KR102064345B1

KR102064345B1 - 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법

Info

Publication number: KR102064345B1
Application number: KR1020147018372A
Authority: KR
Inventors: 데쯔유끼 즈찌다; 도시까즈 오꾸보; 이꾸오 쇼지; 다까히로 가노
Original assignee: 도판 인사츠 가부시키가이샤; 고쿠리츠다이가쿠호진 군마다이가쿠
Priority date: 2012-01-30
Filing date: 2013-01-30
Publication date: 2020-01-09
Also published as: KR20140119693A; JP6061369B2; WO2013115256A1; TWI554164B; EP2811050A1; JP2013155410A; US20140332259A1; US9572252B2; EP2811050B1; TW201347624A; CN104024473A; EP2811050A4; CN104024473B

Abstract

배선 기판(1)이 Cu 또는 Cu 합금으로 구성되는 전극(12)과, 상기 전극(12) 상에 형성된 무전해 니켈 도금층(18)과 상기 무전해 니켈 도금층(18) 상에 형성된 무전해 금 도금층(22)을 갖는 도금 피막(14)을 구비하고, 상기 무전해 니켈 도금층(18)은 Ni, P, Bi 및 S이 공석되어 형성되고, 상기 무전해 니켈 도금층(18)에 포함되는 P의 함유량이 5질량％ 이상 10질량％ 미만, Bi의 함유량이 1∼1000질량ppm, S의 함유량이 1∼2000질량ppm이며, Bi의 함유량에 대한 S의 함유량의 질량비(S/Bi)가 1.0보다도 크다.

Description

배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법 {WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING WIRING BOARD}

본 발명은 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 2012년 1월 30일에, 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2012-017261호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.

Cu 또는 Cu 합금으로 구성되는 전극을 구비한 반도체 칩 탑재 기판 또는 프린트 배선 기판 등의 배선 기판에는, 배선 기판에 있어서의 주파수를 올리고, 배선 기판에 있어서의 배선의 밀도를 높이고, 배선 기판의 기능을 높이기 위해, 빌드 업 방식의 다층 배선 기판이 널리 채용되어 있다. 그리고, 제품의 소형화, 박형화 및 경량화를 위해 배선 기판에 있어서의 전자 부품의 고밀도 실장에 전자 기기 메이커 각 회사가 경쟁적으로 대처하여, 패키지에 있어서의 다핀 기술 및 협피치 기술이 급속하게 진보하고 있다. 구체적으로는, 프린트 배선 기판에 있어서의 전자 부품의 실장 기술에 대해서는, 종래의 QFP(Quad Flat Package)로부터, 에리어 표면 실장인 BGA(Ball Grid Array)/CSP(ChiP Size Package) 실장으로 발전하고 있다.

그 중에서도, 프린트 배선 기판에 인터포저를 통해 반도체 칩을 실장하고, 프린트 배선 기판 및 인터포저에 설치된 구리 전극을 서로 땜납 볼에 의해 전기적으로 접속하는 FC-BGA(Flip Chip-Ball Grid Array) 기술은, 금선을 사용한 와이어 본딩에 의한 실장 기술과 비교하여 저비용으로 이용 가능하기 때문에 주목받고 있다.

인터포저 및 프린트 배선판에 설치된 구리 전극을 확실하게 접속하기 위해, 상기 인터포저 및 상기 구리 전극에 표면 처리가 실시된다. 상기 표면 처리로서는, 예를 들어 전극 표면에 니켈 도금 처리를 실시한 후에 금 도금 처리를 실시하는 니켈/금 도금 처리를 들 수 있다. 또한, 최근에는, 땜납 볼에 의한 실장의 기술이 신뢰성이 높은 점에서, 니켈 도금 처리, 팔라듐 도금 처리 및 금 도금 처리를 순차적으로 실시하는 니켈/팔라듐/금 도금 처리가 보급되어 있다. 특히, 상기 도금 처리에 있어서 무전해 도금법을 이용하는 표면 처리는, 상기 도금 처리에 전해 도금법을 이용하는 표면 처리와 비교하여, 고밀도로 배선된 배선 기판에 있어서의 배선의 배치를 필요로 하지 않는다고 하는 이점을 갖기 때문에, 주목받고 있다.

일반적으로, 무전해 니켈 도금욕(浴) 중에는, 미량 첨가제로서 작용하고 상기 도금욕을 안정시키는 효과를 갖는 Pb, 및 미량 첨가제로서 작용하고 상기 도금욕을 안정시키는 효과를 가질 뿐만 아니라 촉진제로서도 작용하는 유황계(硫黃系) 화합물이 포함된다. 이들 2종류의 미량 첨가제는, 도금 처리에 의해 형성되는 무전해 니켈 도금 피막 중에 Pb 또는 S 등을 공석시키고, 땜납에 의한 실장 기술에 있어서의 신뢰성, 또는 선택 석출 성능 등의 도금 처리에 있어서의 다양한 특성에 영향을 미친다.

상기 도금 처리에 의해 무전해 니켈 도금 피막 중에 도입되는 Pb의 양은 수백ppm이다. Pb에 관한 환경 규제로서 RoHS(Restriction of Hazardous Substances) 규제가 마련되어 있다. 그러나, RoHS 규제에 있어서의 Pb의 상한값은 1000ppm이며, 상기 무전해 니켈 도금 피막은 그 규제의 대상으로 되지는 않는다. 한편, 도금욕에 대한 Pb의 의도적인 첨가를 금지하는 JIG(Joint Industry Guideline)인 환경 규제도 마련되어 있어 Pb에 관한 환경 규제는 향후 한층 더 엄격해질 것으로 예상된다.

한편, 땜납 실장 재료에 대해서는, RoHS 규제에 의해 규제되는 종래의 Sn-Pb계 땜납으로부터, Pb을 함유하지 않는 땜납으로 서서히 이행하고 있다. 구체적으로는, Sn-3Ag-0.5Cu 등의 Sn-Ag-Cu계 땜납을 들 수 있다.

이와 같이, 도금 피막 및 땜납은 각각 Pb을 함유하지 않는 도금 피막 및 땜납으로 이행한다. 이로 인해, 배선 기판에 있어서의 실장 신뢰성을 확보하는 것이 중요하다. 배선 기판에 있어서의 높은 실장 신뢰성을 얻기 위해서는, Flip-Chip 실장 등에 있어서의 다층 배선에 의한 복수회의 리플로우에도 견딜 수 있는 우수한 내 리플로우 성능 및 높은 동작 온도에서의 계속적인 사용에도 견딜 수 있는 우수한 내 시효 성능이 배선 기판에 요구된다.

높은 실장 신뢰성을 갖는 배선 기판으로서는, 구리 전극 상에 Bi를 함유하는 무전해 니켈-인 도금층 및 무전해 금 도금층이 적층된 적층 피막으로 구성되는 도금 피막을 갖는 배선 기판이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1).

그러나, 상기 무전해 니켈-인 도금층은, Ni의 석출 속도가 낮으므로 P의 함유량이 높아진다. 이로 인해, 충분한 실장 신뢰성을 얻는 것이 곤란하다.

일본 특허 공개 제2000-124571호 공보

본 발명은 우수한 내 리플로우 성능 및 내 시효 성능을 갖고, 높은 실장 신뢰성을 갖는 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법 제공을 목적으로 한다.

본 발명의 제1 형태에 따른 배선 기판은, Cu 또는 Cu 합금으로 구성되는 전극과, 상기 전극 상에 형성된 무전해 니켈 도금층과, 상기 무전해 니켈 도금층 상에 형성된 무전해 금 도금층을 갖는 도금 피막을 구비하고, 상기 무전해 니켈 도금층은, Ni, P, Bi 및 S이 공석되어 형성되고, 상기 무전해 니켈 도금층에 포함되는 P의 함유량이 5질량％ 이상 10질량％ 미만, Bi의 함유량이 1∼1000질량ppm, S의 함유량이 1∼2000질량ppm이며, Bi의 함유량에 대한 S의 함유량의 질량비(S/Bi)가 1.0보다도 크다.

또한, 상기 무전해 니켈 도금층 중의 Bi의 함유량 및 S의 함유량의 합계가 400질량ppm 이상이어도 된다.

또한, 상기 무전해 니켈 도금층과 상기 무전해 금 도금층과의 사이에 무전해 팔라듐 도금층이 형성되어도 된다.

또한, 상기 무전해 니켈 도금층의 두께가 0.5㎛ 이상이며, 상기 무전해 팔라듐 도금층의 두께가 0.05∼0.2㎛이며, 상기 무전해 금 도금층의 두께가 0.01∼0.5㎛이어도 된다. 또한, Cu를 함유하고, 또한 Pb을 함유하지 않고, 상기 도금 피막 상에 가열 접합되는 땜납과, 상기 도금 피막과 상기 땜납과의 접합 계면에 형성된 금속간 화합물층을 더 구비하고, 상기 금속간 화합물층에 포함되는 Ni의 원소 비율이 30at％ 이하이어도 된다.

본 발명의 제2 형태에 따른 배선 기판의 제조 방법은, 본 발명에 따른 제1 형태에 따른 배선 기판의 제조 방법이며, 니켈염, P을 함유하는 환원제, 비스무트염 및 유황계 화합물을 포함하는 무전해 니켈 도금욕을 사용한 무전해 니켈 도금 처리에 의해, 상기 전극 상에 상기 무전해 니켈 도금층을 형성한다.

본 발명의 형태에 따른 배선 기판은, 우수한 내 리플로우 성능과 내 시효 성능을 갖고, 실장 신뢰성이 높다.

또한, 본 발명의 형태에 따른 배선 기판의 제조 방법에 의하면, 우수한 내 리플로우 성능과 내 시효 성능을 갖고, 높은 실장 신뢰성을 갖는 배선 기판이 얻어진다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 배선 기판의 일례를 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 도금 피막 부분을 확대한 단면도이다.
도 3은 도 2의 배선 기판에 땜납 실장한 모습을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 배선 기판의 다른 예를 도시한 확대 단면도이다.
도 5는 실시예 1의 땜납 실장 후에 있어서의 도금 피막과 땜납과의 접합 계면을 관찰한 반사 전자상이다.
도 6은 비교예 2의 땜납 실장 후에 있어서의 도금 피막과 땜납과의 접합 계면을 관찰한 반사 전자상이다.
도 7은 비교예 3의 땜납 실장 후에 있어서의 도금 피막과 땜납과의 접합 계면을 관찰한 반사 전자상이다.
도 8은 비교예 4의 땜납 실장 후에 있어서의 도금 피막과 땜납과의 접합 계면을 관찰한 반사 전자상이다.

<배선 기판>

본 발명의 일 실시 형태에 따른 배선 기판은, Cu 또는 Cu 합금으로 구성되는 전극 및 상기 전극 상에 형성된 도금 피막을 갖는다. 상기 도금 피막은, 상기 전극 상에 형성된 무전해 니켈 도금층과, 상기 무전해 니켈 도금층 상에 형성된 무전해 금 도금층을 갖는 적층 피막이다. 본 발명에 있어서, 「무전해 니켈 도금층 상에 무전해 금 도금층이 형성된다」고 하는 것은, 무전해 니켈 도금층 상에 직접 무전해 금 도금층이 형성되는 형태 및 무전해 니켈 도금층 상에 무전해 팔라듐 도금층과 같은 다른 층이 형성되고, 그 다른 층 상에 무전해 금 도금층이 형성됨으로써, 무전해 니켈 도금층의 상방에 무전해 금 도금층이 간접적으로 형성되는 형태를 포함한다.

이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 배선 기판의 일례를 나타내어 상세하게 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 배선 기판의 일례인 배선 기판(1)을 도시한 단면도이다.

배선 기판(1)은 도 1에 도시한 바와 같이, 절연 수지 기판(10)과, 절연 수지 기판(10) 상에 형성된 전극(12)과, 전극(12) 상에 형성된 도금 피막(14)과, 전극(12)을 보호하는 솔더 레지스트층(16)을 갖고 있다.

도금 피막(14)은 전극(12)에 있어서의 땜납 접합 부분인 패드(24)의 표면에 형성되어 있다. 도금 피막(14)은 도 2에 도시한 바와 같이, 전극(12)에 가까운 위치로부터 순서대로, 무전해 니켈 도금층(18), 무전해 팔라듐 도금층(20) 및 무전해 금 도금층(22)이 적층된 적층 피막이다.

절연 수지 기판(10)을 형성하는 절연 수지로서, 예를 들어 글래스 에폭시 수지, 종이 에폭시 수지, 종이 페놀 수지, 폴리이미드 필름 및 폴리에스테르 필름 등을 들 수 있다.

전극(12)은 Cu 또는 Cu 합금으로 구성되는 전극이며, 소정의 전기 회로를 형성하고 있다. Cu 합금으로서는, 예를 들어 Zn, Ni, Sn, Fe, Cr, Mg, Si, 또는 P 등 및 Cu로 구성되는 합금 등을 들 수 있다.

전극(12)은 서브트랙티브법, 세미에디티브법, 또는, 애디티브법 등의 공지의 방법에 의해 형성할 수 있다.

또한, 전극(12)은 솔더 레지스트층(16)에 의해 피복되어 보호되어 있다. 땜납 접합 부분인 패드(24)는 솔더 레지스트층(16)에 의해 피복되어 있지 않다. 솔더 레지스트층(16)은 스크린 인쇄법, 또는 포토리소그래피법 등의 공지의 방법에 의해 솔더 레지스트를 도포함으로써 형성할 수 있다.

무전해 니켈 도금층(18)은 무전해 니켈 도금 처리에 의해, Ni, P, Bi 및 S이 공석됨으로써 형성된다.

본 발명의 무전해 니켈 도금층(18)에 있어서, P의 함유량은 5질량％ 이상 10질량％ 미만이고, Bi의 함유량은 1∼1000질량ppm이며, S의 함유량은 1∼2000질량ppm이다. 또한, Bi의 함유량에 대한 S의 함유량의 질량비(S/Bi)는 1.0보다도 크다. 이에 의해, 배선 기판에 있어서의 우수한 내 리플로우 성능 및 내 시효 성능이 얻어진다. 이 결과, 배선 기판에 있어서의 높은 실장 신뢰성이 얻어진다. 이와 같은 효과가 얻어지는 요인은, 이하와 같이 생각된다.

땜납 실장에 있어서는, 땜납의 가열 접합 시에, 도 3에 도시한 바와 같이, 무전해 니켈 도금층(18)에 포함되는 Ni 및 땜납(26)에 포함되는 Cu 및 Sn에 의해, 도금 피막(14)과 땜납(26)과의 접합 계면에, (Cu, Ni)6Sn5 등의 금속간 화합물로 구성되는 금속간 화합물층(28)이 형성된다. 무전해 팔라듐 도금층(20)에 포함되는 Pd 및 무전해 금 도금층(22)에 포함되는 Au은, 땜납(26) 중에 용해된다. 이때, 무전해 니켈 도금층(18)에 포함되는 Ni이 땜납(26) 중에 다량으로 용해된다. 이에 따라, 도금 피막(14)과 땜납(26)과의 접합 계면에 가까운 위치에 있어서 무전해 니켈 도금층(18)에 포함되는 P이 농축되어, 강도가 낮은 인 리치층이 형성된다. 이에 의해, 배선 기판에 있어서의 실장 신뢰성이 저하된다.

본 발명에서는, 무전해 니켈 도금층(18)에 포함되는 P, Bi 및 S의 함유량, 및 Bi 및 S의 비율이 특정한 범위에 있다. 이로 인해, 땜납 실장 시에, Ni이 과도하게 땜납 중에 용해되지 않아, Cu, Ni 및 Sn으로 구성되는 밀도가 높은 금속간 화합물층이 균일하게 형성된다. 이로 인해, 복수회의 리플로우를 실시하는 경우에 있어서도 Ni의 확산이 억제된다. 이 결과, 도금 피막(14)과 땜납(26)과의 접합 계면에 가까운 위치에 있어서의 인 리치층의 형성이 억제되어, 배선 기판에 있어서의 높은 실장 신뢰성이 얻어진다. 또한, 땜납 실장 시에 Bi가 땜납(26) 중에 용해되어, 응고 핵이 형성된다. 이에 의해, 땜납 벌크에 포함되는 Ag-Sn 합금(Ag3Sn)이 땜납 벌크에 미세하게 분산되어, Ag-Sn 합금(Ag3Sn)의 조대화(粗大化)가 억제된다. 이 결과, 높은 동작 온도에 있어서의 계속적인 사용에 있어서도 우수한 실장 신뢰성을 갖는 배선 기판이 얻어진다.

무전해 니켈 도금층(18)에 포함되는 P의 함유량은, 5질량％ 이상 10질량％ 미만이며, 5.3∼8.5질량％가 바람직하고, 5.7∼8.0질량％가 보다 바람직하다.

상기 P의 함유량이 하한값 이상인 경우, 무전해 팔라듐 도금층(20) 및 무전해 금 도금층(22)의 형성 시에, 무전해 니켈 도금층(18)은 보다 부식되기 어렵다. 또한, 상기 P의 함유량이 상한값 이하인 경우, 땜납 실장 시에, 도금 피막(14)과 땜납(26)과의 접합 계면에 인 리치층이 형성되기 어려워, 배선 기판의 실장 신뢰성이 향상된다.

무전해 니켈 도금층(18)에 포함되는 Bi의 함유량은, 1∼1000질량ppm이며, 100∼500질량ppm이 바람직하고, 120∼400질량ppm이 보다 바람직하다.

상기 Bi의 함유량이 하한값 이상인 경우, 도금 피막(14)과 땜납(26)과의 접합 계면에 보이드가 발생하기 어려워, 배선 기판의 실장 신뢰성이 향상된다. 상기 Bi의 함유량이 상한값 이하인 경우, 땜납 실장 시에 있어서 땜납 중에 용해된 Bi가, 땜납 벌크에 있어서 조대하게 정출되기 어렵고, 이에 의해, 배선 기판의 내 충격성이 향상된다.

무전해 니켈 도금층(18)에 포함되는 S의 함유량은, 1∼2000질량ppm이며, 250∼1500질량ppm이 바람직하고, 300∼1100질량ppm이 보다 바람직하다.

상기 S의 함유량이 하한값 이상인 경우, 무전해 니켈 도금층(18)에 포함되는 P의 함유량은 보다 저하된다. 이로 인해, Pb을 함유하지 않는 땜납에 의한 실장에 있어서도, 도금 피막(14)과 땜납(26)과의 접합 계면에 인 리치층이 형성되기 어려워, 배선 기판의 실장 신뢰성이 향상된다. 상기 S의 함유량이 상한값 이하인 경우, 땜납 실장 시에 있어서 땜납 중에 용해되는 Ni의 용해량은 보다 저하된다. 이로 인해, 금속간 화합물층(28)이 보다 얇아지고, 또한, 도금 피막(14)과 땜납(26)과의 접합 계면에 보이드가 보다 형성되기 어려워지므로, 배선 기판의 실장 신뢰성이 향상된다.

무전해 니켈 도금층(18)에 포함되는 Ni 함유량은, 89.7∼95.0질량％가 바람직하고, 91.3∼94.7질량％가 보다 바람직하고, 91.9∼94.3질량％가 더욱 바람직하다.

배선 기판에 있어서의 실장 신뢰성의 향상을 위해, 무전해 니켈 도금층(18)에 포함되는 Bi의 함유량에 대한 S의 함유량의 질량비(S/Bi)는 2.0 이상이 바람직하다. 또한, Bi에 대한 S의 비율에 있어서의 과도한 향상은, 땜납 습윤성을 저하시키기 때문에, 상기 질량비(S/Bi)는 2000 이하가 바람직하고, 10.0 이하가 보다 바람직하고, 3.0 이하가 더욱 바람직하다.

또한, 무전해 니켈 도금층(18)에 있어서의 Bi의 함유량 및 S의 함유량의 합계는, 400질량ppm 이상이 바람직하다. 이 경우, 땜납 실장 시에, Cu, Ni 및 Sn으로 구성되는 밀도가 높은 금속간 화합물층(28)이 균일하게 형성되기 쉽다. 이로 인해, 배선 기판에 있어서의 보다 우수한 내 리플로우 성능 및 내 시효 성능이 얻어진다.

상기 Bi의 함유량 및 S의 함유량의 합계는, 배선 기판에 있어서의 실장 신뢰성의 향상을 위해 1000질량ppm 이상이 보다 바람직하다. 또한, 도금욕에 있어서의 비스무트염 농도 및 유황계 화합물 농도의 증가에 의해, 도금 피막 경도의 과잉의 증대를 억제하기 쉽다. 이로 인해, 상기 Bi의 함유량 및 S의 함유량의 합계는, 3000질량ppm 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는, 1500질량ppm 이하이다.

무전해 니켈 도금층(18)은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, Ni, P, Bi, 또는 S과 상이한 다른 원소를 포함해도 된다. 즉, Ni, P, Bi 및 S 및, Ni, P, Bi 또는 S과 상이한 다른 원소가 공석되어 형성된 층이어도 된다.

상기 다른 원소로서는, 예를 들어 C, 또는 H 등을 들 수 있다. C는, 착체 또는 완충제, H는, 환원제의 분해물로서 공석된다.

무전해 니켈 도금층(18)의 두께는, 0.5㎛ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는, 3∼5㎛이다.

무전해 니켈 도금층(18)의 두께가 하한값 이상인 경우, 균일한 두께의 도금 피막(14)이 형성되기 쉽다. 이로 인해, 땜납 실장에 의해 형성되는 금속간 화합물층(28)에 Cu6Sn5, 또는 Cu3Sn 등의 Cu-Sn계의 금속간 화합물이 혼입되기 어렵다. 이로 인해, (Cu, Ni)6Sn5 등의 Cu-Ni-Sn계의 금속간 화합물로 구성되어 균일한 조성을 갖는 금속간 화합물층(28)이 형성되기 쉬워, 배선 기판의 실장 신뢰성이 향상된다. 또한, 무전해 니켈 도금층(18)의 두께가 5㎛보다도 두꺼운 경우, 배선 기판의 성질은 거의 변화되지 않으므로, 무전해 니켈 도금층(18)의 두께를 5㎛ 이하로 형성함으로써 도금 시간을 단축할 수 있다.

무전해 팔라듐 도금층(20)을 형성하는 방법으로서는, 예를 들어, 공지의 무전해 팔라듐-인 도금에 의한 방법, 또는, 무전해 순 팔라듐 도금에 의한 방법을 들 수 있다. 그러나, 이 2개의 방법으로 특별히 한정되지 않는다.

무전해 팔라듐 도금층(20)의 두께는, 0.05∼0.2㎛가 바람직하고, 0.06∼0.15㎛가 보다 바람직하다.

무전해 팔라듐 도금층(20)의 두께가 하한값 이상인 경우, 땜납 실장 시에 무전해 니켈 도금층(18)에 포함되는 Ni이 땜납 중에 용해되는 시간이 보다 단축된다. 이 결과, 도금 피막(14)과 땜납(26)과의 접합 계면에 가까운 위치에 있어서 인 리치층이 형성되기 어렵다. 이로 인해, 배선 기판의 실장 신뢰성이 향상된다. 무전해 팔라듐 도금층(20)의 두께가 상한값 이하인 경우, 땜납 실장 시에 Pd이 땜납 중에 용해되기 쉬워, 땜납 실장 후의 도금 피막(14)과 땜납(26)과의 접합 계면에 Pd이 피막으로서 잔존하기 어렵다. 이 결과, 배선 기판의 실장 신뢰성이 향상된다.

무전해 금 도금층(22)을 형성하는 방법으로서는, 치환 금 도금에 의한 방법, 치환 환원 금 도금에 의한 방법 및 환원 금 도금에 의한 방법을 들 수 있다. 그러나, 이들 3개의 방법으로 특별히 한정되지 않는다.

충분한 땜납 습윤성의 확보를 위해, 무전해 금 도금층(22)의 두께는, 0.01∼0.5㎛가 바람직하고, 0.02∼0.1㎛가 보다 바람직하다. 무전해 금 도금층(22)의 두께가 상한값 이하인 경우, 도금 피막(14)과 땜납(26)과의 접합 계면에 있어서의 금속간 화합물의 편석이 억제되기 쉬워, 배선 기판의 실장 신뢰성이 향상된다.

본 실시 형태의 배선 기판은, 땜납 실장에 의해, Cu를 함유하고, 또한 Pb을 함유하지 않는 땜납(26)이 도금 피막(14) 상에 가열 접합된다. 도금 피막(14)과 땜납(26)과의 접합 계면에 형성된 금속간 화합물층(28)에 포함되는 Ni의 원소 비율이 30at％ 이하인 것이 바람직하다.

이 결과, 배선 기판에 있어서의 우수한 내 리플로우 성능 및 내 시효 성능이 얻어지기 때문에, 배선 기판의 실장 신뢰성이 더욱 향상된다.

배선 기판에 있어서의 보다 우수한 내 리플로우 성능 및 내 시효 성능을 얻기 위해, 상기 Ni의 원소 비율은, 20at％ 이하가 보다 바람직하고, 15at％ 이하가 더욱 바람직하다. 또한, (Cu, Ni)6Sn5 등의 Cu-Ni-Sn계의 금속간 화합물로 구성되는 균일한 조성을 갖는 금속간 화합물층(28)을 용이하게 형성할 수 있기 위해, 상기 Ni의 원소 비율은, 5at％ 이상이 바람직하고, 10at％ 이상이 보다 바람직하다.

Cu를 함유하고, 또한 Pb을 함유하지 않는 땜납으로서는, 예를 들어 Sn 및 Cu를 포함하고, 또한, Ag, Bi, In, Ge, Ni 및 P 중 적어도 1종 이상의 원소를 포함하는 땜납을 들 수 있다. 구체적으로는, Sn-3Ag-0.5Cu, Sn-3.5Ag-0.75Cu, Sn-40Bi-0.1Cu, Sn-2Ag-0.5Cu-2Bi, Sn-1Ag-0.1Cu-In-Ni, Sn-3.5Ag-0.5Cu-Ni-Ge, Sn-0.7Cu-0.03Ni-P 등을 들 수 있다.

<배선 기판의 제조 방법>

이하, 본 실시 형태에 따른 배선 기판의 제조 방법 일례로서, 상기 배선 기판(1)의 제조 방법에 대해 설명한다. 배선 기판(1)의 제조 방법으로서는, 하기 무전해 니켈 도금 공정, 무전해 팔라듐 도금 공정 및 무전해 금 도금 공정을 갖는 방법을 들 수 있다.

무전해 니켈 도금 공정:니켈염, P을 함유하는 환원제, 비스무트염 및 유황계 화합물을 포함하는 무전해 니켈 도금욕을 사용한 무전해 니켈 도금 처리에 의해, 전극(12) 상에 무전해 니켈 도금층(18)을 형성하는 공정.

무전해 팔라듐 도금 공정:무전해 팔라듐 도금 처리에 의해, 무전해 니켈 도금층(18) 상에 무전해 팔라듐 도금층(20)을 형성하는 공정.

무전해 금 도금 공정:무전해 금 도금 처리에 의해, 무전해 팔라듐 도금층(20) 상에 무전해 금 도금층(22)을 형성하는 공정.

(무전해 니켈 도금 공정)

절연 수지 기판(10), 절연 수지 기판(10) 상에 형성된 전극(12) 및 전극(12)을 피복하고 또한 패드(24)를 피복하지 않는 솔더 레지스트층(16)에 의해 구성되는 배선 기판 전구체를, 니켈염, P을 함유하는 환원제, 비스무트염 및 유황계 화합물이 물에 용해된 무전해 니켈 도금욕에 침지한다. 이에 의해, 환원제의 작용에 의해, Ni, P, Bi 및 S이 전극(12) 상에 공석되고, 전극(12) 상에 무전해 니켈 도금층(18)이 형성된다.

니켈염으로서는, 예를 들어 황산니켈, 염화니켈, 술파민산니켈, 또는, 차아인산니켈 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 황산니켈의 니켈 농도는 적정에 의해 간단하게 측정된다. 또한, 이들 니켈염에 있어서 황산니켈에 있어서의 니켈 농도의 관리가 가장 간단하다. 이로 인해, 황산니켈이 바람직하다. 이들 니켈염의 1종을 단독으로 사용해도 되고, 이들 니켈염의 2종 이상을 아울러 사용해도 된다.

P을 함유하는 환원제는, 디메틸아민보란 또는 히드라진 등의 환원제와 비교하여, 비용 및 작업성에 있어서 유리하다. 또한, P을 함유하는 환원제의 분해에 의해 공석되는 P이 무전해 니켈 도금 피막에 공석되어, 무전해 니켈 도금 피막이 내식성을 얻을 수 있다. 이로 인해, 치환 금 도금 처리 시에 있어서의 무전해 니켈 도금 피막의 과도한 산화가 방지된다. P을 함유하는 환원제로서는, 예를 들어 아인산나트륨, 또는, 차아인산나트륨 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 니켈 이온에 대한 강한 환원 작용을 갖는 차아인산나트륨이 바람직하다. P을 함유하는 이들 환원제의 1종을 단독으로 사용해도 되고, P을 함유하는 이들 환원제의 2종 이상을 아울러 사용해도 된다.

비스무트염으로서는, 예를 들어 질산비스무트, 산화비스무트, 또는, 염화비스무트 등을 들 수 있다. 이들 비스무트염의 1종을 단독으로 사용해도 되고, 이들 비스무트염의 2종 이상을 아울러 사용해도 된다.

유황계 화합물로서는, 예를 들어 티오 요소, 티오황산염, 디술피드, 또는, 티올 등, 또는 이들의 유도체 등을 들 수 있다. 이들 유황계 화합물의 1종을 단독으로 사용해도 되고, 이들 유황계 화합물의 2종 이상을 아울러 사용해도 된다.

무전해 니켈 도금욕은, 니켈염, 환원제, 비스무트염, 또는 유황계 화합물과 상이한 착화제, 또는 완충제 등의 다른 성분을 함유하고 있어도 된다. 착화제로서는, 예를 들어 아세트산, 락트산, 옥살산, 말론산, 또는, 말산 등을 들 수 있다. 또한, 완충제로서는, 예를 들어 포름산, 아세트산, 옥살산, 숙신산, 말론산, 락트산, 또는, 시트르산 등을 들 수 있다.

무전해 니켈 도금욕에 포함되는 니켈염의 함유량은, 5∼6g/L이 바람직하다. 상기 니켈염의 함유량이 하한값 이상인 경우, 적절한 도금 속도가 달성되기 쉽다. 상기 니켈염의 함유량이 상한값 이하인 경우, 도금 속도의 과도한 상승이 억제되기 쉽다.

무전해 니켈 도금욕에 포함되는 P을 함유하는 환원제의 함유량은, 20∼30g/L이 바람직하다. 상기 환원제의 함유량이 하한값 이상인 경우, 무전해 팔라듐 도금 공정 및 무전해 금 도금 공정에 있어서, 부식되기 어려운 무전해 니켈 도금층(18)이 형성되기 쉽다. 상기 환원제의 함유량이 상한값 이하인 경우, 땜납 실장 시에, 도금 피막 및 땜납의 접합 계면에 가까운 위치에 인 리치층이 형성되기 어려운 도금 피막(14)이 형성되기 쉽다.

전술한 바와 같이, Ni, P, Bi 및 S이 공석되어 형성되는 무전해 니켈 도금층에 있어서의 P의 함유량이 5질량％ 이상 10질량％ 미만, Bi의 함유량이 1∼1000질량ppm, S의 함유량이 1∼2000질량ppm으로 되도록, 또한, Bi의 함유량에 대한 S의 함유량의 질량비(S/Bi)가 1.0보다도 큰 값이도록, 또한, Bi의 함유량 및 S의 함유량의 합계가 400질량ppm 이상이도록, 무전해 니켈 도금욕에 포함되는 비스무트염의 함유량, 유황계 화합물의 함유량, 및 비스무트염 및 황 화합물의 비율이 결정된다. 비스무트염 및 황 화합물의 농도 조절에 의해, 도금의 반응 속도가 변화된다. 이에 의해, 무전해 니켈 도금층에 포함되는 비스무트염의 함유량, 유황계 화합물의 함유량, 및 비스무트염 및 황 화합물의 비율을 조절할 수 있다. 비스무트염 및 황 화합물의 농도는, 무전해 니켈 도금욕에 포함되는 다른 성분의 농도, 불순물 농도, 온도, 또는 교반 속도 등의 조절에 의해 적절히 조절하면 된다.

무전해 니켈 도금에 있어서의 무전해 니켈 도금욕의 온도는, 75∼95℃가 바람직하다.

(무전해 팔라듐 도금 공정)

절연 수지 기판(10), 절연 수지 기판(10) 상에 형성된 전극(12) 및 전극(12)의 표면에 형성된 무전해 니켈 도금층(18)에 의해 구성되는 배선 기판 전구체를 무전해 팔라듐 도금욕에 침지하여, 무전해 니켈 도금층(18) 상에 무전해 팔라듐 도금층(20)을 형성한다.

무전해 팔라듐 도금은, 특별히 한정되지 않고 무전해 팔라듐-인 도금, 또는, 무전해 순 팔라듐 도금 등을 사용해도 된다.

(무전해 금 도금 공정)

상기 절연 수지 기판(10), 상기 절연 수지 기판(10) 상에 형성된 상기 전극(12), 상기 전극(12)의 표면에 형성된 무전해 니켈 도금층(18) 및 무전해 팔라듐 도금층(20)에 의해 구성되는 배선 기판 전구체를 무전해 금 도금욕에 침지하여, 무전해 팔라듐 도금층(20) 상에 무전해 금 도금층(22)을 형성한다.

무전해 금 도금은, 특별히 한정되지 않고 치환 금 도금, 치환 환원 금 도금, 또는 환원 금 도금 등을 사용해도 된다.

이상 설명되어 있는 본 실시 형태에 따른 배선 기판은, 무전해 니켈 도금층을 갖는 적층 피막에 의해 구성되는 도금 피막을 갖고 있다. 무전해 니켈 도금층은, 특정량의 P, Bi 및 S이 공석되어 형성된다. 무전해 니켈 도금층에 있어서의 Bi의 함유량 및 S의 함유량의 비율은 특정한 비율이다. 이에 의해, 배선 기판에 있어서의 충분한 내 리플로우 성능 및 우수한 내 시효 성능이 얻어지므로, 배선 기판에 있어서의 높은 실장 신뢰성이 얻어진다.

또한, 본 발명의 배선 기판은, 상기 실시 형태에 따른 배선 기판(1)으로 한정되지 않는다.

예를 들어, 본 발명의 배선 기판의 도금 피막은, 무전해 팔라듐 도금층을 갖지 않아도 된다. 구체적으로는, 본 발명의 배선 기판은, 도 4에 예시된 배선 기판(2)이어도 된다. 도 4에 예시된 배선 기판(2)에 있어서, 도 2에 예시된 배선 기판(1)에 있어서의 구성 부분과 동일한 구성 부분에 대해서는, 도 2에 있어서의 부호와 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략한다.

배선 기판(2)은 배선 기판(1)에 있어서의 도금 피막(14) 대신에 전극(12)에 가까운 위치로부터, 무전해 니켈 도금층(18) 및 무전해 금 도금층(22)이 적층된 적층 피막으로 구성되는 도금 피막(14A)을 갖는다. 그러나, 배선 기판(1) 및 배선 기판(2)에 있어서, 도금 피막과 상이한 다른 구성 부분은 동일하다. 배선 기판(2)에 있어서도, 무전해 니켈 도금층(18)에 있어서의 P, Bi 및 S의 함유량, 및 Bi 및 S의 함유량의 비율이 전술한 특정한 범위에 있다. 이로 인해, 배선 기판에 있어서의 우수한 내 리플로우 성능 및 내 시효 성능이 얻어진다.

배선 기판(1) 및 배선 기판(2)을 대비하면, 배선 기판(1)에서는 배선 기판(2)보다도 높은 실장 신뢰성이 얻어지기 때문에, 무전해 팔라듐 도금층(20)을 갖는 도금 피막(14)을 갖는 배선 기판(1)이 바람직하다.

실시예

이하, 실시예에 의해 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이하의 기재에 의해서 한정되지는 않는다.

[제조예 1]

글래스 에폭시 수지로 구성되는 두께 0.8㎜의 절연 수지 기판에 대해 무전해 구리 도금 및 전기 구리 도금을 실시하고, 서브트랙티브법에 의해 구리 패턴을 형성하였다. 이어서, 솔더 레지스트(상품명「AUS308」, 타이요 잉크사제)로 전극에 있어서의 패드(패드 직경:직경 300㎛)와 상이한 다른 구성 부분을 피복하고, 구리 전극을 갖는 배선 기판(-1)을 얻었다.

[실시예 1]

황산니켈(20g/L), 환원제인 차아인산나트륨(20g/L), 착화제인 락트산(30g/L), 비스무트염인 질산비스무트 및 유황계 화합물인 티오 요소를 물에 용해한 무전해 니켈 도금욕(욕온 81℃)을 사용하여, 상기 배선 기판(-1)의 패드 상에 두께 3㎛의 무전해 니켈 도금층을 형성하였다.

계속해서, 테트라암민팔라듐(Pd으로서 0.8g/L), 차아인산나트륨(10g/L), 질산 비스무트(2㎎/L) 및 인산(10g/L)을 포함하는 무전해 팔라듐 도금욕(욕온 43℃)을 사용하여, 상기 무전해 니켈 도금층 상에 두께 0.1㎛의 무전해 팔라듐 도금층을 형성하였다.

계속해서, 시안화금칼륨(Au으로서 1.0g/L), 티오황산(1㎎/L), 시트르산(25g/L) 및 인산(10g/L)을 포함하는 무전해 금 도금욕(욕온 86℃)을 사용하여, 상기 무전해 팔라듐 도금층 상에 두께 0.05㎛의 무전해 금 도금층을 형성하고, 패드 상에 무전해 니켈 도금층/무전해 팔라듐 도금층/무전해 금 도금층이 적층된 도금 피막을 형성하였다.

형성된 무전해 니켈 도금층에 포함되는 P, S 및 Bi의 각 함유량을, 각각 형광 X선 막 두께 측정기(장치명「SEA5100」, SII 나노테크놀로지사제), 연소-전량법 및 ICP(Inductively Coupled Plsama)-MS(Mass Spectroscopy) 분석법에 의해 측정하였다. 그 결과, P의 함유량은 5.80질량％, S의 함유량은 1000질량ppm, Bi의 함유량은 340질량ppm이었다. 또한, 형성된 무전해 팔라듐 도금층에 포함되는 P의 함유량은 4질량％이었다.

[실시예 2]

무전해 니켈 도금욕에 포함되는 각 성분량을 조절하고, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 배선 기판(-1)의 패드 상에 표 1에 나타내는 조성의 무전해 니켈 도금층을 갖는 3층 구조의 도금 피막을 형성하였다.

[비교예 1∼4]

무전해 니켈 도금욕에 있어서의 각 성분량을 조절하고, 실시예 1과 동일한 방법에 의해, 배선 기판(-1)의 패드 상에 표 1에 나타내는 조성의 무전해 니켈 도금층을 갖는 3층 구조의 도금 피막을 형성하였다.

또한, 비교예 1에서는, 도금 과정에 있어서 무전해 니켈 도금욕에 포함되는 성분이 자기 분해되었기 때문에, 도금 피막을 형성할 수 없었다.

[참고예 1]

비스무트염 대신에 질산납을 사용하고, 무전해 니켈 도금욕에 포함되는 성분량을 조정하여, 표 1에 나타내는 조성의 무전해 니켈 도금층을 갖는 3층 구조의 도금 피막을 형성하였다.

[평가 방법]

하기 리플로우 시험 (1) 및 (2), 및 시효 시험 (1) 및 (2)에 있어서 제작된 각각의 공시재에 대해, 내 충격성 하이스피드 본드 테스터 4000HS(DAGE사제)를 사용하여 고속 셰어 시험을 실시하고, 땜납 접합 강도를 측정하였다. 또한, 고속 셰어 시험 후의 파괴 상태를 확인하고, 땜납 파괴율(금속간 화합물층보다도 상방에 형성된 땜납에 있어서의 파괴가 발생하고 있는 비율)을 구하여, 배선 기판에 있어서의 실장 신뢰성을 평가하였다. 또한, 땜납 파괴율이 높을수록, 땜납과 도금 피막과의 접합 강도가 높은 것 및 배선 기판에 있어서의 실장 신뢰성이 높은 것을 의미하고 있다.

(리플로우 시험 (1))

상기 배선 기판(-1)의 패드 상에 형성된 도금 피막 상에 Sn-3Ag-0.5Cu에 의해 구성되는 직경 350㎛의 땜납 볼을 설치하고, 피크 온도 240℃에서 1회 리플로우하여 제작되는 공시재를 10개 제작하였다.

(리플로우 시험 (2))

상기 배선 기판(-1)의 패드 상에 형성한 도금 피막 상에 Sn-3Ag-0.5Cu로 구성되는 직경 350㎛의 땜납 볼을 설치하고, 피크 온도 240℃에서 5회 리플로우하여 제작되는 공시재를 10개 제작하였다.

(시효 시험 (1))

상기 리플로우 시험 (1)과 마찬가지로 하여 1회 리플로우한 후, 120℃에서 1주간 가열 유지하여 제작되는 공시재를 10개 제작하였다.

(시효 시험 (2))

상기 리플로우 시험 (1)과 마찬가지로 하여 1회 리플로우한 후, 120℃에서 3주간 가열 유지하여 제작되는 공시재를 10개 제작하였다.

실시예 1, 2, 비교예 1∼4 및 참고예 1에 대해, 무전해 니켈 도금층의 조성 및 배선 기판에 있어서의 실장 신뢰성의 평가 결과를 표 1에 나타내었다. 또한, EPMA-1610(시마즈 제작소제)에 의해 촬상된 실시예 1 및 비교예 2∼4에 있어서의 공시재의 도금 피막과 땜납과의 접합 계면의 반사 전자상을 도 5∼8에 나타내었다.

표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 및 2에 있어서의 배선 기판에서는, 모든 리플로우 시험 및 시효 시험에 있어서 충분한 접합 강도 및 높은 땜납 파괴율이 나타나고, 내 리플로우 성능 및 내 시효 성능이 모두 우수하다. 또한, 실시예 1 및 2에 있어서의 배선 기판은, Pb을 포함하는 무전해 니켈 도금층을 갖는 참고예 1에 있어서의 배선 기판과 비교하여, 참고예 1에 있어서의 배선 기판과 동등 또는 참고예 1에 있어서의 배선 기판보다도 우수한 내 리플로우 성능 및 내 시효 성능을 나타내었다. 또한, 도 5에 나타내는 바와 같이, 실시예 1에 있어서의 땜납 실장 후의 배선 기판에서는, 균일한 두께의 금속간 화합물층이 형성되었다.

한편, 무전해 니켈 도금층이 Bi를 함유하지 않는 비교예 2에서는, 1회의 리플로우(리플로우 시험 (1))에 있어서의 땜납 파괴율이 30％이다. 또한, 시효 시험 (2)에 있어서의 땜납 파괴율이 낮다. 이로 인해, 참고예 1에 있어서의 배선 기판과 비교하여, 비교예 2에서는, 내 리플로우 성능 및 내 시효 성능이 모두 뒤떨어져 있었다. 무전해 니켈 도금층에 포함되는 S 및 Bi의 질량비(S/Bi)가 1.0 이하인 비교예 3 및 4에서는, 리플로우 시험 (2)에 있어서의 땜납 파괴율이 낮아, 충분한 내 시효 성능이 얻어지지 않았다.

또한, 도 6∼8에 나타내는 바와 같이, 비교예 3 및 4에서는, 어느 정도 균일한 두께의 금속간 화합물층이 형성되었지만, 비교예 2에서는 금속간 화합물의 편석이 관찰되었다.

[실시예 3 및 4]

무전해 팔라듐 도금의 실시를 제외하고 실시예 1 및 2와 마찬가지로 하여(무전해 팔라듐 도금을 실시하지 않고), 패드 상에 무전해 니켈 도금층/무전해 금 도금층이 적층된 2층 구조의 도금 피막을 형성하였다.

[비교예 5]

무전해 팔라듐 도금의 실시를 제외하고 비교예 2와 마찬가지로 하여(무전해 팔라듐 도금을 실시하지 않고), 패드 상에 무전해 니켈 도금층/무전해 금 도금층이 적층된 2층 구조의 도금 피막을 형성하였다.

[참고예 2]

무전해 팔라듐 도금의 실시를 제외하고 참고예 1과 마찬가지로 하여(무전해 팔라듐 도금을 실시하지 않고), 패드 상에 무전해 니켈 도금층/무전해 금 도금층이 적층된 2층 구조의 도금 피막을 형성하였다.

[금속간 화합물층의 분석]

실시예 3, 4, 비교예 5 및 참고예 2에 있어서의 배선 기판의 도금 피막 상에 Sn-3Ag-0.5Cu에 의해 구성되는 직경 350㎛의 땜납 볼을 설치하고, 피크 온도 240℃에서 5회 리플로우하였다. 그 후, 단면 노출을 행하고, EPMA(Electron Probe X-ray Micro Analyzer)에 의해, 도금 피막과 땜납과의 접합 계면에 형성된 금속간 화합물층의 원소 비율을 측정하였다.

그 결과를 표 2에 나타내었다.

표 2에 나타내는 바와 같이, 실시예 3 및 4의 배선 기판은, Bi를 함유하지 않는 무전해 니켈 도금층을 갖는 비교예 2의 배선 기판 및 Bi를 함유하지 않고 Pb을 함유하는 무전해 니켈 도금층을 갖는 참고예 2의 배선 기판과 비교하여, 금속간 화합물층 중의 Ni의 비율이 낮다. 이것은, 실시예 3 및 4의 배선 기판에 있어서는, 비교예 2의 배선 기판 및 참고예 2의 배선 기판과 비교하여, 도금 피막과 땜납과의 접합 계면에 가까운 위치에 있어서의 인 리치층의 형성이 억제되어, 실장 신뢰성이 높은 것을 나타내고 있다.

1 : 배선 기판
10 : 절연 수지 기판
12 : 전극
14 : 도금 피막
16 : 솔더 레지스트층
18 : 무전해 니켈 도금층
20 : 무전해 팔라듐 도금층
22 : 무전해 금 도금층
24 : 패드
26 : 땜납
28 : 금속간 화합물층

Claims

Cu 또는 Cu 합금으로 구성되는 전극과,
상기 전극 상에 형성된 무전해 니켈 도금층과, 상기 무전해 니켈 도금층 상에 형성된 무전해 금 도금층을 갖는 도금 피막을 구비하고,
상기 무전해 니켈 도금층은, Ni, P, Bi 및 S이 공석되어 형성되고, 상기 무전해 니켈 도금층에 포함되는 P의 함유량이 5질량％ 이상 10질량％ 미만, Bi의 함유량이 1∼1000질량ppm, S의 함유량이 1∼2000질량ppm이며, Bi의 함유량에 대한 S의 함유량의 질량비(S/Bi)가 1.0보다도 큰 배선 기판.
제1항에 있어서,
상기 무전해 니켈 도금층 중의 Bi의 함유량 및 S의 함유량의 합계가 400질량ppm 이상인 배선 기판.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 무전해 니켈 도금층과 상기 무전해 금 도금층과의 사이에 무전해 팔라듐 도금층이 형성되는 배선 기판.
제3항에 있어서,
상기 무전해 니켈 도금층의 두께가 0.5∼5㎛이며, 상기 무전해 팔라듐 도금층의 두께가 0.05∼0.2㎛이며, 상기 무전해 금 도금층의 두께가 0.01∼0.5㎛인 배선 기판.
제1항 또는 제2항에 있어서,
Cu를 함유하고, 또한 Pb을 함유하지 않고, 상기 도금 피막 상에 가열 접합되는 땜납과,
상기 도금 피막과 상기 땜납과의 접합 계면에 형성된 금속간 화합물층을 더 구비하고,
상기 금속간 화합물층에 포함되는 Ni의 원소 비율이 5at％ 이상 30at％ 이하인 배선 기판.
니켈염, P을 함유하는 환원제, 비스무트염 및 유황계(硫黃系) 화합물을 포함하는 무전해 니켈 도금욕을 사용한 무전해 니켈 도금 처리에 의해, 상기 전극 상에 상기 무전해 니켈 도금층을 형성하는 제1항 또는 제2항에 기재된 배선 기판의 제조 방법.