KR101949060B1 - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 반응관 - Google Patents
기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 반응관 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101949060B1 KR101949060B1 KR1020177007859A KR20177007859A KR101949060B1 KR 101949060 B1 KR101949060 B1 KR 101949060B1 KR 1020177007859 A KR1020177007859 A KR 1020177007859A KR 20177007859 A KR20177007859 A KR 20177007859A KR 101949060 B1 KR101949060 B1 KR 101949060B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas supply
- gas
- area
- wall
- supply area
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 82
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 127
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 114
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 425
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 52
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
생산성을 향상시키는 것이 가능한 기술을 제공한다. 기판 처리 장치는, 복수매의 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지 부재와, 기판 보유 지지 부재를 수용하고, 기판을 처리하는 반응관과, 반응관 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와, 반응관 내의 분위기를 배기하는 배기계를 갖고, 반응관은, 상단에 폐색부를 갖고, 하단에 개구부를 갖는 원통부와, 원통부의 일 측벽의 외측에 형성되어, 처리 가스 공급계가 접속된 가스 공급 에리어와, 가스 공급 에리어와 대향하는 원통부의 타 측벽의 외측에 형성되어, 배기계가 접속된 가스 배기 에리어를 구비하고, 가스 공급 에리어 및 가스 배기 에리어는, 그 내부의 공간을 복수의 공간으로 구획하는 내벽을 구비하도록 구성된다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 반응관에 관한 것이다.
기판 처리 장치의 일례로서, 반도체 제조 장치가 있고, 또한 반도체 제조 장치의 일례로서, 종형 장치가 있는 것으로 알려져 있다. 이러한 종류의 기판 처리 장치로서, 반응관 내에, 기판(웨이퍼)을 다단으로 보유 지지하는 기판 보유 지지 부재로서의 보트를 갖고, 이 복수의 기판을 보유 지지한 상태에서 반응관 내의 처리실에서 기판을 처리하는 것이 있는 것으로 알려져 있다.
특허문헌 1은, 뱃치 처리되는 복수매의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 대하여 다단으로 보유 지지되고, 반응관(203) 내에 삽입된 상태에서, 2종류 이상의 원료 가스를 동시에 반응관(203) 내의 웨이퍼(200)에 대하여 공급하여, 웨이퍼(200) 상에 막을 형성하는 구성을 개시한다.
그러나, 상술한 특허문헌 1에 기재된 구성에서는, 웨이퍼와 웨이퍼와의 사이에 충분한 양의 원료 가스를 공급할 수 없기 때문에 막 두께 균일성이 나쁘고, 또한 원료 가스의 치환 효율이 나쁘기 때문에 처리 시간을 길게 요하여, 생산성이 악화된다는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은, 막 두께 균일성을 개선함과 함께 생산성을 향상시키는 것이 가능한 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 형태에 의하면,
복수매의 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지 부재와,
상기 기판 보유 지지 부재를 수용하고, 상기 기판을 처리하는 반응관과,
상기 반응관 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와,
상기 반응관 내의 분위기를 배기하는 배기계를 갖고,
상기 반응관은, 상단에 폐색부를 갖고, 하단에 개구부를 갖는 원통부와,
상기 원통부의 일 측벽의 외측에 형성되어, 상기 처리 가스 공급계가 접속된 가스 공급 에리어와,
상기 가스 공급 에리어와 대향하는 상기 원통부의 타 측벽의 외측에 형성되어, 상기 배기계가 접속된 가스 배기 에리어를 구비하고,
상기 가스 공급 에리어 및 상기 가스 배기 에리어는, 그 내부의 공간을 복수의 공간으로 구획하는 내벽을 구비하도록 구성된 반도체 제조 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면, 막 두께 균일성을 개선함과 함께 생산성을 향상시키는 것이 가능한 기술을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 종형 처리 로의 개략 구성도이며, 처리 로 부분의 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 종형 처리 로의 일부의 개략 구성도이며, 반응관의 횡단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이며, 컨트롤러의 제어계의 블록도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 종형 처리 로의 일부의 개략 구성도이며, 반응관 부분의 종단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 종형 처리 로의 일부의 개략 구성도이며, 반응관의 상부를 확대한 확대도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에서 적합하게 사용되는 반응관의 횡단면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에서 적합하게 사용되는 반응관의 종단면도이다.
도 8은 종래예에서의 처리 가스의 흐름을 나타내는 개략도이다.
도 9는 본 발명에서의 처리 가스의 흐름을 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 종형 처리 로의 일부의 개략 구성도이며, 반응관의 횡단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이며, 컨트롤러의 제어계의 블록도이다.
도 4는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 종형 처리 로의 일부의 개략 구성도이며, 반응관 부분의 종단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 종형 처리 로의 일부의 개략 구성도이며, 반응관의 상부를 확대한 확대도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에서 적합하게 사용되는 반응관의 횡단면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에서 적합하게 사용되는 반응관의 종단면도이다.
도 8은 종래예에서의 처리 가스의 흐름을 나타내는 개략도이다.
도 9는 본 발명에서의 처리 가스의 흐름을 나타내는 개략도이다.
이하, 본 발명의 제1 실시 형태에 대해서, 도 1을 사용해서 설명한다. 본 발명에서의 기판 처리 장치는, 반도체 장치의 제조에 사용되는 반도체 제조 장치의 일례로서 구성되어 있는 것이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 처리 로(202)는, 가열 수단(가열 기구)으로서의 히터(207)를 갖는다. 히터(207)는 원통 형상이며, 보유 지지판으로서의 히터 베이스(도시하지 않음)에 지지됨으로써 수직으로 설치되어 있다. 히터(207)는, 처리 가스를 열로 활성화(여기)시키는 활성화 기구(여기부)로서도 기능한다.
히터(207)의 내측에는, 히터(207)와 동심원 형상으로 반응 용기(처리 용기)를 구성하는 단관 구조의 반응관(203)이 배치되어 있다. 반응관(203)은, 예를 들어 석영(SiO2) 또는 탄화 실리콘(SiC) 등의 내열성 재료로 형성되어 있다. 반응관(203)은, 하단부가 개방되고, 상단부가 평탄 형상의 벽체로 폐색된 천장이 있는 형상으로 형성되어 있다. 반응관(203)의 측벽은, 원통 형상으로 형성된 원통부(209)와, 원통부(209)의 외벽에 설치된 가스 공급 에리어(222)와 가스 배기 에리어(224)를 구비하고 있다. 반응관(203)의 원통부(209)의 내부에는, 처리실(201)이 형성되어 있다. 처리실(201)은, 기판으로서의 웨이퍼(200)를 처리 가능하게 구성되어 있다. 또한, 처리실(201)은, 웨이퍼(200)를 수평 자세로 수직 방향으로 다단으로 정렬한 상태에서 보유 지지 가능한 보트(217)를 수용 가능하게 구성되어 있다.
가스 공급 에리어(222)는, 볼록부가 원통부(209)의 일 측벽의 외측에 돌출되도록 형성되어 있다. 가스 공급 에리어(222)의 외벽은, 원통부(209)의 외벽의 일부로서의 일 측벽의 외측에 원통부(209)의 외경보다도 크고, 원통부(209)와 동심원 형상으로 형성되어 있다. 가스 공급 에리어(222)는, 하단부가 개방되고, 상단부가 평탄 형상의 벽체로 폐색된 천장이 있는 형상으로 구성되어 있다. 가스 공급 에리어(222)는, 그 길이 방향(상하 방향)을 따라 후술하는 노즐(410a 내지 410c)이 수용되고, 가스 공급 에리어(222)와 원통부(209)와의 사이의 경계를 구성하는 벽체인 경계벽(252)에는, 후술하는 가스 공급 슬릿(235)이 형성되어 있다. 경계벽(252)은, 원통부(209)의 일 측벽이며, 그 외측면은, 가스 공급 에리어(222)에 면하는 측면 부분을 구성한다.
원통부(209)의 가스 공급 에리어(222)가 형성된 일 측벽에 대향하는 타 측벽에는, 가스 배기 에리어(224)가 형성된다. 가스 배기 에리어(224)는, 가스 공급 에리어(222)와의 사이에 처리실(201)의 웨이퍼(200)가 수용되는 영역을 사이에 두도록 배치되어 있다. 가스 배기 에리어(224)는, 볼록부가 원통부(209)의 가스 공급 에리어(222)가 형성된 일 측벽에 대향하는 타 측벽의 외측으로 돌출되도록 형성되어 있다. 가스 배기 에리어(224)의 외벽은, 원통부(209)의 외벽의 일부로서의 타 측벽의 외측에 원통부(209)의 외경보다도 크고, 원통부(209)와 동심원 형상으로 형성되어 있다. 가스 배기 에리어(224)는, 하단부와 상단부가 평탄 형상의 벽체로 폐색된 천장이 있는 형상으로 구성되어 있다. 가스 배기 에리어(224)와 원통부(209)와의 사이의 경계를 구성하는 벽체인 경계벽(254)에는, 후술하는 가스 배기 슬릿(236)이 형성되어 있다. 경계벽(254)은, 원통부(209)의 일부이며, 그 외측면은, 가스 배기 에리어(224)에 면하는 측면 부분을 구성한다.
반응관(203)의 하단은, 원통체 형상의 매니폴드(226)에 의해 지지되어 있다. 매니폴드(226)는, 예를 들어 니켈 합금이나 스테인리스 등의 금속으로 형성되거나, 또는 석영(SiO2) 또는 탄화 실리콘(SiC) 등의 내열성 재료로 형성되어 있다. 매니폴드(226)의 상단부에는 플랜지가 형성되어 있고, 이 플랜지 상에 반응관(203)의 하단부를 설치해서 지지한다. 이 플랜지와 반응관(203)의 하단부와의 사이에는 O링 등의 기밀 부재(220)를 개재시켜서 반응관(203) 내를 기밀 상태로 하고 있다.
매니폴드(226)의 하단의 개구부에는, 시일 캡(219)이 O링 등의 기밀 부재(220)를 통해서 기밀하게 설치되어 있고, 반응관(203)의 하단의 개구부측, 즉 매니폴드(226)의 개구부를 기밀하게 막도록 되어 있다. 시일 캡(219)은, 예를 들어 니켈 합금이나 스테인리스 등의 금속으로 형성되고, 원반 형상으로 형성되어 있다. 시일 캡(219)은, 석영(SiO2) 또는 탄화 실리콘(SiC) 등의 내열성 재료로 그 외측을 덮도록 구성되어도 된다.
시일 캡(219) 상에는 보트(217)를 지지하는 보트 지지대(218)가 설치되어 있다. 보트 지지대(218)는, 예를 들어 석영이나 탄화규소 등의 내열성 재료로 구성되어 단열부로서 기능함과 함께 보트를 지지하는 지지체로 되어 있다. 보트(217)는, 보트 지지대(218) 상에 세워 설치되어 있다. 보트(217)는, 예를 들어 석영이나 탄화규소 등의 내열성 재료로 구성되어 있다. 보트(217)는, 도시하지 않은 보트 지지대에 고정된 저판과 그 상방에 배치된 천장판을 갖고 있으며, 저판과 천장판과의 사이에 복수개의 지주가 가설된 구성을 갖고 있다. 보트(217)에는 복수매의 웨이퍼(200)가 보유 지지되어 있다. 복수매의 웨이퍼(200)는, 서로 일정한 간격을 두고 수평 자세를 유지하면서 또한 서로 중심을 맞춘 상태에서 반응관(203)의 관축 방향으로 다단으로 적재되어 보트(217)의 지주에 지지되어 있다.
시일 캡(219)의 처리실(201)과 반대측에는 보트를 회전시키는 보트 회전 기구(267)가 설치되어 있다. 보트 회전 기구(267)의 회전축(265)은, 시일 캡을 관통해서 보트 지지대(218)에 접속되어 있고, 보트 회전 기구(267)에 의해, 보트 지지대(218)를 통해서 보트(217)를 회전시킴으로써 웨이퍼(200)를 회전시킨다.
시일 캡(219)은, 반응관(203)의 외부에 설치된 승강 기구로서의 보트 엘리베이터(115)에 의해 수직 방향으로 승강되고, 이에 의해 보트(217)를 처리실(201) 내에 대하여 반입 반출하는 것이 가능하게 되어 있다.
매니폴드(226)에는, 노즐(340a 내지 340c)을 지지하는 노즐 지지부(350a 내지 350c)가, L자 형상으로 굴곡되어 매니폴드(226)를 관통하도록 해서 설치되어 있다. 여기에서는, 3개의 노즐 지지부(350a 내지 350c)가 설치되어 있다. 노즐 지지부(350a 내지 350c)는, 예를 들어 니켈 합금이나 스테인리스 등의 재료로 형성된다. 노즐 지지부(350)의 반응관(203)측의 일단에는 반응관(203) 내에 가스를 공급하는 가스 공급관(310a 내지 310c)이 각각 접속되어 있다. 또한, 노즐 지지부(350a 내지 350c)의 타단에는 노즐(340a 내지 340c)이 각각 접속되어 있다. 노즐(340a 내지 340c)은, 예를 들어 석영 또는 SiC 등의 내열성 재료로 형성된다.
노즐(340a 내지 340c)은, 가스 공급 에리어(222) 내의 하부로부터 상부에, 그 길이 방향(상하 방향)을 따라 설치되어 있다. 노즐(340a 내지 340c)은, I자형의 롱 노즐로서 각각 구성되어 있다. 노즐(340a 내지 340c)의 측면에는, 가스를 공급하는 가스 공급 구멍(232a 내지 232c)이 각각 형성되어 있다. 가스 공급 구멍(232a 내지 232c)은, 각각 반응관(203)의 중심을 향하도록 개구되어 있다. 이와 같이, 가스 공급 에리어(222)에는, 3개의 노즐(340a 내지 340c)이 설치되어 있어, 처리실(201) 내에 복수 종류의 가스를 공급할 수 있도록 구성되어 있다.
이상의 처리 로(202)에서는, 뱃치 처리되는 복수매의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 대하여 다단으로 적층된 상태에서, 보트(217)가 보트 지지대(218)로 지지되면서 처리실(201)에 삽입되고, 히터(207)가 처리실(201)에 삽입된 웨이퍼(200)를 소정의 온도로 가열하도록 되어 있다.
가스 공급관(310a)에는, 상류 방향에서부터 순서대로, 제1 처리 가스를 공급하는 제1 처리 가스 공급원(360a), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(241a) 및 개폐 밸브인 밸브(243a)가 각각 설치되어 있다. 가스 공급관(310b)에는, 상류 방향에서부터 순서대로, 제2 처리 가스를 공급하는 제2 처리 가스 공급원(360b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(241b) 및 개폐 밸브인 밸브(243b)가 각각 설치되어 있다. 가스 공급관(310c)에는, 상류 방향에서부터 순서대로, 제3 처리 가스를 공급하는 제3 처리 가스 공급원(360c), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(241c) 및 개폐 밸브인 밸브(243c)가 각각 설치되어 있다. 가스 공급관(310a 내지 310c)의 밸브(243a 내지 243c)보다도 하류측에는, 불활성 가스를 공급하는 가스 공급관(310d 내지 310f)이 각각 접속되어 있다. 가스 공급관(310d 내지 310f)에는, 상류 방향에서부터 순서대로, 유량 제어기(유량 제어부)인 MFC(241d 내지 241f) 및 개폐 밸브인 밸브(243d 내지 243f)가 각각 설치되어 있다.
주로, 가스 공급관(310a), MFC(320a), 밸브(330a)에 의해 제1 처리 가스 공급계가 구성된다. 제1 처리 가스 공급원(360a), 노즐 지지부(350a), 노즐(340a)을 제1 처리 가스 공급계에 포함해서 생각해도 된다. 또한, 주로, 가스 공급관(310b), MFC(320b), 밸브(330b)에 의해 제2 처리 가스 공급계가 구성된다. 제2 처리 가스 공급원(360b), 노즐 지지부(350b), 노즐(340b)을 제2 처리 가스 공급계에 포함해서 생각해도 된다. 또한, 주로, 가스 공급관(310c), MFC(320c), 밸브(330c)에 의해 제3 처리 가스 공급계가 구성된다. 제3 처리 가스 공급원(360c), 노즐 지지부(350c), 노즐(340c)을 제3 처리 가스 공급계에 포함해서 생각해도 된다. 또한, 본 명세서에서, 처리 가스라는 말을 사용한 경우에는, 제1 처리 가스만을 포함하는 경우, 제2 처리 가스만을 포함하는 경우, 제3 처리 가스만을 포함하는 경우, 또는 그것들 모두를 포함하는 경우가 있다. 또한, 처리 가스 공급계라는 말을 사용한 경우에는, 제1 처리 가스 공급계만을 포함하는 경우, 제2 처리 가스 공급계만을 포함하는 경우, 제3 처리 가스 공급계만을 포함하는 경우, 또는 그것들 모두를 포함하는 경우가 있다.
가스 배기 에리어(224)의 하부에는 배기구(230)가 설치되어 있다. 배기구(230)는 배기관(231)에 접속되어 있다. 배기관(232)에는 처리실(201) 내의 압력을 검출하는 압력 검출기(압력 검출부)로서의 압력 센서(245) 및 압력 조정기(압력 조정부)로서의 APC(Auto Pressure Controller) 밸브(244)를 통해서 진공 배기 장치로서의 진공 펌프(246)가 접속되어 있어, 처리실(201) 내의 압력이 소정의 압력(진공도)으로 되도록 진공 배기할 수 있게 구성되어 있다. 진공 펌프(246)의 하류측의 배기관(232)은, 폐가스 처리 장치(도시하지 않음) 등에 접속되어 있다. 또한, APC 밸브(244)는, 밸브를 개폐해서 처리실(201) 내의 진공 배기·진공 배기 정지를 할 수 있고, 또한 밸브 개방도를 조절해서 컨덕턴스를 조정하여 처리실(201) 내의 압력 조정을 할 수 있게 되어 있는 개폐 밸브이다. 주로, 배기관(232), APC 밸브(244), 압력 센서(245)에 의해 배기계가 구성된다. 또한, 진공 펌프(246)도 배기계에 포함해도 된다.
반응관(203) 내에는 온도 검출기로서의 후술하는 온도 센서(238)가 설치되어 있고, 온도 센서(238)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(207)에의 공급 전력을 조정함으로써, 처리실(201) 내의 온도가 원하는 온도 분포로 되도록 구성되어 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(280)는, CPU(Central Processing Unit)(121a), RAM(Random Access Memory)(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는, 내부 버스(121e)를 통해서, CPU(121a)와 데이터 교환 가능하도록 구성되어 있다. 컨트롤러(280)에는, 예를 들어 터치 패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속되어 있다.
기억 장치(121c)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억 장치(121c) 내에는, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피 등이, 판독 가능하게 저장되어 있다. 프로세스 레시피는, 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 수순을 컨트롤러(280)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 간단히, 프로그램이라고도 한다. 본 명세서에서 프로그램이라는 말을 사용한 경우에는, 프로세스 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다. RAM(121b)은, CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 유지되는 메모리 영역(워크 에리어)으로서 구성되어 있다.
I/O 포트(121d)는, 상술한 MFC(241a 내지 241f), 밸브(243a 내지 243f), 압력 센서(245), APC 밸브(244), 진공 펌프(246), 히터(207), 온도 센서(238), 보트 회전 기구(267), 보트 엘리베이터(115) 등에 접속되어 있다.
CPU(121a)는, 기억 장치(121c)로부터 제어 프로그램을 판독해서 실행함과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억 장치(121c)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. CPU(121a)는, 판독한 프로세스 레시피의 내용을 따르도록, MFC(241a 내지 241f)에 의한 각종 가스의 유량 조정 동작, 밸브(243a 내지 243f)의 개폐 동작, APC 밸브(244)의 개폐 동작 및 압력 센서(245)에 기초하는 APC 밸브(244)에 의한 압력 조정 동작, 진공 펌프(246)의 기동 및 정지, 온도 센서(238)에 기초하는 히터(207)의 온도 조정 동작, 보트 회전 기구(267)에 의한 보트(217)의 회전 및 회전 속도 조절 동작, 보트 엘리베이터(115)에 의한 보트(217)의 승강 동작 등을 제어하도록 구성되어 있다.
컨트롤러(280)는, 전용의 컴퓨터로서 구성되어 있는 경우에 한하지 않고, 범용의 컴퓨터로서 구성되어 있어도 된다. 예를 들어, 상술한 프로그램을 저장한 외부 기억 장치(예를 들어, 자기 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리)(123)를 준비하고, 이 외부 기억 장치(123)를 사용해서 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해, 본 실시 형태의 컨트롤러(280)를 구성할 수 있다. 단, 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은, 외부 기억 장치(123)를 통해서 공급하는 경우에 제한하지 않는다. 예를 들어, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용하여, 외부 기억 장치(123)를 통하지 않고 프로그램을 공급하도록 해도 된다. 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여, 간단히, 기록 매체라고도 한다. 본 명세서에서 기록 매체라는 말을 사용한 경우에는, 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양쪽을 포함하는 경우가 있다.
이어서, 제1 실시 형태에서 적합하게 사용되는 반응관(203)의 형상에 대해서, 또한 도 2, 도 4, 도 5를 참조하여 설명한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 가스 공급 에리어(222) 및 가스 배기 에리어(224)의 내부에는, 각 에리어 내 공간을 복수의 공간으로 구획하는 내벽(248, 250)이 형성되어 있다.
내벽(248, 250)은, 반응관(203)과 동일 재료로 형성되고, 예를 들어 석영(SiO2) 또는 탄화 실리콘(SiC) 등의 내열성 재료로 형성되어 있다.
여기에서는, 각각 2개의 내벽을 구비하여, 3개의 공간으로 구획되어 있다.
가스 공급 에리어(222) 내를 구획하는 2개의 내벽(248)은, 가스 공급 에리어(222)를 하단측에서부터 상단측에 이르기까지 구획하여, 각각 격리한 3개의 공간을 형성하도록 설치되어 있다. 가스 공급 에리어(222)의 각 공간에는, 노즐(340a 내지 340c)이 각각 설치되어 있다. 내벽(248)에 의해, 각 노즐(340a 내지 340c)은 각각 독립된 공간 내에 설치되기 때문에, 각 노즐(340a 내지 340c)로부터 공급되는 처리 가스가 가스 공급 에리어(222) 내에서 혼합되는 것을 억제할 수 있다.
이와 같은 구성에 의해, 가스 공급 에리어(222) 내에서 처리 가스가 혼합되어 박막이 형성되거나, 부생성물이 생성되거나 하는 것을 억제할 수 있다.
적합하게는, 내벽(248)은, 가스 공급 에리어(222)를 하단에서부터 상단에 이르기까지 구획하여, 각각 격리한 3개의 공간을 형성하도록 설치하면 된다.
가스 배기 에리어(224) 내를 구획하는 2개의 내벽(250)은, 가스 배기 에리어(224)를 하단측에서부터 상단측에 이르기까지 구획하여, 각각 격리한 3개의 공간을 형성하도록 설치되어 있다.
적합하게는, 내벽(250)은, 가스 배기 에리어(224)를 하단측에서부터 상단에 이르기까지 구획하여, 각각 격리한 3개의 공간을 형성하도록 설치하면 된다.
적합하게는, 가스 공급 에리어(222) 및 가스 배기 에리어(224)의 외벽의 외경은, 동일 치수로 하면, 히터(207)와의 사이의 데드 스페이스를 적게 할 수 있는 등의 장점이 있다.
또한, 적합하게는, 가스 공급 에리어(222)와 가스 배기 에리어(224) 각각의 가스의 유로 단면적은 동일한 면적으로 한다. 또한, 적합하게는, 가스 공급 에리어(222) 내의 각 공간의 가스의 유로 단면적과, 가스 공급 에리어(222) 내의 각 공간에 대면하는 가스 배기 에리어(224) 내의 각 공간의 가스의 유로 단면적을 동일한 면적으로 한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 원통부(209)의 가스 공급 에리어(222)측의 경계벽(252)의 하단에는, 노즐(340a 내지 340c)을 가스 공급 에리어(222) 내에 설치하기 위한 개구부(256)가 형성되어 있다. 노즐(340a 내지 340c)을 설치할 때는, 개구부(256)로부터 각 공간에 노즐(340a 내지 340c)을 삽입하고, 노즐(340a 내지 340c)의 하단을 노즐 지지부(350a 내지 350c)의 상단보다 일단 높고 들어올리고 나서, 노즐(340a 내지 340c)의 하단이 노즐 지지부(350a 내지 350c)의 상단보다도 낮아지게 함으로써 삽입한다.
노즐(340a 내지 340c)을 일단 들어올려서 노즐 지지부(350a 내지 350c)에 설치할 때, 노즐(340a 내지 340c)의 상단이 가스 공급 에리어(222)의 상단에 있는 천장부에 접촉하지 않도록, 가스 공급 에리어(222)의 노즐(340a 내지 340c) 상단보다 상부에 버퍼 영역(258)이 형성되어 있다(도 5 참조). 가스 공급 에리어(222)의 상단측은, 적어도 버퍼 영역(258)의 분만큼, 가스 배기 에리어(224)의 천장부보다도 높아지게 구성되어 있다.
본 실시 형태에서는, 가스 공급 에리어(222)의 천장부의 상단은, 원통부(209)의 천장부의 상단과 동일한 높이이며, 가스 배기 에리어(224)의 천장부의 상단은, 원통부(209)의 천장부의 상단보다도 낮아지도록 구성되어 있다.
바꿔 말하면, 버퍼 영역(258)의 분만큼 가스 공급 에리어(222)의 용적은 가스 배기 에리어(224)의 용적보다도 크게 되어 있도록 구성되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 가스 배기 에리어(224)의 상단의 높이를 가스 공급 에리어(222)의 상단보다도 낮게 구성하고 있지만, 가스 배기 에리어(224)이 용적의 사이즈에 의한 배기 밸런스에의 영향이나 부생성물의 부착 상태에의 영향 등이 문제없는 경우에는, 동일한 높이로 구성해도 된다.
가스 배기 에리어(224) 내의 내벽(250)은, 가스 배기 에리어(224)의 천장부의 상단에서부터 하단측의 배기구(230) 상단보다도 높은 위치까지 형성되어 있다. 가스 배기 에리어(224)의 하단측의 배기구(230) 상단보다도 높은 위치에서부터 가스 배기 에리어(224)의 하단까지는, 1개의 공간으로서 구성되어 있다.
가스 배기 에리어(224)의 내벽(250)으로 구획된 각 공간을 유통한 가스는, 배기구(230)의 바로 앞의 1개의 공간에서 합류하여, 배기구(230)로부터 배기되도록 되어 있다.
가스 공급 에리어(222) 내의 내벽(248)은, 가스 공급 에리어(222)의 천장부에서부터 반응관(203)의 하단부 상부까지 형성되어 있다. 구체적으로는, 내벽(248)의 하단은, 개구부(256)의 상단보다도 하측까지 형성된다. 내벽(248)의 하단은, 반응관(203)의 하단부보다도 상측이며, 노즐 지지부(350)의 상단부보다도 하측이 되는 영역으로서 형성되어 있다. 가스 공급 에리어(222) 내의 내벽(248)의 길이는, 반응관(203)의 길이보다도 짧고, 경계벽(252)의 길이보다도 길어지도록 구성되어 있다. 또한, 가스 공급 에리어(222) 내의 내벽(248)이, 가스 배기 에리어(224) 내의 내벽(250)보다도 더 길어지도록 구성되어 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 원통부(209)와 가스 공급 에리어(222)와의 경계벽(252)에는, 처리실(201) 내에 처리 가스를 공급하기 위한 가스 공급 슬릿(235)이 형성되어 있다. 가스 공급 슬릿(235)은, 상하 좌우 방향으로 복수 단, 복수 열의 매트릭스 형상으로 형성되어 있다. 즉, 가스 공급 에리어(222) 내의 내벽(248)으로 구획된 각 공간 각각에 대향한 가로로 긴 슬릿이 상하 방향으로 복수 형성되어 있다.
적합하게는, 가스 공급 슬릿(235)의 원통부(209) 둘레 방향의 길이는, 가스 공급 에리어(222) 내의 각 공간의 둘레 방향의 길이와 동일하게 하면, 가스 공급 효율이 향상되므로 좋다. 또한, 적합하게는, 가스 공급 슬릿(235)은, 내벽(248)과 경계벽(252)과의 연결 부분을 제외하고 가로로 길게, 세로 복수 단으로 형성하면 가스 공급 효율이 향상되므로 좋다. 또한, 적합하게는, 가스 공급 슬릿(235)의 열수는 구획된 공간과 동일 수로 형성되면 좋다. 본 실시 형태에서는, 3개의 공간이 형성되어 있기 때문에, 가스 공급 슬릿(235)은 3열 형성되어 있다.
원통부(209)와 가스 배기 에리어(224)와의 경계벽(254)에, 처리실(201) 내의 분위기를 배기하기 위한 가스 배기 슬릿(236)이 형성되어 있다. 가스 배기 슬릿(236)은, 상하 좌우 방향으로 복수 단, 복수 열의 매트릭스 형상으로 형성되어 있다. 즉, 가스 공급 에리어(222) 내의 내벽(248)으로 구획된 각 공간 각각에 대향하여, 원통부의 둘레 방향으로 길게 형성된 가로로 긴 슬릿이 상하 방향으로 복수 형성되어 있다.
적합하게는, 가스 배기 슬릿(236)의 원통부(209) 둘레 방향의 길이는, 가스 배기 에리어(224) 내의 각 공간의 둘레 방향의 길이와 동일하게 하면, 가스 배기 효율이 향상되므로 좋다. 또한, 적합하게는, 가스 배기 슬릿(236)은, 내벽(250)과 경계벽(254)과의 연결 부분을 제외하고 가로로 길게, 세로 복수 단으로 형성하면 가스 배기 효율이 향상되므로 좋다. 또한, 적합하게는, 가스 배기 슬릿(236)의 열수는 구획된 공간과 동일 수로 형성되면 좋다. 본 실시 형태에서는, 3개의 공간이 형성되어 있기 때문에, 가스 배기 슬릿(236)은 3열 형성되어 있다.
가스 공급 슬릿(235) 및 가스 배기 슬릿(236)은, 각각의 네 코너로서의 에지부가 곡면을 그리듯이 매끄럽게 형성되어 있다. 에지부에 라운딩 가공(R) 등을 행하여, 곡면 형상으로 함으로써, 에지부 주연의 가스의 정체를 억제할 수 있어, 에지부의 막의 형성을 억제할 수 있고, 또한 에지부에 형성되는 막의 막 박리를 억제할 수 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 가스 공급 슬릿(235) 및 가스 배기 슬릿(236)은, 처리실(201)에 수용된 상태의 보트(217)에 복수 단 적재된, 인접하는 웨이퍼(200)와 웨이퍼(200)와의 사이에 각각 배치되도록 형성되어 있다. 도 5에서는, 보트(217)를 생략하고 설명한다.
적합하게는, 보트(217)에 적재 가능한 최하단의 웨이퍼(200)와 그 상측에 인접하는 웨이퍼(200)와의 사이에서부터, 최상단의 웨이퍼(200)와 그 상측에 인접하는 보트(217)의 천장판과의 사이에 이르기까지, 각 웨이퍼(200)간, 웨이퍼(200)와 천장판간에 대하여 1단씩 대향하도록 형성되면 된다.
적합하게는, 각 가스 공급 슬릿(235)과 각 가스 배기 슬릿(236)은 동일한 높이, 동일한 수로 형성되면 된다. 예를 들어, 웨이퍼(200)가 25매 적재될 때는, 가스 공급 슬릿(235)과 가스 배기 슬릿(236)은 25단 형성되면 된다.
적합하게는, 가스 공급 슬릿(235) 및 가스 배기 슬릿(236)은, 일정한 세로 폭(L1)으로 형성하면 된다. 인접하는 웨이퍼(200)간의 간격을 L2로 하면, L1이 L2보다 더 작아지도록 가스 공급 슬릿(235) 및 가스 배기 슬릿(236)이 형성되면 된다. 이렇게 구성함으로써, 가스 공급 슬릿(235)으로부터 웨이퍼(200)에 흐르는 가스의 정체의 발생을 억제할 수 있고, 또한 처리실(201)로부터 가스 배기 슬릿(236)에 흐르는 가스의 정체의 발생을 억제할 수 있다.
적합하게는, L1은 1mm 내지 9mm 정도의 범위 내로 하면 되고, 더욱 적합하게는 3 내지 7mm 정도의 범위 내로 하면 된다. 또한, L2는 6 내지 14mm 정도의 범위 내로 하면 되고, 더욱 적합하게는 8 내지 12mm 정도의 범위 내로 하면 된다.
노즐(340a 내지 340c)의 가스 공급 구멍(234a 내지 234c)은, 각 가스 공급 슬릿(235)에 대하여 1개씩 대응하도록, 각 가스 공급 슬릿(235)의 세로 폭의 중앙 부분에 형성하면 된다. 예를 들어, 가스 공급 슬릿(235)이 25개 형성되어 있을 때는, 각각 25개의 가스 공급 구멍(234a 내지 234c)이 형성되면 된다. 즉, 가스 공급 슬릿(235)과 가스 공급 구멍(234a 내지 234c)은, 적재되는 웨이퍼(200)와 동일 수 형성되면 된다. 이러한 슬릿 구성으로 함으로써, 웨이퍼(200) 상에 웨이퍼(200)에 평행한 처리 가스의 흐름을 형성할 수 있다(도 5 화살표 참조).
또한, 가스 배기 에리어(224)에는 둘레 방향으로 길게 슬릿이 형성되어 있기 때문에, 웨이퍼(200) 상을 흐르는 처리 가스의 흐름을 어지럽히지 않고, 배기를 행할 수 있다. 예를 들어, 가스 배기 슬릿을 구멍 형상으로 형성한 경우, 처리 가스의 흐름이 구멍을 향해서 집중되기 때문에, 웨이퍼(200) 상에서 균일한 가스의 흐름을 형성할 수 없다. 이에 반해, 본 실시 형태에서는, 가스 배기 슬릿을 가로로 길게 형성하고 있기 때문에, 배기측에 근접함에 따라서 집중된 처리 가스의 흐름이 형성되지 않고, 웨이퍼(200) 상에서 흐름을 정류하여, 균일하게 처리 가스를 공급하는 것이 가능하게 된다.
이어서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 동작 개요에 대해서 설명한다. 또한, 기판 처리 장치는, 컨트롤러(280)에 의해 제어되는 것이다.
소정 매수의 웨이퍼(200)가 적재된 보트(217)가 반응관(203) 내에 삽입되고, 시일 캡(219)에 의해, 반응관(203)이 기밀하게 폐색된다. 기밀하게 폐색된 반응관(203) 내에서는, 웨이퍼(200)가 가열됨과 함께, 처리 가스가 반응관(203) 내에 공급되고, 웨이퍼(200)에 가열 등의 열처리가 이루어진다.
열처리로서, 예를 들어 제1 처리 가스로서 NH3 가스와, 제2 처리 가스로서 HCDS 가스와, 제3 처리 가스로서 N2 가스를 교대 공급(HCDS 가스 공급→N2 퍼지→NH3 가스 공급→N2 퍼지를 1 사이클로 해서 이 사이클을 소정 횟수 반복하는 것)함으로써, 웨이퍼(200) 상에 SiN막을 형성한다. 처리 조건은, 예를 들어 하기와 같다.
웨이퍼(200)의 온도: 100 내지 600℃
처리실 내 압력: 1 내지 3000Pa
HCDS 가스 공급 유량: 1 내지 2000sccm
NH3 가스 공급 유량: 100 내지 10000sccm
N2 가스 공급 유량: 10 내지 10000sccm
SiN막의 막 두께: 0.2 내지 10nm
먼저, 제2 처리 가스 공급계의 가스 공급관(310b)으로부터 노즐(304b)의 가스 공급 구멍(234b), 가스 공급 슬릿(235)을 통해서 처리실(201) 내에 HCDS 가스를 공급한다. 구체적으로는, 밸브(330b, 330e)를 개방함으로써, 캐리어 가스와 함께, 가스 공급관(310b)으로부터 HCDS 가스의 처리실(201) 내에의 공급을 개시한다. 이때, APC 밸브(244)의 개방도를 조정하여, 처리실(201) 내의 압력을 소정의 압력으로 유지한다. 소정 시간이 경과하면, 밸브(330b)를 폐쇄하고, HCDS 가스의 공급을 정지한다.
처리실(201) 내에 공급된 HCDS 가스는, 웨이퍼(200)에 공급되어, 웨이퍼(200) 상을 평행하게 흐른 후, 가스 배기 슬릿(236)을 통해서 가스 배기 에리어(224)를 상부로부터 하부로 흘러, 가스 배기 에리어(224) 하부의 배기구(230)를 통해서 배기관(232)으로부터 배기된다.
또한, 처리실(201) 내에 HCDS 가스를 공급하는 동안에, 가스 공급관(310a 및 310c)에 접속되는 불활성 가스 공급관의 밸브(330a 및 330c)를 열어서 N2 등의 불활성 가스를 흘리면, 가스 공급관(310a 및 310c) 내에 HCDS 가스가 돌아 들어가는 것을 방지할 수 있다.
밸브(330b)를 폐쇄하고, 처리실(201) 내에의 HCDS 가스의 공급을 정지한 후에는, APC 밸브(244)를 열어서 처리실(201) 내를 배기하여, 처리실(201) 내에 잔류하고 있는 HCDS 가스나 반응 생성물 등을 배제한다. 이때, 불활성 가스 공급관(310a 및 310c)으로부터 N2 등의 불활성 가스를 각각 처리실(201) 내에 공급해서 퍼지하면, 처리실(201) 내로부터의 잔류 가스를 배제하는 효과를 더욱 높일 수 있다. 소정 시간 경과 후, 밸브(330e)를 폐쇄한다.
이어서, 제1 처리 가스 공급계의 가스 공급관(310a)으로부터 노즐(304a)의 가스 공급 구멍(234a), 가스 공급 슬릿(235)을 통해서 처리실(201) 내에 NH3 가스 가스를 공급한다. 구체적으로는, 밸브(330a, 330d)를 개방함으로써, 캐리어 가스와 함께, 가스 공급관(310a)으로부터 NH3 가스의 처리실(201) 내에의 공급을 개시한다. 이때, APC 밸브(244)의 개방도를 조정하여, 처리실(201) 내의 압력을 소정의 압력으로 유지한다. 소정 시간이 경과하면, 밸브(330a)를 폐쇄하고, NH3 가스의 공급을 정지한다.
처리실(201) 내에 공급된 NH3 가스는, 웨이퍼(200)에 공급되어, 웨이퍼(200) 상을 평행하게 흐른 후, 가스 배기 슬릿(236)을 통해서 가스 배기 에리어(224)를 상부로부터 하부로 흘러, 가스 배기 에리어(224) 하부의 배기구(230)를 통해서 배기관(232)으로부터 배기된다.
또한, 처리실(201) 내에 NH3 가스를 공급하는 동안에, 가스 공급관(310b 및 310c)에 접속되는 불활성 가스 공급관의 밸브(330e 및 330f)를 열어서 N2 등의 불활성 가스를 흘리면, 가스 공급관(310a 및 310c) 내에 NH3 가스가 돌아 들어가는 것을 방지할 수 있다.
밸브(330a)를 폐쇄하고, 처리실(201) 내에의 NH3 가스의 공급을 정지한 후에는, APC 밸브(244)를 열어서 처리실(201) 내를 배기하여, 처리실(201) 내에 잔류하고 있는 NH3 가스나 반응 생성물 등을 배제한다. 이때, 불활성 가스 공급관(310e 및 310f)으로부터 N2 등의 불활성 가스를 각각 처리실(201) 내에 공급해서 퍼지하면, 처리실(201) 내로부터의 잔류 가스를 배제하는 효과를 더욱 높일 수 있다. 소정 시간 경과 후, 밸브(330e)를 폐쇄한다.
웨이퍼(200)의 처리가 완료되면, 상기한 동작의 역 수순에 의해, 보트(217)가 반응관(203) 내로부터 반출된다. 웨이퍼(200)는, 웨이퍼 이동 탑재기에 의해, 보트(217)로부터 이동 탑재 선반의 카세트에 이동 탑재되고, 카세트는, 카세트 반송기에 의해, 이동 탑재 선반으로부터 카세트 스테이지에 이동 탑재되어, 도시하지 않은 외부 반송 장치에 의해, 하우징의 외부로 반출된다.
상술한 실시 형태에서는, 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 교대로 공급하는 경우에 대해서 설명했지만, 동시에 공급한 경우에도 본 발명은 적용할 수 있다.
도 8에 도시한 바와 같이, 종래의 반응관 구성에 의한 처리 가스 공급의 경우, 처리 가스는 가스 공급 구멍으로부터 상하 좌우에 걸쳐 원추 형상으로 공급된다. 처리 가스가 웨이퍼(200)에 평행한 방향(좌우 방향)뿐만 아니라, 상하 방향으로도 넓게 공급됨으로써, 웨이퍼(200)의 에지와 반응관과의 사이의 공간에 처리 가스가 흘러버려, 웨이퍼(200)간에 충분한 양의 처리 가스를 공급할 수 없다. 이 때문에, 가스 공급 구멍 근방의 막이 두꺼워져 균일한 막 두께가 얻어지지 않는다. 또한, 처리 가스의 치환 효율이 나빠, 생산성이 악화되어버린다.
이에 반해, 도 9에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 가스 공급 구멍의 하류측에 가로로 긴 가스 공급 슬릿(235)이 형성되어 있다. 상하 방향으로 공급된 처리 가스는 경계벽(252)에 부딪치기 때문에, 그대로 처리실(201) 내에 공급되지 않는다. 경계벽(252)에 부딪친 처리 가스는, 가스 공급 에리어(222) 내를 확산하여, 가스 공급 슬릿(235)의 형상을 따라서 가로 길이(좌우 방향)로 퍼져나가 처리실(201) 내에 공급된다. 가스 공급 슬릿(235)의 세로 폭은 웨이퍼(200)간의 간격보다도 짧게 형성되어 있기 때문에, 가스 공급 슬릿(235)을 통과한 처리 가스는, 다소 상하 방향으로 퍼져나갔다고 해도, 웨이퍼(200)의 에지와 반응관과의 사이의 공간에 처리 가스가 흐르지 않고, 웨이퍼(200)간에 충분한 양을 공급할 수 있어, 막 두께의 치우침을 경감할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 가스 공급 에리어(222)와 가스 배기 에리어(224)를 원통부(209)(처리실(201))의 외측에 형성하고 있다. 이와 같은 구성에 의해, 반응관(203)의 용적을 종래의 반응관보다도 작게 하는 것이 가능하게 된다. 원통부(209)와 웨이퍼(200)의 에지와의 간격을 S1로 하면(도 5 참조), 즉, 종래의 반응관에 비해 용적을 30% 정도 삭감하는 것이 가능하게 되기 때문에, 생산성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
상술한 실시 형태에서는, 가스 공급 에리어(222)와 가스 배기 에리어(224)를 3개의 공간으로 구획했지만, 2개의 공간으로 구획해도 되고, 4개 이상의 공간으로 구획해도 된다. 원하는 가열 처리에 필요한 노즐의 개수에 맞추어, 구획하는 공간의 수는 적절히 변경 가능하다.
또한, 노즐의 형상을 각각 변경해도 된다. 예를 들어, 정 가운데의 공간에 설치되는 노즐의 가스 공급 구멍을 내벽을 향해서 개구시켜도 된다. 가스 공급구를 웨이퍼(200)가 아니라 내벽을 향해서 개구시킴으로써, 처리 가스를 공간 내에서 확산시켜, 각 가스 공급 슬릿으로부터 균일하게 처리 가스를 공급시키는 것이 가능해진다.
(3) 본 실시 형태에 의한 효과
본 실시 형태에 따르면, 이하에 나타내는 하나 또는 복수의 효과가 얻어진다.
(a) 가스 공급 에리어와 가스 배기 에리어를 처리실의 외측에 형성함으로써, 처리실에 가스를 공급하는 가스 공급 매체로서의 노즐을 설치할 필요가 없기 때문에, 기판의 에지와 반응관 내벽과의 간격을 짧게 할 수 있고, 또한 반응관의 용적을 종래의 반응관보다도 대폭 작게 하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 웨이퍼의 에지와 반응관 내벽과의 사이의 간극으로부터 처리 가스가 흐르는 것을 억제할 수 있고, 기판간에 충분한 양의 처리 가스를 공급할 수 있어, 처리 가스의 치환 효율을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
(b) 공급 버퍼 에리어 및 배기 버퍼 에리어에 내벽을 형성함으로써, 가스 공급 에리어와 가스 배기 에리어를 처리실의 외측에 형성함으로 인한 반응관의 강도의 저하를 보충할 수 있다. 이에 의해, 반응관의 용적을 작게 하면서도 반응관의 파손 리스크를 저하시킬 수 있다.
(c) 가스 공급 슬릿 및 가스 배기 슬릿의 에지부가 곡면을 그리듯이 매끄럽게 형성함으로써, 에지부 주연의 가스의 정체를 억제할 수 있어, 에지부의 막의 형성을 억제할 수 있고, 또한 에지부에 형성되는 막의 막 박리를 억제할 수 있다.
(d) 가스 공급 에리어의 내부의 내벽에 의해, 노즐이 각각 격리된 공간 내에 설치되기 때문에, 각 노즐로부터 공급되는 처리 가스가 가스 공급 에리어 내에서 혼합되는 것을 억제할 수 있다. 이와 같은 구성에 의해, 가스 공급 에리어 내에서 처리 가스가 혼합되어 박막이 형성되거나, 부생성물이 생성되거나 하는 것을 방지할 수 있고, 파티클 발생에 의한 수율 저하를 억제할 수 있다. 또한, 각 공간 내에서 처리 가스의 유속을 완화시킬 수 있기 때문에, 돌발적인 처리 가스의 유속 변화를 발생시키지 않고, 처리실 내에의 균일한 처리 가스의 공급을 촉진시켜, 생산성을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
(e) 가스 공급 에리어의 노즐 상단보다 상부에 버퍼 영역이 형성됨으로써, 노즐 교환을 안전하게 행할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제2 실시 형태에 대해서 설명한다. 본 실시 형태는, 가스 배기 에리어에 온도 센서(238)를 설치하기 위해서, 가스 배기 에리어(224)의 양단에 온도 측정 에리어(260)를 형성한 점에서 제1 실시 형태와 상이하다. 이하, 제2 실시 형태에서 적합하게 사용되는 반응관(203)의 형상에 대해서 도 6을 참조하여 설명한다. 또한, 제1 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 가스 배기 에리어(224)의 양단에는, 온도 센서(238)가 수납되는 온도 측정 에리어(260)가 형성되어 있다. 온도 측정 에리어(260)는, 하단부와 상단부가 평탄하게 폐색된 천장이 있는 형상으로 구성되고, 그 외벽은 원통부(209)와 동심원 형상으로 형성되어 있다. 또한, 온도 측정 에리어(260)는, 가스 배기 에리어(224)와 내벽(250)을 개재해서 연속해서 형성되어 있다. 온도 측정 에리어(260)와 원통부(209)와의 경계벽에는 가스 배기 슬릿(236)은 형성되어 있지 않다. 즉, 온도 측정 에리어(260)는, 가스 배기 에리어(224) 및 처리실(201)로부터 공간적으로 독립되어 형성되어 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 온도 센서(238)가 처리 가스에 노출되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 온도 센서(238)의 열화를 억제하는 것이 가능하게 된다.
도 7에 도시한 바와 같이, 온도 센서(238)에 의해, 보트(217)에 적재된 최상단의 웨이퍼(200) 상방에서의 처리실(201) 내의 온도를 계측하기 위해서, 온도 측정 에리어(260)의 천장부의 높이는, 원통부(209)의 높이와 동일한 높이로 형성되어 있다. 또한, 가스 배기 에리어(224)의 천장부도 마찬가지로, 원통부(209)의 높이와 동일한 높이로 형성된다. 즉, 본 실시예에서는, 가스 공급 에리어(222)와 가스 배기 에리어(224)와 온도 측정 에리어(260)와 원통부(209)와의 천장부의 높이가 동일한 높이로, 평탄해지도록 형성되어 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 처리실(201) 내를 상하에 걸쳐 온도 측정하는 것이 가능하게 되어, 히터(207)에 의한 처리실(201) 내의 균일한 가열을 행할 수 있다. 또한, 반응관(203)의 강도를 높이는 것이 가능하게 된다. 또한, 가스 배기 에리어(224)의 양단에 온도 측정 에리어(260)를 형성함으로써, 메인터넌스성을 향상시킬 수 있다.
기판 처리 장치에서 행하여지는 성막 처리에는, 예를 들어 CVD, PVD, ALD, Epi, 기타 산화막, 질화막을 형성하는 처리, 금속을 포함하는 막을 형성하는 처리가 있다. 또한, 어닐 처리, 산화 처리, 확산 처리 등의 처리라도 상관없다.
<본 발명의 바람직한 형태>
이하, 본 발명의 바람직한 형태에 대해서 부기한다.
(부기 1)
복수매의 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지 부재와,
상기 기판 보유 지지 부재를 수용하고, 상기 기판을 처리하는 반응관과,
상기 반응관 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와,
상기 반응관 내의 분위기를 배기하는 배기계를 갖고,
상기 반응관은, 상단에 폐색부를 갖고, 하단에 개구부를 갖는 원통부와,
상기 원통부의 일 측벽의 외측에 형성되어, 상기 처리 가스 공급계가 접속된 가스 공급 에리어와,
상기 가스 공급 에리어와 대향하는 상기 원통부의 타 측벽의 외측에 형성되어, 상기 배기계가 접속된 가스 배기 에리어를 구비하고,
상기 가스 공급 에리어 및 상기 가스 배기 에리어는, 그 내부의 공간을 복수의 공간으로 구획하는 내벽을 구비하도록 구성된 기판 처리 장치가 제공된다.
(부기 2)
부기 1에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 에리어와 상기 원통부와의 경계벽에 상기 처리 가스를 상기 원통부 내에 공급하는 가스 공급 슬릿이 형성된다.
(부기 3)
부기 1 또는 2에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 배기 에리어와 상기 원통부와의 경계벽에 상기 원통부 내의 분위기를 배기하는 가스 배기 슬릿이 형성된다.
(부기 4)
부기 3에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 슬릿 및 상기 가스 배기 슬릿은, 상기 복수의 공간 각각에 대향한 위치에, 상하 방향으로 복수 형성되어 있다.
(부기 5)
부기 3 또는 4에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 슬릿 및 상기 가스 배기 슬릿은 상기 원통부의 둘레 방향으로 길게 형성되고, 그 양단부가 곡면 형상으로 형성되어 있다.
(부기 6)
부기 1 내지 5에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 에리어의 횡단면적과 상기 가스 배기 에리어의 횡단면적은 동일하다.
(부기 7)
부기 1 내지 6에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 에리어와 상기 가스 배기 에리어는 동일 수만큼 내벽을 갖고, 동일한 공간 수로 구획된다.
(부기 8)
부기 6 또는 부기 7에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 에리어의 각 공간의 횡단면적과 상기 가스 공급 에리어의 각 공간에 대면하는 상기 가스 배기 에리어의 각 공간의 횡단면적은 동일한 면적이다.
(부기 9)
부기 1 내지 8에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 에리어의 용적이 상기 가스 배기 에리어의 용적보다 더 크다.
(부기 10)
부기 9에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 에리어의 내벽의 길이가 상기 가스 배기 에리어의 내벽의 길이 보다도 더 길다.
(부기 11)
부기 1 내지 10에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 에리어와 상기 원통부와의 경계벽의 하단에 개구부가 형성되어 있다.
(부기 12)
부기 11에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 에리어의 내벽의 길이는, 상기 원통부의 길이보다도 짧고, 또한 상기 가스 공급 에리어와 상기 원통부와의 상기 경계벽의 길이보다도 길다.
(부기 13)
부기 1 내지 12에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 슬릿의 세로 길이는, 상기 기판간의 간격보다도 짧다.
(부기 14)
부기 4 내지 13에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 슬릿 및 상기 가스 배기 슬릿의 단수는 상기 기판의 매수와 동일 수이다.
(부기 15)
부기 4 내지 부기 14에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 슬릿 및 상기 가스 배기 슬릿의 열 수는, 상기 가스 공급 에리어의 상기 공간 수 및 상기 가스 배기 에리어의 상기 공간 수와 동일 수이다.
(부기 16)
부기 15에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 공급 슬릿 및 상기 가스 배기 슬릿의 가로 길이는, 상기 가스 공급 에리어의 상기 공간 및 상기 가스 배기 에리어의 상기 공간의 가로 길이와 동일하다.
(부기 17)
부기 1에 기재된 기판 처리 장치이며, 바람직하게는
상기 가스 배기 에리어에 인접해서 상기 반응관 내의 온도를 측정하는 온도 센서가 내부에 설치된 온도 측정 에리어가 형성되어 있다.
(부기 18)
본 발명의 다른 일 형태에 의하면,
상단에 폐색부를 갖고, 하단에 개구부를 갖는 원통부와, 상기 원통부의 일 측벽의 외측에 형성된 가스 공급 에리어와, 상기 가스 공급 에리어와 대향하는 상기 원통부의 타 측벽의 외측에 형성된 가스 배기 에리어로 구성된 반응관의 원통부 내에 기판을 반송하는 공정과,
그 내부의 공간을 복수의 공간으로 구획하는 내벽을 구비한 가스 공급 에리어로부터 상기 원통부 내에 처리 가스를 공급하는 공정과,
그 내부의 공간을 복수의 공간으로 구획하는 내벽을 구비한 가스 배기 에리어로부터 상기 원통부 내의 분위기를 배기하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 방법이 제공된다.
(부기 19)
본 발명의 또 다른 일 형태에 의하면,
상단에 폐색부를 갖고, 하단에 개구부를 갖는 원통부와, 상기 원통부의 일 측벽의 외측에 형성된 가스 공급 에리어와, 상기 가스 공급 에리어와 대향하는 상기 원통부의 타 측벽의 외측에 형성된 가스 배기 에리어로 구성된 반응관의 원통부 내에 기판을 반송하는 수순과,
그 내부의 공간을 복수의 공간으로 구획하는 내벽을 구비한 가스 공급 에리어로부터 상기 원통부 내에 처리 가스를 공급하는 수순과,
그 내부의 공간을 복수의 공간으로 구획하는 내벽을 구비한 가스 배기 에리어로부터 상기 원통부 내의 분위기를 배기하는 수순,
을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램, 또는, 해당 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
(부기 20)
본 발명의 또 다른 일 형태에 의하면,
상단에 폐색부를 갖고, 하단에 개구부를 갖는 원통부와,
상기 원통부의 일 측벽의 외측에 형성된 가스 공급 에리어와,
상기 가스 공급 에리어의 대향하는 상기 원통부의 타 측벽의 외측에 형성된 가스 배기 에리어를 갖고,
상기 가스 공급 에리어 및 상기 가스 배기 에리어는, 그 내부의 공간을 복수의 공간으로 구획하는 내벽을 구비하도록 구성되는 반응관이 제공된다.
[산업상 이용 가능성]
본 발명에 따른 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 반응관에 의하면, 반응관의 용적을 삭감하고, 처리 가스의 치환 효율을 향상시키는 것이 가능하게 된다.
280 : 컨트롤러(제어부) 200 : 웨이퍼
201 : 처리실 202 : 처리 로
203 : 반응관 207 : 히터
222 : 가스 공급 에리어 224 : 가스 배기 에리어
231 : 배기관 310a 내지 310f : 가스 공급관
201 : 처리실 202 : 처리 로
203 : 반응관 207 : 히터
222 : 가스 공급 에리어 224 : 가스 배기 에리어
231 : 배기관 310a 내지 310f : 가스 공급관
Claims (11)
- 복수매의 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지 부재와,
상기 기판 보유 지지 부재를 수용하고, 상기 기판을 처리하는 반응관과,
상기 반응관 내에 적어도 2종류의 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와,
상기 반응관 내의 분위기를 배기하는 배기계를 포함하고,
상기 반응관은, 상단에 폐색부를 포함하고, 하단에 개구부를 포함하는 원통부와, 상기 원통부의 일 측벽의 외측에 형성되어, 상기 처리 가스 공급계가 접속된 가스 공급 에리어와, 상기 가스 공급 에리어와 대향하는 상기 원통부의 타 측벽의 외측에 형성되어, 상기 배기계가 접속된 가스 배기 에리어를 포함하고,
상기 가스 공급 에리어는, 그 내부의 공간을 복수의 공간으로 구획하는 내벽을 포함하고,
상기 가스 공급 에리어의 상기 내벽은, 상기 가스 공급 에리어의 각각의 상단 부근으로부터 하단 부근까지 신장되어 있어, 상기 내부의 공간을 횡방향으로 분할하고,
상기 가스 공급 에리어의 구획된 상기 공간의 적어도 2개에는, 상기 2종류의 처리 가스가 각각 공급되고,
상기 가스 공급 에리어와 상기 원통부 내와의 경계벽은, 상기 원통부의 측벽의 일부이며, 상기 처리 가스를 상기 원통부 내에 공급하는, 둘레 방향으로 긴 가스 공급 슬릿이, 상기 복수매의 기판에 대응하여 형성되고,
상기 가스 배기 에리어로부터 상기 원통부 내의 분위기가 배기되도록 구성된, 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 가스 공급 슬릿은, 상하 방향으로 1열로 형성되고,
상기 가스 배기 에리어와 상기 원통부와의 경계벽에 상기 원통부 내의 분위기를 배기하는 가스 배기 슬릿이 형성된, 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 처리 가스 공급계와 접속되며, 상기 가스 공급 에리어의 구획된 상기 공간의 적어도 1개에 착탈 가능하게 설치된 적어도 1개의 노즐을 더 포함하고
상기 가스 공급 에리어는 하단부가 개방되어 있고,
상기 노즐은, 상기 가스 공급 에리어 내의 하부로부터 상부로 길이 방향을 따라서 설치되고, 상기 노즐의 측면에는, 상기 반응관의 중심을 향하도록 개구되어 가스를 공급하는 가스 공급 구멍이 형성된, 기판 처리 장치. - 제3항에 있어서,
상기 가스 공급 슬릿 및 상기 가스 배기 슬릿은, 상기 복수의 공간 각각에 대향한 위치에, 상하 방향으로 복수 형성되어 있는, 기판 처리 장치. - 제4항에 있어서,
상기 가스 공급 슬릿 및 상기 가스 배기 슬릿은 상기 원통부의 둘레 방향으로 길게 형성되고, 그 양단부가 곡면 형상으로 형성되어 있는, 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 가스 공급 에리어의 가스의 유로의 단면적과 상기 가스 배기 에리어의 가스의 유로의 단면적은 동일한 면적으로 형성되어 있는, 기판 처리 장치. - 제6항에 있어서,
상기 가스 공급 에리어와 상기 원통부와의 경계벽의 하단에 개구부가 형성되어 있는, 기판 처리 장치. - 제7항에 있어서,
상기 가스 공급 에리어의 내벽의 길이는, 상기 원통부의 길이보다도 짧고, 또한 상기 가스 공급 에리어와 상기 원통부와의 상기 경계벽의 길이보다도 긴, 기판 처리 장치. - 제8항에 있어서,
상기 가스 공급 에리어의 내벽의 길이가 상기 가스 배기 에리어의 내벽의 길이보다도 더 긴, 기판 처리 장치. - 상단에 폐색부를 포함하고, 하단에 개구부를 포함하는 원통부와, 상기 원통부의 일 측벽의 외측에, 하단을 개방시키고 상단을 폐색시켜 형성된 가스 공급 에리어와, 상기 가스 공급 에리어와 대향하는 상기 원통부의 타 측벽의 외측에, 하단과 상단을 폐색시켜 형성된 가스 배기 에리어로 구성된 반응관의 원통부 내에 기판을 반송하는 공정과,
상기 가스 공급 에리어의 상단 부근으로부터 하단 부근까지 신장되어 그 내부의 공간을 횡방향으로 분할하여 복수의 공간으로 구획하는 내벽을 포함하는 가스 공급 에리어로부터, 상기 원통부의 측벽의 일부인 상기 가스 공급 에리어와 상기 원통부 내와의 경계벽에 복수매의 상기 기판 각각에 대하여 형성된 둘레 방향으로 긴 가스 공급 슬릿을 통하여, 상기 원통부 내에 처리 가스를 공급하는 공정과,
그 내부의 공간을 횡방향으로 분할하여 복수의 공간으로 구획하는 내벽을 포함하는 가스 배기 에리어로부터 상기 원통부 내의 분위기를 배기하는 공정을 포함하고,
상기 공급하는 공정에서는, 상기 가스 공급 에리어의 구획된 상기 공간의 적어도 2개로부터, 상이한 2종류의 처리 가스가 교대로 공급되는, 반도체 장치의 제조 방법. - 상단에 폐색부를 포함하고, 하단에 개구부를 포함하는 원통부와,
상기 원통부의 일 측벽의 외측에, 하단을 개방시키고 상단을 폐색시켜 형성된 가스 공급 에리어와,
상기 가스 공급 에리어의 대향하는 상기 원통부의 타 측벽의 외측에, 하단과 상단을 폐색시켜 형성된 가스 배기 에리어를 포함하고,
상기 가스 공급 에리어는, 그 내부의 공간을 횡방향으로 분할하여 복수의 공간으로 구획하는 내벽을 포함하고,
상기 가스 공급 에리어의 상기 내벽은, 상기 가스 공급 에리어의 각각의 상단 부근으로부터 하단 부근까지 신장되어 있어, 상기 내벽의 공간을 횡방향으로 분할하고,
상기 가스 공급 에리어의 구획된 상기 공간의 적어도 2개에는, 2종류의 처리 가스가 각각 공급되도록 구성되고,
상기 가스 공급 에리어와 상기 원통부 내와의 경계벽은, 상기 원통부의 측벽의 일부이며, 상기 처리 가스를 상기 원통부 내에 공급하는, 둘레 방향으로 긴 가스 공급 슬릿이, 복수매의 기판에 대응하여 형성되고,
상기 가스 배기 에리어로부터 상기 원통부 내의 분위기가 배기되는, 반응관.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/076023 WO2015041376A1 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および反応管 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187036811A Division KR102123942B1 (ko) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 반응관 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170042789A KR20170042789A (ko) | 2017-04-19 |
KR101949060B1 true KR101949060B1 (ko) | 2019-05-20 |
Family
ID=52689018
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187036811A KR102123942B1 (ko) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 반응관 |
KR1020207016533A KR102268374B1 (ko) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 반응관 |
KR1020177007859A KR101949060B1 (ko) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 반응관 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187036811A KR102123942B1 (ko) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 반응관 |
KR1020207016533A KR102268374B1 (ko) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 반응관 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10811271B2 (ko) |
JP (1) | JP6257000B2 (ko) |
KR (3) | KR102123942B1 (ko) |
SG (1) | SG11201702331YA (ko) |
TW (1) | TWI585853B (ko) |
WO (1) | WO2015041376A1 (ko) |
Families Citing this family (322)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
KR102138985B1 (ko) * | 2015-09-04 | 2020-07-28 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반응관, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
WO2017138087A1 (ja) | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
JP6548349B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2019-07-24 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102613349B1 (ko) | 2016-08-25 | 2023-12-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법 |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR102147174B1 (ko) * | 2016-11-18 | 2020-08-28 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반응관 구조 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP6823575B2 (ja) * | 2016-11-18 | 2021-02-03 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、反応管及び半導体装置の製造方法 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
JP6782350B2 (ja) * | 2017-02-15 | 2020-11-11 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法及びプログラム |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
JP6749268B2 (ja) * | 2017-03-07 | 2020-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
SG11201913857YA (en) | 2017-08-30 | 2020-01-30 | Kokusai Electric Corp | Protective plate, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
WO2019058553A1 (ja) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、石英反応管、クリーニング方法並びにプログラム |
JP6916766B2 (ja) | 2018-08-27 | 2021-08-11 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP6820816B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2021-01-27 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US10714362B2 (en) | 2018-03-15 | 2020-07-14 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
US10593572B2 (en) | 2018-03-15 | 2020-03-17 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR20230113657A (ko) | 2018-03-23 | 2023-07-31 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10903096B2 (en) * | 2018-04-06 | 2021-01-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and apparatus for process chamber window cooling |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
JP6856576B2 (ja) * | 2018-05-25 | 2021-04-07 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
TWI751420B (zh) | 2018-06-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 薄膜沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
JP7015923B2 (ja) * | 2018-08-03 | 2022-02-03 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置およびデバイス製造方法 |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210043810A (ko) | 2019-10-14 | 2021-04-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장비 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102256106B1 (ko) * | 2019-12-13 | 2021-05-27 | 주식회사 금강쿼츠 | 반도체 제조에 사용되는 압력보충용 2중관 노즐 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220006455A (ko) | 2020-07-08 | 2022-01-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
JP2022124138A (ja) * | 2021-02-15 | 2022-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN113821066B (zh) * | 2021-10-19 | 2022-07-15 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种减小动态保护性气体对热处理过程温度控制影响的装置及方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002222806A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Ebara Corp | 基板処理装置 |
US20140283750A1 (en) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | Tokyo Electron Limited | Batch-type vertical substrate processing apparatus and substrate holder |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05198517A (ja) | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Tokyo Electron Ltd | バッチ式ガス処理装置 |
JP2000294511A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Ftl:Kk | 半導体装置の製造装置 |
JP2001077042A (ja) | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP4204840B2 (ja) | 2002-10-08 | 2009-01-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処埋装置 |
JP2004162114A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
US20070137794A1 (en) * | 2003-09-24 | 2007-06-21 | Aviza Technology, Inc. | Thermal processing system with across-flow liner |
JP4282539B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2009-06-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP4426518B2 (ja) | 2005-10-11 | 2010-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP5157100B2 (ja) | 2006-08-04 | 2013-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
US20090197424A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
KR101043211B1 (ko) | 2008-02-12 | 2011-06-22 | 신웅철 | 배치형 원자층 증착 장치 |
JP5284182B2 (ja) * | 2008-07-23 | 2013-09-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP5087657B2 (ja) | 2009-08-04 | 2012-12-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5610438B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-10-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5682290B2 (ja) | 2010-12-20 | 2015-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 炭素含有薄膜のスリミング方法及び酸化装置 |
KR101308111B1 (ko) | 2011-11-17 | 2013-09-26 | 주식회사 유진테크 | 복수의 배기포트를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법 |
JP6105967B2 (ja) | 2012-03-21 | 2017-03-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
-
2014
- 2014-09-30 JP JP2015538001A patent/JP6257000B2/ja active Active
- 2014-09-30 KR KR1020187036811A patent/KR102123942B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-30 SG SG11201702331YA patent/SG11201702331YA/en unknown
- 2014-09-30 WO PCT/JP2014/076023 patent/WO2015041376A1/ja active Application Filing
- 2014-09-30 US US15/513,027 patent/US10811271B2/en active Active
- 2014-09-30 KR KR1020207016533A patent/KR102268374B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-30 KR KR1020177007859A patent/KR101949060B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-06-22 TW TW104119992A patent/TWI585853B/zh active
-
2019
- 2019-09-05 US US16/561,695 patent/US10950457B2/en active Active
-
2021
- 2021-02-03 US US17/166,256 patent/US20210159083A1/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002222806A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Ebara Corp | 基板処理装置 |
US20140283750A1 (en) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | Tokyo Electron Limited | Batch-type vertical substrate processing apparatus and substrate holder |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201630070A (zh) | 2016-08-16 |
JPWO2015041376A1 (ja) | 2017-07-06 |
US20190393045A1 (en) | 2019-12-26 |
US10811271B2 (en) | 2020-10-20 |
JP6257000B2 (ja) | 2018-01-10 |
SG11201702331YA (en) | 2017-04-27 |
KR102268374B1 (ko) | 2021-06-23 |
US20170294318A1 (en) | 2017-10-12 |
KR20170042789A (ko) | 2017-04-19 |
KR102123942B1 (ko) | 2020-06-17 |
US10950457B2 (en) | 2021-03-16 |
KR20200070430A (ko) | 2020-06-17 |
KR20180137607A (ko) | 2018-12-27 |
US20210159083A1 (en) | 2021-05-27 |
TWI585853B (zh) | 2017-06-01 |
WO2015041376A1 (ja) | 2015-03-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101949060B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 반응관 | |
KR102238585B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반응관, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 | |
KR102165123B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반응관, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
KR102165711B1 (ko) | 기판 처리 장치, 가스 노즐 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
TWI696722B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 | |
KR20190002659A (ko) | 기판 처리 장치, 노구부, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 | |
JP6255267B2 (ja) | 基板処理装置、加熱装置、天井断熱体及び半導体装置の製造方法 | |
KR102237780B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR20180050708A (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2018078323A (ja) | 基板処理装置 | |
JP7308241B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6867496B2 (ja) | 基板処理装置、反応管、基板処理方法、および、半導体装置の製造方法 | |
TW202243157A (zh) | 反應管、處理裝置及半導體裝置之製造方法 | |
JP7229266B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム | |
CN115315790A (zh) | 基板处理装置、半导体装置的制造方法、存储介质和内管 | |
CN115136284A (zh) | 基板处理装置、半导体装置的制造方法、存储介质以及内管 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |