KR102546941B1 - 정전기 방지 기능이 있는 레티클 포드 - Google Patents

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Abstract

정전기 방지 기능이 있는 레티클 포드는 베이스와 복수의 지지 부재를 포함한다. 리세스가 지지면 상에 형성되고 바닥면에 의해 정의된 지지면을 베이스가 갖는다. 지지 부재는 베이스의 지지면을 둘러싸고 레티클을 지지하도록 구성된다. 리세스는 지지면과 바닥면 사이에 뻗어 있는 깊이로 정의된다. 깊이가 300㎛에서 3400㎛ 범위여서 이로써 지지면의 미립자에 가해지는 정전기력을 약화시킨다.

Description

정전기 방지 기능이 있는 레티클 포드{Reticle Pod with Antistatic Capability}
본 발명은 레티클 포드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 정전기 방지 기능이 있는 레티클 포드에 관한 것이다.
종래의 EUV 공정에서 사용하기 위한 레티클은 전용 EUV 레티클 포드로 보호되어야 한다. 도 1은 EUV 레티클을 수용하고 외부 포드(100) 및 내부 포드(110)를 포함하며, 상기 외부 포드(100) 및 내부 포드(110)에 의해 형성된 내부층 및 외부 층 수용 공간을 갖는 레티클 포드를 도시한다. 외부 포드(100)는 리드(101) 및 베이스(102)를 포함하고, 이들을 함께 결합하여 내부 포드(110)를 수용하기 위한 수용 공간을 형성한다. 내부 포드(110)는 리드(111) 및 베이스(112)를 포함하고 이들을 특수 수단으로 함께 결합하여 레티클(120)을 수용하고 레티클에 밀폐를 제공하기 위한 수용 공간을 형성한다.
레티클(120)이 내부 포드(110)에 수용되면, 레티클(120)의 에지 또는 바닥이 베이스(112)상의 지지 부재(1121)에 의해 지지되어, 레티클(120)의 하향면(112)이 레티클(120)의 상향 지지면(1122)보다 약간 더 높아지게 된다. 상향 지지면(1122)(이하 지지면(1122)이라고 함)이 지지 부재(1121)에 의해 둘러싸이고 레티클(120)의 패턴존(미도시)의 면적보다 큰 면적을 갖는다. 상기 지지면(1122)은 베이스(112)의 주변에 배치되고 리드(111)와 접촉하도록 구성된 상향 접촉면(1123)과 다르다. 상향 접촉면(1123)은 링형이다.
노광 장치에서 꺼낸 레티클(120)은 잔류 전압이 있고, 상기 잔류 전압은 50V 보다 크다. 잔류 전압이 있는 레티클(120)을 다시 내부 포드(110)에 넣으면, 베이스 상의 미립자(112)가 레티클(120)의 바닥에 흡착될 수 있다. 미립자가 레티클(120)의 패턴존에 흡착되면, 레티클(120)은 노광 공정의 다음 순간에서 패턴에 결함이 발생할 것이다.
도 2는 하전된 레티클(120)이 베이스(112)에 접근하는 단계를 도시한다. 베이스(112)는 접지되어 있어 하전되지 않는다; 그러나, 미립자(P)가 상부면(예를 들어, 전술한 베이스(112)의 지지면(1122))에 있다. 하전된 레티클(120)이 베이스(112)에 어느 정도 접근하면, 레티클(120)의 음전하에 의해 생성된 전기장으로 인해 베이스(112)의 상부면과 미립자(P)가 양전하를 발생하게 한다. 레티클(120)이 베이스(112)에 더 많이 접근하면, 미립자(P)를 끌어 당길 정도로 정전기장의 세기가 충분해져 미립자(P)가 베이스(112)의 상부면에서 빠져 나와 레티클(120)의 바닥에 흡착된다. 명백히, 정전기로 인해 야기된 모든 결함들을 접지 베이스(112)로는 극복할 수 없다.
따라서, 정전하에 의해 야기된 레티클의 결함을 고려한다면, 정전기를 지닌 레티클을 수용하기 위해서는 정전기 방지 기능을 갖춘 레티클 포드를 제공할 필요가 있다.
도 3은 미립자(P)가 중력(Fw)과 정전기력(Fe)을 받는 것을 도시한 것으로, 여기서 F는 결과적인 힘, q는 전하량, E는 정전기장, m은 미립자의 질량, g는 중력 상수, V는 전압, d는 레티클 바닥과 베이스의 상부면 사이의 간격을 나타낸다. 따라서, 베이스 상의 미립자(P)가 레티클 바닥에 흡착되게 하는 요인은 미립자 크기(중량), 레티클 전하량 및 레티클 바닥과 베이스 상부면 사이의 거리를 포함한다.
따라서, 본 발명의 목적은 정전기 방지 기능이 있는 레티클 포드로서, 바닥면에 리세스가 형성된 지지면을 갖는 베이스; 및 상기 베이스의 지지면을 둘러싸고 레티클을 지지하도록 구성된 복수의 지지 부재를 포함하고, 상기 지지면과 바닥면 사이에 뻗어 있는 깊이에 의해 상기 리세스를 정의하며, 상기 지지면 상의 미립자에 가해지는 정전기력을 약화시키기 위해 상기 깊이는 300 ㎛ 내지 3400 ㎛ 범위에 있는 레티클 포드를 제공하는 것이다.
특정 실시예에서, 베이스는 지지면을 둘러싸고 리드와 접촉하여 밀폐된 수용 공간을 형성하도록 구성된 상향 접촉면을 더 갖는다.
특정 실시예에서, 리세스는 레티클의 패턴존의 면적과 같거나 더 큰 면적의 존을 둘러싸는 링형 에지를 갖는다.
특정 실시예에서, 리세스는 레티클의 패턴존을 덮기에 충분한 존을 둘러싸는 링형 에지를 갖는다.
특정 실시예에서, 리세스는 길이가 138mm 이고 폭이 110mm 인 직사각형 에지를 갖는다.
특정 실시예에서, 레티클의 잔류 전압은 50V 보다 크고, 깊이는 적어도 400㎛ 보다 크다.
본 발명의 또 다른 목적은 정전기 방지 기능이 있는 레티클 포드로서, 기계적 가공으로 형성된 편향면인 상부면을 갖는 베이스; 및 상기 상부면을 둘러싸고 레티클을 지지하도록 구성된 복수의 지지 부재를 포함하고, 베이스의 상부면 상의 미립자에 가해지는 정전기력을 약화시키기 위해 적어도 300㎛ 보다 큰 갭이 상기 레티클의 하향면과 상기 베이스의 상부면 사이에 형성되는 레티클 포드를 제공하는 것이다.
특정 실시예에서, 베이스는 상부면을 둘러싸고 리드과 접촉하여 밀폐된 수용 공간을 형성하도록 구성된 상향 접촉면을 더 갖는다.
특정 실시예에서, 상부면의 면적이 레티클의 패턴존의 면적과 동일하거나 더 크다.
특정 실시예에서, 상부면의 존이 레티클의 패턴존을 덮기에 충분하다.
특정 실시예에서, 상부면은 길이가 138mm 이고 폭이 110mm 인 직사각형 에지를 갖는다.
특정 실시예에서, 레티클의 잔류 전압은 50V 보다 크고, 갭이 적어도 400㎛ 보다 크다.
본 개시의 또 다른 목적은 레티클 포드의 베이스에 부착되는 레티클 포드를 가공하는 방법으로서, 베이스는 짖지면과 복수의 지지 부재를 가지며, 상기 지지 부재는 베이스의 지지면을 둘러싸고 레티클을 지지하도록 구성되는 레티클 포드를 가공하는 방법을 제공하는 것이다. 상기 방법은 상기 지지면을 기계적으로 가공하여 그 위에 리세스를 형성하는 단계; 및 상기 리세스를 가공하여 레티클의 잔류 전압에 따라 적어도 300㎛ 보다 큰 깊이만큼 리세스를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 리세스는 바닥면에 형성되는 레티클 포드를 가공하는 방법을 제공하는 것이다.
특정 실시예에서, 잔류 전압이 50V 보다 크고, 깊이가 적어도 400㎛ 보다 크다.
특정 실시예에서, 잔류 전압이 100V 보다 크고, 깊이가 적어도 400㎛ 보다 크다.
특정 실시예에서, 잔류 전압이 200V 보다 크고, 깊이가 적어도 800㎛ 보다 크다.
특정 실시예에서, 잔류 전압이 400V 보다 크고, 깊이가 적어도 1600㎛ 보다 크다.
본 발명의 내용에 포함됨.
본 개시는 첨부도면과 함께 기술되며 아래에서 설명된다. 첨부도면을 참조로 비제한적이고 비배타적인 실시예들을 이하에 제시한다. 첨부도면은 기술적 특징과 원리를 설명하기 위한 것이지만 반드시 일정한 비율로 그려진 것은 아니다.
도 1(종래 기술)은 종래의 레티클 포드의 분해도이다.
도 2(종래 기술)는 하전된 레티클이 레티클 포드의 베이스에 접근하는 단계를 보여준다.
도 3(종래 기술)은 정전기력과 중력을 받는 미립자를 도시한다.
도 4는 본 개시의 레티클 포드의 분해도이다.
도 5는 레티클 포드의 베이스의 사시도이다.
도 6은 도 5에 기초한 횡단면도이다.
도 7은 도 5의 레티클 포드의 베이스의 평면도이다.
도 8은 도 5의 레티클 포드의 베이스의 저면도이다.
도 9a는 레티클 패턴존과 리세스 커버리지 존 사이의 관계를 도시한다. 도 9b는 레티클과 리세스 바닥면 사이의 갭을 도시한다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 레티클 포드의 베이스의 사시도이다.
도 11a 내지 도 11d는 레티클의 상이한 잔류 전압, 상이한 미립자 크기 및 미립자에 가해지는 순 힘에 대한 상이한 갭의 효과를 도시한다.
이하, 첨부도면을 참조로 특정 실시예에 의해 예시된 본 개시를 설명한다. 그러나, 본 개시에서 청구되는 주제는 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 그 범위가 아래에 개시된 예시적인 예 및 실시예에 한정되지 않는다. 예시적인 예 및 실시예는 단지 예시적인 용도로 제공된다. 본 개시는 청구된 주제에 대해 상당히 넓은 범위를 제공한다.
본 명세서에서 사용되는 표현 "일 실시예에서"는 반드시 동일한 특정 실시예를 지칭하는 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 표현 "다른 실시예에서"는 반드시 상이한 특정 실시예를 지칭하는 것이 아니다. 청구된 주제는 전체적으로 또는 부분적으로 예시적인 예 및 실시예의 조합의 범위 내에 있는 것으로 간주되어야 한다.
도 4는 본 개시의 레티클 포드의 분해도이다. 도 1과 마찬가지로, 도 4는 외부 포드(200) 및 내부 포드(210)를 도시한다. 외부 포드(200)는 리드(201) 및 베이스(202)를 포함한다. 상기 리드(201) 및 베이스(202)가 내부 포드(210)를 수용하기 위한 수용 공간을 함께 형성한다. 내부 포드(210)는 레티클(220)을 수용하기 위한 수용 공간을 함께 정의하는 리드(211) 및 베이스(212)를 더 포함한다. 본 발명의 기술적 특징은 베이스(212)에 있다. 외부 포드(200) 및 내부 포드(210)의 리드(211)의 다른 세부 사항은 아래 설명에서 생략한다.
베이스(212)는 복수의 지지 부재(2121), 상향 지지면(이하 지지면(2122)이라 함) 및 상향 접촉면(2123)을 갖는다. 지지 부재(2121)는 지지면(2122)과 상향 접촉면(2123) 사이에 배치되고 상기 지지면(2122)을 둘러싼다. 지지 부재(2121)는 레티클(220)의 바닥 또는 측면 에지를 지지하기 위해 다른 형상을 취하도록 구성된다. 예를 들어, 이 실시예에서, 각 지지 부재(2121)는 레티클(220)의 횡방향 변위를 제한하기 위한 2 개의 제한 포스트와 레티클의 하향면과 접촉하여 지지면(2122) 위까지 레티클(220)을 들어 올리기 위한 지지핀을 갖는다. 레티클(220)의 하향면과 지지면(2122) 사이의 갭은 지지핀의 높이에 따라 다르다. 기본적으로, 지지면(2122)은 평평한다; 그러나, 실제로, 지지면(2122)의 적어도 일부는 기계적 가공으로 형성되고 육안으로는 거의 식별할 수 없는 편향면이다. 지지면(2122)은 기계적으로 가공되어 그 위에 리세스(2124)를 형성한다. 리세스(2124)는 지지면(2122)에서 실질적으로 중앙에 배치될뿐만 아니라 지지면(2122)에 의해 둘러싸인다. 레티클(220)이 지지 부재(2121)에 놓일 때, 레티클(220)의 패턴존이 리세스(2124)의 자리에 대응한다.
도 5는 베이스(212)의 미세한 구조적 특징을 도시한다. 도 6은 도 5의 파선을 따라 취한 횡단면도이다. 도면에 도시된 바와 같이, 지지면(2122)과 베이스(212) 주변의 상향 접촉면(2123) 사이에 그루브(도면 부호로 표시하지 않음)가 형성되고 리드(211)와 베이스(212)의 접합을 통해 압착되는 미립자를 포획하도록 구성된다. 도 6은 지지면(2122)이 상향 접촉면(2123)보다 높기 때문에 구조적 장벽을 생성하여 미립자가 지지면(2122)에 떨어질 가능성을 낮춰 내부 포드(210)의 청결을 보장함을 명확하게 보여준다. 변형된 실시예에서, 지지면(2122) 및 상향 접촉면(2123)이 동일한 높이이거나, 지지면(2122)이 더 낮고, 그루브가 또한 완전히 채워질 수 있다. 리세스(2124)는 바닥면(600)과 벽면(601)에 의해 형성되고 따라서 깊이(D)에 의해 정의된다. 깊이(D)는 가공 깊이, 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 지지면(2122)과 리세스 바닥면(600) 사이의 수직 거리이다. 리세스(2124)도 기계적 가공에 의해 형성되기 때문에, 바닥면(600)도 편향될 수 있다.
도 7은 도 5의 베이스(212)의 평면도이다. 도면 도시된 바와 같이, 리세스(2124) 및 바닥면(600)의 (지지면의 내부 가장자리에 의해 정의된) 개구는 직사각형이고, 개구 및 바닥면(600) 모두 실질적으로 면적이 동일하다. 일 실시예에서, 직사각형은 각각 길이가 138mm 이고 폭이 110mm 이다. 리세스(2124)는 지지면(2122)에서 실질적으로 중앙에 배치되고, 그 어떤 측면과도 접촉하지 않는다. 도 8은 베이스(212)의 바닥에 배치되고 공정 기계에서 베이스(212)를 위치시키도록 구성된 위치 결정 구조물(800)을 도시한 도 5의 베이스(212)의 저면도이다.
도 9a는 레티클(900)의 레티클 패턴 영역(901, 둘러싸는 실선으로 구분됨)과 베이스 리세스 영역(902) 사이의 관계를 나타내는 평면도이다. 도면에서 점선은 리세스 커버리지 영역(902)이 적어도 레티클 패턴 영역(901)보다 크게 정의하며 리세스 개구의 링형 에지를 정의한다. 이 구성은 레티클 패턴존의 모든 부분이 리세스의 바닥면을 향하도록 보장한다. 도 9b는 레티클 패턴 영역(901)의 하향면과 리세스의 바닥면(903) 사이에 배치된 갭(G)을 나타내는 측면도이다. 지지되는 레티클의 높이에 따라, 레티클의 하부면(904)의 높이가 베이스의 지지면의 높이에 근접할 수 있으며, 이에 따라 레티클의 하부면(904)과 리세스의 바닥면(600) 사이의 갭이 리세스의 깊이(도 6에 도시된 깊이 D)와 동일해진다. 일 실시예에서, 리세스의 깊이(D)는 300 ㎛ 내지 3400 ㎛ 또는 3400 ㎛ 내지 3750 ㎛ 범위이다. 따라서, 갭(G)은 적어도 300㎛ 보다 크다. 그러므로, 정전기 전하를 지닌 레티클이 베이스에 놓일 때, 리세스 깊이(D) 또는 갭(G)을 제어하면 베이스의 지지면에 있는 미립자에 가해지는 정전기력을 효과적으로 약화시킬 수 있어 미립자가 레티클의 하향면에 끌릴 가능성을 낮출 수 있다.
도 10은 본 개시의 다른 실시예에 따른 레티클 포드의 베이스의 사시도이다. 도 5에 비해, 도 10은 베이스에서 지지면의 존(zone)이 크게 감소하고 리세스 커버리지 존이 증가하여 연속적인 벽(1001)으로 둘러싸인 상부면(1002)을 형성한 것을 도시하며 상기 벽(1001)은 상부면(1002)으로 오염 미립자의 침입 가능성을 낮추기 위해 상향 접촉면(1003)보다 여전히 높은 것을 보여준다. 변형된 실시예에서, 벽(1001)은 필요하지 않으며, 도면에 도시된 그루브는 상향 접촉면과 상부면을 분리한다. 마찬가지로, 베이스 상의 레티클의 하향면과 상면(1002) 사이에 갭의 형성 및 상부면(1002)의 깊이의 적절한 제어로, 예를 들어, 벽(1001)의 수직 높이가 300 ㎛에서 3400 ㎛ 범위가 되도록 하거나 레티클의 하부면과 상부면(1002) 사이의 갭이 적어도 300 ㎛ 보다 크게 되게 하여, 베이스 상부면의 미립자에 가해지는 정전기력이 효과적으로 약화될 것이다.
도 11a 내지 도 11d는 레티클의 상이한 잔류 전압, 상이한 미립자 크기 및 상이한 리세스 깊이가 미립자에 가해지는 순 힘에 미치는 영향을 도시한다. 도 11a는 도 6 및 도 9b에 예시된, 특히, 미립자가 리세스의 바닥면(903)에 놓여 있고 레티클의 잔류 전압이 400V 일 때의 구성에 따라 6 개의 상이한 크기 대 깊이(D)의 미립자에 가해진 순 힘의 그래프를 도시한다; 그래프에서 볼 수 있듯이, 깊이가 1600㎛ 보다 크면, 모든 미립자의 순 힘이 음이 되어 미립자가 하향 힘을 받아 미립자에 가해지는 정전기력이 효과적으로 약화되는 것을 나타낸다. 마찬가지로, 도 11b는 레티클의 잔류 전압이 200V 일 때 상기 크기 대 깊이(D)의 미립자에 가해지는 순 힘의 그래프를 도시한다; 그래프에서 볼 수 있듯이, 깊이가 800㎛ 보다 크면, 미립자에 가해지는 정전기력이 효과적으로 약화된다. 도 11c는 레티클의 잔류 전압이 100V 일 때 상기 크기 대 깊이(D)의 미립자에 가해지는 순 힘의 그래프를 도시한다; 그래프에서 볼 수 있듯이, 깊이가 400㎛ 보다 크면, 미립자에 가해지는 정전기력이 효과적으로 약화된다. 도 11d는 레티클의 잔류 전압이 50V 일 때 상기 크기 대 깊이(D)의 미립자에 가해지는 순 힘의 그래프를 도시한다; 그래프에서 볼 수 있듯이, 깊이가 400㎛ 보다 크면 미립자에 가해지는 정전기력이 효과적으로 약화된다. 상술한 도면에서, 그래프는 미립자 크기에 따라 서로 구별되는 방식으로 컬러를 나타내지 않았지만, 당업자는 여전히 도면에 포함된 개시에 따라 그래프를 서로 구별할 수 있으며, 따라서 위의 설명을 이해한다.
따라서, 본 개시는 레티클 포드를 제공한다. 레티클 포드의 베이스에 있는 리세스의 가공 깊이 또는 리세스의 바닥면(상부면)과 레티클의 하향면 사이의 갭을 제어하면 레티클의 잔류 전압이 베이스의 표면에 있는 미립자에 미치는 영향을 효과적으로 약화시키고 따라서 미립자가 레티클의 하향면에 끌릴 가능성을 낮춰 패턴존을 오염으로부터 보호한다.
100 외부 포드
101 리드
102 베이스
110 내부 포드
111 리드
112 베이스
1121 지지 부재
1122 상향 지지면
1123 상향 접촉면
120 레티클
P 미립자
200 외부 포드
201 리드
202 베이스
210 내부 포드
211 리드
212 베이스
2121 지지 부재
2122 상향 지지면
2123 상향 접촉면
2124 리세스
220 레티클
600 바닥면
601 벽
D 깊이
800 위치 결정 구조물
900 레티클
901 레티클 패턴 영역
902 베이스 리세스 영역, 리세스 커버리지 영역
903 베이스
904 하부면
G 갭
1001 벽
1002 상부면
1003 상향 접촉면

Claims (17)

  1. 정전기 방지 기능이 있는 레티클 포드로서,
    바닥면에 리세스가 형성된 지지면을 갖는 베이스; 및
    상기 베이스의 지지면을 둘러싸고 레티클을 지지하도록 구성된 복수의 지지 부재를 포함하고,
    상기 지지면과 바닥면 사이에 뻗어 있는 깊이에 의해 상기 리세스를 정의하며, 상기 지지면 상의 미립자에 가해지는 정전기력을 약화시키기 위해 상기 깊이는 300 ㎛ 내지 3400 ㎛ 범위에 있고,
    리세스는 레티클의 패턴존의 면적과 동일하거나 더 큰 면적의 존을 둘러싸는 링형 에지를 갖는 레티클 포드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    베이스는 지지면을 둘러싸고 리드와 접촉하여 밀폐된 수용 공간을 형성하도록 구성된 상향 접촉면을 더 갖는 레티클 포드.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 링형 에지는 상기 레티클의 패턴존을 덮도록 상기 존을 둘러싸는 레티클 포드.
  5. 제 1 항에 있어서,
    리세스는 길이가 138mm이고, 폭이 110mm 인 직사각형 에지를 갖는 레티클 포드.
  6. 제 1 항에 있어서,
    레티클의 잔류 전압은 50V 보다 크고, 깊이는 적어도 400㎛ 보다 큰 레티클 포드.
  7. 정전기 방지 기능이 있는 레티클 포드로서,
    기계적 가공으로 형성된 편향면인 상부면을 갖는 베이스; 및
    상기 상부면을 둘러싸고 레티클을 지지하도록 구성된 복수의 지지 부재를 포함하고,
    베이스의 상부면 상의 미립자에 가해지는 정전기력을 약화시키기 위해 적어도 300㎛ 보다 큰 갭이 상기 레티클의 하향면과 상기 베이스의 상부면 사이에 형성되고,
    베이스는 복수의 지지 부재와 상부면 사이에 연장된 링형 에지를 가져, 상부면의 면적이 레티클의 패턴존의 면적과 동일하거나 더 큰 레티클 포드.
  8. 제 7 항에 있어서,
    베이스는 상부면을 둘러싸고 리드과 접촉하여 밀폐된 수용 공간을 형성하도록 구성된 상향 접촉면을 더 갖는 레티클 포드.
  9. 삭제
  10. 제 7 항에 있어서,
    상부면은 상기 레티클의 패턴존을 덮는 레티클 포드.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상부면은 길이가 138mm이고 폭이 110mm 인 직사각형 에지를 갖는 레티클 포드.
  12. 제 7 항에 있어서,
    레티클의 잔류 전압은 50V 보다 크고, 갭이 적어도 400㎛ 보다 큰 레티클 포드.
  13. 지지면과 상기 지지면을 둘러싸고 레티클을 지지하도록 구성된 복수의 지지 부재를 갖는 베이스에 부착되는 레티클 포드를 가공하는 방법으로서,
    상기 지지면을 기계적으로 가공하여 그 위에 리세스를 형성하는 단계; 및
    상기 리세스를 가공하여 레티클의 잔류 전압에 따라 적어도 300㎛ 보다 큰 깊이만큼 리세스를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 리세스는 바닥면에 형성되고,
    상기 리세스는 레티클의 패턴존의 면적과 동일하거나 더 큰 면적의 존을 둘러싸는 링형 에지를 갖는 레티클 포드를 가공하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    잔류 전압이 50V 보다 크고, 깊이가 적어도 400㎛ 보다 큰 레티클 포드를 가공하는 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    잔류 전압이 100V 보다 크고, 깊이가 적어도 400㎛ 보다 큰 레티클 포드를 가공하는 방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    잔류 전압이 200V 보다 크고, 깊이가 적어도 800㎛ 보다 큰 레티클 포드를 가공하는 방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    잔류 전압이 400V 보다 크고, 깊이가 적어도 1600㎛ 보다 큰 레티클 포드를 가공하는 방법.
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