KR20000017688A - 복수매기판의박막증착공정이가능한원자층증착장치 - Google Patents

복수매기판의박막증착공정이가능한원자층증착장치 Download PDF

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Abstract

복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치를 개시한다. 개시된 원자층 증착장치는 진공챔버와, 상기 진공챔버 내에 설치되는 것으로 그 내부에 복수매의 기판이 수용되는 반응용기와, 상기 반응용기와 상호 대향되게 설치되어 반응가스 및 퍼징가스를 상기 반응용기 내로 공급하는 가스 공급부를 구비하며, 상기 반응용기는 분리 가능한 다수의 모듈이 상보적으로 각각 조립되어 마련되는 것으로 일측에 개구가 형성되어 있는 몸체부; 상기 모듈들의 조합에 의해 상기 몸체부 내에 공간적으로 구획되어 형성되며, 상기 개구를 통하여 그 내부영역에 상기 기판이 각각 수용되는 다수의 스테이지부; 및 상기 모듈들의 타측에 각각 형성되어 상기 스테이지부들과 연통되는 것으로 상기 가스 공급부로부터 공급되는 상기 가스들이 그 경로를 통해 상기 스테이지부들로 주입되는 다수의 가스 공급라인;를 구비함으로써, 복수매의 동일 기판에 균일도가 향상된 미세 패턴의 박막을 동시에 증착시킬 수 있기 때문에 단위 시간에 대한 증착효율을 크게 증진시켜 결과적으로는 생산효율이 향상된다.

Description

복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치{Atomic layer deposition apparatus for depositing multi substrate}
본 발명은 원자층 증착법(ALD: Atomic Layer Deposition)을 적용한 원자층 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수매의 동일 기판에 미세한 패턴의 박막 증착이 가능하도록 된 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치에 관한 것이다.
최근들어 반도체 메모리 소자가 점점 미세화 되면서 미세 패턴의 요철에 대하여 균일한 박막의 성장기술 즉, 기체 상의 박막물질을 기판 상에 증착함으로써 소정의 막을 형성하는 기술에 주목하고 있으며, 이러한 방법으로는 크게 스퍼터링법(sputtering), 화학기상증착법(CVD: Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(ALD: Atomic Layer Deposition) 등으로 대별된다.
상기 스퍼터링(sputtering)법은 고전압이 인가된 진공챔버 내에 아르곤(Ar) 가스를 주입시켜 비활성기체인 아르곤을 플라즈마(plasma) 상태로 만든 후, 아르곤 가스 이온이 타켓(target) 표면층으로 날아들어 타겟 표면층과 서로 충돌해 그 충격으로 인한 타겟 입자를 기판 상으로 튕겨내어 증착시키는 방법이다.
이러한 스퍼터링법은 박막의 순도와 접착력 등에서는 유리한 방법이지만, 요철의 형태로 단차가 형성된 패턴 특히, 단차가 낮은 요부에 증착되는 박막의 두께가 얇아져 균일성을 확보하기가 어려우므로 미세한 패턴에서의 응용은 매우 제한적이다.
상기 화학기상증착법(CVD: Chemical Vapor Deposition)에 의한 박막 증착은 가장 보편화된 기술로서 기체 즉 가스의 분해와 반응을 이용하여 기판 위에 원하는 막을 원하는 두께 만큼 증착시키는 공정으로서, 여러가지의 기체를 주입한 후, 기체들에 열, 빛, 플라즈마와 같은 에너지를 이용하여 기체들의 화학반응을 유도함으로써 기판 상에 소정 두께의 박막을 증착시키는 방법이다. 이러한 화학기상증착법은 반응에너지를 공급하는 열, 빛, 플라즈마 등을 제어하거나, 기체의 양과 비율 등을 제어하여 빠른 반응속도로 기판 상에 증착시킬 수 있다.
그러나, 이러한 반응속도는 일반적으로 매우 빠르게 진행되기 때문에 원자들의 열역학적 안정성을 제어하는데 어려움이 있다. 또한, 이같은 방법은 박막의 물리적, 화학적, 전기적 성질이 떨어지게 되고, 상기의 스퍼터링법 설명에서 지적한 바와 같이 미세한 요철에서의 박막 균일성을 확보하기가 어렵다.
한편, 상기의 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)은 가스 펄싱(gas pulsing) 방법을 도입하여 단 원자층의 박막을 교대로 증착시키는 것으로 요즘들어 반도체 소자의 집적도 증가에 따른 높은 종횡비(Aspect Ratio)와, 요철에서의 박막 균일도 그리고 우수한 전기적, 물리적 성질을 가지는 박막 형성의 요구에 대응하여 적용 되어지고 있다. 여기서 가스 펄싱 방법은 반응 가스와 퍼징(purging) 가스가 교대로 공급되는 방식을 의미한다. 이와 함께, 원자층 증착법을 이용한 박막 형성 방법은 증착된 박막 내의 잔류 불순물이 적고, 200Å 미만의 박막을 증착할 때 두께 조절이 용이하다는 장점을 갖고 있다.
상술한 바와 같이 원자층 증착법을 적용한 종래에 따른 원자층 증착장치의 예들을 도 1 및 도 2를 참조하여 간단하게 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면, 종래의 일례에 따른 원자층 증착장치는 진공챔버(10)와, 진공챔버(10) 내에 장착되어 후술되는 기판(13)을 박막 증착에 적용되는 적정온도로 가열하기 위한 히터(11)가 구비되고, 히터(11)의 상면에는 미도시된 기판 홀더에 한 장의 기판(13)이 안착되어 있으며, 기판(13)은 히터(11)에 의해 균일한 온도분포를 가지게 된다.
그리고, 진공챔버(10) 내에는 기판(13)의 상면에 대응하여 소정의 반응가스가 기판(13)으로 유입되게 하는 샤워헤드(15)가 설치되어 있다. 이와 같은 원자층 증착장치는 소정의 반응가스가 샤워헤드(15)를 통해 적정온도 내의 진공챔버(10)로 유입되고, 진공챔버(10) 내로 유입된 상기 반응가스는 기판(13) 상에 미세한 패턴의 박막으로 증착된다. 또한, 증착 후의 잔류가스는 교대로 유입된 퍼징가스에 의해 퍼지되어 외부로 배출된다.
도 2를 참조하면, 종래의 다른 예에 따른 원자층 증착장치는 진공챔버(20)와, 진공챔버(20) 내에 설치되는 반응기(20a)를 구비한다. 반응기(20a)는 그 상부가 개폐가능하게 설치되며, 반응기(20a)의 상하부에는 도 1에서와 같은 기능을 하는 히팅부재(21)가 설치되어 있다.
그리고, 반응기(20a) 내에는 한 장의 기판(23)이 안착 지지되어 있으며, 기판(23)은 히팅부재(21)에 의해 균일한 온도분포를 가지게 된다. 이러한 원자층 증착장치는 소정의 반응가스가 반응기(20a)의 가스주입구(25)를 통해 반응기(20a) 내부로 주입되고, 주입된 반응가스는 기판(23) 상에 박막으로 증착된다. 이 후, 증착되고 남은 반응가스는 교대로 주입된 퍼징가스에 의해 퍼지되어 반응기(20a)의 가스배출구(26)를 통해서 외부로 배출된다.
그러나, 이와 같은 예들의 원자층 증착장치들은 박막의 높은 종횡비와, 요철에서의 균일도가 향상된 박막을 구현할 수 있음에도 불구하고 낮은 증착속도와, 한 장씩의 기판에 증착해야 한다는 단점 때문에 크게 상용화 되지 못하고 있다. 이러한 단점을 보완하기 위해 기체들의 활성화 에너지를 높여 증착속도를 높일 수는 있지만, 원자층 제어가 불가능해 기판 상에 화학기상증착이 진행됨으로써 원자층 증착법의 장점인 양질의 박막 성질과 요철에서의 박막 균일도가 저하되는 문제점을 야기시킨다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하고자 창출된 것으로서, 복수매의 동일 기판에 미세한 패턴의 박막 증착이 가능하게 하여 단위 시간당의 증착속도가 향상되도록 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치를 제공하는 점에 그 목적이 있다.
도 1은 종래에 따른 원자층 증착장치의 일 예를 나타내 보인 개략적 단면도이고,
도 2는 종래의 다른 예에 따른 원자층 증착장치를 나타내 보인 개략적 단면도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치를 나타내 보인 개략적 단면도이고,
도 4 및 도 5는 도 3을 설명하기 위한 개략적 도면이고,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치를 나타내 보인 개략적 단면도이고,
그리고 도 7 및 도 8은 도 6을 설명하기 위한 개략적 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100... 진공챔버 200a,300a... 반응용기
200b,300b... 가스 공급부
201(201a,201b,201c,201d)... 반도체 기판
301(301a,301b,301c,301d)... 유리 기판
203(203a,203b,203c,203d),303(303a,303b,303c,303d)... 스테이지부
205,305... 히팅부재 207,307... 안착부
209,309... 기판용 이송장치
210(210a,210b,210c,210d,210e),310(310a,310b,310c,310d,310e)... 모듈
211(211a,211b,211c),311(311a,311b,311c)... 가스 공급라인
213,313... 제1완충라인 215,315... 제2완충라인
217,317... 제3완충라인 A1,A2... 제1 및 제2주입구
B1,B2... 제1 및 제2분사구
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치는 원자층 증착법을 적용하여 미세한 패턴의 박막을 형성하도록 된 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치에 있어서, 진공챔버와, 상기 진공챔버 내에 설치되는 것으로 그 내부에 복수매의 기판이 수용되는 반응용기와, 상기 반응용기와 상호 대향되게 설치되어 반응가스 및 퍼징가스를 상기 반응용기 내로 공급하는 가스 공급부를 구비하며, 상기 반응용기는 분리 가능한 다수의 모듈이 상보적으로 각각 조립되어 마련되는 것으로 일측에 개구가 형성되어 있는 몸체부; 상기 모듈들의 조합에 의해 상기 몸체부 내에 공간적으로 구획되어 형성되며, 상기 개구를 통하여 그 내부영역에 상기 기판이 각각 수용되는 다수의 스테이지부; 및 상기 모듈들의 타측에 각각 형성되어 상기 스테이지부들과 연통되는 것으로 상기 가스 공급부로부터 공급되는 상기 가스들이 그 경로를 통해 상기 스테이지부들로 주입되는 다수의 가스 공급라인;을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 반응가스 및 퍼징가스는 상기 가스 공급라인으로 공급되어 상기 개구를 통해 배출되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 모듈의 최상부 및 최하부에 히팅부재가 장착되며, 상기 히팅부재는 삽입형 발열체인 것이 바람직하고, 상기 반응용기는 상기 진공챔버의 외부에서 발하는 램프히터에 의해 소정 온도의 분위기로 유지되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 스테이지부는 원형의 반도체 기판이 수용되며, 상기 반도체 기판의 형상에 대응되는 내부공간이 마련되며, 상기 스테이지부는 사각형상의 유리 기판이 수용되며, 상기 유리 기판의 형상에 대응되는 내부공간이 마련된 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 스테이지부의 바닥면에 상기 반도체 기판이 안착되는 원형의 안착부가 마련되며, 상기 안착부에는 기판 장착용 홈이 형성된 것이 바람직하고, 상기 스테이지부의 바닥면에 상기 유리 기판이 안착되는 사각형상의 안착부가 마련되며, 상기 안착부에는 기판 장착용 홈이 형성된 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 가스 공급라인은 상기 모듈들의 타측에 각각 형성되어 상기 스테이지부의 내측벽에 연통되는 제1 및 제2공급라인과, 상기 모듈들의 타측에 각각 형성되어 상기 안착부의 홈에 연통되는 단일의 제3공급라인이 마련되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 제1 및 제2공급라인은 단일의 주입구와, 상기 반도체 기판의 인입측 형상에 대응되는 상기 스테이지부의 내측벽에 형성된 다수개의 분사구가 마련되어 있는 것이 바람직하며, 상기 제1 및 제2공급라인은 단일의 주입구와, 상기 유리 기판의 인입측 형상에 대응되는 상기 스테이지부의 내측벽에 형성된 다수개의 분사구가 마련되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 제1 및 제2공급라인에는 각각의 상기 반응가스 및 퍼징가스가 교대로 공급되며, 상기 제3공급라인에는 상기 기판의 온도분포를 균일하게 하고, 상기 기판의 저면에 상기 반응가스에 의한 박막이 증착되지 않도록 퍼징가스만 공급되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 제3공급라인에 공급되는 상기 퍼징가스의 유량은 제1 및 제2공급라인에 공급되는 상기 가스들의 30% 이하인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 제1 및 제2공급라인의 중간영역에는 각각의 상기 모듈 조립면에 원주방향으로 형성된 반원형상의 제1 및 제2완충라인이 연결되어 있어 상기 제1 및 제2공급라인들로 공급되는 각각의 상기 가스가 상기 완충라인들의 내부공간에 합류되어 상기 스테이지부 내에 균일한 압력으로 공급되는 것이 바람직하며, 상기 제1 및 제2공급라인의 중간영역에는 각각의 상기 모듈 조립면에 상기 제1 및 제2공급라인의 직교방향으로 형성된 제1 및 제2완충라인이 연결되어 있어 상기 제1 및 제2공급라인들로 공급되는 각각의 상기 가스가 상기 완충라인들의 내부공간에 합류되어 상기 스테이지부 내에 균일한 압력으로 공급되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 제1완충라인과 제2완충라인 사이에는 제3완충라인이 더 형성되어 있어 상기 제1 및 제2완충라인에 합류되는 상기 가스들이 상기 모듈 조립면의 틈새로 흐르는 것을 차단하여 외부로 배기시키도록 된 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 상기 반응용기는 티타늄, 알루미늄, 몰리브데늄, 텅스텐, 흑연, 베릴리아, 탄화규소, 질화규소 중 적어도 어느 하나 이상의 소재로 형성된 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명에 따른 원자층 증착장치는 원자층 증착법을 적용한 것으로 복수매의 동일 기판에 양질의 박막 성질과 요철에서의 박막 균일도가 향상된 미세 패턴의 박막을 동시에 증착할 수 있기 때문에 단위 시간에 대한 증착효율을 크게 증진시켜 그에 따른 생산효율을 증가시키는 점에 그 특징이 있다.
원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)이란 복잡한 조성의 물질을 저온에서 기판 상에 증착할 수 있는 공정으로서, 화학기상증착(CVD)처럼 화학반응을 사용하는 증착법이나 각각의 가스가 챔버 내에서 혼합되지 않고 한 개씩 펄스로 흘려진다는 점에서 화학기상증착법(CVD)과는 다르다.
예를 들어, 반응가스 A와 B를 사용하는 경우, 먼저 A가스만을 흘리면, 기판에 A가스의 원자가 화학적으로 흡착된다. 챔버에 잔류하는 A가스는 Ar이나 질소와 같은 불활성 가스로 퍼지시킨다. 다음에 B가스만을 흘리면, A와 B 간의 반응은 화학적으로 흡착된 A 가스가 있는 기판 표면에서만 일어나 원자층(atomic layer)의 박막이 증착된다.
따라서, 상기 원자층 증착법(ALD)을 적용하여 기판 상에 소정의 박막을 증착하는 경우, 어떠한 모폴로지(morphology)를 가진 기판 표면이라 하더라도 항상 100%의 단차도포 특성을 얻을 수 있다. 챔버에 잔류하는 B가스와 A, B 반응의 부산물을 퍼지시키고 다시 상기 공정을 반복함으로써 증착되는 박막의 두께를 두껍게 할 수 있다. 즉, 상기 공정들의 싸이클의 수에 따라 박막의 두께를 원자층 단위로 조절할 수 있다.
이하, 첨부된 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치를 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치를 나타내 보인 개략적 단면도이고, 도 4 및 도 5는 도 3을 설명하기 위한 개략적 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치는 원자층 증착법(ALD)이 적용가능하게 마련되는 것으로 소정의 공간을 가진 진공챔버(100)와, 상기 진공챔버(100) 내에 설치되며, 그 내부에 원형의 반도체 기판(201)이 복수층으로 각각 수용되는 반응용기(200a)를 구비한다.
이와 함께, 상기 반응용기(200a)와 대향되게 설치되는 것으로 각각의 반도체 기판(201) 상에 원자층으로 증착될 기체 즉, 반응가스와 상기 반응가스를 퍼지하기 위한 퍼징가스를 상기 반응용기(200a) 내로 공급하는 가스 공급부(200b)를 구비한다.
상기 반도체 기판(201)들은 베어(bare) 웨이퍼이거나, 임의의 막, 예를 들면 산화막과 같은 임의의 막이 형성되어 있는 것이거나, 또는 금속배선 공정 전의 장벽금속층을 형성하기 위하여 트랜지스터와 같은 개별소자가 그 표면에 이미 형성된 것일 수도 있다.
상기 진공챔버(100)는 반응용기(200a)에서 반응하고 남은 잔류가스를 펌핑하여 외부로 방출하기 위한 펌프(미도시)와 연결되어 있다.
상기 반응용기(200a)는 분리 가능한 다수의 모듈(210)들이 상보적으로 각각 조립되어 형성되며, 일측벽에 소정의 개구가 형성되어 있는 몸체부를 구비한다.
또한, 상기 몸체부 내에는 상기 모듈(210)들의 조합에 의해 공간적으로 구획되어 형성되며, 상기 개구를 통하여 그 내부 영역에 복수매 각각의 반도체 기판(201)이 한 장씩 수용되는 다수의 스테이지부(203)들이 마련되어 있다. 여기서, 상기 몸체부의 개구는 원형의 반도체 기판(201)들이 스테이지부(203)들 내로 용이하게 인입 및 인출될 수 있는 최소한의 크기를 가진다.
상기 몸체부의 상하부 즉, 상기 모듈(210)들의 최상부 및 최하부에는 스테이지부(203)들의 내부공간을 소정온도의 분위기로 유지시켜 각각의 반도체 기판(201)에 균일한 온도분포가 형성되도록 하는 히팅부재(205)가 삽입되어 있는데, 상기 히팅부재(205)는 삽입형 발열체가 구비된다.
상기와는 달리, 스테이지부(203)들의 내부공간을 소정온도의 분위기로 유지시켜 각각의 반도체 기판(201)에 균일한 온도분포가 형성되도록 하기 위한 다른 방법으로는 진공챔버(100)의 외부에 램프히터(미도시)를 설치하여, 램프의 빛을 진공챔버(100)의 수광창(미도시)을 통해 입사시킴으로써 반응용기(200a) 내의 스테이지부(203)들을 소정온도로 히팅할 수도 있다.
상기 몸체부를 구성하는 상기 모듈(210)들은 히팅부재(205)가 삽입되는 최상부의 제1모듈(210a)과, 복수매의 반도체 기판(201) 중 제1반도체기판(201a)이 장입되도록 상기 제1모듈(210a)과 상호 조립되어 제1스테이지부(203a)를 형성하는 제2모듈(210b)과, 제2반도체기판(201b)이 장입되도록 상기 제2모듈(210b)과 상호 조립되어 제2스테이지부(203b)를 형성하는 제3모듈(210c)과, 제3반도체기판(201c)이 장입되도록 상기 제3모듈(210c)과 상호 조립되어 제3스테이지부(203c)를 형성하는 제4모듈(210d)과, 히팅부재(205)가 삽입되며 제4반도체 기판(201d)이 장입되도록 상기 제4모듈(210d)과 상호 조립되어 제4스테이지부(203d)를 형성하는 최하부의 제5모듈(210e)로 구성된다.
도면에서는 상기 몸체부를 4 매의 반도체 기판(201)이 수용가능하도록 상기 모듈(210) 및 스테이지부(203)들을 구성하였으나, 본 발명에서는 반응용기(200a) 내의 균일한 온도 및 압력분포 그리고, 박막의 균일성을 고려한 범위 내에서 그 이상의 반도체 기판(201)을 수용할 수 있는 모듈(210) 및 스테이지부(203)들을 구성할 수 있다.
여기서, 상기 몸체부의 개구에 대향되는 스테이지부(203)들의 내측벽 즉, 모듈(210)들의 타측에 마련된 내측벽은 반도체 기판(201)의 인입측 형상에 대응되도록 반원의 형태를 가지고 있다.
상기 스테이지부(203)들의 바닥면에는 상기 반도체 기판(201)이 안착되는 안착부(207)가 원형 형상으로 각각 마련되어 있으며, 상기 안착부(207)에는 로봇과 같은 기판용 이송장치(209)가 스테이지부(203) 내로 용이하게 진입 및 후퇴가능하도록 그리고, 기판(201)의 저면에 반응가스의 원자층이 증착되지 않게 반응가스의 침투를 방지하기 위한 퍼징가스가 흐를 수 있는 최소한의 여유공간을 확보하도록 기판 장착용 홈(207a)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 안착부(207)와 반도체 기판(201)과의 접촉면적은 기판(201)의 균일한 온도분포를 고려하여 가능한한 넓게 하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 몸체부는, 가스 공급부(200b)와 상호 연결되어 가스 공급부(200b)로부터 공급되는 각각의 반응가스 및 퍼징가스를 스테이지부(203)들로 공급받을 수 있도록, 상기 모듈(210)들의 타측에 각각 형성되어 각각의 스테이지부(203)들과 연통되어 있는 다수의 가스 공급라인(211)을 구비한다. 상기 가스들은 상기 가스 공급라인(211)의 경로를 통해 스테이지부(203)들로 각각 주입된다. 그리고, 상기 스테이지부(203)들로 주입된 반응가스 및 퍼징가스는 상기 몸체부의 개구를 통해 반응용기(200a) 밖으로 배출되는 것이 바람직하다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 가스 공급라인(211)은 상기 모듈(210)들의 타측에 각각 형성되어 스테이지부(203)들의 상기 내측벽에 연통되는 제1 및 제2공급라인(211a)(211b)이 구비된다.
상기 제1공급라인(211a)에는 제1반응가스와, 퍼징가스가 교대로 주입되고, 상기 제2공급라인(211b)에는 제2반응가스와, 퍼징가스가 교대로 주입되어 그 경로들을 통해 반도체 기판(201)들의 상부로 공급된다.
상기 제1 및 제2공급라인(211a)(211b)들의 수는 스테이지부(203)들 내로 유입되는 반응가스들의 수에 의존하기 때문에, 도면에는 편의상 두 개의 공급라인(211a)(211b)들이 도시되어 있으나, 본 발명에서는 이에 한정되지 않는다.
이와 함께, 상기 가스 공급라인(211)은 상기 모듈(210b)(210c)(210d)(210e)의 타측에 각각 형성되어 상기 안착부(207)의 기판 장착용 홈(207a)에 연통되는 단일의 제3공급라인(211c)이 구비된다.
상기 제3공급라인(211c)에는 상기 퍼징가스 만이 그 경로를 통해 상기 홈(207a)으로 공급된다. 여기서, 상기 제3공급라인(211c)에 공급되는 퍼징가스는 제1 및 제2공급라인(211a)(211b)들을 통해 공급되는 제1 및 제2반응가스 보다 먼저 주입된다.
이러한 제1공급라인(211a)은 제1,2,3,4모듈(210a)(210b)(210c)(210d)의 하부에 각각 형성되는 것으로 단일의 제1주입구(A1)와, 스테이지부(203)들의 상기 내측벽 반원둘레에 나란히 형성된 다수개의 제1분사구(B1)들이 마련되어 있다.
그리고, 제2공급라인(211b)은 제2,3,4,5모듈(210b)(210c)(210d)(210e)의 상부에 각각 형성되는 것으로 상기 제1공급라인(211a)과 같이 단일의 제2주입구(A2)와, 스테이지부(203)들의 상기 내측벽 반원둘레에 나란히 형성된 다수개의 제2분사구(B2)들이 마련되어 있다.
도 5a를 참조하면, 상기 제1공급라인(211a) 각각의 중간영역에는 상기 모듈(210)들의 타측 조립면에 반원의 형태로 형성되며, 소정의 내부공간을 가진 제1완충라인(213)들이 연통되어 있다. 즉, 제1완충라인(213)들은 각 모듈(210)들의 조립에 의해 형성된다.
상기 제1완충라인(213)들은 제1공급라인(211a)의 제1주입구(A1)로 주입되는 제1반응가스들을 서로 합류시켜 균일한 분압으로 다수개의 제1분사구(B1)를 통해 각각의 스테이지부(203)들에 공급시킨다.
도 5b를 참조하면, 상기 제2공급라인(211b) 각각의 중간영역에는 상기 모듈(210)들의 타측 조립면에 반원의 형태로 형성되며, 소정의 내부공간을 가진 제2완충라인들(215)이 연통되어 있다. 즉, 제2완충라인(215)들 또한 제1완충라인(213)들과 같이 각 모듈(210)들의 조립에 의해 형성된다.
상기 제2완충라인(215)들은 제2공급라인(211a)들의 제2주입구(A2)로 주입되는 제2반응가스들을 서로 합류시켜 균일한 분압으로 다수개의 제2분사구(B2)를 통해 각각의 스테이지부(203)들에 공급시킨다.
상기와 같이, 제1 및 제2반응가스는 각각의 제1 및 제2주입구(A1)(A2)를 통해 반원의 형태를 가진 제1 및 제2완충라인(213)(215)들에 각각 합류되어 일정한 압력으로 상기 라인들에 연결된 각각의 제1 및 제2분사구(B1)(B2)들을 통해 개구쪽으로 분사되기 때문에, 원형의 반도체 기판(201)을 따라 균일한 가스분포를 가지게 된다.
그리고, 상술한 바와 같은 제1완충라인(213)들과 제2완충라인(215)들 사이에는 제1 및 제2완충라인(213)(215)들의 형태와 동일한 제3완충라인(217)이 더 형성되어 있는데, 이는 각각의 모듈(210)이 상호 조립되어 있기 때문에 각각의 제1 및 제2완충라인(213)(215)들을 따라 흐르는 제1 및 제2반응가스가 자체의 압력에 의해 모듈과 모듈 사이의 조립면 틈새로 흘러들어 가는 것을 차단하여 다른 반응가스들과 화학반응을 일으키지 않도록 하기 위해서이다. 즉, 상기 제3완충라인(217)들은 제1 및 제2완충라인(213)(215) 각각에서 흘러 들어온 유입가스를 개방되어 있는 라인 양단을 통해 배기시킬 수 있도록 형성된다.
다시, 도 3을 참조하면, 앞서 전술한 바와 같은 상기 제1완충라인(213)들은 제1,2,3,4모듈(210a)(210b)(210c)(210d)의 조립하단면에 각각 형성되며, 상기 제2완충라인(215)들은 제2,3,4,5모듈(210b)(210c)(210d)(210e)의 조립상단면에 각각 형성되고, 제3완충라인(217)들은 상기 제2완충라인(215)의 일측 조립상단면에 각각 형성된다.
한편, 상술한 바와 같은 상기 반응용기(200a)는 열전도도가 우수하고, 반응가스와 서로 반응이 일어나지 않으며, 공정상에 부적합한 영향을 미치지 않는 소재로 제조되는데, 티타늄(Titanium), 알루미늄(Aluminum), 몰리브데늄(Molibdenum), 텅스텐(Tungsten), 흑연(Graphite), 베릴리아(Belyllia), 탄화규소(Silicon carbide), 질화규소(Silicon nitride)의 소재 중 적어도 어느 하나 이상의 재질로 형성된다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 원자층 증착장치를 첨부된 도 6 내지 도 8을 참조하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 원자층 증착장치는 앞서 설명한 일 실시예의 구성과 동일하므로, 일 실시예의 구성과 특징적으로 다른 요소들만을 간략하게 설명한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치를 나타내 보인 개략적 단면도이고, 도 7 및 도 8는 도 6을 설명하기 위한 개략적 도면이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 지금까지 설명한 일 실시예와는 달리, 본 발명의 다른 실시예에 따른 원자층 증착장치는 반응용기(300a)의 내부에 사각 형상의 유리 기판(301)이 복수매 수용되도록 마련된다.
상기 반응용기(300a)는 분리 가능한 다수의 모듈(310)이 상보적으로 각각 조립되어 형성되며, 일측벽에 소정의 개구가 형성되어 있는 몸체부를 구비한다.
또한, 상기 몸체부 내에는 상기 모듈(310)들의 조합에 의해 공간적으로 구획되어 형성되며, 상기 개구를 통하여 그 내부 영역에 복수매 각각의 유리 기판(301)이 한 장씩 수용되는 다수의 스테이지부(303)들이 마련된다. 여기서, 상기 몸체부의 개구는 사각형상의 유리 기판(301)이 스테이지부(303)들 내로 용이하게 인입 및 인출될 수 있는 최소한의 크기를 가진다.
상기 유리 기판(301)은 일반적으로 그 크기가 다양한 디스플레이(Display) 제조용 기판(301)으로서 기판(301) 상에 원하는 소정의 박막을 증착하기 위해 구비된다.
각각의 상기 스테이지부(303)들은 상기 유리 기판(301)이 수용되도록 상기 기판의 형상에 대응되는 형상의 내부공간을 가지고 있으며, 그 공간의 바닥면에는 상기 유리 기판(301)이 안착되는 안착부(307)가 사각형상으로 마련되어 있고, 상기 안착부(307)에는 기판 장착용 홈(307a)이 하나 이상 형성되어 있는 점이 일 실시예와 다르다.
여기서, 몸체부의 개구에 대향되는 스테이지부(303)들의 내측벽 즉, 모듈(310)들의 타측에 마련된 내측벽은 유리 기판(301)의 인입측변과 평행되는 형상을 가진다.
그리고, 가스 공급라인은 제1,2,3,4모듈(310a)(310b)(310c)(310d)의 하부에 각각 형성되는 것으로 단일의 제1주입구(A1)와, 상기 스테이지부(303)들의 상기 내측벽에 나란히 형성된 다수개의 제1분사구(B1)가 마련되어 있는 제1공급라인(311a)과, 제2,3,4,5모듈(310b)(310c)(310d)(310e)의 상부에 각각 형성되는 것으로 상기 제1공급라인(311a)과 같이 단일의 제2주입구(A2)와, 상기 스테이지부(303)들의 상기 내측벽에 나란히 형성된 다수개의 제2분사구(B2)가 나란히 마련되어 있는 제2공급라인(311b)과, 제2,3,4,5모듈(310b)(310c)(310d)(310e)의 타측에 각각 형성되어 안착부(307)의 기판 장착용 홈(307a)에 연통되는 단일의 제3공급라인(311c)을 구비하는 점이 일 실시예와 다르다.
도 8a를 참조하면, 상기 제1공급라인(311a) 각각의 중간영역에는 상기 모듈(310)들의 타측 조립면에 제1공급라인(311a)의 직교방향으로 형성되어 소정의 내부공간을 가진 제1완충라인(313)이 연통되어 있는 점이 일 실시예와 다르다.
도 8b를 참조하면, 상기 제2공급라인(311b) 각각의 중간영역에는 상기 모듈(310)들의 타측 조립면에 제2공급라인(311a)의 직교방향으로 형성되어 소정의 내부공간을 가진 제2완충라인(315)이 연통되어 있는 점이 일 실시예와 다르다.
이와 함께, 상술한 바와 같은 제1완충라인(313)들과 제2완충라인(315)들 사이에는 제1 및 제2완충라인(313)(315)들의 형태와 동일한 제3완충라인(317)이 더 형성되어 있다.
상기와 같이, 제1 및 제2반응가스는 각각의 제1 및 제2주입구(A1)(A2)를 통해 제1 및 제2완충라인(313)(315)들에 합류되어 일정한 압력으로 유리 기판(301)의 인입 측변과 평행되는 형상을 가진 스테이지부(303)의 내측벽 즉, 상기 라인들에 각각 연결된 다수의 제1 및 제2분사구(B1)(B2)를 통해 개구쪽으로 분사되기 때문에, 사각형상의 유리 기판(301)을 따라 균일한 가스분포를 가지게 된다.
이와 같이 구성된 본 발명의 실시예들에 따른 원자층 증착장치의 동작 및 그 작용을 앞서 도시된 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
우선, 복수매의 기판(201)(301) 즉, 원형의 반도체 기판(201) 또는 사각형상의 유리 기판(301)들은 진공챔버(100) 내의 기판용 이송장치(209)(309)에 파지되어 몸체부의 개구를 통해 스테이지부(203)(303)들로 각각 한 장씩 장입된다. 이 때에, 상기 이송장치(209)(309)는 안착부(207)(307)의 홈(207a)(307a)으로 진입하여 기판(201)(301)들을 안착시키고, 다시 후퇴한다.
이와 같이, 기판(201)(301) 각각이 스테이지부(203)(303)들에 인입완료되면, 히팅부재(205)(305) 또는 램프히터(미도시)는 기판(201)(301)들에 균일한 온도분포가 형성되도록 스테이지부(203)(303)들의 내부 공간을 소정온도의 분위기로 유지시킨다.
이 후, 가스 공급부(200b)(300b)는 제1공급라인(211a)(311a)들을 통해 기판(201)(301) 상에 단 원자층으로 흡착될 제1반응가스를 스테이지부(203)(303)들의 내부로 일정시간 동안 공급한다. 이때에, 상기 제1공급라인(211a)(311a)들은 제1완충라인(213)(313)들과 상호 연통되어 있기 때문에 소정의 압력으로 가스 공급부(200b)(300b)로부터 단일의 제1주입구(A1)를 통해 주입되는 각각의 제1반응가스 내지 후술되는 퍼징가스는 제1완충라인(213)(313)들의 내부공간에 합류하게 된다.
상기 제1완충라인(213)(313)들의 내부공간에 합류된 제1반응가스 또는 후술되는 퍼징가스의 분압은 그 라인을 따라 흐르면서 일정한 압력으로 균일화되어 다수의 제1분사구(B1)들을 통해 스테이지부(203)(303)들에 각각 공급된다. 이는 각각의 기판(201)(301)에 균일한 압력의 반응가스 및 균일한 가스분포를 제공하여 균일한 박막을 증착시키기 위함이다.
이 후, 상기 제1반응가스는 기판(201)(301)들 상에 화학적으로 흡착되어 단 원자층으로 증착된다.
상술한 바와 같은 단 원자층의 증착이 완료되면, 가스 공급부(200b)(300b)는 각각의 상기 제1공급라인(211a)(311a)들을 통해 소정량의 퍼징가스를 상기 스테이지부(203)(303)들로 공급한다. 이러한 퍼징가스는 기판(201)(301)들의 상면을 흐르면서, 단 원자층으로 증착되고 남은 제1반응가스를 퍼지하여 상기 몸체부의 개구를 통해 스테이지부(203)(303) 밖으로 배출시킨다. 이렇게 배출된 상기 제1반응가스는 진공챔버(100)와 연결된 펌프(미도시)에 의해 외부로 방출된다.
이와 함께, 가스 공급부(200b)(300b)는 소정의 막질을 구성하는 제2반응가스를 제2공급라인(211b)(311b)들에 주입하여 스테이지부(203)(303)들의 내부로 공급한다. 이 때에도, 상기 제2공급라인(211b)(311b)들은 제2완충라인(215)(315)들과 상호 연통되어 있기 때문에 소정의 압력으로 가스 공급부(200b)(300b)로부터 제2주입구(A2)를 통해 주입되는 각각의 제2반응가스 또는 후술되는 퍼징가스는 제2완충라인(215)(315)들에 합류하게 된다.
상기 제2완충라인(215)(315)들 내에 합류된 제2반응가스들의 분압은 그 라인들을 따라 흐르면서 일정한 압력으로 균일화되어 다수의 제2분사구(B2)들을 통해 스테이지부(203)(303)들에 각각 공급된다. 그러면, 제2반응가스는 전술한 바와 같은 기판(201)(301)들에 흡착된 제1반응가스의 원자층 상을 흐른다.
그 후, 제1반응가스와 제2반응가스 간의 반응은 화학적으로 흡착된 제1반응가스가 있는 기판(201)(301)들의 표면에서만 일어나 원자층(atomic layer)의 박막이 증착된다.
이와 같은 상기 제1 및 제2반응가스는 기판(201)(301)들의 상면에 균일한 가스분포를 제공하기 위하여 그리고, 균일한 증착막을 형성하기 위하여 기판(201)(301)의 전면을 흐르도록 개구쪽으로 분사되어야 한다. 만일, 가스들이 기판(201)(301)들의 중심부를 향해 분사된다면, 기판(201)(301)에서의 증착막 균일도를 저하시키게 된다.
그 다음으로, 퍼징가스를 제2공급라인(211b)(311b)들로 공급하면, 퍼징가스는 스테이지부(203)(303)들을 퍼지하여 제1 및 제2반응가스의 반응 부산물을 몸체부의 개구를 통해 스테이지부(203)(303) 밖으로 배출시키게 된다.
이에 앞서, 상기 가스 공급부(200b)(300b)는 제1 및 제2반응가스를 제1 및 제2공급라인(211a,311a)(211b,311b)들로 공급하기 전에 비활성기체인 퍼징가스를 제3공급라인(211c)(311c)들을 통해 기판(201)(301)들의 하측으로 먼저 공급한다.
이러한 퍼징가스는 이송장치(209)(309)의 이동경로인 안착부(207)(307)의 홈(207a)(307a)으로 흐르게 된다. 이렇게 퍼징가스가 기판(201)(301)들의 하부로 흐르게 되면, 상기 퍼징가스는 기판(201)(301)들의 하측 즉, 기판 장착용 홈(207a)(307a)으로 침투하는 제1 및 제2반응가스를 퍼지하여 기판(201)(301)들의 저면에 박막이 증착되지 않게 한다.
이를 보다 자세히 설명하면, 제1 및 제2반응가스가 기판(201)(301) 상부를 각각 흐르고 있을 때, 퍼징가스를 항상 기판(201)(301)들의 하측으로 먼저 흘려주면, 이송장치(209)(309)의 이동경로인 기판 장착용 홈(207a)(307a)을 통해 기판(201)(301)의 저면으로 침투하는 제1 반응가스 또는 제2반응가스는 상기 퍼징가스에 의해 퍼지되어 스테이지부(203)(303) 밖으로 배출된다. 이 때에, 상기 퍼징가스는 기판(201)(301)들의 상부로 투입되는 제1반응가스, 제2반응가스 및 퍼징가스의 각각에 대하여 30% 비율의 유량을 가지도록 하여 반응용기(200a)(300a) 내의 압력변화에 영향을 미치지 않도록해야 한다. 이와 더불어, 상기 퍼징가스는 반도체 기판(201)(301)들에 형성되는 열 분포를 균일하게 할 뿐만 아니라, 기판(201)(301)들의 온도구배를 작게 하는 역할을 한다.
한편, 본 발명에 따른 원자층 증착장치의 반응용기(200a)(300a) 특히, 제1 및 제2완충라인(213,313)(215,315)들은 각각의 모듈(210)(310)들이 조립되어 마련되기 때문에 만약, 반응용기(200a)(300a)가 미세한 가공오차를 가지고 조립된 경우에는 제1 및 제2반응가스가 스테이지부(203)(303)들로 공급되는 중에 각각의 제1 및 제2완충라인(213,313)(215,315)들에 합류되면서, 가스들의 자체압력에 의해 조립면에 형성된 미세한 틈새로 흘러들어가게 된다. 그러면, 각각의 반응가스는 제1 및 제2완충라인(213,313)(215,315)들에서 서로 섞이어 화학적 반응을 일으키게 된다. 이러한 경우에 있어서, 제1 및 제2완충라인(213,313)(215,315)들 사이에 형성된 제3완충라인(217)(317)들은 제1 및 제2완충라인(213,313)(215,315)들로부터 각 모듈(210)(310)들의 조립면 틈새로 흘러들어온 반응가스를 차단하여 그 라인의 양단을 통해 외부로 배출시킨다.
이와 같은 일련의 작용을 통해, 본 발명의 실시예들에 따른 원자층 증착장치는 원자층 증착법(ALD)을 적용하여 반도체 기판이나, 디스플레이 제조용 유리 기판에 원하는 미세 패턴과, 원하는 두께의 박막 그리고, 요철에서의 박막 균일도를 동시에 구현할 수 있게 되어 종래와는 달리, 단위 시간당의 박막 증착효율을 크게 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 이원계 물질의 박막형성만을 설명하였으나, 삼원계 물질뿐만 아니라 더욱 복잡한 조성을 갖는 물질층도 증착이 가능하다.
이상에서의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치는 복수매의 동일 기판에 양질의 박막 성질과, 원하는 미세 패턴의 박막을 동시에 증착할 수 있기 때문에 단위 시간에 대한 증착효율을 크게 증진시켜 생산효율을 향상시키는 점에 그 장점이 있다.

Claims (18)

  1. 원자층 증착법을 적용하여 미세한 패턴의 박막을 형성하도록 된 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치에 있어서,
    진공챔버와, 상기 진공챔버 내에 설치되는 것으로 그 내부에 복수매의 기판이 수용되는 반응용기와, 상기 반응용기와 상호 대향되게 설치되어 반응가스 및 퍼징가스를 상기 반응용기 내로 공급하는 가스 공급부를 구비하며,
    상기 반응용기는,
    분리 가능한 다수의 모듈이 상보적으로 각각 조립되어 마련되는 것으로 일측에 개구가 형성되어 있는 몸체부;
    상기 모듈들의 조합에 의해 상기 몸체부 내에 공간적으로 구획되어 형성되며, 상기 개구를 통하여 그 내부영역에 상기 기판이 각각 수용되는 다수의 스테이지부; 및
    상기 모듈들의 타측에 각각 형성되어 상기 스테이지부들과 연통되는 것으로 상기 가스 공급부로부터 공급되는 상기 가스들이 그 경로를 통해 상기 스테이지부들로 주입되는 다수의 가스 공급라인;을 구비하는 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반응가스 및 퍼징가스는 상기 가스 공급라인으로 공급되어 상기 개구를 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 모듈의 최상부 및 최하부에 히팅부재가 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 히팅부재는 삽입형 발열체인 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반응용기는 상기 진공챔버의 외부에서 발하는 램프히터에 의해 소정 온도의 분위기로 유지되는 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 스테이지부는 원형의 반도체 기판이 수용되며, 상기 반도체 기판의 형상에 대응되는 내부공간이 마련된 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 스테이지부는 사각형상의 유리 기판이 수용되며, 상기 유리 기판의 형상에 대응되는 내부공간이 마련된 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 스테이지부의 바닥면에,
    상기 반도체 기판이 안착되는 원형의 안착부가 마련되며, 상기 안착부에는 기판 장착용 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 스테이지부의 바닥면에,
    상기 유리 기판이 안착되는 사각형상의 안착부가 마련되며, 상기 안착부에는 기판 장착용 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급라인은,
    상기 모듈들의 타측에 각각 형성되어 상기 스테이지부의 내측벽에 연통되는 제1 및 제2공급라인과,
    상기 모듈들의 타측에 각각 형성되어 상기 안착부의 홈에 연통되는 단일의 제3공급라인이 마련되는 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  11. 제6항 또는 제10항에 있어서,
    상기 제1 및 제2공급라인은,
    단일의 주입구와, 상기 반도체 기판의 인입측 형상에 대응되는 상기 스테이지부의 내측벽에 형성된 다수개의 분사구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  12. 제7항 또는 제10항에 있어서,
    상기 제1 및 제2공급라인은,
    단일의 주입구와, 상기 유리 기판의 인입측 형상에 대응되는 상기 스테이지부의 내측벽에 형성된 다수개의 분사구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 및 제2공급라인에는 각각의 상기 반응가스 및 퍼징가스가 교대로 공급되며, 상기 제3공급라인에는 상기 기판의 온도분포를 균일하게 하고, 상기 기판의 저면에 상기 반응가스에 의한 박막이 증착되지 않도록 퍼징가스만 공급되는 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제3공급라인에 공급되는 상기 퍼징가스의 유량은 제1 및 제2공급라인에 공급되는 상기 가스들의 30% 이하인 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1 및 제2공급라인의 중간영역에는,
    각각의 상기 모듈 조립면에 원주방향으로 형성된 반원형상의 제1 및 제2완충라인이 연결되어 있어 상기 제1 및 제2공급라인들로 공급되는 각각의 상기 가스가 상기 완충라인들의 내부공간에 합류되어 상기 스테이지부 내에 균일한 압력으로 공급되는 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1 및 제2공급라인의 중간영역에는,
    각각의 상기 모듈 조립면에 상기 제1 및 제2공급라인의 직교방향으로 형성된 제1 및 제2완충라인이 연결되어 있어 상기 제1 및 제2공급라인들로 공급되는 각각의 상기 가스가 상기 완충라인들의 내부공간에 합류되어 상기 스테이지부 내에 균일한 압력으로 공급되는 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서,
    상기 제1완충라인과 제2완충라인 사이에는 제3완충라인이 더 형성되어 있어 상기 제1 및 제2완충라인에 합류되는 상기 가스들이 상기 모듈 조립면의 틈새로 흐르는 것을 차단하여 외부로 배기시키도록 된 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 반응용기는 티타늄, 알루미늄, 몰리브데늄, 텅스텐, 흑연, 베릴리아, 탄화규소, 질화규소 중 적어도 어느 하나 이상의 소재로 형성된 것을 특징으로 하는 복수매 기판의 박막 증착 공정이 가능한 원자층 증착장치.
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