CN112462561B - 电致变色模组及其制备方法、电子设备 - Google Patents
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Abstract
本公开是关于一种电致变色模组及其制备方法、电子设备。电致变色模组，用于电子设备的壳体，其特征在于，包括：电致变色模组本体，所述电致变色模组本体包括导电膜层和信号穿透膜层，所述信号穿透膜层用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透，以使所述导电膜层避让所述电子设备的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响。此外，通过上述设置，免去对电致变色模组本体进行切除作业，便于后续其他膜层的贴合工艺操作。
Description
技术领域
本公开涉及终端技术领域，尤其涉及一种电致变色模组及其制备方法、电子设备。
背景技术
随着科技的发展以及人们对手机等电子产品外观的追求，产品外壳能够变换颜色成为一个新的需求。但是，目前的产品外壳变色技术的引线方式占用的空间较大，不利于产品的小型化设计。
发明内容
本公开提供一种电致变色模组及其制备方法、电子设备，以解决相关技术中的不足。
根据本公开实施例的第一方面，提供一种电致变色模组，包括：电致变色模组本体，所述电致变色模组本体包括导电膜层和信号穿透膜层，所述信号穿透膜层用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透。
可选的，所述电致变色模组本体包括沿所述电致变色模组的剖面方向依次设置的第一透明膜层、电致变色层以及第二透明膜层。
可选的，所述第一透明膜层包括第一透明导电区域和第一透明信号穿透区域；所述第一透明信号穿透区域用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透；和/或
所述第二透明膜层包括第二透明导电区域和第二透明信号穿透区域；所述第二透明信号穿透区域用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透。
可选的，对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第一透明非导电区域，作为所述第一透明信号穿透区域；或
对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，采用具备信号穿透性能的透明材质制备得到所述第一透明信号穿透区域；或
对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行挖孔处理，得到所述第一透明信号穿透区域。
可选的，所述对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，包括：对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理；
所述图形化工艺包括以下至少一种：激光镭雕工艺、蚀刻工艺和曝光显影工艺。
可选的，对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第二透明非导电区域，作为所述第二透明信号穿透区域；或
对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，采用具备信号穿透性能的透明材质制备得到所述第二透明信号穿透区域；或
对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行挖孔处理，得到所述第二透明信号穿透区域。
可选的，所述对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，包括：对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理；
所述图形化工艺包括以下至少一种：激光镭雕工艺、蚀刻工艺和曝光显影工艺。
可选的，所述第一透明膜层包括第一导电膜层和第一信号穿透膜层，所述第二透明膜层包括第二导电膜层和第二信号穿透膜层，所述第一信号穿透膜层及所述第二信号穿透膜层均与所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域的位置及形状相适配。
可选的，还包括至少一个第一电极，所述第一电极的一端设于所述第一透明膜层，另一端被引出至所述第二透明膜层外部；和/或
还包括至少一个第二电极，所述第二电极的一端设于所述第二透明膜层，另一端被引出至所述第一透明膜层外部。
可选的，所述第二透明膜层和至少部分所述电致变色层相对所述第一电极的位置处形成有第一剥离结构，所述第一电极自所述第一剥离结构露出于所述第二透明膜层；和/或
所述第一透明膜层和至少部分所述电致变色层相对所述第二电极的位置处形成有第二剥离结构，所述第二电极自所述第二剥离结构露出于所述第一透明膜层。
可选的，还包括第一衬底层，设于所述第二透明膜层远离所述电致变色层的一侧；所述第一衬底层、所述第二透明膜层以及至少部分所述电致变色层相对所述第一电极的位置处形成有所述第一剥离结构，所述第一电极自所述第一剥离结构露出于所述第一衬底层；和/或
还包括第二衬底层，设于所述第一透明膜层远离所述电致变色层的一侧；所述第二衬底层、所述第一透明膜层以及至少部分所述电致变色层相对所述第二电极的位置处形成有所述第二剥离结构，所述第二电极自所述第二剥离结构露出于所述第二衬底层。
可选的，还包括：
保护层，设置于所述第一衬底层远离所述电致变色层的一侧；和/或
盖板，设置于所述第二衬底层远离所述电致变色层的一侧。
可选的，还包括光学胶层，设于所述盖板和所述第二衬底层之间。
根据本公开实施例的第二方面，提供一种电子设备，所述电子设备包括壳体，所述壳体包括如第一方面实施例所述电致变色模组；所述电子设备内部设有信号收发器件，所述信号穿透膜层与所述信号收发器件的位置相对应，以使所述信号收发器件的信号经所述信号穿透膜层处穿透。
可选的，所述信号收发器件包括以下至少一个：天线净空组件、NFC组件和红外组件。
可选的，还包括控制电路，与所述电致变色模组电连接，所述控制电路用于对所述电致变色模组施加不同的电压，以使所述电致变色模组显示不同的颜色。
根据本公开实施例的第三方面，提供一种电致变色模组的制备方法，包括：
提供电致变色模组本体，所述电致变色模组本体包括导电膜层；
对应于电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，将部分所述导电膜层处理得到信号穿透膜层，所述信号穿透膜层用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透。
可选的，所述提供电致变色模组本体，包括：
提供第一透明膜层、电致变色层以及第二透明膜层；
将所述电致变色层贴设于所述第一透明膜层和所述第二透明膜层之间，复合形成所述电致变色模组本体。
可选的，所述第一透明膜层包括第一透明导电区域和第一透明信号穿透区域；所述第一透明信号穿透区域用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透；和/或
所述第二透明膜层包括第二透明导电区域和第二透明信号穿透区域；所述第二透明信号穿透区域用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透。
可选的，对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第一透明非导电区域，作为所述第一透明信号穿透区域；或
对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，采用具备信号穿透性能的透明材质制备得到所述第一透明信号穿透区域；或
对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行挖孔处理，得到所述第一透明信号穿透区域。
可选的，所述对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，包括：对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理；
所述图形化工艺包括以下至少一种：激光镭雕工艺、蚀刻工艺和曝光显影工艺。
可选的，对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第二透明非导电区域，作为所述第二透明信号穿透区域；或
对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，采用具备信号穿透性能的透明材质制备得到所述第二透明信号穿透区域；或
对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行挖孔处理，得到所述第二透明信号穿透区域。
可选的，所述对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，包括：对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理；
所述图形化工艺包括以下至少一种：激光镭雕工艺、蚀刻工艺和曝光显影工艺。
可选的，所述第一透明信号穿透区域通过对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第一透明非导电区域，作为所述第一透明信号穿透区域；或所述第一透明信号穿透区域通过对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，采用具备信号穿透性能的透明材质制备得到所述第一透明信号穿透区域；或所述第一透明信号穿透区域通过对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行挖孔处理，得到所述第一透明信号穿透区域；
所述第二透明信号穿透区域通过对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第二透明非导电区域，作为所述第二透明信号穿透区域；或所述第二透明信号穿透区域通过对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，采用具备信号穿透性能的透明材质制备得到所述第二透明信号穿透区域；或所述第二透明信号穿透区域通过对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行挖孔处理，得到所述第二透明信号穿透区域。
可选的，所述第一透明膜层包括第一导电膜层和第一信号穿透膜层，所述第二透明膜层包括第二导电膜层和第二信号穿透膜层，所述第一信号穿透膜层及所述第二信号穿透膜层均与所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域的位置及形状相适配。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
由上述实施例可知，本公开通过在电致变色模组本体设置与电子设备的天线净空区域位置对应的信号穿透膜层，以使导电膜层避让电子设备的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响。此外，通过上述设置，免去对电致变色模组本体进行切除作业，便于后续其他膜层的贴合工艺操作。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
图1是根据一示例性实施例示出的一种电致变色模组的结构示意图。
图2是根据另一示例性实施例示出的一种电致变色模组的结构示意图。
图3是根据又一示例性实施例示出的另一种电致变色模组的局部结构示意图。
图4是根据又一示例性实施例示出的另一种电致变色模组的局部结构示意图。
图5是根据一示例性实施例示出的一种电致变色模组的制备方法的流程图。
图6是根据一示例性实施例示出的一种电致变色模组的制备方法的局部流程图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本公开。在本公开和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
应当理解，尽管在本公开可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本公开范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。
目前一般利用电致变色技术实现手机外壳的变色效果。电致变色是指材料的颜色、透过率、反射率、吸收率等光学属性在外加电场的作用下发生稳定、可逆变化的现象，在外观上表现为颜色和透明度的可逆变化。但是，电致变色模组应用于电子设备时，电致变色膜组大多应用于电池盖上，而电池盖内部通常需要设置天线支架，如将电致变色模组覆盖在天线上方，会对天线信号产生屏蔽干扰，影响天线的正常工作。为了减少对天线性能的影响，需要将电致变色模组上与天线净空区域的位置对应的部分切除，这样会在电致变色模组上形成一个台阶结构，对于后续的其他膜层（例如装饰膜层）的贴合操作造成影响。
本公开提供一种电致变色模组及其制备方法、电子设备。下面结合附图，对本公开的电致变色模组及其制备方法、电子设备进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互组合。
参见图1所示，本公开实施例提供一种电致变色模组，电致变色（Electrochromic，EC）是材料的光学属性（反射率、透过率、吸收率等）在外加电场的作用下发生稳定、可逆的颜色变化的现象，在外观上表现为颜色和透明度的可逆变化。具有电致变色性能的材料称为电致变色材料。包括：电致变色模组本体，所述电致变色模组本体包括导电膜层101和信号穿透膜层102，所述信号穿透膜层102用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透。电子设备内部的信号收发器件可以包括以下至少一个：天线净空组件、NFC组件和红外组件。以信号收发器件包括天线净空组件为例，所述信号穿透膜层102用于对应所述信号收发器件的信号穿透，以使所述导电膜层101避让所述天线净空区域。可以理解的，信号穿透膜层102的位置与形状均与电子设备的天线净空区域相适配，可以进一步减少对天线性能的影响。
由上述实施例可知，本公开通过在电致变色模组本体设置与电子设备的天线净空区域位置对应的信号穿透膜层102，以使导电膜层101避让电子设备的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响，以满足天线性能要求。此外，通过上述设置，免去对电致变色模组本体进行切除作业，能够规避结构贴合断差造成膜层不易复合的影响，便于后续其他膜层（例如保护层）的贴合工艺操作。
参见图2所示，在一些可选的实施例中，所述电致变色模组本体可以包括沿所述电致变色模组的剖面方向依次设置的第一透明膜层10、电致变色层20以及第二透明膜层30。在本实施例中，第一透明膜层10、电致变色层20以及第二透明膜层30自上而下依次设置。电致变色层20可以包括氧化钨、氧化钼、氧化钛、紫罗碱、稀土酞菁、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺及其衍生物等化合物材料。第一透明膜层10和第二透明膜层30可以采用氧化铟锡（ITO）、氧化铟、氧化锡、氧化锌、锡掺杂的氧化铟、氟掺杂的氧化锡等材料。
在一些可选的实施例中，所述第一透明膜层10可以包括第一透明导电区域10a和第一透明信号穿透区域10b。所述第一透明信号穿透区域10b用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透，以使导电膜层101避让电子设备的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响，以满足天线性能要求。
在一些其他实施例中，所述第二透明膜层30包括第二透明导电区域30a和第二透明信号穿透区域30b。所述第二透明信号穿透区域30b用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透，以使导电膜层101避让电子设备的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响，以满足天线性能要求。
在一些其他实施例中，所述第一透明膜层10可以包括第一透明导电区域10a和第一透明信号穿透区域10b。所述第一透明信号穿透区域10b用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透。以及所述第二透明膜层30包括第二透明导电区域30a和第二透明信号穿透区域30b。所述第二透明信号穿透区域30b用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透，以使导电膜层101避让电子设备的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响，以满足天线性能要求。可选地，第一透明信号穿透区域10b和第二透明信号穿透区域30b均与电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域的位置及形状相对应，以使导电膜层101避让电子设备的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响，以满足天线性能要求。
在一些可选的实施例中，可以通过以下其中一种方式制备得到所述第一透明信号穿透区域10b：
（1）对所述第一透明膜层10中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第一透明非导电区域，作为所述第一透明信号穿透区域10b。可选地，可以对所述第一透明膜层10中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理，从而将第一透明膜层10上与信号收发器件的信号穿透区域位置对应的导电膜层破坏，在该区域形成不导电的第一透明信号穿透区域10b，免去对电致变色模组本体进行切除作业，便于后续其他膜层的贴合工艺操作。可选地，所述图形化工艺包括以下至少一种：激光镭雕工艺、蚀刻工艺和曝光显影工艺，均可实现对所述第一透明膜层10中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理。
（2）对所述第一透明膜层10中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，采用具备信号穿透性能的透明材质制备得到所述第一透明信号穿透区域10b。透明材质可以是非导电透明材质，例如塑料，塑胶、树脂等材料。
（3）对所述第一透明膜层10中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行挖孔处理，得到所述第一透明信号穿透区域10b。
在一些可选的实施例中，可以通过以下其中一种方式制备得到所述第二透明信号穿透区域30b：
（1）对所述第二透明膜层30中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第一透明非导电区域，作为所述第二透明信号穿透区域30b。可选地，可以对所述第二透明膜层30中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理，从而将第二透明膜层30上与信号收发器件的信号穿透区域位置对应的导电膜层破坏，在该区域形成不导电的第二透明信号穿透区域30b，免去对电致变色模组本体进行切除作业，便于后续其他膜层的贴合工艺操作。可选地，所述图形化工艺包括以下至少一种：激光镭雕工艺、蚀刻工艺和曝光显影工艺，均可实现对所述第二透明膜层30中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理。
（2）对所述第二透明膜层30中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，采用具备信号穿透性能的透明材质制备得到所述第二透明信号穿透区域30b。透明材质可以是非导电透明材质，例如塑料，塑胶、树脂等材料。
（3）对所述第二透明膜层30中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行挖孔处理，得到所述第二透明信号穿透区域30b。
在一些可选的实施例中，所述第一透明膜层10包括第一导电膜层15和第一信号穿透膜层16，所述第二透明膜层30包括第二导电膜层31和第二信号穿透膜层32，所述第一信号穿透膜层16及所述第二信号穿透膜层32均与所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域的位置及形状相适配以使所述第一导电膜层15及所述第二导电膜层31避让电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响。可以理解的，第一导电膜层15设有第一透明导电区域10a，第一信号穿透膜层16设有第一透明信号穿透区域10b。可以理解的，第二导电膜层31设有第二透明导电区域30a，第二信号穿透膜层32设有第二透明信号穿透区域30b。
参见图3所示，在一些可选的实施例中，本实施例的电致变色模组还可以包括至少一个第一电极11，所述第一电极11的一端设于所述第一透明膜层10，另一端被引出至所述第二透明膜层30外部。可以理解的，本公开的电致变色模组应用于电子设备的壳体时，第一电极11可以自壳体引出后与电子设备的控制电路连接，从而使整个电致变色模组能够接通电源工作，所述控制电路对所述第一电极11施加不同的电压，以使所述电致变色层显示不同的颜色，实现壳体的变色效果。可选地，所述第一电极11位于所述第一透明膜层10的边缘位置。将第一电极11设于第一透明膜层10的边缘位置，可以减少第一电极11对电致变色模组的颜色显示效果的影响。
在一些可选的实施例中，所述第一电极11采用印刷工艺制备于所述第一透明膜层10。可选地，印刷工艺可以包括丝印工艺或移印工艺。可根据实际需要选择印刷工艺，本公开对此不作限制。丝印铜鼓网版晒图案印在被承印物上，具有手感良好，且可以大平面印刷等优点。移印是通过硅橡胶铸成的移印头将钢凹版（或感光胶凹版）上的图文转移印刷到承印物上，可用于平面或各种成型物印刷，具有适合大小产品以及各种怪异的异形产品等优点。
在一些可选的实施例中，所述第一电极11的材料包括第一导电金属化合物，将第一电极11的材料采用第一导电金属化合物，相比于铜箔的厚度更小，可以减少电致变色模组占用的空间，有利于产品的小型化设计。可选地，所述第一电极11的材料，也即第一导电金属化合物可以包括导电金浆或是至少两种导电金属材料混合形成的导电金属化合物。导电金浆或是至少两种导电金属材料混合形成的导电金属化合物的厚度范围是5-7μm，相比于铜箔的厚度0.08mm，可以大大减少电致变色模组的厚度，节省了电致变色模组占用的空间，从而更有利于产品的小型化设计。此外，导电金浆或是至少两种导电金属材料混合形成的导电金属化合物相比于铜箔，具有更好的导电性能，可以提高产品的性能。当然，在其他例子中，第一电极11也可以采用其他导电材料，例如导电银浆，本公开对此不作限制。
在一些可选的实施例中，本实施例的电致变色模组还可以包括至少一个第二电极12，所述第二电极12的一端设于所述第二透明膜层30，另一端被引出至所述第一透明膜层10外部。可以理解的，本公开的电致变色模组应用于电子设备的壳体时，第二电极12可以自壳体引出后与电子设备的控制电路连接，从而使整个电致变色模组能够接通电源工作，所述控制电路对所述第二电极12施加不同的电压，以使所述电致变色层显示不同的颜色，实现壳体的变色效果。可选地，在一些可选的实施例中，所述第二电极12位于所述第二透明膜层30的边缘位置。将第二电极12设于第二透明膜层30的边缘位置，可以减少第二电极12对电致变色模组的颜色显示效果的影响。
在一些可选的实施例中，所述第二电极12采用印刷工艺制备于所述第二透明膜层30。可选地，印刷工艺可以包括丝印工艺或移印工艺。可根据实际需要选择印刷工艺，本公开对此不作限制。丝印铜鼓网版晒图案印在被承印物上，具有手感良好，且可以大平面印刷等优点。移印是通过硅橡胶铸成的移印头将钢凹版（或感光胶凹版）上的图文转移印刷到承印物上，可用于平面或各种成型物印刷，具有适合大小产品以及各种怪异的异形产品等优点。
在一些可选的实施例中，所述第二电极12的材料包括第二导电金属化合物。将第二电极12的材料采用第二导电金属化合物，相比于铜箔的厚度更小，可以减少电致变色模组占用的空间，有利于产品的小型化设计。可选地，所述第二电极12的材料，也即第二导电金属化合物可以包括导电金浆或是至少两种导电金属材料混合形成的导电金属化合物。导电金浆或是至少两种导电金属材料混合形成的导电金属化合物的厚度范围是5-7μm，相比于铜箔的厚度0.08mm，可以大大减少电致变色模组的厚度，节省了电致变色模组占用的空间，从而更有利于产品的小型化设计。此外，导电金浆或是至少两种导电金属材料混合形成的导电金属化合物相比于铜箔，具有更好的导电性能，可以提高产品的性能。当然，在其他例子中，第二电极12也可以采用其他导电材料，例如导电银浆，本公开对此不作限制。
在一些可选的实施例中，本实施例的电致变色模组还可以包括至少一个第一电极11以及至少一个第二电极12。所述第一电极11的一端设于所述第一透明膜层10，另一端被引出至所述第二透明膜层30外部。所述第二电极12的一端设于所述第二透明膜层30，另一端被引出至所述第一透明膜层10外部。可以理解的，本公开的电致变色模组应用于电子设备的壳体时，第一电极11和第二电极12可作为电致变色模组的正负极。第一电极11和第二电极12可以自壳体引出后与电子设备的控制电路连接，从而使整个电致变色模组能够接通电源工作，所述控制电路对所述第一电极11和第二电极12施加不同的电压，以使所述电致变色层显示不同的颜色，实现壳体的变色效果。
在一些可选的实施例中，所述第二透明层30和至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处形成有第一剥离结构13，所述第一电极11自所述第一剥离结构13露出于所述第二透明膜层30。在本实施例中，第一电极11形成于电致变色层20内部靠近第一透明膜层10的位置，并与第一透明膜层10连接。可选地，第一剥离结构13的数量及位置与第一电极11的数量及位置一一对应设置。第一电极11的形状、数量及结构可根据电致变色模组的变色速度、颜色效果等要求相应设置，本公开对此不作限制。可选地，所述第一剥离结构13的外径尺寸与所述第一电极11的外径尺寸相等，以保证第一电极11与控制电路连接的可靠性。在本实施例中，第一电极11可以是长条形结构，宽度范围可以是0.5~2.5mm。
参见图4所述，在一些可选的实施例中，电致变色模组还可以包括保护层50、第二衬底层60、光学胶层70以及盖板80。其中，保护层50设置于所述第一衬底层40远离所述电致变色层的一侧。保护层50既可以加强电致变色模组的结构强度，又可以作为装饰层起到外观装饰作用，提高产品的美观性。第二衬底层60设于所述第一透明膜层10远离所述电致变色层20的一侧，第二衬底层60可以采用PET膜（聚酯薄膜）等材料。可以理解的，第一衬底层40的膜层可以镀有第一透明膜层10，第二衬底层60的膜层可以镀有第二透明膜层30。中间附加可通电变色的电致变色层20，进而复合形成电致变色模组。盖板80设于所述光学胶层70远离所述电致变色层20的一侧。盖板80可以采用透明基底材料，包括玻璃、树脂、透明塑料薄膜等，本公开对此不作限制。光学胶层70设于所述盖板80和所述第二衬底层60之间，也即光学胶层70设于所述第二衬底层60远离所述电致变色层20的一侧。光学胶层70可以采用OCA胶（Optically Clear Adhesive）等适用于胶结透明光学元件的粘胶剂，有利于各膜层之间的连接。
在一些可选的实施例中，所述第一衬底层40、所述第二透明层30以及至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处采用模切工艺或激光雕刻工艺加工形成所述第一剥离结构13。实际应用中，可以先在第一衬底层40处相对第一电极11的位置采用模切工艺或激光雕刻工艺切断并剥离。第二透明膜层30可通过镀膜工艺附着在第一衬底层40上，故在第一衬底层40被切断剥离时，其上的第二透明膜层30能够同时被剥离去除，从而露出内部的电致变色层20。再使用能够熔接电致变色层20的化合物但不对电致变色模组其他部分产生破坏性质的溶剂擦拭电致变色层20，将该处的电致变色层20的化合物擦拭干净，从而露出内部更深层的第一透明膜层10。最后将第一电极11从电致变色层20内部粘贴在第一透明膜层10，使第一透明膜层10能够通过第一电极11导通出去。
在一些可选的实施例中，所述第一透明膜层10和至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处形成有第二剥离结构14，所述第二电极12自所述第二剥离结构14露出于所述第一透明膜层10。在本实施例中，第二电极12形成于电致变色层20内部靠近第二透明膜层30的位置，并与第二透明膜层30连接。可选地，第二剥离结构14的数量及位置与第二电极12的数量及位置一一对应设置。第二电极12的形状、数量及结构可根据电致变色模组的变色速度、颜色效果等要求相应设置，本公开对此不作限制。可选地，所述第二剥离结构14的外径尺寸与所述第二电极12的外径尺寸相等，以保证第二电极12与控制电路连接的可靠性。在本实施例中，第二电极12可以是长条形结构，宽度范围可以是0.5~2.5mm。
在一些可选的实施例中，所述第二衬底层60、所述第一透明层10以及至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处采用模切工艺或激光雕刻工艺加工形成所述第二剥离结构14。实际应用中，可以先在第二衬底层60处相对第二电极12的位置采用模切工艺或激光雕刻工艺切断并剥离。第一透明膜层10可通过镀膜工艺附着在第二衬底层60上，故在第二衬底层60被切断剥离时，其上的第一透明膜层10能够同时被剥离去除，从而露出内部的电致变色层20。再使用能够熔接电致变色层20的化合物但不对电致变色模组其他部分产生破坏性质的溶剂擦拭电致变色层20，将该处的电致变色层20的化合物擦拭干净，从而露出内部更深层的第二透明膜层30。最后将第二电极12从电致变色层20内部粘贴在第二透明膜层30，使第二透明膜层30能够通过第二电极12导通出去。
在一些可选的实施例中，所述第二透明层30和至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处形成有第一剥离结构13，所述第一电极11自所述第一剥离结构13露出于所述第二透明膜层30。在本实施例中，第一电极11形成于电致变色层20内部靠近第一透明膜层10的位置，并与第一透明膜层10连接。可选地，第一剥离结构13的数量及位置与第一电极11的数量及位置一一对应设置。第一电极11的形状、数量及结构可根据电致变色模组的变色速度、颜色效果等要求相应设置，本公开对此不作限制。可选地，所述第一剥离结构13的外径尺寸与所述第一电极11的外径尺寸相等，以保证第一电极11与控制电路连接的可靠性。在本实施例中，第一电极11可以是长条形结构，宽度范围可以是0.5~2.5mm。
所述第一透明膜层10和至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处形成有第二剥离结构，所述第二电极12自所述第二剥离结构露出于所述第一透明膜层10。在本实施例中，第二电极12形成于电致变色层20内部靠近第二透明膜层30的位置，并与第二透明膜层30连接。可选地，第二剥离结构14的数量及位置与第二电极12的数量及位置一一对应设置。第二电极12的形状、数量及结构可根据电致变色模组的变色速度、颜色效果等要求相应设置，本公开对此不作限制。可选地，所述第二剥离结构14的外径尺寸与所述第二电极12的外径尺寸相等，以保证第二电极12与控制电路连接的可靠性。在本实施例中，第二电极12可以是长条形结构，宽度范围可以是0.5~2.5mm。
本公开的电致变色模组，第一电极11的材料采用第一导电金属化合物，第二电极12的材料采用第二导电金属化合物，相比于铜箔的厚度更小，可以减少电致变色模组占用的空间，有利于产品的小型化设计。
在一些可选的实施例中，本公开的电致变色模组还可以包括第一衬底层40，设于所述第二透明膜层30远离所述电致变色层20的一侧。所述第一衬底层40、所述第二透明膜层30以及至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处形成有所述第一剥离结构13，所述第一电极11自所述第一剥离结构13露出于所述第一衬底层40。可选地，第一衬底层40可以采用PET膜（聚酯薄膜）等材料。所述第一衬底层40、所述第二透明层30以及至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处形成有所述第一剥离结构13，所述第一电极11自所述第一剥离结构13露出于所述第一衬底层40，从而将第一电极11引出壳体，以便与电子设备的控制电路连接。
在一些可选的实施例中，本公开的电致变色模组还可以包括第二衬底层60，设于所述第一透明膜层10远离所述电致变色层20的一侧。所述第二衬底层60、所述第一透明膜层10以及至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处形成有所述第二剥离结构14，所述第二电极12自所述第二剥离结构14露出于所述第二衬底层60。可选地，第二衬底层60可以采用PET膜（聚酯薄膜）等材料。所述第二衬底层60、所述第一透明层10以及至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处形成有所述第二剥离结构14，所述第二电极12自所述第二剥离结构14露出于所述第二衬底层60，从而将第二电极12引出壳体，以便与电子设备的控制电路连接。
在一些可选的实施例中，本公开的电致变色模组还可以包括第一衬底层40和第二衬底层60。
第一衬底层40设于所述第二透明膜层30远离所述电致变色层20的一侧。所述第一衬底层40、所述第二透明膜层30以及至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处形成有所述第一剥离结构13，所述第一电极11自所述第一剥离结构13露出于所述第一衬底层40。可选地，第一衬底层40可以采用PET膜（聚酯薄膜）等材料。所述第一衬底层40、所述第二透明层30以及至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处形成有所述第一剥离结构13，所述第一电极11自所述第一剥离结构13露出于所述第一衬底层40，从而将第一电极11引出壳体，以便与电子设备的控制电路连接。
第二衬底层60设于所述第一透明膜层10远离所述电致变色层20的一侧。所述第二衬底层60、所述第一透明膜层10以及至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处形成有所述第二剥离结构14，所述第二电极12自所述第二剥离结构14露出于所述第二衬底层60。可选地，第二衬底层60可以采用PET膜（聚酯薄膜）等材料。所述第二衬底层60、所述第一透明层10以及至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处形成有所述第二剥离结构14，所述第二电极12自所述第二剥离结构14露出于所述第二衬底层60，从而将第二电极12引出壳体，以便与电子设备的控制电路连接。
本公开实施例还提供一种电子设备，包括壳体，所述壳体包括电致变色模组。需要说明的是，上述实施例和实施方式中关于电致变色模组和壳体的描述，同样适用于本实施例的电子设备。电子设备可以是移动设备、手机、平板电脑等电子设备。所述电子设备内部设有信号收发器件，所述电致变色模组的信号穿透膜层与所述信号收发器件的位置相对应，以使所述信号收发器件的信号经所述信号穿透膜层处穿透。
由上述实施例可知，本公开的电子设备，电致变色模组设置有与电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域的位置对应的信号穿透膜层，以使导电膜层避让信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响，以满足天线性能要求。此外，通过上述设置，免去对电致变色模组本体进行切除作业，能够规避结构贴合断差造成膜层不易复合的影响，便于后续其他膜层（例如保护层）的贴合工艺操作。
在一些可选的实施例中，所述信号收发器件包括以下至少一个：天线净空组件、NFC组件和红外组件，从而实现信号收发功能。进一步地，电子设备还可以包括控制电路，与所述电致变色模组电连接，所述控制电路用于对所述电致变色模组施加不同的电压，以使所述电致变色模组显示不同的颜色。可以理解的，电致变色模组的第一电极和/或第二电极自所述壳体内侧引出后与所述控制电路电连接，从而使整个电致变色模组能够接通电源工作，所述控制电路对所述第一电极和/或第二电极施加不同的电压，以使所述电致变色层显示不同的颜色，实现壳体的变色效果。
参见图5所示，本公开实施例还提供一种电致变色模组的制备方法，包括以下步骤：：
步骤S11：提供电致变色模组本体，所述电致变色模组本体包括导电膜层。
步骤S12：对应于电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，将部分所述导电膜层处理得到信号穿透膜层，所述信号穿透膜层用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透。
由上述实施例可知，通过将电致变色模组本体的部分导电膜层制备成非导电的信号穿透膜层，以使导电膜层避让电子设备的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响。此外，通过上述设置，免去对电致变色模组本体进行切除作业，便于后续其他膜层的贴合工艺操作。
参见图2和图6所示，在一些可选的实施例中，上述步骤S11中，所述提供电致变色模组本体，所述电致变色模组本体包括导电膜层，可以进一步包括以下步骤：
步骤S111：提供第一透明膜层10、电致变色层20以及第二透明膜层30。
步骤S112：将所述电致变色层20贴设于所述第一透明膜层10和所述第二透明膜层30之间，以复合形成所述电致变色模组本体。
在一些可选的实施例中，所述第一透明膜层10可以包括第一透明导电区域10a和第一透明信号穿透区域10b。所述第一透明信号穿透区域10b用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透，以使导电膜层101避让电子设备的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响，以满足天线性能要求。
在一些其他实施例中，所述第二透明膜层30包括第二透明导电区域30a和第二透明信号穿透区域30b。所述第二透明信号穿透区域30b用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透，以使导电膜层101避让电子设备的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响，以满足天线性能要求。
在一些其他实施例中，所述第一透明膜层10可以包括第一透明导电区域10a和第一透明信号穿透区域10b。所述第一透明信号穿透区域10b用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透。以及所述第二透明膜层30包括第二透明导电区域30a和第二透明信号穿透区域30b。所述第二透明信号穿透区域30b用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透，以使导电膜层101避让电子设备的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响，以满足天线性能要求。可选地，第一透明信号穿透区域10b和第二透明信号穿透区域30b均与电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域的位置及形状相对应，以使导电膜层101避让电子设备的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响，以满足天线性能要求。
在一些可选的实施例中，可以通过以下其中一种方式制备得到所述第一透明信号穿透区域10b：
（1）对所述第一透明膜层10中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第一透明非导电区域，作为所述第一透明信号穿透区域10b。可选地，可以对所述第一透明膜层10中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理，从而将第一透明膜层10上与信号收发器件的信号穿透区域位置对应的导电膜层破坏，在该区域形成不导电的第一透明信号穿透区域10b，免去对电致变色模组本体进行切除作业，便于后续其他膜层的贴合工艺操作。可选地，所述图形化工艺包括以下至少一种：激光镭雕工艺、蚀刻工艺和曝光显影工艺，均可实现对所述第一透明膜层10中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理。
（2）对所述第一透明膜层10中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，采用具备信号穿透性能的透明材质制备得到所述第一透明信号穿透区域10b。透明材质可以是非导电透明材质，例如塑料，塑胶、树脂等材料。
（3）对所述第一透明膜层10中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行挖孔处理，得到所述第一透明信号穿透区域10b。
在一些可选的实施例中，可以通过以下其中一种方式制备得到所述第二透明信号穿透区域30b：
（1）对所述第二透明膜层30中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第一透明非导电区域，作为所述第二透明信号穿透区域30b。可选地，可以对所述第二透明膜层30中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理，从而将第二透明膜层30上与信号收发器件的信号穿透区域位置对应的导电膜层破坏，在该区域形成不导电的第二透明信号穿透区域30b，免去对电致变色模组本体进行切除作业，便于后续其他膜层的贴合工艺操作。可选地，所述图形化工艺包括以下至少一种：激光镭雕工艺、蚀刻工艺和曝光显影工艺，均可实现对所述第二透明膜层30中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理。
（2）对所述第二透明膜层30中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，采用具备信号穿透性能的透明材质制备得到所述第二透明信号穿透区域30b。透明材质可以是非导电透明材质，例如塑料，塑胶、树脂等材料。
（3）对所述第二透明膜层30中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行挖孔处理，得到所述第二透明信号穿透区域30b。
需要说明的是，可以只在第一透明膜层10上加工得到第一透明信号穿透区域10b。或是，可以只在第二透明膜层30上加工得到第二透明信号穿透区域30b。或是，同时在第一透明膜层10上加工得到第一透明信号穿透区域10b，以及在第二透明膜层30上加工得到第二透明信号穿透区域30b，以提高电子设备对信号收发器件的信号穿透性能。此外，上述对所述第一透明膜层10采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理以及对所述第二透明膜层30采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理，可以是在将第一透明膜层10、电致变色层20以及第二透明膜层30复合形成所述电致变色模组本体之前完成。也可以是在将第一透明膜层10、电致变色层20以及第二透明膜层30复合形成所述电致变色模组本体之后完成。
在一些可选的实施例中，所述第一透明膜层10包括第一导电膜层15和第一信号穿透膜层16，所述第二透明膜层30包括第二导电膜层31和第二信号穿透膜层32，所述第一信号穿透膜层16及所述第二信号穿透膜层32均与所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域的位置及形状相适配以使所述第一导电膜层15及所述第二导电膜层31避让电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，减少对天线性能的干扰和影响。可以理解的，第一导电膜层15设有第一透明导电区域10a，第一信号穿透膜层16设有第一透明信号穿透区域10b。可以理解的，第二导电膜层31设有第二透明导电区域30a，第二信号穿透膜层32设有第二透明信号穿透区域30b。
在本实施例中，第一透明膜层10、电致变色层20以及第二透明膜层30自上而下依次设置。电致变色层20可以包括氧化钨、氧化钼、氧化钛、紫罗碱、稀土酞菁、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺及其衍生物等化合物材料。第一透明膜层10和第二透明膜层30可以采用氧化铟锡（ITO）、氧化铟、氧化锡、氧化锌、锡掺杂的氧化铟、氟掺杂的氧化锡等材料。
参见图3所示，在一些可选的实施例中，本实施例的电致变色模组还可以包括至少一个第一电极11，所述第一电极11的一端设于所述第一透明膜层10，另一端被引出至所述第二透明膜层30外部。可以理解的，本公开的电致变色模组应用于电子设备的壳体时，第一电极11可以自壳体引出后与电子设备的控制电路连接，从而使整个电致变色模组能够接通电源工作，所述控制电路对所述第一电极11施加不同的电压，以使所述电致变色层显示不同的颜色，实现壳体的变色效果。可选地，所述第一电极11位于所述第一透明膜层10的边缘位置。将第一电极11设于第一透明膜层10的边缘位置，可以减少第一电极11对电致变色模组的颜色显示效果的影响。
在一些可选的实施例中，所述第一电极11采用印刷工艺制备于所述第一透明膜层10。可选地，印刷工艺可以包括丝印工艺或移印工艺。可根据实际需要选择印刷工艺，本公开对此不作限制。丝印铜鼓网版晒图案印在被承印物上，具有手感良好，且可以大平面印刷等优点。移印是通过硅橡胶铸成的移印头将钢凹版（或感光胶凹版）上的图文转移印刷到承印物上，可用于平面或各种成型物印刷，具有适合大小产品以及各种怪异的异形产品等优点。
在一些可选的实施例中，所述第一电极11的材料包括第一导电金属化合物，将第一电极11的材料采用第一导电金属化合物，相比于铜箔的厚度更小，可以减少电致变色模组占用的空间，有利于产品的小型化设计。可选地，所述第一电极11的材料，也即第一导电金属化合物可以包括导电金浆或是至少两种导电金属材料混合形成的导电金属化合物。导电金浆或是至少两种导电金属材料混合形成的导电金属化合物的厚度范围是5-7μm，相比于铜箔的厚度0.08mm，可以大大减少电致变色模组的厚度，节省了电致变色模组占用的空间，从而更有利于产品的小型化设计。此外，导电金浆或是至少两种导电金属材料混合形成的导电金属化合物相比于铜箔，具有更好的导电性能，可以提高产品的性能。当然，在其他例子中，第一电极11也可以采用其他导电材料，例如导电银浆，本公开对此不作限制。
在一些可选的实施例中，本实施例的电致变色模组还可以包括至少一个第二电极12，所述第二电极12的一端设于所述第二透明膜层30，另一端被引出至所述第一透明膜层10外部。可以理解的，本公开的电致变色模组应用于电子设备的壳体时，第二电极12可以自壳体引出后与电子设备的控制电路连接，从而使整个电致变色模组能够接通电源工作，所述控制电路对所述第二电极12施加不同的电压，以使所述电致变色层显示不同的颜色，实现壳体的变色效果。可选地，在一些可选的实施例中，所述第二电极12位于所述第二透明膜层30的边缘位置。将第二电极12设于第二透明膜层30的边缘位置，可以减少第二电极12对电致变色模组的颜色显示效果的影响。
在一些可选的实施例中，所述第二电极12采用印刷工艺制备于所述第二透明膜层30。可选地，印刷工艺可以包括丝印工艺或移印工艺。可根据实际需要选择印刷工艺，本公开对此不作限制。丝印铜鼓网版晒图案印在被承印物上，具有手感良好，且可以大平面印刷等优点。移印是通过硅橡胶铸成的移印头将钢凹版（或感光胶凹版）上的图文转移印刷到承印物上，可用于平面或各种成型物印刷，具有适合大小产品以及各种怪异的异形产品等优点。
在一些可选的实施例中，所述第二电极12的材料包括第二导电金属化合物。将第二电极12的材料采用第二导电金属化合物，相比于铜箔的厚度更小，可以减少电致变色模组占用的空间，有利于产品的小型化设计。可选地，所述第二电极12的材料，也即第二导电金属化合物可以包括导电金浆或是至少两种导电金属材料混合形成的导电金属化合物。导电金浆或是至少两种导电金属材料混合形成的导电金属化合物的厚度范围是5-7μm，相比于铜箔的厚度0.08mm，可以大大减少电致变色模组的厚度，节省了电致变色模组占用的空间，从而更有利于产品的小型化设计。此外，导电金浆或是至少两种导电金属材料混合形成的导电金属化合物相比于铜箔，具有更好的导电性能，可以提高产品的性能。当然，在其他例子中，第二电极12也可以采用其他导电材料，例如导电银浆，本公开对此不作限制。
在一些可选的实施例中，本实施例的电致变色模组还可以包括至少一个第一电极11以及至少一个第二电极12。所述第一电极11的一端设于所述第一透明膜层10，另一端被引出至所述第二透明膜层30外部。所述第二电极12的一端设于所述第二透明膜层30，另一端被引出至所述第一透明膜层10外部。可以理解的，本公开的电致变色模组应用于电子设备的壳体时，第一电极11和第二电极12可作为电致变色模组的正负极。第一电极11和第二电极12可以自壳体引出后与电子设备的控制电路连接，从而使整个电致变色模组能够接通电源工作，所述控制电路对所述第一电极11和第二电极12施加不同的电压，以使所述电致变色层显示不同的颜色，实现壳体的变色效果。
在一些可选的实施例中，所述第二透明层30和至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处形成有第一剥离结构13，所述第一电极11自所述第一剥离结构13露出于所述第二透明膜层30。在本实施例中，第一电极11形成于电致变色层20内部靠近第一透明膜层10的位置，并与第一透明膜层10连接。可选地，第一剥离结构13的数量及位置与第一电极11的数量及位置一一对应设置。第一电极11的形状、数量及结构可根据电致变色模组的变色速度、颜色效果等要求相应设置，本公开对此不作限制。可选地，所述第一剥离结构13的外径尺寸与所述第一电极11的外径尺寸相等，以保证第一电极11与控制电路连接的可靠性。在本实施例中，第一电极11可以是长条形结构，宽度范围可以是0.5~2.5mm。
参见图4所述，在一些可选的实施例中，电致变色模组还可以包括保护层50、第二衬底层60、光学胶层70以及盖板80。其中，保护层50设置于所述第一衬底层40远离所述电致变色层的一侧。保护层50既可以加强电致变色模组的结构强度，又可以作为装饰层起到外观装饰作用，提高产品的美观性。第二衬底层60设于所述第一透明膜层10远离所述电致变色层20的一侧，第二衬底层60可以采用PET膜（聚酯薄膜）等材料。可以理解的，第一衬底层40的膜层可以镀有第一透明膜层10，第二衬底层60的膜层可以镀有第二透明膜层30。中间附加可通电变色的电致变色层20，进而复合形成电致变色模组。盖板80设于所述光学胶层70远离所述电致变色层20的一侧。盖板80可以采用透明基底材料，包括玻璃、树脂、透明塑料薄膜等，本公开对此不作限制。光学胶层70设于所述盖板80和所述第二衬底层60之间，也即光学胶层70设于所述第二衬底层60远离所述电致变色层20的一侧。光学胶层70可以采用OCA胶（Optically Clear Adhesive）等适用于胶结透明光学元件的粘胶剂，有利于各膜层之间的连接。
在一些可选的实施例中，所述第一衬底层40、所述第二透明层30以及至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处采用模切工艺或激光雕刻工艺加工形成所述第一剥离结构13。实际应用中，可以先在第一衬底层40处相对第一电极11的位置采用模切工艺或激光雕刻工艺切断并剥离。第二透明膜层30可通过镀膜工艺附着在第一衬底层40上，故在第一衬底层40被切断剥离时，其上的第二透明膜层30能够同时被剥离去除，从而露出内部的电致变色层20。再使用能够熔接电致变色层20的化合物但不对电致变色模组其他部分产生破坏性质的溶剂擦拭电致变色层20，将该处的电致变色层20的化合物擦拭干净，从而露出内部更深层的第一透明膜层10。最后将第一电极11从电致变色层20内部粘贴在第一透明膜层10，使第一透明膜层10能够通过第一电极11导通出去。
在一些可选的实施例中，所述第一透明膜层10和至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处形成有第二剥离结构14，所述第二电极12自所述第二剥离结构14露出于所述第一透明膜层10。在本实施例中，第二电极12形成于电致变色层20内部靠近第二透明膜层30的位置，并与第二透明膜层30连接。可选地，第二剥离结构14的数量及位置与第二电极12的数量及位置一一对应设置。第二电极12的形状、数量及结构可根据电致变色模组的变色速度、颜色效果等要求相应设置，本公开对此不作限制。可选地，所述第二剥离结构14的外径尺寸与所述第二电极12的外径尺寸相等，以保证第二电极12与控制电路连接的可靠性。在本实施例中，第二电极12可以是长条形结构，宽度范围可以是0.5~2.5mm。
在一些可选的实施例中，所述第二衬底层60、所述第一透明层10以及至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处采用模切工艺或激光雕刻工艺加工形成所述第二剥离结构14。实际应用中，可以先在第二衬底层60处相对第二电极12的位置采用模切工艺或激光雕刻工艺切断并剥离。第一透明膜层10可通过镀膜工艺附着在第二衬底层60上，故在第二衬底层60被切断剥离时，其上的第一透明膜层10能够同时被剥离去除，从而露出内部的电致变色层20。再使用能够熔接电致变色层20的化合物但不对电致变色模组其他部分产生破坏性质的溶剂擦拭电致变色层20，将该处的电致变色层20的化合物擦拭干净，从而露出内部更深层的第二透明膜层30。最后将第二电极12从电致变色层20内部粘贴在第二透明膜层30，使第二透明膜层30能够通过第二电极12导通出去。
在一些可选的实施例中，所述第二透明层30和至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处形成有第一剥离结构13，所述第一电极11自所述第一剥离结构13露出于所述第二透明膜层30。在本实施例中，第一电极11形成于电致变色层20内部靠近第一透明膜层10的位置，并与第一透明膜层10连接。可选地，第一剥离结构13的数量及位置与第一电极11的数量及位置一一对应设置。第一电极11的形状、数量及结构可根据电致变色模组的变色速度、颜色效果等要求相应设置，本公开对此不作限制。可选地，所述第一剥离结构13的外径尺寸与所述第一电极11的外径尺寸相等，以保证第一电极11与控制电路连接的可靠性。在本实施例中，第一电极11可以是长条形结构，宽度范围可以是0.5~2.5mm。
所述第一透明膜层10和至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处形成有第二剥离结构，所述第二电极12自所述第二剥离结构露出于所述第一透明膜层10。在本实施例中，第二电极12形成于电致变色层20内部靠近第二透明膜层30的位置，并与第二透明膜层30连接。可选地，第二剥离结构14的数量及位置与第二电极12的数量及位置一一对应设置。第二电极12的形状、数量及结构可根据电致变色模组的变色速度、颜色效果等要求相应设置，本公开对此不作限制。可选地，所述第二剥离结构14的外径尺寸与所述第二电极12的外径尺寸相等，以保证第二电极12与控制电路连接的可靠性。在本实施例中，第二电极12可以是长条形结构，宽度范围可以是0.5~2.5mm。
本公开的电致变色模组，第一电极11的材料采用第一导电金属化合物，第二电极12的材料采用第二导电金属化合物，相比于铜箔的厚度更小，可以减少电致变色模组占用的空间，有利于产品的小型化设计。
在一些可选的实施例中，本公开的电致变色模组还可以包括第一衬底层40，设于所述第二透明膜层30远离所述电致变色层20的一侧。所述第一衬底层40、所述第二透明膜层30以及至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处形成有所述第一剥离结构13，所述第一电极11自所述第一剥离结构13露出于所述第一衬底层40。可选地，第一衬底层40可以采用PET膜（聚酯薄膜）等材料。所述第一衬底层40、所述第二透明层30以及至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处形成有所述第一剥离结构13，所述第一电极11自所述第一剥离结构13露出于所述第一衬底层40，从而将第一电极11引出壳体，以便与电子设备的控制电路连接。
在一些可选的实施例中，本公开的电致变色模组还可以包括第二衬底层60，设于所述第一透明膜层10远离所述电致变色层20的一侧。所述第二衬底层60、所述第一透明膜层10以及至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处形成有所述第二剥离结构14，所述第二电极12自所述第二剥离结构14露出于所述第二衬底层60。可选地，第二衬底层60可以采用PET膜（聚酯薄膜）等材料。所述第二衬底层60、所述第一透明层10以及至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处形成有所述第二剥离结构14，所述第二电极12自所述第二剥离结构14露出于所述第二衬底层60，从而将第二电极12引出壳体，以便与电子设备的控制电路连接。
在一些可选的实施例中，本公开的电致变色模组还可以包括第一衬底层40和第二衬底层60。
第一衬底层40设于所述第二透明膜层30远离所述电致变色层20的一侧。所述第一衬底层40、所述第二透明膜层30以及至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处形成有所述第一剥离结构13，所述第一电极11自所述第一剥离结构13露出于所述第一衬底层40。可选地，第一衬底层40可以采用PET膜（聚酯薄膜）等材料。所述第一衬底层40、所述第二透明层30以及至少部分所述电致变色层20相对所述第一电极11的位置处形成有所述第一剥离结构13，所述第一电极11自所述第一剥离结构13露出于所述第一衬底层40，从而将第一电极11引出壳体，以便与电子设备的控制电路连接。
第二衬底层60设于所述第一透明膜层10远离所述电致变色层20的一侧。所述第二衬底层60、所述第一透明膜层10以及至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处形成有所述第二剥离结构14，所述第二电极12自所述第二剥离结构14露出于所述第二衬底层60。可选地，第二衬底层60可以采用PET膜（聚酯薄膜）等材料。所述第二衬底层60、所述第一透明层10以及至少部分所述电致变色层20相对所述第二电极12的位置处形成有所述第二剥离结构14，所述第二电极12自所述第二剥离结构14露出于所述第二衬底层60，从而将第二电极12引出壳体，以便与电子设备的控制电路连接。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (16)
1.一种电致变色模组，用于电子设备的壳体，其特征在于，包括：电致变色模组本体，所述电致变色模组本体包括导电膜层和信号穿透膜层，所述信号穿透膜层用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透；
所述电致变色模组本体包括沿所述电致变色模组的剖面方向依次设置的第一透明膜层、电致变色层以及第二透明膜层；
所述第一透明膜层包括第一透明导电区域和第一透明信号穿透区域；所述第一透明信号穿透区域用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透；对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第一透明非导电区域，作为所述第一透明信号穿透区域；
所述第二透明膜层包括第二透明导电区域和第二透明信号穿透区域；所述第二透明信号穿透区域用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透；对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第二透明非导电区域，作为所述第二透明信号穿透区域。
2.根据权利要求1所述的电致变色模组，其特征在于，所述对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，包括：对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理；
所述图形化工艺包括以下至少一种：激光镭雕工艺、蚀刻工艺和曝光显影工艺。
3.根据权利要求1所述的电致变色模组，其特征在于，所述对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，包括：对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理；
所述图形化工艺包括以下至少一种：激光镭雕工艺、蚀刻工艺和曝光显影工艺。
4. 根据权利要求1所述的电致变色模组，其特征在于，所述第一透明膜层包括第一导电膜层和第一信号穿透膜层，所述第二透明膜层包括第二导电膜层和第二信号穿透膜层，所述第一信号穿透膜层及所述第二信号穿透膜层均与所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域的位置及形状相适配。
5.根据权利要求4所述的电致变色模组，其特征在于，还包括至少一个第一电极，所述第一电极的一端设于所述第一透明膜层，另一端被引出至所述第二透明膜层外部；和/或
还包括至少一个第二电极，所述第二电极的一端设于所述第二透明膜层，另一端被引出至所述第一透明膜层外部。
6.根据权利要求5所述的电致变色模组，其特征在于，所述第二透明膜层和至少部分所述电致变色层相对所述第一电极的位置处形成有第一剥离结构，所述第一电极自所述第一剥离结构露出于所述第二透明膜层；和/或
所述第一透明膜层和至少部分所述电致变色层相对所述第二电极的位置处形成有第二剥离结构，所述第二电极自所述第二剥离结构露出于所述第一透明膜层。
7.根据权利要求6所述的电致变色模组，其特征在于，还包括第一衬底层，设于所述第二透明膜层远离所述电致变色层的一侧；所述第一衬底层、所述第二透明膜层以及至少部分所述电致变色层相对所述第一电极的位置处形成有所述第一剥离结构，所述第一电极自所述第一剥离结构露出于所述第一衬底层；和/或
还包括第二衬底层，设于所述第一透明膜层远离所述电致变色层的一侧；所述第二衬底层、所述第一透明膜层以及至少部分所述电致变色层相对所述第二电极的位置处形成有所述第二剥离结构，所述第二电极自所述第二剥离结构露出于所述第二衬底层。
8.根据权利要求7所述的电致变色模组，其特征在于，还包括：
保护层，设置于所述第一衬底层远离所述电致变色层的一侧；和/或
盖板，设置于所述第二衬底层远离所述电致变色层的一侧。
9.根据权利要求8所述的电致变色模组，其特征在于，还包括光学胶层，设于所述盖板和所述第二衬底层之间。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括壳体，所述壳体包括如权利要求1至9中任一项所述电致变色模组；所述电子设备内部设有信号收发器件，所述信号穿透膜层与所述信号收发器件的位置相对应，以使所述信号收发器件的信号经所述信号穿透膜层处穿透。
11.根据权利要求10所述的电子设备，其特征在于，所述信号收发器件包括以下至少一个：天线净空组件、NFC组件和红外组件。
12.根据权利要求10所述的电子设备，其特征在于，还包括控制电路，与所述电致变色模组电连接，所述控制电路用于对所述电致变色模组施加不同的电压，以使所述电致变色模组显示不同的颜色。
13.一种电致变色模组的制备方法，其特征在于，包括：
提供电致变色模组本体，所述电致变色模组本体包括导电膜层；
对应于电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域，将部分所述导电膜层处理得到信号穿透膜层，所述信号穿透膜层用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透；
所述提供电致变色模组本体，包括：
提供第一透明膜层、电致变色层以及第二透明膜层；
将所述电致变色层贴设于所述第一透明膜层和所述第二透明膜层之间，复合形成所述电致变色模组本体；
其中，所述第一透明膜层包括第一透明导电区域和第一透明信号穿透区域；所述第一透明信号穿透区域用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透；对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第一透明非导电区域，作为所述第一透明信号穿透区域；
所述第二透明膜层包括第二透明导电区域和第二透明信号穿透区域；所述第二透明信号穿透区域用于对应所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透；对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，得到第二透明非导电区域，作为所述第二透明信号穿透区域。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，包括：对所述第一透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理；
所述图形化工艺包括以下至少一种：激光镭雕工艺、蚀刻工艺和曝光显影工艺。
15.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域进行导电性能破坏处理，包括：对所述第二透明膜层中对应于所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域采用图形化工艺方式进行导电性能破坏处理；
所述图形化工艺包括以下至少一种：激光镭雕工艺、蚀刻工艺和曝光显影工艺。
16.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述第一透明膜层包括第一导电膜层和第一信号穿透膜层，所述第二透明膜层包括第二导电膜层和第二信号穿透膜层，所述第一信号穿透膜层及所述第二信号穿透膜层均与所述电子设备内部的信号收发器件的信号穿透区域的位置及形状相适配。
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