JPH07288207A - 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド - Google Patents
軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH07288207A JPH07288207A JP7895894A JP7895894A JPH07288207A JP H07288207 A JPH07288207 A JP H07288207A JP 7895894 A JP7895894 A JP 7895894A JP 7895894 A JP7895894 A JP 7895894A JP H07288207 A JPH07288207 A JP H07288207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- heat treatment
- thin film
- soft magnetic
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/14—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/16—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing cobalt
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高性能で高信頼性を有する軟磁性薄膜の製造
方法を提供する。 【構成】 結晶化温度がＴｘ（℃）であるＦｅ−Ｃ系、
Ｆｅ−Ｎ系、Ｃｏ−Ｃ系、Ｃｏ−Ｎ系、Ｎｉ−Ｃ系又は
Ｎｉ−Ｎ系磁性材料の薄膜に対してＴｘ≦Ｔ≦Ｔｘ＋１
５０で表される熱処理温度Ｔ（℃）で熱処理を行うこと
により軟磁気特性を発現させる。 【効果】 析出する結晶粒子サイズ、結晶配向性、結晶
性等を制御できるので、軟磁気特性を安定に発現させる
ことができ、耐食性も向上する。
方法を提供する。 【構成】 結晶化温度がＴｘ（℃）であるＦｅ−Ｃ系、
Ｆｅ−Ｎ系、Ｃｏ−Ｃ系、Ｃｏ−Ｎ系、Ｎｉ−Ｃ系又は
Ｎｉ−Ｎ系磁性材料の薄膜に対してＴｘ≦Ｔ≦Ｔｘ＋１
５０で表される熱処理温度Ｔ（℃）で熱処理を行うこと
により軟磁気特性を発現させる。 【効果】 析出する結晶粒子サイズ、結晶配向性、結晶
性等を制御できるので、軟磁気特性を安定に発現させる
ことができ、耐食性も向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微結晶析出型軟磁性膜
及びそれを用いて作製した磁気ヘッド及びそれを用いた
磁気記録再生装置に関する。
及びそれを用いて作製した磁気ヘッド及びそれを用いた
磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の高度情報化社会の進展にともな
い、小型でしかも高密度な情報記憶装置へのニーズが高
まっている。この中で、磁気記録装置は高密度記録、ダ
ウンサイジングへの研究が急速に進められている。高密
度磁気記録を実現するためには、微小な記録磁区を安定
に存在させるための高保磁力を有する磁気記録媒体と、
その媒体に情報を安定に記録するための起磁力の大きな
高性能な磁気ヘッドが必要となる。高保磁力媒体を十分
に磁化して信号を記録できる磁気ヘッドを得るために
は、高飽和磁束密度を有して強い磁界を発生できる磁気
ヘッド材料が必要となる。
い、小型でしかも高密度な情報記憶装置へのニーズが高
まっている。この中で、磁気記録装置は高密度記録、ダ
ウンサイジングへの研究が急速に進められている。高密
度磁気記録を実現するためには、微小な記録磁区を安定
に存在させるための高保磁力を有する磁気記録媒体と、
その媒体に情報を安定に記録するための起磁力の大きな
高性能な磁気ヘッドが必要となる。高保磁力媒体を十分
に磁化して信号を記録できる磁気ヘッドを得るために
は、高飽和磁束密度を有して強い磁界を発生できる磁気
ヘッド材料が必要となる。
【０００３】高飽和磁束密度を有する磁性材料として
は、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃに代表されるＦｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｔ
ａ−ＮやＦｅ−Ｚｒ−Ｎに代表されるＦｅ−Ｎ系等鉄族
元素とＣあるいはＮとの化合物系が知られている。これ
らの磁性材料は、軟磁気特性を発現させるために、アル
ゴンや窒素等の不活性ガス気流中において、必要に応じ
て３〜１０ｋＯｅ程度の磁界を印加しながら、一定温度
で熱処理を行っていた。磁気ヘッドがメタル・イン・ギ
ャップ（ＭＩＧ）型ヘッドである場合には、ヘッド作製
工程にガラスボンディング工程を含み、熱処理温度はこ
のボンディング温度により決定されていた。
は、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃに代表されるＦｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｔ
ａ−ＮやＦｅ−Ｚｒ−Ｎに代表されるＦｅ−Ｎ系等鉄族
元素とＣあるいはＮとの化合物系が知られている。これ
らの磁性材料は、軟磁気特性を発現させるために、アル
ゴンや窒素等の不活性ガス気流中において、必要に応じ
て３〜１０ｋＯｅ程度の磁界を印加しながら、一定温度
で熱処理を行っていた。磁気ヘッドがメタル・イン・ギ
ャップ（ＭＩＧ）型ヘッドである場合には、ヘッド作製
工程にガラスボンディング工程を含み、熱処理温度はこ
のボンディング温度により決定されていた。
【０００４】また、前記磁性材料は、Ｆｅを主体として
いるために、大気中の酸素や水と反応して水酸化物や酸
化物を生成し、磁気特性、特に、保磁力や飽和磁束密度
の変動を生じるために、磁気ヘッドの性能が低下する場
合があった。前記磁性材料を用いた磁気ヘッドの実用化
に当たっては、これら磁気特性の変動を抑制することが
必要であり、その一つの方法として、磁性元素以外に耐
食性向上を目的とした元素を添加することが提案されて
いるが、軟磁気特性と耐食性を両立させることは困難で
あった。これらの点について検討した例として、特開平
３−２０４４４号公報がある。
いるために、大気中の酸素や水と反応して水酸化物や酸
化物を生成し、磁気特性、特に、保磁力や飽和磁束密度
の変動を生じるために、磁気ヘッドの性能が低下する場
合があった。前記磁性材料を用いた磁気ヘッドの実用化
に当たっては、これら磁気特性の変動を抑制することが
必要であり、その一つの方法として、磁性元素以外に耐
食性向上を目的とした元素を添加することが提案されて
いるが、軟磁気特性と耐食性を両立させることは困難で
あった。これらの点について検討した例として、特開平
３−２０４４４号公報がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らの実験によ
ると、上記方法では、磁性膜の組成調整を行い最適化し
ても、必ずしも飽和磁束密度及び軟磁気特性、特に保磁
力と耐食性とがバランスした十分な特性が得られるとは
限らなかった。例えば、耐食性を確保すると磁気特性、
特に飽和磁束密度及び保磁力等の磁気特性の劣化、及び
耐熱性の劣化のために、本来のＦｅ−Ｃ系やＦｅ−Ｎ系
の磁性材料が有する性能が得られず、磁気ヘッドの性能
が低下してしまうので、記録を行なった場合にエラーや
ノイズの原因となったり、高密度記録ができない場合が
あった。逆に、磁気特性を重視すると十分な耐食性が確
保できず、磁気ヘッドの信頼性が低下する場合があっ
た。
ると、上記方法では、磁性膜の組成調整を行い最適化し
ても、必ずしも飽和磁束密度及び軟磁気特性、特に保磁
力と耐食性とがバランスした十分な特性が得られるとは
限らなかった。例えば、耐食性を確保すると磁気特性、
特に飽和磁束密度及び保磁力等の磁気特性の劣化、及び
耐熱性の劣化のために、本来のＦｅ−Ｃ系やＦｅ−Ｎ系
の磁性材料が有する性能が得られず、磁気ヘッドの性能
が低下してしまうので、記録を行なった場合にエラーや
ノイズの原因となったり、高密度記録ができない場合が
あった。逆に、磁気特性を重視すると十分な耐食性が確
保できず、磁気ヘッドの信頼性が低下する場合があっ
た。
【０００６】本発明は、高飽和磁束密度を有するＦｅ−
Ｃ系、Ｆｅ−Ｎ系、Ｃｏ−Ｃ系、Ｃｏ−Ｎ系、Ｎｉ−Ｃ
系、Ｎｉ−Ｎ系の磁性材料からなり、その磁気特性を維
持しつつ耐食性を向上させた軟磁性薄膜、及びその軟磁
性薄膜を用いた高性能でしかも高信頼性を有する磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。
Ｃ系、Ｆｅ−Ｎ系、Ｃｏ−Ｃ系、Ｃｏ−Ｎ系、Ｎｉ−Ｃ
系、Ｎｉ−Ｎ系の磁性材料からなり、その磁気特性を維
持しつつ耐食性を向上させた軟磁性薄膜、及びその軟磁
性薄膜を用いた高性能でしかも高信頼性を有する磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、結晶化温度
がＴｘ（℃）であるＦｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｎ系、Ｃｏ−Ｃ
系、Ｃｏ−Ｎ系、Ｎｉ−Ｃ系又はＮｉ−Ｎ系磁性材料の
薄膜に対してＴｘ≦Ｔ≦Ｔｘ＋１５０で表される熱処理
温度Ｔ（℃）で熱処理を行うことにより軟磁気特性を発
現させることにより前記目的を達成する。
がＴｘ（℃）であるＦｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｎ系、Ｃｏ−Ｃ
系、Ｃｏ−Ｎ系、Ｎｉ−Ｃ系又はＮｉ−Ｎ系磁性材料の
薄膜に対してＴｘ≦Ｔ≦Ｔｘ＋１５０で表される熱処理
温度Ｔ（℃）で熱処理を行うことにより軟磁気特性を発
現させることにより前記目的を達成する。
【０００８】前記磁性材料はＺｒ，Ｎｂ，Ｔａの中から
選ばれる少なくとも１種類の元素を５〜２０ａｔ％、好
ましくは８〜１５ａｔ％、Ｎ，Ｃの中から選ばれる少な
くとも１種類の元素を１〜２０ａｔ％、好ましくは８〜
１５％、Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔｉの
中から選ばれる少なくとも１種類もしくは２種類の元素
を０．５〜１５ａｔ％、好ましくは３〜１０％含み、残
部がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選ばれる少なくとも１種
類の元素である合金とするのが好適である。ここで、Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｔａの群からＮｂを選択するときは、添加元
素としてＮｂ以外のものを選択する。Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ
の中からＺｒ又はＴａを選択したときには、添加元素と
してＮｂを選択しても良い。
選ばれる少なくとも１種類の元素を５〜２０ａｔ％、好
ましくは８〜１５ａｔ％、Ｎ，Ｃの中から選ばれる少な
くとも１種類の元素を１〜２０ａｔ％、好ましくは８〜
１５％、Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔｉの
中から選ばれる少なくとも１種類もしくは２種類の元素
を０．５〜１５ａｔ％、好ましくは３〜１０％含み、残
部がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選ばれる少なくとも１種
類の元素である合金とするのが好適である。ここで、Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｔａの群からＮｂを選択するときは、添加元
素としてＮｂ以外のものを選択する。Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ
の中からＺｒ又はＴａを選択したときには、添加元素と
してＮｂを選択しても良い。
【０００９】具体的には、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒ
ｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａ
ｌ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｎｂ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃ
ｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔａ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｒｕ−Ａｌ，Ｆｅ−
Ｔａ−Ｃ−Ｒｕ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，
Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，
Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，
Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ（Ｚ
ｒ）−Ｃ（Ｎ）−Ｒｕ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｒｕ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−
Ａｌ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−
Ｃｒ−Ｎｂ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−
Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｚｒ
−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｔａ−（Ｚｒ，Ｎｂ）−Ｃ
（Ｎ）−Ｒｕ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃ
ｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ，Ｃ
ｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎ
ｂ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒ
ｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃ
ｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｂ−
Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−
Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｎｂ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−
Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ
−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｔａ
−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｎｉ
−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ
−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒ
ｈ，Ｎｉ−Ｔａ（Ｚｒ，Ｎｂ）−Ｃ（Ｎ）−Ｒｕ−Ａ
ｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃ
ｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−
Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−
Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，
Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，
Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｈ等とすることができる。
ｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａ
ｌ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｎｂ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃ
ｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔａ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｒｕ−Ａｌ，Ｆｅ−
Ｔａ−Ｃ−Ｒｕ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，
Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，
Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，
Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ（Ｚ
ｒ）−Ｃ（Ｎ）−Ｒｕ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｒｕ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−
Ａｌ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−
Ｃｒ−Ｎｂ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−
Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｚｒ
−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｔａ−（Ｚｒ，Ｎｂ）−Ｃ
（Ｎ）−Ｒｕ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃ
ｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ，Ｃ
ｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎ
ｂ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒ
ｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃ
ｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｂ−
Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−
Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｎｂ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−
Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ
−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｔａ
−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｎｉ
−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ
−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒ
ｈ，Ｎｉ−Ｔａ（Ｚｒ，Ｎｂ）−Ｃ（Ｎ）−Ｒｕ−Ａ
ｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃ
ｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−
Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−
Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，
Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，
Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｈ等とすることができる。
【００１０】ここで、Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａの中から選ばれ
る少なくとも１種類の元素の濃度を５〜２０ａｔ％とし
たのは、５ａｔ％未満であると良好な軟磁気特性を有す
る磁性膜が得られず、２０ａｔ％を超えると保磁力が増
大し、軟磁気特性が劣化したり、磁性そのものが失われ
るからである。なお、５〜１５ａｔ％の範囲とすると保
磁力が１．０Ｏｅより小さくなるので、より好ましい。
る少なくとも１種類の元素の濃度を５〜２０ａｔ％とし
たのは、５ａｔ％未満であると良好な軟磁気特性を有す
る磁性膜が得られず、２０ａｔ％を超えると保磁力が増
大し、軟磁気特性が劣化したり、磁性そのものが失われ
るからである。なお、５〜１５ａｔ％の範囲とすると保
磁力が１．０Ｏｅより小さくなるので、より好ましい。
【００１１】Ｎ，Ｃの中から選ばれる少なくとも１種類
の元素の濃度を１〜２０ａｔ％としたのは、１ａｔ％未
満又は２０ａｔ％を超えると熱処理しても良好な軟磁気
特性が得られないからである。なお、８〜１５ａｔ％の
範囲とするとより良好な軟磁気特性が得られるので、よ
り好ましい。Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔ
ｉの中から選ばれる少なくとも１種類もしくは２種類の
元素の濃度を０．５〜１５ａｔ％としたのは、０．５ａ
ｔ％未満であると磁性膜の耐食性及び耐熱性が確保でき
ず、１５ａｔ％を超えると保磁力の増大等軟磁気特性が
劣化するからである。なお、３〜１０ａｔ％とすると軟
磁気特性の劣化が小さく、かつ耐食性が確保できるの
で、より好ましい。
の元素の濃度を１〜２０ａｔ％としたのは、１ａｔ％未
満又は２０ａｔ％を超えると熱処理しても良好な軟磁気
特性が得られないからである。なお、８〜１５ａｔ％の
範囲とするとより良好な軟磁気特性が得られるので、よ
り好ましい。Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔ
ｉの中から選ばれる少なくとも１種類もしくは２種類の
元素の濃度を０．５〜１５ａｔ％としたのは、０．５ａ
ｔ％未満であると磁性膜の耐食性及び耐熱性が確保でき
ず、１５ａｔ％を超えると保磁力の増大等軟磁気特性が
劣化するからである。なお、３〜１０ａｔ％とすると軟
磁気特性の劣化が小さく、かつ耐食性が確保できるの
で、より好ましい。
【００１２】軟磁性膜の軟磁気特性は析出する微結晶粒
子サイズに依存していることから、良好な軟磁気特性を
有する磁性膜を得るためにはこの結晶粒子サイズを制御
しなければならない。本発明による軟磁性膜は、粒子サ
イズが５〜２５ｎｍ、好ましくは５〜２０ｎｍであるα
−Ｆｅ相の微結晶を含む。本発明による磁気ヘッドは、
前記熱処理を施した軟磁性膜を用いる。磁気ヘッドがメ
タル・イン・ギャップ（ＭＩＧ）型磁気ヘッドである場
合には、ボンディングガラスとして融点が前記熱処理温
度の許容最高限度（Ｔｘ＋１５０）℃以下であるボンデ
ィングガラスを用いることによって、ボンディング温度
が前記熱処理温度を越えないようにする。
子サイズに依存していることから、良好な軟磁気特性を
有する磁性膜を得るためにはこの結晶粒子サイズを制御
しなければならない。本発明による軟磁性膜は、粒子サ
イズが５〜２５ｎｍ、好ましくは５〜２０ｎｍであるα
−Ｆｅ相の微結晶を含む。本発明による磁気ヘッドは、
前記熱処理を施した軟磁性膜を用いる。磁気ヘッドがメ
タル・イン・ギャップ（ＭＩＧ）型磁気ヘッドである場
合には、ボンディングガラスとして融点が前記熱処理温
度の許容最高限度（Ｔｘ＋１５０）℃以下であるボンデ
ィングガラスを用いることによって、ボンディング温度
が前記熱処理温度を越えないようにする。
【００１３】本発明による熱処理を施した軟磁性薄膜を
磁気記録再生装置の磁気ヘッドに用い、移動する情報記
録媒体に画像情報や音声情報等の情報を磁気的に記録再
生すると、再生信号を増大することができ、良好な記録
再生を行うことができる。これは、軟磁性膜の良好な磁
気特性を反映した結果である。情報記録媒体としては、
磁気テープ又は円板上に磁気記録媒体層が形成された磁
気ディスクを用いることができる。
磁気記録再生装置の磁気ヘッドに用い、移動する情報記
録媒体に画像情報や音声情報等の情報を磁気的に記録再
生すると、再生信号を増大することができ、良好な記録
再生を行うことができる。これは、軟磁性膜の良好な磁
気特性を反映した結果である。情報記録媒体としては、
磁気テープ又は円板上に磁気記録媒体層が形成された磁
気ディスクを用いることができる。
【００１４】
【作用】微結晶析出型軟磁性膜の熱処理条件、特に熱処
理温度を磁性材料の結晶化温度にリンクして選択するこ
とにより、結晶成長反応速度を最適制御でき、析出して
くる結晶粒子サイズ等を容易に制御することができる。
そのため、微小結晶を有する磁性膜を安定に得ることが
でき、良好な軟磁気特性が安定して得られる。しかも、
結晶粒子はサイズが５〜２５ｎｍの微結晶となるので磁
性膜の耐食性も高いものが得られる。
理温度を磁性材料の結晶化温度にリンクして選択するこ
とにより、結晶成長反応速度を最適制御でき、析出して
くる結晶粒子サイズ等を容易に制御することができる。
そのため、微小結晶を有する磁性膜を安定に得ることが
でき、良好な軟磁気特性が安定して得られる。しかも、
結晶粒子はサイズが５〜２５ｎｍの微結晶となるので磁
性膜の耐食性も高いものが得られる。
【００１５】Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔ
ｉ等の添加元素は、結晶粒界に化合物として析出した
り、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の元素と金属間化合物などの合
金を形成することにより結晶粒の成長が抑制され、その
結果、磁気特性を低下させずに耐食性を向上させるのに
役立っているものと考えられる。前記熱処理を施した軟
磁性膜を用いて磁気ヘッドを作製すると、高性能かつ信
頼性の高い磁性膜が得られる。
ｉ等の添加元素は、結晶粒界に化合物として析出した
り、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の元素と金属間化合物などの合
金を形成することにより結晶粒の成長が抑制され、その
結果、磁気特性を低下させずに耐食性を向上させるのに
役立っているものと考えられる。前記熱処理を施した軟
磁性膜を用いて磁気ヘッドを作製すると、高性能かつ信
頼性の高い磁性膜が得られる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。 〔実施例１〕軟磁性膜としてＦｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎ
ｂ合金膜を作製した。磁性膜はスパッタ法によってフェ
ライト基板上に５μｍの膜厚に成膜した。スパッタのタ
ーゲットにはＦｅ，Ｔａ，Ｃ，Ｎｂ，Ｃｒの各元素の粉
体を熱間静圧プレス法（ＨＩＰ法）により成型したもの
を用い、放電ガスとしてアルゴンガスを用い、放電ガス
圧力５ｍＴｏｒｒ、投入ＲＦ電力４００Ｗでスパッタし
た。ターゲットの組成はＦｅ73Ｔａ7Ｃ8Ｃｒ7Ｎｂ5 で
ある。薄膜化しても、得られた膜の組成はターゲット組
成とほとんど変わらなかった。
る。 〔実施例１〕軟磁性膜としてＦｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎ
ｂ合金膜を作製した。磁性膜はスパッタ法によってフェ
ライト基板上に５μｍの膜厚に成膜した。スパッタのタ
ーゲットにはＦｅ，Ｔａ，Ｃ，Ｎｂ，Ｃｒの各元素の粉
体を熱間静圧プレス法（ＨＩＰ法）により成型したもの
を用い、放電ガスとしてアルゴンガスを用い、放電ガス
圧力５ｍＴｏｒｒ、投入ＲＦ電力４００Ｗでスパッタし
た。ターゲットの組成はＦｅ73Ｔａ7Ｃ8Ｃｒ7Ｎｂ5 で
ある。薄膜化しても、得られた膜の組成はターゲット組
成とほとんど変わらなかった。
【００１７】この磁性膜の結晶化温度Ｔｘを示差熱分析
計（ＤＳＣ）を用いて測定したところ、５００℃であっ
た。ここで、５００℃から６７０℃の間で熱処理を行な
い、熱処理温度Ｔと飽和磁束密度Ｂｓ及び保磁力Ｈｃと
の関係を調べた。熱処理は、処理すべき磁性膜をアルゴ
ン雰囲気中に保ち、一定の熱処理温度Ｔに３０分間保持
することにより行った。その結果を図１に示す。
計（ＤＳＣ）を用いて測定したところ、５００℃であっ
た。ここで、５００℃から６７０℃の間で熱処理を行な
い、熱処理温度Ｔと飽和磁束密度Ｂｓ及び保磁力Ｈｃと
の関係を調べた。熱処理は、処理すべき磁性膜をアルゴ
ン雰囲気中に保ち、一定の熱処理温度Ｔに３０分間保持
することにより行った。その結果を図１に示す。
【００１８】飽和磁束密度Ｂｓは、５００℃で熱処理し
た場合が１．４０Ｔであり、熱処理温度の増大とともに
緩やかに増加し、６００℃で飽和し、それ以上高い温度
で熱処理しても飽和磁束密度の値は変わらなかった。そ
して、６５０℃で熱処理した場合が１．６５Ｔであっ
た。また、保磁力Ｈｃは、５００〜６５０℃の間では熱
処理温度Ｔに依存せず、ほぼ０．２Ｏｅであった。そし
て、さらに高い６７０℃で熱処理すると、保磁力が５．
０Ｏｅと急激に増大し、軟磁気特性が劣化する。
た場合が１．４０Ｔであり、熱処理温度の増大とともに
緩やかに増加し、６００℃で飽和し、それ以上高い温度
で熱処理しても飽和磁束密度の値は変わらなかった。そ
して、６５０℃で熱処理した場合が１．６５Ｔであっ
た。また、保磁力Ｈｃは、５００〜６５０℃の間では熱
処理温度Ｔに依存せず、ほぼ０．２Ｏｅであった。そし
て、さらに高い６７０℃で熱処理すると、保磁力が５．
０Ｏｅと急激に増大し、軟磁気特性が劣化する。
【００１９】透磁率μの熱処理温度依存性についても測
定を行った。熱処理温度Ｔを５００℃から６５０℃の範
囲で変えて処理したところ、透磁率μは熱処理温度の増
大とともに６５００（Ｔ＝５００℃）から２０００（Ｔ
＝６５０℃）まで変化した。６５０℃で熱処理しても透
磁率μは２０００であることから、軟磁性材料として十
分な特性を有している。そして、さらに高い６７０℃で
熱処理すると、透磁率μは７００となり磁気ヘッド用の
軟磁性薄膜としては不適当であった。また、磁歪定数λ
ｓは、熱処理温度の増大とともに、８×１０-7から３×
１０-7へと緩やかに減少した。
定を行った。熱処理温度Ｔを５００℃から６５０℃の範
囲で変えて処理したところ、透磁率μは熱処理温度の増
大とともに６５００（Ｔ＝５００℃）から２０００（Ｔ
＝６５０℃）まで変化した。６５０℃で熱処理しても透
磁率μは２０００であることから、軟磁性材料として十
分な特性を有している。そして、さらに高い６７０℃で
熱処理すると、透磁率μは７００となり磁気ヘッド用の
軟磁性薄膜としては不適当であった。また、磁歪定数λ
ｓは、熱処理温度の増大とともに、８×１０-7から３×
１０-7へと緩やかに減少した。
【００２０】このように、結晶化温度Ｔｘ（℃）に対し
て、熱処理温度Ｔ（℃）がＴｘ≦Ｔ≦Ｔｘ＋１５０の範
囲である５００℃から６５０℃の間で熱処理を行うこと
により、良好な軟磁気特性を有する軟磁性膜が得られる
ことがわかる。ここで、結晶化温度Ｔｘより低い温度で
熱処理すると、飽和磁束密度Ｂｓは０．６８Ｔ、保磁力
Ｈｃは３０Ｏｅであり、良好な軟磁気特性を示さなかっ
た。この膜は、Ｘ線的にも電子顕微鏡的にも非晶質であ
った。このような効果は、材料系に依存したものではな
く、微結晶析出により軟磁気特性を発現させるタイプの
材料に対して有効である。
て、熱処理温度Ｔ（℃）がＴｘ≦Ｔ≦Ｔｘ＋１５０の範
囲である５００℃から６５０℃の間で熱処理を行うこと
により、良好な軟磁気特性を有する軟磁性膜が得られる
ことがわかる。ここで、結晶化温度Ｔｘより低い温度で
熱処理すると、飽和磁束密度Ｂｓは０．６８Ｔ、保磁力
Ｈｃは３０Ｏｅであり、良好な軟磁気特性を示さなかっ
た。この膜は、Ｘ線的にも電子顕微鏡的にも非晶質であ
った。このような効果は、材料系に依存したものではな
く、微結晶析出により軟磁気特性を発現させるタイプの
材料に対して有効である。
【００２１】〔実施例２〕実施例１と同様にしてフェラ
イト基板上に成膜した前記組成の磁性膜の熱処理温度Ｔ
を５９０℃に設定し、アルゴン雰囲気中にて、３０分間
磁場（５ｋＯｅ）中で熱処理を行なった。得られた磁性
膜の磁気特性は、飽和磁束密度Ｂｓが１．５８Ｔ、保磁
力Ｈｃが０．１Ｏｅ、５ＭＨｚにおける比透磁率μが４
５００、磁歪定数λｓが５×１０ -7であった。Ｘ線回折
法によりこの磁性膜の回折パターンを測定した結果、得
られた回折ピークは、α−Ｆｅに基づくピークのみであ
り、ＴａＣに基づくピークは非常にブロードであった。
イト基板上に成膜した前記組成の磁性膜の熱処理温度Ｔ
を５９０℃に設定し、アルゴン雰囲気中にて、３０分間
磁場（５ｋＯｅ）中で熱処理を行なった。得られた磁性
膜の磁気特性は、飽和磁束密度Ｂｓが１．５８Ｔ、保磁
力Ｈｃが０．１Ｏｅ、５ＭＨｚにおける比透磁率μが４
５００、磁歪定数λｓが５×１０ -7であった。Ｘ線回折
法によりこの磁性膜の回折パターンを測定した結果、得
られた回折ピークは、α−Ｆｅに基づくピークのみであ
り、ＴａＣに基づくピークは非常にブロードであった。
【００２２】また、α−Ｆｅの（１１０）面の格子面間
隔を求めたところ、ＦｅＴａＣにＣｒやＮｂを添加する
と、格子面間隔は添加濃度の増大とともに増大し、添加
濃度が５ａｔ％のとき０．２０３ｎｍ、添加濃度が１５
ａｔ％のとき０．３０２ｎｍであった。このことは、添
加したＣｒやＮｂ等の元素は、Ｆｅ中に固溶しているこ
とを示している。この磁性膜の膜構造を透過型電子顕微
鏡により観察したところ、Ｆｅ相の結晶粒サイズは１０
〜１５ｎｍの間に分布し、平均結晶粒サイズは１２ｎｍ
であった。また、ＴａＣ相の結晶粒サイズは５ｎｍ以下
で、微細化していることがわかる。
隔を求めたところ、ＦｅＴａＣにＣｒやＮｂを添加する
と、格子面間隔は添加濃度の増大とともに増大し、添加
濃度が５ａｔ％のとき０．２０３ｎｍ、添加濃度が１５
ａｔ％のとき０．３０２ｎｍであった。このことは、添
加したＣｒやＮｂ等の元素は、Ｆｅ中に固溶しているこ
とを示している。この磁性膜の膜構造を透過型電子顕微
鏡により観察したところ、Ｆｅ相の結晶粒サイズは１０
〜１５ｎｍの間に分布し、平均結晶粒サイズは１２ｎｍ
であった。また、ＴａＣ相の結晶粒サイズは５ｎｍ以下
で、微細化していることがわかる。
【００２３】本実施例による磁性膜を０．５規定塩化ナ
トリウム水溶液中に５００時間浸漬させた。その結果、
目視観察から腐食の発生は全く見られなかった。また、
５００時間浸漬した後、磁気特性を測定した結果、飽和
磁束密度Ｂｓは１．５８Ｔ、保磁力Ｈｃは０．１Ｏｅ、
５ＭＨｚにおける比透磁率μは４５００、磁歪定数λｓ
は５×１０-7であり、成膜直後の特性となんら違いは見
られなかった。また、この磁性膜を８０℃で９５％ＲＨ
環境中へ２０００時間以上放置したが、腐食の発生や磁
気特性の変化は見られなかった。このように、Ｆｅ及び
ＴａＣの結晶粒サイズを制御することにより、高耐食性
を有する磁性膜を得ることができた。
トリウム水溶液中に５００時間浸漬させた。その結果、
目視観察から腐食の発生は全く見られなかった。また、
５００時間浸漬した後、磁気特性を測定した結果、飽和
磁束密度Ｂｓは１．５８Ｔ、保磁力Ｈｃは０．１Ｏｅ、
５ＭＨｚにおける比透磁率μは４５００、磁歪定数λｓ
は５×１０-7であり、成膜直後の特性となんら違いは見
られなかった。また、この磁性膜を８０℃で９５％ＲＨ
環境中へ２０００時間以上放置したが、腐食の発生や磁
気特性の変化は見られなかった。このように、Ｆｅ及び
ＴａＣの結晶粒サイズを制御することにより、高耐食性
を有する磁性膜を得ることができた。
【００２４】〔実施例３〕ＦｅＴａＣＣｒＮｂ系磁性膜
について、結晶粒子サイズと飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力
Ｈｃ、耐食性の間の関係を調べた。磁性膜としては、
（Ｆｅ79Ｔａ9Ｃ12）を母組成として、これにＦｅ，Ｔ
ａ，Ｃの各元素の比を一定にしておいて（Ｃｒ50Ｎ
ｂ50）x としてｘ＝６，１０，１４と変化させたＦｅ−
Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ系磁性膜を用いた。磁性膜はフェ
ライト基板上にアルゴンガス中でのスパッタ法により形
成した。スパッタ条件は、ターゲット直径１５０ｍｍ、
投入電力４００Ｗ、放電ガス圧力６ｍｍＴｏｒｒであ
る。磁性膜の形成に先立って、ＳｉＯ2 等を下地膜とし
て５００〜１５００ｎｍ程度積層してもよい。形成した
磁性膜の膜厚は５μｍである。この磁性膜の結晶化温度
を示差熱分析計を用いて測定し、Ａｒ雰囲気中にて３０
分間熱処理して軟磁気特性を発現させた。また、熱処理
温度を変えることによって、種々のα−Ｆｅ相結晶粒サ
イズを有する磁性膜を作製した。
について、結晶粒子サイズと飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力
Ｈｃ、耐食性の間の関係を調べた。磁性膜としては、
（Ｆｅ79Ｔａ9Ｃ12）を母組成として、これにＦｅ，Ｔ
ａ，Ｃの各元素の比を一定にしておいて（Ｃｒ50Ｎ
ｂ50）x としてｘ＝６，１０，１４と変化させたＦｅ−
Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ系磁性膜を用いた。磁性膜はフェ
ライト基板上にアルゴンガス中でのスパッタ法により形
成した。スパッタ条件は、ターゲット直径１５０ｍｍ、
投入電力４００Ｗ、放電ガス圧力６ｍｍＴｏｒｒであ
る。磁性膜の形成に先立って、ＳｉＯ2 等を下地膜とし
て５００〜１５００ｎｍ程度積層してもよい。形成した
磁性膜の膜厚は５μｍである。この磁性膜の結晶化温度
を示差熱分析計を用いて測定し、Ａｒ雰囲気中にて３０
分間熱処理して軟磁気特性を発現させた。また、熱処理
温度を変えることによって、種々のα−Ｆｅ相結晶粒サ
イズを有する磁性膜を作製した。
【００２５】熱処理を施す前の磁性膜は、Ｘ線的にも電
子顕微鏡的にも非晶質であり、その磁気特性は、保磁力
Ｈｃが１０Ｏｅ以上、比透磁率が１００以下、飽和磁束
密度Ｂｓが１．０Ｔ以下と低い軟磁気特性を示した。こ
の磁性膜を上記のような条件で熱処理すると、保磁力Ｈ
ｃが１．０Ｏｅ以下、比透磁率が２０００以上、飽和磁
束密度が１．０Ｔ以上と良好な軟磁気特性を示すように
なる。熱処理後の磁性膜をＸ線回折法によって測定する
と、α−ＦｅのピークとＴａＣのピークが観察された。
ただし、磁性膜の結晶化温度Ｔｘ付近で熱処理すると、
α−Ｆｅのピークのみが観察され、ＴａＣのピークはブ
ロードである。一方、結晶化温度より１５０℃高い温度
で熱処理を行った場合、α−ＦｅのピークとともにＴａ
Ｃのピークも明瞭に観察されるようになる。
子顕微鏡的にも非晶質であり、その磁気特性は、保磁力
Ｈｃが１０Ｏｅ以上、比透磁率が１００以下、飽和磁束
密度Ｂｓが１．０Ｔ以下と低い軟磁気特性を示した。こ
の磁性膜を上記のような条件で熱処理すると、保磁力Ｈ
ｃが１．０Ｏｅ以下、比透磁率が２０００以上、飽和磁
束密度が１．０Ｔ以上と良好な軟磁気特性を示すように
なる。熱処理後の磁性膜をＸ線回折法によって測定する
と、α−ＦｅのピークとＴａＣのピークが観察された。
ただし、磁性膜の結晶化温度Ｔｘ付近で熱処理すると、
α−Ｆｅのピークのみが観察され、ＴａＣのピークはブ
ロードである。一方、結晶化温度より１５０℃高い温度
で熱処理を行った場合、α−ＦｅのピークとともにＴａ
Ｃのピークも明瞭に観察されるようになる。
【００２６】軟磁性膜の耐食性は、０．５規定塩化ナト
リウム溶液に１０時間浸漬し、腐食発生の有無を光学顕
微鏡によって調べた。結晶粒子サイズと、保磁力Ｈｃ、
飽和磁束密度Ｂｓ及び耐食性の関係を図２に示す。図２
の横軸は、α−Ｆｅ粒子の平均粒子サイズを表す。図２
から、軟磁性膜のα−Ｆｅの結晶粒子サイズが５〜２５
ｎｍの範囲であれば、保磁力Ｈｃが１．０Ｏｅ以下、飽
和磁束密度Ｂｓが１．０Ｔ以上と十分な軟磁気特性を示
し、かつ耐食性も良好であることが分かる。特に、α−
Ｆｅの結晶粒子サイズが５〜２０ｎｍの範囲にあれば、
保磁力Ｈｃが０．５Ｏｅ以下、飽和磁束密度Ｂｓが１．
０Ｔ以上となり、極めて良好な軟磁気特性を示す。磁気
ヘッドに用いる軟磁性膜の保磁力Ｈｃは１．０Ｏｅ以下
であることが必要であり、高周波特性を考慮すると０．
５Ｏｅ以下であることが好ましいのであるが、α−Ｆｅ
の結晶粒子サイズが５〜２５ｎｍ、特に５〜２０ｎｍの
範囲であれば、この要求を十分に満足することができ
る。
リウム溶液に１０時間浸漬し、腐食発生の有無を光学顕
微鏡によって調べた。結晶粒子サイズと、保磁力Ｈｃ、
飽和磁束密度Ｂｓ及び耐食性の関係を図２に示す。図２
の横軸は、α−Ｆｅ粒子の平均粒子サイズを表す。図２
から、軟磁性膜のα−Ｆｅの結晶粒子サイズが５〜２５
ｎｍの範囲であれば、保磁力Ｈｃが１．０Ｏｅ以下、飽
和磁束密度Ｂｓが１．０Ｔ以上と十分な軟磁気特性を示
し、かつ耐食性も良好であることが分かる。特に、α−
Ｆｅの結晶粒子サイズが５〜２０ｎｍの範囲にあれば、
保磁力Ｈｃが０．５Ｏｅ以下、飽和磁束密度Ｂｓが１．
０Ｔ以上となり、極めて良好な軟磁気特性を示す。磁気
ヘッドに用いる軟磁性膜の保磁力Ｈｃは１．０Ｏｅ以下
であることが必要であり、高周波特性を考慮すると０．
５Ｏｅ以下であることが好ましいのであるが、α−Ｆｅ
の結晶粒子サイズが５〜２５ｎｍ、特に５〜２０ｎｍの
範囲であれば、この要求を十分に満足することができ
る。
【００２７】前記軟磁性膜の耐食性は、ＦｅＴａＣＣｒ
Ｎｂ系磁性膜の配向性とα−Ｆｅ及びＴａＣの結晶粒子
サイズによって決まる。特に、熱処理温度ＴをＴ＞Ｔｘ
＋１５０とすると、α−Ｆｅの結晶粒子サイズが約２５
ｎｍを越え、ＴａＣの結晶粒子サイズが約１５ｎｍを越
え、耐食性は急速に劣化した。
Ｎｂ系磁性膜の配向性とα−Ｆｅ及びＴａＣの結晶粒子
サイズによって決まる。特に、熱処理温度ＴをＴ＞Ｔｘ
＋１５０とすると、α−Ｆｅの結晶粒子サイズが約２５
ｎｍを越え、ＴａＣの結晶粒子サイズが約１５ｎｍを越
え、耐食性は急速に劣化した。
【００２８】〔実施例４〕種々の組成を有するＦｅ−Ｃ
系、Ｆｅ−Ｎ系、Ｃｏ−Ｃ系、Ｃｏ−Ｎ系、Ｎｉ−Ｃ
系、Ｎｉ−Ｎ系磁性材料の薄膜を作製した。磁性膜は、
フェライト基板上にスパッタ法により形成した。ターゲ
ット直径は１５０ｍｍとし、スパッタ条件は、投入電力
４００Ｗ、放電ガス圧力６ｍＴｏｒｒとした。放電ガス
は、Ｃ系磁性膜形成時にはアルゴンを用いたが、Ｎ系磁
性膜形成時にはＡｒ／Ｎ2 混合ガス（混合比９０／１
０）を用いた。磁性膜の膜厚は５μｍとした。その磁性
膜を、アルゴン雰囲気中にて、各々の磁性膜の結晶化温
度より低い温度、結晶化温度Ｔｘと同じ温度、結晶化温
度より１５０℃高い温度、及び結晶化温度より２００℃
高い温度と、４種類の熱処理温度で熱処理し、得られた
磁性膜の保磁力Ｈｃを測定した。
系、Ｆｅ−Ｎ系、Ｃｏ−Ｃ系、Ｃｏ−Ｎ系、Ｎｉ−Ｃ
系、Ｎｉ−Ｎ系磁性材料の薄膜を作製した。磁性膜は、
フェライト基板上にスパッタ法により形成した。ターゲ
ット直径は１５０ｍｍとし、スパッタ条件は、投入電力
４００Ｗ、放電ガス圧力６ｍＴｏｒｒとした。放電ガス
は、Ｃ系磁性膜形成時にはアルゴンを用いたが、Ｎ系磁
性膜形成時にはＡｒ／Ｎ2 混合ガス（混合比９０／１
０）を用いた。磁性膜の膜厚は５μｍとした。その磁性
膜を、アルゴン雰囲気中にて、各々の磁性膜の結晶化温
度より低い温度、結晶化温度Ｔｘと同じ温度、結晶化温
度より１５０℃高い温度、及び結晶化温度より２００℃
高い温度と、４種類の熱処理温度で熱処理し、得られた
磁性膜の保磁力Ｈｃを測定した。
【００２９】結果を、磁性膜の組成及び結晶化温度Ｔｘ
（℃）と共に下表に示す。表中、保磁力Ｈｃの数値の単
位はエールステッド（Ｏｅ）である。 Tx(℃) ＜Tx Tx Tx+150 Tx+200 Fe73Ta7C10Cr7Ru3 ４９０ ２０ 0.６ 0.６ １５ Fe66Ta14C10Cr7Ru3 ５５０ ２０ 0.６ 0.６ 3.０ Fe73Ta7C10Cr5Rh5 ５００ ３０ 0.２ 0.２ ２５ Fe74Ta7C11Al8 ５００ １５ 0.２ 0.２ ７ Fe73Ta7C10Cr5Ti5 ４９０ １３ 0.２ 0.２ ５ Fe74Ta7C11Cr5Nb3 ５２０ ６ 0.１ 0.１ 3.２ Fe73Ta7N12Al8 ４９０ ７ 0.15 0.15 3.５ Fe74Ta7N12Cr5Ru2 ４８０ １０ 0.３ 0.３ １５ Fe73Ta7N10Cr5Nb5 ５１０ １５ 0.２ 0.２ １０ Fe73Ta7N10Cr5Rh5 ５００ １３ 0.３ 0.３ ８ Fe80Ta7N10Cr2Pt1 ４８０ １３ 0.３ 0.３ ８ Fe66Ta14C10Cr7Ru3 ４９０ ２０ 0.６ 0.６ １５ Fe70Ta7C13Cr7Ru3 ４９０ ２０ 0.６ 0.６ １５ (Fe0.79Zr0.09C0.12)94Cr4Ru2 ４８５ １５ 0.４ 0.４ 4.８ (Fe0.78Zr0.1N0.12)92Al8 ４９０ １５ 0.７ 0.７ 3.２ (Fe0.78Zr0.1N0.12)94Cr4Ru2 ４９０ ５ 0.３ 0.３ １０ (Fe0.78Zr0.1N0.12)90Cr7Nb3 ５１０ １５ 0.２ 0.２ 1.５ (Co0.8Ta0.08C0.12)94Cr4Ru2 ４８５ １０ 0.４ 0.４ ５ (Co0.8Ta0.08C0.12)91Cr6Rh3 ４９０ １５ 0.３ 0.３ 6.２ (Co0.8Ta0.08C0.12)92Al8 ４９０ １５ 0.４ 0.４ 4.８ (Co0.8Ta0.1C0.1)90Cr6Ti4 ４８５ ２０ 0.３ 0.３ 3.５ (Co0.8Ta0.1C0.1)91Cr6Nb3 ５１５ １８ 0.24 0.24 1.３ (Co0.8Ta0.1N0.1)92Al8 ４９０ １５ 0.５ 0.５ 3.２ (Co0.79Ta0.09N0.12)92Cr5Ru3 ４９０ １０ 0.４ 0.４ 7.２ (Co0.79Ta0.09N0.12)91Cr6Nb3 ５２０ １０ 0.24 0.24 1.４ (Co0.79Ta0.09N0.12)91Cr6Rh3 ４９０ １５ 0.35 0.35 7.２ (Co0.8Zr0.07N0.13)89Cr8Pt3 ４９５ １０ 0.４ 0.４ 5.５ (Co0.8Zr0.1C0.1)91Cr6Ru3 ４８５ １０ 0.３ 0.３ １０ (Ni0.82Ta0.07C0.11)91Cr6Ru3 ４８５ １５ 0.６ 0.６ ２５ (Ni0.82Ta0.07C0.11)88Cr8Rh4 ４９０ １５ 0.４ 0.４ ２０ (Ni0.82Ta0.07C0.11)85Al15 ４９５ ３０ 0.８ 0.８ ３８ (Ni0.83Zr0.07C0.1)85Cr8Ti7 ４８５ １８ 0.３ 0.３ １８ (Ni0.83Zr0.07C0.1)90Cr7Nb3 ５３０ １３ 0.２ 0.２ 1.６ (Ni0.8Zr0.08N0.12)90Al10 ４９０ ２５ 0.７ 0.７ 10.1 (Ni0.83Ta0.05N0.12)91Cr6Ru3 ４８５ １８ 0.８ 0.８ １５ (Ni0.83Ta0.05N0.12)90Cr7Nb3 ５１５ １５ 0.４ 0.４ １５ (Ni0.83Ta0.05N0.12)90Cr6Rh4 ４９０ １５ 0.５ 0.５ ９ (Ni0.8Zr0.08N0.12)88Cr8Pt4 ４９５ ２０ 0.３ 0.３ １１ (Ni0.83Zr0.07C0.1)90Cr7Ru3 ４８５ １３ 0.４ 0.４ ２０
（℃）と共に下表に示す。表中、保磁力Ｈｃの数値の単
位はエールステッド（Ｏｅ）である。 Tx(℃) ＜Tx Tx Tx+150 Tx+200 Fe73Ta7C10Cr7Ru3 ４９０ ２０ 0.６ 0.６ １５ Fe66Ta14C10Cr7Ru3 ５５０ ２０ 0.６ 0.６ 3.０ Fe73Ta7C10Cr5Rh5 ５００ ３０ 0.２ 0.２ ２５ Fe74Ta7C11Al8 ５００ １５ 0.２ 0.２ ７ Fe73Ta7C10Cr5Ti5 ４９０ １３ 0.２ 0.２ ５ Fe74Ta7C11Cr5Nb3 ５２０ ６ 0.１ 0.１ 3.２ Fe73Ta7N12Al8 ４９０ ７ 0.15 0.15 3.５ Fe74Ta7N12Cr5Ru2 ４８０ １０ 0.３ 0.３ １５ Fe73Ta7N10Cr5Nb5 ５１０ １５ 0.２ 0.２ １０ Fe73Ta7N10Cr5Rh5 ５００ １３ 0.３ 0.３ ８ Fe80Ta7N10Cr2Pt1 ４８０ １３ 0.３ 0.３ ８ Fe66Ta14C10Cr7Ru3 ４９０ ２０ 0.６ 0.６ １５ Fe70Ta7C13Cr7Ru3 ４９０ ２０ 0.６ 0.６ １５ (Fe0.79Zr0.09C0.12)94Cr4Ru2 ４８５ １５ 0.４ 0.４ 4.８ (Fe0.78Zr0.1N0.12)92Al8 ４９０ １５ 0.７ 0.７ 3.２ (Fe0.78Zr0.1N0.12)94Cr4Ru2 ４９０ ５ 0.３ 0.３ １０ (Fe0.78Zr0.1N0.12)90Cr7Nb3 ５１０ １５ 0.２ 0.２ 1.５ (Co0.8Ta0.08C0.12)94Cr4Ru2 ４８５ １０ 0.４ 0.４ ５ (Co0.8Ta0.08C0.12)91Cr6Rh3 ４９０ １５ 0.３ 0.３ 6.２ (Co0.8Ta0.08C0.12)92Al8 ４９０ １５ 0.４ 0.４ 4.８ (Co0.8Ta0.1C0.1)90Cr6Ti4 ４８５ ２０ 0.３ 0.３ 3.５ (Co0.8Ta0.1C0.1)91Cr6Nb3 ５１５ １８ 0.24 0.24 1.３ (Co0.8Ta0.1N0.1)92Al8 ４９０ １５ 0.５ 0.５ 3.２ (Co0.79Ta0.09N0.12)92Cr5Ru3 ４９０ １０ 0.４ 0.４ 7.２ (Co0.79Ta0.09N0.12)91Cr6Nb3 ５２０ １０ 0.24 0.24 1.４ (Co0.79Ta0.09N0.12)91Cr6Rh3 ４９０ １５ 0.35 0.35 7.２ (Co0.8Zr0.07N0.13)89Cr8Pt3 ４９５ １０ 0.４ 0.４ 5.５ (Co0.8Zr0.1C0.1)91Cr6Ru3 ４８５ １０ 0.３ 0.３ １０ (Ni0.82Ta0.07C0.11)91Cr6Ru3 ４８５ １５ 0.６ 0.６ ２５ (Ni0.82Ta0.07C0.11)88Cr8Rh4 ４９０ １５ 0.４ 0.４ ２０ (Ni0.82Ta0.07C0.11)85Al15 ４９５ ３０ 0.８ 0.８ ３８ (Ni0.83Zr0.07C0.1)85Cr8Ti7 ４８５ １８ 0.３ 0.３ １８ (Ni0.83Zr0.07C0.1)90Cr7Nb3 ５３０ １３ 0.２ 0.２ 1.６ (Ni0.8Zr0.08N0.12)90Al10 ４９０ ２５ 0.７ 0.７ 10.1 (Ni0.83Ta0.05N0.12)91Cr6Ru3 ４８５ １８ 0.８ 0.８ １５ (Ni0.83Ta0.05N0.12)90Cr7Nb3 ５１５ １５ 0.４ 0.４ １５ (Ni0.83Ta0.05N0.12)90Cr6Rh4 ４９０ １５ 0.５ 0.５ ９ (Ni0.8Zr0.08N0.12)88Cr8Pt4 ４９５ ２０ 0.３ 0.３ １１ (Ni0.83Zr0.07C0.1)90Cr7Ru3 ４８５ １３ 0.４ 0.４ ２０
【００３０】磁気ヘッドに用いられる軟磁性膜の保磁力
Ｈｃは、前述のように、１Ｏｅ以下、好ましくは０．５
Ｏｅ以下であることが必要である。上表から、いずれの
磁性膜においても熱処理温度Ｔ（℃）が結晶化温度Ｔｘ
（℃）に対してＴｘ≦Ｔ≦Ｔｘ＋１５０の関係にあれ
ば、良好な磁気特性を有する軟磁性膜が得られることが
分かる。
Ｈｃは、前述のように、１Ｏｅ以下、好ましくは０．５
Ｏｅ以下であることが必要である。上表から、いずれの
磁性膜においても熱処理温度Ｔ（℃）が結晶化温度Ｔｘ
（℃）に対してＴｘ≦Ｔ≦Ｔｘ＋１５０の関係にあれ
ば、良好な磁気特性を有する軟磁性膜が得られることが
分かる。
【００３１】〔実施例５〕前記実施例２の軟磁性膜を用
いて、図３に概略を示すＭＩＧ（メタルインギャップ）
型ヘッドを作製した。磁気ヘッドの作製は、以下のよう
にして行った。前記軟磁性薄膜１を単結晶のフェライト
基板２上に形成した。ギャップ部３は、先のフェライト
基板２上に形成した軟磁性薄膜１上に、ＳｉＯ2を２０
０ｎｍの膜厚に形成した後にＣｒを１００ｎｍの膜厚に
形成することで行った。これを窒素気流中にて６００℃
で１時間熱処理し、同一形状のヘッド基板を融点が４８
０℃の低融点ガラス４によりボンディングした。このガ
ラスボンディング工程における温度は５９０℃とした。
基板２と軟磁性薄膜１の間に、両者の接着性の向上のた
めにＳｉＯ2,Ｃｒ2Ｏ3,Ａｌ2Ｏ3 等からなる接合層を設
けても良い。
いて、図３に概略を示すＭＩＧ（メタルインギャップ）
型ヘッドを作製した。磁気ヘッドの作製は、以下のよう
にして行った。前記軟磁性薄膜１を単結晶のフェライト
基板２上に形成した。ギャップ部３は、先のフェライト
基板２上に形成した軟磁性薄膜１上に、ＳｉＯ2を２０
０ｎｍの膜厚に形成した後にＣｒを１００ｎｍの膜厚に
形成することで行った。これを窒素気流中にて６００℃
で１時間熱処理し、同一形状のヘッド基板を融点が４８
０℃の低融点ガラス４によりボンディングした。このガ
ラスボンディング工程における温度は５９０℃とした。
基板２と軟磁性薄膜１の間に、両者の接着性の向上のた
めにＳｉＯ2,Ｃｒ2Ｏ3,Ａｌ2Ｏ3 等からなる接合層を設
けても良い。
【００３２】この磁気ヘッドを、図４に機能ブロック図
を示す磁気記録再生装置、すなわちＶＴＲ装置に組み込
んだ。このＶＴＲ装置は周知の構成の記録回路と再生回
路を有し、周知の駆動手段によって駆動されて走行する
磁気記録テープ２１に接触する磁気ヘッド２２によっ
て、回転トランス２３を介して伝達される情報の書き込
み及び再生を行う。記録回路はプリ・エンファシス回路
２６、ＦＭ変調器２７、記録イコライザ２８、記録増幅
器２９を含み、再生回路は再生前置増幅器３０、再生イ
コライザ３１、リミッタ３２、ＦＭ復調器３３、低域フ
ィルタ３４、タイムベースコレクタ３５等を含む。記録
動作と再生動作は、スイッチ２４を切り替えることによ
り同一の磁気ヘッド２２を用いて行われる。
を示す磁気記録再生装置、すなわちＶＴＲ装置に組み込
んだ。このＶＴＲ装置は周知の構成の記録回路と再生回
路を有し、周知の駆動手段によって駆動されて走行する
磁気記録テープ２１に接触する磁気ヘッド２２によっ
て、回転トランス２３を介して伝達される情報の書き込
み及び再生を行う。記録回路はプリ・エンファシス回路
２６、ＦＭ変調器２７、記録イコライザ２８、記録増幅
器２９を含み、再生回路は再生前置増幅器３０、再生イ
コライザ３１、リミッタ３２、ＦＭ復調器３３、低域フ
ィルタ３４、タイムベースコレクタ３５等を含む。記録
動作と再生動作は、スイッチ２４を切り替えることによ
り同一の磁気ヘッド２２を用いて行われる。
【００３３】このＶＴＲ装置を用い、相対速度３６ｍ／
ｓ、データレート４６．１Ｍｂｐｓ、トラック幅４０μ
ｍで、ハイビジョンのディジタル情報を記録した。記録
された画像情報信号を再生してみたところ、再生信号の
Ｓ／Ｎは４０ｄＢであった。これに対して、Ｔｘ＋２０
０℃で熱処理した磁気ヘッドを用いたＶＴＲ装置におけ
る再生時のＳ／Ｎは３４ｄＢと小さく、また安定した再
生ができず、高密度記録はできなかった。本実施例のＭ
ＩＧ型磁気ヘッドの耐食性を、０．５規定塩化ナトリウ
ム水溶液中への浸漬試験法、及び高温高湿度環境（温度
６０℃、相対湿度９５％）中での結露試験法により評価
した。まず、ＭＩＧ型ヘッドチップを０．５規定塩化ナ
トリウム水溶液中へ５００時間浸漬した。その後、この
ヘッドを再び装置にセットして記録再生特性を測定し
た。その結果、浸漬前となんら記録再生特性に違いは見
られなかった。
ｓ、データレート４６．１Ｍｂｐｓ、トラック幅４０μ
ｍで、ハイビジョンのディジタル情報を記録した。記録
された画像情報信号を再生してみたところ、再生信号の
Ｓ／Ｎは４０ｄＢであった。これに対して、Ｔｘ＋２０
０℃で熱処理した磁気ヘッドを用いたＶＴＲ装置におけ
る再生時のＳ／Ｎは３４ｄＢと小さく、また安定した再
生ができず、高密度記録はできなかった。本実施例のＭ
ＩＧ型磁気ヘッドの耐食性を、０．５規定塩化ナトリウ
ム水溶液中への浸漬試験法、及び高温高湿度環境（温度
６０℃、相対湿度９５％）中での結露試験法により評価
した。まず、ＭＩＧ型ヘッドチップを０．５規定塩化ナ
トリウム水溶液中へ５００時間浸漬した。その後、この
ヘッドを再び装置にセットして記録再生特性を測定し
た。その結果、浸漬前となんら記録再生特性に違いは見
られなかった。
【００３４】また、高温高湿度環境中での結露試験法に
よる評価は、本実施例のＭＩＧ型ヘッドをペルチェ素子
上に固定して１０℃に保ち、全体を温度６０℃、相対湿
度９５％環境中へ放置した。その結果、ヘッド全体に結
露が生じた。この状態のまま高温高湿度環境中に２００
０時間以上放置したが、腐食の発生や記録再生信号の劣
化は見られなかった。前記実施例ではＶＴＲ用の磁気ヘ
ッドを例に説明したが、本発明の方法で熱処理した軟磁
性薄膜を用いる本発明の磁気ヘッドは磁気ディスクやヘ
リカルスキャンを用いた磁気テープ装置等に対しても適
用できる。
よる評価は、本実施例のＭＩＧ型ヘッドをペルチェ素子
上に固定して１０℃に保ち、全体を温度６０℃、相対湿
度９５％環境中へ放置した。その結果、ヘッド全体に結
露が生じた。この状態のまま高温高湿度環境中に２００
０時間以上放置したが、腐食の発生や記録再生信号の劣
化は見られなかった。前記実施例ではＶＴＲ用の磁気ヘ
ッドを例に説明したが、本発明の方法で熱処理した軟磁
性薄膜を用いる本発明の磁気ヘッドは磁気ディスクやヘ
リカルスキャンを用いた磁気テープ装置等に対しても適
用できる。
【００３５】
【発明の効果】成膜後、軟磁気特性を発現させるための
熱処理温度を磁性薄膜の結晶化温度にリンクさせて決定
するため、析出してくる微結晶のサイズを最適制御で
き、高飽和磁束密度を有し、良好な軟磁気特性を有する
軟磁性膜が安定して得られるとともに、磁性膜の耐食性
向上が図れる。この磁性膜を用いて磁気ヘッドを作製す
ると、高性能でしかも高信頼性を有する磁気ヘッドが得
られる。
熱処理温度を磁性薄膜の結晶化温度にリンクさせて決定
するため、析出してくる微結晶のサイズを最適制御で
き、高飽和磁束密度を有し、良好な軟磁気特性を有する
軟磁性膜が安定して得られるとともに、磁性膜の耐食性
向上が図れる。この磁性膜を用いて磁気ヘッドを作製す
ると、高性能でしかも高信頼性を有する磁気ヘッドが得
られる。
【図１】熱処理温度と保磁力及び飽和磁束密度との関係
を示す図。
を示す図。
【図２】結晶粒子サイズと保磁力、飽和磁束密度及び耐
食性の関係を示す図。
食性の関係を示す図。
【図３】メタルインギャップ（ＭＩＧ）型磁気ヘッドの
構造を示す図
構造を示す図
【図４】磁気記録再生装置の概略ブロック図。
１…軟磁性薄膜、２…フェライト基板、３…ギャップ
部、４…低融点ガラス部、２１…磁気テープ、２２…磁
気ヘッド、２３…回転トランス、２４…スイッチ、２６
…プリエンファシス、２７…ＦＭ変調器、２８…記録イ
コライザ、２９…記録増幅器、３０…再生前置増幅器、
３１…再生イコライザ、３２…リミッタ、３３…ＦＭ復
調器、３４…低域フィルタ、３５…タイムベースコレク
タ
部、４…低融点ガラス部、２１…磁気テープ、２２…磁
気ヘッド、２３…回転トランス、２４…スイッチ、２６
…プリエンファシス、２７…ＦＭ変調器、２８…記録イ
コライザ、２９…記録増幅器、３０…再生前置増幅器、
３１…再生イコライザ、３２…リミッタ、３３…ＦＭ復
調器、３４…低域フィルタ、３５…タイムベースコレク
タ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森脇 英稔 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】 結晶化温度がＴｘ（℃）であるＦｅ−Ｃ
系、Ｆｅ−Ｎ系、Ｃｏ−Ｃ系、Ｃｏ−Ｎ系、Ｎｉ−Ｃ系
又はＮｉ−Ｎ系磁性材料の薄膜に対してＴｘ≦Ｔ≦Ｔｘ
＋１５０で表される熱処理温度Ｔ（℃）で熱処理を行う
ことにより軟磁気特性を発現させることを特徴とする軟
磁性薄膜の熱処理方法。 - 【請求項２】 前記磁性材料はＺｒ，Ｎｂ，Ｔａの中か
ら選ばれる少なくとも１種類の元素を５〜２０ａｔ％、
Ｎ，Ｃの中から選ばれる少なくとも１種類の元素を１〜
２０ａｔ％、Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔ
ｉの中から選ばれる少なくとも１種類もしくは２種類の
元素を０．５〜１５ａｔ％含み、残部がＦｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉの中から選ばれる少なくとも１種類の元素である合金
であることを特徴とする請求項１記載の軟磁性薄膜の熱
処理方法。 - 【請求項３】 前記磁性材料はＺｒ，Ｎｂ，Ｔａの中か
ら選ばれる少なくとも１種類の元素を５〜１５ａｔ％、
Ｎ，Ｃの中から選ばれる少なくとも１種類の元素を８〜
１５ａｔ％、Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔ
ｉの中から選ばれる少なくとも１種類もしくは２種類の
元素を３〜１０ａｔ％含むことを特徴とする請求項２記
載の軟磁性薄膜の熱処理方法。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３記載の熱処理方法に
よって熱処理され、粒子サイズが５〜２５ｎｍであるα
−Ｆｅ相の微結晶を含むことを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項５】 磁性膜として請求項４記載の軟磁性薄膜
を用いたことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記磁気ヘッドは融点が（Ｔｘ＋１５
０）℃以下であるボンディングガラスを用いて磁性膜面
が相対峙するように接着したことを特徴とするメタル・
イン・ギャップ型磁気ヘッドであることを特徴とする請
求項５記載の磁気ヘッド。 - 【請求項７】 請求項５又は請求項６記載の磁気ヘッド
と、磁気記録媒体駆動手段と、信号処理手段とを含むこ
とを特徴とする磁気記録再生装置。 - 【請求項８】 前記磁気記録媒体駆動手段は、テープ状
の磁気記録媒体又は円板状の磁気記録媒体を駆動するこ
とを特徴とする請求項７記載の磁気記録再生装置。 - 【請求項９】 画像情報及び／又は音声情報を記録再生
することを特徴とする請求項７又は８記載の磁気記録再
生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7895894A JPH07288207A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7895894A JPH07288207A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07288207A true JPH07288207A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=13676409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7895894A Pending JPH07288207A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07288207A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013047328A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金およびスパッタリングターゲット材並びに軟磁性薄膜層を有する垂直磁気記録媒体 |
-
1994
- 1994-04-18 JP JP7895894A patent/JPH07288207A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013047328A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金およびスパッタリングターゲット材並びに軟磁性薄膜層を有する垂直磁気記録媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0178080B1 (ko) | 연자성막 및 그것을 사용한 자기헤드와 자기기록장치 | |
| KR100279786B1 (ko) | 연자성 박막과 그것을 사용한 자기헤드 및 자기기록장치 | |
| US6033792A (en) | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording device using the same | |
| JPH07116563B2 (ja) | Ｆｅ基軟磁性合金 | |
| US5873955A (en) | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording device using the same | |
| JPH07288207A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド | |
| JP3386270B2 (ja) | 磁気ヘッド及び磁気記録装置 | |
| JPH07288208A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH09283333A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH08316032A (ja) | 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置 | |
| JPH08107036A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気記録装置 | |
| JPH07238369A (ja) | 合金ターゲット，磁性薄膜，磁気記録装置およびそれらの製造方法 | |
| JPH0887710A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置 | |
| JPH09326313A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド，磁気記録装置 | |
| JPH07235421A (ja) | 軟磁性薄膜、及びそれを用いた磁気ヘッド，磁気記録装置 | |
| JPH07307003A (ja) | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 | |
| JPH09134818A (ja) | 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッド及び磁気記録装置 | |
| JPH09147342A (ja) | 磁気記録装置、磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH09320845A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド，磁気記録装置 | |
| JPH08181030A (ja) | 磁性薄膜の製造方法、及びそれを用いた磁気ヘッド，磁気記録装置 | |
| JPH08236348A (ja) | 軟磁性薄膜、及び、それを用いた磁気ヘッド，磁気記録装置 | |
| JPH08306529A (ja) | 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置 | |
| JPH07282410A (ja) | 磁気ヘッドの構造及びそれを用いた磁気記録装置 | |
| JPH0950607A (ja) | 磁性膜、磁気ヘッドおよび磁気記録装置 | |
| JP2657710B2 (ja) | 軟磁性薄膜の製造方法 |