KR20000068295A - 석판 인쇄용 세정제 - Google Patents

석판 인쇄용 세정제 Download PDF

Info

Publication number
KR20000068295A
KR20000068295A KR1019997001441A KR19997001441A KR20000068295A KR 20000068295 A KR20000068295 A KR 20000068295A KR 1019997001441 A KR1019997001441 A KR 1019997001441A KR 19997001441 A KR19997001441 A KR 19997001441A KR 20000068295 A KR20000068295 A KR 20000068295A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
propylene glycol
resist
propanol
alkyl ether
organic solvent
Prior art date
Application number
KR1019997001441A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100578264B1 (ko
Inventor
다케다다카시
Original Assignee
데머 얀, 당코 제니아 떼.
클라리언트 인터내셔널 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 데머 얀, 당코 제니아 떼., 클라리언트 인터내셔널 리미티드 filed Critical 데머 얀, 당코 제니아 떼.
Publication of KR20000068295A publication Critical patent/KR20000068295A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100578264B1 publication Critical patent/KR100578264B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3227—Ethers thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/263—Ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/264—Aldehydes; Ketones; Acetals or ketals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/266—Esters or carbonates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/20—Industrial or commercial equipment, e.g. reactors, tubes or engines

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 도포기 컵(coater cup) 내부를 포함하여 도포기를 세정하고, 내식막을 도포하는 동안 또는 도포한 후에 기판으로부터 불필요한 내식막을 제거하며, 내식막을 의도한 대로 사용한 후에 기판으로부터 내식막을 제거하고, 내식막을 제거한 기판을 세정하거나 세척하는 데 유용하고 기타 목적에도 유용하며, 내식막을 용해시키는 능력이 우수하고 인체에 매우 안전한 석판 인쇄용 세정제에 관한 것이다. 당해 세정제는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 알킬 에테르, 에틸렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 알킬 아세테이트, 알킬 프로피오네이트, 알킬 알콕시프로피오네이트, 알킬 락테이트, 지방족 케톤 및 알콕시부탄올로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매와 각각 탄소수 1 내지 4의 알킬 그룹을 갖는 알콜로부터 선택된 하나 이상의 알콜을 포함하는 균질 용액을 포함한다.

Description

석판 인쇄용 세정제{Detergent for lithography}
발명의 분야
본 발명은 내식막 등을 용해시키거나 제거하는 데 사용되는 석판 인쇄용 세정제, 특히 도포기, 예를 들면 도포기 컵(coater cup) 내부를 세정하고, 내식막을 도포할 때 또는 도포한 후에 기판으로부터 불필요한 내식막을 제거하며, 내식막을 이용하여 목적을 달성한 후에 기판으로부터 내식막을 제거하고, 내식막을 제거한 후에 기판을 세정하거나 세척하는 데 유용하게 사용될 수 있는 석판 인쇄용 세정제에 관한 것이다.
발명의 배경
집적 회로 소자, 칼라 필터(color filter), 액정 디스플레이 소자 등을 제조하는 데에 통상적으로 내식막을 이용하는 석판 인쇄법을 이용한다. 예를 들면, 석판 인쇄법을 이용하여 집적 회로 등을 제조하는 경우, 경우에 따라 기판 위에 반사 방지 피막을 형성시킨 후, 여기에 포지티브 작용성 내식막 또는 네가티브 작용성 내식막을 도포하고 용매를 베이킹에 의해 제거하고, 경우에 따라 내식막 층 위에 반사 방지 피막을 형성시킨 후, 이것을 자외선, 심자외선, 전자 비임, X-선 등에 노출시킨 다음, 경우에 따라 베이킹하고, 현상하여 내식막 패턴을 형성시킨다. 이후에, 경우에 따라 베이킹하고, 기판에 에칭 공정 등을 수행한 후, 일반적으로 내식막을 제거한다.
내식막을 도포하기 위해, 스핀 도포법, 롤러(roller) 도포법, 리버스 롤러 도포법, 캐스트(cast) 도포법, 닥터(doctor) 도포법, 침지 도포법 등과 같은 다양한 방법을 이용한다. 예를 들면, 집적 회로 소자를 제조하는 경우, 내식막을 도포하는 방법으로서 주로 스핀 도포법을 이용한다. 스핀 도포법에서는, 내식막 용액을 기판 위에 떨어뜨리고, 기판을 회전시키기 때문에 떨어뜨린 내식막 용액이 기판의 외부 둘레 쪽 방향으로 유연(cast: 流延)되어, 과량의 내식막 용액이 기판의 외부 둘레로부터 산포되어 제거됨으로써, 목적하는 두께의 필름을 갖는 내식막 층이 형성된다. 과량의 내식막의 일부는 도포기 컵 속에 존재하고 시간에 따라 용매가 증발되면서 고화된다. 고화된 물질은 미세 분말이 되고, 이어서, 산포되어 기판에 부착되므로, 내식막 패턴에 흠(defect)이 생긴다. 이 현상을 방지하기 위해서는, 소수개의 기판 도포 후 내지 다수개의 기판 도포 후 마다 도포기 컵을 세정해야 한다. 또한, 스핀 도포법으로 기판 위에 목적하는 두께를 갖는 내식막 층을 형성시킨 경우, 내식막 용액의 일부가 기판 배면으로 더 이동하거나 내식막 용액이 기판의 외부 둘레 위에 두껍게 남아 있는[즉, 비이드(bead)가 형성되는] 단점이 있으므로, 기판 측면, 외부 둘레 또는 배면으로부터 불필요한 내식막 또는 비이드를 제거해야 한다. 또한, 심지어 스핀 도포법 이외의 기타 도포법의 경우에도, 스핀 도포법에서와 같이 내식막이 부적절한 부위에 부착된다. 기판에 에칭 공정 등을 수행한 후, 일반적으로 내식막을 제거하는데, 심지어 이 제거 단계에서도 일반적으로 유기 용매를 사용하여 내식막을 용해시키고 제거한다.
내식막을 용해시켜 제거한 기판의 표면은 일반적으로 정제수 등으로 세정하고 이로써 기판 표면 위에 잔류하는 미립자를 제거함으로써 오염물질을 제거한 후, 다음 단계를 수행한다. 내식막을 제거하는 데 사용하는 용매가 수불용성 유기 용매이거나 아민 유형 유기 용매인 경우, 내식막을 제거하는 단계 직후에 정제수로 세정하기 보다는 정제된 수용성 유기 용매로 종종 세정한다. 이렇게 하는 이유는 수불용성 유기 용매를 내식막 제거액으로서 사용하는 경우, 이 용매 속에 용해된 내식막이 정제수와 혼합될 때 용매 속에서 침전되는 것을 방지함으로써 기판에 재부착되는 것을 방지하고, 기판 표면 위에 존재하는 수불용성 유기 용매가 일단 수용성 유기 용매로 교체되어 정제수로 교체하기가 용이하기 때문이다. 아민 유형 유기 용매를 내식막 제거액으로서 사용하는 경우, 이 용매는 정제수 속에 잔류하여 정제수를 알칼리성화하므로 금속 기판의 부식이 방지된다.
도포 단계 완료 후, 도포기는 이후에 사용하거나 다른 물질을 도포하는 데 재사용하기 위해 세정해야 하며, 또는 반사 방지 피막이 기판과 내식막 층 사이에 존재하는 경우, 경우에 따라 내식막 패턴을 형성시킨 후에 반사 방지 피막을 용매를 사용하여 제거할 수 있다.
위에 기재한 바와 같이, 세정제는 석판 인쇄 공정의 각종 단계에서 사용하며, 이러한 세정제로서, 유기 용매로 이루어진 광범위한 각종 세정제가 공지되어 있다[참고: 일본 공개 특허공보 제4-49938호].
그러나, 일부 통상적인 세정제는 내식막 용해 능력이 불량하기 때문에 긴 시간을 필요로 하거나 다량으로 사용해야 하며, 일부는 특성이 매우 크므로, 우수한 용매 특성과 인체에 대한 안전성 둘다를 충족시키는 세정제는 존재하지 않았으며, 따라서, 용매 특성과 인체에 대한 안전성 둘다를 충족시키는 세정제가 매우 요구되었다. 위에서 집적 회로 소자의 제조에 대하여 기술하였으나, 위의 기술은 집적 회로 소자의 제조 뿐만 아니라 칼라 필터, 액정 소자 등의 제조에도 적용된다.
본 발명의 목적은 앞에서 언급한 문제를 갖지 않는 석판 인쇄용 세정제, 즉 도포기, 예를 들면, 도포기 컵 내부를 세정하고, 내식막을 도포할 때 또는 도포한 후에 기판으로부터 불필요한 내식막을 제거하며, 내식막을 이용하여 목적을 달성한 후에 기판으로부터 내식막을 제거하고, 내식막을 제거한 후에 기판을 세정하거나 세척하는 데 유용하게 사용될 수 있는 세정제로서, 용해 능력이 높아 소량으로 신속하게 충분히 세정할 수 있고 인체에 매우 안전한 세정제를 제공하는 것이다.
본 발명자들이 예의 연구한 결과, 특정 유기 용매와 특정 알콜과의 균질 혼합물을 석판 인쇄용 세정제로서 사용함으로써 위의 목적을 달성할 수 있음을 밝혀내어 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 아래의 그룹 A의 매우 안전한 유기 용매로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매와 탄소수 1 내지 4의 알킬 그룹을 갖는 알콜로부터 선택된 하나 이상의 알콜을 포함하는 균질 용액을 포함하는 석판 인쇄용 세정제에 관한 것이다.
그룹 A
프로필렌 글리콜 알킬 에테르,
프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트,
에틸렌 글리콜 알킬 에테르,
에틸렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트,
아세트산 알킬 에스테르,
프로피온산 알킬 에스테르,
알콕시프로피온산 알킬 에스테르,
락트산 알킬 에스테르,
지방족 케톤 및
알콕시부탄올.
본 발명의 또 다른 양태는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르와 탄소수 1 내지 4의 알킬 그룹을 갖는 알콜로부터 선택된 하나 이상의 알콜을 포함하는 균질 용액을 포함하는 석판 인쇄용 세정제에 관한 것이다.
본 발명의 추가의 양태는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르로부터 선택된 하나 이상의 프로필렌 글리콜 알킬 에테르와, 에탄올, 1-프로판올 및 2-프로판올로부터 선택된, 탄소수 1 내지 4의 알킬 그룹을 갖는 하나 이상의 알콜을 포함하는 균질 용액을 포함하는 석판 인쇄용 세정제에 관한 것이다.
본 발명의 추가의 양태는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트와, 탄소수 1 내지 4의 알킬 그룹을 갖는 알콜로부터 선택된 하나 이상의 알콜을 포함하는 균질 용액을 포함하는 석판 인쇄용 세정제에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 추가의 양태는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트와 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트로부터 선택된 하나 이상의 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트와, 에탄올, 1-프로판올 및 2-프로판올로부터 선택된, 탄소수 1 내지 4의 알킬 그룹을 갖는 하나 이상의 알콜을 포함하는 균질 용액을 포함하는 석판 인쇄용 세정제에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 추가의 양태는 에틸렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트, n-부틸 아세테이트, 메톡시프로피온산 메틸 에스테르, 에톡시프로피온산 에틸 에스테르, 2-헵텐, 메톡시부탄올 및 에틸 락테이트로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매와, 에탄올, 1-프로판올 및 2-프로판올로부터 선택된 하나 이상의 알콜을 포함하는 균질 용액을 포함하는 석판 인쇄용 세정제에 관한 것이다.
본 발명에서, 그룹 A 중 바람직한 용매는 아래와 같다:
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 모노-n-부틸 에테르 등과 같은 프로필렌 글리콜 알킬 에테르(1);
프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 등과 같은 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트(2);
에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르 등과 같은 에틸렌 글리콜 알킬 에테르(3);
에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 등과 같은 에틸렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트(4);
프로필 아세테이트, n-부틸 아세테이트, n-아밀 아세테이트 등과 같은 아세트산 알킬 에스테르(5);
메틸 프로피오네이트, 에틸 프로피오네이트, 프로필 프로피오네이트, 부틸 프로피오네이트 등과 같은 프로피온산 알킬 에스테르(6);
메톡시프로피온산 메틸 에스테르, 에톡시프로피온산 에틸 에스테르, 메톡시프로피온산 에틸 에스테르, 에톡시프로피온산 메틸 에스테르 등과 같은 알콕시프로피온산 알킬 에스테르(7);
메틸 락테이트, 에틸 락테이트 등과 같은 락트산 알킬 에스테르(8);
2-부타논, 2-펜타논, 2-헥사논, 2-헵타논 등과 같은 지방족 케톤(9) 및
메톡시부탄올, 에톡시부탄올 등과 같은 알콕시부탄올(10).
위에 열거한 용매 중에서 특히 바람직한 용매는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, n-부틸 아세테이트, 메톡시프로피온산 메틸 에스테르, 에톡시프로피온산 에틸 에스테르, 에틸 락테이트, 2-헵타논 및 메톡시부탄올이다.
그룹 A의 유기 용매는 단독으로 또는 이들의 혼합물로서 사용할 수 있다. 둘 이상의 유기 용매의 바람직한 혼합물에는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르와 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트와의 혼합물, 특히 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트와의 혼합물이 포함된다.
탄소수 1 내지 4의 알킬 그룹을 갖는 알콜에는 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올 등이 포함되지만, 안전성을 고려하는 경우, 1-프로판올과 2-프로판올이 바람직하다. 이들 알콜은 단독으로 또는 이들의 혼합물로서 사용할 수 있다. 둘 이상의 알콜의 혼합물에는, 예를 들면, 에탄올과 1-프로판올과의 혼합물 및 에탄올과 2-프로판올과의 혼합물이 포함된다.
그룹 A의 유기 용매 또는 알콜의 바람직한 예를 위에 예시하였지만, 본 발명에서 사용할 수 있는 그룹 A의 유기 용매 또는 알콜은 당연히 이들 구체적으로 예시한 것들로 제한되지는 않는다.
그룹 A의 유기 용매와 알콜의 혼합비는 사용하는 유기 용매 또는 알콜의 종류나 사용하는 혼합물의 종류에 따라 변한다. 그러나, 그룹 A의 유기 용매:알콜의 혼합 중량비는 10:90 내지 99:1, 더욱 바람직하게는 40:60 내지 90:10, 가장 바람직하게는 60:40 내지 80:20이다(이후에 "비율"은 중량을 기준으로 하여 나타낸다).
본 발명에 따르는 석판 인쇄용 세정제는 당해 분야에 공지된 임의의 포지티브-작용성 내식막 또는 네가티브-작용성 내식막을 사용하는 석판 인쇄법에 사용할 수 있다. 본 발명의 석판 인쇄용 세정제를 사용할 수 있는 전형적인 내식막의 예에는, 예를 들면 퀴논 디아지드 감광제와 알칼리 가용성 수지로 이루어진 내식막과 화학적으로 증폭된 내식막과 같은 포지티브-작용성 내식막 및, 감광제 그룹(예: 폴리비닐 시나메이트)를 갖는 중합체 화합물을 함유하는 내식막, 방향족 아지드 화합물을 함유하는 내식막, 사이클릭 고무로 이루어진 아지드 화합물과 비스-아지드 화합물을 함유하는 내식막, 디아조 수지를 함유하는 내식막, 부가-중합가능한 불포화 화합물을 함유하는 광-중합가능한 조성물, 화학적으로 개질된 네가티브 내식막 등과 같은 네가티브-작용성 내식막이 포함된다.
본 발명의 세정제가 사용되는 바람직한 내식막 물질은 위에 기재된, 퀴논 디아지드 감광제와 알칼리 가용성 수지로 이루어진 내식막 물질이며, 이 내식막 물질에 사용되는 퀴논 디아지드 감광제와 알칼리 가용성 수지의 예에는 1,2-벤조퀴논디아지도-4-설폰산, 1,2-나프토퀴논디아지도-4-설폰산, 1,2-나프토퀴논디아지도-5-설폰산 및 이들 설폰산들의 에스테르 또는 아미드와 같은 퀴논 디아지드 감광제와, 폴리비닐 페놀, 폴리비닐 알콜, 아크릴산 또는 메타크릴산의 공중합체 및, 예를 들면, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 크실레놀 등과 같은 하나 이상의 페놀과 포름알데히드, 파라포름알데히드 등과 같은 알데히드로부터 제조된 노볼락 수지와 같은 알칼리 가용성 수지가 포함된다.
또한, 본 발명의 세정제가 사용되는 바람직한 내식막은 화학적으로 증폭된 내식막이다. 화학적으로 증폭된 내식막은 방사선 노출시 산을 생성하며, 이 산의 촉매 작용으로 인한 화학적 변화에 의해 현상액의 노출된 부분의 용해도가 변화되어 패턴을 형성하고, 예를 들면, 방사선 노출시 산을 형성하는 산-생성 화합물과 산의 존재하에 분해되어 알칼리 가용성 그룹(예: 페놀성 하이드록실 그룹 또는 카복실 그룹)을 형성하는 산 민감성 그룹 함유 수지 뿐만 아니라, 알칼리 가용성 수지, 가교결합제 및 산 생성제로 이루어진 수지를 언급할 수 있다.
본 발명에 따르는 석판 인쇄용 세정제는 기판이 노광시 빛을 반사하는 것을 방지하거나 빛의 간섭이 내식막 층에서 발생하는 것을 방지하기 위해 사용하는 반사 방지 피막용의 공지된 조성물 이외에, 용매가 유기 용매인 일부 조성물에 사용할 수 있다.
본 발명의 세정제의 도포와 내식막 패턴을 형성하는 방법은 아래와 같다: 먼저, 경우에 따라 예비처리한 실리콘 기판, 유리 기판 등에 스핀 포법과 같은 공지된 도포법으로 내식막 용액을 도포한다. 경우에 따라 내식막을 도포하기 전 또는 도포한 후 반사 방지 피막을 도포하여 형성시킨다. 예를 들면 스핀 도포법으로 이러한 피막을 형성하는 경우, 내식막 또는 반사 방지 피막의 비이드가 기판의 가장자리에 형성되는 경향이 있지만, 회전하는 가장자리에 본 발명의 세정제를 분무하여 비이드의 유동성을 증진시킴으로써 실질적으로 두께가 일정한 내식막 층 또는 반사 방지 피막을 기판에 형성시킬 수 있다. 추가로, 기판의 외부 둘레 또는 배면으로 이동한 내식막 또는 반사 방지 피막을 이들 부위에 세정제를 분무하여 제거할 수 있다.
기판에 도포된 내식막은 예를 들면 가열판 위에서 예비베이킹하여, 용매를 제거함으로써 일반적으로 두께가 약 1 내지 2.5㎛인 내식막 층을 형성시킨다. 예비베이킹 온도는 사용하는 용매 또는 내식막의 종류에 따라 변화시켜야 하지만, 일반적으로 20 내지 200℃, 바람직하게는 50 내지 150℃의 온도에서 예비베이킹한다. 이후에, 경우에 따라, 내식막 층을 마스크를 통해 공지된 조사 장치, 예를 들면, 고압 수은 램프, 금속 할로겐화물 램프, 초고압 수은 램프, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, 소프트 X-선 조사 기구, 전자 비임 드로잉 장치(electron beam drawing apparatus) 등으로부터 조사되는 방사선에 노출시킨 후, 경우에 따라 후-베이킹을 수행하여 현상 특성, 용해도, 패턴 형상 등을 향상시킨 다음, 현상하여 내식막 패턴을 형성시킨다. 내식막의 현상은 일반적으로 알칼리성 현상액을 사용하여 수행한다. 사용하는 알칼리성 현상액은 물 또는 수산화나트륨, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 등의 수용액이다.
내식막 패턴을 형성시킨 후, 회로 소자를 형성시키기 위해 내식막 패턴을 이용하여 에칭, 도금, 이온 확산 등과 같은 소정의 처리를 수행하고, 본 발명의 세정제를 사용하여 내식막 패턴을 제거한다. 이렇게 제거한 후, 경우에 따라, 본 발명의 세정제를 사용하여 세척할 수 있다. 추가로, 내식막 제거용 용매가 본 발명의 수불용성 용매 또는 아민 유형 유기 용매와 상이한 용매인 경우, 경우에 따라, 본 발명의 세정제를 사용하여 세척한 후, 정제수로 세척한다. 추가로, 본 발명의 세정제를 사용하여 효과적으로 도포기를 세정할 수도 있다.
이후에, 본 발명을 실시예와 비교 실시예를 참고로 더욱 상세하게 기술하지만, 이들 실시예와 비교 실시예로 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예 1
아래의 노볼락 수지 100중량부와 퀴논 디아지드 감광제 24중량부를 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 속에 고형분 함량 25%로 용해시켜 내식막을 제조한다. 4inch 실리콘 기판 위에 피복 층의 두께가 예비베이킹 후 2㎛가 되도록 내식막을 스핀 도포한 후, 직접식 가열판 위에서 90초 동안 100℃에서 예비베이킹시켜 내식막 층을 형성시킨다. 실시예 1을 포함한 아래의 실시예에서는 내식막 층을 통상적으로 사용하는 내식막 층보다 더 두껍게 형성시켜 용해도 시험을 수행한다.
노볼락 수지: m-크레졸/p-크레졸(6:4)과 포름알데히드의 중축합물.
퀴논 디아지드 감광제: 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논과 1,2-나프토퀴논디아지도-5-설포닐 클로라이드와의 에스테르 생성물.
이렇게 형성된 내식막 층의 용해도를 아래의 용해도 시험에서, 표 1에 나타낸 바와 같은 다양한 비율의 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)와 에탄올로 이루어진 세정제 1-(1) 내지 1-(5)를 사용하여 평가하고 표 1의 결과를 수득한다.
(용해도 시험)
위의 방법으로 내식막 층을 형성시킨 기판을 세정제 50㎖ 속에 침지시키고, 내식막 층 전체가 용해되어 제거될 때까지 경과한 시간[용해 시간(초)]을 육안으로 측정한 후, 내식막 층의 두께(Å)를 용해 시간으로 나누어 용해 속도(Å/초)를 계산한다.
비교 실시예 1과 2
세정제로서, 단독 용매 PGMA를 사용(비교 실시예 1)하거나 단독 용매 에탄올을 사용(비교 실시예 2)하는 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 수행하여, 표 1의 결과를 수득한다.
세정제 번호 세정제 조성(중량비) 용해 속도(Å/초)
1-(1) PGMEA*: 에탄올 = 9 : 1 7797
1-(2) PGMEA : 에탄올 = 8: 2 10770
1-(3) PGMEA : 에탄올 = 7 : 3 18404
1-(4) PGMEA : 에탄올 = 6 : 4 19916
1-(5) PGMEA : 에탄올 = 5 : 5 13937
비교 실시예 1 PGMEA 100% 2641
비교 실시예 2 에탄올 100% 불용성
*PGMEA: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트
표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, PGMA에 에탄올을 혼입함으로써 용해 속도가 매우 증가된다.
실시예 2
표 2의 세정제 번호 2-(1) 내지 2-(4)에 나타낸 바와 같은 비율의 PGMA와 1-프로판올로 이루어진 용액을 세정제로서 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 수행하여, 표 2의 결과를 수득한다.
비교 실시예 3
단독 용매 1-프로판올을 세정제로서 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 수행하여, 표 2의 결과를 수득한다.
세정제 번호 세정제 조성(중량비) 용해 속도(Å/초)
2-(1) PGMEA*: 프로판올 = 9 : 1 3318
2-(2) PGMEA : 프로판올 = 8: 2 5224
2-(3) PGMEA : 프로판올 = 7 : 3 5672
2-(4) PGMEA : 프로판올 = 6 : 4 4843
비교 실시예 1 PGMEA 100% 2641
비교 실시예 3 1-프로판올 100% 불용성
*PGMEA: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트
표 2로부터 명백히 알 수 있는 바와 같이, PGMA에 1-프로판올을 혼입함으로써 실시예 1과 유사하게 용해 속도가 매우 증가된다.
실시예 3
표 3의 세정제 번호 3-(1) 내지 3-(4)에 나타낸 바와 같은 비율의 PGMA와 2-프로판올로 이루어진 용액을 세정제로서 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 수행하여, 표 3의 결과를 수득한다.
비교 실시예 4
단독 용매 2-프로판올을 세정제로서 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 수행하여, 표 3의 결과를 수득한다.
세정제 번호 세정제 조성(중량비) 용해 속도(Å/초)
3-(1) PGMEA*: 2-프로판올 = 9 : 1 4543
3-(2) PGMEA : 2-프로판올 = 8: 2 5128
3-(3) PGMEA : 2-프로판올 = 7 : 3 5659
3-(4) PGMEA : 2-프로판올 = 6 : 4 5350
비교 실시예 1 PGMEA 100% 2641
비교 실시예 4 1-프로판올 100% 불용성
*PGMEA: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트
표 3으로부터 명백히 알 수 있는 바와 같이, PGMA에 2-프로판올을 혼입함으로써 실시예 1 및 2와 유사하게 용해 속도가 매우 증가된다.
실시예 4
표 4의 세정제 번호 4-(1) 내지 4-(4)에 나타낸 바와 같은 비율의 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGMA)와 에탄올로 이루어진 용액을 세정제로서 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 수행하여, 표 4의 결과를 수득한다.
비교 실시예 5
단독 용매 PGMA를 세정제로서 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 수행하여, 표 4의 결과를 수득한다.
세정제 번호 세정제 조성(중량비) 용해 속도(Å/초)
4-(1) PGME**: 에탄올 = 9 : 1 6321
4-(2) PGME : 에탄올 = 8: 2 9807
4-(3) PGME : 에탄올 = 7 : 3 14514
4-(4) PGME : 에탄올 = 6 : 4 10392
비교 실시예 5 PGME 100% 4935
비교 실시예 2 에탄올 100% 불용성
**PGMEA: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르
표 4으로부터 명백히 알 수 있는 바와 같이, PGMA에 에탄올을 혼입함으로써 용해 속도가 매우 증가된다.
실시예 5 내지 10
세정제로서, 유기 용매로서의 n-부틸 아세테이트, 에틸 락테이트, 2-헵타논, 에톡시프로피온산 에틸 에스테르, 에틸렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트 또는 메톡시부탄올 및 알콜로서의 에탄올을 표 5의 실시예 5 내지 10에 나타낸 비율로 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방법을 수행하여, 표 5의 결과를 수득한다.
비교 실시예 6 내지 11
각각 n-부틸 아세테이트, 에틸 락테이트, 2-헵타논, 에톡시프로피온산 에틸 에스테르, 에틸렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트 또는 메톡시부탄올의 단독 용매를 세정제로서 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방법을 수행하여, 표 5의 결과를 수득한다.
세정제 조성(중량비) 용해 속도(Å/초)
실시예 5 n-부틸 아세테이트 : 에탄올 = 7:3 5483
실시예 6 에틸 락테이트 : 에탄올 = 7: 3 859
실시예 7 2-헵타논 : 에탄올 = 7: 3 7550
실시예 8 에톡시프로피온산 에틸 에스테르 : 에탄올 = 7: 3 2371
실시예 9 에틸렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트: 에탄올 = 7: 3 9142
실시예 10 메톡시부탄올 : 에탄올 = 7: 3 3921
비교 실시예 6 n-부틸 아세테이트 100% 4421
비교 실시예 7 에틸 락테이트 100% 785
비교 실시예 8 2-헵타논 100% 5940
비교 실시예 9 에톡시프로피온산 에틸 에스테르 100% 2204
비교 실시예 10 에틸렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트 100% 4592
비교 실시예 11 메톡시부탄올 100% 1809
비교 실시예 2 에탄올 100% 불용성
실시예 11
PGMA, 에탄올 및 1-프로판올(중량비 7:2:1)로 이루어진 혼합물을 세정제로서 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방법을 수행하여, 표 6의 결과를 수득한다.
비교 실시예 12
에탄올과 1-프로판올(중량비 2:1)과의 혼합물을 세정제로서 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1에서와 동일한 방법을 수행하여, 표 6의 결과를 수득한다.
세정제 조성(중량비) 용해 속도(Å/초)
실시예 11 PGMEA*: 에탄올 : 1-프로판올 = 7 : 2: 1 15185
비교 실시예 1 PGMEA 100% 2641
비교 실시예 12 에탄올 : 프로판올 = 2: 1 불용성
*PGMEA: 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트
실시예의 모든 세정제는 인체에 매우 안전하다.
본 발명의 이점
위에 기재한 바와 같이, 본 발명의 석판 인쇄용 세정제는 통상의 세정제에 비해, 내식막 등에 대한 용해도가 상당히 향상되어 소량으로 급속하게 충분히 세정할 수 있고 인체에 대해 매우 안전하다.
위에 기재한 바와 같이, 본 발명에 따르는 석판 인쇄용 세정제는 반도체 집적 회로 소자 제조시 내식막 도포 단계, 내식막 제거 단계, 내식막 제거 단계 후의 기판 세정 단계 및 기판 세척 단계에서 사용된다.

Claims (6)

  1. 아래의 그룹 A의 유기 용매로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매와 탄소수 1 내지 4의 알킬 그룹을 갖는 알콜로부터 선택된 하나 이상의 알콜을 포함하는 균질 용액을 포함하는 석판 인쇄용 세정제.
    그룹 A
    프로필렌 글리콜 알킬 에테르,
    프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트,
    에틸렌 글리콜 알킬 에테르,
    에틸렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트,
    아세트산 알킬 에스테르,
    프로피온산 알킬 에스테르,
    알콕시프로피온산 알킬 에스테르,
    락트산 알킬 에스테르,
    지방족 케톤 및
    알콕시부탄올.
  2. 제1항에 있어서, 유기 용매가 프로필렌 글리콜 알킬 에테르인 석판 인쇄용 세정제.
  3. 제2항에 있어서, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르로부터 선택된 하나 이상의 프로필렌 글리콜 알킬 에테르이고, 알콜이 에탄올, 1-프로판올 및 2-프로판올로부터 선택된 하나 이상의 알콜인 석판 인쇄용 세정제.
  4. 제1항에 있어서, 유기 용매가 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트인 석판 인쇄용 세정제.
  5. 제4항에 있어서, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트와 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트로부터 선택된 하나 이상의 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트이고, 알콜이 에탄올, 1-프로판올 및 2-프로판올로부터 선택된 하나 이상의 알콜인 석판 인쇄용 세정제.
  6. 제1항에 있어서, 유기 용매가 에틸렌 글리콜 에틸 에테르 아세테이트, n-부틸 아세테이트, 메톡시프로피온산 메틸 에스테르, 에톡시프로피온산 에틸 에스테르, 2-헵타논, 메톡시부탄올 및 에틸 락테이트로부터 선택된 하나 이상의 유기 용매이고, 알콜이 에탄올, 1-프로판올 및 2-프로판올로부터 선택된 하나 이상의 알콜인 석판 인쇄용 세정제.
KR1019997001441A 1997-06-24 1998-06-17 석판 인쇄용 세정제 KR100578264B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16759397A JP3978255B2 (ja) 1997-06-24 1997-06-24 リソグラフィー用洗浄剤
JP97-167593 1997-06-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000068295A true KR20000068295A (ko) 2000-11-25
KR100578264B1 KR100578264B1 (ko) 2006-05-11

Family

ID=15852647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019997001441A KR100578264B1 (ko) 1997-06-24 1998-06-17 석판 인쇄용 세정제

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6569251B1 (ko)
EP (1) EP0923112A4 (ko)
JP (1) JP3978255B2 (ko)
KR (1) KR100578264B1 (ko)
CN (1) CN1185687C (ko)
TW (1) TW591348B (ko)
WO (1) WO1998059363A1 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1138849C (zh) * 1999-02-02 2004-02-18 李金岩 醚酯型干洗溶剂组成物
CA2394895C (en) 1999-12-21 2014-01-28 Plastic Logic Limited Forming interconnects
KR100594815B1 (ko) * 1999-12-24 2006-07-03 삼성전자주식회사 포토레지스트 린스용 씬너 및 이를 이용한 포토레지스트막의 처리 방법
KR101016724B1 (ko) * 2003-08-01 2011-02-25 주식회사 동진쎄미켐 감광성 수지 조성물을 제거하기 위한 씬너 조성물
KR101142868B1 (ko) * 2004-05-25 2012-05-10 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 제거용 씬너 조성물
JP4236198B2 (ja) * 2004-12-28 2009-03-11 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いた半導体基材形成方法
TW200634448A (en) 2005-02-09 2006-10-01 Showa Denko Kk Photosensitive composition removing liquid
TW200641560A (en) 2005-02-09 2006-12-01 Showa Denko Kk Photosensitive composition removing liquid
JP4656308B2 (ja) * 2005-05-23 2011-03-23 日産化学工業株式会社 反射防止剤固化物の除去用洗浄液および洗浄方法
JP4758303B2 (ja) * 2005-11-16 2011-08-24 信越化学工業株式会社 フォトレジスト膜のリワーク方法
JP4475664B2 (ja) * 2005-12-27 2010-06-09 東京応化工業株式会社 ホトリソグラフィ用洗浄液およびその循環使用方法
KR20070081572A (ko) * 2006-02-13 2007-08-17 삼성전자주식회사 슬릿 코터 세정제, 표시장치 제조용 슬릿 코터 및표시장치의 제조방법
JP4828275B2 (ja) * 2006-03-30 2011-11-30 新日鐵化学株式会社 カラーフィルター用遮光性樹脂組成物及びカラーフィルター
US7754104B2 (en) * 2006-08-01 2010-07-13 Vertec Biosolvent, Inc. Composition of lactate esters with alcohols with low odor and enhanced performance
US8021490B2 (en) * 2007-01-04 2011-09-20 Eastman Chemical Company Substrate cleaning processes through the use of solvents and systems
CN101531955B (zh) * 2009-04-10 2011-01-19 江苏林洋新能源有限公司 太阳能电池丝网印刷工艺用清洗液
JP5814516B2 (ja) * 2009-06-08 2015-11-17 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ フォトリソグラフィー方法
CN102314100A (zh) * 2011-05-10 2012-01-11 刘华礼 一种含硫酸二甲酯ps版修版膏
CN102273658A (zh) * 2011-05-31 2011-12-14 长乐佳诚食品有限公司 一种章鱼丸子的加工方法
CN104553332B (zh) * 2013-10-12 2016-08-10 丹阳恒安化学科技研究所有限公司 一种墨盒的制备工艺
US20190233777A1 (en) * 2018-01-30 2019-08-01 Dow Global Technologies Llc Microemulsion removers for advanced photolithography
CN109055045B (zh) * 2018-07-13 2021-08-24 广州市宝绅科技应用有限公司 数码印刷用橡皮布清洗液及清洗工艺
KR102195007B1 (ko) * 2018-10-11 2020-12-29 세메스 주식회사 기판 세정 조성물, 이를 이용한 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1492529A (en) * 1976-05-26 1977-11-23 Vickers Ltd Treatment of planographic printing blanks
CA1164261A (en) * 1981-04-21 1984-03-27 Tsukasa Tada PROCESS FOR FORMING RESIST PATTERNS BY DEVELOPING A POLYMER CONTAINING TRIFLUOROETHYL-.alpha.- CHLOROCRYLATE UNITS WITH SPECIFIC KETONE COMPOUNDS
US4535054A (en) * 1983-05-05 1985-08-13 Hughes Aircraft Company Wet process for developing styrene polymer resists for submicron lithography
DE3433247A1 (de) * 1984-09-11 1986-03-20 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zu seiner herstellung
DE3523176A1 (de) * 1985-06-28 1987-01-08 Hoechst Ag Strahlungsempfindliche beschichtungsloesung und verfahren zur herstellung einer strahlungsempfindlichen schicht auf einem schichttraeger
EP0221428B1 (de) * 1985-10-28 1989-11-23 Hoechst Celanese Corporation Behandlungsflüssigkeit für ein Photoresistgemisch und hierfür geeignetes Verfahren
US4983490A (en) 1985-10-28 1991-01-08 Hoechst Celanese Corporation Photoresist treating composition consisting of a mixture of propylene glycol alkyl ether and propylene glycol alkyl ether acetate
JPH07117746B2 (ja) * 1987-04-16 1995-12-18 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版の製造方法
DE3715792A1 (de) * 1987-05-12 1988-11-24 Hoechst Ag Entwickler fuer wasserlos druckende offsetplatten
DE3744243C2 (de) * 1987-12-24 1995-12-07 Du Pont Deutschland Verbesserte photopolymerisierbare Aufzeichnungsmaterialien
US5254440A (en) * 1988-05-31 1993-10-19 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected methylol-substituted trihydroxybenzophenones and their use in phenolic resin compositions and processes of forming resist images
JP2536600B2 (ja) * 1988-08-29 1996-09-18 日本合成ゴム株式会社 ノボラック樹脂中の低核体の除去方法
JPH02253265A (ja) * 1989-03-28 1990-10-12 Nippon Zeon Co Ltd レジスト剥離剤
US4956115A (en) * 1989-05-23 1990-09-11 Hoechst Celanese Corporation Water borne solvent strippers
JPH03141355A (ja) * 1989-10-27 1991-06-17 Mitsubishi Kasei Corp 平版印刷版の製造方法
DE3938788A1 (de) * 1989-11-23 1991-05-29 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung einer negativ arbeitenden lichtempfindlichen druckform
JP2627565B2 (ja) * 1990-02-19 1997-07-09 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版
US5238775A (en) * 1990-02-20 1993-08-24 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition
JP3619261B2 (ja) * 1993-06-15 2005-02-09 三菱レイヨン株式会社 溶剤組成物
US5612303B1 (en) 1993-06-15 2000-07-18 Nitto Chemical Industry Co Ltd Solvent composition
JP3121185B2 (ja) * 1993-10-26 2000-12-25 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト用剥離液
US6187729B1 (en) * 1993-12-14 2001-02-13 Petroferm Inc. Cleaning composition comprising solvating agent and rinsing agent
JPH07219240A (ja) * 1994-01-28 1995-08-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト用剥離液
JP3262448B2 (ja) * 1994-03-14 2002-03-04 富士写真フイルム株式会社 リード・フレーム形成材料
US5643860A (en) * 1994-05-06 1997-07-01 Comstar International, Inc. Cleaning composition for pipes and coils of a refrigeration system
JPH08123043A (ja) * 1994-10-27 1996-05-17 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト用剥離液
US5521052A (en) * 1994-12-30 1996-05-28 Hoechst Celanese Corporation Metal ion reduction in novolak resin using an ion exchange catalyst in a polar solvent and photoresists compositions therefrom
JPH08208565A (ja) * 1995-02-02 1996-08-13 Daicel Chem Ind Ltd 乳酸エチルの製造方法
JPH08262720A (ja) * 1995-03-28 1996-10-11 Hoechst Ind Kk 可塑剤を含む放射線感応性組成物
JP3300624B2 (ja) * 1997-01-24 2002-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板端面の洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0923112A4 (en) 2000-10-04
JP3978255B2 (ja) 2007-09-19
TW591348B (en) 2004-06-11
EP0923112A1 (en) 1999-06-16
CN1185687C (zh) 2005-01-19
US6569251B1 (en) 2003-05-27
CN1229522A (zh) 1999-09-22
KR100578264B1 (ko) 2006-05-11
WO1998059363A1 (en) 1998-12-30
JPH1144960A (ja) 1999-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100578264B1 (ko) 석판 인쇄용 세정제
KR100593280B1 (ko) 평판인쇄용 린싱 및 스트리핑 방법
KR100932087B1 (ko) 리소그래피용 린스액 및 이를 사용한 레지스트 패턴의형성방법
TWI417682B (zh) 微細化圖案之形成方法及用於它之光阻基板處理液
US6183942B1 (en) Thinner composition for removing spin-on-glass and photoresist
TWI447532B (zh) 基板處理液及使用它之光阻基板處理方法
KR101405696B1 (ko) 레지스트 조성물
US4965167A (en) Positive-working photoresist employing a selected mixture of ethyl lactate and ethyl 3-ethoxy propionate as casting solvent
JP4531726B2 (ja) 微細化されたレジストパターンの形成方法
KR101157667B1 (ko) 리소그래피용 세정제 및 린스액
US4847178A (en) Positive photosensitive o-quinone diazide composition with benzotriazole carboxylic acid or alkyl ester
JP4626978B2 (ja) リソグラフィー用洗浄剤及びリンス液
JPH07333840A (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
KR20070098586A (ko) 리소그래피용 세정제 또는 린스제
JPH0844066A (ja) 表面反射防止塗布組成物
KR101286817B1 (ko) 리소그래피용 세정제 또는 린스제
JP2001117241A (ja) リソグラフィー用リンス液
JP2001117242A (ja) リソグラフィー用洗浄剤
JP3125917B2 (ja) 電子部品製造用基材の製造方法
JP3468929B2 (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
JPH049064A (ja) ポジ型感放射線性レジスト組成物

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee