JPH0822915A - 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置 - Google Patents
軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置Info
- Publication number
- JPH0822915A JPH0822915A JP15482094A JP15482094A JPH0822915A JP H0822915 A JPH0822915 A JP H0822915A JP 15482094 A JP15482094 A JP 15482094A JP 15482094 A JP15482094 A JP 15482094A JP H0822915 A JPH0822915 A JP H0822915A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- soft magnetic
- magnetic
- magnetic thin
- soft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1875—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers
- G11B5/1877—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film
- G11B5/1878—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film disposed immediately adjacent to the transducing gap, e.g. "Metal-In-Gap" structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 軟磁気特性を維持しながら軟磁性薄膜の熱安
定性を向上する。 【構成】 磁性元素としてＦｅとＴａを含み、これにＳ
ｉ，Ｂ，ＣおよびＮよりなる第１群から選ばれた少なく
とも１種類の第１元素を添加してなる軟磁性薄膜に、前
記磁性元素とは異なる原子半径を有する非磁性の第２元
素を添加する。第２元素としては、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，
Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，ＭｏおよびＷよりなる
第２群から選ばれる少なくとも１種類の元素が使用す
る。 【効果】 軟磁気特性を維持しながら熱安定性が向上し
た軟磁性薄膜が得られる。磁気ヘッドおよび磁気記録装
置の信頼性が向上する。
定性を向上する。 【構成】 磁性元素としてＦｅとＴａを含み、これにＳ
ｉ，Ｂ，ＣおよびＮよりなる第１群から選ばれた少なく
とも１種類の第１元素を添加してなる軟磁性薄膜に、前
記磁性元素とは異なる原子半径を有する非磁性の第２元
素を添加する。第２元素としては、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，
Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，ＭｏおよびＷよりなる
第２群から選ばれる少なくとも１種類の元素が使用す
る。 【効果】 軟磁気特性を維持しながら熱安定性が向上し
た軟磁性薄膜が得られる。磁気ヘッドおよび磁気記録装
置の信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、軟磁性薄膜、磁気ヘ
ッドおよび磁気記録装置に関し、さらに言えば、磁性元
素としてＦｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，Ｃおよび
Ｎよりなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を添
加してなる軟磁性薄膜と、その軟磁性薄膜を用いた磁気
ヘッドおよび磁気記録装置に関する。
ッドおよび磁気記録装置に関し、さらに言えば、磁性元
素としてＦｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，Ｃおよび
Ｎよりなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を添
加してなる軟磁性薄膜と、その軟磁性薄膜を用いた磁気
ヘッドおよび磁気記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高度情報化社会の進展に伴い、小
型で高密度な情報記録装置へのニーズが高まっている。
このような状況下、磁気記録装置は高密度記録、ダウン
サイジングへの研究が急速に進められている。
型で高密度な情報記録装置へのニーズが高まっている。
このような状況下、磁気記録装置は高密度記録、ダウン
サイジングへの研究が急速に進められている。
【０００３】高密度記録を実現するには、高保磁力を有
する磁気記録媒体と、高飽和磁束密度を有する磁気ヘッ
ドとが必要である。この種磁気ヘッド材料として現在知
られているものにはＦｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｎ系などがあ
る。これらの材料は、使用中に大気中の酸素や水と反応
して水酸化物および酸化物を生成し、磁気特性（特に保
磁力や飽和磁束密度）が変動するという問題点を有して
いる。
する磁気記録媒体と、高飽和磁束密度を有する磁気ヘッ
ドとが必要である。この種磁気ヘッド材料として現在知
られているものにはＦｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｎ系などがあ
る。これらの材料は、使用中に大気中の酸素や水と反応
して水酸化物および酸化物を生成し、磁気特性（特に保
磁力や飽和磁束密度）が変動するという問題点を有して
いる。
【０００４】そこで、これらの材料を用いた磁気ヘッド
の実用化には、磁気特性の変動を抑制することが必要で
あり、そのために従来、磁性元素以外の元素を添加して
耐食性を向上させた磁気ヘッド材料が提案されている
（例えば特開平３−２０４４４号公報参照）。
の実用化には、磁気特性の変動を抑制することが必要で
あり、そのために従来、磁性元素以外の元素を添加して
耐食性を向上させた磁気ヘッド材料が提案されている
（例えば特開平３−２０４４４号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術では、耐
食性を向上させるために特定元素の添加を行なっている
が、軟磁気特性と耐食性の双方を向上させるように添加
元素の濃度を最適化するのが困難であるという問題があ
る。すなわち、耐食性を確保しようとすると、磁気特性
（特に、飽和磁束密度及び保磁力）が劣化し、磁気ヘッ
ドの性能を低下させてしまう。このヘッドを用いた磁気
記録装置により磁気記録を行なうと、エラーやノイズを
生じる場合がある。
食性を向上させるために特定元素の添加を行なっている
が、軟磁気特性と耐食性の双方を向上させるように添加
元素の濃度を最適化するのが困難であるという問題があ
る。すなわち、耐食性を確保しようとすると、磁気特性
（特に、飽和磁束密度及び保磁力）が劣化し、磁気ヘッ
ドの性能を低下させてしまう。このヘッドを用いた磁気
記録装置により磁気記録を行なうと、エラーやノイズを
生じる場合がある。
【０００６】逆に、磁気特性を確保しようとすると、耐
食性が十分でなくなり、磁性膜の腐食により磁気特性が
変動しやすい。この場合も、このヘッドを用いた磁気記
録装置により磁気記録を行なうと、エラーやノイズを生
じる場合がある。
食性が十分でなくなり、磁性膜の腐食により磁気特性が
変動しやすい。この場合も、このヘッドを用いた磁気記
録装置により磁気記録を行なうと、エラーやノイズを生
じる場合がある。
【０００７】また、Ｆｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｎ系などの前記
磁気ヘッド材料では、スパッタリング法などにより非晶
質薄膜を成膜後、その薄膜を熱処理により微結晶化して
軟磁気特性を発現させている。このため、この軟磁性薄
膜を、例えばメタル・イン・ギャップ（ＭＩＧ）型の磁
気ヘッドに使用する場合、ヘッド製作工程に含まれる熱
処理工程（例えばガラスボンディング工程）においてそ
の軟磁気特性が変化しないことが必要である。しかし、
前記従来技術では、この点の配慮が必ずしも十分になさ
れていないという問題がある。
磁気ヘッド材料では、スパッタリング法などにより非晶
質薄膜を成膜後、その薄膜を熱処理により微結晶化して
軟磁気特性を発現させている。このため、この軟磁性薄
膜を、例えばメタル・イン・ギャップ（ＭＩＧ）型の磁
気ヘッドに使用する場合、ヘッド製作工程に含まれる熱
処理工程（例えばガラスボンディング工程）においてそ
の軟磁気特性が変化しないことが必要である。しかし、
前記従来技術では、この点の配慮が必ずしも十分になさ
れていないという問題がある。
【０００８】高飽和磁束密度を有する軟磁性材料とし
て、ＦｅとＴａを磁性元素とし、これにＳｉ，Ｂ，Ｃお
よびＮの中から選ばれる少なくとも１種類の元素を添加
した軟磁性合金薄膜が、従来より知られている。この軟
磁性合金薄膜も、Ｆｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｎ系などの前記磁
気ヘッド材料と同様に、得られた非晶質薄膜を熱処理し
て結晶化させることにより軟磁気特性を発現させるが、
軟磁気特性発現後の薄膜を６００゜Ｃ付近でさらに熱処
理した場合、軟磁気特性が劣化する場合があるという問
題がある。
て、ＦｅとＴａを磁性元素とし、これにＳｉ，Ｂ，Ｃお
よびＮの中から選ばれる少なくとも１種類の元素を添加
した軟磁性合金薄膜が、従来より知られている。この軟
磁性合金薄膜も、Ｆｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｎ系などの前記磁
気ヘッド材料と同様に、得られた非晶質薄膜を熱処理し
て結晶化させることにより軟磁気特性を発現させるが、
軟磁気特性発現後の薄膜を６００゜Ｃ付近でさらに熱処
理した場合、軟磁気特性が劣化する場合があるという問
題がある。
【０００９】この問題は特に、高い飽和磁束密度を得る
ためにＦｅの濃度を高くした場合に顕著である。例え
ば、成膜時にすでに結晶化していたり、成膜時には結晶
化しなくても、軟磁気特性発現後の熱処理により急激に
結晶成長が生じて軟磁気特性が劣化する。
ためにＦｅの濃度を高くした場合に顕著である。例え
ば、成膜時にすでに結晶化していたり、成膜時には結晶
化しなくても、軟磁気特性発現後の熱処理により急激に
結晶成長が生じて軟磁気特性が劣化する。
【００１０】そこで、この発明の目的は、磁性元素とし
てＦｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，ＣおよびＮより
なる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を添加して
なる軟磁性薄膜において、その優れた軟磁気特性を維持
しながらその軟磁気特性の熱安定性を改善することにあ
る。
てＦｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，ＣおよびＮより
なる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を添加して
なる軟磁性薄膜において、その優れた軟磁気特性を維持
しながらその軟磁気特性の熱安定性を改善することにあ
る。
【００１１】この発明の他の目的は、磁性元素としてＦ
ｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，ＣおよびＮよりなる
群から選ばれた少なくとも１種類の元素を添加してなる
軟磁性薄膜において、耐食性を改善することにある。
ｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，ＣおよびＮよりなる
群から選ばれた少なくとも１種類の元素を添加してなる
軟磁性薄膜において、耐食性を改善することにある。
【００１２】この発明のさらに他の目的は、従来より信
頼性の高い磁気ヘッドおよび磁気記録装置を提供するこ
とにある。
頼性の高い磁気ヘッドおよび磁気記録装置を提供するこ
とにある。
【００１３】
（１） この発明の第１の軟磁性薄膜は、磁性元素とし
てＦｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，ＣおよびＮより
なる第１群から選ばれた少なくとも１種類の第１元素を
添加してなる軟磁性薄膜において、前記磁性元素とは異
なる原子半径を有する非磁性の第２元素を含むことを特
徴とする。
てＦｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，ＣおよびＮより
なる第１群から選ばれた少なくとも１種類の第１元素を
添加してなる軟磁性薄膜において、前記磁性元素とは異
なる原子半径を有する非磁性の第２元素を含むことを特
徴とする。
【００１４】この軟磁性薄膜は結晶質であるのが好まし
い。結晶質でない場合よりも良好な、軟磁気特性が得ら
れるからである。
い。結晶質でない場合よりも良好な、軟磁気特性が得ら
れるからである。
【００１５】前記第２元素としては、前記磁性元素とは
異なる原子半径を有する非磁性元素であれば任意のもの
が使用できるが、熱安定性の改善効果の点から、Ａｌ，
Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｍｏおよ
びＷよりなる第２群から選ばれる少なくとも１種類の元
素が好ましい。この場合、熱安定性の改善効果に加えて
耐食性の向上効果も得られる。
異なる原子半径を有する非磁性元素であれば任意のもの
が使用できるが、熱安定性の改善効果の点から、Ａｌ，
Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｍｏおよ
びＷよりなる第２群から選ばれる少なくとも１種類の元
素が好ましい。この場合、熱安定性の改善効果に加えて
耐食性の向上効果も得られる。
【００１６】前記第２群の元素の中では、耐食性および
熱安定性の点からＡｌ，Ｃｒ，ＮｂおよびＲｕがより好
ましい。
熱安定性の点からＡｌ，Ｃｒ，ＮｂおよびＲｕがより好
ましい。
【００１７】（２） この発明の第２の軟磁性薄膜は、
磁性元素としてＦｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，Ｃ
およびＮよりなる第１群から選ばれた少なくとも１種類
の第１元素を添加してなる軟磁性薄膜において、Ａｌ，
Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｍｏおよ
びＷよりなる第２群から選ばれる少なくとも１種類の第
２元素を含むことを特徴とする。
磁性元素としてＦｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，Ｃ
およびＮよりなる第１群から選ばれた少なくとも１種類
の第１元素を添加してなる軟磁性薄膜において、Ａｌ，
Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｍｏおよ
びＷよりなる第２群から選ばれる少なくとも１種類の第
２元素を含むことを特徴とする。
【００１８】この軟磁性薄膜は結晶質であるのが好まし
い。結晶質でない場合よりも良好な軟磁気特性が得られ
るからである。
い。結晶質でない場合よりも良好な軟磁気特性が得られ
るからである。
【００１９】前記第２群の元素の中では、耐食性および
熱安定性の点からＡｌ，Ｃｒ，ＮｂおよびＲｕがより好
ましい。
熱安定性の点からＡｌ，Ｃｒ，ＮｂおよびＲｕがより好
ましい。
【００２０】（３） 上記（１）（２）の軟磁性薄膜
は、前記磁性元素ＦｅとＴａの炭化物、窒化物、硼素化
物および珪素化物から選ばれる少なくとも１種類の化合
物の相を含んでいるのが好ましい。加熱処理の際に、各
相（例えばα−Ｆｅ相、ＦｅＣｒＮｂ合金相、ＦｅＮｂ
合金相、ＦｅＣｒ合金相など）の結晶成長が抑制される
からである。これらの化合物相は、通常、非晶質の薄膜
に対して軟磁気特性発現のための加熱処理を行なった際
に生成される。
は、前記磁性元素ＦｅとＴａの炭化物、窒化物、硼素化
物および珪素化物から選ばれる少なくとも１種類の化合
物の相を含んでいるのが好ましい。加熱処理の際に、各
相（例えばα−Ｆｅ相、ＦｅＣｒＮｂ合金相、ＦｅＮｂ
合金相、ＦｅＣｒ合金相など）の結晶成長が抑制される
からである。これらの化合物相は、通常、非晶質の薄膜
に対して軟磁気特性発現のための加熱処理を行なった際
に生成される。
【００２１】これら化合物としては、例えば次のような
ものが挙げられる。◆ （炭化物）Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ， Ｆｅ−Ｔａ
−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ， Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｎｂ−Ａ
ｌ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−
Ａｌ−Ｐｄ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｃ−Ｗ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｍｏ−Ｃｒ，
Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｎｂ−Ｐｔ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｎｂ
−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔａ−
Ｃ−Ａｌ−Ｎｂ， （窒化物）Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ， Ｆｅ−Ｔａ
−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｎｂ， Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｎｂ−Ａ
ｌ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−
Ａｌ−Ｐｄ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｎ−Ｗ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｍｏ−Ｃｒ，
Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｎｂ−Ｐｔ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｎｂ
−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔａ−
Ｎ−Ａｌ−Ｎｂ， （硼素化物）Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ａｌ， Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｂ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｃｒ−Ｎｂ，
Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｎｂ−
Ａｌ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ
−Ａｌ−Ｐｄ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ａｌ−Ｐｔ，Ｆｅ−
Ｔａ−Ｂ−Ｗ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｍｏ−Ｃ
ｒ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｎｂ−Ｐｔ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−
Ｎｂ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ａｌ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｂ−Ａｌ−Ｎｂ， （珪素化物）Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ， Ｆｅ−
Ｔａ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｎ
ｂ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｓ
ｉ−Ｎｂ−Ａｌ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｐｄ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ａ
ｌ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ｗ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｓｉ−Ｍｏ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ｎｂ−Ｐ
ｔ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ｎｂ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｎｂ，こ
れらの化合物相のうち、少なくとも１相が結晶性を有す
るのが好ましい。より良好な軟磁気特性が得られるから
である。
ものが挙げられる。◆ （炭化物）Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ， Ｆｅ−Ｔａ
−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ， Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｎｂ−Ａ
ｌ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−
Ａｌ−Ｐｄ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｃ−Ｗ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｍｏ−Ｃｒ，
Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｎｂ−Ｐｔ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｎｂ
−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔａ−
Ｃ−Ａｌ−Ｎｂ， （窒化物）Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ， Ｆｅ−Ｔａ
−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｎｂ， Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｎｂ−Ａ
ｌ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−
Ａｌ−Ｐｄ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｎ−Ｗ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｍｏ−Ｃｒ，
Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｎｂ−Ｐｔ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｎｂ
−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔａ−
Ｎ−Ａｌ−Ｎｂ， （硼素化物）Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ａｌ， Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｂ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｃｒ−Ｎｂ，
Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｎｂ−
Ａｌ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ
−Ａｌ−Ｐｄ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ａｌ−Ｐｔ，Ｆｅ−
Ｔａ−Ｂ−Ｗ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｍｏ−Ｃ
ｒ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ｎｂ−Ｐｔ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−
Ｎｂ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｂ−Ａｌ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｂ−Ａｌ−Ｎｂ， （珪素化物）Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ， Ｆｅ−
Ｔａ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｎ
ｂ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｓ
ｉ−Ｎｂ−Ａｌ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｐｄ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ａ
ｌ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ｗ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｓｉ−Ｍｏ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ｎｂ−Ｐ
ｔ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ｎｂ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｃｒ， Ｆｅ−Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｎｂ，こ
れらの化合物相のうち、少なくとも１相が結晶性を有す
るのが好ましい。より良好な軟磁気特性が得られるから
である。
【００２２】（４） 上記（１）（２）の軟磁性薄膜
は、好ましくは、（ａ）α−Ｆｅ相、または前記第１元
素または第２元素とＦｅとの金属間化合物もしくは固溶
体の微結晶と、（ｂ）前記第１元素または第２元素の炭
化物、窒化物、硼素化物および珪素化物の中から選ばれ
る少なくとも１種類の化合物相の微結晶とを含む。この
場合、例えば７００゜Ｃで熱処理しても軟磁気特性がほ
とんど劣化しないようにすることができる。
は、好ましくは、（ａ）α−Ｆｅ相、または前記第１元
素または第２元素とＦｅとの金属間化合物もしくは固溶
体の微結晶と、（ｂ）前記第１元素または第２元素の炭
化物、窒化物、硼素化物および珪素化物の中から選ばれ
る少なくとも１種類の化合物相の微結晶とを含む。この
場合、例えば７００゜Ｃで熱処理しても軟磁気特性がほ
とんど劣化しないようにすることができる。
【００２３】前記第１元素または第２元素とＦｅとの金
属間化合物としては、例えば、ＮｂＦｅ2，Ｎｂ3Ｆ
ｅ5，Ｎｂ2Ｆｅ3，ＴａＦｅ，ＴｉＦｅ3，ＴｉＦｅ，Ｔ
ｉＦｅ2，Ｔｉ2Ｆｅなどが挙げられる。
属間化合物としては、例えば、ＮｂＦｅ2，Ｎｂ3Ｆ
ｅ5，Ｎｂ2Ｆｅ3，ＴａＦｅ，ＴｉＦｅ3，ＴｉＦｅ，Ｔ
ｉＦｅ2，Ｔｉ2Ｆｅなどが挙げられる。
【００２４】前記第１元素または第２元素とＦｅとの固
溶体としては、例えば、Ｆｅ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ，Ｆｅ
−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｐｄなどが挙
げられる。
溶体としては、例えば、Ｆｅ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ａｌ，Ｆｅ
−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｐｄなどが挙
げられる。
【００２５】前記第１元素または第２元素とＦｅとの炭
化物としては、例えば、ＴｉＣ，ＮｂＣ，ＭｏＣ，Ｗ
Ｃ，ＣｒＣ，Ｆｅ3Ｃ，Ｆｅ−Ｃなどが挙げられる。
化物としては、例えば、ＴｉＣ，ＮｂＣ，ＭｏＣ，Ｗ
Ｃ，ＣｒＣ，Ｆｅ3Ｃ，Ｆｅ−Ｃなどが挙げられる。
【００２６】前記第１元素または第２元素とＦｅとの窒
化物としては、例えば、ＴａＮ，ＴｉＮ，ＡｌＮ，Ｆｅ
−Ｎ，ＮｂＮ，ＣｒＮ，ＷＮ，ＭｏＮなどが挙げられ
る。
化物としては、例えば、ＴａＮ，ＴｉＮ，ＡｌＮ，Ｆｅ
−Ｎ，ＮｂＮ，ＣｒＮ，ＷＮ，ＭｏＮなどが挙げられ
る。
【００２７】前記第１元素または第２元素とＦｅとの硼
素化物としては、例えば、ＡｌＢ，ＮｂＢ，Ｔｉ3Ｂ4な
どが挙げられる。
素化物としては、例えば、ＡｌＢ，ＮｂＢ，Ｔｉ3Ｂ4な
どが挙げられる。
【００２８】前記第１元素または第２元素とＦｅとの珪
素化物としては、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ，Ｔｉ−Ｓｉ，Ｃ
ｒ−Ｓｉ，Ｎｂ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉなどが挙げられる。
素化物としては、例えば、Ｆｅ−Ｓｉ，Ｔｉ−Ｓｉ，Ｃ
ｒ−Ｓｉ，Ｎｂ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉなどが挙げられる。
【００２９】（５） α−Ｆｅ相の微結晶の結晶粒径、
あるいは前記第１元素または第２元素とＦｅとの金属間
化合物または固溶体の微結晶の結晶粒径は、１ｎｍ以
上、２０ｎｍ以下であるのが好ましい。１ｎｍ未満であ
ると、非晶質に近く磁気特性が劣化するからである。特
に飽和磁束密度が小さくなる。２０ｎｍを越えると、大
きな飽和磁束密度が得られるが、磁性膜の耐食性が劣化
するからである。
あるいは前記第１元素または第２元素とＦｅとの金属間
化合物または固溶体の微結晶の結晶粒径は、１ｎｍ以
上、２０ｎｍ以下であるのが好ましい。１ｎｍ未満であ
ると、非晶質に近く磁気特性が劣化するからである。特
に飽和磁束密度が小さくなる。２０ｎｍを越えると、大
きな飽和磁束密度が得られるが、磁性膜の耐食性が劣化
するからである。
【００３０】また、前記第１元素または第２元素の炭化
物、窒化物および硼素化物から選ばれる少なくとも１種
類の化合物相の微結晶の結晶粒径は、１ｎｍ以上、１０
ｎｍ以下であるのが好ましい。１ｎｍ未満であると、α
−Ｆｅの成長を抑制できず耐熱性が確保できないからで
ある。１０ｎｍを越えると、磁性膜の耐食性、磁気特性
が劣化してしまうからである。
物、窒化物および硼素化物から選ばれる少なくとも１種
類の化合物相の微結晶の結晶粒径は、１ｎｍ以上、１０
ｎｍ以下であるのが好ましい。１ｎｍ未満であると、α
−Ｆｅの成長を抑制できず耐熱性が確保できないからで
ある。１０ｎｍを越えると、磁性膜の耐食性、磁気特性
が劣化してしまうからである。
【００３１】（６） この発明の磁気ヘッドは、上記
（１）〜（５）の軟磁性薄膜を用いたことを特徴とす
る。軟磁性薄膜以外の磁気ヘッドの構成および材質は、
特に制限されるものではない。
（１）〜（５）の軟磁性薄膜を用いたことを特徴とす
る。軟磁性薄膜以外の磁気ヘッドの構成および材質は、
特に制限されるものではない。
【００３２】前記軟磁性薄膜は、磁気ヘッドのコアに形
成されたギャップ中に配置されているのが好ましい。す
なわち、いわゆるＭＩＧ（Ｍetal Ｉn Ｇap）型磁気ヘ
ッドとされるのが好ましい。
成されたギャップ中に配置されているのが好ましい。す
なわち、いわゆるＭＩＧ（Ｍetal Ｉn Ｇap）型磁気ヘ
ッドとされるのが好ましい。
【００３３】（７） この発明の磁気記録装置は、上記
（６）の磁気ヘッドを備えたことを特徴とする。
（６）の磁気ヘッドを備えたことを特徴とする。
【００３４】この磁気記録装置では、使用する磁気記録
媒体の種類や構成は、特に制限されない。例えば、磁気
テープでもよいし磁気ディスクでもよい。また、磁気記
録媒体の磁化容易軸が基板と平行方向にあるものでもよ
いし、垂直方向にあるものでもよい。さらに、磁気ヘッ
ドが磁気記録媒体に接触してもよいし離れていてもよ
い。
媒体の種類や構成は、特に制限されない。例えば、磁気
テープでもよいし磁気ディスクでもよい。また、磁気記
録媒体の磁化容易軸が基板と平行方向にあるものでもよ
いし、垂直方向にあるものでもよい。さらに、磁気ヘッ
ドが磁気記録媒体に接触してもよいし離れていてもよ
い。
【００３５】
【作用】磁性元素としてＦｅとＴａを含み、これにＳ
ｉ，Ｂ，ＣおよびＮよりなる第１群から選ばれた少なく
とも１種類の第１元素を添加してなる薄膜では、加熱に
より結晶化させると軟磁気特性が発現する。この軟磁性
薄膜を６００゜Ｃ付近まで加熱すると、その軟磁気特性
は劣化する。
ｉ，Ｂ，ＣおよびＮよりなる第１群から選ばれた少なく
とも１種類の第１元素を添加してなる薄膜では、加熱に
より結晶化させると軟磁気特性が発現する。この軟磁性
薄膜を６００゜Ｃ付近まで加熱すると、その軟磁気特性
は劣化する。
【００３６】しかし、この発明の第１の軟磁性薄膜で
は、磁性元素としてのＦｅおよびＴａとは異なる原子半
径の第２元素を含んでいるので、軟磁気特性発現後の加
熱処理において含有元素が移動し難い。その結果、軟磁
性薄膜中の微結晶の結晶成長が抑制される。よって、軟
磁気特性の熱安定性が改善される。
は、磁性元素としてのＦｅおよびＴａとは異なる原子半
径の第２元素を含んでいるので、軟磁気特性発現後の加
熱処理において含有元素が移動し難い。その結果、軟磁
性薄膜中の微結晶の結晶成長が抑制される。よって、軟
磁気特性の熱安定性が改善される。
【００３７】また、この発明の第１の軟磁性薄膜は、Ｆ
ｅおよびＴａと前記第１元素を含む薄膜に、非磁性の前
記第２元素を添加したものであるから、当初の優れた軟
磁気特性を維持するのは容易である。
ｅおよびＴａと前記第１元素を含む薄膜に、非磁性の前
記第２元素を添加したものであるから、当初の優れた軟
磁気特性を維持するのは容易である。
【００３８】この発明の第２の軟磁性薄膜では、Ａｌ，
Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｍｏおよ
びＷよりなる第２群から選ばれる少なくとも１種類の第
２元素を含んでいる。これら第２元素は、Ｆｅとの金属
間化合物として、もしくはそれら第２元素の炭化物、窒
化物、硼素化物あるいは珪素化物として、または元素単
体として、結晶粒界に存在する。これらは、加熱処理時
の軟磁性薄膜中の微結晶の結晶成長を抑制する作用を持
つ。
Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｍｏおよ
びＷよりなる第２群から選ばれる少なくとも１種類の第
２元素を含んでいる。これら第２元素は、Ｆｅとの金属
間化合物として、もしくはそれら第２元素の炭化物、窒
化物、硼素化物あるいは珪素化物として、または元素単
体として、結晶粒界に存在する。これらは、加熱処理時
の軟磁性薄膜中の微結晶の結晶成長を抑制する作用を持
つ。
【００３９】よって、優れた軟磁気特性を維持しながら
その軟磁気特性の熱安定性を改善することができる。
その軟磁気特性の熱安定性を改善することができる。
【００４０】また、前記のような第２元素の単体あるい
は化合物の相の存在により、軟磁性薄膜の耐食性（特
に、塩化物孔食や湿気腐食に対する耐食性）が改善され
る。
は化合物の相の存在により、軟磁性薄膜の耐食性（特
に、塩化物孔食や湿気腐食に対する耐食性）が改善され
る。
【００４１】この発明の磁気ヘッドおよび磁気記録装置
では、軟磁気特性の熱安定性および耐食性が改善された
上記第１または第２の軟磁性薄膜を用いているので、従
来より信頼性を向上することができる。
では、軟磁気特性の熱安定性および耐食性が改善された
上記第１または第２の軟磁性薄膜を用いているので、従
来より信頼性を向上することができる。
【００４２】
【実施例】以下、添付図面を用いてこの発明の実施例を
説明する。◆ ［実施例］ （軟磁性薄膜）この実施例の軟磁性薄膜は、磁性元素と
してのＦｅおよびＴａに、第１元素としてＣを、第２元
素としてＣｒおよびＮｂを添加したものであり、その組
成はＦｅＴａＣＣｒＮｂで表わされる。
説明する。◆ ［実施例］ （軟磁性薄膜）この実施例の軟磁性薄膜は、磁性元素と
してのＦｅおよびＴａに、第１元素としてＣを、第２元
素としてＣｒおよびＮｂを添加したものであり、その組
成はＦｅＴａＣＣｒＮｂで表わされる。
【００４３】この軟磁性薄膜は、スパッタリング法を用
いて次のようにして形成した。◆スパッタリング用ター
ゲットとして、Ｆｅ，Ｔａ，Ｃ，ＮｂおよびＣｒの各元
素の粉体を熱間静圧プレス法（ＨＩＰ法）により成型し
たものを用いた。このターゲット中の不純物酸素濃度は
４００ｐｐｍであった。このターゲットの組成はＦｅ73
Ｔａ7Ｃ8Ｃｒ7Ｎｂ5であった。
いて次のようにして形成した。◆スパッタリング用ター
ゲットとして、Ｆｅ，Ｔａ，Ｃ，ＮｂおよびＣｒの各元
素の粉体を熱間静圧プレス法（ＨＩＰ法）により成型し
たものを用いた。このターゲット中の不純物酸素濃度は
４００ｐｐｍであった。このターゲットの組成はＦｅ73
Ｔａ7Ｃ8Ｃｒ7Ｎｂ5であった。
【００４４】次に、この合金ターゲットを用い、放電ガ
スとしてＡｒを用いて、放電ガス圧力：５ｍＴｏｒｒ、
投入ＲＦ電力：４００Ｗでスパッタリングを行ない、軟
磁性薄膜（膜厚５μｍ）を基板上に形成した。なお、ス
パッタリングの条件はこれらの値に限定されるものでは
なく、使用する装置等に応じて任意に変更可能である。
スとしてＡｒを用いて、放電ガス圧力：５ｍＴｏｒｒ、
投入ＲＦ電力：４００Ｗでスパッタリングを行ない、軟
磁性薄膜（膜厚５μｍ）を基板上に形成した。なお、ス
パッタリングの条件はこれらの値に限定されるものでは
なく、使用する装置等に応じて任意に変更可能である。
【００４５】得られた非晶質薄膜の組成は、合金ターゲ
ットのそれとほぼ同じであった。この薄膜の磁気特性を
測定したところ、飽和磁束密度は１．５Ｔ、保磁力は
０．２０Ｏｅ、１ＭＨｚにおける比透磁率は３０００以
上、磁歪定数は７×１０-7であった。
ットのそれとほぼ同じであった。この薄膜の磁気特性を
測定したところ、飽和磁束密度は１．５Ｔ、保磁力は
０．２０Ｏｅ、１ＭＨｚにおける比透磁率は３０００以
上、磁歪定数は７×１０-7であった。
【００４６】（軟磁性薄膜の加熱試験）この非晶質のＦ
ｅＴａＣＣｒＮｂ薄膜を各種温度で加熱処理したときの
保磁力の変化を図１に示す。この加熱処理により、非晶
質のＦｅＴａＣＣｒＮｂ薄膜は結晶化し、軟磁気特性が
発現した。
ｅＴａＣＣｒＮｂ薄膜を各種温度で加熱処理したときの
保磁力の変化を図１に示す。この加熱処理により、非晶
質のＦｅＴａＣＣｒＮｂ薄膜は結晶化し、軟磁気特性が
発現した。
【００４７】図１より分かるように、５００゜Ｃから７
００゜Ｃの温度範囲で加熱処理しても、このＦｅＴａＣ
ＣｒＮｂ合金膜の保磁力は０．２Ｏｅであり、変化しな
かった。
００゜Ｃの温度範囲で加熱処理しても、このＦｅＴａＣ
ＣｒＮｂ合金膜の保磁力は０．２Ｏｅであり、変化しな
かった。
【００４８】この結晶化したＦｅＴａＣＣｒＮｂ薄膜の
構造を透過型電子顕微鏡により観察したところ、Ｆｅ相
の結晶粒のサイズは１０ｎｍから２０ｎｍの間にあり、
平均値は１３ｎｍであった。また、ＴａＣ相の結晶粒の
サイズは５ｎｍから８ｎｍの間にあった。
構造を透過型電子顕微鏡により観察したところ、Ｆｅ相
の結晶粒のサイズは１０ｎｍから２０ｎｍの間にあり、
平均値は１３ｎｍであった。また、ＴａＣ相の結晶粒の
サイズは５ｎｍから８ｎｍの間にあった。
【００４９】また、この結晶化したＦｅＴａＣＣｒＮｂ
薄膜の格子定数を電子線回折の結果から求めたところ、
そのＦｅ相はα−Ｆｅ相とはやや異なっており、ＦｅＣ
ｒＮｂ合金、ＦｅＮｂ合金もしくはＦｅＣｒ合金を形成
していることが分かった。
薄膜の格子定数を電子線回折の結果から求めたところ、
そのＦｅ相はα−Ｆｅ相とはやや異なっており、ＦｅＣ
ｒＮｂ合金、ＦｅＮｂ合金もしくはＦｅＣｒ合金を形成
していることが分かった。
【００５０】よって、この実施例の軟磁性薄膜によれ
ば、７００゜Ｃ程度の高温処理が可能になる。その結
果、例えば、この実施例の軟磁性薄膜をＭＩＧ型磁気ヘ
ッドに適用する場合、用いる低融点ガラスの種類を増や
すことができ、また、磁気ヘッドの強度自体も増加する
ことができる。さらに、磁気ヘッド加工工程が安定化さ
れるため、歩留り向上にも効果がある。
ば、７００゜Ｃ程度の高温処理が可能になる。その結
果、例えば、この実施例の軟磁性薄膜をＭＩＧ型磁気ヘ
ッドに適用する場合、用いる低融点ガラスの種類を増や
すことができ、また、磁気ヘッドの強度自体も増加する
ことができる。さらに、磁気ヘッド加工工程が安定化さ
れるため、歩留り向上にも効果がある。
【００５１】（軟磁性薄膜の耐食性試験）次に、この軟
磁性薄膜を、室温（１５゜Ｃ）で０．５規定の塩化ナト
リウム水溶液中に５００時間浸漬させ、室温で腐食試験
を行なった。浸漬後の軟磁性薄膜を目視観察すると、腐
食の発生はまったく見られなかった。また、この時の磁
気特性は、試験前の磁気特性と同じであった。
磁性薄膜を、室温（１５゜Ｃ）で０．５規定の塩化ナト
リウム水溶液中に５００時間浸漬させ、室温で腐食試験
を行なった。浸漬後の軟磁性薄膜を目視観察すると、腐
食の発生はまったく見られなかった。また、この時の磁
気特性は、試験前の磁気特性と同じであった。
【００５２】他方、この軟磁性薄膜を、温度８０゜Ｃ、
相対湿度（ＲＨ）９５％の環境中に２０００時間以上放
置し、高温高湿環境で腐食試験を行なった。放置後の軟
磁性薄膜を目視観察すると、この場合も腐食の発生は見
られなかった。また、磁気特性も試験前と同じであっ
た。
相対湿度（ＲＨ）９５％の環境中に２０００時間以上放
置し、高温高湿環境で腐食試験を行なった。放置後の軟
磁性薄膜を目視観察すると、この場合も腐食の発生は見
られなかった。また、磁気特性も試験前と同じであっ
た。
【００５３】よって、この実施例の軟磁性薄膜は、成膜
当初の磁気特性を維持していると共に、耐食性にも優れ
ていることが確認された。
当初の磁気特性を維持していると共に、耐食性にも優れ
ていることが確認された。
【００５４】（磁気ヘッド）この実施例の結晶化したＦ
ｅＴａＣＣｒＮｂ軟磁性薄膜を用いて、図２に示すよう
なＶＴＲ（Video Tape Recorder）装置用のＭＩＧ型磁
気ヘッドを作製した。 図２において、ＭＩＧ型磁気ヘ
ッドは、互いに対向して配置された２個のフェライト基
板２を備えている。各フェライト基板２の断面略Ｖ字状
の対向面には、この実施例の軟磁性薄膜（膜厚５μｍ）
１が形成されている。軟磁性薄膜１の上には、ＳｉＯ2
膜（膜厚２００ｎｍ）（図示せず）が形成され、その上
にさらにＣｒ膜（膜厚１００ｎｍ）（図示せず）が形成
されている。
ｅＴａＣＣｒＮｂ軟磁性薄膜を用いて、図２に示すよう
なＶＴＲ（Video Tape Recorder）装置用のＭＩＧ型磁
気ヘッドを作製した。 図２において、ＭＩＧ型磁気ヘ
ッドは、互いに対向して配置された２個のフェライト基
板２を備えている。各フェライト基板２の断面略Ｖ字状
の対向面には、この実施例の軟磁性薄膜（膜厚５μｍ）
１が形成されている。軟磁性薄膜１の上には、ＳｉＯ2
膜（膜厚２００ｎｍ）（図示せず）が形成され、その上
にさらにＣｒ膜（膜厚１００ｎｍ）（図示せず）が形成
されている。
【００５５】両フェライト基板２は、それら軟磁性薄膜
１を互いに対向させて、鉛ガラス４により互いに接合・
一体化されている。磁気ヘッドの摺動面では、対向する
軟磁性薄膜１の間に記録／再生用のギャップ３が形成さ
れている。
１を互いに対向させて、鉛ガラス４により互いに接合・
一体化されている。磁気ヘッドの摺動面では、対向する
軟磁性薄膜１の間に記録／再生用のギャップ３が形成さ
れている。
【００５６】鉛ガラス４と軟磁性薄膜１には、透孔５が
形成されていて、その透孔５を利用してフェライト基板
２にコイル（図示せず）が巻き付けられる。
形成されていて、その透孔５を利用してフェライト基板
２にコイル（図示せず）が巻き付けられる。
【００５７】以上の構成を持つ磁気ヘッドは、次のよう
にして作製した。◆まず、この実施例のＦｅＴａＣＣｒ
Ｎｂ薄膜（膜厚５μｍ）１を単結晶のフェライト基板２
の上に形成した。その後、軟磁性薄膜１の上に、ＳｉＯ
2膜（膜厚２００ｎｍ）およびＣｒ膜（膜厚１００ｎ
ｍ）を順に形成した。
にして作製した。◆まず、この実施例のＦｅＴａＣＣｒ
Ｎｂ薄膜（膜厚５μｍ）１を単結晶のフェライト基板２
の上に形成した。その後、軟磁性薄膜１の上に、ＳｉＯ
2膜（膜厚２００ｎｍ）およびＣｒ膜（膜厚１００ｎ
ｍ）を順に形成した。
【００５８】続いて、同一構成の２個のフェライト基板
２の間に鉛ガラス４を介在させてから、これを窒素気流
中にて６００゜Ｃで１時間熱処理し、両基板２をボンデ
ィングした。こうして図２の構成の磁気ヘッドを得た。
２の間に鉛ガラス４を介在させてから、これを窒素気流
中にて６００゜Ｃで１時間熱処理し、両基板２をボンデ
ィングした。こうして図２の構成の磁気ヘッドを得た。
【００５９】ここでは、熱処理温度を６００゜Ｃとして
いるが、使用する鉛ガラス４の種類などにより、この温
度は任意に変更可能である。フェライト基板２と軟磁性
薄膜１との間には、両者の接着性向上のための接合層を
設けてもよい。
いるが、使用する鉛ガラス４の種類などにより、この温
度は任意に変更可能である。フェライト基板２と軟磁性
薄膜１との間には、両者の接着性向上のための接合層を
設けてもよい。
【００６０】（ＶＴＲ装置）図２のＭＩＧ型磁気ヘッド
を用いて、図３に示すようなＶＴＲ装置を作製した。
を用いて、図３に示すようなＶＴＲ装置を作製した。
【００６１】図３において、磁気ヘッド２０としては、
図２のＭＩＧ型磁気ヘッドが用いられている。この磁気
ヘッド２０は、記録／再生時には磁気ヘッド操作機構
（図示せず）により変位し、所定速度で走行する磁気テ
ープＴに接触せしめられる。磁気テープＴの駆動は、磁
気テープ駆動系（図示せず）により行なわれる。
図２のＭＩＧ型磁気ヘッドが用いられている。この磁気
ヘッド２０は、記録／再生時には磁気ヘッド操作機構
（図示せず）により変位し、所定速度で走行する磁気テ
ープＴに接触せしめられる。磁気テープＴの駆動は、磁
気テープ駆動系（図示せず）により行なわれる。
【００６２】記録時には、入力ビデオ信号はまずプリ・
エンファシス３１に送られ、さらにＦＭ変調器３２、記
録イコライザ３３、記録増幅器３４を介して回転トラン
ス３５に送られる。さらに、回転トランス３５から磁気
ヘッド２０に伝達され、その磁気ヘッド２０によりそれ
に接触して走行する磁気テープＴに記録される。
エンファシス３１に送られ、さらにＦＭ変調器３２、記
録イコライザ３３、記録増幅器３４を介して回転トラン
ス３５に送られる。さらに、回転トランス３５から磁気
ヘッド２０に伝達され、その磁気ヘッド２０によりそれ
に接触して走行する磁気テープＴに記録される。
【００６３】再生時には、磁気テープＴに記録されたビ
デオ信号は、まず磁気ヘッド２０により読み取られてか
ら回転トランス３５に伝達される。さらに、回転トラン
ス３５から、再生前置増幅器３６、再生イコライザ３
７、リミッタ３８、ＦＭ復調器３９、低域フィルタ４０
およびタイムベース・コレクタ４１を介して出力ビデオ
信号となる。
デオ信号は、まず磁気ヘッド２０により読み取られてか
ら回転トランス３５に伝達される。さらに、回転トラン
ス３５から、再生前置増幅器３６、再生イコライザ３
７、リミッタ３８、ＦＭ復調器３９、低域フィルタ４０
およびタイムベース・コレクタ４１を介して出力ビデオ
信号となる。
【００６４】（ＶＴＲ装置の耐食性試験）次に、図３の
ＶＴＲ装置を用いて次のような耐食性試験を行なった。
◆まず、磁気テープＴを走行させ、ハイビジョンのディ
ジタル画像情報を記録した。磁気テープＴの相対速度は
３６ｍ／ｓ、データレートは４６．１Ｍｂｐｓ、トラッ
ク幅は４０μｍとした。その際のＳ／Ｎは４０ｄＢであ
った。
ＶＴＲ装置を用いて次のような耐食性試験を行なった。
◆まず、磁気テープＴを走行させ、ハイビジョンのディ
ジタル画像情報を記録した。磁気テープＴの相対速度は
３６ｍ／ｓ、データレートは４６．１Ｍｂｐｓ、トラッ
ク幅は４０μｍとした。その際のＳ／Ｎは４０ｄＢであ
った。
【００６５】このＶＴＲ装置の磁気ヘッド２０の耐食性
を、０．５規定の塩化ナトリウム水溶液中への浸漬試験
法と、高温高湿度環境（６０゜Ｃ、相対湿度９５％）中
での結露試験法により評価した。
を、０．５規定の塩化ナトリウム水溶液中への浸漬試験
法と、高温高湿度環境（６０゜Ｃ、相対湿度９５％）中
での結露試験法により評価した。
【００６６】磁気ヘッド２０をＶＴＲ装置から取り外
し、０．５規定塩化ナトリウム水溶液中へ１０００時間
浸漬した。その後、この磁気ヘッド２０を再びＶＴＲ装
置にセットし、記録／再生特性を測定した。その結果、
浸漬前と記録／再生特性になんら違いは見られなかっ
た。
し、０．５規定塩化ナトリウム水溶液中へ１０００時間
浸漬した。その後、この磁気ヘッド２０を再びＶＴＲ装
置にセットし、記録／再生特性を測定した。その結果、
浸漬前と記録／再生特性になんら違いは見られなかっ
た。
【００６７】他方、磁気ヘッド２０をＶＴＲ装置から取
り外し、ペルチェ素子上に固定した。この状態で１０゜
Ｃに保ってから、これをペルチェ素子と共に６０゜Ｃ、
相対湿度９５％の環境中へ放置した。磁気ヘッド２０の
全体に結露が生じた。この状態で２０００時間以上放置
した。その結果、腐食の発生や記録／再生信号の劣化は
見られなかった。
り外し、ペルチェ素子上に固定した。この状態で１０゜
Ｃに保ってから、これをペルチェ素子と共に６０゜Ｃ、
相対湿度９５％の環境中へ放置した。磁気ヘッド２０の
全体に結露が生じた。この状態で２０００時間以上放置
した。その結果、腐食の発生や記録／再生信号の劣化は
見られなかった。
【００６８】よって、この実施例の磁気ヘッドおよびＶ
ＴＲ装置によれば、信頼性が大きく向上することが確認
された。
ＴＲ装置によれば、信頼性が大きく向上することが確認
された。
【００６９】この実施例では、使用した結晶質の軟磁性
薄膜の組成はＦｅ73Ｔａ7Ｃ8Ｃｒ7Ｎｂ5であるが、これ
に限定されず、ＴａおよびＣが Ｔａ：１〜２０原子％、 Ｃ：５〜２０原子％の範囲内
にあればよい。
薄膜の組成はＦｅ73Ｔａ7Ｃ8Ｃｒ7Ｎｂ5であるが、これ
に限定されず、ＴａおよびＣが Ｔａ：１〜２０原子％、 Ｃ：５〜２０原子％の範囲内
にあればよい。
【００７０】［比較例］ （軟磁性薄膜）比較例の軟磁性薄膜は、磁性元素として
のＦｅおよびＴａに、第１元素としてＣを添加したもの
であり、第２元素は添加していない。その組成はＦｅＴ
ａＣで表わされる。
のＦｅおよびＴａに、第１元素としてＣを添加したもの
であり、第２元素は添加していない。その組成はＦｅＴ
ａＣで表わされる。
【００７１】この軟磁性薄膜は、上記実施例と同様のス
パッタリング装置を用いて、次のようにして形成した。
パッタリング装置を用いて、次のようにして形成した。
【００７２】スパッタリング用ターゲットとして、Ｆ
ｅ，ＴａおよびＣの各元素の粉体をＨＩＰ法により成型
したものを用いた。このターゲットの組成はＦｅ78Ｔａ
8Ｃ14であった。
ｅ，ＴａおよびＣの各元素の粉体をＨＩＰ法により成型
したものを用いた。このターゲットの組成はＦｅ78Ｔａ
8Ｃ14であった。
【００７３】次に、この合金ターゲットを用い、上記実
施例と同じ条件でスパッタリングを行ない、軟磁性薄膜
を基板上に形成した。得られた非晶質の軟磁性薄膜の組
成は、合金ターゲットのそれとほぼ同じであった。この
薄膜の磁気特性を測定したところ、飽和磁束密度は１．
６Ｔ、保磁力は０．８Ｏｅ、１ＭＨｚにおける比透磁率
は２０００以上、磁歪定数は４×１０-7であった。
施例と同じ条件でスパッタリングを行ない、軟磁性薄膜
を基板上に形成した。得られた非晶質の軟磁性薄膜の組
成は、合金ターゲットのそれとほぼ同じであった。この
薄膜の磁気特性を測定したところ、飽和磁束密度は１．
６Ｔ、保磁力は０．８Ｏｅ、１ＭＨｚにおける比透磁率
は２０００以上、磁歪定数は４×１０-7であった。
【００７４】（軟磁性薄膜の加熱試験）この非晶質のＦ
ｅＴａＣ薄膜を各種温度で加熱処理したときの保磁力の
変化を図１に示す。この加熱処理により、非晶質のＦｅ
ＴａＣ薄膜は結晶化し、軟磁気特性が発現した。
ｅＴａＣ薄膜を各種温度で加熱処理したときの保磁力の
変化を図１に示す。この加熱処理により、非晶質のＦｅ
ＴａＣ薄膜は結晶化し、軟磁気特性が発現した。
【００７５】図１より分かるように、ＦｅＴａＣ薄膜の
保磁力は、５００゜Ｃおよび５５０゜Ｃでは上記実施例
のＦｅＴａＣＣｒＮｂ薄膜と同じ値を持つが、６００゜
Ｃでは２．８Ｏｅまで増加した。６００゜Ｃでの飽和磁
束密度は１．５Ｔ、１ＭＨｚにおける透磁率は１２０
０、磁歪定数は２×１０-6であった。
保磁力は、５００゜Ｃおよび５５０゜Ｃでは上記実施例
のＦｅＴａＣＣｒＮｂ薄膜と同じ値を持つが、６００゜
Ｃでは２．８Ｏｅまで増加した。６００゜Ｃでの飽和磁
束密度は１．５Ｔ、１ＭＨｚにおける透磁率は１２０
０、磁歪定数は２×１０-6であった。
【００７６】また、７００゜Ｃでの保磁力は、８．０Ｏ
ｅ、飽和磁束密度は１．６Ｔ、１ＭＨｚにおける透磁率
は３００、磁歪定数は３×１０-7であった。
ｅ、飽和磁束密度は１．６Ｔ、１ＭＨｚにおける透磁率
は３００、磁歪定数は３×１０-7であった。
【００７７】したがって、比較例のＦｅＴａＣ薄膜は、
６００゜Ｃ以上の温度で熱処理すると、上記実施例のＦ
ｅＴａＣＣｒＮｂ薄膜よりも軟磁気特性が大きく劣化す
ることが分かる。換言すれば、この結果より、上記実施
例は、軟磁気特性の熱安定性が改善され、耐熱性が大き
く向上していることが分かる。
６００゜Ｃ以上の温度で熱処理すると、上記実施例のＦ
ｅＴａＣＣｒＮｂ薄膜よりも軟磁気特性が大きく劣化す
ることが分かる。換言すれば、この結果より、上記実施
例は、軟磁気特性の熱安定性が改善され、耐熱性が大き
く向上していることが分かる。
【００７８】結晶化した比較例のＦｅＴａＣ薄膜の構造
を透過型電子顕微鏡により観察したところ、Ｆｅ相の結
晶粒サイズは１５ｎｍから３０ｎｍの間にあり、平均値
は２２ｎｍであった。また、ＴａＣ相の結晶粒のサイズ
は７ｎｍから１４ｎｍの間にあり、この平均値は１１ｎ
ｍであった。
を透過型電子顕微鏡により観察したところ、Ｆｅ相の結
晶粒サイズは１５ｎｍから３０ｎｍの間にあり、平均値
は２２ｎｍであった。また、ＴａＣ相の結晶粒のサイズ
は７ｎｍから１４ｎｍの間にあり、この平均値は１１ｎ
ｍであった。
【００７９】よって、比較例のＦｅＴａＣ薄膜では、Ｆ
ｅ相およびＴａＣ相の結晶粒サイズは、いずれも上記実
施例のＦｅＴａＣＣｒＮｂ薄膜よりも大きいことが分か
った。換言すれば、上記実施例のＦｅＴａＣＣｒＮｂ薄
膜では、比較例のＦｅＴａＣ薄膜よりも、結晶粒のサイ
ズを小さく抑えることが可能となる。
ｅ相およびＴａＣ相の結晶粒サイズは、いずれも上記実
施例のＦｅＴａＣＣｒＮｂ薄膜よりも大きいことが分か
った。換言すれば、上記実施例のＦｅＴａＣＣｒＮｂ薄
膜では、比較例のＦｅＴａＣ薄膜よりも、結晶粒のサイ
ズを小さく抑えることが可能となる。
【００８０】また、この結晶化したＦｅＴａＣ薄膜の格
子定数を電子線回折の結果から求めたところ、そのＦｅ
相はα−Ｆｅ相と同じであることが分かった。
子定数を電子線回折の結果から求めたところ、そのＦｅ
相はα−Ｆｅ相と同じであることが分かった。
【００８１】（軟磁性薄膜の耐食性試験）比較例のＦｅ
ＴａＣ薄膜について、室温（１５゜Ｃ）で０．５規定の
塩化ナトリウム水溶液中に浸漬させ、室温で腐食試験を
行なった。浸漬後の軟磁性薄膜を目視観察すると、薄膜
の全面に孔食が発生していた。また、５０時間浸漬の前
後で磁気特性の変化を測定したところ、飽和磁束密度が
浸漬前の７５％に減少していた。保磁力、１ＭＨｚにお
ける比透磁率および磁歪定数は不変であった。
ＴａＣ薄膜について、室温（１５゜Ｃ）で０．５規定の
塩化ナトリウム水溶液中に浸漬させ、室温で腐食試験を
行なった。浸漬後の軟磁性薄膜を目視観察すると、薄膜
の全面に孔食が発生していた。また、５０時間浸漬の前
後で磁気特性の変化を測定したところ、飽和磁束密度が
浸漬前の７５％に減少していた。保磁力、１ＭＨｚにお
ける比透磁率および磁歪定数は不変であった。
【００８２】（磁気ヘッドおよびＶＴＲ装置）この比較
例のＦｅＴａＣ薄膜を用いて、上記実施例と同様のＭＩ
Ｇ型磁気ヘッドを作製し、その磁気ヘッドを用いてＶＴ
Ｒ装置を作製した。そして、上記実施例と同様に、磁気
テープＴを走行させてハイビジョンのディジタル画像情
報を記録した。
例のＦｅＴａＣ薄膜を用いて、上記実施例と同様のＭＩ
Ｇ型磁気ヘッドを作製し、その磁気ヘッドを用いてＶＴ
Ｒ装置を作製した。そして、上記実施例と同様に、磁気
テープＴを走行させてハイビジョンのディジタル画像情
報を記録した。
【００８３】このＶＴＲ装置の磁気ヘッドの耐食性を、
上記実施例と同様の浸漬試験法により評価した。まず、
磁気ヘッドをＶＴＲ装置から取り外し、０．５規定塩化
ナトリウム水溶液中へ１０００時間浸漬した後、再びＶ
ＴＲ装置にセットして記録／再生特性を測定した。その
結果、記録時に記録波形が歪み、正常な記録ができなか
った。
上記実施例と同様の浸漬試験法により評価した。まず、
磁気ヘッドをＶＴＲ装置から取り外し、０．５規定塩化
ナトリウム水溶液中へ１０００時間浸漬した後、再びＶ
ＴＲ装置にセットして記録／再生特性を測定した。その
結果、記録時に記録波形が歪み、正常な記録ができなか
った。
【００８４】［変形例］上記実施例は、第１元素として
Ｃを、第２元素としてＣｒおよびＮｂを用いたＦｅＴａ
ＣＮｂＣｒ薄膜であるが、この発明はこの材料に限定さ
れるものではない。
Ｃを、第２元素としてＣｒおよびＮｂを用いたＦｅＴａ
ＣＮｂＣｒ薄膜であるが、この発明はこの材料に限定さ
れるものではない。
【００８５】第１元素としては、Ｃに代えてＢ，Ｓｉま
たはＮを用いても、同様の効果が得られる。また、Ｃ，
Ｂ，ＳｉおよびＮのうち２種類以上の元素を添加しても
よい。
たはＮを用いても、同様の効果が得られる。また、Ｃ，
Ｂ，ＳｉおよびＮのうち２種類以上の元素を添加しても
よい。
【００８６】第１元素としてＢ，ＳｉまたはＮを用いた
場合でも、Ｃを用いた場合と同様に、Ｆｅとの金属間化
合物や固溶体、あるいはそれぞれの化合物（硼素化物、
珪素化物、窒化物等）が結晶粒界に析出する。これらの
化合物は、上記実施例の場合と同様に、加熱処理におけ
る結晶粒の成長を抑制する機能を持つ。
場合でも、Ｃを用いた場合と同様に、Ｆｅとの金属間化
合物や固溶体、あるいはそれぞれの化合物（硼素化物、
珪素化物、窒化物等）が結晶粒界に析出する。これらの
化合物は、上記実施例の場合と同様に、加熱処理におけ
る結晶粒の成長を抑制する機能を持つ。
【００８７】使用する結晶質の軟磁性薄膜の組成は、第
１元素としてＢを用いた場合、ＴａおよびＢが Ｔａ：５〜１５原子％、 Ｂ：５〜２０原子％の範囲内
にあればよい。
１元素としてＢを用いた場合、ＴａおよびＢが Ｔａ：５〜１５原子％、 Ｂ：５〜２０原子％の範囲内
にあればよい。
【００８８】第１元素としてＳｉを用いた場合は、Ｔａ
およびＳｉが Ｔａ：５〜１５原子％、 Ｓｉ：５〜２０原子％の範囲
内にあればよい。
およびＳｉが Ｔａ：５〜１５原子％、 Ｓｉ：５〜２０原子％の範囲
内にあればよい。
【００８９】第１元素としてＮを用いた場合は、Ｔａお
よびＮが Ｔａ：５〜１５原子％、 Ｎ：５〜２０原子％の範囲内
にあればよい。
よびＮが Ｔａ：５〜１５原子％、 Ｎ：５〜２０原子％の範囲内
にあればよい。
【００９０】第２元素としては、Ｎｂ，Ｃｒに代えて、
Ａｌ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，ＭｏおよびＷの
中から選ばれる１種類もしくは２種類以上の元素を用い
ても、同様の効果が得られる。
Ａｌ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，ＭｏおよびＷの
中から選ばれる１種類もしくは２種類以上の元素を用い
ても、同様の効果が得られる。
【００９１】また、上記実施例ではＶＴＲ用の磁気ヘッ
ドについて説明したが、この発明は他の磁気記録装置
（例えば、磁気ディスクやヘリカルスキャンを用いた磁
気テープ装置）にも適用可能である。
ドについて説明したが、この発明は他の磁気記録装置
（例えば、磁気ディスクやヘリカルスキャンを用いた磁
気テープ装置）にも適用可能である。
【００９２】
【発明の効果】この発明の第１の軟磁性薄膜によれば、
磁性元素としてＦｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，Ｃ
およびＮよりなる群から選ばれた少なくとも１種類の元
素を添加してなる軟磁性薄膜において、その優れた軟磁
気特性を維持しながらその軟磁気特性の熱安定性を改善
することができる。
磁性元素としてＦｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，Ｃ
およびＮよりなる群から選ばれた少なくとも１種類の元
素を添加してなる軟磁性薄膜において、その優れた軟磁
気特性を維持しながらその軟磁気特性の熱安定性を改善
することができる。
【００９３】この発明の第２の軟磁性薄膜によれば、磁
性元素としてＦｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，Ｃお
よびＮよりなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素
を添加してなる軟磁性薄膜において、その優れた軟磁気
特性を維持しながらその軟磁気特性の熱安定性を改善す
ることができ、さらに耐食性も改善することができる。
性元素としてＦｅとＴａを含み、これにＳｉ，Ｂ，Ｃお
よびＮよりなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素
を添加してなる軟磁性薄膜において、その優れた軟磁気
特性を維持しながらその軟磁気特性の熱安定性を改善す
ることができ、さらに耐食性も改善することができる。
【００９４】この発明の磁気ヘッドおよび磁気記録装置
によれば、従来より信頼性を向上することができる。
によれば、従来より信頼性を向上することができる。
【図１】この発明の実施例および比較例の軟磁性薄膜の
加熱処理温度と保磁力との関係を示すグラフである。
加熱処理温度と保磁力との関係を示すグラフである。
【図２】この発明の実施例のＭＩＧ型磁気ヘッドの概略
斜視図である。
斜視図である。
【図３】この発明の実施例のＶＴＲ装置の概略構成図で
ある。
ある。
１ 軟磁性薄膜 ２ フェライト基板 ３ ギャップ ４ 鉛ガラス ５ 透孔 ２０ 磁気ヘッド ３１ プリ・エンファシス ３２ ＦＭ変調器 ３３ 記録イコライザ ３４ 記録増幅器 ３５ 回転トランス ３６ 再生前置増幅器 ３７ 再生イコライザ ３８ リミッタ ３９ ＦＭ復調器 ４０低域フィルタ ４１ タイムベース・コレクタ Ｔ 磁気テープ
フロントページの続き (72)発明者 大友 茂一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (13)
- 【請求項１】 磁性元素としてＦｅとＴａを含み、これ
にＳｉ，Ｂ，ＣおよびＮよりなる第１群から選ばれた少
なくとも１種類の第１元素を添加してなる軟磁性薄膜に
おいて、 前記磁性元素とは異なる原子半径を有する非磁性の第２
元素を含むことを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項２】 前記第２元素が、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎ
ｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，ＭｏおよびＷよりなる第
２群から選ばれる少なくとも１種類の元素である請求項
１に記載の軟磁性薄膜。 - 【請求項３】 前記第２元素が、Ａｌ，Ｃｒ，Ｎｂおよ
びＲｕよりなる第２群から選ばれる少なくとも１種類の
元素である請求項１または２に記載の軟磁性薄膜。 - 【請求項４】 磁性元素としてＦｅとＴａを含み、これ
にＳｉ，Ｂ，ＣおよびＮよりなる第１群から選ばれた少
なくとも１種類の第１元素を添加してなる軟磁性薄膜に
おいて、 Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｍ
ｏおよびＷよりなる第２群から選ばれる少なくとも１種
類の第２元素を含むことを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項５】 磁性元素としてＦｅとＴａを含み、これ
にＳｉ，Ｂ，ＣおよびＮよりなる第１群から選ばれた少
なくとも１種類の第１元素を添加してなる軟磁性薄膜に
おいて、 Ａｌ，Ｃｒ，ＮｂおよびＲｕよりなる第２群から選ばれ
る少なくとも１種類の第２元素を含むことを特徴とする
軟磁性薄膜。 - 【請求項６】 ＦｅとＴａの炭化物、窒化物、硼素化物
および珪素化物から選ばれる少なくとも１種類の化合物
の相を含んでいる請求項１〜５のいずれかに記載の軟磁
性薄膜。 - 【請求項７】 前記化合物相のうち少なくとも１相が結
晶性を有している請求項６に記載の軟磁性薄膜。 - 【請求項８】 （ａ）α−Ｆｅ相、または前記第１元素
または第２元素とＦｅとの金属間化合物もしくは固溶体
の微結晶と、 （ｂ）前記第１元素または第２元素の炭化物、窒化物、
硼素化物および珪素化物の中から選ばれる少なくとも１
種類の化合物相の微結晶とを含んでいる請求項１〜７の
いずれかに記載の軟磁性薄膜。 - 【請求項９】 前記のα−Ｆｅ相の微結晶の結晶粒径、
あるいは前記第１元素または第２元素とＦｅとの金属間
化合物または固溶体の微結晶の結晶粒径が、１ｎｍ以
上、２０ｎｍ以下である請求項８に記載の軟磁性薄膜。 - 【請求項１０】 前記第１元素または第２元素の炭化
物、窒化物および硼素化物から選ばれる少なくとも１種
類の化合物相の微結晶の結晶粒径が、１ｎｍ以上、１０
ｎｍ以下である請求項８または９に記載の軟磁性薄膜。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかに記載の軟
磁性薄膜を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 メタル・イン・ギャップ型として構成
されている請求項１１に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 請求項１１または１２に記載の磁気ヘ
ッドを備えたことを特徴とする磁気記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15482094A JPH0822915A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15482094A JPH0822915A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822915A true JPH0822915A (ja) | 1996-01-23 |
Family
ID=15592594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15482094A Pending JPH0822915A (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822915A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006090712A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Hiroshima Univ | 腐食試験装置 |
-
1994
- 1994-07-06 JP JP15482094A patent/JPH0822915A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006090712A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Hiroshima Univ | 腐食試験装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0466159A2 (en) | Composite magnetic head | |
| US5858548A (en) | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording device using the same | |
| US6033792A (en) | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording device using the same | |
| KR100279786B1 (ko) | 연자성 박막과 그것을 사용한 자기헤드 및 자기기록장치 | |
| JPH0822915A (ja) | 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置 | |
| US5873955A (en) | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording device using the same | |
| JP3127075B2 (ja) | 軟磁性合金膜と磁気ヘッドおよび軟磁性合金膜の熱膨張係数の調整方法 | |
| JP2775770B2 (ja) | 軟磁性薄膜の製造方法 | |
| JP2920723B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH08306529A (ja) | 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置 | |
| JP3386270B2 (ja) | 磁気ヘッド及び磁気記録装置 | |
| JPH09283333A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH07282410A (ja) | 磁気ヘッドの構造及びそれを用いた磁気記録装置 | |
| JPH08316032A (ja) | 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置 | |
| JPH08107036A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気記録装置 | |
| JPH07283027A (ja) | 軟磁性薄膜、及び、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置 | |
| JPH07288207A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH07288208A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH0887710A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置 | |
| JPH07283028A (ja) | 軟磁性薄膜、及び、それを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置 | |
| JP2657710B2 (ja) | 軟磁性薄膜の製造方法 | |
| JP2782994B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH07311909A (ja) | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 | |
| JPH08329408A (ja) | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録装置 | |
| JPH08181030A (ja) | 磁性薄膜の製造方法、及びそれを用いた磁気ヘッド，磁気記録装置 |