JP2021528850A - 炭素間隙充填膜 - Google Patents

Abstract

半導体基板上に流動性炭素層を形成するための方法が説明される。局所励起（ＰＥＣＶＤにおけるプラズマなど）が、本明細書に記載されるように、基板上に流動性炭素膜を形成するために、炭素含有前駆体に印加され得る。遠隔励起法が、安定前駆体を励起してラジカル前駆体を生成し、次いでそれを基板処理領域内で非励起炭素含有前駆体と結合させることによって、流動性炭素膜を生成することも見出されている。堆積後の任意選択的なプラズマへの曝露により、堆積後に流動性膜を硬化するまたは固化することもできる。本明細書に記載の流動性膜を使用して空隙を形成する方法も説明される。
【選択図】図１

Description

［０００１］本開示は概して、薄膜を堆積させる方法に関する。具体的には、本開示は、流動性炭素膜で狭いトレンチを充填し、任意選択的に流動性膜を硬化させるためのプロセスに関する。

［０００２］半導体回路素子の微細化は、４５ｎｍ、３２ｎｍ、２８ｎｍ、およびさらに２０ｎｍの特徴サイズが商業規模で製造されるところまで到達した。寸法がより小さくなり続けるにつれて、様々な材料で回路素子間の間隙を充填することなど、処理ステップにとっての新たな課題が発生する。素子間の幅が縮小し続けるにつれて、素子間の間隙はより高くかつより狭くなることが多く、間隙充填材料が固着して、ボイドおよび弱いシーム（ｓｅａｍ）を生成することなしに間隙を充填することがより困難になる。従来の化学気相堆積（ＣＶＤ）の技法では、間隙が完全に充填される前に、間隙の上部で材料の過成長を経験することが多い。これにより、堆積する材料が過成長によって時期尚早に切り離された場合、間隙でボイドまたはシームが生成される可能性がある。これは、時にブレッドローフィング（ｂｒｅａｄｌｏａｆｉｎｇ）と称される問題である。

［０００３］ブレッドローフィング問題に対する１つの解決策は、プラズマフリーな基板処理領域内で結合された間隙充填前駆体とプラズマ励起前駆体とを用いて、初期流動性膜を形成することであった。堆積した際の流動性は、この化学気相堆積技法を使用して、シームまたはボイドなしに膜が間隙を充填することを可能にする。かかる化学気相堆積は、スピンオンガラス（ＳＯＧ）またはスピンオン誘電体（ＳＯＤ）プロセスよりもより優れた間隙充填特性を生み出すことが見出されてきた。ＣＶＤによって堆積される流動性膜の堆積は、ブレッドローフィングの問題がより少ないが、かかる技術は、一部の種類の材料に対しては依然として利用可能ではない。

［０００４］流動性ＣＶＤ技法は、高く、狭い（すなわち、高アスペクト比の）間隙を他の間隙充填材料で充填する際の重要なブレークスルーであるが、高純度の炭素系材料でかかる間隙をシームレスに充填することができる技法が今もなお必要とされている。以前の炭素系間隙充填膜は、大量の酸素およびケイ素を含んでいた。これらの元素は、炭素系間隙充填膜の特性を大幅に変化させる。

［０００５］したがって、酸素またはケイ素なしの炭素間隙充填膜を堆積させるための前駆体および方法が必要とされている。

［０００６］本開示の一以上の実施形態は、流動性炭素膜の堆積方法を対象とする。本方法は、処理チャンバの基板処理領域に基板を提供することを含む。炭素含有前駆体を含む反応性プラズマが形成される。炭素含有前駆体は、実質的に酸素を含まない。反応性プラズマは、実質的に酸素を含まない。基板を反応性プラズマに曝露して、基板上に流動性炭素膜を堆積させる。流動性炭素膜は、実質的にケイ素も酸素も含まない。

［０００７］本開示のさらなる実施形態は、流動性炭素膜の堆積方法を対象とする。本方法は、処理チャンバの基板処理領域に基板を提供することを含む。基板は、その上に少なくとも１つの特徴を有する基板表面を有する。少なくとも１つの特徴は、基板表面から底面までの深さだけ延在する。少なくとも１つの特徴は、第１の側壁および第２の側壁によって画定された基板表面における開口幅を有する。少なくとも１つの特徴は、前記深さと前記開口幅との比率が約１０：１以上である。第１のプラズマが、基板処理領域内に形成される。第１のプラズマは、炭素含有前駆体および第１のプラズマガスを含む。炭素含有前駆体は、実質的に酸素を含まず、第１のプラズマは、実質的に酸素を含まない。基板を第１のプラズマに曝露して、少なくとも１つの特徴内に流動性炭素膜を堆積させる。少なくとも１つの特徴内に堆積した流動性炭素膜は、実質的にシームを有さず、流動性炭素膜は、実質的にケイ素も酸素も含まない。流動性炭素膜を第２のプラズマに曝露して、流動性炭素膜を硬化させる。第２のプラズマは、第２のプラズマガスを励起することによって生成される。本方法は、減圧を壊さずに、単一のチャンバ内で実施される。基板は、本方法を通してほぼ同じ温度に維持される。

［０００８］本開示のさらなる実施形態は、基板特徴内に空隙を形成する方法を対象とする。本方法は、処理チャンバの基板処理領域に基板を提供することを含む。基板は、その上に少なくとも１つの特徴を有する基板表面を有する。少なくとも１つの特徴は、基板表面から底面までの深さだけ延在する。少なくとも１つの特徴は、第１の側壁および第２の側壁によって画定された基板表面における開口幅を有する。少なくとも１つの特徴は、前記深さと前記開口幅との比率が約１０：１以上である。流動性炭素膜が、少なくとも１つの特徴の第１の部分に堆積される。流動性炭素膜は、炭素含有前駆体を励起してプラズマを形成することを含むプロセスによって堆積される。炭素含有前駆体は、実質的に酸素を含まない。プラズマは、実質的に酸素を含まない。基板をプラズマに曝露して、少なくとも１つの特徴内に流動性炭素膜を堆積させる。少なくとも１つの特徴内に堆積した流動性炭素膜は、実質的にシームを有さず、流動性炭素膜は、実質的にケイ素も酸素も含まない。材料が、少なくとも１つの特徴の第２の部分において流動性炭素膜上に堆積される。流動性炭素膜は、少なくとも１つの特徴の第１の部分から除去されて、少なくとも１つの特徴の第１の部分に空隙を形成する。

［０００９］本発明の上述の特徴を詳細に理解し得るように、上記で簡単に要約されている本発明のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は付随する図面に示されている。しかし、本発明は他の等しく有効な実施形態も許容し得ることから、付随する図面は、この発明の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、発明の範囲を限定するとみなすべきではないことに、留意されたい。

［００１０］基板上に流動性炭素層を形成する方法において選択されたステップを示すフローチャートである。 ［００１１］本開示のいくつかの実施形態による基板処理システムを示す。 ［００１２］本開示のいくつかの実施形態による基板処理チャンバを示す。 ［００１３］本開示のいくつかの実施形態によるガス分配シャワーヘッドを示す。

［００１４］本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、「基板」および「ウエハ」という用語は交換可能に使用されており、いずれもプロセスが作用する表面または表面の一部のことを指す。これも当業者には理解されることであるが、基板に対して言及がなされるとき、文脈上他のことが明示されない限り、基板の一部のみを指すこともあり得る。さらに、基板上への堆積に対して言及がなされるとき、それは、ベア基板と、一以上の膜または特徴が堆積または形成された基板との両方を意味し得る。

［００１５］本書で使用される「基板」とは、製造プロセス中に膜処理が実施される任意の基板または基板上に形成された材料表面のことを指す。例えば、処理が実施され得る基板表面には、用途に応じて、ケイ素、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンオンインシュレータ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ：ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたケイ素、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイアなどの材料、ならびに、金属、金属窒化物、金属合金、およびその他の導電性材料といった、他の任意の材料が含まれる。基板は、半導体ウエハを含むが、それに限定されない。基板は、基板表面を研磨、エッチング、還元、酸化、ヒドロキシル化（またはさもなければ化学官能性を付与するためにターゲット化学部分（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｏｉｅｔｉｅｓ）を発生させるまたはグラフトする）、アニール、および／またはベークする前処理プロセスに曝露されてもよい。基板自体の表面上で直接膜処理することに加えて、本開示では、開示された任意の膜処理ステップは、以下でより詳細に開示される基板上に形成された下層にも実施され得る。「基板表面」という用語は、文脈が示すように、かかる下層を含むことが意図される。ゆえに、例えば、膜／層または部分的な膜／層が基板表面上に堆積する場合、新たに堆積した膜／層の露出面が基板表面となる。所与の基板表面が何を含むかは、どのような膜が堆積されるか、ならびに使用される特定の化学的性質に左右されることになる。

［００１６］本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、「反応性ガス」、「前駆体」、「反応物」等の用語は、交換可能に使用され、基板表面と反応する種を含むガスを意味する。例えば、第１の「反応性ガス」は、単に基板の表面上に吸着し得、第２の反応性ガスとのさらなる化学反応のために利用可能である。

［００１７］本書で使用される「約」という用語は、およそまたはほぼを意味し、明記される数値または範囲に照らして、数値の±１５％以下の変動を意味する。例えば、±１４％、±１０％、±５％、±２％、または±１％だけ異なる値であれば、約の定義を満たす。

［００１８］本開示の実施形態は、半導体基板上に流動性炭素層を形成し、任意選択的に流動性炭素層を硬化するまたは固化する方法に関する。本開示および添付の特許請求の範囲全体を通して使用されるように、炭素層および炭素膜は、同じ材料を称するものとして理解されるべきである。反応性プラズマは、本明細書にさらに記載されるように、実質的に酸素原子を含まない炭素含有前駆体から形成されて、基板上に流動性炭素膜を形成し得る。遠隔励起法は、安定前駆体を励起してラジカル前駆体を生成し、次いでそれを非励起炭素含有前駆体と結合して基板処理領域内に反応性プラズマを形成することによって、流動性炭素膜を生成することも見出される。

［００１９］局所励起の場合、局所プラズマは、炭素含有前駆体を励起するために使用され得る。発明者らは、これらの技法を修正して、励起領域を収容する同じ基板処理領域内で基板上に流動性炭素膜を形成することができると判断した。いくつかの実施形態では、プロセスは、前駆体が基板に移動する前に、前駆体の適切な再結合および脱励起を可能にする。再結合および脱励起は、反応物の流れからイオン化種を除去し、初期膜が固化または硬化の前に流動することを可能にする。後に続く説明で提示されている、流量、前駆体、およびプロセスパラメータは、局所プラズマ技術および遠隔プラズマ技術の両方に適用される。

［００２０］例示的な遠隔プラズマＣＶＤプロセスでは、流動性炭素膜の炭素成分は、基板処理領域の外部で形成される遠隔プラズマにおいて形成されるラジカル前駆体によって励起される炭素含有前駆体に由来し得る。ラジカル前駆体は、アンモニア、アルゴン、水素、ヘリウムなどから形成され得る。ラジカル前駆体は、実質的に酸素原子を含まない。炭素含有前駆体および安定前駆体／ラジカル前駆体の両方は実質的に酸素原子を含まないので、反応性プラズマは実質的に酸素原子を含まない。遠隔プラズマは、遠隔プラズマシステムであってよく、または同じ基板処理システム内にあるが基板処理領域からシャワーヘッドによって分離されている区画であってもよい。ラジカル前駆体は、低い堆積温度で炭素含有前駆体と結合したときに、流動性炭素膜を形成するために部分的に活性化される。高アスペクト比の間隙で構成される基板部分では、流動性炭素材料が、実質的にシームなしでそれらの間隙内へ堆積され得る。

［００２１］本発明をより良く理解し認識するために、本発明の実施形態に従って基板上で流動性炭素層を形成する方法において選択されたステップを示すフローチャートである図１をこれより参照する。この方法は、炭素含有前駆体１０２を化学気相堆積チャンバの基板処理領域に提供するステップを含む。炭素含有前駆体は、流動性炭素層の形成に使用される炭素を提供する。

［００２２］炭素含有前駆体は炭化水素を含み、本発明の実施形態では炭化水素から成る。炭素含有前駆体は、炭素、水素および任意選択的に窒素から成る。開示される実施形態では、炭素含有前駆体は、酸素もフッ素（または他のハロゲン原子）も有さない。例示的な炭素含有前駆体は、アルカン、アルケン、アルキン、アミン、イミン、およびニトリルを含む。

［００２３］例示的な炭素含有前駆体は、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパン、プロペン、プロピン、ブタン、ブテン、ブチン、ヘキサン、ヘキセン、ヘキシン、ヘプタン、ヘプテン、ヘプチン、オクタン、オクテン、オクチン、および数ある中でもより長鎖の炭化水素を含む。炭素含有前駆体は、環状炭化水素であってよいが、シクロプロパン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、またはシクロヘプタンに限定されるものではない。炭素含有前駆体は、芳香族炭化水素であり得る。例示的な炭素含有前駆体は、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、アニリンおよびピリジンを含み得る。いくつかの実施形態では、炭素含有前駆体は本質的にプロペン、アセチレンまたはメタンから成る。

［００２４］概して言えば、炭素含有前駆体は、炭素および水素を含み得るが、窒素も含み得る。特定の実施形態では、炭素含有前駆体の反応性成分は、本質的に炭素および水素から成る。このように使用されるように、表現「本質的に〜から成る（ｃｏｎｓｉｓｔｓ ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ ｏｆ）」は、問題の反応性ガスの組成物が、原子ベースで言及される成分（合計で）で約９５％、９８％、９９％または９９．５％以上であることを意味する。炭素含有前駆体は、炭素、水素および窒素から成り得る。いくつかの実施形態では、炭素含有前駆体は、４個から１２個、４個から１０個、４個から８個、６個から１２個、６個から１０個、８個から１２個、または４個、６個、８個、もしくは１２個以上の炭素原子を含む。

［００２５」いくつかの実施形態では、炭素含有前駆体は、少なくとも１つの不飽和結合を含む。いくつかの実施形態では、不飽和結合は炭素−炭素不飽和結合である。いくつかの実施形態では、不飽和結合は、炭素−窒素不飽和結合である。いくつかの実施形態では、炭素含有前駆体は、ビニル官能基を含む。いくつかの実施形態では、炭素含有前駆体は、エテン、プロペン、イソブチレン、ブタジエン、およびスチレンから成る群から選択される。いくつかの実施形態では、不飽和結合は末端不飽和結合である。いくつかの実施形態では、炭素含有前駆体は、芳香族または非芳香族のいずれかの環状構造を含む。

［００２６］安定前駆体を遠隔プラズマ領域の中に流入させて（動作１０４）、ラジカル前駆体を生成する。ラジカル前駆体をシャワーヘッドを通して基板処理領域の中に流入させ（動作１０６）、ここで、ラジカル前駆体を炭素含有前駆体と結合させて（動作１０８）、反応性プラズマを形成した。炭素含有前駆体は、プラズマを通って流動せず、ラジカル前駆体によってのみ励起される。非励起炭素含有前駆体およびラジカル前駆体は、流動性炭素層を形成する（動作１１０）ようなやり方で結合することが見出された。

［００２７］概して、安定前駆体は、酸素もケイ素も含まない任意の適切なガスを含み得る。例示的な安定前駆体は、希ガス（例えば、Ｎｅ、Ｋｒ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｈｅ）、硝酸ナトリウム、および水素を含む。安定前駆体（ひいてはラジカル前駆体）の流量は、開示される実施形態では、約３００ｓｃｃｍ以上、約５００ｓｃｃｍ以上、または約７００ｓｃｃｍ以上であり得る。炭素含有前駆体の流量は、開示される実施形態では、約１００ｓｃｃｍ以上、約２００ｓｃｃｍ以上、約２５０ｓｃｃｍ以上、約２７５ｓｃｃｍ以上、約３００ｓｃｃｍ以上、約３５０ｓｃｃｍ以上、約４００ｓｃｃｍ以上などであるか、またはそれを上回ることがあり得る。

［００２８］流動性炭素層を形成し、かつ、堆積させるために使用される半導体基板は、パターン化された半導体基板であり得、半導体基板上に形成されるデバイス構成部品（例えばトランジスタ）の間隔および構造のために複数の間隙または特徴を有し得る。間隙は、１：１よりもかなり大きい（例えば、５：１またはそれより大きい、６：１またはそれより大きい、７：１またはそれより大きい、８：１またはそれより大きい、９：１またはそれより大きい、１０：１またはそれより大きい、１１：１またはそれより大きい、１２：１またはそれより大きい、など）幅に対する高さのアスペクト比（ＡＲ）（すなわちＨ／Ｗ）を規定する高さと幅を有し得る。多くの場合、アスペクト比が高いことは、約９０ｎｍから約２２ｎｍ以下（例えば、９０ｎｍ、６５ｎｍ、５０ｎｍ、４５ｎｍ、３２ｎｍ、２２ｎｍ、１６ｎｍなどを下回る）の範囲の小さい間隙幅に起因する。炭素層が初期流動性なので、充填材料の中心周辺にボイドまたは弱いシームを生成することなく、高いアスペクト比の間隙を充填することができる。例えば、堆積する流動性材料は、間隙の中央にボイドまたはシームを残すように間隙が完全に充填される前に間隙の上面を時期尚早に「塞ぐ」または覆う可能性が低い。

［００２９］基板は、上面を有する。少なくとも１つの特徴が、上面において開口部を形成する。該特徴は、上面から底面までの深さだけ延在する。特徴は、特徴の開口幅を画定する第１の側壁および第２の側壁を有する。側壁と底部によって形成される開口領域は、間隙とも称される。

［００３０］特定の実施形態では、特徴はトレンチである。特徴は、任意の適切なアスペクト比（特徴の深さと特徴の幅との比率）を有し得る。いくつかの実施形態では、アスペクト比は、約５：１、１０：１、１５：１、２０：１、２５：１、３０：１、３５：１、または４０：１以上である。

［００３１］原子濃度で測定すると、炭素層は、本発明の実施形態では、少なくとも７０％の炭素、少なくとも７５％の炭素、少なくとも８０％の炭素、および少なくとも８５％の炭素を含み得る。概して言えば、炭素層は、炭素および水素を含み得るが、窒素または他の要素も含み得る。炭素層は、実質的にケイ素も酸素も含まない。特定の実施形態では、ケイ素フリー炭素含有層は、炭素および水素から成り得る。炭素層は、炭素、水素および窒素から成り得る。

［００３２］安定前駆体は、ラジカル前駆体を形成するために、堆積チャンバの外部または内部に位置決めされる遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）内で形成されるプラズマによって励起され得る。安定前駆体は、遠隔プラズマに曝露され得る。その場合、安定前駆体は、解離され、ラジカル化され、および／またはさもなければラジカル前駆体としても知られるプラズマ放出物に変換される。ラジカル前駆体は、次いで基板処理領域に導入され、別個に導入される炭素含有前駆体と初めて混合し、反応性プラズマを形成する。炭素含有前駆体を、プラズマによって直接的にではなく、ラジカル前駆体との接触によって励起することは、特有の堆積中間体（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｒｙ）を形成する。プラズマが直接的に炭素含有前駆体を励起するならば、これらの中間体は存在しないであろう。これらの堆積中間体は、従来の炭素層堆積技法とは違って、炭素層が初期流動性であることを可能にする、より長い炭素鎖を含み得る。形成中の流動可能な性質は、固化また硬化の前に、層が狭い特徴に流入することができるようにする。

［００３３］外部のプラズマ領域に対して代替的に（または追加的に）、安定前駆体を、堆積チャンバの内部のプラズマ領域において励起することができる。このプラズマ領域は、基板処理領域から仕切られてもよい。流動性炭素層を基板の露出面上に堆積させるために、前駆体は基板処理領域内で混合し、かつ反応する。プラズマ領域の位置に関わらず、基板処理領域は、堆積プロセス中に「プラズマフリー」領域として記載され得る。「プラズマフリー」とは、必ずしも領域にプラズマがないことを意味するわけではないことに留意されたい。チャンバプラズマ領域内のプラズマの境界は画定することが難しく、シャワーヘッドの開孔の１つが前駆体を基板処理領域に搬送するために使用される場合、チャンバプラズマ領域内のプラズマの境界は例えばシャワーヘッドの開孔を通して基板処理領域に侵入し得る。誘導結合プラズマが堆積チャンバに組み込まれている場合、本発明の範囲から逸脱することなく、堆積の間に基板処理領域内で僅かなイオン化がさらに開始され得る。ラジカル前駆体の生成の間、プラズマがチャンバプラズマ領域よりもはるかに低いイオン密度を有することのすべての原因は、本明細書で使用される「プラズマフリー」の範囲から逸脱しない。

［００３４］炭素層は基板上に形成され、堆積中に初期流動性である。流動性の発生源は、炭素に加えて、膜内の水素の存在に関連付けられ得る。水素は、膜内でＣ‐Ｈ結合として存在すると考えられており、初期流動性において支援し得る。基板処理領域の反応領域における温度は、低い（例えば１００℃を下回る）可能性があり、全チャンバ圧力は、炭素層の堆積の間、約０．１Ｔｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒ（例えば、約１Ｔｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒなど）であり得る。温度は、基板を支持する温度制御ペデスタルによって部分的に制御され得る。ペデスタルは、例えば約−１００℃から約１００℃にペデスタルおよび基板の温度を調整する冷却／加熱ユニットに熱的に結合され得る。流動性は、高い基板温度に依存せず、したがって、初期流動性炭素層は、比較的低温の基板上であっても、間隙を充填し得る。炭素層を形成する間、基板の温度は、約１００℃以下、約５０℃以下、約２５℃以下、または約０℃以下であり得る。

［００３５］初期流動性炭素層は、露出平面上のみならず、間隙へも堆積し得る。パターン化された基板上の開口領域上で測定すると、堆積厚は、開示される実施形態では、約５０Å以上、約１００Å以上、約１５０Å以上、約２００Å以上、約３００Å以上、または４００Åであり得る。堆積厚は、本発明の実施形態では、約２０００Å以下、約１５００Å以下、約１０００Å以下、約８００Å以下、約６００Å以下、または約５００Åであり得る。追加的な開示される実施形態は、これらの上限値の１つを下限値の１つと組み合わせることによって得ることができる。

［００３６］流動性炭素層が所望の厚さに達するとき、プロセス放出物が堆積チャンバから除去され得る。これらのプロセス放出物は、任意の未反応のラジカル前駆体および炭素含有前駆体、希釈剤および／またはキャリアガス、ならびに基板上に堆積しなかった反応生成物を含み得る。プロセス放出物は、堆積チャンバを排出することによっておよび／または放出物を堆積領域内の非堆積ガスと置き換えることによって、除去され得る。

［００３７］以前示されたように、遠隔プラズマ励起の代わりに局所励起が使用され得る。炭素含有前駆体を励起するために、局所プラズマも使用され得る。ＰＥ−ＣＶＤは、開示される実施形態では、約１００Ｗａｔｔｓより低く、約５０Ｗａｔｔｓより低く、約４０Ｗａｔｔｓより低く、約３０Ｗａｔｔｓより低く、または約２０Ｗａｔｔｓより低く局所プラズマの強度を減少させることによって、流動性炭素膜を形成するためにも使用され得る。いくつかの実施形態では、局所プラズマは、３Ｗａｔｔｓより大きい、または５Ｗａｔｔｓより大きいことがあり得る。追加の実施形態を形成するために、任意の上限値を任意の下限値と組み合わせることができる。プラズマは、例えばガス分配シャワーヘッドとペデスタル／基板との間に、容量性結合電力によるＲＦエネルギーを印加することによって、生じ得る。かかる低電力は、プラズマの不安定性およびこれまでの望ましくない膜の低成長率の結果、従来技術システムでは通常使用されない。低い基板温度（以上で概説したように）は、流動性炭素膜を形成するために、本明細書に記載のすべての実施形態で必要とされる。より高いプロセス圧力も、脱励起に役立ち、かつ流動性膜を促進し、基板処理領域は、本発明の実施形態では０．１Ｔｏｒｒと１０Ｔｏｒｒとの間の圧力で維持され得る。ＰＥ−ＣＶＤに関しては、ガス供給シャワーヘッド間の分離は、従来技術プロセスにとって望ましくないとみなされている間隔に増大され得る。開示された実施形態において、約３００ｍｉｌ、約４００ｍｉｌ、約５００ｍｉｌ、約７５０ｍｉｌ、約１０００ｍｉｌ、約１５００ｍｉｌ、約２０００ｍｉｌ、約５０００ｍｉｌ、約７５００ｍｉｌ、約１００００ｍｉｌまたは約１２０００ｍｉｌ以上の基板面間隔へのより多くのガス供給は、流動性炭素膜を生成することが見出された。

［００３８］いくつかの例示的なハードウェアを記載する過程で、さらなるプロセスパラメータが導入されよう。本発明の実施形態を実装することができる堆積チャンバは、他の種類のチャンバの中でも、高密度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰ−ＣＶＤ）チャンバ、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバ、準大気圧化学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）チャンバ、および熱化学気相堆積チャンバを含み得る。

［００３９］堆積システムの実施形態は、集積回路チップを作製するためにより大きな製造システムに組み込まれてもよい。図２は、開示される実施形態による堆積のかかるシステム１００１の１つおよび他の処理チャンバを示す。図において、一対のＦＯＵＰ（前方開口型統一ポッド）１００２が、ロボットアーム１００４によって受け取られ、ウエハ処理チャンバ１００８ａ〜ｆのうちの１つの中に置かれる前に低圧ホールドエリア１００６の中に置かれる基板（例えば、３００ｍｍ直径ウエハ）を供給する。第２のロボットアーム１０１０が、ホールドエリア１００６から処理チャンバ１００８ａ〜ｆへ、およびその逆方向に、基板ウエハを搬送するために使用され得る。処理チャンバ１００８ａ〜ｆは、基板ウエハ上に流動性誘電体膜を堆積させるための一以上のシステム構成部品を含み得る。一構成では、チャンバの３対のすべて（例えば１００８ａ〜ｆ）が、基板上に流動性誘電体膜を堆積させるように構成され得る。記載されたプロセスの任意の一以上が、種々の実施形態に示される製造システムから分離されたチャンバ（一または複数）で実行され得る。

［００４０］図３Ａは、開示される実施形態による基板処理チャンバ１１０１である。遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）１１１０はガスを処理し、ガスは次いでガス吸気口アセンブリ１１１１を通過し得る。２つの別個のガス供給チャネルが、ガス吸気口アセンブリ１１１１内に見える。第１のチャネル１１１２が、遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）１１１０を通過するガスを運ぶ一方で、第２のチャネル１１１３が、ＲＰＳ１１１０を迂回する。開示される実施形態では、第１のチャネル１１１２が、プロセスガスのために使用され得、第２のチャネル１１１３が、処理ガスのために使用され得る。蓋（または導電性の上部）１１２１とシャワーヘッド１１５３は、間に絶縁リング１１２４を伴って示され、シャワーヘッド１１５３に対して蓋１１２１にＡＣ電位を印加することが可能である。プロセスガスは、第１のチャネル１１１２を通ってチャンバプラズマ領域１１２０の中へ移動し、チャンバプラズマ領域１１２０内のみにおいてまたはＲＰＳ１１１０との組み合わせにおいて、プラズマによって励起され得る。チャンバプラズマ領域１１２０および／またはＲＰＳ１１１０の組み合わせは、本書において、遠隔プラズマシステムと称され得る。穿孔された仕切り（シャワーヘッドとも称される）１１５３は、チャンバプラズマ領域１１２０をシャワーヘッド１１５３の下方の基板処理領域１１７０から分離する。シャワーヘッド１１５３は、チャンバプラズマ領域１１２０の中に存在するプラズマが、基板処理領域１１７０の中のガスを直接励起することを回避することを可能にするが、一方励起された種が、チャンバプラズマ領域１１２０から基板処理領域１１７０の中へ移動することを依然として可能にする。

［００４１］シャワーヘッド１１５３は、チャンバプラズマ領域１１２０と基板処理領域１１７０との間に位置決めされ、チャンバプラズマ領域１１２０内で生成されたプラズマ放出物（前駆体または他のガスの励起誘導体）が板の厚さを横断する複数の貫通孔１１５６を通過できるようにする。シャワーヘッド１１５３は、一以上の中空空間１１５１も有し、この中空空間は、蒸気またはガスの形態の前駆体（ケイ素フリー炭素含有前駆体など）で充填することができ、小孔１１５５から基板処理領域１１７０を通過するが、チャンバプラズマ領域１１２０には直接通じない。シャワーヘッド１１５３は、この開示される実施形態において、貫通孔１１５６の最小直径１１５０の長さ部分（の長さ、以下同様）より厚い。チャンバプラズマ領域１１２０から基板処理領域１１７０へと通過する励起種のかなり大きい濃度を維持するために、貫通孔の最小直径１１５０の長さ部分１１２６は、シャワーヘッド１１５３を通して途中まで貫通孔１１５６のより大きな直径部分を形成することにより制限され得る。貫通孔１１５６の最小直径１１５０の長さ部分は、開示される実施形態において、貫通孔１１５６の最小直径と同じ桁またはそれより小さい桁であり得る。

［００４２］図示の実施形態では、シャワーヘッド１１５３は（貫通孔１１５６を介して）プロセスガスを分配することができ、このプロセスガスは、酸素、水素および／または窒素、および／またはチャンバプラズマ領域１１２０内のプラズマによる励起の際のかかるプロセスガスのプラズマ放出物を含む。実施形態では、第１のチャネル１１１２を通ってＲＰＳ１１１０および／またはチャンバプラズマ領域１１２０に導入されるプロセスガスは、一以上のＮＨ_３、Ｎ_２Ｈ_４を含むＮｘＨｙ、またはヘリウム、アルゴン、窒素（Ｎ_２）などのキャリアガスを含み得る。第２のチャネル１１１３も、プロセスガスおよび／またはキャリアガスを供給し得る。プラズマ放出物は、プロセスガスのイオン化誘導体または中性誘導体を含み得、本書では、導入されたプロセスガスの原子成分を指して、ラジカル前駆体またはラジカル窒素前駆体と称されることもある。

［００４３］実施形態では、貫通孔１１５６の数は約６０と約２０００の間であり得る。貫通孔１１５６は、様々な形状を有し得るが、最も容易には円形にされる。開示される実施形態において、貫通孔１１５６の最小径１１５０は、約０．５ｍｍと約２０ｍｍの間、または約１ｍｍと約６ｍｍの間であり得る。貫通孔の断面形状の選択にも自由度があり、円錐形、円筒形、またはこれら２つの形状の組み合わせで作製され得る。基板処理領域１１７０の中にガスを導入するために使用される小孔１１５５の数は、種々の実施形態において、約１００と約５０００の間、または約５００と約２０００の間であり得る。小孔１１５５の直径は約０．１ｍｍと約２ｍｍの間であり得る。

［００４４］図３Ｂは、開示される実施形態による処理チャンバで使用するためのシャワーヘッド１１５３の底面図である。シャワーヘッド１１５３は図３Ａに示されたシャワーヘッドに対応する。シャワーヘッド１１５３の底部により大きい内径（ＩＤ）を有し、上部により小さいＩＤを有する貫通孔１１５６が描かれている。小孔１１５５が、シャワーヘッドの表面上にわたって、貫通孔１１５６の間でさえ、実質的に均等に分布され、本明細書に記載の他の実施形態よりもより均等な混合を提供することに役立つ。

［００４５］シャワーヘッド１１５３内の貫通孔１１５６を通って到着するプラズマ放出物が、中空空間１１５１を発生源にして小孔１１５５を通って到着する炭素含有前駆体と結合するとき、基板処理領域１１７０内のペデスタル（図示せず）によって支持される基板上で、例示的な膜が生成される。基板処理領域１１７０は、プラズマを支持するように備え付けられ得る。マイルドなプラズマが、いくつかの炭素膜を形成するときに、堆積の間に基板処理領域１１７０内に存在する一方で、開示される実施形態では、他の例示的な膜の成長の間にプラズマは存在しない。

［００４６］プラズマは、シャワーヘッド１１５３上方のチャンバプラズマ領域１１２０、またはシャワーヘッド１１５３下方の基板処理領域１１７０のいずれかにおいて点火され得る。プロセスガスの流入からラジカル前駆体を生成するために、チャンバプラズマ領域１１２０にプラズマが存在する。典型的には無線周波数（ＲＦ）範囲のＡＣ電圧が、処理チャンバの導電性上部１１２１とシャワーヘッド１１５３との間に印加され、堆積中にチャンバプラズマ領域１１２０内のプラズマを点火する。ＲＦ電源は、１３．５６ＭＨｚの高いＲＦ周波数を発生させるが、単独でまたは１３．５６ＭＨｚ周波数と組み合わせて、他の周波数を発生させることもある。

［００４７］流動性膜の堆積中、いくつかの実施形態のプラズマ電力は、約１０Ｗから約２００Ｗ、約１０Ｗから約１００Ｗ、約１０Ｗから約５０Ｗ、約５０Ｗから約２００Ｗ、約５０Ｗから約１００Ｗ、約１００Ｗから約２００Ｗの範囲内であり得る。任意選択的な堆積後硬化プロセスの間、プラズマ出力は、約１００Ｗから約５００Ｗ、約１００Ｗから約４００Ｗ、約１００Ｗから約３００Ｗ、約１００Ｗから約２００Ｗ、約２００Ｗから約５００Ｗ、約２００Ｗから約４００Ｗ、約２００Ｗから約３００Ｗ、約３００Ｗから約５００Ｗ、約３００Ｗから約４００Ｗ、または約４００Ｗから約５００Ｗの範囲内である。

［００４８］堆積中に基板処理領域１１７０内の底部のプラズマをオンにするとき、または、基板処理領域１１７０と境界をなす内部表面を洗浄するために、上部のプラズマは低出力または無出力のままであり得る。基板処理領域１１７０の中のプラズマは、シャワーヘッド１１５３とペデスタルまたはチャンバの底部との間にＡＣ電圧を印加することにより、点火される。洗浄ガスが、プラズマが存在している間、基板処理領域１１７０の中に導入され得る。

［００４９］ペデスタルは、基板の温度を制御するために熱交換流体が通って流れる熱交換チャネルを有し得る。この構成は、基板温度が、比較的低い温度（室温から約１２０℃まで）を維持するように冷却または加熱されることを可能にする。熱交換流体は、エチレングリコールおよび水を含み得る。ペデスタルのウエハ支持体プラッタ（好ましくは、アルミニウム、セラミック、またはその組み合わせ）もまた、平行な同心円の形に２回転するように構成される埋め込まれた単一ループの埋め込まれたヒータ要素を使用して、比較的高い温度（約１２０℃から約１１００℃まで）を達成するために、抵抗加熱され得る。ヒータ要素の外側部分は支持プラッタの外周に隣接して伸び得、一方、内側部分は、より小さい半径を有する同心円の経路上に伸びる。ヒータ要素への配線は、ペデスタルのステムを通過する。

［００５０］基板処理システムは、システムコントローラによって制御される。例示的な実施形態において、システムコントローラは、ハードディスクドライブ、フロッピーディスクドライブおよびプロセッサを含む。プロセッサは、シングルボードコンピュータ（ＳＢＣ）、アナログおよびデジタル入力／出力ボード、インターフェースボードおよびステッピングモータコントローラボードを含む。ＣＶＤシステムの様々な部品は、ボード、カードケージ、およびコネクタの寸法および種類を規定するＶｅｒｓａ Ｍｏｄｕｌａｒ Ｅｕｒｏｐｅａｎ（ＶＭＥ）規格に従う。ＶＭＥ規格はまた、バス構造を、１６ビットデータバスおよび２４ビットアドレスバスを有すると定義する。

［００５１］システムコントローラは堆積システムのすべての活動を制御する。システムコントローラは、コンピュータ可読媒体の中に格納されるコンピュータプログラムである、システム制御ソフトウェアを実行する。該媒体は、ハードディスクドライブ、または他の種類のメモリであり得る。コンピュータプログラムは、特定のプロセスの、タイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、ＲＦ電力レベル、サセプタ位置、および他のパラメータを指示する命令のセットを含む。例えば、フロッピーディスクまたは他の適当なドライバを含む、他の記憶装置上に記憶された他のコンピュータプログラムもまた、システムコントローラに指示するために使用され得る。

［００５２］コントローラは、中央処理装置（ＣＰＵ）、メモリ、および一以上の支持回路を含み、これらは、プロセスシーケンスを制御し、ガスパネルからのガス流を調節するために利用される。ＣＰＵは、産業用設定で使用できる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサであり得る。ソフトウェアルーチンは、メモリ（ランダムアクセスメモリ、読出専用メモリ、フロッピ、もしくはハードディスクドライブなど）に、またはその他の形態のデジタルストレージに記憶され得る。支持回路は、従来的にはＣＰＵに連結され、かつ、キャッシュ、クロック回路、入出力システム、電源などを含み得る。

［００５３］メモリには、一過性メモリ（例えば、ランダムアクセスメモリ）、および非一過性メモリ（例えば、ストレージ）のうちの一以上が含まれ得る。プロセッサのメモリまたはコンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、または任意の他の形態のローカルもしくは遠隔デジタルストレージなど、容易に入手可能なメモリの一以上であり得る。メモリは、システムのパラメータおよび構成部品を制御するためにプロセッサによって動作可能な命令セットを保持し得る。

［００５４」プロセスは、概して、ソフトウェアルーチンとしてメモリ内に記憶され得る。このソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、プロセスチャンバに本開示のプロセスを実施させる。該ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって制御されるハードウェアから遠隔に位置する第２のプロセッサ（図示せず）によって記憶および／または実行もされ得る。本開示の方法の一部またはすべてをハードウェアで実施することもできる。このように、プロセスは、ソフトウェア内に実装され、コンピュータシステムを使用して、例えば、特定用途向け集積回路もしくは他の種類のハードウェア実装形態としての、またはソフトウェアとハードウェアの組み合わせとしてのハードウェア内で実行され得る。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、汎用コンピュータを、プロセスが実施されるようにチャンバの動作を制御する特定用途コンピュータ（コントローラ）に変換する。

［００５５］いくつかの実施形態のコントローラは、プログラムされた機能を実施するためにハードウェアと作用するように構成される。例えば、コントローラは、一以上のバルブ、モータ、アクチュエータ、電源などを制御するように構成され得る。

［００５６］図１の１１２を参照すると、初期流動性炭素膜は、堆積後に任意選択的に硬化または固化され得る。いくつかの実施形態では、流動性炭素膜は、シームなしで基板特徴に堆積された後に硬化される。

［００５７］流動性炭素膜は、第２のプラズマに曝露することによって硬化される。第２のプラズマは、第２のプラズマガスを励起することによって形成される。いくつかの実施形態では、第２のプラズマガスは、Ｈ_２、Ａｒ、Ｈｅ、またはＮ_２のうちの一以上を含む。

［００５８］本開示のいくつかの実施形態は、有利なことに、流動性炭素膜が堆積したのと同じチャンバ内で流動性膜が硬化されることを提供し、異なるチャンバを含むプロセスと比較して増加したスループットを提供する。いくつかの実施形態では、方法全体（堆積および硬化）は、減圧を壊さずに、単一のチャンバ内で実施される。いくつかの実施形態では、基板を反応性プラズマ（流動性炭素膜を堆積させる）および第２のプラズマ（炭素膜を硬化する）に曝露しつつ、基板をほぼ同じ温度に維持する。

［００５９］いくつかのプロセスパラメータは、堆積プロセスと硬化プロセスとの間で同じ状態を保ち得るが、他のプロセスは、２つのプロセスの間で別個に制御され得る。例えば、いくつかの実施形態では、堆積中の処理チャンバの圧力は、堆積中に約１Ｔｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒの範囲内に維持されてもよいが、硬化中には約３ｍＴｏｒｒから約２Ｔｏｒｒの範囲に低下させられ得る。

［００６０］硬化プロセス中に利用されるプラズマは、誘導結合プラズマまたは伝導結合プラズマであってもよい。いくつかの実施形態では、プラズマ出力は、約１００Ｗから約５００Ｗの範囲内、または他の箇所で述べられるようにその部分的な範囲である。いくつかの実施形態では、プラズマ周波数は、約４００ｋＨｚから約４０ＭＨｚの範囲内であり得る。

［００６１］本開示のいくつかの実施形態は、本明細書に開示される流動性炭素膜を使用して基板特徴内に空隙を形成するための方法を提供する。この件について使用されるように、空隙は基板特徴内に生成される意図的なボイドである。

［００６２］いくつかの実施形態では、本明細書に開示される実施形態によって、特徴の第１の部分に流動性炭素膜が堆積し、特徴の第２の部分において流動性炭素膜上に更なる材料が堆積する。更なる材料の堆積後、流動性炭素膜が除去される。いくつかの実施形態では、流動性炭素膜は、ＵＶ処理によって、または本質的に酸素から成るプラズマに基板を曝露することによって除去され得る。この点に関して使用されるように、本質的に酸素から成るプラズマは、励起された酸素種およびイオンを含み、任意の適切な材料（例えば、酸素ガス、オゾン）から生成され得る。

［００６３］堆積および硬化プロセスと同様に、空隙形成に必要なプロセスは、減圧を壊すことなく、単一のチャンバ内で統合され、実施され得る。いくつかの実施形態では、基板は、空隙を形成する方法を通してほぼ同じ温度に維持される。

［００６４］いくつかの実施形態では、流動性膜は、上記に開示されるように硬化される。いくつかの実施形態では、流動性炭素膜は、更なる材料の堆積前に硬化される。いくつかの実施形態では、流動性炭素膜は、更なる材料の堆積後に硬化される。流動性膜が硬化される実施形態では、空隙は、特徴の第１の部分から硬化膜を除去することによって形成される。

［００６５］「間隙」という用語は、エッチングされた形状寸法が大きな水平方向のアスペクト比を有することを含意せずに、全体を通して使用される。表面の上方から見ると、トレンチは、円形、楕円形、多角形、長方形または様々な他の形状に見えることがある。本明細書で使用される際、共形層は、表面と同じ形状を成す、その表面上の概して均一な材料層を指しており、すなわち、その層の表面と、覆われる表面は概して平行である。堆積された材料が１００％共形である可能性はなく、したがって、用語「概して」は許容範囲を考慮に入れていることが当業者には認識されよう。

［００６６］いくつかの実施形態を説明してきたが、本発明の趣旨から逸脱することなく様々な変更例、代替構成、および同等物が使用され得ることが、当業者には認識されよう。さらに、本発明を不必要に分かりにくくすることを避けるために、いくつかの周知のプロセスおよび要素は記載されていない。したがって、上記の説明は、本発明の範囲を限定するものと解釈すべきではない。

［００６７］この明細書全体を通じて、「一実施形態」、「特定の実施形態」、「一以上の実施形態」、または「実施形態」に対する言及は、実施形態に関連して説明されている特定の特徴、構造、材料、または特性が、本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、この明細書全体の様々な箇所での「一以上の実施形態で」、「特定の実施形態で」、「一実施形態で」、または「実施形態で」などの表現は、必ずしも、本開示の同一の実施形態に言及するものではない。さらに、特定の特徴、構造、材料、または特性は、一以上の実施形態において任意の適切な方法で組み合わせることができる。

［００６８］本書の発明は特定の実施形態を参照して説明されるが、これらの実施形態は本発明の原理および用途の例示にすぎないことを理解されたい。本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、本発明の方法および装置に対して様々な修正および変形を行うことができることは、当業者には明らかであろう。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲およびその同等物に含まれる修正例および変形例を含むことが意図されている。

Claims (15)

1. 流動性炭素膜の堆積方法であって、
   処理チャンバの基板処理領域に基板を提供すること、
   酸素を実質的に含まない炭素含有前駆体を含む、酸素を実質的に含まない反応性プラズマを形成すること、および
   前記基板を前記反応性プラズマに曝露して、ケイ素も酸素も実質的に含まない流動性炭素膜を前記基板上に堆積させること
   を含む、方法。
2. 前記基板が、少なくとも１つの特徴を有する基板表面を有し、前記少なくとも１つの特徴は、前記基板表面から底面までの深さだけ延在し、前記少なくとも１つの特徴は、第１の側壁と第２の側壁によって画定された前記基板表面における開口幅を有し、前記流動性炭素膜は、前記少なくとも１つの特徴内に堆積され、前記少なくとも１つの特徴は、前記深さと前記開口幅との比率が約１０：１以上である、請求項１に記載の方法。
3. 前記少なくとも１つの特徴内に堆積された前記流動性炭素膜が、実質的にシームを有さない、請求項２に記載の方法。
4. 前記炭素含有前駆体が、本質的に、プロペン、アセチレンまたはメタンから成る、請求項１に記載の方法。
5. 前記炭素含有前駆体が、少なくとも１つの不飽和結合を含む、請求項１に記載の方法。
6. 前記炭素含有前駆体が、エテン、プロペン、イソブチレン、ブタジエン、およびスチレンから成る群から選択される、請求項５に記載の方法。
7. 前記不飽和結合が、末端不飽和結合である、請求項５に記載の方法。
8. 前記流動性炭素膜を第２のプラズマに曝露して、前記流動性炭素膜を硬化させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
9. 前記方法が、減圧を壊さずに、単一のチャンバ内で実施される、請求項８に記載の方法。
10. 前記基板が、約−１００℃から約２５℃の範囲内の温度で維持される、請求項１に記載の方法。
11. 流動性炭素膜の堆積方法であって、
    処理チャンバの基板処理領域に基板を提供することであって、前記基板は、少なくとも１つの特徴を有する基板表面を有し、前記少なくとも１つの特徴は、前記基板表面から底面までの深さだけ延在し、前記少なくとも１つの特徴は、第１の側壁と第２の側壁によって画定された前記基板表面における開口幅を有し、前記少なくとも１つの特徴は、前記深さと前記開口幅との比率が約１０：１以上である、処理チャンバの基板処理領域に基板を提供すること、
    酸素を実質的に含まない炭素含有前駆体と第１のプラズマガスとを含む、酸素を実質的に含まない第１のプラズマを、前記基板処理領域内に形成すること、
    前記基板を前記第１のプラズマに曝露して、ケイ素も酸素も実質的に含まない流動性炭素膜を、シームを実質的に有さないように前記少なくとも１つの特徴内に堆積させること、および
    前記流動性炭素膜を、第２のプラズマガスを励起することによって生成された第２のプラズマに曝露して、前記流動性炭素膜を硬化させること
    を含み、
    前記方法は、減圧を壊さずに、単一のチャンバ内で実施され、前記基板は、前記方法の全体を通してほぼ同じ温度で維持される、方法。
12. 基板の特徴に空隙を形成する方法であって、
    処理チャンバの基板処理領域に基板を提供することであって、前記基板は、少なくとも１つの特徴を有する基板表面を有し、前記少なくとも１つの特徴は、前記基板表面から底面までの深さだけ延在し、前記少なくとも１つの特徴は、第１の側壁と第２の側壁によって画定された前記基板表面における開口幅を有し、前記少なくとも１つの特徴は、前記深さと前記開口幅との比率が約１０：１以上である、処理チャンバの基板処理領域に基板を提供すること、
    前記少なくとも１つの特徴の第１の部分に流動性炭素膜を堆積させることであって、
    酸素を実質的に含まない炭素含有前駆体を励起して、酸素を実質的に含まないプラズマを形成することと、
    前記基板を前記プラズマに曝露して、ケイ素も酸素も実質的に含まない流動性炭素膜を、シームを実質的に有さないように前記少なくとも１つの特徴内に堆積させることと、を含むプロセスによって、流動性炭素膜を堆積させること、
    前記少なくとも１つの特徴の第２の部分において、前記流動性炭素膜上に材料を堆積させること、および
    前記少なくとも１つの特徴の前記第１の部分から前記流動性炭素膜を除去して、前記少なくとも１つの特徴の前記第１の部分内に空隙を形成すること
    を含む、方法。
13. ＵＶ処理によって、または、本質的に酸素から成るプラズマに前記基板を曝露することによって、前記流動性炭素膜が除去される、請求項１２に記載の方法。
14. 前記方法が、減圧を壊さずに、単一のチャンバ内で実施され、前記基板が、前記方法の全体を通してほぼ同じ温度で維持される、請求項１２に記載の方法。
15. 前記流動性炭素膜を、第２のプラズマガスを励起することによって生成された第２のプラズマに曝露して、前記流動性炭素膜を硬化させることをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
    

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