JPH02276012A

JPH02276012A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH02276012A
Application number: JP2003962A
Authority: JP
Inventors: Takashi Ogura; 隆小倉; Yoshiaki Shimizu; 良昭清水; Hiroyuki Okuda; 裕之奥田; Takao Yamano; 山野　孝雄; Kazuo Ino; 伊野　一夫; Kozo Ishihara; 宏三石原; Tsukasa Shimizu; 司清水
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1989-01-13
Filing date: 1990-01-11
Publication date: 1990-11-09
Anticipated expiration: 2011-03-21
Also published as: JPH0827910B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野本発明は磁気ヘッドに関し、特にビデオテープレコーダ
（ＶＴＲ）　、デイジタルオーディオテープレコーダ（
ＤＡＴ）等の磁気記録再生装置に使用される磁気ヘッド
に関するものである。

（ロ）従来の技術近年、ＶＴＲ，ＤＡＴ等の磁気記録再生装置においては
、記録信号の高密度化が進められている。この高密度記
録に対応して、磁性粉としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁
性金属粉末を用いた抗磁力の高いメタルテープが使用さ
れるようになっている。たとえば、８ミリビデオと称す
る小型のＶＴＲではＨｃ−１４００〜１５００工ルステ
ツド程度の高い抗磁力を有するメタルテープが用いられ
る。その理由は、磁気記録再生装置を小型化するために
記録密度を高める必要性から、信号の記録波長を短くす
ることの可能な記録媒体が要求されてきたためである。

一方、このメタルテープに記録するために従来のフェラ
イトのみからなる磁気へ・ンドを用し）ると、フェライ
トの飽和磁束密度を高々５５００ガウス程度であること
から磁気飽和現象が発生するため、メタルテープの性能
を十分に活用することができない。そこで、この高い抗
磁力を有するメタルテープに対応する磁気ヘッドとして
は、通常、磁気ヘッドとして要求される磁気コアの高周
波特性の耐摩耗性の他に、磁気コアのギャップ近傍部の
飽和磁束密度が大きいことが要求される。

この要求を満たすメタルテープ対応型の磁気ヘッドとし
ては、磁性飽和現象の最も生じやすい作動ギャップ近傍
部分を、磁気コアとして使用されるフェライトよりも飽
和磁化の大きな金属磁性材料（たとえば、パーマロイ、
センダスト、アモルファス磁性体）で構成した磁気ヘッ
ド（複合型磁気ヘッドと称する）が提案されている。こ
の複合型磁気ヘッドは信頼性、磁気特性、耐摩耗性等の
点で優れた特性を有する。

第１６図は、従来の磁気ヘッドの外観を示す斜視図であ
る。第１６図に示すように、Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライ
ト等の強磁性酸化物からなる１対の磁気コア半体（ｌａ
）（Ｉｂ）が非磁性材料を介して突き合わせられて構成
する作動ギャップ（２）の近傍部に、飽和磁束密度の大
きいセンダスト等の強磁性金属薄膜（３）が形成されて
いる。なお、磁気コア半体（ｌａ）（ｌｂ）はガラス（
４）によって接合され、巻線溝（５）が形成されている
。

」ユ述のような複合型磁気ヘッドの場合、強磁性金属薄
膜（３）は、鏡面処理が施された強磁性酸化物からなる
基板の上面にスパッタリングによって付着形成される。

しかしながら、強磁性金属薄膜と強磁性酸化物からなる
基板との接合界面近傍は成分元素の相互拡散や化学反応
、あるいは結晶構造の非整合性等によって非磁性化し、
擬似ギャップとして作用するため、磁気ヘッドとしての
性能に悪影響を及ぼす。

すなわち、第１６図に示すように、本来の作動ギャップ
（２）の他に磁気コア半体（ｌａ）（ｌｂ）と強磁性金
属薄膜（３）との境界面（６）に擬似ギャップが形成さ
れる。たとえば、このような擬似ギャップが形成される
境界面（６）を有する磁気ヘッドを用いて磁気テープ上
の孤立反転磁化を再生すれば、第１８図に示すように、
本来の信号（７）に対して時間τ＝　ｔ　／　ｖだけ前
後に擬似信号（８ａ）（８ｂ）が再生される。なお、ｔ
は強磁性金属薄膜（３）のヘッド・テープ相対走行方向
の厚み、■はヘッド・テープ間の相対走行速度である。

また、記録波長λがｔと同程度、あるいはそれより短い
連続反転磁化を再生する場合、第１８図に示すような擬
似信号（８ａ）（８ｂ）は直接観測され難い。しかしな
がら、再生出力の周波数特性を測定すれば、本来の作動
ギャップ（２）による再生出力と擬似ギャップによる再
生出力との重ね合わせにより、第１９図に示すように、
ｆ＝ｎ・　（Ｖ／ｌ）を満たす周波数において山、ｆ＝
（ｎ−１／２）・　（Ｖ／ｌ）を満たす周波数において
谷となるようなうねりを有する周波数特性曲線が得られ
る。なお、ｎは自然数、ｆは周波数（Ｖ／λ）を示す。

したがって、このような擬似ギャップが形成される境界
面（６）を有する磁気ヘッドをＶＴＲやＤＴＡ等に用い
れば、擬似ギャップによる擬似信号がノイズとなり、画
質の劣化、あるいはエラーレートの増大等の悪影響が磁
気ヘッドとしての性能に及ぼされる。特に、第１６図に
示すような擬似ギャップが発生する境界面（６）と作動
ギャップ（２）とが平行な磁気ヘッドを用いると、再生
出力の周波数特性に波打ち現象が見られ、Ｓ／Ｎ比の劣
化を招く。

上述のような擬似ギャップの発生を抑えるために、フェ
ライト等の強磁性酸化物からなる基板の表面に、強磁性
金属薄膜を形成する直前において適切な投入電力の条件
による逆スパツタリングを施す方法が、たとえば、特開
昭６２−５７１１５号公報（Ｇｌ　ＩＢ５／１３３）に
開示されている。しかしながら、この方法によっても擬
似ギャップの原因となる加工変質層を完全に除去するこ
とができず、必ずしも十分に擬似ギャップの発生を抑え
ることができないという問題点があった。

さらに、第１７図に示すように、磁気コア半体（ｌａ）
（ｌｂ）と強磁性金属薄膜（３）との境界面（６）を作
動ギャップ（２）の形成面に対して傾斜させ、非平行と
することによって、たとえ、擬似ギャップが発生しても
ヘッドの性能には悪影響を及ぼさないようにした複合型
磁気ヘッドが提案されてしする。しかしながら、このよ
うな構造を有する磁気ヘッドは、第１６図に示された境
界面（６）と作動ギャップ（２）とが平行な磁気ヘッド
に比べて、その製造工程が複雑であり、コスト高になる
ため、量産性に適したものではない。

なお、本願発明者等は、第１６図に示される平行型Ｍ　
Ｉ　Ｇ　（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎ　Ｇａｐ）構造の磁気へ一
７ドにおける擬似ギャップ発生の要因として以下の３点
に着目している。

（ｉ）　　フェライト等の強磁性酸化物からなる基板の
表面の結晶性の劣化（１１）センダスト等の強磁性金属材料からなる強磁性
薄膜の初期層の非晶質化（ｉｉｉ）　　強磁性金属薄膜と強磁性酸化物からなる
基板との接合界面における拡散あるいは化学反応（ハ）発明が解決しようとする課題本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
磁気コア半体と強磁性金属薄膜との接合界面における擬
似ギャップの発生を極力抑え、あるいは、その接合界面
が擬似ギャップとして動作することにより生ずる悪影響
を十分に抑えることができる磁気ヘッドを提供すること
を目的とするものである。

（ニ）課題を解決するための手段本発明の磁気ヘッドは、１対の磁気コア半体が非磁性材
料を介して突き合わせられて作動ギャップを構成するも
のであり、１対の磁気コア半体と介在薄膜と強磁性薄膜
とを備える。１対の磁気コア半体は、強磁性を有する酸
化物からなり、作動ギャップを形成するために突き合わ
せられるべきギャップ形成面を有する。介在薄膜は、ギ
ャップ形成面の」二に形成され、微細結晶粒からなる。

強磁性薄膜は、介在薄膜の上に形成され、強磁性を有す
る金属材料からなる。この強磁性薄膜は、介在薄膜の表
面のすぐ上から成長した結晶粒を有する薄膜である。

更に、本発明の磁気ヘッドの好ましいものは、強磁性薄
膜がギャップ形成面にほぼ平行な面として、（１１０）
面、（２００）面および（２１１）面のうち、少なくと
もいずれかの面を有する結晶粒を含む多結晶体である。

さらに好ましくは、強磁性薄膜は、ギャップ形成面にほ
ぼ平行な面として、（１１０）面を有する結晶粒と、（
２００）面を有する結晶粒と、（２１１）面を有する結
晶粒とを含む多結晶体であればよい。介在薄膜の厚みは
、１ｎｍ以上で、かつ作動ギャップの厚みの１０分の１
以下であることが好ましい。微細結晶粒は、酸化珪素（
ＳｉＯ、）等の非磁性酸化物から構成されればよい。強
磁性を有する金属材料は、センダストを含むものであり
、さらに磁気コア半体を構成する強磁性酸化物はフェラ
イトを含むものであればよい。

（ホ）作用強磁性酸化物からなるギャップ形成面の上に強磁性薄膜
が形成されると、その成膜初期層は、下地面との結晶構
造の非整合性等のために原子配列が乱れた磁性劣化層と
なる可能性が存在する。

この発明の磁気ヘッドによれば、強磁性酸化物からなる
磁気コア半体と強磁性薄膜との間には、微細結晶粒から
なる薄膜が介在している。この微細結晶粒薄膜は、強磁
性酸化物からなる磁気コア半体表面の原子配列が強磁性
金属薄膜の初期層の形成過程に及ぼす影響を遮断すると
いう効果を有する。そのため、この微細結晶粒薄膜上に
形成される強磁性金属薄膜は、その形成初期層から、強
磁性金属薄膜本来の結晶構造を有する膜として成長する
。したがって、強磁性薄膜の初期層に原子配列が乱れた
磁性劣化層が形成されないので、擬似ギャップ発生の要
因が除去され得る。その結果、擬似ギャップによる磁気
ヘッドの再生出力の劣化を抑えることが可能になる。

すなわち、この発明によれば、強磁性酸化物からなるギ
ャップ形成面に微細結晶粒薄膜を形成することによって
、擬似ギャップ発生の要因となる強磁性金属薄膜初期層
の非晶質化が防止され得る。

（へ）実施例以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。

第１図に示すようにＭ　ｎ　−Ｚ　ｎ系単結晶あるいは
多結晶フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系単結晶あるいは多結晶
フェライト、フエロックスプレーナ等の強磁性酸化物の
磁気コア半体（９ａ）（９ｂ）のギャップ形成面の上に
は、微細結晶粒薄膜（１０）が形成されている。この微
細結晶粒薄膜（１０）は、以下のような材料を用いて、
スパッタリング法等の気相急冷法によって厚み数ｎｍ−
数１０ｎｍの薄膜として形成され、非晶質に近い微細結
晶粒を有する薄膜である。

（ａ）Ｓｉ、Ｇｅ等の半金属、あるいはその酸化物、窒
化物（ｂ）Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ等の低融点金属の酸化物、窒化
物（ｃ）　　Ｔ　ｉ、ＣｒＳ　Ｚ　ｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等
の高融点金属、あるいはその酸化物、窒化物（ｄ）（ｃ
）で挙げられた高融点金属を含有する合金、あるいはそ
の酸化物、窒化物この場合、微細結晶粒薄膜（１０）が形成されるギャッ
プ形成面は少なくともエツチング処理が施されることに
より、あるいはエツチング処理が施された後、逆スパツ
タリングにより清浄化されることによって、磁気コア半
体（９ａ）（９ｂ）を構成する強磁性酸化物の結晶が成
長したままの状態の面を露出していればよい。この微細
結晶粒薄膜（１０）の上には、センダスト系合金、パー
マロイ系合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、
Ｆｅ−５ｉ系合金、Ｆｅ−Ｃ系合金等の多結晶体からな
る強磁性金属薄膜（１１）がスパッタリングにより形成
されている。強磁性金属薄膜（１１）間に位置する作動
ギャップ（１２）は、Ｓｉｎ、、ＴｉＯ，、ＡＩ！、、
０１、Ｔａ＊Ｏｓ、Ｔｉ、Ｃｒ等の非磁性薄膜から構成
される。磁気コア半体（９ａ）（９ｂ）はガラス（１３
）によって接合されている。ガラス（１３）によって接
合された磁気コア半体（９ａ）（９ｂ）には巻線溝（１
４）が形成されている。

なお、第２図を参照して、強磁性金属薄膜（１１）の厚
みは１〜１０μｍ、作動ギャップ（１２）の厚みＧは０
．１−１μｍ、好ましくは０．２−０．４．ｕｍであり
、微細結晶粒薄膜（１０）の厚みδは１ｎｍ以上、作動
ギャップ長Ｇの１／１０以下である。

次に、この発明に従った磁気ヘッドの製造方法の一実施
例について説明する。

まず、Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎ系単結晶フェライトよりなる基
板のギャップ形成面となる上面にダイヤモンド砥粒等を
用いて鏡面研摩が施される。その後、研摩処理によって
形成された基板上面の加工変質層がリン酸水溶液等によ
るエツチング処理によって除去される。エツチング処理
されたギャップ形成面を有するフェライト基板（１７）
は第１５図に示される高真空に保たれたスパッタリング
装置内に装着される。グロー放電によって生じたＡｒ＋
等の不活性ガスイオンによりギャップ形成面が逆スパツ
タリングされることにより、フェライト基板（１７）の
上面に付着した不純物が除去される。第１５図において
、フェライト基板（１７）は負電位に設定された第２プ
レー）　（４２）に取付けられ、第１プレー）（４１）
は正電位に設定される。、容器（４０）内にはＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガスが導入され、第１プレート（４１）と
第２プレート（４２）には外部交流電源（４３）によっ
て高周波電力が印加される。このようにして、スパッタ
リング装置内に取付けられたフェライト基板（１７）の
ギャップ形成面（２３）に逆スパツタリング処理が施さ
れる。

次に、フェライト基板のギャップ形成面に５ｉＯ７より
なる微細結晶粒薄膜がスパッタリングによって形成され
、この微細結晶粒薄膜の上にセンダストよりなる強磁性
金属薄膜がスパッタリングにより形成される。

この微細結晶粒薄膜を形成する工程および強磁性金属薄
膜を形成する工程は、第１５図に示されるスパッタリン
グ装置を用いて行なわれる。フェライト基板（１７）が
取付けられる第２プレート（４２）には正電位が設定さ
れ、フェライト基板（１７）に対向する第１プレー）　
（４１）には、微細結晶粒薄膜を構成する材料の一例と
してＳｉｎ、、または強磁性金属材料の一例としてセン
ダストからなるターゲットが取付けられ、負電位に設定
される。フェライト基板（１７）の上面にはＳｉｎ、か
らなる微細結晶粒薄膜がスパッタリングによって約５ｎ
ｍ程度の膜厚を有するように形成される。

さらに、この微細結晶粒薄膜の上にはセンダストからな
る強磁性金属薄膜がスパッタリングによって約３μｍ程
度の膜厚を有するように形成される。この強磁性金属薄
膜の上には、作動ギヤ・ンプを構成する５ｉＯ＝からな
る非磁性薄膜が約０゜１μｍ程度の膜厚を有するように
形成される。

この場合、強磁性金属薄膜の形成条件は、たとえば、以
下のような条件である。高周波マグネトロンスパッタリ
ング装置を用いる場合、センダスト合金からなるターゲ
ットに対向してフェライトウェハが配置され、５Ｘ１０
−’Ｔｏｒｒ以下の高真空に容器（４０）が排気された
後４Ａｒガス圧５×１０−”Ｔｏｒｒの雰囲気中におい
て投入電力５００ＷでＲＦ　（Ｒａｄ　ｉｏ　　Ｆｒｅ
ｑｕｅｎｃｙ）放電が起こされることにより、スパッタ
リングによる膜形成が行なわれる。一般に、スパッタリ
ング法によって形成されたセンダスト膜は、良好な軟磁
気特性を得るために熱処理を施す必要があると考えられ
ている。この熱処理は、本発明の対象となる磁気ヘッド
の製造工程においては磁気コア半体が接合されるための
ガラス溶着工程で行なわれる。

第３図（ａ）および第３図（ｂ）には、上述の工程によ
り、フェライト基板（１７）の上面に微細結晶粒薄膜（
１０）、強磁性金属薄膜（１１）、および作動ギャップ
を構成する非磁性薄膜（１２）が順に形成された磁気コ
ア半体部材（９ａ）（９ｂ）が示されている。

次に、第４図（ａ）および第４図（ｂ）を参照して、磁
気コア半体部材（９ａ）（９ｂ）の上面にギャップ突き
合わせ部のトラック幅相当分（１５ａ）（１５ｂ）だけ
残るようにして、トラック幅規制溝（１６ａ）（１６ｂ
）（１６Ｃ）（１６ｄ）がイオンビームエツチング等に
よって形成される。

さらに、第５図（ａ）および第５図（ｂ）に示すように
、フェライト基板（１７）の上面に、磁気コア半体部材
接合用のガラスが充填される溝（１３ａ）（１３ｂ）巻
線溝（１４）およびガラス棒挿入溝（１３Ｃ）が回転砥
石等を用いて形成される。その後、それぞれの磁気コア
半体部材（９ａ）（９ｂ）のギャップ相当部分を突き合
わせた状態でガラス棒挿入溝（１３ｃ）にガラス棒を挿
入して押圧加熱することによって、磁気コア半体部材（
９ａ）（９ｂ）がガラス接合されたブロックが形成され
る。

このようにして、第６図に示されるブロック（１８）が
完成する。このブロック（１８）をＡ−Ａ“線に沿って
コアブロックに切断し、それぞれのテープ摺接面をＲ付
研摩する。さらに、各々の切断されたコアブロックをＢ
−Ｂ’　線に沿ってスライスすることにより、第１図に
示された本発明の磁気へラドチップが完成する。

上記実施例の製造方法に従って、第９図に示すように、
Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎ系単結晶フェライトよりなる基板（１
７）のギャップ形成面（２３）の上にＳｉｎ、よりなる
微細結晶粒薄膜（１０）を介在させて、センダストより
なる強磁性金属薄膜（１１）を形成する。このときの強
磁性金属薄膜（１１）の各膜厚における、ＣｕＫａ線を
用いたＸ線回折パターンは第７図に示される。ギャップ
形成面（２３）は、Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎ系単結晶フェライ
トの（１００）面である。

第７図に示されるＸ線回折パターンによれば、成膜下地
面であるフェライト基板（１７）のギャップ形成面（２
３）と平行な面が、強磁性金属薄膜（１１）を構成する
センダストにおいて体心立方晶の（１１０）面、（２０
０）面、（２１１）面であることを示す角度４４．６’
　　（約４５”　）、６５．０”　　（約６５６）、８
２．４°　（約８２°）でそれぞれピークが検出される
。この場合、厚み２００人（２０ｎｍ）のセンダストよ
りなる強磁性金属薄膜を形成したときにおいても、体心
立方晶の各結晶面に対応するＸ線回折ピークが検出され
る。このことは、５ｎｍ程度の膜厚を有するＳｉＯ□よ
りなる微細結晶粒薄膜（１０）を介在させると、その微
細結晶粒薄膜（１０）の表面のすぐ上から、結晶性を有
する強磁性金属薄膜（１１）が形成されることを意味す
る。第９図に示されるように、この強磁性金属薄膜（１
１）は、成膜下地面としてのギャップ形成面（２３）に
ほぼ平行な面として、（１１０）面を有する結晶粒（１
９）と、（２００）面を有する結晶粒（２０）と、（２
１１）面を有する結晶粒（２１）とを含む結晶配向を有
する体心立方晶系の多結晶体から構成される。

比較例として、上記実施例の製造方法を用いて、第１Ｏ
図に示すように、Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎ系単結晶フェライト
よりなる基板（１７）のギャップ形成面（２３）として
（１００）面の上に、微細結晶粒薄膜を介在させずに直
接、センダストよりなる強磁性金属薄膜（２２）が形成
される。このときの強磁性金属薄膜の各膜厚におけるＣ
ｕＫａ線を用いたＸ線回折パターンは第８図に示される
。

この第８図に示されるＸ線回折パターンによれば、成膜
下地面であるフェライト基板（１７）のギャップ形成面
（２３）とほぼ平行な面が、強磁性金属薄膜（２２）を
構成するセンダストにおいて体心立方晶の（１１０）面
であることを示す角度４４．６゜（約４５°）でのみ、
ピークが検出されている。

また、フェライト基板（１７）の上に直接形成されるセ
ンダストよりなる強磁性金属薄膜（２２）の初期層（２
２ａ）は、第１０図に示されるように下地面との結晶構
造の非整合性等のために原子配列が乱れた磁性劣化層、
すなわち、非晶質層として形成される。そのため、上記
の初期層（２２ａ）に相当する厚み５００人（５０ｎｍ
）以下のセンダスト膜が形成される場合、第８図に示さ
れるように特定の結晶面に対応するピークは検出されな
い。このセンダスト／フェライト界面部における非晶質
層の存在が擬似ギャップ発生の要因となる。すなわち、
フェライト基板（１７）の上に直接形成された強磁性金
属薄膜（２２）は、第１０図に示されるように、非晶質
層からなる初期層（２２ａ）と、成膜下地面としてのギ
ャップ形成面（２３）にほぼ平行な（１１０）面を有す
る結晶粒（１９）のみよりなる結晶配向を持つ体心立方
晶系の多結晶体とから構成される。

なお第９図および第１０図において、強磁性金属薄膜（
１１）および（２２）の膜厚をさらに１μｍ以上に増加
させても、第７図および第８図に示されるピークの位置
は変わらなかった。

第１１図は、本発明に従った磁気ヘッドとして、フェラ
イトのギャップ形成面上にＳｉｎ、膜を介在させてセン
ダスト膜を形成した磁気ヘッドを用いて測定された再生
出力の周波数特性曲線を示す図である。また、第１２図
は、比較例として、フェライトのギャップ形成面上に直
接、センダスト膜を形成した磁気ヘッドを用いて測定さ
れた再生出力の周波数特性曲線を示す図である。両者の
磁気ヘッドにおいて、ギャップ長Ｇは、０゜２５μｍ１
センダスト膜の厚みは３μｍであり、フェライトとセン
ダスト膜との間に介在させられる５ｉｎ２膜の厚みは５
０人（５ｎｍ）であった。周波数特性曲線の測定は、保
持力Ｈｅが１４００エルステツド（Ｏｅ）程度のメタル
テープを用い、ヘッド−テープ間相対走行速度ｖ＝３．
１ｍ　／　ｓの条件で０．１−１１−１Ｏの周波数スイ
ープ信号を記録し、再生出力がスペクトラムアナライザ
を用いて検出されることにより行なわれた。

第１２図から明らかなように、センダスト膜をフェライ
トのギャップ形成面上に直接形成した磁気ヘッドを用い
れば、再生出力の周波数特性に大きなうねりが生じてい
る。これに対し、第１１図に示されるように、この発明
の磁気ヘッドを用いれば、再生出力の周波数特性にほと
んどうねりが生じない。このことは、フェライトのギャ
ップ形成面上にＳｉｎ、膜を介在させてセンダスト膜を
形成することによって、磁性劣化層として擬似ギャップ
発生の要因となるセンダスト膜初期層の非晶質化が防止
され得るものと考えられる。

また、この発明の一実施例に従った磁気ヘッドは、第９
図に示されるように、センダストよりなる強磁性金属薄
膜（１１）が互いに異なる結晶方位を持つ３種類の結晶
粒（１９）（２０）（２１）を含んでいる。

そのため、上述の製造方法において第４図（ａ）および
第４図（ｂ）に示されるイオンビームエツチング処理が
施されるとき、強磁性金属薄膜（１１）の結晶粒（１９
）（２０）（２１）のエツチング速度の差に起因して、
エツチング終了時に露出させられるフェライト基板（１
７）の表面に凹凸が発生する。製造工程中において、こ
の凹凸を検知することにより、フェライト基板（１７）
上に形成された強磁性金属薄膜（１１）が３種類の結晶
粒（１９）（２０）（２１）を含むかどうかについて検
査することが可能になる。

第１３図は、上記実施例に従ってＳｉｎ、よりなる微細
結晶粒薄膜（１０）を介在させてセンダストよりなる強
磁性金属薄膜（１１）を１μｍの膜厚で形成した後、強
磁性金属薄膜（１１）をイオンビームエツチング処理を
用いて除去したときのフェライト基板（１７）の表面粗
さの測定結果を示す図である。また、第１４図は、比較
例として、フェライト基板（１７）の上に直接、センダ
ストよりなる強磁性金属薄膜（２２）を１μｍの膜厚で
形成した後、その強磁性金属薄膜（２２）をイオンビー
ムエツチング処理を用いて除去したときのフェライト基
板（１７）の表面粗さの測定結果を示す図である。これ
らの図を参照して、上記実施例に従って強磁性金属薄膜
（１１）を形成した後、イオンビームエツチング処理を
施した方（第１３図）が、比較例（第１４図）に比べて
、フェライト基板（１７）の表面粗さが大きいことが理
解される。なお、実際に磁気ヘッドを製造する場合、一
般に強磁性金属薄膜の膜厚は１μｍ以上であり、上述の
表面粗さの違いは目視により明確に区別され得る。

（ト）発明の効果以上のように本発明によれば、強磁性酸化物からなる磁
気コア半体のギャップ形成面上に微細結晶粒薄膜を介在
させて強磁性金属薄膜を形成することによって、擬似ギ
ャップの発生要因となる強磁性薄膜初期層の非晶質化が
防止され得る。その結果、擬似ギャップによる磁気ヘッ
ドの再生出力の劣化を極力小さくすることが可能になる
。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は本発明に係り、第１図は磁気ヘッド
の外観を示す斜視図、第２図は磁気ヘッドのテープ摺接
面の要部を示す図、第３図、第４図、第５図及び第６図
は夫々磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である。第７
図及び第８図は夫々強磁性金属薄膜のＸ線回折パターン
を示す図、第９図及び第１０図は強磁性金属薄膜の結晶
構造を示す図、第１１図及び第１２図は夫々再生出力の
周波数特性を示す図、第１３図及び第１４図は夫々表面
粗さの測定結果を示す図、第１５図はスパッタリング装
置の概略を示す図である。第１６図及び第１７図は夫々
従来の磁気ヘッドの外観を示す斜視図、第１８図は再生
信号を示す図、第１９図は再生出力の周波数特性を示す
図である。（９ａ）（９ｂ）・・・磁気コア牛体　（１０）・・・
微細結晶粒薄膜（介在薄膜）　　（１１）・・・強磁性
金属薄膜　（１２）・・・作動ギャップ　（１９）（２
０）（２１）・・・結晶粒　（２３）・・・成膜下地面

Claims

【特許請求の範囲】

（１）１対の磁気コア半体が非磁性材料を介して突き合
わせられて作動ギャップを構成する磁気ヘッドであって
、強磁性酸化物からなり、前記作動ギャップを形成するた
めに突き合わせられるべきギャップ形成面を有する１対
の磁気コア半体と、前記ギャップ形成面の上に形成され、微細結晶粒からな
る介在薄膜と、前記介在薄膜の上に形成され、強磁性を有する金属材料
からなる強磁性薄膜とを備え、前記強磁性薄膜が前記介在薄膜の表面のすぐ上から成長
した結晶粒を有する薄膜であることを特徴とする磁気ヘ
ッド。
（２）前記強磁性薄膜が前記ギャップ形成面にほぼ平行
な面として、（１１０）面、（２００）面および（２１
１）面のうち、少なくともいずれかの面を有する結晶粒
を含む多結晶体であることを特徴とする請求項（１）記
載の磁気ヘッド。
（３）前記強磁性薄膜が前記ギャップ形成面にほぼ平行
な面として、（１１０）面を有する結晶粒と、（２００
）面を有する結晶粒と、（２１１）面を有する結晶粒と
を含む多結晶体であることを特徴とする請求項（１）記
載の磁気ヘッド。
（４）前記介在薄膜の厚みが１ｎｍ以上で、かつ前記作
動ギャップの厚みの１０分の１以下であることを特徴と
する請求項（１）記載の磁気ヘッド。
（５）前記微細結晶粒が非磁性酸化物により構成される
ことを特徴とする請求項（１）記載の磁気ヘッド。
（６）前記非磁性酸化物がＳｉＯ＿２であることを特徴
とする請求項（５）記載の磁気ヘッド。