CN115315790A - 基板处理装置、半导体装置的制造方法、存储介质和内管 - Google Patents

基板处理装置、半导体装置的制造方法、存储介质和内管 Download PDF

Info

Publication number
CN115315790A
CN115315790A CN202080098653.1A CN202080098653A CN115315790A CN 115315790 A CN115315790 A CN 115315790A CN 202080098653 A CN202080098653 A CN 202080098653A CN 115315790 A CN115315790 A CN 115315790A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas supply
inner tube
supply port
exhaust
port
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080098653.1A
Other languages
English (en)
Inventor
冈岛优作
山口天和
坂井佑之辅
今井义则
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Publication of CN115315790A publication Critical patent/CN115315790A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45504—Laminar flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)

Abstract

本发明提供一种基板处理装置，其具备：内管，其在内部具有以多张基板的水平姿态沿着预定的排列方向排列为多层进行收纳的基板收纳区域；在内管外侧配置的外管；在内管的侧壁沿着配置方向设置有多个的气体供给口；在内管的侧壁沿着配置方向设置有多个的第一排气口；在外管的沿着配置方向的一端侧设置的第二排气口；以及对内管与外管之间的圆环状的空间内的气体的流动进行控制的整流机构，整流机构具备翅片，在将多个第一排气口中的离第二排气口最远的第一排气口设为排气口A、将多个气体供给口中的与排气口A对置的气体供给口设为气体供给口A时，该翅片在气体供给口A的附近包围气体供给口A的外周的至少一部分。

Description

基板处理装置、半导体装置的制造方法、存储介质和内管
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法、存储介质和内管。
背景技术
作为半导体装置的制造工序之一，有时进行如下工序：向收纳有多张基板的处理室内供给气体，对基板进行处理(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018－088520号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本公开在对基板进行处理时提高了对基板的处理的品质。
用于解决课题的方案
根据本公开一方案，提供一种基板处理装置，其具备：
内管，其在内部具有将多张基板分别以水平姿态沿着预定的排列方向排列为多层而进行收纳的基板收纳区域；
外管，其配置在所述内管的外侧；
气体供给口，其在所述内管的侧壁沿着所述排列方向设置有多个；
第一排气口，其在所述内管的侧壁沿着所述排列方向设置有多个；
第二排气口，其设置在所述外管的沿着所述排列方向的一端侧；以及
整流机构，其对所述内管与所述外管之间的圆环状的空间内的气体的流动进行控制，
所述整流机构具备翅片，在将多个所述第一排气口中的离所述第二排气口最远的第一排气口设为排气口A、将多个所述气体供给口中的与所述排气口A对置的气体供给口设为气体供给口A时，该翅片在所述气体供给口A的附近包围所述气体供给口A的外周的至少一部分。
发明的效果
根据本公开，能够在对基板进行处理时提高对基板的处理的品质。
附图说明
图1是本公开一方式优选适用的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是以纵剖视图示出了处理炉部分的图。
图2是本公开一方式优选适用的基板处理装置的立式处理炉的气体供给系统的结构的图。
图3是本公开一方式优选适用的基板处理装置的控制器的概略结构图，是以框图示出了控制器的控制系统的图。
图4是本公开一方式优选适用的基板处理装置的立式处理炉的概略结构图，是以图1的B－B线的剖视图示出了处理炉的主要部分的图。
图5是表示本公开一方式的基板处理装置的主要部分的结构例的图。图5的(a)是从图4的C方向观察内管21的外壁的图，图5的(b)是从图4的D方向观察内管21的外壁的图，图5的(c)是从图4的E方向观察内管21的外壁的图。
图6的(a)是表示从设置于内管21的第一排气口41向内管21的顶板与外管22的顶板之间的空间内排出，并朝向设置于内管21的气体供给口31前进的排放气体的流动的图。图6的(b)是表示从设置于内管21的第一排气口41向内管21与外管22之间的圆环状的空间内排出，并朝向设置于内管21的气体供给口31前进的排放气体的流动的图。
图7的(a)、图7的(b)分别是表示从设置于内管21的第一排气口41向内管21与外管22之间的圆环状的空间内排出，并朝向设置于外管22的第二排气口91前进的排放气体的紊流发生部位的图。
图8的(a)、图8的(b)分别是表示本公开的其他方式的基板处理装置的主要部分的结构例的图。
具体实施方式
＜本公开一方式＞
以下参照图1～图4、图5的(a)～图5的(c)对本公开一方式进行说明。
(1)基板处理装置的结构
本方式的基板处理装置在半导体装置的制造工序中使用，且构成为将作为处理对象的基板以多张(例如5～100张)为单位进行集中处理的立式基板处理装置。对于作为处理对象的基板而言，例如可举出装配有半导体集成电路装置(半导体器件)的半导体晶圆基板(以下简称为“晶圆”)。
如图1所示，本方式的基板处理装置具备立式处理炉1。立式处理炉1具有作为加热部(加热机构、加热系统)的加热器10。加热器10为圆筒形状，且被作为保持板的加热器基座(未图示)支撑，从而安装为相对于基板处理装置的设置地面(未图示)垂直。加热器10也作为利用热使气体活化(激励)的活化机构(激励部)发挥功能。
在加热器10的内侧与加热器10呈同心圆状配设有构成反应容器(处理容器)的反应管20。反应管20具有二重管结构，即具备：作为内管的内管21、以及呈同心圆状包围内管21的作为外管的外管22。内管21和外管22分别由例如石英(SiO2)或者碳化硅(SiC)等耐热性材料构成。内管21和外管22分别形成为上端が封闭且下端开口的圆筒形状。
在内管21的内部形成有对晶圆W进行处理的处理室23。处理室23构成为能够将多张晶圆W分别利用后述的晶舟40以水平姿态并以沿着预定的排列方向(这里为铅垂方向)排列为多层的状态收纳。在本说明书中，也将在处理室23内排列多张晶圆W的方向称为排列方向。另外，也将在处理室23内将多张晶圆W以水平姿态沿着排列方向收纳的区域称为基板收纳区域65。
在反应管20的下方设置有作为炉口盖体的密封帽50，能够将反应管20的下端开口气密地封闭。密封帽50例如由不锈钢(SUS)等金属材料构成且形成为圆盘状。在密封帽50的上表面设置有作为密封部件的O型环(未图示)，其与反应管20的下端抵接。密封帽50构成为能够利用作为升降机构的晶舟升降机(未图示)在垂直方向上升降。晶舟升降机构成为输送装置(输送机构)，能够通过使密封帽50升降，从而使保持有晶圆W的晶舟40向处理室23内外搬入和搬出(输送)。
在密封帽50的下方设置有基板搬入搬出口(未图示)。经由基板搬入搬出口，利用输送机器人(未图示)使晶圆W在移载室(未图示)内外移动。在移载室内进行：晶圆W向晶舟40的装填、晶圆W从晶舟40的卸除。
作为基板支撑件的晶舟40构成为将多张(例如5～100张)的晶圆W分别以水平姿态并且以彼此中心一致状态并以沿着预定的排列方向(这里为铅垂方向)排列为多层的方式支撑，即空开间隔排列。晶舟40例如由石英、SiC等耐热性材料构成。在晶舟40的下部配设有例如由石英、SiC等耐热性材料构成的绝热部42，其构成为绝热筒。绝热部42也可以通过将例如由石英、SiC等耐热性材料构成的绝热板以水平姿态支撑为多层而构成。
在反应管20上沿着上述的排列方向(这里为铅垂方向)排列有多个朝向内管21内供给气体的作为气体供给部的喷嘴30，另外，该喷嘴30设置为从侧方贯通加热器10和外管22。此外，喷嘴30对应于基板收纳区域65内收纳的晶圆W逐个设置。另外，喷嘴30安装为能够相对于基板收纳区域65内收纳的晶圆W的表面朝向大致平行的方向喷射气体。
也如图5的(a)所示那样，将从喷嘴30供给的气体导入内管21内的气体供给口31在内管21的侧壁沿着上述的排列方向(这里为铅垂方向)设置有多个。此外，气体供给口31对应于基板收纳区域65内收纳的晶圆W逐个设置。另外，多个气体供给口31分别设置于与多个喷嘴30各自的前端部分对置的位置。此外，在本说明书中，也将多个气体供给口31中的距离后述的第二排气口91最远的气体供给口31、即设置于最上方的气体供给口31(与后述的第一排气口41a对置的气体供给口31)称为气体供给口A(气体供给口31a)。另外，也将多个气体供给口31中的与气体供给口31a不同的气体供给口(与后述的第一排气口41b对置的气体供给口31)称为气体供给口B(气体供给口31b)。另外，也将多个气体供给口31b中的与后述的第二排气口91最接近的气体供给口31b、即设置于最下方的气体供给口31b(与后述的第一排气口41c对置的气体供给口31)称为气体供给口C(气体供给口31c)。
如图2所示，在喷嘴30上分别连接有气体供给管51。在气体供给管51上从气流的上游侧起依次设置有：作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)51a和作为开闭阀的阀51b。在气体供给管51的比阀51b靠下流侧连接有气体供给管52、53。在气体供给管52、53上分别从气流的上游侧起依次设置有MFC52a、53a和阀52b、53b。
作为原料气体，从气体供给管51经由MFC51a、阀51b、喷嘴30向处理室23内供给例如包含作为构成形成在晶圆W上的膜的主元素的硅(Si)的硅烷类气体。作为硅烷类气体，例如可以采用六氯二硅烷(Si2Cl6；简称为HCDS)气体。
作为反应气体，从气体供给管52经由MFC52a、阀52b、气体供给管51、喷嘴30向处理室23内供给例如氮化气体。作为氮化气体，例如可以采用氨气(NH3)。
作为惰性气体，从气体供给管53经由MFC53a、阀53b、气体供给管51、喷嘴30向处理室23内供给例如氮气(N2)。N2气体作为吹扫气体、稀释气体、或者载气发挥作用。
如图4所示，在内管21的侧壁的夹着上述的基板收纳区域65与气体供给口31对置的位置设置有第一排气口41。如图1和图5的(c)所示，第一排气口41设置为沿着上述的排列方向(这里为铅垂方向)排列有多个。第一排气口41构成为将从气体供给口31向内管21内供给的气体从内管21内排出。此外，第一排气口41对应于气体供给口31、即对应于基板收纳区域65内收纳的晶圆W逐个设置。此外，在本说明书中，也将多个第一排气口41中的距离后述的第二排气口91最远的第一排气口41、即设置于最上方的第一排气口41称为排气口A(第一排气口41a)。另外，也将多个第一排气口41中的与第一排气口41a不同的排气口称为排气口B(第一排气口41b)。另外，也将多个第一排气口41b中的与后述的第二排气口91最接近的第一排气口41b、即设置于最下方的第一排气口41b称为排气口C(第一排气口41c)。
在外管22的沿着上述的排列方向(这里为铅垂方向)的一端侧(这里为下端侧)设置有第二排气口91，该第二排气口91将经由多个第一排气口41分别从内管21内向外管22内排出的气体、即在内管21与外管22之间的圆环状的空间内流动的排放气体向反应管20外排出。在第二排气口91上连接有排气管61。在排气管61上经由对反应管20内的压力进行检测的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器62和作为压力调整器(压力调整部)的APC(Auto Pressure Controller；自动压力控制器)阀63连接有作为真空排气装置的真空泵64。APC阀63构成为通过在使真空泵64工作的状态下开闭阀，从而能够进行处理室23内的真空排气和停止真空排气，此外，通过在使真空泵64工作的状态下基于由压力传感器62检出的压力信息来调节阀开度，从而能够调整处理室23内的压力。主要地，由排气管61、APC阀63、压力传感器62构成排气系统即排气管路。
在内管21与外管22之间设置有整流机构R，其控制内管21与外管22之间的空间(以下也称为排气缓冲空间)内的气体的流动，即控制从多个第一排气口41分别向排气缓冲空间内排出并朝向第二排气口91的排放气体的流动(排气路径)。对于整流机构R的具体结构将在后面说明。
在内管21与外管22之间设置有作为温度检测器的温度传感器11。基于由温度传感器11检出的温度信息对加热器10的通电状态进行调整，从而使处理室23内的温度成为所需的温度分布。温度传感器11构成为L字型，例如沿着内管21的外壁设置。
如图3所示，控制部(控制单元)即控制器70由计算机构成，该计算机具备：CPU(Central Processing Unit；中央处理单元)71、RAM(Random Access Memory；随机访问存储器)72、存储装置73、I/O端口74。RAM72、存储装置73、I/O端口74构成为能够经由内部总线75与CPU71进行数据交换。在控制器70上连接有例如由触控面板等构成的输入输出装置82、外部存储装置81。
存储装置73由例如闪存、HDD(Hard Disk Drive；硬盘驱动器)等构成。在存储装置73内以可读取的方式存储有对基板处理装置的动作进行控制的控制程序、记载有后述的半导体装置的制造方法的步骤、条件等的制程配方等。制程配方作为程序发挥功能且组合为能够使控制器70执行后述的半导体装置的制造方法中的各工序(各步骤)并获得预定的结果。以下也将制程配方、控制程序等简单地统称为程序。另外，也将制程配方简称为配方。在本说明书中，“程序”的含义包括：仅指配方单体、仅指控制程序单体、或者是指这两方。RAM72构成为存储区域(工作区域)，将CPU71读取的程序、数据等暂时地保持。
I/O端口74与上述的MFC51a～53a、阀51b～53b、压力传感器62、APC阀63、真空泵64、加热器10、温度传感器11等连接。
CPU71从存储装置73读取控制程序并执行，并且构成为，按照来自输入输出装置82输入的操作指令从存储装置73读取配方。CPU71构成为，按照读取的配方的内容来控制：MFC51a～53a对各种气体的流量调整动作、阀51b～53b的开闭动作、APC阀63的开闭动作和基于压力传感器62进行的APC阀63的压力调整动作、真空泵64的启动和停止、基于温度传感器11进行的加热器10的温度调整动作、升降机构对晶舟40的升降动作等。
控制器70可以通过将外部存储装置81所存储的上述的程序安装于计算机而构成。外部存储装置81例如包含：磁带、HDD等的磁盘、CD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器等半导体存储器。存储装置73、外部存储装置81由计算机可读取的存储介质构成。以下也将它们简单地统称为存储介质。在本说明书中，“存储介质”的含义包括：仅指存储装置73单体、仅指外部存储装置81单体、或者是指这两方。此外，向也可以不使用外部存储装置81，而是利用互联网、专用线路等通信方式向计算机提供程序。
(2)基板处理工序
对于作为半导体装置的制造工序的一工序使用上述的基板处理装置在作为基板的晶圆W上形成膜的时序例进行说明。在以下的说明中，构成基板处理装置的各部的动作通过控制器70进行控制。
在本方式的成膜时序中，将使对处理容器内(处理室23内)收纳的晶圆W供给作为原料气体的HCDS气体的步骤1、和对处理室23内收纳的晶圆W供给NH3气体的步骤2非同时地、即非同步地进行的循环执行预定次数(n次、n为1以上的整数)，从而在晶圆W上形成硅氮化膜(SiN膜)。
在本说明书中，对于上述的成膜处理，有时为了方便而以如下方式进行表示。此外，在以下的其他方式的说明中也使用同样的表述。
Figure BDA0003848956820000081
(晶圆装填和晶舟搬入)
当多张晶圆W装填于晶舟40(晶圆装填)时，支撑有多张晶圆W的晶舟40被晶舟升降机提升并搬入处理室23内(晶舟搬入)。在该状态下，密封帽50成为经由O型环将反应管20的下端密封的状态。
(压力/温度调整步骤)
利用真空泵64进行真空排气(减压排气)，使处理室23内、即晶圆W存在的空间成为所需的压力(真空度)。此时，通过压力传感器62来测量反应管20内的压力，并基于该测量的压力信息对APC阀63进行反馈控制，由此将处理室23内的压力调整为所需的压力。真空泵64至少在对晶圆W的处理结束之前维持持续工作的状态。另外，利用加热器10进行加热，使处理室23内的晶圆W成为所需的成膜温度。此时，基于温度传感器11检测出的温度信息对加热器10的通电状态进行反馈控制，使处理室23内成为所需的温度分布。加热器10对处理室23内的加热至少在对晶圆W的处理结束之前持续进行。
(成膜步骤)
接下来依次执行如下的步骤1、2。
[步骤1]
在该步骤中，对处理室23内的晶圆W供给HCDS气体。
具体而言，打开阀51b，向气体供给管51内流通HCDS气体。HCDS气体通过MFC51a进行流量调整，并经由喷嘴30、气体供给口31向处理室23内(内管21内)供给。向内管21内供给的HCDS气体朝向相对于晶圆W的表面平行的方向(水平方向)流动，并经由第一排气口41向内管21外排出，经过内管21与外管22之间的空间(排气缓冲空间)，从第二排气口91排出。此时，对多张晶圆W分别供给HCDS气体。此时，打开阀53b，向气体供给管53内流通N2气体。N2气体通过MFC53a进行流量调整，并经由喷嘴30、气体供给口31向内管21内供给。N2气体作为载气发挥作用。
此时，处理室23内的压力例如为0.1～30Torr，优选为0.2～20Torr，更优选为0.3～13Torr的范围内的压力。HCDS气体的供给流量例如为0.1～10slm，优选为0.2～2slm的范围内的流量。N2气体的供给流量例如为0.1～20slm的范围内的流量。HCDS气体的供给时间例如为0.1～60秒，优选为0.5～5秒的范围内的时间。加热器10的温度设定为如下的温度，该温度使得晶圆W的温度例如为200～900℃，优选为300～850℃，更优选为400～750℃的范围内温度。
通过向晶圆W供给HCDS气体，从而在多张晶圆W各自的最外侧表面上作为第一层而形成含Si层。
第一层形成后，关闭阀51b，停止向内管21内供给HCDS气体。此时，APC阀63保持打开状态，利用真空泵64对反应容器20内进行真空排气，将处理室23内残留的未反应或者在第一层形成时发挥了作用后的HCDS气体从处理室23内排除。此时，阀53b保持打开状态，持续向处理室23内供给N2气体。N2气体作为吹扫气体发挥作用，能够提高将处理室23内残留的气体从处理室23内排出的效果。当吹扫结束时，关闭阀53b，停止向处理室23内供给N2气体。
[步骤2]
步骤1结束后，向处理室23内的晶圆W供给NH3气体。
具体而言，打开阀52b，向气体供给管52内流通NH3气体。NH3气体通过MFC52a进行流量调整，并经由气体供给管51、喷嘴30、气体供给口31向处理室23内(内管21内)供给。供给至内管21内的NH3气体朝向与晶圆W的表面平行的方向(水平方向)流动，经由第一排气口41向内管21外排出，并经过内管21与外管22之间的排气缓冲空间，从第二排气口91排气。此时，对多张晶圆W分别供给NH3气体。此时，打开阀53b，向气体供给管53内流通N2气体。N2气体通过MFC53a进行流量调整，并经由喷嘴30、气体供给口31向内管21内供给。N2气体作为载气发挥作用。
此时，处理室23内的压力例如为0.1～30Torr，优选为0.2～20Torr，更优选为0.3～13Torr的范围内的压力。HCDS气体的供给流量例如为0.1～10slm，优选为0.2～2slm的范围内的流量。N2气体的供给流量例如为0.1～20slm的范围内的流量。HCDS气体的供给时间例如为0.1～60秒，优选为0.5～5秒的范围内的时间。加热器10的温度设定为如下的温度，该温度使得晶圆W的温度例如为200～900℃，优选为300～850℃，更优选为400～750℃的范围内的温度。
向晶圆W供给的NH3气体与通过步骤1在晶圆W上形成的第一层即含Si层的至少一部分发生反应。由此使第一层不是通过等离子体方式而是以热方式氮化，并向含Si和N的层第二层即硅氮化层(SiN层)变化(改性)。
第二层(SiN层)形成后，关闭阀52b，停止向内管21内供给NH3气体。并且，通过与步骤1同样的处理步骤，将处理室23内残留的NH3气体、反应副产物从处理室23内排除。
[实施预定次数]
通过将使上述的步骤1、2非同时即非同步地进行的循环执行预定次数(n次，n为1以上的整数)，从而能够在晶圆W上形成预定膜厚的SiN膜。上述的循环优选重复多次。即优选，每一次循环所形成的第二层的厚度比所需的膜厚小，在通过层叠第二层而形成的膜的膜厚达到所需的膜厚之前，使上述的循环重复多次。
(后吹扫步骤/大气压恢复步骤)
当成膜步骤结束并形成了预定膜厚的SiN膜时，向反应管20内供给N2气体并从排气管61排气。由此对处理室23内进行吹扫，将处理室23内残留的气体、反应副产物从处理室23内除去(后吹扫)。之后，将处理室23内的气氛置换为惰性气体(惰性气体置换)，使处理室23内的压力恢复为常压(大气压恢复)。
(晶舟搬出和晶圆卸载)
之后，利用晶舟升降机使密封帽50下降，使反应管20的下端开口，并且将处理后的晶圆W以被晶舟40支撑的状态搬出到反应管20的外部(晶舟搬出)。处理后的晶圆W在搬出到反应管20的外部之后，从晶舟40被取出(晶圆卸载)。
(3)整流机构R的结构
以下说明对内管21与外管22之间的空间内的排放气体的流动(排气路径)进行控制的整流机构R的结构。如上所述，在本说明书中也将内管21与外管22之间的空间称为“排气缓冲空间”。
图6的(a)、图6的(b)例示了排气缓冲空间未设置整流机构R情况下的排气缓冲空间内的排放气体的路径。
首先，如图6的(a)所示，从第一排气口41排出的排放气体有时会经由排气缓冲空间中的、内管21的顶板与外管22的顶板之间的空间(上部缓冲空间)绕至气体供给口31侧并经由气体供给口31流入内管21内。此时的排放气体的路径在图6的(a)中表示为“排气路径A”。尤其是对于从距离第二排气口91较远的第一排气口41a排出的气体而言，具有如下倾向：容易流入上部缓冲空间内，并容易从铅垂方向(上下方向)流入与第一排气口41a对置的气体供给口31a内。流入内管21内的排放气体是导致基板处理品质降低的重要因素。
另外，如图6的(b)所示，从第一排气口41排出的排放气体有时会经由排气缓冲空间中的、内管21的侧壁与外管22的侧壁之间的俯视呈圆环状的空间(侧方缓冲空间)绕至气体供给口31侧，并经由气体供给口31流入内管21内。此时的排放气体的路径在图6的(b)中表示为“排气路径B”。尤其是对于从距离第二排气口91较远的第一排气口41a排出的气体而言，具有如下倾向：容易流入侧方缓冲空间内，并容易从水平方向(左右方向)流入与第一排气口41a对置的气体供给口31a内。如上所述，流入内管21内的排放气体是导致基板处理品质降低的重要因素。
为了解决这些课题，在本方式中，如图5的(a)～图5的(c)等所示，在排气缓冲空间设置整流机构R(包含后述的翅片100～400的整理板组的总称)，对排气缓冲空间内的排放气体的流动(流路)进行控制。
如图5的(a)所示，整流机构R在多个气体供给口31各自的附近使翅片100和翅片200分别为两张。具体而言，整流机构R以夹着气体供给口31的方式在铅垂方向的两侧分别、即在气体供给口31的正上和正下分别具备翅片100。另外，整流机构R以夹着气体供给口31的方式在水平方向的两侧分别、即在气体供给口31的左侧和右侧分别具备翅片200。另外，整流机构R在从水平方向的两侧夹着气体供给口31c的翅片200的端部、具体而言是翅片200的下端部具备翅片300。另外，整流机构R在第一排气口41a的附近、具体而言是第一排气口41a的正上方具备翅片400。在本说明书中，也将从铅垂方向的两侧夹着气体供给口31a的翅片100称为第一翅片，也将从水平方向的两侧夹着气体供给口31a的翅片200称为第二翅片。另外，也将从铅垂方向的两侧夹着气体供给口31b的翅片100称为第三翅片，也将从水平方向的两侧夹着气体供给口31b的翅片200称为第四翅片。另外，也将翅片300称为第五翅片，也将翅片400称为第六翅片。
以下对整流机构R具备的第一～第六翅片(翅片100～400)的结构进行详细说明。
(第一翅片、第三翅片)
如图4、图5的(a)所示，作为第一翅片、第三翅片的多个翅片100分别设置为在内管21的外壁的多个气体供给口31各自的上下附近沿着内管21的外周延伸于水平方向。
多个翅片100分别构成为从内管21的外壁朝向外管22的内壁、即朝向内管21的径向外侧突出的整流板。构成为在内管21的朝向径向外侧的翅片100的端部与外管22的内壁之间维持预定的距离、例如是离开大于2mm且小于7mm的距离的间隙。多个翅片100分别也包含气体供给口31a正上方的翅片100，且设置为与以水平姿态收纳的晶圆W的主面平行的姿态。
如图5的(a)所示，多个翅片100分别构成为侧视呈水平直线形状(平板状)，且设置为比气体供给口31的水平方向的内径大的预定的长度(延伸长度)。多个翅片100全部设置为相同的延伸长度。翅片100设置为沿着铅垂方向(排列方向)分别从两侧夹着气体供给口31。气体供给口31a正上方的翅片100设置在内管21的上端部(顶板)下方的预定距离处。
(第二翅片、第四翅片)
另外，如图5的(a)所示，作为第二翅片、第四翅片的多个翅片200分别设置为在内管21外壁的多个气体供给口31各自的左右附近沿着铅垂方向(排列方向)延伸。
也如图4所示，多个翅片200分别与翅片100同样地构成为从内管21的外壁朝向外管22的内壁、即朝向内管21的径向外侧突出的整流板。与翅片100同样地构成为，在内管21的朝向径向外侧的翅片200的端部与外管22的内壁之间维持预定的距离、例如是离开大于2mm且小于7mm的距离的间隙。
如图5的(a)所示，多个翅片200分别构成为侧视呈铅垂直线形状(平板状)，其设置为比气体供给口31的铅垂方向的内径大的预定的长度(延伸长度)。翅片200设置为沿着水平方向分别从两侧夹着气体供给口31。由在气体供给口31的左侧设置的多个翅片200构成一体的平板。同样地，由在气体供给口31的右侧设置的多个翅片200构成一体的平板。如图5的(b)所示，这些平板的侧面(水平方向的外侧的侧面)构成为无台阶、间隙的连续的平滑面。
如图5的(a)所示，翅片100的水平方向的端部与在水平方向的两侧设置的翅片200接合。由此，多个气体供给口31的外周被翅片100、翅片200分别无间隙地(连续地)包围。
(第五翅片)
如图5的(a)所示，作为第五翅片的两张翅片300分别设置为，在内管21的外壁的气体供给口31侧即在气体供给口31c的下方侧沿着铅垂方向(排列方向)、即朝向第二排气口91以预定的长度(延伸长度)延伸。两张翅片300从两张翅片200的下端部朝向下方延伸，该两张翅片200从水平方向的两侧夹着气体供给口31c。两张翅片300的下方侧的端部分别例如在加热器10的下端部的附近位于比加热器10的下端部靠上方的位置(参照图1)。
两张的翅片300分别与翅片100等同样地构成为从内管21的外壁朝向外管22的内壁、即朝向内管21的径向外侧突出的整流板。与翅片100等同样地构成为，在内管21的朝向径向外侧的翅片300的端部与外管22的内壁之间维持预定的距离、例如是离开大于2mm且小于7mm的距离的间隙。
如图5的(a)所示，两张翅片300分别构成为侧视呈铅垂直线形状(平板状)。由在气体供给口31的左侧设置的多个翅片200、翅片300构成一体的平板。由在气体供给口31的右侧设置的多个翅片200、翅片300构成一体的平板。如图5的(b)所示，这些平板的侧面(水平方向的外侧的侧面)构成为无台阶、间隙的连续的平滑面。
(第六翅片)
如图5的(b)、图5的(c)所示，作为第六翅片的翅片400设置为，在内管21的外壁的第一排气口41侧的上端侧、即在第一排气口41a的上方附近沿着内管21的外周延伸于水平方向。翅片400构成为侧视呈水平直线形状(平板状)，且设置为比第一排气口41a的水平方向的内径大的预定的长度(延伸长度)。翅片400设置在内管21的上端部(顶板)下方的预定距离处。
翅片400与翅片100等同样构成为从内管21的外壁朝向外管22的内壁、即朝向内管21的径向外侧突出的整流板。与翅片100等同样地构成为，在内管21的朝向径向外侧的翅片400的端部与外管22的内壁之间维持预定的距离、例如是大于2mm且小于7mm的距离的间隙。
(4)本方式的效果
根据本方式，获得如下所示的一个或多个效果。
(a)本方式的整流机构R在气体供给口31a的附近具备包围气体供给口31a的外周的至少一部分的翅片。由此，能够抑制在排气缓冲空间内流动的排放气体经由气体供给口31a流入内管21内。作为结果，能够提高基板处理的品质、尤其是提高针对在基板收纳区域65的上部侧配置的晶圆W的基板处理的品质。
(b)本方式的整流机构R在气体供给口31a的附近具备以比气体供给口31a的水平方向的内径大的预定的长度沿着水平方向延伸的翅片100(第一翅片)。翅片100设置为沿着排列方向(铅垂方向)分别从两侧夹着气体供给口31a。由此，能够抑制在排气缓冲空间内流动的排放气体流入气体供给口31a内。作为结果，能够提高基板处理的品质、尤其是提高针对在基板收纳区域65的上部侧配置的晶圆W的基板处理的品质。
(c)本方式的整流机构R在气体供给口31a的附近具备以比气体供给口31a的排列方向(铅垂方向)的内径大的预定的长度沿着排列方向(铅垂方向)延伸的翅片200(第二翅片)。翅片200设置为沿着水平方向分别从两侧夹着气体供给口31a。由此，能够抑制在排气缓冲空间内流动的排放气体流入气体供给口31a内。作为结果，能够提高基板处理的品质、尤其提高针对在基板收纳区域65的上部侧配置的晶圆W的基板处理的品质。
(d)本方式的整流机构R在气体供给口31b的附近具备以比气体供给口31b的水平方向的内径大的预定的长度沿着水平方向延伸的翅片100(第三翅片)。翅片100设置为沿着排列方向(铅垂方向)分别从两侧夹着气体供给口31b。由此，能够抑制在排气缓冲空间内流动的排放气体流入气体供给口31b内。作为结果，即使对于在基板收纳区域65的上部侧以外的位置收纳的晶圆W而言，也能够提高基板处理的品质。
(e)本方式的整流机构R在气体供给口31b的附近具备以比气体供给口31b的排列方向(铅垂方向)的内径大的预定的长度沿着铅垂方向延伸的翅片200(第四翅片)。翅片200设置为沿着水平方向分别从两侧夹着气体供给口31b。由此，能够抑制在排气缓冲空间内流动的排放气体流入气体供给口31b内。作为结果，即使对于在基板收纳区域65的上部侧以外的位置收纳的晶圆W而言，也能够提高基板处理的品质。
(f)本方式的整流机构R具备从在气体供给口31c的附近设置的翅片200的端部起沿着排列方向(铅垂方向)以预定的长度延伸的翅片300(第五翅片)。由此，能够提高基板处理的品质、尤其是提高针对在基板收纳区域65的下部侧配置的晶圆W的基板处理的品质。
在未设置翅片300的情况下，有可能在如图7的(a)的虚线所示的部位、即在气体供给口31c的周边产生排放气体的紊流，受到该紊流的影响，排放气体会微量地流入气体供给口31c内。此时，虽然能够充分地获得上述的效果，但是在能够获得该效果的范围内，有可能对基板处理的品质产生影响、尤其是影响针对在基板收纳区域65的下部侧配置的晶圆W的处理的品质。
针对该问题，通过设置翅片300，从而能够如图7的(b)中的虚线所示那样，使排放气体的紊流的产生部位远离气体供给口31c。由此，能够抑制排放气体流入气体供给口31c内，并能够提高基板处理的品质、尤其是提高针对在基板收纳区域65的下部侧配置的晶圆W的基板处理的品质。
(g)在本方式的整流机构R中，由在气体供给口31的左侧设置的多个翅片200、翅片300构成一体的平板。另外，由在气体供给口31的右侧设置的多个翅片200、翅片300构成一体的平板。并且，这些平板的侧面(水平方向的外侧的侧面)构成为无台阶、间隙的连续的平滑面。由此，能够抑制在排气缓冲空间内产生紊流，提高基板处理的品质。
(h)本方式的整流机构R在第一排气口41a的附近具备以比第一排气口41a的水平方向的内径大的预定的长度沿着水平方向延伸的翅片400(第六翅片)。由此，能够抑制从多个第一排气口41、尤其是从第一排气口41a排出的排放气体流入上部缓冲空间内。由此，能够抑制排放气体经由上部缓冲空间流入气体供给口31a内。作为结果，能够提高对晶圆W的基板处理、尤其是针对在基板收纳区域65的上部侧配置的晶圆W的基板处理的品质。
＜本公开的其他方式＞
以上对本公开一方式具体地进行了说明，但是本公开不限于上述方式，能够在不脱离其要旨的范围内进行各种变更。
另外，例如在上述方式中对于将作为第一翅片或第三翅片的翅片100分别设置于气体供给口31的上下两侧、并将作为第二翅片或第四翅片的翅片200分别设置于气体供给口31的左右两侧的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如，也可以将翅片100仅设置于气体供给口31的上侧和下侧中的任意一方，也可以将翅片200仅设置于气体供给口31的左侧和右侧中的任意一方。此时，也能够获得上述方式所述效果中的至少部分效果。
另外，例如在上述方式中对于使作为第五翅片的翅片300由从水平方向的两侧夹着气体供给口31c的两张的翅片200的下端部起分别延伸的情况、即设置两张翅片300的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如，也可以使翅片300由从水平方向的两侧夹着气体供给口31c的两张翅片200中的任意一方的下端部起延伸并仅设置一张翅片300。此时，也能够获得上述方式所述效果中的至少部分效果。
另外，例如在上述方式中对于设置所有翅片100～400的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如，也可以仅设置气体供给口31a正上方的翅片100，省略其他翅片的设置。此时，也能够获得上述方式所述效果中的至少部分效果。
另外，例如在上述方式中对于将气体供给口31分别利用翅片100、翅片200单独包围的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如也可以将数个(例如2～5个)气体供给口31设定为一个包围单位，将该单位(数个气体供给口31)用翅片100、翅片200包围。此时，也能够获得与上述方式同样的效果。
另外，例如在上述方式中对于将多个翅片100全部设置为相同的延伸长度的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如也可以使用在气体供给口31a正上方设置的翅片100的延伸长度最长，并随着翅片100的位置趋向下方而逐渐缩短其延伸长度。此时，也能够获得与上述方式同样的效果。但是，优选使多个翅片100全部为相同的延伸长度的上述方式，因为该方式能够抑制从第一排气口41向排气缓冲空间内排出的气体流入气体供给口31内。
另外，例如在上述方式中对于使第一、第二翅片(翅片100、200)分别构成为平板状、由在气体供给口31的左侧设置的多个翅片200构成一体的平板、并由在气体供给口31的右侧设置的多个翅片200构成一体的平板的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如也可以使翅片100、200分别弯曲并使其构成连续的曲面而一体化，如图8的(a)所示那样，当从气体供给口侧方向侧视观察内管时，使多个气体供给口各自的外周被曲线形状的翅片呈圆形或椭圆形包围。此时，也能够获得与上述方式同样的效果。但是，由直线形状的翅片100、翅片200无间隙地进行包围的上述方式因能够抑制在排气缓冲空间内产生紊流而优选。
另外，例如在上述方式中对于针对多个翅片100、200分别在内管21的朝向径向外侧的翅片100的端部与外管22的内壁之间维持相同距离的间隙的例子进行了说明，但是本公开不限于这种结构。例如也可以是，将翅片100的大小(从内管21的外壁突出的突出量)设定为，使得在气体供给口31a正上方设置的翅片100的该距离的间隙最窄。另外，例如也可以将翅片200的大小(从内管21的外壁突出的突出量)设定为，使得在气体供给口31a左右设置的翅片200的该距离的间隙最窄。这样能够更加切实地抑制在排气缓冲空间内流动的排放气体流入气体供给口31a内。
另外，例如在上述方式中对于包含气体供给口31a正上方的翅片100在内将多个翅片100分别设置为与以水平姿态收纳的晶圆W的主面平行的姿态的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如，也可以在气体供给口31a的正上方设置为使翅片100随着朝向内管21的径向外侧而使其端部上升或下降的姿态即倾斜姿态。对于其他翅片100也可以同样地构成。此时，也能够获得上述方式所述效果中的至少部分效果。
另外，例如在上述方式中以上端封闭的内管21为例进行了说明，但是本公开不限于此。例如也可以使用上端开放的内管21、即上端无顶板的内管21。此时，也能够通过设置上述各种翅片而获得上述方式所述效果中的至少部分效果。此外，当内管21上端开放时，从多个第一排气口41的至少任一个排出并流入上部缓冲空间内的排放气体容易从上端的开放部流入内管21内。针对该问题，设置作为第六翅片的翅片400的方式特别有意义，因为能够抑制从多个第一排气口41的至少任一个排出的排放气体绕至上部缓冲空间内。
另外，例如在上述方式中对于将气体供给口31a正上方的翅片100设置为比内管21上端部靠下方的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如，也可以将气体供给口31a正上方的翅片100设置为与内管21的上端部为相同高度。此时，也能够获得上述方式所述效果中的至少部分效果。此外，在将气体供给口31a正上方的翅片100设置为与内管21的上端部为相同高度的情况下，能够使内管21的上端部与翅片100之间构成为无台阶的平坦面。由此，能够抑制在内管21的上端部周边产生紊流。作为结果，能够抑制排放气体经由气体供给口31a侵入内管21内、以及内管21上端开放时的排放气体向内管21内的侵入等。
另外，例如在上述方式中对于将第一气体排气口41a正上方的作为第六翅片的翅片400设置为比内管21上端部靠下方的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如也可以设置为与内管21的上端部为相同高度。此时，也能够获得与上述方式所述效果中的至少部分效果。此外，在将第一气体排气口41a正上方的翅片400设置为与内管21上端部为相同高度的情况下，能够使内管21的上端部与翅片400之间构成为无台阶的平坦面。由此，能够抑制在内管21的上端部周边产生紊流。作为结果，能够使经由第一气体排气口41a的气体排放稳定地进行。另外，当内管21上端开放时，也能够抑制因紊流而导致排放气体向内管21内侵入等。
另外，例如在上述方式中对于将喷嘴30的前端如图1所示那样设置为比内管21靠外侧，并从内管21的外侧向内管21内供给气体的情况进行了说明，但是本公开不限于此。例如也可以将喷嘴30的前端设置于内管21的内侧，并从内管21的内侧向内管21内供给气体。此时，也能够获得与上述方式同样的效果。另外，这样能够抑制由于从喷嘴30向内管21内供给的气体而将排放气体卷入内管21内。
另外，例如在上述方式中对于使作为第五翅片的翅片300从在最下侧设置的作为第二翅片的翅片200的下端部起朝向铅垂方向的下方延伸的例子进行了说明，但是本公开不限于此。例如也可以使两张的第五翅片的任一个或者两方从在最下侧设置的第二翅片的下端部起相对于铅垂方向以预定的角度倾斜。即，在两张第五翅片的任一个或两方的延伸方向上不仅可以包含垂直方向成分，也可以包含水平方向成分。这样也能够获得与上述方式同样的效果。
另外，例如也可以如图8的(b)所示那样，在使两张第五翅片从在最下侧设置的第二翅片的下端部起朝向铅垂方向的下方分别延伸时，使其中一方或两方相对于铅垂方向以预定的角度倾斜并在下游端合流。这样能够获得与上述方式同样的效果。另外，这样能够使紊流发生部位从两处减少为一处，从而能够进一步降低排放气体流入气体供给口内可能性。作为结果，能够提高基板处理的品质、尤其是提高针对在基板收纳区域的下部侧配置的晶圆的处理的品质。
另外，例如在上述方式中对于将多个第一排气口41分别设置于内管21的侧壁的夹着基板收纳区域65与气体供给口31对置的位置的例子进行了说明，但是本公开不限于此。例如，也可以将第一排气口41设置为从内管21的侧壁的夹着基板收纳区域65与气体供给口31对置的位置起沿着内管21的侧壁的周向错开预定的距离。此时也能够获得与上述方式同样的效果。
另外，例如在上述方式中对于将气体供给口31和第一排气口41分别对应于基板收纳区域65内收纳的多个晶圆200逐个设置的例子进行了说明，但是本公开不限于此。例如，也可以将气体供给口31和第一排气口41中的至少任一个相对于基板收纳区域65内收纳的多张晶圆200分别设置数张(例如间隔2～5张)。此时也能够获得与上述方式同样的效果。
另外，例如在上述方式中对于在晶圆W上形成SiN膜的例子进行了说明，但是本公开不限于此。例如，对于在晶圆W上形成硅膜(Si膜)、硅氧化膜(SiO膜)、氮氧化硅膜(SiON膜)等的情况，也适用于应用本公开。另外，对于在晶圆W上形成钛膜(Ti膜)、钛氧化膜(TiO膜)、钛氮化膜(TiN膜)、铝膜(Al膜)、铝氧化膜(AlO膜)、铪氧化膜(HfO)膜等金属类薄膜的情况，也使用应用本公开。此时也能够获得与上述方式同样的效果。
本公开不限于在多张晶圆W上分别形成膜的处理，在对多张晶圆W分别进行蚀刻处理时、进行退火处理时、进行等离子体改性处理时等情况下也能够应用。此时也能够获得与上述方式同样的效果。
符号说明
21—内管(Inner Tube)；22—外管(Outer Tube)；31、31a、31b、31c—气体供给口；41、41a、41b、41c—第一排气口；65—基板收纳区域；91—第二排气口；W—晶圆(基板)；100—翅片(第一翅片、第三翅片)；200—翅片(第二翅片、第四翅片)；300—翅片(第五翅片)；400—翅片(第六翅片)；R—整流机构。

Claims (15)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
内管，其在内部具有将多张基板分别以水平姿态沿着预定的排列方向排列为多层而进行收纳的基板收纳区域；
外管，其配置在所述内管的外侧；
气体供给口，其在所述内管的侧壁沿着所述排列方向设置有多个；
第一排气口，其在所述内管的侧壁沿着所述排列方向设置有多个；
第二排气口，其设置在所述外管的沿着所述排列方向的一端侧；以及
整流机构，其对所述内管与所述外管之间的圆环状的空间内的气体的流动进行控制，
所述整流机构具备翅片，在将多个所述第一排气口中的离所述第二排气口最远的第一排气口设为排气口A、将多个所述气体供给口中的与所述排气口A对置的气体供给口设为气体供给口A时，该翅片在所述气体供给口A的附近包围所述气体供给口A的外周的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述整流机构在所述气体供给口A的附近具备第一翅片，该第一翅片以比所述气体供给口A的水平方向的内径大的预定长度沿着水平方向延伸。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述整流机构将所述第一翅片以沿着所述排列方向从两侧夹着所述气体供给口A的方式分别设置于所述气体供给口A的附近。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述整流机构在所述气体供给口A的附近具备第二翅片，该第二翅片以比所述气体供给口A的所述排列方向的内径大的预定长度沿着所述排列方向延伸。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述整流机构将所述第二翅片以沿着水平方向从两侧夹着所述气体供给口A的方式分别设置于所述气体供给口A的附近。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在将多个所述第一排气口中的与所述排气口A不同的排气口设为排气口B、将多个所述气体供给口中的与所述排气口B对置的气体供给口设为气体供给口B时，
所述整流机构在所述气体供给口B的附近具备第三翅片，该第三翅片以比所述气体供给口B的水平方向的内径大的预定长度沿着水平方向延伸。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述整流机构将所述第三翅片以沿着所述排列方向从两侧夹着所述气体供给口B的方式分别设置于所述气体供给口B的附近。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在将多个所述第一排气口中的与所述排气口A不同的排气口设为排气口B、将多个所述气体供给口中的与所述排气口B对置的气体供给口设为气体供给口B时，
所述整流机构在所述气体供给口B的附近具备第四翅片，该第四翅片以比所述气体供给口B的所述排列方向的内径大的预定长度沿着所述排列方向延伸。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述整流机构将所述第四翅片以沿着水平方向从两侧夹着所述气体供给口B的方式分别设置于所述气体供给口B的附近。
10.根据权利要求8或9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述整流机构还具有第五翅片，
在将多个所述第一排气口中的离所述第二排气口最近的第一排气口设为排气口C、将多个所述气体供给口中的与所述排气口C对置的气体供给口设为气体供给口C时，该第五翅片从设置在所述气体供给口C的附近的所述第四翅片的端部沿着所述排列方向或者朝向所述第二排气口以预定长度延伸。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述整流机构具备第六翅片，该第六翅片在所述排气口A与所述气体供给口A之间的所述排气口A的附近，以比所述排气口A的水平方向的内径大的预定长度沿着水平方向延伸。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一排气口设置于夹着所述基板收纳区域与所述气体供给口对置的位置。
13.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
将多张基板分别以水平姿态沿着预定的排列方向排列为多层而收纳于内管内的基板收纳区域的工序；
从在所述内管的侧壁沿着所述排列方向设置有多个的气体供给口朝向所述内管内供给气体的工序；
将向所述内管内供给的气体从在所述内管的侧壁沿着所述排列方向设置有多个的第一排气口向配置在所述内管的外侧的外管内排出的工序；
从设置在所述外管的沿着所述排列方向的一端侧的第二排气口对所述内管与所述外管之间的圆环状的空间内进行排气的工序；以及
利用整流机构对所述圆环状的空间内的气体的流动进行控制的工序，该整流机构具备翅片，在将多个所述第一排气口中的离所述第二排气口最远的第一排气口设为排气口A、将多个所述气体供给口中的与所述排气口A对置的气体供给口设为气体供给口A时，该翅片在所述气体供给口A的附近包围所述气体供给口A的外周的至少一部分。
14.一种存储介质，是计算机可读取的存储介质，其特征在于，存储有使计算机执行以下步骤的程序，即：
将多张基板分别以水平姿态沿着预定的排列方向排列为多层而收纳于内管内的基板收纳区域的步骤；
从在所述内管的侧壁沿着所述排列方向设置有多个的气体供给口朝向所述内管内供给气体的步骤；
将向所述内管内供给的气体从在所述内管的侧壁沿着所述排列方向设置有多个的第一排气口向配置在所述内管的外侧的外管内排出的步骤；
从设置在所述外管的沿着所述排列方向的一端侧的第二排气口对所述内管与所述外管之间的圆环状的空间内进行排气的步骤；以及
利用整流机构对所述圆环状的空间内的气体的流动进行控制的步骤，该整流机构具备翅片，在将多个所述第一排气口中的离所述第二排气口最远的第一排气口设为排气口A、将多个所述气体供给口中的与所述排气口A对置的气体供给口设为气体供给口A时，该翅片在所述气体供给口A的附近包围所述气体供给口A的外周的至少一部分。
15.一种内管，其在内部具有将多张基板分别以水平姿态沿着预定的排列方向排列为多层而进行收纳的基板收纳区域，且配置于在沿着所述排列方向的一端侧设置有第二排气口的外管内，
所述内管的特征在于，
在所述内管的侧壁沿着所述排列方向设置有多个气体供给口；
在所述内管的侧壁沿着所述排列方向设置有多个第一排气口；
在将多个所述第一排气口中的离所述第二排气口最远的第一排气口设为排气口A、将多个所述气体供给口中的与所述排气口A对置的气体供给口设为气体供给口A时，在所述内管的侧壁的所述气体供给口A的附近，构成整流机构的至少一部分的翅片设置为包围所述气体供给口A的外周的至少一部分，该整流机构对所述内管与所述外管之间的圆环状的空间内的气体的流动进行控制。
CN202080098653.1A 2020-03-25 2020-03-25 基板处理装置、半导体装置的制造方法、存储介质和内管 Pending CN115315790A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/013323 WO2021192090A1 (ja) 2020-03-25 2020-03-25 基板処理装置、半導体装置の製造方法、記録媒体およびインナーチューブ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115315790A true CN115315790A (zh) 2022-11-08

Family

ID=77891053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080098653.1A Pending CN115315790A (zh) 2020-03-25 2020-03-25 基板处理装置、半导体装置的制造方法、存储介质和内管

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230012668A1 (zh)
JP (1) JP7399260B2 (zh)
CN (1) CN115315790A (zh)
WO (1) WO2021192090A1 (zh)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002222806A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Ebara Corp 基板処理装置
JP5090097B2 (ja) 2007-07-26 2012-12-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
JP5534979B2 (ja) 2010-06-29 2014-07-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置のクリーニング方法
JP2012178492A (ja) 2011-02-28 2012-09-13 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置およびガスノズルならびに基板若しくは半導体デバイスの製造方法
JP5702657B2 (ja) 2011-04-18 2015-04-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP2014096453A (ja) 2012-11-08 2014-05-22 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP6820816B2 (ja) 2017-09-26 2021-01-27 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
JP7399260B2 (ja) 2023-12-15
JPWO2021192090A1 (zh) 2021-09-30
WO2021192090A1 (ja) 2021-09-30
US20230012668A1 (en) 2023-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11020760B2 (en) Substrate processing apparatus and precursor gas nozzle
US11495477B2 (en) Substrate processing apparatus
US10961625B2 (en) Substrate processing apparatus, reaction tube and method of manufacturing semiconductor device
JP6605398B2 (ja) 基板処理装置、半導体の製造方法およびプログラム
KR102315296B1 (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102099330B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
US20220341041A1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP2020017757A (ja) 基板処理装置、反応容器および半導体装置の製造方法
US10640869B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
US20240093361A1 (en) Vaporizer, processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US20230055506A1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, and gas injector
JP2018078323A (ja) 基板処理装置
US11898247B2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
JP7290684B2 (ja) 反応管、処理装置、および半導体装置の製造方法
CN115315790A (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法、存储介质和内管
JP7240557B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよびインナーチューブ
KR20230052933A (ko) 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치
CN115989338A (zh) 半导体装置的制造方法、记录介质以及基板处理装置
KR20220140612A (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
KR20230021615A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination