기 자기 헤드가 그 위에 설치된 실린더; 실린더 주위에 자기 테이프를 감는 헤드/테이프 인터페이스 기구; 실린더를 구동시키는 실린더 구동부; 실린더 주위에 감긴 자기 테이프를 구동시키는 자기 테이프 구동부; 영상 신호를 전기 신호로 변환시키는 광학계; 및 광학계에 의한 변환에 의해 얻어진 전기 신호를 자기 헤드로 출력하는 신호 처리 회로를 포함한다.
따라서, 본 명세서에 개시된 본 발명은 (i) 내식성 및 입출력 특성이 만족스럽고, 베이스에서의 크랙킹에 대해 충분히 내구성이 있고, (ii) 금속 자성 박막과 헤드 구조의 최적 조합을 갖는 자기 헤드; 자기 헤드의 제조 방법; 자기 헤드를 포함하는 영상 기록 및 재생 장치; 및 자기 헤드를 포함하는 비디오 카메라를 제공하는 장점을 갖는다.
본 발명의 상기 및 기타 장점은 첨부 도면을 참조한 다음 상세한 설명을 읽고 이해함에 따라 당업계의 숙련자들에게 명백해질 것이다.
이하, 본 발명을 첨부 도면을 참조하여 예시된 실시예들에 의해 기재할 것이다. 명세서 전반에 걸쳐 동일한 원소는 동일한 참조 번호를 갖고 그의 설명은 반복하지 않을 것이다.
(실시예 1)
도 1a 및 1b는 본 발명에 따른 제1 실시예의 자기 헤드(100)를 개략적으로 나타낸다. 도 1a는 기록 테이프가 주행하는(이하, "테이프 주행면"이라 칭함), 자기 헤드 표면의 도면이다. 도 1b는 도 1a의 선 A1-A1을 따라 절취한 단면도이다.
도 1a 및 1b를 참조하면, 자기 헤드(100)는 한 쌍의 자기 코어 반체들(MC1 및 MC2), 및 자기 코어 반체들(MC1 및 MC2)을 결합시키기 위해 한 쌍의 자기 코어 반체들(MC1 및 MC2) 사이에 모두 제공된 비자성 층(N3) 및 글라스 결합부(G3)를 포함한다. 자기 코어 반체(MC1)는 페라이트부(F3A), 페라이트부(F3A) 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층(UL1)(도 1a), 및 바탕층(UL1)과 비자성 층(N3) 사이에 제공된 금속 자성 박막(FM3)을 포함한다. 자기 코어 반체(MC2)는 페라이트부(F3B), 페라이트부(F3B) 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층(UL1)(도 1a), 및 바탕층(UL1)과 비자성 층(N3) 사이에 제공된 금속 자성 박막(FM3)을 포함한다. 자기 코어 반체(MC1)는 권선 창(21A)을 갖는다.
도 1a를 참조하면, 페라이트부들(F3A 및 F3B) 각각은 비자성층(N3)에 대향하는 결합면(S1) 및 이 결합면(S1)으로부터 연속하는 외측면(S2 및 S3)을 포함한다. 페라이트부(F3A 및 F3B) 각각에서, 금속 자성 박막(FM3)은 결합면(S1) 상에 만 제공되고 이들 사이에는 바탕층(UL1)이 개재되어 있고 , 다음 이유 때문에 외측면(S2 또는 S3) 상에는 제공되지 않는다. 결합면(S1) 및 측면들(S2 및 S3) 각각에 의해 이루어진 각도는 약 70。이상 약 90。이하이다.
금속 자성 박막(FM3)이 외측면(S2 및 S3) 상에 제공되는 경우에, 외측면들(S2 및 S3) 상에 제공된 금속 자성 박막(FM3)에서 바람직하지 못한 내부 응력이 발생한다. 그러한 내부 응력은 페라이트부들(F3A 및 F3B)에서 크랙킹을 일으킨다. 금속 자성 박막(FM3)은 페라이트부들(F3A 및 F3B)이 바람직하지 못한 내부 응력으로 인해 크랙킹되지 않는 방식으로 제공된다. 페라이트부들(F3A 및 F3B) 각각은 페라이트 단결정, 예를 들면 MnZn 페라이트 단결정을 포함한다. MnZn 페라이트 단결정은 A몰%의 Fe2O3, B몰%의 MnO 및 C몰%의 ZnO를 포함하고, 여기서, A, B 및 C는 약 52≤A ≤약 57, 약 5≤B ≤약 29, 및 약 16≤C ≤약 21의 관계를 충족시킨다. MnZn 페라이트 단결정은 Ca의 산화물들, Ni의 산화물들 및 Cu의 산화물들을 더 포함할 수 있다.
도 1c는 본 발명에 따른 제1 실시예의 다른 전형적인 자기 헤드(100A)를 나타내고, 도 1d는 본 발명에 따른 제1 실시예의 또 다른 전형적인 자기 헤드(100B)를 나타낸다. 도 1c에 나타낸 자기 헤드(100A)는 자기 코어 반체(MC1) 모두에 권선 창(21A)을 포함한다. 도 1d에 나타낸 자기 헤드(100B)는 권선 창(21A)의 형상과 상이한 형상을 갖는 권선 창(21)을 자기 코어 반체들(MC3) 모두에 포함한다.
도 1b, 1c 및 1d에서, 바탕층(UL1)은 간단히 하기 위해 생략한다.
이하, 자기 헤드(100B)의 제조 방법은 개략적인 등각도를 나타내는 도 2a 내지 도 2d 및 그 방법의 흐름도를 예시하는 도 3c를 참조하여, 자기 헤드(100, 100A 및 100B)의 제조 방법의 실시예로써 기재할 것이다.
도 2a는 표면들(S21, S22 및 S23)을 갖는 플레이트 같은 직방체(parallelepiped) MnZn 단결정을 나타낸다. 표면(S21, S22 및 S23) 각각은 실질적으로 결정질 배향(100)을 갖는다. 단계(S101)(도 3c)에서, 도 2a에 나타낸 MnZn 페라이트 단결정은 권선 창(21)을 갖는 도 2b에 나타낸 형상을 갖도록 처리된다. 보다 상세하게는, 표면(S21)은 절단되고 연마되고, 이어서 그의 특성이 절단 및 연마에 의해 변화된 층은 제거된다. 자기 코어 반체(MC2)를 제조할 때(도 1b), 어떠한 권선 창도 제조되지 않는다. 자기 코어 반체(MC1)를 제조할 때, 권선 창(21A)이 생산된다.
자기 헤드의 일반적인 특성들로 인해, 표면(S21)은 바람직하게는 (100) 면이고, 표면(S22 및 S23)은 바람직하게는 (100) 또는 (110) 면이다. 동작 중에 발생하는 자기 테이프와 자기 헤드의 마찰을 고려하여, 표면(S23)은 (110) 면보다는 (100) 면인 것이 보다 바람직하다. 표면(S21 및 S23)이 모두 (100) 면일 때, 표면(S22)은 필연적으로 (100) 면이다.
실용상의 관점에서, 정확하게 (100) 또는 (110) 면으로 표면들(S21, S22 및 S23)을 형성하기는 곤란하지만, 표면(S21, S22 및 S23)의 결정 방위의 오차가 ±4°일 때 실질적으로 동등한 효과가 얻어진다.
도 3a는 도 2b에 나타낸 권선 창(21)을 갖는 페라이트 단결정의 확대 부분 단면도이다. 도 3b는 권선 창(21A)(도 1b)을 갖는 페라이트 단결정의 단면도이다. 도 3a에 나타낸 권선 창(21)의 단면 형상은 결합면(S1) 근방에서만 경사진다(도 2b에서 S21). 그러한 경사로 인해, 자속은 좁아지고 따라서 자기 헤드의 특성들이 개선된다.
도 3b에 나타낸 권선 창(21A)은 제 1 내측면(S1A) 및 바닥면(S1B)을 갖는다. 제 1 내측면(S1A)은 바닥면(S1B)으로부터 결합면(S1) 쪽으로 연장되고, 바닥면에 대하여 기록 매체 주행면 측에 제공된다. 결합면(S1)과 제 1 내측면에 의해 이루어진 각도(θ1)는 바닥면(S1B)과 제 1 내측면(S1A)에 의해 이루어진 각도 θ2와 동일하다. 즉 θ1=θ2이다. 2개의 자기 코어 반체들 중 하나(즉, 자기 코어 반체(MC1))에만 권선 창(21A)을 갖는 자기 헤드(100)(도 1b)에서, 자속 협소화(narrowing)의 바람직한 결과가 θ1=약 45。내지 약 70。일 때 얻어진다. 2개의 자기 코어 반체들(MC1) 모두에 권선 창(21A)을 갖는 자기 헤드(100A)(도 1c)에서, 자속 협소화의 바람직한 결과는 θ1=약 22.5。내지 약 50。일 때 얻어진다.
권선 창(21A)의 크기는 필요한 수의 턴들(turns)이 제공될 수 있도록 결정된다. 동일한 수의 턴들을 허용하는 2개의 권선 창들이 비교될 때, 테이프 주행면으로부터 볼 때 보다 짧은 자기 경로를 갖는 권선 창은 자기 헤드의 보다 큰 레벨의 재생 감도를 제공한다.
자속 협소화의 효과를 유지하면서 자기 경로를 단축시키기 위해, 도 3a에 나타낸 권선 창(21)이 바람직하다. 권선 창(21)은 바닥면(S1B)을 포함하고, 도 3b에서 제 1 내측면(S1A)에 대응하는 측면은 제 2 내측면(S1C) 및 제 3 내측면(S1D)으로 분할된다. 결합면(S1)과 제 2 내측면(S1B)에 의해 이루어진 각도(θ11)는 제 3 내측면(S1D)과 바닥면(S1B)에 의해 이루어진 각도(θ12)와 상이하다.
자속의 협소화와 관련한 각도(θ11)는 상기한 바와 동일한 범위에서 바람직한 결과를 제공한다. 다시 말해, 2개의 자기 코어 반체들(도시되지 않음) 중 하나에서만 권선 창(21)을 갖는 자기 헤드에서, 자속 협소화의 바람직한 결과는 θ11=약 45。내지 약 70。일 때 얻어진다. 2개의 자기 코어 반체들(MC3) 모두에 권선 창(21)을 갖는 자기 헤드(100B)(도 1d)에서, 자속 협소화의 바람직한 결과는 θ1=약 22.5。내지 약 50。일 때 얻어진다.
각도(θ12)는 바람직하게는 자기 경로를 단축시키면서 바람직한 수의 턴들에 필요한 권선 창(21)의 크기를 유지하기 위해 도 3a에 나타낸 바와 같이 실질적으로 90。이다.
권선 창(예, 21)이 형성된 후, 알루미나의 바탕층(UL1)(도 1a)은 단계(S102)에서 결합면(S1) 상에 형성된다(도 3c). 페라이트(즉, 산화물)부(F3A 및 F3B) 바로 위에 금속 자성 박막(FM3)의 형성은 열처리 중에 바람직하지 못하게 산소를 확산시킬 수 있기 때문에 바탕층(UL1)이 형성된다. 바탕층(UL1)에 바람직하게 사용 가능한 다른 재료들로는 실리콘의 산화물들, 알루미늄의 산화물들, 알루미늄의 질화물들, 실리콘의 질화물들 및 이들의 혼합물을 포함한다. 바탕층(UL1)은 산소의 확산을 방지하기 위해 약 0.5nm 이상의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 산소의 확산을 방지하는 효과는 바탕층(UL1)이 두꺼울 수록 더욱 양호하지만, 바탕층(UL1)에 바람직한 물질은 비자성이기 때문에 바탕층(UL1)이 너무 두꺼우면 자속이 누설된다. 이러한 자속의 누설은 자기 헤드의 특성을 열화시킨다. 따라서, 바탕층(UL1)의 두께는 약 4nm 이하가 바람직하다.
단계(S103)(도 3c)에서, 금속 자성 박막(FM3)이 바탕층(UL1) 상에 형성된다. 보다 바람직한 효과는 금속 자성 박막(FM3)이 형성되기 전에, 약 0.5nm 내지 약 200nm, 바람직하게는 약 0.5nm 내지 약 20nm의 두께를 갖는 제 2 바탕층(UL2)(도 1b)을 형성함으로써 제공된다. 제 2 바탕층(UL2)에 함유된 산소 및 질소 각각의 양은 금속 자성 박막(FM3)에 함유된 것보다 더 크다. 금속 자성 박막(FM3)은 고체 물질을 사용하여 형성된다. 도 2c는 얻어진 몸체를 나타낸다. 도 2c 및 도 2d(아래 기재함)에서, 바탕층(UL1 및 UL2)은 간단히 하기 위해 생략된다.
비자성 갭 층(도시되지 않음)이 금속 자성 박막(FM3) 상에 형성된 후, 단계(S104)(도 3c)에서 트랙의 폭을 조절하기 위해 홈 또는 홈들(22)(즉, 트랙 또는 트랙들)이 형성된다. 도 2d는 얻어진 몸체를 나타낸다. 이어서, 비자성층(N3)이 도 2d에 나타낸 몸체 상에 형성된다.
단계(S105)(도 3c)에서, 비자성층(N3)을 갖는 얻어진 몸체는 다른 동일한 몸체에 대향하도록 적절히 위치되고, 접합 글라스 재료는 2개의 몸체를 접합시키기 위해 불활성 가스 분위기에서 수행되는 열 처리에 의해 흐르게 된다. 단계(S106)(도 3c)에서, 얻어진 어셈블리는 목적하는 형상으로 절단되어 연마된다. 따라서, 2개의 자기 코어 반체들(MC3)을 포함하는 자기 헤드(100B)(도 1d)가 얻어진다. 자기 헤드들(100)(도 1b) 및 (100A)(도 1c)은 적절한 변경으로 유사한 방식으로 얻어진다.
본 발명에 따라 자기 헤드를 형성하기 위해, 통상적인 방법들이 사용될 수 있다. 예를 들면, 절단은 레진 본드 다이아몬드 블레이드(resin bond diamond blade) 또는 금속 수지 본드 다이아몬드 블레이드, 슬라이싱 톱(slicing saw) 등을 포함하는 다이싱 톱(dicing saw)을 사용하여 수행될 수 있다. 연마는 예를 들면 주조 철 또는 주석 표면 플레이트(tin surface plate)의 조합으로 그린 카본(green carbon)(SiC) 지석(grindstone) 또는 다이아몬드 지석을 사용하거나 또는 유기 수지 테이프 및 알루미나 또는 그 위에 분산된 다이아몬드 지석을 사용하여 회전 중첩(rotation lapping)시킴으로써 수행될 수 있다.
필요할 때, 그의 특성이 변화되는 페라이트층은 예를 들면 인산 등을 사용하는 산 표면 에칭 또는 산성으로 조절될 콜로이드성 실리카 지석과 조합하여 저분자량 주석 표면 플레이트를 사용하는 기계화학적 중첩에(mechanochemical lapping) 의해 제거될 수 있다.
본 발명에 따른 자기 코어 반체를 결합시키기 위한 비자성층과 바탕층(UL1 및 UL2)은 통상적인 기상막 형성 방법들에 의해, 예를 들면 고주파수 마그네트론 스퍼터링, 카운터 타겟 스퍼터링, 이온 빔 스퍼터링, ECR 스퍼터링 등의 스퍼터링에 의해 또는 CVD에 의해 형성될 수 있다.
금속 자성 박막은 예를 들면 고주파 마그네트론 스퍼터링, DC 스퍼터링, 카운터 타겟 스퍼터링, 이온 빔 스퍼터링, ECR 스퍼터링 등의 스퍼터링에 의해 낮은 가스압 분위기에서 형성될 수 있다.
금속 자성 박막은 구체적으로 다음과 같이 생성된다. 본 발명에 따라 의도되는 조성으로부터 있을 수 있는 조성의 오프셋을 고려하여 결정된 조성을 갖는 합금 타겟은 아르곤 등의 불활성 가스를 사용하여 스퍼터링에 의해 베이스 상에 형성된다. 첨가제의 일부는 펠릿으로서 합금 타겟 상에 제공되고 합금 타겟과 함께 스퍼터링될 수 있다. 대안으로, 첨가제의 일부는 가스 상태로 스퍼터링 장치에 도입될 수 있고 반응성 스퍼터링이 수행될 수 있다.
한 쌍의 자기 코어 반체들은 접합 글라스 재료를 사용하는 글라스 본딩(glass bonding)으로써 함께 접합될 수 있고, 그것은 페라이트 헤드 및 MIG 헤드용으로 통상적으로 사용된다. 예를 들면, 약 460℃ 내지 약 560℃의 연화점을 갖는 접합 글라스 재료로부터 선택된 접합 글라스 재료는 ±40℃의 연화점 범위에서 선택된 온도에서 열처리되고, 접합될 자기 코어 반체들 주위의 적어도 2 부분들로 흐르게 한다. 이어서 접합 글라스 재료가 경화된다. 따라서, 자기 코어 반체가 함께 결합된다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 제1 실시예에서, 금속 자성 박막(FM3)은 자기 코어 반체들 각각의 결합면(S1) 상에만 제공되고 외측면(S2 및 S3) 상에는 제공되지 않는다. 결과적으로, 페라이트부들(F3A 및 F3B)은 금속 자성 박막(FM3)에서 바람직하지 못한 내부 응력에 의한 크랙킹이 방지된다.
따라서, 본 발명에 따라, 내식성 및 입출력 특성이 만족스럽고 크랙킹에 대해 내구성이 있는 자기 헤드 및 그러한 자기 헤드의 제조 방법이 제공된다.
(실시예 2)
도 4a 및 4b는 본 발명에 따른 제2 실시예의 자기 헤드(200)를 개략적으로 나타낸다. 도 4a는 자기 헤드(200)의 테이프 주행면의 도면이다. 도 4b는 도 4a의 선 A2-A2를 따라 절취한 단면도이다. 자기 헤드(200)는 2개의 자기 코어 반체들(MC4 및 MC5)을 포함하고, 자기 코어 반체들 중 하나(즉, 자기 코어 반체 MC4)에는 권선 창(21A)을 포함한다.
도 4c는 본 발명에 따른 제2 실시예의 다른 전형적인 자기 헤드(200A)를 나타내고, 도 4d는 본 발명에 따른 제2 실시예의 또 다른 전형적인 자기 헤드(200B)를 나타낸다. 도 4c에 나타낸 자기 헤드(200A)는 자기 코어 반체들(MC4) 모두에 권선 창(21A)을 포함한다. 도 4d에 나타낸 자기 헤드(200B)는 2개의 자기 코어 반체들(MC5 및 MC6)을 포함하고, 자기 코어 반체들 중 하나(즉, 자기 코어 반체 MC6)에는 권선 창(21A)과 다른 형상을 갖는 권선 창(21)을 포함한다.
도 4b, 4c 및 4d에서, 바탕층(UL1)은 간단히 하기 위해 생략된다.
이하, 자기 헤드(200B)의 제조 방법은 개략적인 등각도들을 나타내는 도 5a 내지 5d 및 그 방법의 흐름도를 예시하는 도 5c를 참조하여, 자기 헤드(200, 200A 및 200B)의 제조 방법의 예로써 기재할 것이다.
도 5a는 표면(S21, S22 및 S23)을 갖는 직방체 MnZn 단결정을 나타낸다. 도 5a에 나타낸 MnZn 페라이트 단결정은 도 5b에 나타낸 형상을 갖도록 절단되고 연마된다. 표면(S21)은 절단되고 연마되고, 이어서 그의 특성이 절단 및 연마에 의해 변화된 층은 제거된다. 단계(S201)(도 5e)에서, 알루미나의 바탕층(UL1)(도 4a)이 결합면(S1) 상에 형성된다. 바탕층으로 사용 가능한 다른 재료들로는 제1 실시예에서와 같이 실리콘의 산화물들, 알루미늄의 산화물들, 및 알루미늄의 질화물들, 실리콘의 질화물들, 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.
단계(S202)(도 5e)에서, 금속 자성 박막(FM3)이 바탕층(UL1) 상에 형성된다. 보다 바람직한 효과는 금속 자성 박막(FM3)이 형성되기 전에, 약 0.5nm 내지 약 200nm, 바람직하게는 약 0.5nm 내지 약 20nm의 두께를 갖고, 바탕층(UL1)과의 계면 근방에 약 5nm 이하의 평균 입자 직경을 갖는 제 2 바탕층(UL2)(도 4e)을 형성함으로써 제공된다. 제 2 바탕층(UL2)에 함유된 산소 및 질소 각각의 양은 금속 자성 박막(FM3)에 함유된 것보다 더 크다. 도 5c는 얻어진 몸체를 나타낸다. 도 5c 및 도 5d(아래 기재함)에서, 바탕층들(UL1 및 UL2)은 간단히 하기 위해 생략된다.
비자성 갭 층(도시되지 않음)이 금속 자성 박막(FM3) 상에 형성된 후, 권선 창(21)이 단계(S203)(도 5e)에서 형성된다. 자기 코어 반체(MC5)(도 4b)를 제조할 때, 어떠한 권선 창도 제조되지 않는다. 자기 코어 반체(MC4)(도 4b)를 제조할 때, 상이한 형상의 권선 창(21A)이 제조된다. 권선 창(21)은 제1 실시예에서의 형상과 동일한 형상을 가질 수 있다.
단계(S204)(도 5e)에서, 트랙의 폭을 조절하기 위해 홈 또는 홈들(22)(즉, 트랙 또는 트랙들)이 형성된다. 도 5d는 얻어진 몸체를 나타낸다. 이어서, 비자성층(N3)이 도 5d에 나타낸 몸체 상에 형성된다. 단계(S205)(도 5e)에서, 비자성층(N3)을 갖는 얻어진 몸체는 어떠한 권선 창 없이 다른 몸체에 대향하도록 적절히 위치되고, 접합 글라스 재료는 몸체들을 결합시키기 위해 불활성 가스 분위기에서 수행된 열 처리에 의해 흐르게 된다. 단계(S206)(도 5e)에서, 얻어진 어셈블리는 목적하는 형상으로 절단되어 연마된다. 따라서, 자기 코어 반체(MC6 및 MC5)를 포함하는 자기 헤드(200B)(도 4d)가 얻어진다. 자기 헤드(200)(도 4b) 및 (200A)(도 4c)은 적절한 변경으로 유사한 방식으로 얻어진다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 제2 실시예에서, 금속 자성 박막(FM3)은 자기 코어 반체들 각각의 결합면(S1) 상에만 제공되고, 외측면(S2 및 S3) 상에는 제공되지 않는다. 결과적으로, 페라이트부(F3A 및 F3B)은 금속 자성 박막(FM3)에서의 바람직하지 못한 내부 응력에 의한 크랙킹이 방지된다.
따라서, 본 발명에 따라, 내식성 및 입출력 특성이 만족스럽고 크랙킹들에 대해 내구성이 있는 자기 헤드 및 그러한 자기 헤드의 제조 방법이 제공된다.
(실시예 3)
도 6은 본 발명에 따른 제1 실시예의 복수개의 자기 헤드들(100)을 포함하는 영상 기록 및 재생 장치의 블록도이다.
영상 기록 및 재생 장치(800)는 자기 헤드들(100), 자기 헤드들(100)을 고정시키는 실린더(801), 실린더(801) 주위에 자기 테이프(804)를 감는 헤드/테이프 인터페이스 기구(805), 실린더(801)를 회전시키는 실린더 구동부(802), 및 실린더(801) 주위에 감긴 자기 테이프(804)를 구동시키는 자기 테이프 구동부(803)를 포함한다.
영상 기록 및 재생 장치(800)는 영상 신호 또는 음성 신호의 기록 및 재생을 다음과 같이 수행한다.
실린더 구동부(802)는 실린더(801)를 일정한 속도로 회전시킨다. 자기 테이프 구동부(803)는 자기 테이프(804)를 하나의 릴로부터 일정한 속도로 공급함으로써 자기 테이프(804)는 실린더(801)를 따라 주행하고 이어서 다른 릴 주위에 감긴다. 헤드/테이프 인터페이스 기구(805)는 실린더(801) 주위에 자기 테이프(804)를 비스듬히 감는 작용을 한다.
실린더(801)가 회전하기 시작할 때, 자기 헤드(100)는 자기 테이프(804)를 일정한 주기로 스캐닝한다. 기록 동작 중, 자기 헤드들(100)은 입력된 전기 신호를 자속으로 변환시켜 자기 테이프(804) 상의 자성 물질의 자화 상태를 변화시킨다. 따라서, 기록이 수행된다. 재생 동작 중, 자기 헤드(100)는 자기 테이프(804) 상의 자속을 전기 신호로 변환시킨다.
본 발명에 따라, 내식성 및 입출력 특성이 만족스럽고 크랙킹들에 대해 내구성이 있는 자기 헤드를 포함하는 영상 기록 및 재생 장치가 제공된다.
(실시예 4)
도 7은 본 발명에 따른 제1 실시예의 복수개의 자기 헤드들(100)을 포함하는 비디오 카메라(900)의 블록도이다.
비디오 카메라(900)는 자기 헤드들(100), 자기 헤드들(100)을 고정시키는 실린더(801), 실린더(801) 주위에 자기 테이프(804)를 감는 헤드/테이프 인터페이스 기구(805), 실린더(801)를 회전시키는 실린더 구동부(802), 실린더(801) 주위에 감긴 자기 테이프(804)를 구동시키는 자기 테이프 구동부(803), 영상 신호를 전기 신호로 변환시키는 광학계(901), 음성 신호를 전기 신호로 변환시키는 마이크로폰(902), 광학계(901) 및 마이크로폰(902)으로부터 전기 신호들을 자기 헤드(100)로 출력하는 신호 처리 회로(904), 및 영상 신호를 디스플레이하는 액정 모니터(903)를 포함한다.
비디오 카메라(900)는 제3 실시예에서와 유사한 방식으로 영상 신호 또는 음성 신호의 기록 또는 재생을 수행한다.
기록 동작 중, 영상 신호 및 음성 신호는 자기 헤드들(100)에 의해 자기 테이프(804) 상에 기록되고, 또한 액정 모니터(903) 상에 디스플레이된다. 재생 동작 중, 자기 헤드들(100)에 의해 재생된 영상 신호는 신호 처리 회로(904)를 통해 액정 모니터(903) 상에 디스플레이되고, 인터페이스부(905)를 통해 외부 장치(도시하지 않음)로 출력된다. 자기 헤드(100)에 의해 재생된 음성 신호는 스피커(도시되지 않음)를 통해 출력된다.
본 발명에 따라, 내식성 및 입출력 특성이 만족스럽고 크랙들에 대해 내구성이 있는 자기 헤드를 포함하는 비디오 카메라가 제공된다.
(특정예)
본 발명의 특정 실시예들을 상세히 기재할 것이다.
(특정예 1)
외측면 상에 어떠한 금속 자성 박막도 갖지 않는 제1 실시예에 기재된 자기 헤드들 및 비교예로서 외측면 상에 금속 자성 박막(FM2)을 갖는 도 9a 내지 9d에 나타낸 종래의 자기 헤드들(400)을 표 1에 나타낸 조건 하에 아래 기재된 공통 스펙에 따라 생산하였다. 자기 헤드들을 기록 및 재생 출력, 내식성, 및 페라이트 크랙킹 율에 대해 평가하였다.
표 1에서, 금속 자성 박막의 조성들은 aa 내지 ag 및 ba 내지 bg로 나타내고, 이것은 표 2에 나타낸다. 내식성을 평가하기 위해, 염수를 시료들 상에 분무하였다. 이러한 시험 전 후의 기록 및 재생 출력들이 비교되었다. 내식성은 출력들에서의 열화 정도로 평가하였다. 페라이트 크랙킹 율은 각각의 카테고리에서 시료들의 전체 수에 대해 페라이트 크랙킹으로 인해 결함있는 것으로 결정된 시료들의 비율로 평가하였다.
표 1에서, 기록 및 재생 출력 및 내식성의 평가는 번호 1로 나타낸 종래의 자기 헤드에 관하여 나타낸다. "X"는 번호 1의 자기 헤드에 비해 열등함을 나타내고, "△"는 번호 1의 자기 헤드와 동등함을 나타내고, "O"는 번호 1의 자기 헤드에 비해 우수함을 나타내고(즉, 0 내지 +2dB의 우수성), "◎"는 번호 1의 자기 헤드에 비해 현저하게 우수함을 나타낸다(즉, +2dB 이상 우수함).
크랙킹 율의 평가는 백분율로 나타낸다.
각각의 금속 자성 박막은 자기 결정 입자들을 함유한다. 자기 결정 입자들은 각각 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 또는 다기 형상(즉, 일반적으로 바늘 같은 형상과 일반적으로 기둥 같은 형상의 조합)을 가질 수 있다.
표 2에서, "dS"는 자기 결정 입자들의 보다 짧은 측면의 평균 길이를 나타내고, "dL"은 자기 결정 입자들의 보다 긴 측면의 평균 길이를 나타낸다. 표 2에 나타낸 바와 같이, dL은 50nm를 초과하고, 바람직하게는 60nm 이상 5000nm이하이다. dS는 5nm 이상 60nm이하이다.
조성 aa 내지 ag는 (MaXbZc)100-dAd로 나타낸다. M은 Fe, Co 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 자성 금속 원소를 포함한다. X는 Si, Al, Ga 및 Ge으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다. Z는 IVa족 원소들, Va족 원소들, 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다. A는 O 및 N으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다.
a, b, c 및 d는 다음의 관계: 즉,
약 0.1≤b ≤약 26,
약 0.1≤c ≤약 5,
a+b+c=100, 및
약 1≤d≤약 10의 관계를 충족시킨다.
조성들 ac 내지 ag는 (FeaSibAlcTd)100-eNe로 나타낸다. T는 Ti 및 Ta로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 포함한다.
a, b, c, d 및 e는 다음의 관계: 즉,
약 10≤b ≤약 23,
약 0.1≤c ≤약 5,
약 0.1≤c+d ≤약 8,
a+b+c+d=100 및
약 1≤e ≤약 10의 관계를 충족시킨다.
상기 공통 스펙은 다음과 같다.
헤드:
트랙 폭: 17㎛
갭 깊이: 12.5㎛
갭 길이: 0.2㎛
턴들의 수: 16
금속 자성 박막 두께: 4.5㎛
바탕층: 알루미나; 두께: 2nm
C/N(캐리어 대 노이즈 비) 특성:
테이프의 상대 속도: 10.2 m/s
기록 및 재생 주파수: 20.9 MHz
테이프: MP 테이프
표 1(제1 실시예)에서 자기 헤드의 구조가 제2 실시예의 구조로 변화하였을 때조차, 시험 결과들은 표 1의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
표 2에서 Si가 Ge로 변화하였을 때조차, 시험 결과는 표 1의 그것과 유사한 경향을 나타냈다. 표 2에서 조성 aa 및 ab에서 Si가 Al로 변화하였을 때조차, 시험 결과들은 표 1의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
표 2에서 Ta가 Ti, Zr, Hf, V, Nb 또는 Cr로 변화하였을 때조차, 시험 결과들은 표 1의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
"유사한 경향"이라는 표현은 예를 들면, 기록 및 재생 출력의 수치 값이 정확하게 동일하지 않지만, 동일하게 평가되는 것, 즉, "X", "△", "O" 또는 "◎"가 얻어지는 것을 의미한다.
상기 실험 결과들에 기초하여, 본 발명에 따른 자기 헤드들(번호 11 내지 번호 21로 표시됨)가 기록 및 재생 출력, 내식성 및 페라이트 크랙킹 율이 개선된 것으로 확인되었다. 번호 14 내지 번호 21의 자기 헤드들은 내식성에서 특히 바람직하다. θ12=90°(도 3a)인 권선 창을 갖는 번호 20 및 번호 21의 자기 헤드가 기록 및 재생 출력이 바람직하였다.
금속 자성 박막은 주 재료로서 자기 결정 입자들을 함유하는 자성막을 포함한다. 본 발명에 따른 상기 각각의 조성의 자기 결정 입자들은 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 또는 다기 형상(즉, 일반적으로 바늘 같은 형상과 일반적으로 기둥 같은 형상의 조합)을 갖는지에 관하여 관찰하였다. 자기 결정 입자들의 평균 체적 Va 및 평균 표면적 Sa가 Sa>약 4.84Va2/3의 관계를 갖는지에 관하여 확인하였다.
(특정예 2)
표 3에 나타낸 조건 하에 아래 기재된 공통 스펙에 따라 생산된 자기 헤드들을 특정예 1에서와 동일한 방식으로 평가하였다.
표 3에서, 금속 자성 박막의 조성들은 ca 내지 cg 및 da 내지 dg로 표시되고, 이것은 표 4에 나타낸다.
표 3에서, 기록 및 재생 출력 및 내식성의 평가는 번호 1로 나타낸 종래의 자기 헤드에 관하여 나타낸다. "X"는 번호 1의 자기 헤드에 비해 열등함을 나타내고, "△"는 번호 1의 자기 헤드와 동등함을 나타내고, "O"는 번호 1의 자기 헤드에 비해 우수함을 나타내고(즉, 0 내지 +2dB의 우수성), "◎"는 번호 1의 자기 헤드에 비해 현저하게 우수함을 나타낸다(즉, +2dB 이상 우수함).
크랙킹 율의 평가는 백분율로 나타낸다.
표 4에서, 조성 ca 내지 cg는 (MaXbZc)100-dAd로 나타낸다. M은 Fe, Co 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 자성 금속 원소를 포함한다. X는 Si 및 Ge로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다. Z는 IVa족 원소들, Va족 원소들, 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다. A는 O 및 N으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함한다.
a, b, c 및 d는 다음이 관계; 즉,
약 0.1≤b ≤약 23,
약 0.1≤c ≤약 8,
a+b+c=100, 및
약 1≤d≤약 10의 관계를 충족시킨다.
조성 cc 내지 ce는 (FeaSibAlcTid)100-e-fNeOf로 나타내고, 여기서 a, b, c, d, e 및 f는 약 10≤b ≤약 13, 약 0.1≤c ≤약 3, 약 0.1≤d ≤약 3, a+b+c+d=100, 약 4≤e+f ≤약 10, 및 0.1≤f ≤약 2의 관계를 충족시킨다.
상기 공통 스펙은 다음과 같다.
헤드:
트랙 폭: 17㎛
갭 깊이: 12.5㎛
갭 길이: 0.2㎛
턴들의 수: 16
금속 자성 박막 두께: 4.5㎛
바탕층: 알루미나; 두께: 2nm
C/N 특성:
테이프의 상대 속도: 10.2 m/s
기록 및 재생 주파수: 20.9 MHz
테이프: MP 테이프
표 3(제1 실시예)에서 자기 헤드의 구조가 제2 실시예의 구조로 변화하였을 때조차, 시험 결과들은 표 3의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
표 4에서 Si가 Ge로 변화하였을 때조차, 시험 결과들은 표 3의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
표 4에서 Al 및 Ti가 각각 Ga, Zr, Hf, V, Ta, Nb 또는 Cr로 변화하였을 때조차, 시험 결과들은 표 3의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
특정예 1에서와 같이, "유사한 경향"이라는 표현은 예를 들면, 기록 및 재생 출력의 수치 값이 정확하게 동일하지 않지만, 동일하게 평가되는 것, 즉, "X", "△", "O" 또는 "◎"가 얻어지는 것을 의미한다.
상기 실험 결과들에 기초하여, 본 발명에 따른 효과가 확인되었다.
금속 자성 박막의 각각의 조성의 자기 결정 입자들을 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 또는 다기 형상(즉, 일반적으로 바늘 같은 형상과 일반적으로 기둥 같은 형상의 조합)을 갖는지에 관하여 관찰하였다. 자기 결정 입자들의 평균 체적 Va 및 평균 표면적 Sa가 Sa>약 4.84Va2/3의 관계를 갖는지에 관하여 확인하였다.
(특정예 3)
제1 실시예에서 자기 헤드들을 표 3에 나타낸 조건들 하에 아래 기재된 공통 스펙에 따라 생산하고, 기록 및 재생 출력 및 리플(ripple)에 대해 평가하였다.
표 5에서, 금속 자성 박막의 조성들은 ac 및 cc로 표시되고, 이것은 표 2 및 4에 나타낸다.
또한, 표 5에서, "바탕층 1"은 페라이트부와 접촉하는 층(도 1e 및 4e에서 UL1)을 의미하고, "바탕층 2"는 금속 자성막과 접촉하는 층(도 1e 및 4e에서 UL2)을 의미한다.
금속 자성막이 조성 ac를 갖는 번호 73, 75, 77, 79, 81, 83, 85 및 87로 표시된 자기 헤드들에 관련하며, 기록 및 재생 출력은 바탕층 1이나 2에 대해서가 아니라 번호 71의 자기 헤드에 대해 평가된다. "△"는 번호 71의 자기 헤드와 동등함을 나타내고, "O"는 번호 71의 자기 헤드에 비해 우수함을 나타내고(즉, 0 내지 +3dB 우수함), "◎"는 번호 71의 자기 헤드에 비해 현저하게 우수함을 나타낸다(즉, +3dB 이상 우수함).
리플의 평가는 수치로 나타낸다.
표 6은 표 5의 바탕층 2의 형성 조건들을 나타낸다. 타겟으로서, 금속 자성 박막을 위한 합금 타겟이 사용되었다.
상기 공통 스펙은 다음과 같다.
헤드:
트랙 폭: 17㎛
갭 깊이: 12.5㎛
갭 길이: 0.2㎛
턴들의 수: 16
금속 자성 박막 두께: 4.5㎛
C/N 특성:
테이프의 상대 속도: 10.2 m/s
기록 및 재생 주파수: 20.9 MHz
테이프: MP 테이프
표 5에서 Al이 Si로 변화하였을 때조차, 시험 결과들은 표 5의 그것과 유사한 경향을 나타냈다. 표 6에서 질소가 산소로 변화하였을 때조차, 시험 결과들은 표 5의 그것과 유사한 경향을 나타냈다. 표 5의 조성들 ac 및 cc가 각각 ca 내지 cb중 임의의 것 및 cd 내지 cg중 임의의 것으로 변화하였을 때조차, 시험 결과들은 표 5의 그것과 유사한 경향을 나타냈다.
특정예 1에서와 같이, "유사한 경향"이라는 표현은 예를 들면, 기록 및 재생 출력의 수치가 정확하게 동일하지 않지만, 동일하게 평가되는 것, 즉, "X", "△", "O" 또는 "◎"가 얻어지는 것을 가리킨다.
상기 실험 결과들에 기초하여, 본 발명에 따른 효과들이 확인되었다.
금속 자성 박막들의 각각의 조성의 자기 결정 입자들을 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 또는 다기 형상(즉, 일반적으로 바늘 같은 형상과 일반적으로 기둥 같은 형상의 조합)을 갖는지에 관하여 관찰하였다. 자기 결정 입자들의 평균 체적 Va 및 평균 표면적 Sa가 Sa>약 4.84Va2/3의 관계를 갖는지에 관하여 확인하였다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 내식성 및 입출력 특성이 만족스럽고 베이스 의 크랙킹에 대해 충분한 내구성이 있는 자기 헤드, 그러한 자기 헤드의 제조 방법, 그러한 자기 헤드를 포함하는 영상 기록 및 재생 장치, 및 그러한 자기 헤드를 포함하는 비디오 카메라를 제공한다.
본 발명은 또한 금속 자성 박막 및 헤드 구조의 최적 조합을 갖는 자기 헤드를 제공한다.
본 발명의 범위 및 정신에서 벗어나지 않는 여러 가지 다른 변형이 당업계의 숙련자들에게 명백할 것이고, 그들에 의해 용이하게 이루어질 수 있다. 따라서, 이에 첨부된 특허 청구의 범위는 본 명세서에 나타낸 바의 설명으로 제한되는 것으로 의도되지 않고, 오히려 특허 청구의 범위는 광의로 해석되어야 한다.

Claims (28)

  1. 자기 헤드에 있어서,
    한 쌍의 자기 코어 반체들; 및
    상기 한 쌍의 자기 코어 반체들을 결합시키기 위해 상기 한 쌍의 자기 코어 반체들 간에 제공된 비자성층을 포함하고, 상기 한 쌍의 자기 코어 반체들 각각은,
    산화물 자기 베이스(oxide magnetic base),
    상기 산화물 자기 베이스 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층(underlying layer), 및
    상기 바탕막과 상기 비자성 층 간에 제공된 금속 자성 박막을 포함하고,
    상기 금속 자성 박막은 Sa > 4.84 Va2/3의 관계를 충족시키는 평균 체적 Va 및 평균 표면적 Sa를 갖는 자기 결정 입자들을 주 재료로서 함유하는 자성막을 포함하고,
    상기 한 쌍의 자기 코어 반체들 중 적어도 하나는 내부에 권선 창(winding window)을 갖고,
    상기 금속 자성 박막은 상기 금속 자성 박막에서 발생된 내부 응력으로 인해 산화물 자기 베이스가 크랙킹되는 것을 방지하는 방식으로- 제공되는 자기 헤드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 자성 박막은 50 nm 보다 큰 보다 긴 측면의 평균 길이를 갖는 자기 결정 입자들을 포함하는 자기 헤드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 자기 결정 입자들은 일반적으로 바늘 같은 형상(neddle-like shape), 일반적으로 기둥 같은 형상(column-like shape), 및 일반적으로 바늘 같은 형상 및 일반적으로 기둥 같은 형상의 자기 결정 입자들을 포함하는 다기 형상(multiple-branch shape shape)으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 형상을 갖고; 상기 일반적으로 바늘 같은 형상 및 상기 일반적으로 기둥 같은 형상을 갖는 상기 자기 결정 입자들은 5nm 보다 크고 60nm보다 작은 보다 짧은 측면의 평균 길이를 갖는 자기 헤드.
  4. 제2항에 있어서, dS가 상기 자기 결정 입자들의 보다 짧은 측면의 평균 길이이고, dL가 상기 자기 결정 입자들의 보다 긴 측면의 평균 길이인 경우, 5nm<dS< 60nm 및 60nm<dL<5000nm인 자기 헤드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속 자성 박막은 (MaXbZc)100-dAd로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 M은 Fe, Co 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 자성 금속 원소를 포함하고; X는 Si, Al, Ga 및 Ge으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; Z는 IVa족 원소들, Va족 원소들, Al, Ga 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; A는 O 및 N으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c 및 d는 0.1≤b ≤26, 0.1≤c ≤5, a+b+c=100, 및 1≤d≤10의 관계를 충족시키는 자기 헤드.
  6. 제1항에 있어서, 상기 한 쌍의 자기 코어 반체들 각각은 상기 비자성 층이 사이에 개재되어 다른 자기 코어 반체와 결합된 결합면, 기록 매체가 주행하는 기록 매체 주행면, 및 상기 결합면으로부터 및 상기 기록 매체 주행면으로부터 연속하는 외측면들을 갖고; 상기 금속 자성 박막은 상기 외측면들 상에 제공되지 않는 자기 헤드.
  7. 제6항에 있어서, 상기 금속 자성 박막은 (FeaSibAlcTd)100-eNe로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 T는 Ti 및 Ta로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c, d 및 e는 10≤b ≤23, 0.1≤d ≤5, 0.1≤c+d ≤8, a+b+c+d=100 및 1≤e ≤10의 관계를 충족시키는 자기 헤드.
  8. 제5항에 있어서, Z는 IVa족 원소들, Va족 원소들 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 자기 헤드.
  9. 제5항에 있어서, X는 Si 및 Ge로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c 및 d는 0.1≤b ≤23, 0.1≤c ≤8, a+b+c=100, 및 1≤d ≤10의 관계를 충족시키는 자기 헤드.
  10. 제9항에 있어서, 상기 금속 자성 박막은 (FeaSibAlcTid)100-e-fNeOf로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 a, b, c, d, e 및 f는 10≤b ≤23, 0.1≤d ≤5, 0.1≤c+d ≤8, a+b+c+d=100 및 1≤e+f ≤10, 및 0.1≤f ≤5의 관계를 충족시키는 자기 헤드.
  11. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 바탕층은 Al의 산화물, Si의 산화물, Al의 질화물, Si의 질화물 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 함유하는 자기 헤드.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 바탕층은 상기 자기 코어 반체와 접촉하는 제 1 바탕층 및 상기 금속 자성 박막과 접촉하는 제 2 바탕층을 포함하고,
    상기 제 1 바탕층은 Al의 산화물, Si의 산화물, Al의 질화물, Si의 질화물 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 함유하고,
    상기 금속 자성 박막은 산소 및 질소 중 적어도 하나를 함유하고; 상기 제 2 바탕층은 상기 금속 자성 박막의 주성분인 원소 및 산소 및 질소 중 적어도 하나를 상기 금속 자성 박막에 포함된 양보다 더 많이 함유하고,
    상기 제 2 바탕층은 결정 입자들을 함유하고,
    상기 결정 입자들은 상기 제 1 바탕층과 상기 제 2 바탕층 사이의 계면 근방에서 적어도 5nm 이하의 평균 입자 직경을 갖는 자기 헤드.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제 1 바탕층은 Al의 산화물을 함유하고, 0.5nm 내지 4nm의 두께를 갖고,
    상기 제 2 바탕층은 0.5nm 이상 200nm 이하의 두께를 갖는 자기 헤드.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 자기 코어 반체들 각각의 상기 산화물 자기 베이스는 페라이트 단결정을 함유하고,
    상기 페라이트 단결정은 상기 비자성 층이 사이에 개재되어 상기 다른 자기 코어 반체와 결합된 자기 코어 반체의 결합면에 대응하는 결합면, 및 기록 매체가 주행하는 기록 매체 주행면을 갖는 자기 헤드.
  15. 제14항에 있어서, 상기 페라이트 단결정은 A몰%의 Fe2O3, B몰%의 MnO 및 C몰%의 ZnO를 함유하는 MnZn 페라이트 단결정을 포함하고, 여기서, A, B 및 C는 52≤A ≤57, 5≤B ≤29, 및 16≤C ≤21의 관계를 충족시키는 자기 헤드.
  16. 제1항에 있어서, 상기 한 쌍의 자기 코어 반체들 각각은 비자성 층이 사이에 개재되어 다른 자기 코어 반체와 결합된 결합면, 및 기록 매체가 주행하는 기록 매체 주행면을 갖고,
    상기 한 쌍의 자기 코어 반체들 중 적어도 하나는 상기 권선 창을 형성하기 위한 바닥면 및 제 1 내측면을 갖고,
    상기 제 1 내측면은 바닥면으로부터 결합면으로 연장하고, 상기 바닥면에 대하여 상기 기록 매체 주행면 측에 제공되고,
    상기 제 1 내측면과 상기 결합면에 의해 이루어진 각도는 22.5。이상 70。이하인 자기 헤드.
  17. 제16항에 있어서, 상기 권선 창은 상기 한 쌍의 자기 코어 반체들 중 하나에 제공되고, 상기 제 1 내측면과 상기 결합면에 의해 이루어진 각도는 45。이상 70。이하인 자기 헤드.
  18. 제16항에 있어서, 상기 권선 창은 상기 한 쌍의 자기 코어 반체들 모두에 제공되고, 상기 제 1 내측면과 상기 결합면에 의해 이루어진 각도는 22.5。이상 50。이하인 자기 헤드.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 제 1 내측면은 상기 결합면에 인접한 제 2 내측면 및 상기 바닥면에 인접한 제 3 내측면을 포함하고,
    상기 제 2 내측면과 상기 결합면에 의해 이루어진 각도는 22.5。내지 70。이고,
    상기 제 3 내측면과 상기 바닥면에 의해 이루어진 각도는 90。인 자기 헤드.
  20. 제19항에 있어서, 상기 권선 창은 상기 한 쌍의 자기 코어 반체들 중 하나에 제공되고, 제 2 내측면과 상기 결합면에 의해 이루어진 각도는 45。이상 70。이하인 자기 헤드.
  21. 제19항에 있어서, 상기 권선 창은 상기 한 쌍의 자기 코어 반체들 모두에 제공되고, 제 2 내측면과 상기 결합면에 의해 이루어진 각도는 22.5。이상 50。이하인 자기 헤드.
  22. 제1항에 있어서, 상기 금속 자성 박막은 (FeaSibAlcTid)100-e-fNeOf로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 a, b, c, d, e 및 f는 10≤b≤13, 1≤c≤3, 1≤d≤3, a+b+c+d=100, 4≤e+f≤10, 및 0.1≤f≤2의 관계를 충족시키는 자기 헤드.
  23. 제1항에 있어서, 상기 자기 코어 반체들 각각의 상기 산화물 자기 베이스는 비자성 층이 사이에 개재되어 다른 자기 코어 반체의 상기 산화물 자기 베이스와 결합된 결합면, 및 상기 결합면으로부터 연속하는 측면들을 갖고,
    상기 결합면과 상기 측면들 각각에 의해 이루어진 각도는 70。이상 90。이하이고,
    상기 금속 자성 박막은 결합면 상에 제공되지만 상기 측면 상에는 제공되지는 않는 자기 헤드.
  24. 자기 헤드를 제조하는 방법에 있어서, 상기 자기 헤드는,
    한 쌍의 자기 코어 반체들, 및 상기 한 쌍의 자기 코어 반체들을 결합시키기 위해 상기 한 쌍의 자기 코어 반체들 간에 제공된 비자성 층을 포함하고, 상기 한 쌍의 자기 코어 반체들 각각은 산화물 자기 베이스, 상기 산화물 자기 베이스 상에 제공된 적어도 하나의 바탕층, 및 상기 바탕층과 상기 비자성 층 간에 제공된 금속 자성 박막을 포함하고; 상기 금속 자성 박막은 Sa > 4.84 Va2/3의 관계를 충족시키는 평균 체적 Va 및 평균 표면적 Sa를 갖는 자기 결정 입자를 주 재료로서 함유하는 자성막을 포함하고; 상기 한 쌍의 자기 코어 반체들 중 적어도 하나는 내부에 권선 창을 갖고, 상기 금속 자성 박막은 이 금속 자성 박막에서 발생된 내부 응력으로 인해 상기 산화물 자기 베이스가 크랙킹되는 것을 방지하는 방식으로 제공되고; 상기 금속 자성 박막은 (MaXbZc)100-dAd로 나타낸 조성을 갖고, 여기서 M은 Fe, Co 및 Ni로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 자성 금속 원소를 포함하고; X는 Si, Al, Ga 및 Ge으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; Z는 IVa족 원소들, Va족 원소들, Al, Ga 및 Cr로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; A는 O 및 N으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고; a, b, c 및 d는 0.1≤b ≤26, 0.1≤c ≤5, a+b+c=100, 및 1≤d ≤10의 관계를 충족시키고; 상기 금속 자성 박막은 자기 결정 입자들을 포함하고, 자기 결정 입자들은 일반적으로 바늘 같은 형상, 일반적으로 기둥 같은 형상, 및 일반적으로 바늘 같은 형상과 일반적으로 기둥 같은 형상의 자기 결정 입자들을 조합하는 다기 형상으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 형상을 갖고; 상기 자기 결정 입자들은 5nm<dS<60nm의 보다 짧은 측면의 평균 길이 dS 및 60nm<dL<5000nm의 보다 긴 측면의 평균 길이 dL을 가지며,
    상기 방법은,
    일반적으로 편평한 한 쌍의 산화물 자기 플레이트들 중 적어도 하나에 권선 창을 형성하는 권선 창 형성 단계;
    상기 한 쌍의 산화물 자기 플레이트들 각각 상에 적어도 하나의 바탕층을 형성하는 바탕층 형성 단계;
    상기 바탕층 상에 상기 금속 자성 박막을 형성하는 금속 자성 박막 형성 단계로서, 상기 금속 자성 박막은 기상 기술(gas phase technique)에 의해 산소와 질소 중 적어도 하나를 함유하는 분위기에서 금속 자성 박막의 주성분인 원소를 함유하는 고체 재료를 사용하여 형성되는, 상기 금속 자성 박막 형성 단계;
    상기 산화물 자기 플레이트, 상기 바탕층 및 상기 금속 자성 박막을 포함하는 몸체에 홈(groove)을 형성함으로써 그 홈이 트랙에 대응하는 폭을 갖게 하는 트랙 형성 단계; 및
    산화물 자기 플레이트, 바탕층, 및 금속 자성 박막을 포함하는 다른 몸체와, 비자성 층이 사이에 개재되어 상기 몸체를 결합시키는 결합 단계를 포함하는, 자기 헤드의 제조 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 단계들은 상기 권선 창 형성 단계, 상기 바탕층 형성 단계, 상기 금속 자성 박막 형성 단계, 상기 트랙 형성 단계, 및 이어서 상기 결합 단계의 순서로 수행되는 자기 헤드의 제조 방법.
  26. 제24항에 있어서, 상기 단계들은 상기 바탕층 형성 단계, 상기 금속 자성 박막 형성 단계, 상기 권선 창 형성 단계, 상기 트랙 형성 단계, 및 이어서 상기 결합 단계의 순서로 수행되는 자기 헤드의 제조 방법.
  27. 영상 기록 및 재생 장치에 있어서,
    제1항에 따른 자기 헤드가 그 위에 설치된 실린더;
    상기 실린더 주위에 자기 테이프를 감는 헤드/테이프 인터페이스 기구;
    상기 실린더를 구동시키는 실린더 구동부; 및
    상기 실린더 주위에 감긴 상기 자기 테이프를 구동시키는 자기 테이프 구동부를 포함하는, 영상 기록 및 재생 장치.
  28. 비데오 카메라에 있어서,
    제1항에 따른 자기 헤드가 그 위에 설치된 실린더;
    상기 실린더 주위에 자기 테이프를 감는 헤드/테이프 인터페이스 기구;
    상기 실린더를 구동시키는 실린더 구동부;
    상기 실린더 주위에 감긴 상기 자기 테이프를 구동시키는 자기 테이프 구동부;
    영상 신호를 전기 신호로 변환시키는 광학계; 및
    광학계에 의한 변환에 의해 얻어진 상기 전기 신호를 상기 자기 헤드로 출력하는 신호 처리 회로를 포함하는, 비디오 카메라.
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