KR102272941B1 - 원격 플라즈마 pecvd를 사용하는 fcvd 하드웨어에 의한 유동 가능한 탄소 필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예들은 일반적으로, 유동 가능한 탄소-함유 필름을 기판 상에 형성하기 위한 방법들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 산소-함유 플라즈마 유출물들을 생성하기 위해 산소-함유 가스가 원격 플라즈마 영역 내로 유동되고, 탄소-함유 가스는, 기판을 수용하는 기판 프로세싱 영역에서, 산소-함유 플라즈마 유출물들과 결합된다. 탄소-함유 필름은, 기판 상에 형성되는 트렌치들에 형성되고, 저 K 유전체 재료는, 트렌치들의 탄소-함유 필름 상에 증착된다. 탄소-함유 필름은 UV 처리에 의해 분해되고(decomposed), 에어 갭들이, 저 K 유전체 재료 하의 트렌치들에 형성된다.

Description

원격 플라즈마 PECVD를 사용하는 FCVD 하드웨어에 의한 유동 가능한 탄소 필름{FLOWABLE CARBON FILM BY FCVD HARDWARE USING REMOTE PLASMA PECVD}
[0001] 본 발명의 실시예들은 일반적으로, 유동 가능한(flowable) 탄소-함유 필름을 반도체 기판 상에 형성하기 위한 방법들에 관한 것이다.
[0002] 반도체 디바이스의 기하학적 구조들(semiconductor device geometries)은, 반도체 디바이스가 수십 년 전에 도입된 이래 크기가 극적으로 감소되어왔다. 현대의 반도체 제조 장비는 45 nm, 32 nm, 및 28 nm 피쳐(feature) 크기들을 가지는 디바이스들을 일상적으로(routinely) 생산하며, 그보다 훨씬 더 작은 기하학적 구조들을 가지는 디바이스들을 제조하기 위해 새로운 장비가 개발되고 있고 구현되고 있다. 감소하는 피쳐 사이즈들은, 감소된 폭을 갖는, 디바이스 상의 구조적인 피쳐들을 초래한다. 디바이스들 상의 트렌치들(trenches) 및 갭들의 폭들은, 갭을 유전체 재료로 충전하는(filling) 것이 더욱 난제가 되도록, 협소하다(narrow). 증착되는(depositing) 유전체 재료는, 갭이 완전히 충전되기 전에 정상부를 막기가 쉬워서, 갭의 중간부에 공극(void) 또는 이음매(seam)를 생성한다.
[0003] 수년간, 갭의 정상부가 유전체 재료로 막히는 것을 방지하기 위해, 또는 형성된 공극 또는 이음매를 "치유(heal)"하기 위해 많은 기술들이 개발되어왔다. 하나의 접근법은, 회전하는(spinning) 기판 표면에 액체 상(phase)으로 도포될 수 있는 탄소-함유 유동 가능한(flowable) 재료를 이용하여 시작되었다(예를 들어, SOG 증착 기술들). 용매(solvent)를 제거한 후에, 탄소-함유 필름이 트렌치들에 형성된다. 그런 다음에, 트렌치들 내부에 에어 갭들(air gaps)을 형성하기 위해, 탄소가 필름으로부터 제거된다. 그러나, SOG 증착 기술들에 의해 형성된 탄소-함유 필름의 탄소는 제거하기 매우 어렵다.
[0004] 그러므로, 유동 가능한 탄소-함유 필름을 기판 상에 형성하기 위한 개선된 방법이 필요하다.
[0005] 본 발명의 실시예들은 일반적으로, 유동 가능한 탄소-함유 필름을 기판 상에 형성하기 위한 방법들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 산소-함유 플라즈마 유출물들(effluents)을 생성하기 위해 산소-함유 가스가 원격 플라즈마 영역 내로 유동하고, 탄소-함유 가스는, 기판을 수용하는 기판 프로세싱 영역에서, 산소-함유 플라즈마 유출물들과 결합된다. 탄소-함유 필름은, 기판 상에 형성되는 트렌치들에 형성되고, 저 K 유전체 재료는, 트렌치들의 탄소-함유 필름 상에 증착된다. 탄소-함유 필름은 UV 처리에 의해 분해되어(decomposed), 에어 갭들이, 저 K 유전체 재료 하의 트렌치들에 형성된다.
[0006] 일 실시예에서, 기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법이 개시된다. 방법은, 유동 가능한 탄소-함유 필름을 트렌치들의 제 1 부분에 형성하는 단계를 포함하고, 상기 단계는, 탄소-함유 가스를 화학 기상 증착 챔버의 기판 프로세싱 영역에 제공하는 것, 산소-함유 플라즈마 유출물들을 형성하기 위해 산소-함유 가스를 원격 플라즈마 시스템에 제공하는 것, 플라즈마 유출물들을 기판 프로세싱 영역 내에 도입하는 것, 및 유동 가능한 탄소-함유 필름을 트렌치들의 제 1 부분에 형성하기 위해, 플라즈마 유출물들과 탄소-함유 가스를 반응시키는 것을 포함한다. 방법은, 트렌치들의 제 2 부분에, 유동 가능한 탄소-함유 필름 상에 저 K 유전체 재료를 형성하는 단계, 및 트렌치들의 제 1 부분에 에어 갭들을 형성하기 위해, 유동 가능한 탄소-함유 필름을 제거하는 단계를 더 포함한다.
[0007] 다른 실시예에서, 기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법이 개시된다. 방법은, 유동 가능한 폴리(메틸 메타크릴레이트)(poly(methyl methacrylate)) 필름을 트렌치들의 제 1 부분에 형성하는 단계를 포함하고, 상기 단계는, 메틸 메타크릴레이트 가스를 화학 기상 증착 챔버의 기판 프로세싱 영역에 제공하는 것, 화학 기상 증착 챔버에서 기판 프로세싱 영역과 별개인 플라즈마 영역에서 아르곤 및 산소-함유 플라즈마 유출물들을 형성하는 것, 플라즈마 유출물들을 기판 프로세싱 영역 내에 도입하는 것, 및 유동 가능한 폴리(메틸 메타크릴레이트) 필름을 트렌치들의 제 1 부분에 형성하기 위해, 플라즈마 유출물들과 메틸 메타크릴레이트 가스를 반응시키는 것을 포함한다. 방법은, 트렌치들의 제 1 부분에 에어 갭들을 형성하기 위해, 유동 가능한 폴리(메틸 메타크릴레이트) 필름을 제거하는 단계를 더 포함한다.
[0008] 본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된, 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은, 일 실시예에 따른, 기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법을 예시하는 흐름도이다.
[0010] 도 2는, 일 실시예에 따른 기판 프로세싱 시스템을 도시한다.
[0011] 도 3은, 일 실시예에 따른 기판 프로세싱 챔버를 도시한다.
[0012] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내는데 동일한 참조번호들이 사용되었다. 일 실시예에 개시되는 엘리먼트들이, 구체적인 언급 없이 다른 실시예들에서 유익하게 사용될 수 있다는 점이 고려된다.
[0013] 본 발명의 실시예들은 일반적으로, 유동 가능한 탄소-함유 필름을 기판 상에 형성하기 위한 방법들에 관한 것이다. 일 실시예에서, 산소-함유 플라즈마 유출물들을 생성하기 위해 산소-함유 가스가 원격 플라즈마 영역 내로 유동되고, 탄소-함유 가스는, 기판을 수용하는 기판 프로세싱 영역에서, 산소-함유 플라즈마 유출물들과 결합된다. 탄소-함유 필름은, 기판 상에 형성되는 트렌치들에 형성되고, 저 K 유전체 재료는, 트렌치들의 탄소-함유 필름 상에 증착된다. 탄소-함유 필름은 UV 처리에 의해 분해되고(decomposed), 에어 갭들이, 저 K 유전체 재료 하의 트렌치들에 형성된다.
[0014] 도 1은, 300mm 직경 웨이퍼에 대한 일 실시예에 따라, 기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법을 예시하는 흐름도(100)이다. 블록(102)에서, 탄소-함유 전구체 가스는 화학 기상 증착(CVD) 챔버의 기판 프로세싱 영역에 도입된다. 탄소-함유 전구체 가스는 탄소-함유 단량체(monomer), 예컨대, 메틸 메타크릴레이트(MMA)일 수 있고, 400 내지 600 sccm(standard cubic centimeters per minute)의 유량을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 탄소-함유 전구체 가스는 실리콘을 함유하지 않는다. 탄소-함유 전구체 가스는 이중-구역(dual-zone) 샤워헤드를 통해 기판 프로세싱 영역에 도입될 수 있다.
[0015] 탄소-함유 전구체 가스에 부가하여, 블록(104)에서, 산소-함유 플라즈마 유출물들이 또한, CVD 챔버의 기판 프로세싱 영역에 도입된다. 일 실시예에서, 산소-함유 플라즈마 유출물들은 또한, 아르곤 플라즈마 유출물들을 포함한다. 산소 및 아르곤-함유 플라즈마 유출물들은, 산소 및 아르곤-함유 가스, 예컨대, 산소 및 아르곤 가스들의 혼합물을 원격 플라즈마 시스템을 통해 유동시킴으로써 형성된다. 일 실시예에서, 산소 가스는 100sccm의 유량을 갖고, 아르곤 가스는 1000 내지 2000sccm의 유량을 갖는다. 산소 및 아르곤-함유 가스는, CVD 챔버 내부 또는 외부에 포지셔닝된 원격 플라즈마 시스템에서 형성된 플라즈마에 의해 에너자이징될(energized) 수 있다. 산소 및 아르곤-함유 가스는 CVD 챔버 내부의 플라즈마 영역에서 여기될(excited) 수 있다. 이러한 플라즈마 영역은 기판 프로세싱 영역으로부터 분할될(partitioned) 수 있다. 산소 및 아르곤-함유 가스는, 산소 및 아르곤-함유 가스가 해리되고(dissociated), 라디칼화되고(radicalized), 그리고/또는 그렇지 않으면 산소 및 아르곤-함유 플라즈마 유출물들로 변환되는(transformed) 원격 플라즈마에 노출될 수 있다. 그런 다음에, 플라즈마 영역에서 형성된 플라즈마 유출물들은 이중-구역 샤워헤드를 통해 기판 프로세싱 영역에 도입된다.
[0016] 그 다음, 블록(106)에서, 산소-함유 플라즈마 유출물들은 기판 프로세싱 영역에서 탄소-함유 전구체 가스와 반응하여, 기판 상에 형성된 트렌치들에, 유동 가능한 탄소-함유 필름을 형성한다. 반응은 상온(room temperature), 예컨대, 섭씨 20도에서 일어날 수 있다. MMA가 탄소-함유 가스로서 사용되는 실시예에서는, 유동 가능한 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA)가 트렌치들에 형성된다.
[0017] 유동 가능한 탄소-함유 필름은 오직, 각각의 트렌치의 부분만 충전하고, 각각의 트렌치의 남은 부분은 저 K 유전체 재료, 예컨대, 탄소 도핑된 실리콘 옥사이드(carbon doped silicon oxide)로 충전된다. 블록(108)에서, 저 K 유전체 재료는 트렌치들의 탄소-함유 필름 상에 증착된다. 그 다음, 블록(110)에서, 각각의 트렌치 내의 유동 가능한 탄소-함유 필름은 자외선(UV) 처리에 의해 제거되어, 트렌치들의 바닥부 부분에 형성된 에어 갭들을 남긴다. 상기 설명된 바와 같이 증착된 유동 가능한 PMMA 필름은 UV 처리를 이용하여 제거하기가 상대적으로 쉽다.
[0018] 기판 상에 형성된 트렌치들 내부에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법은, 증착 시스템들, 예컨대, 캘리포니아 주 산타 클라라 소재의 Applied Materials, Inc.로부터 입수 가능한 PRODUCER® 플라즈마 강화 CVD (PECVD) 시스템에 의해 수행될 수 있다. 도 2는, 일 실시예에 따른 기판 프로세싱 시스템(200)을 도시한다. 도 2에 도시된 바와 같이, FOUP들(front opening unified pods)(202)의 쌍은, 기판 프로세싱 챔버들(208a-208f) 중 하나 내로 배치되기 전에, 로봇 아암들(204)에 의해서 수용되고 저압 유지 지역(206) 내로 배치되는 기판들을 공급한다. 제 2 로봇 아암(210)은, 기판들을 유지 지역(206)으로부터 기판 프로세싱 챔버들(208a-208f)로 그리고 역으로(back) 운송하기 위해 사용될 수 있다.
[0019] 기판 프로세싱 챔버들(208a-208f)은, 기판 상에 형성된 트렌치들의 유동 가능한 탄소-함유 필름, 예컨대, PMMA 필름을 증착, 어닐링, 경화 및/또는 에칭하기 위한 하나 또는 그 초과의 시스템 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 일 구성에서, 프로세싱 챔버의 2개의 쌍들(예컨대, 208c-208d 및 208e-208f)은, 유동 가능한 탄소-함유 필름을 트렌치들에 증착시키기 위해 사용될 수 있고, 프로세싱 챔버들의 제 3 쌍(예컨대, 208a-208b)은, 증착된 필름을 처리하기 위해, 예컨대, UV 처리를 수행하기 위해 사용될 수 있다.
[0020] 도 3은, 일 실시예에 따른 기판 프로세싱 챔버(300)이다. 원격 플라즈마 시스템(310)은, 이후에 가스 유입구 조립체(gas inlet assembly; 311)를 통해 이동하는 가스를 프로세싱할 수 있다. 가스 유입구 조립체(311) 내에서 2개의 별개의 가스 공급 채널들을 볼 수 있다. 제 1 채널(312)은 원격 플라즈마 시스템(310)을 통과하는 가스를 운반하고, 제 2 채널(313)은 원격 플라즈마 시스템(310)를 바이패싱한다(bypass). 덮개(321)와 샤워헤드(353)는 절연 링(324)을 사이에 두고 도시되어 있으며, 그러한 절연 링은 AC 전위가 샤워헤드(353)에 대하여 덮개(321)에 인가되는 것을 허용한다. 프로세스 가스는 제 1 채널(312)을 통해 챔버 플라즈마 영역(320) 내로 이동하며, 원격 플라즈마 시스템(310)과 조합하여 또는 단독으로 챔버 플라즈마 영역(320)에서 플라즈마에 의해 여기될 수 있다. 챔버 플라즈마 영역(320) 및/또는 원격 플라즈마 시스템(310)의 조합은 본원에서 원격 플라즈마 시스템으로 지칭될 수 있다. 아르곤 및 산소-함유 가스는, 원격 플라즈마 시스템에 의해, 아르곤 및 산소-함유 플라즈마 유출물들로 변환될 수 있다. 샤워헤드(353)는, 챔버 플라즈마 영역(320)을 샤워헤드(353) 아래의 기판 프로세싱 영역(370)으로부터 분리시킨다. 샤워헤드(353)는, 챔버 플라즈마 영역(320)에 존재하는 플라즈마가, 기판 프로세싱 영역(370) 내의 가스들을 직접 여기시키는 것을 피하는 것을 허용하는데, 이는 여전히, 여기된 종, 예컨대, 플라즈마 유출물들이, 챔버 플라즈마 영역(320)으로부터 기판 프로세싱 영역(370) 내로 이동하는 것을 허용한다.
[0021] 샤워헤드(353)는, 플라즈마 유출물들, 예컨대, 플라즈마 영역(320) 내에서 생성된 아르곤 및 산소-함유 플라즈마 유출물들이, 샤워헤드(353)의 두께를 횡단하는 복수의 관통홀들(throughholes; 356)을 통과함으로써 기판 프로세싱 영역(370) 내로 이동하는 것을 허용하는 이중-구역 샤워헤드일 수 있다. 각각의 관통홀(356)은 플라즈마 영역(320)을 향하는 개구부(350)를 가질 수 있고, 개구부(350)는 관통홀(356)의 직경보다 더 작은 직경을 가질 수 있다. 샤워헤드(353)는 또한, 하나 또는 그 초과의 중공 용적들(hallow volumes; 351)을 가지며, 그러한 용적들은, 증기 또는 가스 형태의 전구체(예컨대, 탄소-함유 전구체 가스)로 충전될 수 있고, 작은 홀들(355)을 통해 기판 프로세싱 영역(370) 내로 통과하지만, 플라즈마 영역(320) 내로는 직접적으로 통과하지 않는다.
[0022] 광통홀들(356)의 개수는 약 60 내지 약 2000개일 수 있다. 관통홀들(356)은 다양한 형상들을 가질 수 있으나, 가장 용이하게는 라운드형(round)으로 제조된다. 개구부(350)의 직경은 약 0.5 mm 내지 약 20 mm 또는 약 1 mm 내지 약 6 mm일 수 있다. 또한, 관통홀들(356)의 단면 형상을 선택하는데 있어서 자유(latitude)가 있으며, 이러한 관통홀들은 원뿔형, 원통형, 또는 2개의 형상들의 조합으로 만들어질 수 있다. 상이한 실시예들에서, 가스를 기판 프로세싱 영역(370) 내에 도입하기 위해 사용되는 작은 홀들(355)의 개수는, 약 100 내지 약 5000개 또는 약 500 내지 약 2000개일 수 있다. 작은 홀들(355)의 직경은 약 0.1㎜ 내지 약 2㎜일 수 있다.
[0023] 전술한 내용은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 본 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 본 발명의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.

Claims (14)

  1. 기판 상에 형성된 트렌치들(trenches)에 에어 갭들(airgaps)을 형성하기 위한 방법으로서,
    상기 트렌치들의 제 1 부분에, 유동 가능한(flowable) 탄소-함유 필름을 형성하는 단계 - 상기 단계는,
    탄소-함유 가스를 화학 기상 증착 챔버의 기판 프로세싱 영역에 제공하는 것;
    산소-함유 플라즈마 유출물들(effluents)을 형성하기 위해 산소-함유 가스를 원격(remote) 플라즈마 시스템에 제공하는 것;
    상기 플라즈마 유출물들을 상기 기판 프로세싱 영역 내에 도입하는 것; 및
    상기 유동 가능한 탄소-함유 필름을 상기 트렌치들의 제 1 부분에 형성하기 위해, 상기 플라즈마 유출물들과 상기 탄소-함유 가스를 반응시키는 것을 포함함 -;
    상기 트렌치들의 제 2 부분의 상기 유동 가능한 탄소-함유 필름 상에 저 K 유전체 재료(low K dielectric material)를 형성하는 단계; 및
    상기 트렌치들의 제 1 부분에 에어 갭들을 형성하기 위해, 상기 유동 가능한 탄소-함유 필름을 제거하는 단계를 포함하는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄소-함유 가스는 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate)를 포함하고, 상기 유동 가능한 탄소-함유 필름은 폴리(메틸 메타크릴레이트)(poly(methyl methacrylate))를 포함하는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 산소-함유 가스는 산소 가스 및 아르곤 가스를 포함하는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    300mm 웨이퍼에 대해, 상기 메틸 메타크릴레이트는 400 내지 600sccm과 같은 유량을 갖는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    300mm 웨이퍼에 대해, 상기 산소 가스는 100sccm과 같은 유량을 갖고, 상기 아르곤 가스는 1000 내지 2000sccm과 같은 유량을 갖는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 저 K 유전체 재료는 탄소 도핑된 실리콘 옥사이드(carbon doped silicon oxide)를 포함하는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 유동 가능한 탄소-함유 필름은 UV 처리에 의해 제거되는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
  8. 기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법으로서,
    상기 트렌치들의 제 1 부분에, 유동 가능한 폴리(메틸 메타크릴레이트) 필름을 형성하는 단계 - 상기 단계는,
    메틸 메타크릴레이트 가스를 화학 기상 증착 챔버의 기판 프로세싱 영역에 제공하는 것;
    상기 화학 기상 증착 챔버에서 상기 기판 프로세싱 영역과 별개인 플라즈마 영역에서 아르곤 및 산소-함유 플라즈마 유출물들을 형성하는 것;
    상기 플라즈마 유출물들을 상기 기판 프로세싱 영역 내에 도입하는 것; 및
    상기 유동 가능한 폴리(메틸 메타크릴레이트) 필름을 상기 트렌치들의 제 1 부분에 형성하기 위해, 상기 플라즈마 유출물들과 상기 메틸 메타크릴레이트 가스를 반응시키는 것을 포함함 -; 및
    상기 트렌치들의 제 1 부분에 에어 갭들을 형성하기 위해, 상기 유동 가능한 폴리(메틸 메타크릴레이트) 필름을 제거하는 단계를 포함하는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 아르곤 및 산소-함유 플라즈마 유출물들을 형성하는 것은, 산소 가스 및 아르곤 가스를 원격 플라즈마 시스템으로 유동시키는 것을 포함하는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    300mm 웨이퍼에 대해, 상기 산소 가스는 100sccm과 같은 유량을 갖고, 상기 아르곤 가스는 1000 내지 2000sccm과 같은 유량을 갖는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    300mm 웨이퍼에 대해, 상기 메틸 메타크릴레이트 가스는 400 내지 600sccm과 같은 유량을 갖는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 트렌치들의 제 2 부분의 상기 유동 가능한 폴리(메틸 메타크릴레이트) 필름 상에 저 K 유전체 재료를 형성하는 단계를 더 포함하는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 저 K 유전체 재료는 탄소 도핑된 실리콘 옥사이드를 포함하는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 유동 가능한 탄소-함유 필름은 UV 처리에 의해 제거되는,
    기판 상에 형성된 트렌치들에 에어 갭들을 형성하기 위한 방법.
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