KR101909889B1 - 안테나 그루브를 갖는 전자 제품 금속 쉘 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

안테나 그루브가 형성된 전자 제품 금속 쉘 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 전자 제품 금속 쉘은, 금속 층, 상기 금속 층의 상부 표면상에 형성된 제1 경질 양극 산화 층, 상기 금속 층의 하부 표면상에 형성된 제2 경질 양극 산화 층, 상기 금속 층과 상기 제1 경질 양극 산화 층을 관통하는 안테나 그루브, 및 상기 안테나 그루브에 채워진 비-전도성 재료를 포함하고, 상기 안테나 그루브는 두께 방향으로 상기 제1 경질 양극 산화 층 및 상기 금속 층을 관통하되, 상기 제2 경질 양극 산화 층을 관통하지 않는다.

Description

안테나 그루브를 갖는 전자 제품 금속 쉘 및 그 제조방법{ELECTRONIC PRODUCT METAL SHELL FORMED WITH ANTENNA GROOVE AND METHOD FOR PREPARING SAME}

본 개시의 실시예들은 일반적으로 전자 제품 제조기술 분야에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 안테나 그루브를 갖는 전자 제품 금속 쉘 및 그 제조방법에 관한 것이다.

최근 들어, 금속 휴대폰과 같은 전자 제품의 쉘(shell)에 의해 야기되는 신호 차폐의 문제를 해결하기 위하여, 상부와 하부 2개의 안테나 슬롯(slot)을 갖는 HTC ONE과 측면 안테나 슬롯 등을 갖는 iPhone 5/5s와 같이, 금속 휴대폰과 같은 전자 제품의 대부분은 휴대폰의 후면 커버에 대개는 슬롯을 형성한 후, 사출 성형하는 방법을 채택한다. 그러나 전술한 바와 같이, 전자 제품의 금속 쉘(예를 들면, 금속 휴대폰의 후면 커버)상에 안테나 슬롯을 형성한 후, 사출 성형하는 방법은 전자 제품 금속 쉘의 전체적인 구조에 약간의 손상을 초래할 수 있으며, 전자 제품 금속 쉘 외관의 청결도와 연속성에 영향을 줄 수도 있다. 한편 전자 제품 금속 쉘(예를 들면, 금속 휴대폰의 후면 커버)의 눈에 보이는 플라스틱은 전체 전자 제품 금속 셀의 금속 질감을 또한 파괴할 수 있다.

본 개시는, 전자 제품 금속 쉘 상에 안테나 슬롯을 형성하고 이어, 사출 성형하는 종래 기술의 방법이 전자 제품 금속 쉘(electronic product metal shell) 외관의 청결도 및 연속성에 영향을 줄 수 있고 전체적인 전자 제품 금속 쉘의 금속 질감을 파괴할 수도 있는 문제점을 해결하기 위한 것으로, 따라서 안테나 그루브를 갖는 전자 제품 금속 쉘 및 그 제조방법을 제공하는 것이다. 본 개시의 전자 제품 금속 쉘 상에 형성된 안테나 그루브는 육안으로 그 외관을 볼 수 없으며, 전자 제품 금속 쉘의 외관 표면의 표면층은 파괴되지 않으며, 그 알루미늄 쉘의 외관 표면은 매끄럽고 깔끔한데, 이는 전자 제품 금속 쉘의 외관의 청결도 및 연속성을 유지시켜주며 전체 전자 제품 금속 쉘의 금속 질감을 파괴하지 않는다.

따라서 상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 개시의 제1 측면의 실시예들은 안테나 그루브를 가지는 전자 제품 금속 쉘을 제공한다. 상기 전자 제품 금속 쉘은, 금속 층; 상기 금속 층의 상부 표면상에 형성된 제1 경질 양극 산화 층; 상기 금속 층의 하부 표면상에 형성된 제2 경질 양극 산화 층; 상기 금속 층과 상기 제1 경질 양극 산화 층을 관통하는 안테나 그루브; 및 상기 안테나 그루브에 채워진 비-전도성 재료를 포함하고, 상기 안테나 그루브는 두께 방향으로 상기 제1 경질 양극 산화 층 및 상기 금속 층을 관통하되, 상기 제2 경질 양극 산화 층을 관통하지 않는다.

본 개시의 제2 측면의 실시예들은 안테나 그루브를 갖는 전자 제품 금속 쉘의 제조 방법을 제공한다. 상기 방법은,

(1)금속 층에 경질 양극 산화처리와 잉크 스프레이처리를 순차적으로 실시함으로써 제1 경질 양극 산화 층, 제2 경질 양극 산화 층, 제1 잉크 층 및 제 2 잉크층을 형성하는 단계;

(2)단계(1) 이후, 얻어진 제품의 상부 표면상에 안테나 그루브를 형성하는 단계; 및

(3)상기 제1 잉크 층과 제2 잉크 층을 제거하고, 상기 안테나 그루브 내에 비-전도성 재료를 채우는 단계;를 포함하며,

상기 제1 경질 양극 산화 층은 상기 금속 층의 상부 표면상에 형성되고 상기 제2 경질 양극 산화 층은 상기 금속 층의 하부 표면상에 형성되며, 상기 제1 잉크 층은 상기 제1 경질 양극 산화 층의 상부 표면상에 형성되고 상기 제2 잉크 층은 상기 제2 경질 양극 산화 층의 하부 표면상에 형성되며; 그리고

상기 안테나 그루브는 상기 제품의 두께 방향으로 상기 제1 잉크 층, 상기 제1 경질 양극 산화 층 및 금속 층을 관통하고, 상기 제2 경질 양극 산화 층을 관통하지 않도록 형성된다.

본 개시의 전자 제품 금속 쉘 상에 형성된 안테나 그루브는 육안으로 그 외관을 볼 수 없으며, 전자 제품 금속 쉘의 외관 표면의 표면층은 파괴되지 않으며, 그 알루미늄 쉘의 외관 표면은 매끄럽고 깔끔한데, 이는 전자 제품 금속 쉘의 외관의 청결도 및 연속성을 유지시켜주며 전자 제품 금속 쉘의 금속 질감을 파괴하지 않는다.

본 개시의 실시예들의 이러하고 다른 측면과 이익들은 후속하는 상세한 설명을 참조하여 자세하게 기술될 것이다.

도 1은 본 개시의 실시예 1의 라듐 카빙[깊은 라듐 카빙(deep radium carving)]한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 개시의 실시예 1의 에칭 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 개시의 실시예 1의 잉크 층을 제거한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 개시의 실시예 1의 경질 양극 산화처리 후(왼쪽)와 잉크 스프레이 처리 후(오른쪽)의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진이다.
도 5는 본 개시의 실시예 1의 라듐 카빙한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진이다.
도 6은 본 개시의 실시예 1의 비-전도성 재료를 채운 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진이다.
도 7은 본 개시의 실시예 1의 라듐 카빙[정상 라듐 카빙(normal radium carving)]한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 개략도이다.
도 8은 본 개시의 일실시예에 따른 전자 제품 금속 쉘의 개략도이다.
도 9는 본 개시의 실시예들에 따른 전자 제품 금속 쉘을 제조하는 방법에 대한 공정 개략도이다.

이하, 본 개시의 실시예들에 대하여 상세하게 설명될 것이다. 여기에서 기술된 실시예들은 설명적이고 예시적인 것으로서, 이들은 전체적으로 본 개시를 이해함에 사용된다. 본 실시예들은 본 개시를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다.

본 개시의 실시예들의 제1 측면에 따르면, 안테나 그루브를 갖는 전자 제품 금속 쉘이 제공된다. 도 8에 나타난 바와 같이, 전자 제품 금속 쉘은, 금속 층(1); 금속 층의 상부 표면상에 형성된 제1 경질 양극 산화 층(21); 금속 층의 하부 표면상에 형성된 제2 경질 양극 산화 층(22); 금속 층(1)과 제1 경질 양극 산화 층(21)을 관통하는 안테나 그루브(5); 및 상기 안테나 그루브에 채워진 (도시되지 않은) 비-전도성 재료를 포함한다.

다시 말하면, 본 개시에 따른 전자 제품 금속 쉘은, 금속 층(1)과 금속 층(1)의 표면상에 코팅되어 있는 경질의 양극 산화 층(21,22); 전면 경질 양극 산화 층(22)의 내부 면이 노출되도록 그 두께 방향으로 배면 경질 양극 산화 층(21)과 금속 층(1)을 관통하는 안테나 그루브(5); 및 안테나 그루브(5) 내에 채워진 비-전도성 재료를 포함한다.

본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 안테나 그루브(5)의 상부 구멍(opening)의 폭 L1은 안테나 그루브(5)의 하부 구멍의 폭 L2 보다 크다. 본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 상부 구멍은 약 3~15mm의 폭 L1을 가진다. 본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 하부 구멍은 약 1~3mm의 폭 L2를 가진다. 본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 하부 구멍은 약 1~1.6mm의 폭 L2를 가진다. 다시 말하면, 본 개시의 실시예들의 전자 제품 금속 쉘에 따르면, 전자 제품 금속 쉘의 배면(back surface)상에서의 안테나 그루브(5)의 구멍은 상부 구멍으로 정의되며, 안테나 그루브는, 상기 상부 구멍이 하부 구멍 보다 큰 크기를 가지며, 상부 구멍은 약 3~15mm의 폭 L1, 예를 들면, 본 개시의 어떤 실시예에 있어서, 상부 구멍은 약 3~6mm의 폭 L1을 가지며; 그리고 상기 하부 구멍은 약 1~3mm의 폭 L2, 예를 들면, 본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 하부 구멍은 약 1~1.6mm의 폭 L2를 가지는, 사다리꼴의 단면 구조를 가진다.

본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 금속 층(1)은 약 0.5~1.5mm의 두께를 가지며, 제1 경질 양극 산화 층(21)과 제2 경질 양극 산화 층(22) 양자는 약 0.02~0.06mm의 두께를 가진다. 또는, 다시 말하면, 본 개시의 전자 제품 금속 쉘에 있어서, 금속 층(1)은 약 0.5~1.5mm의 두께를 가지며, 예를 들면, 본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 금속 층(1)은 약 0.5~0.8mm의 두께를 가진다. 경질 양극 산화 층(21.22)은 약 0.02~0.06mm의 두께를 가지며, 예를 들면, 본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 경질 양극 산화 층(21, 22)은 약 0.04~0.06mm의 두께를 가진다.

본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 금속 층(1)은 알루미늄 합금 층을 포함한다.

본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 전자 제품 금속 쉘은 휴대폰 금속 쉘 또는 테블릿 컴퓨터 금속 쉘을 포함한다.

본 개시의 실시예들의 제2 측면에 따르면, 안테나 그루브를 갖는 전자 제품 금속 쉘을 제조하는 방법이 제공된다. 도 9에 나타난 바와 같이, 안테나 그루브를 갖는 전자 제품 금속 쉘의 제조 방법은,

(1) 금속 층(1)에 경질 양극 산화처리와 잉크 스프레이(ink spraying)처리를 순차적으로 실시함으로써 제1 경질 양극 산화 층(21), 제2 경질 양극 산화 층(22), 제1 잉크 층(31) 및 제2 잉크 층(32)를 형성하는 단계;

(2) 단계(1)후에 얻어진 제품의 상부 표면상에 안테나 그루브(5)를 형성하는 단계; 및

(3) 상기 제1 잉크 층(31)과 상기 제2 잉크 층(32)를 제거하고 상기 안테나 그루브(5)에 비-전도성 재료를 채우는 단계;를 포함하고,

상기 제1 양극 산화 층(21)은 상기 금속 층(1)의 상부 표면상에 형성되고, 상기 제2 양극 산화 층(22)은 상기 금속 층(1)의 하부 표면상에 형성되며, 상기 제1 잉크 층(31)은 상기 제1 양극 산화 층(21)의 상부 표면상에 형성되고, 그리고 상기 제2 잉크 층(32)은 상기 제2 양극 산화 층(22)의 하부 표면상에 형성되고; 상기 안테나 그루브는 상기 제품의 두께 방향으로 상기 제1 잉크 층(31), 상기 제1 경질 양극 산화 층(21) 및 상기 금속 층(1)을 관통한다.

다시 말하면, 전자 제품 금속 쉘의 제조 방법은,

(A) 금속 층에 경질 양극 산화처리와 잉크 스프레이 처리를 순차적으로 실시함으로써 경질 양극 산화 층(21,22)과 잉크 층(31,32)을 각각 형성하는 단계;

(B) 단계(A)로부터 얻어진 제1 제품의 배면상에 안테나 그루브(5)를 형성하는 단계; 및

(C) 상기 잉크 층(31,32)를 제거하고 상기 안테나 그루브(5)에 비-전도성 재료를 채우는 단계를 포함하고,

상기 안테나 그루브는, 전면 경질 양극 산화 층(front hard anodic oxidation layer: 22)이 노출되도록 상기 제1 제품의 두께 방향으로 배면 잉크 층(31), 배면 경질 양극 산화 층(21) 및 금속 층(1)을 관통한다.

본 개시의 실시예들에 있어서, 경질의 양극 산화 처리하는 공정에 어떠한 특별한 제한은 없으며, 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상적으로 사용하는 어떠한 경질 양극 산화처리일 수 있다. 어떤 실시예들에 있어서, 단계 (1) 또는 단계(A)에서, 상기 경질의 양극 산화처리는, 금속층에 알카리 에칭처리, 디스멋팅처리(desmutting treatment), 산화처리 및 밀봉처리를 순차적으로 실시하고, 그리고 상기 각각의 알카리 에칭처리, 디스멋팅처리(desmutting treatment), 산화처리 및 밀봉처리 이후 세척하는 것을 포함한다. 본 개시의 실시예들에 있어서, 상기 세척하는 방법에 어떠한 특별한 제한이 없으며, 예를 들면, 탈 이온수로 2~3회 세척하는 것과 같이, 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 어떠한 세척 방법일 수가 있다.

본 개시의 실시예들에 있어서, 알카리 에칭처리 조건에 어떠한 특별한 제한이 없으며, 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 어떠한 조건들일 수 있다. 예를 들면, 본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 상기 알카리 에칭처리는, 약 50~70℃의 온도에서 약 1~2분 동안, 약 30~60g/L의 농도를 가지며 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 수산화리튬으로 이루어진 그룹 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 에칭 용액을 이용하는 조건에서 수행된다.

본 개시의 실시예들에 있어서, 상기 디스멋팅처리 조건들에 대한 어떠한 특별한 제한은 없으며, 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상적으로 사용되는 어떠한 조건들일 수 있다. 어떤 실시예들에 있어서, 약 20~30℃의 온도에서 약 1~3분 시간동안, 질산 수용액을 포함하는 디스멋팅 용액, 그리고 디스멋팅 용액 1 리터에 대하여, 상기 질산은 약 130~270g의 함량(이는 약 65~68wt%의 농도를 갖는 약 200~400mL의 농축된 질산과 실질적으로 동일하다), 즉, 디스멋팅 용액 1 리터에 대하여, 상기 질산은 약 130~270g의 함량인 조건에서 수행된다.

본 개시의 실시예들에 있어서, 산화 처리하는 조건에 특별히 제한되는 것은 아니며, 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 어떠한 산화처리 조건들일 수 있다. 어떤 실시예들에 있어서, 상기 산화처리는, 약 5~12℃의 온도에서 약 30~50분 동안, 양의 구형파 펄스의 임펄스 파형(impulse waveform of positive square wave pulse), 약 50~90%의 듀티 비(duty ratio), 약 500~1000Hz의 주파수, 약 2~7A/dm²의 전류 밀도, 황산, 옥살산/사과산의 수용액을 포함하는 산화제 용액, 상기 산화제 용액 1 리터에 대하여, 황산이 약 120~220g의 함량을 가지며 옥살산 또는 사과산이 약 8~20g의 함량을 가지는, 즉, 산화제 용액은 황산, 옥살산/사과산의 수용액을 포함하고, 그리고 상기 산화제 용액 1 리터에 대하여, 황산이 약 120~220g의 함량을 가지며 옥살산 또는 사과산이 약 8~20g의 함량을 가지는, 조건들에서 수행된다. 황산, 옥살산/사과산의 수용액을 포함하는 산화제 용액은 황산과 옥살산을 포함하는 용액으로, 또한 황산과 사과산을 포함하는 용액을 나타낸다. 본 개시의 실시예들에 있어서, 상기 밀봉처리의 조건에 어떠한 특별한 제한이 없으며, 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상적으로 사용되는 어떠한 밀봉 처리 조건들일 수 있다. 어떤 실시예들에 있어서, 밀봉처리는, 약 20~30℃의 온도에서 약 2~3분의 조건들을 포함한다. 어떤 실시예들에 있어서, 밀봉제(sealant)는, 니켈-프리(free) 밀봉제, 니켈을 불순물로 갖는 밀봉제 및 중금속-프리 밀봉제로 이루어진 그룹 중 선택된 적어도 하나를 포함한다. 상기 경질 양극 산화처리는 밀봉처리 이후 세척처리하는 것을 포함하고, 그리고 경질 양극 산화 층은 세척처리 이후 블로우 드라잉(blow-drying) 시 얻어지며, 즉, 제1 경질 양극 산화 층(21)과 제2 경질 양극 산화 층(22)이 세척 처리 후 블로우 드라잉 시 얻어짐은 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이해되어야 할 것이다. 상기 블로우 드라잉 방법에 대한 어떠한 특별한 제한은 없으며, 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 어떠한 방법일 수 있다. 예를 들면, 상기 블로우 드라잉은 약 20~30℃의 온도에서 약 5~10분 동안 오일-프리 압축 가스로 수행될 수 있으며, 이는 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 잘 알려져 있으므로, 그에 대한 상세한 설명은 여기에서 생략된다.

본 개시의 실시예들에 있어서, 상기 잉크 스프레이처리 공정에 대한 어떠한 특별한 제한은 없으며, 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상으로 사용되는 어떠한 잉크 스프레이처리일 수도 있다. 어떤 실시예들에서는, 단계(1)에서, 잉크 스프레이처리는, UV 잉크를 각각 제1 경질 양극 산화 층(21)과 제2 경질 양극 산화층(22)의 표면상에 스프레이하고, 이어, 약 110~120℃의 온도에서 약 20~30분 동안 베이킹(baking)하고, 그리고 자외선하에서 약 1~2분 동안 노출하는 것을 포함한다. 상기 형성된 제1 잉크 층 또는 제2 잉크 층은 약 40~60㎛의 두께를 가진다. 또는 다시 말하면, 단계(A)에서, 잉크 스프레이처리는, 약 40~60㎛의 두께를 갖는 잉크 층(31,32)을 형성하기 위해 UV 잉크를 스프레이 하고, 이어, 약 110~120℃하에서 약 20~30분 동안 베이킹(baking)하고, 그리고 자외선하에서 약 1~2분 동안 노출시키는 것을 포함한다.

본 개시의 실시예들에 있어서, 전자 제품 금속 쉘의 전면(즉, 하부 표면)은 그 전자 제품이 최종 제품으로 조립될 때 대기중으로 노출되는 전자 제품 금속 쉘의 표면을 나타내며, 그리고 배면(즉, 하부 표면)은 상기 전면과 마주하는 전자 제품 금속 셀의 표면을 나타냄은 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이해되어야 한다.

본 개시의 실시예들에 있어서, 단계(2)에서, 안테나 그루브를 형성하는 것은, (2-1) 제1 잉크 층(31)에서부터 금속 층(1)까지 연장하고(extending) 제1 잉크 층(31)과 제1 경질 양극 산화 층(21)을 적어도 관통하는 안테나 그루브 슬릿(4)를 형성하고; 그리고 (2-2) 금속 층(1)을 관통하는 안테나 그루브(5)를 형성하기 위해 안테나 그루브 슬릿(4)의 연장하는 방향을 따라 금속 층(1) 일부를 제거하는 것을 추가로 포함한다. 다시 말하면, 단계(B)에서, 안테나 그루브를 형성하는 것은, 적어도 배면 잉크 층(31)과 배면 경질 양극 산화 층(21)을 제거하기 위하여 단계(A)로부터 얻어진 제품의 배면 상에 안테나 그루브 슬릿을 형성하고, 그리고 이어, 전면 경질 양극 산화 층(22)의 내부 면이 노출될 때까지 안테나 그루브 슬릿(4)에 대응하는 금속 층(1)을 제거하는 것을 포함한다.

본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 안테나 그루브 슬릿(4)은 제1 잉크 층(31)과 제1 경질 양극 산화 층(21)을 관통하고 금속 층(1) 내로 들어간다. 본 개시의 다른 어떤 실시예들에 있어서, 금속 층(1) 내로 들어가는 안테나 그루브 슬릿(4)의 두께는 금속 층(1)의 전체 두께의 40%를 넘지 않으며, 본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 금속 층(1) 내로 들어가는 안테나 그루브 슬릿(4)의 두께는 금속 층(1)의 전체 두께의 약 20~30% 이다. 그리고 단계(2-1)에서, 안테나 그루브 슬릿(4)는 라듐 카빙(radium carving)을 통하여 형성된다.

다시 말하면, 본 개시의 실시예들에 있어서, 전자 제품 금속 쉘 구조에 대한 파괴를 줄이고, 어떠한 볼록한 마크(convex mark)도 전자 제품 금속 쉘의 제2 표면상에 형성되지 않음을 보장하며, 나아가 강도(solidity)와 경도를 개선하기 위해, 단계(B)에서, 배면 잉크 층(31), 배면 경질 양극 산화 층(21) 및 금속 층(1)의 일부를 제거하기 위해 안테나 그루브 슬릿(4)이 라듐 카빙을 통하여 단계(A)로부터 얻어진 제품의 배면 상에 형성되며, 제거된 금속 층(1)의 일부의 두께는 0~약 40%, 바람직하게는 20~30%이다. 제거된 금속 층(1)의 일부의 두께가 금속 층(1)의 전체 두께의 0~ 약 10%일 때, 상기 라듐 카빙은 정상 라듐 카빙이며, 제거된 금속 층(1)의 일부의 두께가 금속 층(1)의 전체 두께의 약 10~40%일 때, 상기 라듐 카빙은 깊은 라듐 카빙임을 알아야 할 것이다(제거된 금속 층(1)의 일부의 두께가 금속 층(1)의 전체 두께의 10%일 때, 상기 라듐 카빙은 정상 라듐 카빙임을 알아야 할 것이다).

본 개시의 실시예들에 있어서, 라듐 카빙의 공정에 대한 어떠한 특별한 제한은 없으며, 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 어떠한 라듐 카빙일 수 있다. 예를 들면, 상기 라듐 카빙은 라듐 카빙 머신(radium carving machine)에 의해 수행될 수 있다. 본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 안테나 그루브 슬릿(4)는 약 0.05~0.1mm의 폭을 가진다.

본 개시의 실시예들에 있어서, 단계(2-2)에서, 금속 층의 일부가 에칭을 통하여 제거된다. 즉, 안테나 그루브 슬릿에 대응하는 금속 층(1)이 에칭을 통하여 제거된다. 에칭 조건에 대한 어떠한 특별한 제한이 없으며, 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 어떠한 에칭 조건일 수가 있다. 본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 상기 에칭은 산 에칭 용액으로 수행된다. 상기 산 에칭 용액에 대한 어떠한 특별한 제한이 없으며, 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 어떠한 산 에칭 용액일 수가 있다. 예를 들면, 본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 산 에칭 용액은 페릭 트리클로라이드형(ferric trichloride type) 산 에칭 용액, 구리 클로라이드형(copper chloride type) 산 에칭 용액 또는 염산형 산 에칭 용액을 포함할 수 있다. 본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 단계(2-2)에서, 상기 에칭은 페릭 트리클로라이드와 염산을 갖는 수용액을 포함하는 에칭 용액으로 수행되는데, 상기 에칭 용액 1 리터에 대하여, 페릭 트리클로라이드 함량은 약 800~1000g, 염산의 함량은 약 35~75g이며, 상기 에칭은 약 20~30℃의 온도, 약 30~40분 동안 수행된다. 즉, 단계(B)에서, 상기 에칭은, 약 20~30℃의 온도, 약 40~50분의 시간 동안, 에칭 용액은 페릭 트리클로라이드와 염산을 갖는 수용액을 포함하고, 상기 에칭 용액 1리터에 대하여, 페릭 트리클로라이드는 약 800~1000g의 함량을, 염산은 약 35~75g의 함량을 가지는 조건으로 수행된다. 에칭 시간은 라듐 카빙을 통하여 제거되는 금속 층의 일부의 두께에 관계되므로, 금속 층의 제거된 부분의 두께가 두꺼울수록 보다 에칭 시간이 더 짧아지고, 반대로, 금속 층의 제거된 부분의 두께가 얇을수록 보다 에칭 시간이 더 길어짐은 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이해되어야만 한다.

본 개시의 실시예들에 있어서, 전자 제품 금속 쉘의 배면에 대응하는 안테나 그루브 구멍은 상부 구멍으로 정의되며, 상기 안테나 그루브는 그 상부 구멍이 하부 구멍보다 큰 크기를 갖는 사다리꼴의 단면 구조를 가진다. 안테나 그루브 슬릿(4)이 깊은 라듐 카빙으로 통하여 형성될 때, 에칭 후에 형성되는 안테나 그루브(5)의 상부 구멍은 약 3~6mm의 폭 L1을 가지고, 하부 구멍은 약 1~1.6mm의 폭 L2를 가지며; 안테나 그루브 슬릿(4)이 정상 라듐 카빙을 통하여 형성될 때, 에칭 후 형성되는 안테나 그루브(5)의 상부 구멍은 약 10~15mm의 폭 L1을 가지고, 하부 구멍은 약 2~3mm의 폭 L2를 가진다.

본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 금속 층(1)은 구리, 망간과 같은 다른 금속 불순물을 포함할 수도 있다. 따라서 본 개시의 어떤 실시예에 있어서, 안테나 그루브를 갖는 전자 제품 금속 쉘을 제조하는 방법은, 단계(2-2) 또는 단계(B)에서, 에칭 이후 세척하고, 노출된 블랙 불순물 층을(black impurity layer) 제거하기 위해 세척 이후 블랙 필름(black film)을 벗겨내고, 그리고 다시 세척하는 것을 추가로 포함할 수 있다. 세척하는 방법에 대하여 어떠한 제한이 없으며, 예를 들면, 탈 이온수로 2~3회 세척하는 것과 같이 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상으로 사용되는 어떠한 세척 방법일 수가 있다.

본 개시의 실시예들에 있어서, 상기 잉크 층(31,32)을 제거하는 방법에 대하여 어떠한 특별한 제한이 없으며, 잉크 층(31,32)이 제거될 수 있는 한 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상으로 사용되는 어떠한 방법일 수가 있다. 본 개시의 어떤 실시들에 있어서, 단계(3) 또는 단계(C)에서, 상기 잉크 층(31,32)은 중성의 페인트 제거제(neutral paint remover)에 의해 제거될 수도 있다. 상기 중성의 페인트 제거제에 대한 어떠한 특별한 제한이 없으며, 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상적으로 사용되는 중성의 페인트 제거제일 수가 있으며, 예를 들면, 중성 페인트 제거제는 일반적인 솔벤트계 페인트 제거제(solvent-based paint remover), 클로르화 하이드로카본계(chlorinated hydrocarbon-type) 페인트 제거제 및 수용성 페인트 제거제로 이루어진 그룹 중 선택된 적어도 하나일 수가 있다.

본 개시의 실시예들에 있어서, 안테나 그루브를 갖는 전자 제품 금속 쉘을 제조하는 방법은, 잉크 층(31,32)을 제거한 후 비전도성 재료를 채우기 전에, 세척 및 건조하는 것을 추가로 포함할 수 있음은 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이해되어야 할 것이다. 상기 건조 방법에 대해서는 어떠한 특별한 제한이 없으며, 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상으로 사용되는 어떠한 건조 방법일 수가 있다. 예를 들면, 건조는, 약 80~120℃의 온도, 그리고 약 5~10분의 시간을 포함하는 조건하에서 수행된다.

또 다르게는, 상기 비-전도성 재료를 채우는 방법에 어떠한 제한이 없으며, 비-전도성 재료에 대해서도 어떠한 특별한 제한도 없다. 본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 비-전도성 재료는 UV 접착제, 열경화 접착제 및 상온 경화 접착제(room temperature curing adhesive)로 이루어진 그룹 중 선택된 적어도 하나를 포함한다.

본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 금속 층(1)은 알루미늄 합금층을 포함한다.

본 개시의 어떤 실시예들에 있어서, 전자 제품 금속 쉘은 휴대폰 금속 쉘 또는 테블릿 컴퓨터 금속 쉘을 포함한다.

본 개시의 제3의 측면에 따르면, 상술한 방법으로 얻어진 전자 제품 금속 쉘이 제공된다. 상기 전자 제품 금속 쉘은 상술한 전자 제품 금속 쉘과 같은 특성과 이익을 가지며, 여기에서 상세한 설명은 생략한다.

실시예

이하 기술되는 실시예들은 본 개시에 대해 추가하여 설명을 주는 것으로서, 이는 본 개시를 제한하는 것으로 해석되어서는 아니 될 것이다.

이하 실시예들에서, 두께 0.5mm를 갖는 시리즈 5의 알루미늄 재료는 FUJIAN NANPING ALUMIUM CO.,LTD로부터 구매되었다.

니켈-프리 밀봉제, 니켈을 불순물로 갖는 밀봉제 및 중금속-프리 밀봉제가 SHENZHEN ODM TECHNOLOGY CO.,LTD로부터 구매되었다.

클로르화 하이드로카본 페인트 제거제가 DONGGUAN SIHUI SURFACE PROCESSING TECHNOLOGY CO.,LTD로부터 구매되었다.

UV 접착제는 일본 ASEC 회사로부터 구매되었으며, 그 UV 접착제는 AS-210604C이다.

라듐 카빙 머신은 SHENZHEN GDLASER TECHNOLOGY CO.,LTD로부터 구매되었으며, 그 라듐 카빙 머신은 FM20D이다.

(실시예 1)

본 실시예는 본 개시의 휴대폰의 안테나 그루브를 갖는 알루미늄 합금 쉘과 그 제조방법을 설명함에 사용된다.

(1) 알카리 에칭 처리: 0.5mm의 두께를 갖는 시리즈 5의 알루미늄 합금층(1)이 5cm×3.5cm의 크기를 갖는 알루미늄 합금 플레이트를 형성하기 위해 절단되었다. 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 40g/L의 농도를 갖는 수산화나트륨 용액에서 60℃에서 1.5분 동안 알카리 에칭되고, 알루미늄 합금 플레이트는 탈 이온수로 2회 세척되었다.

(2) 디스멋팅 처리: 단계(1)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트를 25℃에서 2분 동안 디스멋팅 용액(디스멋팅 용액 1 리터에 대하여, 65wt%의 농도를 갖는 농축된 질산의 부피가 300mL이다)으로 디스멋팅 처리하였으며, 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 2회 세척되었다.

(3) 산화 처리: 단계(2)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트는 경질의 산화처리를 수행하기 위하여 산화 탱크 내에 적치되었다. 경질의 산화 처리는 10℃의 온도, 양의 구형파 펄스, 50%의 듀티 비, 800Hz의 주파수, 및 5A/dm²의 전류 밀도로, 40분 동안 수행되었으며(산화제 용액 1리터에 대하여, 98wt%의 황산 함량이 200g이고, 옥살산의 함량이 15g이며, 그리고 잔여는 물이다), 그리고 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 탈 이온수로 2회 세척되었다.

(4)밀봉 처리: 단계(3)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트가 25℃에서 2.5분 동안 니켈-프리 밀봉제로 밀봉되고, 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 탈 이온수로 2회 세척되며, 그리고 알루미늄 합금 플레이트는 25℃에서 오일-프리 압축 가스를 통하여 블로우 드라잉 처리함으로 35㎛m의 두께를 갖는 경질의 양극 산화 층(2)을 얻었다.

(5) 잉크 스프레이 처리: 50㎛의 두께를 갖는 잉크 층(2)를 형성하기 위하여 단계(4)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트의 표면상에 UV 잉크를 스프레이 하였으며, 이어, 알루미늄 합금 플레이트가 115℃에서 25분 동안 베이킹되고 1.5분 동안 자외선 아래에 노출되었다.

(6) 잉크 층, 경질 양극 산화 층 그리고 알루미늄 합금 플레이트의 배면의 알루미늄 층의 전체 두께에 대하여 25% 두께를 갖는 알루미늄 합금층의 일부를 제거하기 위하여, 0.07mm 폭을 갖는 안테나 그루브 슬릿(4)이 라듐 카빙 머신을 통하여 단계(5)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트의 배면에서 라듐 카빙되었다.

(7) 안테나 그루브 슬릿에 대응하는 알루미늄 합금층의 일부를 제거하기 위하여, 알루미늄 합금 플레이트가 에칭 용액(1L의 에칭 용액에 대하여, 페릭 트리클로라이드 헥사하이드레이트의 함량이 900g이고, 37wt% 염산의 함량이 150mL, 그리고 잔여 물이다)에서 25℃에서 35분 동안 에칭되었다. 관찰해 보면, 알루미늄 합금 플레이트의 전면에 코팅된 경질 양극 산화층의 내부 면이 전부 노출된다. 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 2회 탈 이온수로 세척되고, 노출된 블랙 불순물층을 벗겨 없애고, 이어 알루미늄 합금 플레이트는 다시 탈 이온수로 2회 세척되었다. 그리고 상부 구멍이 안테나 그루브의 하부 구멍보다 큰 크기를 갖는 사다리꼴 단면 구조를 가지는 안테나 그루브(5)가 얻어지며, 상기 상부 구멍은 4.5mm의 폭을 가지며 하부 구멍은 1.25mm의 폭을 가진다.

(8) 잉크 층은 클로르화 하이드로카본 솔벤트 페인트 제거제를 통하여 제거되고, 이어 알루미늄 합금 플레이트는 탈 이온수로 2회 세척되고 100℃에서 7분 동안 베이킹되었다(baked).

(9) UV 접착제가 안테나 그루브 내에 채워진다.

본 실시예에서, 라듐 카빙한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도가 도 1에 나타나 있고, 에칭 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도가 도 2에 나타나 있고, 잉크 층을 제거한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도가 도 3에 나타나 있으며, 경질 양극 산화처리 후(왼쪽)와 잉크 스프레이 처리 후(오른쪽)의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진이 도 4에 나타나 있으며, 라듐 카빙한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진이 도 5에 나타나 있으며, 그리고 비-전도성 재료를 채운 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진이 도 6에 나타나 있다.

본 실시예에 따른 알루미늄 합금 쉘 상에 형성된 안테나 그루브는 육안으로 그 외관을 볼 수 없으며, 알루미늄 합금 쉘의 외관 표면의 표면층은 파괴되지 않으며, 그 알루미늄 합금 쉘의 외관 표면은 매끄럽고 깔끔한데, 이는 휴대폰 바디의 외관 청결도 및 연속성을 유지시켜주며 전체 휴대폰 바디의 금속 질감을 파괴하지 않는다.

(실시예 2)

본 실시예는 본 개시의 휴대폰의 안테나 그루브를 갖는 알루미늄 합금 쉘과 그 제조방법을 설명함에 사용된다.

(1) 알카리 에칭 처리: 0.5mm의 두께를 갖는 시리즈 5의 알루미늄 합금층(1)이 5cm×3.5cm의 크기를 갖는 알루미늄 합금 플레이트를 형성하기 위해 절단되었다. 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 30g/L의 농도를 갖는 수산화칼륨 용액에서 50℃에서 25분 동안 알카리 에칭되고, 알루미늄 합금 플레이트는 탈 이온수로 2회 세척되었다.

(2) 디스멋팅 처리: 단계(1)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트를 20℃에서 2분 동안 디스멋팅 용액(디스멋팅 용액 1리터에 대하여, 65wt%의 농도를 갖는 농축된 질산의 부피가 400mL이다)으로 디스멋팅 처리하였으며, 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 2회 세척되었다.

(3) 산화 처리: 단계(2)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트는 경질의 산화처리를 수행하기 위하여 산화 탱크 내에 적치되었다. 경질의 산화 처리는 5℃의 온도, 양의 구형파 펄스, 50%의 듀티 비, 500Hz의 주파수, 및 2A/dm²의 전류 밀도로, 50분 동안 수행되었으며(산화제 용액 1 리터에 대하여, 98wt%의 황산 함량이 220g이고, 옥살산의 함량이 20g이며, 그리고 잔여는 물이다), 그리고 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 탈 이온수로 2회 세척되었다.

(4) 밀봉 처리: 단계(3)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트가 20℃에서 3분 동안 니켈-프리 밀봉제로 밀봉되고, 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 탈 이온수로 2회 세척되며, 그리고 알루미늄 합금 플레이트는 25℃에서 오일-프리 압축 가스를 통하여 블로우 드라잉 처리함으로 40㎛m의 두께를 갖는 경질의 양극 산화 층(2)을 얻었다.

(5) 잉크 스프레이 처리: 40㎛의 두께를 갖는 잉크 층(2)를 형성하기 위하여 단계(4)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트의 표면상에 UV 잉크를 스프레이 하였으며, 이어, 알루미늄 합금 플레이트가 110℃에서 30분 동안 베이킹되고 1분 동안 자외선 아래에 노출되었다.

(6) 잉크 층, 경질 양극 산화 층 그리고 알루미늄 합금 플레이트의 배면의 알루미늄 층의 전체 두께에 대하여 20% 두께를 갖는 알루미늄 합금층의 일부를 제거하기 위하여, 0.05mm 폭을 갖는 안테나 그루브 슬릿(4)이 라듐 카빙 머신을 통하여 단계(5)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트의 배면에서 라듐 카빙되었다.

(7) 안테나 그루브 슬릿에 대응하는 알루미늄 합금층의 일부를 제거하기 위하여, 알루미늄 합금 플레이트가 에칭 용액(1L의 에칭 용액에 대하여, 페릭 트리클로라이드 헥사하이드레이트의 함량이 1000g이고, 37wt% 염산의 함량이 200mL, 그리고 잔여 물이다)에서 20℃에서 30분 동안 에칭되었다. 관찰해 보면, 알루미늄 합금 플레이트의 전면에 코팅된 경질 양극 산화층의 내부 면이 전부 노출된다. 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 2회 탈 이온수로 세척되고, 노출된 블랙 불순물층을 벗겨 없애고, 이어 알루미늄 합금 플레이트는 다시 탈 이온수로 2회 세척되었다. 그리고 상부 구멍이 안테나 그루브의 하부 구멍보다 큰 크기를 갖는 사다리꼴 단면 구조를 가지는 안테나 그루브(5)가 얻어지며, 상기 상부 구멍은 5mm의 폭을 가지며 하부 구멍은 1.3mm의 폭을 가진다.

(8) 잉크 층은 클로르화 하이드로카본 솔벤트 페인트 제거제를 통하여 제거되고, 이어 알루미늄 합금 플레이트는 탈 이온수로 2회 세척되고 80℃에서 10분 동안 베이킹되었다(baked).

(9) UV 접착제가 안테나 그루브 내에 채워진다.

본 실시예에서, 라듐 카빙한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도, 에칭 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도, 잉크 층을 제거한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도, 경질 양극 산화처리 후(왼쪽)와 잉크 스프레이 처리 후(오른쪽)의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진, 라듐 카빙한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진, 그리고 비-전도성 재료를 채운 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진은 실시예 1에 나타난 바와 같다.

본 실시예에 따른 알루미늄 합금 쉘 상에 형성된 안테나 그루브는 육안으로 그 외관을 볼 수 없으며, 알루미늄 합금 쉘의 외관 표면의 표면층은 파괴되지 않으며, 그 알루미늄 합금 쉘의 외관 표면은 매끄럽고 깔끔한데, 이는 휴대폰 바디의 외관 청결도 및 연속성을 유지시켜주며 전체 휴대폰 바디의 금속 질감을 파괴하지 않는다.

(실시예 3)

본 실시예는 본 개시의 테블릿 컴퓨터의 안테나 그루브를 갖는 알루미늄 합금 쉘과 그 제조방법을 설명함에 사용된다.

(1) 알카리 에칭 처리: 0.5mm의 두께를 갖는 시리즈 5의 알루미늄 합금층(1)이 5cm×3.5cm의 크기를 갖는 알루미늄 합금 플레이트를 형성하기 위해 절단되었다. 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 60g/L의 농도를 갖는 수산화칼륨 용액에서 70℃에서 1분 동안 알카리 에칭되고, 알루미늄 합금 플레이트는 탈 이온수로 2회 세척되었다.

(2) 디스멋팅 처리: 단계(1)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트를 30℃에서 3분 동안 디스멋팅 용액(디스멋팅 용액 1리터에 대하여, 65wt%의 농도를 갖는 농축된 질산의 부피가 200mL이다)으로 디스멋팅 처리하였으며, 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 2회 세척되었다.

(3) 산화 처리: 단계(2)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트는 경질의 산화처리를 수행하기 위하여 산화 탱크 내에 적치되었다. 경질의 산화 처리는 12℃의 온도, 양의 구형파 펄스, 90%의 듀티 비, 1000Hz의 주파수, 및 7A/dm²의 전류 밀도로, 30분 동안 수행되었으며(산화제 용액 1리터에 대하여, 98wt%의 황산 함량이 120g이고, 옥살산의 함량이 8g이며, 그리고 잔여는 물이다), 그리고 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 탈 이온수로 2회 세척되었다.

(4) 밀봉 처리: 단계(3)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트가 30℃에서 2분 동안 니켈-프리 밀봉제로 밀봉되고, 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 탈 이온수로 2회 세척되며, 그리고 알루미늄 합금 플레이트는 25℃에서 오일-프리 압축 가스를 통하여 블로우 드라잉 처리함으로 50㎛m의 두께를 갖는 경질의 양극 산화 층(2)을 얻었다.

(5) 잉크 스프레이 처리: 60㎛의 두께를 갖는 잉크 층(2)를 형성하기 위하여 단계(4)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트의 표면상에 UV 잉크를 스프레이 하였으며, 이어, 알루미늄 합금 플레이트가 120℃에서 20분 동안 베이킹되고 2분 동안 자외선 아래에 노출되었다.

(6) 잉크 층, 경질 양극 산화 층 그리고 알루미늄 합금 플레이트의 배면의 알루미늄 층의 전체 두께에 대하여 30% 두께를 갖는 알루미늄 합금층의 일부를 제거하기 위하여, 0.1mm 폭을 갖는 안테나 그루브 슬릿(4)이 라듐 카빙 머신을 통하여 단계(5)로부터 얻어진 알루미늄 합금 플레이트의 배면에서 라듐 카빙되었다.

(7) 안테나 그루브 슬릿에 대응하는 알루미늄 합금층의 일부를 제거하기 위하여, 알루미늄 합금 플레이트가 에칭 용액(1L의 에칭 용액에 대하여, 페릭 트리클로라이드 헥사하이드레이트의 함량이 800g이고, 37wt% 염산의 함량이 100mL, 그리고 잔여 물이다)에서 30℃에서 40분 동안 에칭되었다. 관찰해 보면, 알루미늄 합금 플레이트의 전면에 코팅된 경질 양극 산화층의 내부 면이 전부 노출된다. 이어, 알루미늄 합금 플레이트는 2회 탈 이온수로 세척되고, 노출된 블랙 불순물층을 벗겨 없애고, 이어 알루미늄 합금 플레이트는 다시 탈 이온수로 2회 세척되었다. 그리고 상부 구멍이 안테나 그루브의 하부 구멍보다 큰 크기를 갖는 사다리꼴 단면 구조를 가지는 안테나 그루브(5)가 얻어지며, 상기 상부 구멍은 4mm의 폭을 가지며 하부 구멍은 1.2mm의 폭을 가진다.

(8) 잉크 층은 클로르화 하이드로카본 솔벤트 페인트 제거제를 통하여 제거되고, 이어 알루미늄 합금 플레이트는 탈 이온수로 2회 세척되고 120℃에서 5분 동안 베이킹되었다(baked).

(9) UV 접착제가 안테나 그루브 내에 채워진다.

본 실시예에서, 라듐 카빙한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도, 에칭 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도, 잉크 층을 제거한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도, 경질 양극 산화처리 후(왼쪽)와 잉크 스프레이 처리 후(오른쪽)의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진, 라듐 카빙한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진, 그리고 비-전도성 재료를 채운 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진은 실시예 1에 나타난 바와 같다.

본 실시예에 따른 알루미늄 합금 쉘 상에 형성된 안테나 그루브는 육안으로 그 외관을 볼 수 없으며, 알루미늄 합금 쉘의 외관 표면의 표면층은 파괴되지 않으며, 그 알루미늄 합금 쉘의 외관 표면은 매끄럽고 깔끔한데, 이는 테블릿 컴퓨터 바디의 외관 청결도 및 연속성을 유지시켜주며 전체 테블릿 컴퓨터 바디의 금속 질감을 파괴하지 않는다.

(실시예 4)

본 실시예에서의 방법은 아래의 점을 제외하고는 실시예 1의 방법과 유사하다. 단계(6)에서, 잉크 층, 경질의 산화 층 그리고 알루미늄 합금 플레이트의 배면의 알루미늄 층의 전체 두께에 대하여 15% 두께를 갖는 알루미늄 합금층의 일부가 제거되었다.

본 실시예에서, 라듐 카빙한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도, 에칭 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도, 잉크 층을 제거한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도, 경질 양극 산화처리 후(왼쪽)와 잉크 스프레이 처리 후(오른쪽)의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진, 라듐 카빙한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진, 그리고 비-전도성 재료를 채운 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진은 실시예 1에 나타난 바와 같다. 안테나 그루브의 상부 구멍은 6mm의 폭을 가지며, 안테나 그루브의 하부 구멍은 1.5mm의 폭을 가진다.

본 실시예에 따른 알루미늄 합금 쉘 상에 형성된 안테나 그루브는 육안으로 그 외관을 볼 수 없으며, 알루미늄 합금 쉘의 외관 표면의 표면층은 파괴되지 않으며, 그 알루미늄 합금 쉘의 외관 표면은 매끄럽고 깔끔한데, 이는 휴대폰 바디의 외관 청결도 및 연속성을 유지시켜주며 전체 휴대폰 바디의 금속 질감을 파괴하지 않는다.

(실시예 5)

본 실시예에서의 방법은 아래의 점을 제외하고는 실시예 1의 방법과 유사하다. 단계(6)에서, 잉크 층, 경질의 산화 층 그리고 알루미늄 합금 플레이트의 배면의 알루미늄 층의 전체 두께에 대하여 5% 두께를 갖는 알루미늄 합금층의 일부가 제거되었다.

본 실시예에서, 라듐 카빙한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도, 에칭 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도, 잉크 층을 제거한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 단면 구조를 나타내는 개략도, 경질 양극 산화처리 후(왼쪽)와 잉크 스프레이 처리 후(오른쪽)의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진, 라듐 카빙한 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진, 그리고 비-전도성 재료를 채운 후의 알루미늄 합금 쉘에 대한 사진은 실시예 1에 나타난 바와 같다. 정상 라듐 카빙된 안테나 그루브 슬릿(4)을 형성하기 위해, 잉크 층, 경질의 산화 층 그리고 알루미늄 합금 플레이트의 배면의 알루미늄 층의 전체 두께에 대하여 5% 두께를 갖는 알루미늄 합금층의 일부를 제거하기 위해 라듐 카빙이 단계(5)로부터 얻어진 알루미늄 합금 프레이트의 배면에서 수행되었다. 상기 안테나 그루브의 상부 구멍은 12mm의 폭을 가지며, 안테나 그루브의 하부 구멍은 2.5mm의 폭을 가진다.

본 실시예에 따른 알루미늄 합금 쉘 상에 형성된 안테나 그루브는 육안으로 그 외관을 볼 수 없으며, 알루미늄 합금 쉘의 외관 표면의 표면층은 파괴되지 않으며, 그 알루미늄 합금 쉘의 외관 표면은 매끄럽고 깔끔한데, 이는 휴대폰 바디의 외관 청결도 및 연속성을 유지시켜주며 전체 휴대폰 바디의 금속 질감을 파괴하지 않는다.

안테나 그루브의 상부 구멍과 하부 구멍의 폭이 작으면 작을수록 알루미늄 합금 쉘은 보다 우수한 강도(firmness)와 경도를 가짐은 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 잘 알려져 있다. 실시예 1을 실시예 4-5와 비교해 보면, 알루미늄 합금층의 일부를 제거한 후, 잔여 알루미늄 합금층의 두께가 전체 알루미늄 합금층 두께의 약 20~30%일 때, 에칭 후 형성되는 안테나 그루브의 상부 구멍과 하부 구멍의 폭은 분명히 감소될 수 있으므로, 효과적으로 알루미늄 합금 쉘의 강도와 경도를 개선시킨다.

(시험예)

실시예 1-5로부터 얻어진 알루미늄 합금 쉘들에 신호 차폐 시험을 행하였으며 그 시험방법은 다음과 같다. 2개의 전도성 있는 위치들이 각각 눈에 보이지 않는 안테나 그루브에 의해 분리된 2개 부분의 알루미늄 합금 쉘 상에서 라듐 카빙되고, 이어 상기 2개의 전도성 위치들 간에 전기 전도도를 측정하였다. 실시예 1-5에 대한 모든 시험결과, 2개의 전도성 있는 위치들 사이에는 비-전도성임을 나타내었다. 따라서 전자 제품 금속 쉘의 외관의 청결도 및 연속성을 유지시켜주며 전체 전자 제품 금속 쉘 바디의 금속 질감을 파괴하지 않을 뿐만 아니라, 전자 제품 금속 쉘 바디의 신호차폐 문제를 잘 해결될 수 있다.

비록 상술한 바와 같이 설명하기 위한 실시예들이 나타내어 지고 상세히 기술되었지만, 상기 실시예들은 본 개시를 제한하는 것으로 해석되어서는 아니 되며, 본원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 개시의 기술 사상 및 원리의 범위 내에서의 다양한 간단한 개조가 이루질 수 있으며, 이러한 간단한 개조들은 모두 본 개시의 보호 범위에 속함은 인정되어야 할 것이다.

또한 상술한 실시예에서 기술된 각각의 특정한 기술 구성은 반박이 없다면 어떤 적절한 방법을 통하여 결합할 수 있으며, 불필요한 반복을 피하기 위해 다양한 가능한 결합 방법들이 본 개시에 있어서 기술되지 않았음을 알아야 할 것이다.

또한 본 개시의 각각의 다른 실시예는 또한 본 개시의 사상 및 원리에 벗어남이 없이 서로 결합될 수 있으며, 이는 또한 본 개시의 내용으로 여겨져야 할 것이다.

1...........금속 층 2............경질 양극 산화 층
21..........제1 경질 양극 산화 층 22...........제2 경질 양극 산화 층
3...........잉크 층 31...........제1 잉크 층
32..........제2 잉크 층
4...........깊은 라듐 카빙에 의해 형성된 안테나 그루브 슬릿
5...........안테나 그루브
6...........정상 라듐 카빙에 의해 형성된 안테나 그루브

Claims (31)

1. 금속 층;
   상기 금속 층의 상부 표면상에 형성된 제1 경질 양극 산화 층;
   상기 금속 층의 하부 표면상에 형성된 제2 경질 양극 산화 층;
   상기 금속 층과 상기 제1 경질 양극 산화 층을 관통하는 안테나 그루브; 및
   상기 안테나 그루브에 채워진 비-전도성 재료;를 포함하고,
   상기 안테나 그루브는 두께 방향으로 상기 제1 경질 양극 산화 층 및 상기 금속 층을 관통하되, 상기 제2 경질 양극 산화 층을 관통하지 않는 전자 제품 금속 쉘.
   
2. 제1항에 있어서, 상기 안테나 그루브의 상부 구멍 폭이 상기 안테나 그루브의 하부 구멍 폭 보다 큰 전자 제품 금속 쉘.
   
3. 제2항에 있어서, 상기 상부 구멍은 3~15mm의 폭을 가지며, 상기 하부 구멍은 1~3mm의 폭을 가지는 전자 제품 금속 쉘.
   
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 층은 0.5~1.5mm의 두께를 가지며, 상기 제1 경질 양극 산화 층과 상기 제2 경질 양극 산화 층 양자는 0.02~0.06mm의 두께를 가지는 전자 제품 금속 쉘.
   
5. (1) 금속 층에 경질 양극 산화처리와 잉크 스프레이처리를 순차적으로 실시함으로써 제1 경질 양극 산화 층, 제2 경질 양극 산화 층, 제1 잉크 층 및 제 2 잉크층을 형성하는 단계;
   (2) 단계(1) 이후, 얻어진 제품의 상부 표면상에 안테나 그루브를 형성하는 단계; 및
   (3) 상기 제1 잉크 층과 제2 잉크 층을 제거하고, 상기 안테나 그루브 내에 비-전도성 재료를 채우는 단계;를 포함하며,
   상기 제1 경질 양극 산화 층은 상기 금속 층의 상부 표면상에 형성되고, 상기 제2 경질 양극 산화 층은 상기 금속 층의 하부 표면상에 형성되며, 상기 제1 잉크 층은 상기 제1 경질 양극 산화 층의 상부 표면상에 형성되고, 상기 제2 잉크 층은 상기 제2 경질 양극 산화 층의 하부 표면상에 형성되며;
   상기 안테나 그루브는 상기 제품의 두께 방향으로 상기 제1 잉크 층, 상기 제1 경질 양극 산화 층 및 금속 층을 관통하고, 상기 제2 경질 양극 산화 층을 관통하지 않도록 형성되는 전자 제품 금속 쉘의 제조방법.
   
6. 제5항에 있어서, 단계(2)에서, 상기 안테나 그루브를 형성하는 것은,
   (2-1) 상기 제1 잉크 층에서부터 상기 금속 층까지 연장하고 상기 제1 잉크 층과 상기 제1 경질 양극 산화 층을 적어도 관통하는 안테나 그루브 슬릿을 형성하고;
   (2-2) 상기 금속 층을 관통하는 안테나 그루브를 형성하기 위해 상기 안테나 그루브 슬릿의 연장하는 방향을 따라 상기 금속 층의 일부를 제거하는 것을 추가로 포함하는 전자 제품 금속 쉘의 제조방법.
   
7. 제6항에 있어서, 상기 안테나 그루브 슬릿은 상기 제1 잉크 층과 상기 제1 경질 양극 산화 층을 관통하고 상기 금속 층 내로 들어가는 전자 제품 금속 쉘의 제조방법.
   
8. 제7항에 있어서, 상기 금속 층 내로 들어가는 상기 안테나 그루브 슬릿의 두께는 상기 금속 층 전체 두께의 40%를 넘지않는 전자 제품 금속 쉘의 제조방법.
   
9. 제8항에 있어서, 상기 금속 층 내로 들어가는 상기 안테나 그루브 슬릿의 두께는 상기 금속 층 전체 두께의 20~30%인 전자 제품 금속 쉘의 제조방법.
   
10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 단계(2-1)에서, 상기 안테나 그루브 슬릿은 0.05~0.1mm의 폭을 가지는 전자 제품 금속 쉘의 제조방법.
    
11. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 단계(2-2)에서, 상기 금속 층의 일부가 에칭을 통하여 제거되는 전자 제품 금속 쉘의 제조방법.
    
12. 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 단계(1)에서, 상기 경질의 양극 산화처리는, 상기 금속 층에 알카리 에칭처리, 디스멋팅처리(desmutting treatment), 산화처리 및 밀봉처리를 순차적으로 실시하고, 상기 각각의 알카리 에칭처리, 디스멋팅처리, 산화처리 및 밀봉처리 이후 세척하는 것을 포함하는 전자 제품 금속 쉘의 제조방법.
    
13. 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    단계(1)에서, 상기 잉크 스프레이처리는,
    UV 잉크를 각각 상기 제1 경질 양극 산화 층과 상기 제2 경질 양극 산화층의 표면상에 스프레이 한 후, 110~120℃의 온도에서 20~30분 동안 베이킹(baking)하고, 자외선하에서 1~2분 동안 노출하는 것을 추가로 포함하는 전자 제품 금속 쉘의 제조방법.
    
14. 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 잉크 층과 상기 제2 잉크 층은 40~60㎛의 두께를 가지는 전자 제품 금속 쉘의 제조방법.
    
15. 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법을 통하여 얻어진 전자 제품 금속 쉘.
    
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