JPH07311909A - 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置Info
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- JPH07311909A JPH07311909A JP6104095A JP10409594A JPH07311909A JP H07311909 A JPH07311909 A JP H07311909A JP 6104095 A JP6104095 A JP 6104095A JP 10409594 A JP10409594 A JP 10409594A JP H07311909 A JPH07311909 A JP H07311909A
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- magnetic head
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 腐食が発生せず（磁気特性の劣化が生じな
い）、高信頼性を有する磁気ヘッドを提供する。 【構成】 基板２上に軟磁性薄膜１を形成した２個の磁
気コア半体６，７を軟磁性薄膜同士が所定間隔のギャッ
プ３を介して相対峙するように結合した磁気ヘッドにお
いて、軟磁性薄膜端面が露出している磁気ヘッド側面の
うち少なくとも記録媒体と接触する磁気ヘッド端部近傍
の表面凹凸をピーク−ピークで１〜１０μｍの範囲と
し、基板表面と平行方向の凹凸周期を５０μｍ以上とす
る。
い）、高信頼性を有する磁気ヘッドを提供する。 【構成】 基板２上に軟磁性薄膜１を形成した２個の磁
気コア半体６，７を軟磁性薄膜同士が所定間隔のギャッ
プ３を介して相対峙するように結合した磁気ヘッドにお
いて、軟磁性薄膜端面が露出している磁気ヘッド側面の
うち少なくとも記録媒体と接触する磁気ヘッド端部近傍
の表面凹凸をピーク−ピークで１〜１０μｍの範囲と
し、基板表面と平行方向の凹凸周期を５０μｍ以上とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドとその製造
方法、及びその磁気ヘッドを用いた磁気記録装置に関す
る。
方法、及びその磁気ヘッドを用いた磁気記録装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の高度情報化社会の進展にともな
い、小型でしかも高密度な情報記憶装置へのニーズが高
まっている。この中で、磁気記録装置は高密度記録、ダ
ウンサイジングへの研究が急速に進められている。高密
度磁気記録を実現するためには、微小な記録磁区を安定
に存在させるための高保磁力を有する磁気記録媒体と、
その媒体に情報を安定に記録するための起磁力の大きな
高性能な磁気ヘッドが必要となる。高保磁力媒体を十分
に磁化して信号を記録できる磁気ヘッドを得るために
は、高飽和磁束密度を有して強い磁界を発生できる磁気
ヘッド材料が必要となる。
い、小型でしかも高密度な情報記憶装置へのニーズが高
まっている。この中で、磁気記録装置は高密度記録、ダ
ウンサイジングへの研究が急速に進められている。高密
度磁気記録を実現するためには、微小な記録磁区を安定
に存在させるための高保磁力を有する磁気記録媒体と、
その媒体に情報を安定に記録するための起磁力の大きな
高性能な磁気ヘッドが必要となる。高保磁力媒体を十分
に磁化して信号を記録できる磁気ヘッドを得るために
は、高飽和磁束密度を有して強い磁界を発生できる磁気
ヘッド材料が必要となる。
【０００３】高飽和磁束密度を有する磁性材料として
は、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃに代表されるＦｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｔ
ａ−ＮやＦｅ−Ｚｒ−Ｎに代表されるＦｅ−Ｎ系等鉄族
元素とＣあるいはＮとの化合物系が知られている。これ
らの磁性材料は、軟磁気特性を発現させるために、アル
ゴンや窒素等の不活性ガス気流中において、必要に応じ
て３〜１０ｋＯｅ程度の磁界を印加しながら、一定温度
で熱処理を行っていた。磁気ヘッドがメタル・イン・ギ
ャップ（ＭＩＧ）型ヘッドである場合には、ヘッド作製
工程にガラスボンディング工程を含み、磁性膜に印加さ
れる最高の温度はこのボンディング温度により決定され
ていた。
は、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃに代表されるＦｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｔ
ａ−ＮやＦｅ−Ｚｒ−Ｎに代表されるＦｅ−Ｎ系等鉄族
元素とＣあるいはＮとの化合物系が知られている。これ
らの磁性材料は、軟磁気特性を発現させるために、アル
ゴンや窒素等の不活性ガス気流中において、必要に応じ
て３〜１０ｋＯｅ程度の磁界を印加しながら、一定温度
で熱処理を行っていた。磁気ヘッドがメタル・イン・ギ
ャップ（ＭＩＧ）型ヘッドである場合には、ヘッド作製
工程にガラスボンディング工程を含み、磁性膜に印加さ
れる最高の温度はこのボンディング温度により決定され
ていた。
【０００４】また、前記磁性材料は、Ｆｅを主体として
いるために、大気中の酸素や水と反応して水酸化物や酸
化物を生成し、磁気特性、特に保磁力や飽和磁束密度の
変動を生じるために、磁気ヘッドの性能が低下する場合
があった。前記磁性材料を用いた磁気ヘッドの実用化に
当たっては、腐食による磁気特性の経時変化（劣化）を
抑制することが必要であり、その一つの方法として、磁
性元素以外に耐食性向上を目的とした元素を添加するこ
とが特開平３−２０４４４号公報に記載されている。
いるために、大気中の酸素や水と反応して水酸化物や酸
化物を生成し、磁気特性、特に保磁力や飽和磁束密度の
変動を生じるために、磁気ヘッドの性能が低下する場合
があった。前記磁性材料を用いた磁気ヘッドの実用化に
当たっては、腐食による磁気特性の経時変化（劣化）を
抑制することが必要であり、その一つの方法として、磁
性元素以外に耐食性向上を目的とした元素を添加するこ
とが特開平３−２０４４４号公報に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、磁性膜自体の耐
食性に対する検討は行われていたが、磁性膜を磁気ヘッ
ドに組み込んだ時の耐食性については十分に検討されて
いなかった。そのため、高信頼性を有する軟磁性膜を用
いても、磁気ヘッドとしては必ずしも十分な信頼性が得
られず、使用の途中で再生出力の低下や十分な記録特性
が得られない等の問題を生じることがあった。本発明
は、軟磁気特性を有する磁性薄膜に対して十分な耐食性
を確保した信頼性の高い磁気ヘッドとその製造方法、及
びその磁気ヘッドを用いた磁気記録装置を提供すること
を目的とする。
食性に対する検討は行われていたが、磁性膜を磁気ヘッ
ドに組み込んだ時の耐食性については十分に検討されて
いなかった。そのため、高信頼性を有する軟磁性膜を用
いても、磁気ヘッドとしては必ずしも十分な信頼性が得
られず、使用の途中で再生出力の低下や十分な記録特性
が得られない等の問題を生じることがあった。本発明
は、軟磁気特性を有する磁性薄膜に対して十分な耐食性
を確保した信頼性の高い磁気ヘッドとその製造方法、及
びその磁気ヘッドを用いた磁気記録装置を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の磁気ヘッドは、基板上に軟磁性薄膜を形成
した２個の磁気コア半体を軟磁性薄膜同士が所定間隔の
ギャップを介して相対峙するように結合した磁気ヘッド
において、軟磁性薄膜端面が露出している磁気ヘッド側
面の表面凹凸がピーク−ピークで１〜１０μｍの範囲に
あり、基板表面と平行方向の凹凸周期が５０μｍ以上で
あることを特徴とする。
に、本発明の磁気ヘッドは、基板上に軟磁性薄膜を形成
した２個の磁気コア半体を軟磁性薄膜同士が所定間隔の
ギャップを介して相対峙するように結合した磁気ヘッド
において、軟磁性薄膜端面が露出している磁気ヘッド側
面の表面凹凸がピーク−ピークで１〜１０μｍの範囲に
あり、基板表面と平行方向の凹凸周期が５０μｍ以上で
あることを特徴とする。
【０００７】また、本発明の磁気ヘッドは、基板上に軟
磁性薄膜を形成した２個の磁気コア半体を軟磁性薄膜同
士が所定間隔のギャップを介して相対峙するように結合
した磁気ヘッドにおいて、軟磁性薄膜端面が露出してい
る磁気ヘッド側面のうち記録媒体と接触する磁気ヘッド
端部近傍の表面凹凸がピーク−ピークで１〜１０μｍの
範囲にあり、基板表面と平行方向の凹凸周期が５０μｍ
以上であることを特徴とする。
磁性薄膜を形成した２個の磁気コア半体を軟磁性薄膜同
士が所定間隔のギャップを介して相対峙するように結合
した磁気ヘッドにおいて、軟磁性薄膜端面が露出してい
る磁気ヘッド側面のうち記録媒体と接触する磁気ヘッド
端部近傍の表面凹凸がピーク−ピークで１〜１０μｍの
範囲にあり、基板表面と平行方向の凹凸周期が５０μｍ
以上であることを特徴とする。
【０００８】軟磁性薄膜端面が露出している磁気ヘッド
側面の少なくとも記録媒体と接触する部分近傍を疎水性
を有する材料、疎水性の官能基を有する材料又は吸水率
が１％以下の材料で被覆してもよい。軟磁性薄膜は、所
定温度以上で熱処理を行うことにより軟磁気特性が発現
する材料を用い、１．５Ｔ以上の飽和磁束密度を有する
ことが好ましい。
側面の少なくとも記録媒体と接触する部分近傍を疎水性
を有する材料、疎水性の官能基を有する材料又は吸水率
が１％以下の材料で被覆してもよい。軟磁性薄膜は、所
定温度以上で熱処理を行うことにより軟磁気特性が発現
する材料を用い、１．５Ｔ以上の飽和磁束密度を有する
ことが好ましい。
【０００９】また、軟磁性薄膜は炭素との反応の自由エ
ネルギーが異なりかつＦｅへの固溶率が異なる少なくと
も２種類の元素を含み、結晶粒界に炭素との反応の自由
エネルギーが大きくかつＦｅへの固溶率が小さい元素が
析出し、炭素との反応の自由エネルギーが小さくかつＦ
ｅへの固溶率が大きい元素がＦｅ微結晶相中に合金とし
て存在していることが好ましい。
ネルギーが異なりかつＦｅへの固溶率が異なる少なくと
も２種類の元素を含み、結晶粒界に炭素との反応の自由
エネルギーが大きくかつＦｅへの固溶率が小さい元素が
析出し、炭素との反応の自由エネルギーが小さくかつＦ
ｅへの固溶率が大きい元素がＦｅ微結晶相中に合金とし
て存在していることが好ましい。
【００１０】また、軟磁性薄膜はＺｒ，Ｎｂ，Ｔａの中
から選ばれる少なくとも１種類の元素を５〜２０ａｔ
％、Ｎ，Ｃの中から選ばれる少なくとも１種類の元素を
１〜２０ａｔ％、Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒ
ｈ，Ｔｉ，Ｐｄの中から選ばれる少なくとも１種類もし
くは２種類の元素を０．５〜１５ａｔ％含み、残部がＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選ばれる少なくとも１種類の元
素である合金とすることできる。ここで、Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｔａの群からＮｂを選択するときは、添加元素としてＮ
ｂ以外のものを選択する。Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａの中からＺ
ｒ又はＴａを選択したときには、添加元素としてＮｂを
選択してもよい。
から選ばれる少なくとも１種類の元素を５〜２０ａｔ
％、Ｎ，Ｃの中から選ばれる少なくとも１種類の元素を
１〜２０ａｔ％、Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒ
ｈ，Ｔｉ，Ｐｄの中から選ばれる少なくとも１種類もし
くは２種類の元素を０．５〜１５ａｔ％含み、残部がＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選ばれる少なくとも１種類の元
素である合金とすることできる。ここで、Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｔａの群からＮｂを選択するときは、添加元素としてＮ
ｂ以外のものを選択する。Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａの中からＺ
ｒ又はＴａを選択したときには、添加元素としてＮｂを
選択してもよい。
【００１１】前記合金は、具体的には、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ
−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｃ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｒ
ｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ−
Ｃ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｎｂ−
Ｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−
Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，
Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，
Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，
Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｈ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−
Ａｌ−Ｒｎ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ
−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ
−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ
−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ
−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒ
ｈ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ａ
ｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｒｕ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−
Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，
Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ−
Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−
Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−
Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｚｒ
−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ
−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｒｕ−Ａ
ｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｎｉ−Ｔａ−
Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−
Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，
Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｔｉ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−
Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ
−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ
−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ
−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎ
ｂ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒ
ｕ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃ
ｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｚｒ−
Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｐｄ，Ｆｅ−
Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｐｄ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ（Ｎ）−Ｃｒ−
Ｐｄ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ（Ｎ）−Ｃｒ−Ｐｄ，Ｎｉ−Ｚｒ
−Ｃ（Ｎ）−Ａｌ−Ｐｄ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ（Ｎ）−Ａｌ
−Ｐｄ等とすることができる。
−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｃ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｒ
ｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ−
Ｃ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｎｂ−
Ｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−
Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，
Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，
Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，
Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｈ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−
Ａｌ−Ｒｎ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ
−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ
−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ
−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ
−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒ
ｈ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ａ
ｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｒｕ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−
Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，
Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ−
Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−
Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−
Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｚｒ
−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ
−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｒｕ−Ａ
ｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｎｉ−Ｔａ−
Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−
Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，
Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｔｉ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−
Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ
−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ
−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ
−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎ
ｂ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒ
ｕ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃ
ｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｚｒ−
Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｐｄ，Ｆｅ−
Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｐｄ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ（Ｎ）−Ｃｒ−
Ｐｄ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ（Ｎ）−Ｃｒ−Ｐｄ，Ｎｉ−Ｚｒ
−Ｃ（Ｎ）−Ａｌ−Ｐｄ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ（Ｎ）−Ａｌ
−Ｐｄ等とすることができる。
【００１２】ここで、Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａの中から選ばれ
る少なくとも１種類の元素の濃度を５〜２０ａｔ％とし
たのは、５ａｔ％未満であると良好な軟磁気特性を有す
る磁性膜が得られず、２０ａｔ％を超えると保磁力が増
大し、軟磁気特性が劣化したり、磁性そのものが失われ
るからである。なお、５〜１５ａｔ％の範囲とすると保
磁力が１．０Ｏｅより小さくなるので、より好ましい。
る少なくとも１種類の元素の濃度を５〜２０ａｔ％とし
たのは、５ａｔ％未満であると良好な軟磁気特性を有す
る磁性膜が得られず、２０ａｔ％を超えると保磁力が増
大し、軟磁気特性が劣化したり、磁性そのものが失われ
るからである。なお、５〜１５ａｔ％の範囲とすると保
磁力が１．０Ｏｅより小さくなるので、より好ましい。
【００１３】Ｎ，Ｃの中から選ばれる少なくとも１種類
の元素の濃度を１〜２０ａｔ％としたのは、１ａｔ％未
満又は２０ａｔ％を超えると熱処理しても良好な軟磁気
特性が得られないからである。なお、８〜１５ａｔ％の
範囲とするとより良好な軟磁気特性が得られるので、よ
り好ましい。Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔ
ｉ，Ｐｄの中から選ばれる少なくとも１種類もしくは２
種類の元素の濃度を０．５〜１５ａｔ％としたのは、
０．５ａｔ％未満であると磁性膜の耐食性及び耐熱性が
確保できず、１５ａｔ％を超えると保磁力の増大等軟磁
気特性が劣化するからである。なお、３〜１０ａｔ％と
すると軟磁気特性の劣化が小さく、かつ耐食性及び耐熱
性が確保できるので、より好ましい。これらの添加元素
は、結晶粒界に化合物として析出したり、Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ等の金属と金属間化合物などの合金を形成すること
により結晶粒の成長を抑制する作用をし、その結果、磁
気特性を低下させずに耐食性を向上させることができ
る。これらの材料の中で、Ｆｅ系材料を用いる場合が最
も大きな飽和磁束密度が得られるので最も好ましい。
の元素の濃度を１〜２０ａｔ％としたのは、１ａｔ％未
満又は２０ａｔ％を超えると熱処理しても良好な軟磁気
特性が得られないからである。なお、８〜１５ａｔ％の
範囲とするとより良好な軟磁気特性が得られるので、よ
り好ましい。Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔ
ｉ，Ｐｄの中から選ばれる少なくとも１種類もしくは２
種類の元素の濃度を０．５〜１５ａｔ％としたのは、
０．５ａｔ％未満であると磁性膜の耐食性及び耐熱性が
確保できず、１５ａｔ％を超えると保磁力の増大等軟磁
気特性が劣化するからである。なお、３〜１０ａｔ％と
すると軟磁気特性の劣化が小さく、かつ耐食性及び耐熱
性が確保できるので、より好ましい。これらの添加元素
は、結晶粒界に化合物として析出したり、Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ等の金属と金属間化合物などの合金を形成すること
により結晶粒の成長を抑制する作用をし、その結果、磁
気特性を低下させずに耐食性を向上させることができ
る。これらの材料の中で、Ｆｅ系材料を用いる場合が最
も大きな飽和磁束密度が得られるので最も好ましい。
【００１４】軟磁性膜の軟磁気特性は析出する微結晶粒
子サイズに依存していることから、良好な軟磁気特性を
有する磁性膜を得るためにはこの結晶粒子サイズを制御
しなければならない。本発明による軟磁性膜は、熱処理
を施すことにより軟磁気特性を発現させた軟磁性薄膜と
することができ、成膜直後の薄膜が有する結晶化温度を
制御し、α−Ｆｅ相或いはＦｅとの間の金属間化合物が
１〜２０ｎｍであり、金属の炭化物又は窒化物の化合物
相が１〜１０ｎｍであることが好ましい。
子サイズに依存していることから、良好な軟磁気特性を
有する磁性膜を得るためにはこの結晶粒子サイズを制御
しなければならない。本発明による軟磁性膜は、熱処理
を施すことにより軟磁気特性を発現させた軟磁性薄膜と
することができ、成膜直後の薄膜が有する結晶化温度を
制御し、α−Ｆｅ相或いはＦｅとの間の金属間化合物が
１〜２０ｎｍであり、金属の炭化物又は窒化物の化合物
相が１〜１０ｎｍであることが好ましい。
【００１５】磁気ヘッドはメタル・イン・ギャップ型磁
気ヘッドとすることができる。しかし、導電性基板と磁
性膜とを有する磁気ヘッドであれば、その形態にこだわ
るものではないことはいうまでもない。前記磁気ヘッド
は、基板上に軟磁性薄膜を形成した２個の部材を軟磁性
薄膜同士が所定間隔のギャップを介して相対峙するよう
に結合して一体化したブロックを作製し、前記ブロック
をダイサー又はワイアーソーを用いて切断して個々の磁
気ヘッドチップを切り出すことにより製造することがで
きる。
気ヘッドとすることができる。しかし、導電性基板と磁
性膜とを有する磁気ヘッドであれば、その形態にこだわ
るものではないことはいうまでもない。前記磁気ヘッド
は、基板上に軟磁性薄膜を形成した２個の部材を軟磁性
薄膜同士が所定間隔のギャップを介して相対峙するよう
に結合して一体化したブロックを作製し、前記ブロック
をダイサー又はワイアーソーを用いて切断して個々の磁
気ヘッドチップを切り出すことにより製造することがで
きる。
【００１６】その際、砥粒サイズの異なる少なくとも２
種類の切断用の刃を用い、記録媒体と接触する部分近傍
の切断加工を砥粒サイズの小さい刃を用いて行う用にし
てもよい。また、前記磁気ヘッドは、基板上に軟磁性薄
膜を形成した２個の部材を軟磁性薄膜同士が所定間隔の
ギャップを介して相対峙するように結合して一体化した
ブロックを作製し、前記ブロックを切削式の切断機を用
いて切断して個々の磁気ヘッドチップを切り出した後、
記録媒体と接触する部分近傍の切断面を研磨加工するこ
とにより製造することができる。
種類の切断用の刃を用い、記録媒体と接触する部分近傍
の切断加工を砥粒サイズの小さい刃を用いて行う用にし
てもよい。また、前記磁気ヘッドは、基板上に軟磁性薄
膜を形成した２個の部材を軟磁性薄膜同士が所定間隔の
ギャップを介して相対峙するように結合して一体化した
ブロックを作製し、前記ブロックを切削式の切断機を用
いて切断して個々の磁気ヘッドチップを切り出した後、
記録媒体と接触する部分近傍の切断面を研磨加工するこ
とにより製造することができる。
【００１７】磁気記録再生装置に本発明による磁気ヘッ
ドを用い、移動する情報記録媒体に画像情報や音声情
報、コードデータ等の情報を磁気的に記録再生すると、
再生信号を増大することができ、良好な記録再生を行う
ことができる。情報記録媒体としては、磁気テープ又は
円板上に磁気記録媒体層が形成された磁気ディスクを用
いることができる。
ドを用い、移動する情報記録媒体に画像情報や音声情
報、コードデータ等の情報を磁気的に記録再生すると、
再生信号を増大することができ、良好な記録再生を行う
ことができる。情報記録媒体としては、磁気テープ又は
円板上に磁気記録媒体層が形成された磁気ディスクを用
いることができる。
【００１８】
【作用】軟磁性薄膜端面が露出している磁気ヘッド側面
の表面、特に軟磁性薄膜端面が露出している磁気ヘッド
側面のうち記録媒体と接触する磁気ヘッド端部近傍の表
面に平坦性を持たせることにより、腐食発生点となる切
断時に入る加工歪や水などの吸着点を除去でき、磁性膜
の腐食発生確立を大きく低下させることができる。特
に、吸着点の除去には、磁気ヘッド側面の平坦化に伴う
表面積の低下が効果がある。
の表面、特に軟磁性薄膜端面が露出している磁気ヘッド
側面のうち記録媒体と接触する磁気ヘッド端部近傍の表
面に平坦性を持たせることにより、腐食発生点となる切
断時に入る加工歪や水などの吸着点を除去でき、磁性膜
の腐食発生確立を大きく低下させることができる。特
に、吸着点の除去には、磁気ヘッド側面の平坦化に伴う
表面積の低下が効果がある。
【００１９】軟磁性薄膜端面が露出している磁気ヘッド
側面の少なくとも記録媒体と接触する部分近傍を疎水性
を有する材料、疎水性の官能基を有する材料又は吸水率
が１％以下の材料で被覆することによっても腐食の発生
を抑制することができる。
側面の少なくとも記録媒体と接触する部分近傍を疎水性
を有する材料、疎水性の官能基を有する材料又は吸水率
が１％以下の材料で被覆することによっても腐食の発生
を抑制することができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の詳細を実施例により説明す
る。 〔実施例１〕軟磁性薄膜として、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ
−Ｎｂ合金膜を用いて、図１に概略を示すＭＩＧ（メタ
ルインギャップ）型ヘッドを作製した。ＭＩＧ型ヘッド
は、フェライト基板２に軟磁性膜１からなる磁極部を形
成したもので、２個の磁気コア半体６，７をギャップ部
３を介して低融点ガラス４で結合したものである。
る。 〔実施例１〕軟磁性薄膜として、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ
−Ｎｂ合金膜を用いて、図１に概略を示すＭＩＧ（メタ
ルインギャップ）型ヘッドを作製した。ＭＩＧ型ヘッド
は、フェライト基板２に軟磁性膜１からなる磁極部を形
成したもので、２個の磁気コア半体６，７をギャップ部
３を介して低融点ガラス４で結合したものである。
【００２１】図１に示すＭＩＧ型ヘッドの作製工程を図
２により説明する。まず（ａ）に示すように、１４．８
ｍｍ×２．３２５ｍｍ×１．００ｍｍのＭｎＺｎフェラ
イト単結晶基板１１を切り出す。次に、（ｂ）のよう
に、高速ダイサーによって幅０．６ｍｍのトラック部１
２を加工し、さらに（ｃ）のように、ダイヤモンドブレ
ードによって巻線窓用溝１３を加工する。
２により説明する。まず（ａ）に示すように、１４．８
ｍｍ×２．３２５ｍｍ×１．００ｍｍのＭｎＺｎフェラ
イト単結晶基板１１を切り出す。次に、（ｂ）のよう
に、高速ダイサーによって幅０．６ｍｍのトラック部１
２を加工し、さらに（ｃ）のように、ダイヤモンドブレ
ードによって巻線窓用溝１３を加工する。
【００２２】次に、（ｄ）に示すハッチングを施した面
に、膜厚１０ｎｍのＣｒ下地層、膜厚５μｍのＦｅ−Ｔ
ａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ軟磁性薄膜をスパッタ法によって積
層した。放電ガスにはＡｒを用い、放電ガス圧力は５ｍ
Ｔｏｒｒ、投入ＲＦ電力は４００Ｗとした。スパッタの
ターゲットには、Ｆｅ，Ｔａ，Ｃ，Ｎｂ，Ｃｒの各元素
の粉体を熱間静圧プレス法（ＨＩＰ法）により成型した
ものを用いた。このターゲット中の不純物酸素濃度は４
００ｐｐｍ以下であった。ターゲットの組成はＦｅ73Ｔ
ａ7Ｃ8Ｃｒ7Ｎｂ5で、薄膜化しても得られた膜の組成は
ほとんど変わらなかった。
に、膜厚１０ｎｍのＣｒ下地層、膜厚５μｍのＦｅ−Ｔ
ａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ軟磁性薄膜をスパッタ法によって積
層した。放電ガスにはＡｒを用い、放電ガス圧力は５ｍ
Ｔｏｒｒ、投入ＲＦ電力は４００Ｗとした。スパッタの
ターゲットには、Ｆｅ，Ｔａ，Ｃ，Ｎｂ，Ｃｒの各元素
の粉体を熱間静圧プレス法（ＨＩＰ法）により成型した
ものを用いた。このターゲット中の不純物酸素濃度は４
００ｐｐｍ以下であった。ターゲットの組成はＦｅ73Ｔ
ａ7Ｃ8Ｃｒ7Ｎｂ5で、薄膜化しても得られた膜の組成は
ほとんど変わらなかった。
【００２３】成膜時の磁性膜の特性は、飽和磁束密度が
１．５Ｔ、保磁力が０．２Ｏｅ、１ＭＨｚにおける透磁
率が３０００以上であり、磁歪定数が７×１０-7であっ
た。磁性膜１４を５５０℃〜７００℃でアニールしても
保磁力をはじめとする軟磁気特性は磁気ヘッド材料とし
て用いることができる範囲であった。ここで、適当な温
度で熱処理を行うと、成膜直後の非晶質膜が結晶化する
ことにより、軟磁気特性が発現する。７００℃で熱処理
した軟磁性膜を透過型電子顕微鏡により膜構造を観察し
たところ、Ｆｅ相の結晶サイズは８ｎｍから１６ｎｍの
間で、平均１０ｎｍであった。また、ＴａＣ相の結晶サ
イズは４〜６ｎｍの間であった。
１．５Ｔ、保磁力が０．２Ｏｅ、１ＭＨｚにおける透磁
率が３０００以上であり、磁歪定数が７×１０-7であっ
た。磁性膜１４を５５０℃〜７００℃でアニールしても
保磁力をはじめとする軟磁気特性は磁気ヘッド材料とし
て用いることができる範囲であった。ここで、適当な温
度で熱処理を行うと、成膜直後の非晶質膜が結晶化する
ことにより、軟磁気特性が発現する。７００℃で熱処理
した軟磁性膜を透過型電子顕微鏡により膜構造を観察し
たところ、Ｆｅ相の結晶サイズは８ｎｍから１６ｎｍの
間で、平均１０ｎｍであった。また、ＴａＣ相の結晶サ
イズは４〜６ｎｍの間であった。
【００２４】Ｘ線回折の結果から、格子定数を求めたと
ころＦｅ相はα−Ｆｅより大きいことから、Ｆｅ−Ｃｒ
−Ｎｂ合金、Ｆｅ−Ｎｂ合金もしくはＦｅ−Ｃｒ合金等
の合金であると考えられ、固溶体を形成していることが
わかる。また、この磁性膜の断面構造を透過型電子顕微
鏡により観察したところ、基板と磁性膜との界面に多結
晶層が存在していた。
ころＦｅ相はα−Ｆｅより大きいことから、Ｆｅ−Ｃｒ
−Ｎｂ合金、Ｆｅ−Ｎｂ合金もしくはＦｅ−Ｃｒ合金等
の合金であると考えられ、固溶体を形成していることが
わかる。また、この磁性膜の断面構造を透過型電子顕微
鏡により観察したところ、基板と磁性膜との界面に多結
晶層が存在していた。
【００２５】ギャップ部３を形成するために、軟磁性薄
膜上に、ＳｉＯ2 膜を２００ｎｍの膜厚に形成し、さら
にその上にＣｒ層を１００ｎｍの膜厚に形成した。これ
を窒素気流中にて６００℃で１時間熱処理した。この様
にして多層膜を形成した同一形状の２個のヘッド基板１
１，１１’を（ｅ）に示すようにトラック部１２，１
２’を位置合わせして重ね、低融点ガラス１５を充填し
た後、約７００℃に加熱した状態で加圧し、ボンディン
グしてボンディングブロックを形成する。軟磁性薄膜の
熱処理温度は、このガラスボンディング工程における温
度に支配される。基板と磁性膜の間に両者の接着性の向
上のための接合層を設けても良い。
膜上に、ＳｉＯ2 膜を２００ｎｍの膜厚に形成し、さら
にその上にＣｒ層を１００ｎｍの膜厚に形成した。これ
を窒素気流中にて６００℃で１時間熱処理した。この様
にして多層膜を形成した同一形状の２個のヘッド基板１
１，１１’を（ｅ）に示すようにトラック部１２，１
２’を位置合わせして重ね、低融点ガラス１５を充填し
た後、約７００℃に加熱した状態で加圧し、ボンディン
グしてボンディングブロックを形成する。軟磁性薄膜の
熱処理温度は、このガラスボンディング工程における温
度に支配される。基板と磁性膜の間に両者の接着性の向
上のための接合層を設けても良い。
【００２６】次いで、（ｆ）に示すように、記録媒体と
接触する面１６を円筒研削し、（ｇ）に示すように、ワ
イヤソーによって２点鎖線で示す切断位置１７でボンデ
ィングブロックを切断し、個々の磁気ヘッドチップを切
り出す。切断方向を図（ｄ）に矢印１９で示す。こうし
て、２個の磁気コア半体６，７を軟磁性薄膜同士が所定
間隔のギャップを介して相対峙するように結合したＭＩ
Ｇ型ヘッドが得られる。
接触する面１６を円筒研削し、（ｇ）に示すように、ワ
イヤソーによって２点鎖線で示す切断位置１７でボンデ
ィングブロックを切断し、個々の磁気ヘッドチップを切
り出す。切断方向を図（ｄ）に矢印１９で示す。こうし
て、２個の磁気コア半体６，７を軟磁性薄膜同士が所定
間隔のギャップを介して相対峙するように結合したＭＩ
Ｇ型ヘッドが得られる。
【００２７】ボンディングブロックの切断を１００００
番の砥粒を用いたダイサーにより行って第１の磁気ヘッ
ドチップを作製し、６０００番の砥粒を用いたダイサー
により行って第２の磁気ヘッドチップを作製し、さら
に、まず１００００番の細かい砥粒を用いたダイサーに
より巻線窓の中間位置まで切断し、その後に、６０００
番の砥粒を用いたダイサーにより切断する２段カッティ
ングによって行って第３の磁気ヘッドチップを作製し
た。
番の砥粒を用いたダイサーにより行って第１の磁気ヘッ
ドチップを作製し、６０００番の砥粒を用いたダイサー
により行って第２の磁気ヘッドチップを作製し、さら
に、まず１００００番の細かい砥粒を用いたダイサーに
より巻線窓の中間位置まで切断し、その後に、６０００
番の砥粒を用いたダイサーにより切断する２段カッティ
ングによって行って第３の磁気ヘッドチップを作製し
た。
【００２８】細かい砥粒と粗い砥粒を用いて切り出した
２種類の磁気ヘッドの切断部分の表面粗さを表面粗さ計
により評価した。その結果を図３に示す。図３（ａ）は
１００００番の細かい砥粒を用いた刃により切断した磁
気ヘッドチップの表面についてのものであり、図３
（ｂ）は６０００番の砥粒を用いた刃により切断した磁
気ヘッドチップの表面についてのものである。
２種類の磁気ヘッドの切断部分の表面粗さを表面粗さ計
により評価した。その結果を図３に示す。図３（ａ）は
１００００番の細かい砥粒を用いた刃により切断した磁
気ヘッドチップの表面についてのものであり、図３
（ｂ）は６０００番の砥粒を用いた刃により切断した磁
気ヘッドチップの表面についてのものである。
【００２９】図３（ａ）に示すように、細かいダイサー
の刃を用いて加工した表面は、基板と垂直方向の凹凸
が、最小値が１．５μｍ、最大値が９．０μｍであり、
平均すると６．３μｍであった。凹凸の周期（基板と平
行方向の山から山の間隔）は、最小値が５０μｍ、最大
値が８０μｍであり、平均すると６０μｍであった。一
方、粗いダイサーの刃を用いて加工した表面は、基板と
垂直方向の凹凸が、最小値が０．５μｍ、最大値が３．
５μｍであり、平均すると１．４μｍであった。凹凸の
周期（基板と平行方向の山から山の間隔）は、最小値が
２．３μｍ、最大値が７．９μｍであり、平均すると
４．７μｍであった。
の刃を用いて加工した表面は、基板と垂直方向の凹凸
が、最小値が１．５μｍ、最大値が９．０μｍであり、
平均すると６．３μｍであった。凹凸の周期（基板と平
行方向の山から山の間隔）は、最小値が５０μｍ、最大
値が８０μｍであり、平均すると６０μｍであった。一
方、粗いダイサーの刃を用いて加工した表面は、基板と
垂直方向の凹凸が、最小値が０．５μｍ、最大値が３．
５μｍであり、平均すると１．４μｍであった。凹凸の
周期（基板と平行方向の山から山の間隔）は、最小値が
２．３μｍ、最大値が７．９μｍであり、平均すると
４．７μｍであった。
【００３０】これら３種類のＭＩＧ型磁気ヘッドの信頼
性を評価した。評価は、０．５規定塩化ナトリウム水溶
液中へ浸漬した時の、腐食の発生の有無を顕微鏡観察す
ることによった。その結果、細かい砥粒を用いたダイサ
ーの刃で加工した第１の磁気ヘッドチップ及び２段カッ
ティングした第３の磁気ヘッドチップは、５００時間以
上浸漬しても、ヘッドの側面及び磁気記録媒体と接する
部分ともに、腐食は発生しなかった。これに対して、ブ
ロックからの切り出しを粗い砥粒を用いたダイサーの刃
で行った第２の磁気ヘッドチップは、１０時間の浸漬で
ヘッドの側面部分に腐食が発生した。しかし、磁気記録
媒体と接する部分には腐食の発生は見られなかった。
性を評価した。評価は、０．５規定塩化ナトリウム水溶
液中へ浸漬した時の、腐食の発生の有無を顕微鏡観察す
ることによった。その結果、細かい砥粒を用いたダイサ
ーの刃で加工した第１の磁気ヘッドチップ及び２段カッ
ティングした第３の磁気ヘッドチップは、５００時間以
上浸漬しても、ヘッドの側面及び磁気記録媒体と接する
部分ともに、腐食は発生しなかった。これに対して、ブ
ロックからの切り出しを粗い砥粒を用いたダイサーの刃
で行った第２の磁気ヘッドチップは、１０時間の浸漬で
ヘッドの側面部分に腐食が発生した。しかし、磁気記録
媒体と接する部分には腐食の発生は見られなかった。
【００３１】さらに、細かいダイサーの刃を用いて切り
出した前記第１の磁気ヘッド及び２段カッティングした
前記第３の磁気ヘッドを用いて、ＶＴＲ装置を作製し、
テープを走行させ画像情報を記録した。ハイビジョンの
ディジタル情報を記録して再生したたところ、Ｓ／Ｎは
４０ｄＢであった。ここで、相対速度は３６ｍ／ｓ、デ
ータレートは４６．１Ｍｂｐｓ、トラック幅は４０μｍ
である。
出した前記第１の磁気ヘッド及び２段カッティングした
前記第３の磁気ヘッドを用いて、ＶＴＲ装置を作製し、
テープを走行させ画像情報を記録した。ハイビジョンの
ディジタル情報を記録して再生したたところ、Ｓ／Ｎは
４０ｄＢであった。ここで、相対速度は３６ｍ／ｓ、デ
ータレートは４６．１Ｍｂｐｓ、トラック幅は４０μｍ
である。
【００３２】続いて、この第１及び第３の磁気ヘッドに
０．５規定塩化ナトリウム水溶液中への浸漬試験法、及
び、高温高湿度環境（８０℃、相対湿度９５％）中での
結露試験法を行い、その耐食性を記録再生特性の面から
評価した。まず、前記第１及び第３の磁気ヘッドチップ
を０．５規定塩化ナトリウム水溶液中へ５００時間浸漬
させた。その後に、このヘッドを再び装置にセットして
記録再生特性を測定した。その結果、浸漬前となんら記
録再生特性に違いは見られなかった。また、高温高湿度
環境（８０℃、相対湿度９５％）中での結露試験法によ
る評価は、先のＭＩＧヘッドをペルチェ素子上に固定し
て１０℃に保ち、これをペルチェ素子と共に８０℃、相
対湿度９５％環境中へ放置したところ、ヘッド全体に結
露が生じた。この状態で２０００時間以上この環境中へ
放置したが、いずれの磁気ヘッドにおいても記録や再生
信号の劣化は見られなかった。
０．５規定塩化ナトリウム水溶液中への浸漬試験法、及
び、高温高湿度環境（８０℃、相対湿度９５％）中での
結露試験法を行い、その耐食性を記録再生特性の面から
評価した。まず、前記第１及び第３の磁気ヘッドチップ
を０．５規定塩化ナトリウム水溶液中へ５００時間浸漬
させた。その後に、このヘッドを再び装置にセットして
記録再生特性を測定した。その結果、浸漬前となんら記
録再生特性に違いは見られなかった。また、高温高湿度
環境（８０℃、相対湿度９５％）中での結露試験法によ
る評価は、先のＭＩＧヘッドをペルチェ素子上に固定し
て１０℃に保ち、これをペルチェ素子と共に８０℃、相
対湿度９５％環境中へ放置したところ、ヘッド全体に結
露が生じた。この状態で２０００時間以上この環境中へ
放置したが、いずれの磁気ヘッドにおいても記録や再生
信号の劣化は見られなかった。
【００３３】以上ではＶＴＲ用の磁気ヘッドを例に説明
したが、本発明の効果は磁気ディスクやヘリカルスキャ
ンを用いた磁気テープ装置に対しても同様であり、この
タイプのヘッドを用いた装置の種類等に左右されるもの
ではない。次に、磁気ヘッド側面を被覆する手法につい
て検討した。前記第２の磁気ヘッドチップの側面をアク
リル系の紫外線硬化型樹脂で被覆した。そして、このヘ
ッドの磁気記録媒体と接する部分をラッピングテープに
より研磨した後に、２０００時間以上０．５規定塩化ナ
トリウム水溶液中へ浸漬したが、腐食は発生しなかっ
た。比較のために、紫外線硬化樹脂で被覆していない前
記第２の磁気ヘッドチップを、０．５規定塩化ナトリウ
ム水溶液中へ７５０時間浸漬すると、側面部分に腐食が
発生した。
したが、本発明の効果は磁気ディスクやヘリカルスキャ
ンを用いた磁気テープ装置に対しても同様であり、この
タイプのヘッドを用いた装置の種類等に左右されるもの
ではない。次に、磁気ヘッド側面を被覆する手法につい
て検討した。前記第２の磁気ヘッドチップの側面をアク
リル系の紫外線硬化型樹脂で被覆した。そして、このヘ
ッドの磁気記録媒体と接する部分をラッピングテープに
より研磨した後に、２０００時間以上０．５規定塩化ナ
トリウム水溶液中へ浸漬したが、腐食は発生しなかっ
た。比較のために、紫外線硬化樹脂で被覆していない前
記第２の磁気ヘッドチップを、０．５規定塩化ナトリウ
ム水溶液中へ７５０時間浸漬すると、側面部分に腐食が
発生した。
【００３４】このことから、ヘッド側面を一定の平坦性
を持たせた仕上げとすることにより、磁性膜の耐食性が
大きく向上し、さらに、側面を１％の吸水率を有する樹
脂で被覆することによりさらにその効果を増大すること
ができることが分かる。ここで、ヘッド側面の被覆に用
いた材料はアクリル系の紫外線硬化型樹脂であったが、
この材料に限らず吸水率が１％以下の樹脂であれば所望
の効果が得られる。もちろん、エポキシ樹脂でも良い。
を持たせた仕上げとすることにより、磁性膜の耐食性が
大きく向上し、さらに、側面を１％の吸水率を有する樹
脂で被覆することによりさらにその効果を増大すること
ができることが分かる。ここで、ヘッド側面の被覆に用
いた材料はアクリル系の紫外線硬化型樹脂であったが、
この材料に限らず吸水率が１％以下の樹脂であれば所望
の効果が得られる。もちろん、エポキシ樹脂でも良い。
【００３５】また、以上は、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｎｂ−Ｃ
ｒ合金膜を磁性膜に用いた場合であるが、本発明の効果
は、この材料系に限ることなく、Ｃ以外にＮを用いた磁
性膜を構成しても同様である。添加する元素として、Ｎ
ｂ，Ｃｒ以外にＡｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，
Ｐｔ，Ｐｄの内から選ばれる元素の１種類もしくは２種
類を添加した磁性膜においても同様の効果が得られる。
これらの添加元素には、結晶粒界に化合物として析出し
たり、金属間化合物などの合金を形成することにより結
晶粒の成長を抑制する作用があると考えられる。さら
に、磁性膜に拡散させる元素として、Ｃｒ，Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ｓｎ，Ｔａ，
Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｏの内から選ばれる少なくとも１種類の
元素を用いても同様の効果が得られる。
ｒ合金膜を磁性膜に用いた場合であるが、本発明の効果
は、この材料系に限ることなく、Ｃ以外にＮを用いた磁
性膜を構成しても同様である。添加する元素として、Ｎ
ｂ，Ｃｒ以外にＡｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，
Ｐｔ，Ｐｄの内から選ばれる元素の１種類もしくは２種
類を添加した磁性膜においても同様の効果が得られる。
これらの添加元素には、結晶粒界に化合物として析出し
たり、金属間化合物などの合金を形成することにより結
晶粒の成長を抑制する作用があると考えられる。さら
に、磁性膜に拡散させる元素として、Ｃｒ，Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ｓｎ，Ｔａ，
Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｏの内から選ばれる少なくとも１種類の
元素を用いても同様の効果が得られる。
【００３６】〔実施例２〕軟磁性薄膜としてＦｅ−Ｔａ
−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ合金膜を用いて、図１に概略を示すＭ
ＩＧヘッドを作製した。磁性膜が異なっている以外は、
ヘッド構造や製造方法等は実施例１と同様である。本実
施例では、ボンディングブロック（単結晶Ｍｎ−Ｚｎフ
ェライト基板）に製膜し、鉛ガラスでボンディングした
後に、６０００番の砥粒を用いたワイヤーソーにより切
断した。その結果、粗いダイサーの刃を用いて加工した
部分は、基板と垂直方向の凹凸が、最小値が０．５μ
ｍ、最大値が３．５μｍであり、平均すると１．４μｍ
であった。また、その部分の周期（基板と平行方向の山
から山の間隔）が、最小値が２．３μｍ、最大値が７．
９μｍであり、平均すると４．７μｍであった。
−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ合金膜を用いて、図１に概略を示すＭ
ＩＧヘッドを作製した。磁性膜が異なっている以外は、
ヘッド構造や製造方法等は実施例１と同様である。本実
施例では、ボンディングブロック（単結晶Ｍｎ−Ｚｎフ
ェライト基板）に製膜し、鉛ガラスでボンディングした
後に、６０００番の砥粒を用いたワイヤーソーにより切
断した。その結果、粗いダイサーの刃を用いて加工した
部分は、基板と垂直方向の凹凸が、最小値が０．５μ
ｍ、最大値が３．５μｍであり、平均すると１．４μｍ
であった。また、その部分の周期（基板と平行方向の山
から山の間隔）が、最小値が２．３μｍ、最大値が７．
９μｍであり、平均すると４．７μｍであった。
【００３７】この側面を８０００番、１２０００番、そ
して１５０００番と順次番号をあげてラップした。その
結果、基板と垂直方向の凹凸は、最小値が１．５μｍ、
最大値が９．０μｍであり、平均すると６．３μｍであ
った。また、凹凸の周期（基板と平行方向の山から山の
間隔）が、最小値が５０μｍ、最大値が８０μｍであ
り、平均すると６０μｍであった。
して１５０００番と順次番号をあげてラップした。その
結果、基板と垂直方向の凹凸は、最小値が１．５μｍ、
最大値が９．０μｍであり、平均すると６．３μｍであ
った。また、凹凸の周期（基板と平行方向の山から山の
間隔）が、最小値が５０μｍ、最大値が８０μｍであ
り、平均すると６０μｍであった。
【００３８】このヘッドチップを０．５規定塩化ナトリ
ウム水溶液中へ浸漬することにより、ヘッド耐食性を評
価した。その結果、５００時間浸漬してもヘッドのいず
れの位置にも腐食が発生しなかった。これに対して、ヘ
ッドチップの側面をラップしなかったものの耐食性を評
価したところ、浸漬１０時間後にヘッドチップの側面に
腐食が発生した。このように、加工法のいかんによら
ず、ヘッド側面に一定の平坦性を有するように加工する
ことにより、ヘッドの信頼性を向上させることができ
る。
ウム水溶液中へ浸漬することにより、ヘッド耐食性を評
価した。その結果、５００時間浸漬してもヘッドのいず
れの位置にも腐食が発生しなかった。これに対して、ヘ
ッドチップの側面をラップしなかったものの耐食性を評
価したところ、浸漬１０時間後にヘッドチップの側面に
腐食が発生した。このように、加工法のいかんによら
ず、ヘッド側面に一定の平坦性を有するように加工する
ことにより、ヘッドの信頼性を向上させることができ
る。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、磁気ヘッド側面の加工
により磁性膜の耐食性を向上させるので、磁性膜の磁気
特性を劣化させることなく、磁気ヘッドの信頼性向上を
図ることができる。また、この磁気ヘッドを組み込むと
信頼性の高い磁気記録再生装置を得ることができる。
により磁性膜の耐食性を向上させるので、磁性膜の磁気
特性を劣化させることなく、磁気ヘッドの信頼性向上を
図ることができる。また、この磁気ヘッドを組み込むと
信頼性の高い磁気記録再生装置を得ることができる。
【図１】ＭＩＧ型磁気ヘッドの構造を示す模式図。
【図２】ＭＩＧ型磁気ヘッドの製造工程を説明する図。
【図３】ＭＩＧ型磁気ヘッドの平坦性の測定結果を示す
図。
図。
１…軟磁性薄膜、２…フェライト基板、３…ギャップ
部、４…低融点ガラス部、６，７…磁気コア半体、１
１，１１’…ヘッド基板、１２，１２’…トラック部、
１３…巻線窓用溝、１４…多層膜、１５…低融点ガラ
ス、１６…記録媒体と接触する面、１７…切断位置、１
９…切断方向
部、４…低融点ガラス部、６，７…磁気コア半体、１
１，１１’…ヘッド基板、１２，１２’…トラック部、
１３…巻線窓用溝、１４…多層膜、１５…低融点ガラ
ス、１６…記録媒体と接触する面、１７…切断位置、１
９…切断方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大友 茂一 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (14)
- 【請求項１】 基板上に軟磁性薄膜を形成した２個の磁
気コア半体を前記軟磁性薄膜同士が所定間隔のギャップ
を介して相対峙するように結合した磁気ヘッドにおい
て、 前記軟磁性薄膜端面が露出している磁気ヘッド側面の表
面凹凸がピーク−ピークで１〜１０μｍの範囲にあり、
基板表面と平行方向の凹凸周期が５０μｍ以上であるこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 基板上に軟磁性薄膜を形成した２個の磁
気コア半体を前記軟磁性薄膜同士が所定間隔のギャップ
を介して相対峙するように結合した磁気ヘッドにおい
て、 前記軟磁性薄膜端面が露出している磁気ヘッド側面のう
ち記録媒体と接触する磁気ヘッド端部近傍の表面凹凸が
ピーク−ピークで１〜１０μｍの範囲にあり、基板表面
と平行方向の凹凸周期が５０μｍ以上であることを特徴
とする磁気ヘッド。 - 【請求項３】 基板上に軟磁性薄膜を形成した２個の磁
気コア半体を前記軟磁性薄膜同士が所定間隔のギャップ
を介して相対峙するように結合した磁気ヘッドにおい
て、 前記軟磁性薄膜端面が露出している磁気ヘッド側面のう
ち記録媒体と接触する磁気ヘッド端部近傍は、その表面
凹凸がピーク−ピークで１〜１０μｍの範囲にあり、基
板表面と平行方向の凹凸周期が５０μｍ以上であり、さ
らにその上を疎水性を有する材料、疎水性の官能基を有
する材料又は吸水率が１％以下の材料により被覆したこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記軟磁性薄膜は所定温度以上で熱処理
を行うことにより軟磁気特性が発現する材料を用い、
１．５Ｔ以上の飽和磁束密度を有することを特徴とする
請求項１、２又は３記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記軟磁性薄膜は炭素との反応の自由エ
ネルギーが異なりかつＦｅへの固溶率が異なる少なくと
も２種類の元素を含み、結晶粒界に炭素との反応の自由
エネルギーが大きくかつＦｅへの固溶率が小さい元素が
析出し、炭素との反応の自由エネルギーが小さくかつＦ
ｅへの固溶率が大きい元素がＦｅ微結晶相中に合金とし
て存在していることを特徴とする請求項１〜４のいずれ
か１項記載の磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記軟磁性薄膜はＺｒ，Ｎｂ，Ｔａの中
から選ばれる少なくとも１種類の元素を５〜２０ａｔ
％、Ｎ，Ｃの中から選ばれる少なくとも１種類の元素を
１〜２０ａｔ％、Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒ
ｈ，Ｔｉ，Ｐｄの中から選ばれる少なくとも１種類もし
くは２種類の元素を０．５〜１５ａｔ％含み、残部がＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選ばれる少なくとも１種類の元
素である合金であることを特徴とする請求項１〜４のい
ずれか１項記載の磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記軟磁性薄膜の各相の結晶粒径は、α
−Ｆｅ相或いはＦｅとの間の金属間化合物が１〜２０ｎ
ｍであり、金属の炭化物又は窒化物の化合物相が１〜１
０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか
１項記載の磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記磁気ヘッドはメタル・イン・ギャッ
プ型磁気ヘッドであることを特徴とする請求項１〜７の
いずれか１項記載の磁気ヘッド。 - 【請求項９】 請求項１又は２記載の磁気ヘッドの製造
方法において、 基板上に軟磁性薄膜を形成した２個の部材を前記軟磁性
薄膜同士が所定間隔のギャップを介して相対峙するよう
に結合して一体化したブロックを作製する工程と、前記
ブロックをダイサー又はワイアーソーを用いて切断して
個々の磁気ヘッドチップを切り出す切断工程とを含むこ
とを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１０】 砥粒サイズの異なる少なくとも２種類
の切断用の刃を用い、記録媒体と接触する部分近傍の切
断加工を砥粒サイズの小さい刃を用いて行うことを特徴
とする請求項９記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１又は２記載の磁気ヘッドの製
造方法において、 基板上に軟磁性薄膜を形成した２個の部材を前記軟磁性
薄膜同士が所定間隔のギャップを介して相対峙するよう
に結合して一体化したブロックを作製する工程と、前記
ブロックを切削式の切断機を用いて切断して個々の磁気
ヘッドチップを切り出す切断工程と、記録媒体と接触す
る部分近傍の切断面を研磨加工する工程とを含むことを
特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１〜８のいずれか１項記載の磁
気ヘッドと、磁気記録媒体駆動手段と、信号処理手段と
を含むことを特徴とする磁気記録再生装置。 - 【請求項１３】 前記磁気記録媒体駆動手段は、テープ
状の磁気記録媒体又は円板状の磁気記録媒体を駆動する
ことを特徴とする請求項１２記載の磁気記録再生装置。 - 【請求項１４】 画像情報、音声情報及び又はコードデ
ータを記録再生することを特徴とする請求項１２又は１
３記載の磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6104095A JPH07311909A (ja) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6104095A JPH07311909A (ja) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07311909A true JPH07311909A (ja) | 1995-11-28 |
Family
ID=14371563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6104095A Pending JPH07311909A (ja) | 1994-05-18 | 1994-05-18 | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07311909A (ja) |
-
1994
- 1994-05-18 JP JP6104095A patent/JPH07311909A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040510 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040716 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040806 |